JPH02212804A - 光半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
光半導体素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH02212804A JPH02212804A JP1032891A JP3289189A JPH02212804A JP H02212804 A JPH02212804 A JP H02212804A JP 1032891 A JP1032891 A JP 1032891A JP 3289189 A JP3289189 A JP 3289189A JP H02212804 A JPH02212804 A JP H02212804A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- optical
- waveguide
- optical waveguide
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 88
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 17
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 9
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 101100299650 Caenorhabditis elegans rnp-6 gene Proteins 0.000 description 1
- 244000061354 Manilkara achras Species 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は半絶縁性半導体による埋め込み構造の光半導体
素子及びその製造方法に関する。
素子及びその製造方法に関する。
（従来技術とその問題点）
光フアイバ通信技術は光ファイバの超低損失性と光が本
質的に有する超広帯域性を利用して進展し、伝送のます
ますの長距離化と大容量化の研究が世界的に進められて
いる。光ファイバの損失が理論的限界に達した今日では
、特に伝送の高速化、大容量化の研究が重要になってき
ている。
質的に有する超広帯域性を利用して進展し、伝送のます
ますの長距離化と大容量化の研究が世界的に進められて
いる。光ファイバの損失が理論的限界に達した今日では
、特に伝送の高速化、大容量化の研究が重要になってき
ている。
光信号を高速にオン・オフする技術としては、現在では
一般に半導体レーザを直接変調する方法がとられている
。然るに、発光素子である半導体レーザの電流を高速に
変化させるために発振波長が時間的に大きく変動し、結
果的に発振スペクトル幅が変調帯域のスペクトルに比べ
て異常に大きく広がってしまう、従って、長距離、ある
いは高速の伝送では光ファイバの波長分散の影響を大き
く受け、受信されるパルスが歪んでしまうため、良好な
伝送特性が得られない、そこでこのような問題を避ける
ため、半導体レーザの出力は一定に保持し、外部の光変
調素子で高速な変調を行なう方法が近年検討されている
。
一般に半導体レーザを直接変調する方法がとられている
。然るに、発光素子である半導体レーザの電流を高速に
変化させるために発振波長が時間的に大きく変動し、結
果的に発振スペクトル幅が変調帯域のスペクトルに比べ
て異常に大きく広がってしまう、従って、長距離、ある
いは高速の伝送では光ファイバの波長分散の影響を大き
く受け、受信されるパルスが歪んでしまうため、良好な
伝送特性が得られない、そこでこのような問題を避ける
ため、半導体レーザの出力は一定に保持し、外部の光変
調素子で高速な変調を行なう方法が近年検討されている
。
第１図は従来の光変調素子の模式図を示したものである
。ｎ型１ｎＰ基板１の上に、ｎ型ＩｎＰＭ２、Ｉ ｎＧ
ａＡｓ Ｐ変調導波路層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、
および、ｐ型１ｎＧａＡｓＰコンタクト層５が積層され
ており、かつこれらの層がメサ状に形成され、メサの周
囲が半絶縁性ＩｎＰ６で埋め込まれている。そして、ｐ
＠電極７およびｎ側電極８がそれぞれＰ型！ｎＧａＡｓ
Ｐコンタクト層５とｎ型ＩｎＰ基板１に接するように形
成されている。このような光変調素子では、ＩｎＧａＡ
ｓ Ｐ変調導波路層３に光を入射してＰ側電極７にマイ
ナス、ｎ側電極８にプラスの電圧を印加することによっ
て入射光を変調することができる。なお、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ変調導波路層３に光を入射しても一般に光はＩｎＰ２
．ＩｎＧａＡｓＰ変調導波路層３．ＩｎＰｎチク９フ４
を光導波路と呼ぶこととする０例えば、入射光のフォト
ンエネルギーがＩ ｎＧａＡｓ Ｐ変調導波路層３のエ
ネルギーバンドギャップよりも３０〜６０ｍｅ Ｖ程度
小さくなるように設計すると、電圧を印加しない場合に
は入射光はＴ ｎＧａＡｓ Ｐ変調導波路層３ではほと
んど吸収されずにそのまま透過し、逆に電圧を印加する
と入射光はほとんど吸収される。従って、入射光は強度
変調される。また、入射光のフォトンエネルギーがＩｎ
ＧａＡｓＰ変調導波路層３のエネルギーバンドギャップ
よりも十分小さくなるように設計すれば、入射光の強度
は一定に保ちながら位相を変調できる。また、第１図を
光変調素子として説明してきたが、ｐ側電極７にプラス
、ｎ側電極８にマイナスの電源を供給することにより、
発光素子として用いることも可能である。
。ｎ型１ｎＰ基板１の上に、ｎ型ＩｎＰＭ２、Ｉ ｎＧ
ａＡｓ Ｐ変調導波路層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、
および、ｐ型１ｎＧａＡｓＰコンタクト層５が積層され
ており、かつこれらの層がメサ状に形成され、メサの周
囲が半絶縁性ＩｎＰ６で埋め込まれている。そして、ｐ
＠電極７およびｎ側電極８がそれぞれＰ型！ｎＧａＡｓ
Ｐコンタクト層５とｎ型ＩｎＰ基板１に接するように形
成されている。このような光変調素子では、ＩｎＧａＡ
ｓ Ｐ変調導波路層３に光を入射してＰ側電極７にマイ
ナス、ｎ側電極８にプラスの電圧を印加することによっ
て入射光を変調することができる。なお、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ変調導波路層３に光を入射しても一般に光はＩｎＰ２
．ＩｎＧａＡｓＰ変調導波路層３．ＩｎＰｎチク９フ４
を光導波路と呼ぶこととする０例えば、入射光のフォト
ンエネルギーがＩ ｎＧａＡｓ Ｐ変調導波路層３のエ
ネルギーバンドギャップよりも３０〜６０ｍｅ Ｖ程度
小さくなるように設計すると、電圧を印加しない場合に
は入射光はＴ ｎＧａＡｓ Ｐ変調導波路層３ではほと
んど吸収されずにそのまま透過し、逆に電圧を印加する
と入射光はほとんど吸収される。従って、入射光は強度
変調される。また、入射光のフォトンエネルギーがＩｎ
ＧａＡｓＰ変調導波路層３のエネルギーバンドギャップ
よりも十分小さくなるように設計すれば、入射光の強度
は一定に保ちながら位相を変調できる。また、第１図を
光変調素子として説明してきたが、ｐ側電極７にプラス
、ｎ側電極８にマイナスの電源を供給することにより、
発光素子として用いることも可能である。
第２図は従来の製造工程を示すための光半導体素子の断
面図であり、ｎ型ＩｎＰ基板ｌの全面上にｎ型１ｎＰ層
２、Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ変調導波路層３、Ｐ型１ｎＰク
ラッド層４、およびｐ型ＩｎＧａＡｓ Ｐコンタクト層
５を順次結晶成長させた後、Ｓｉｎｇ膜９をエツチング
マスクにして半絶縁性ｒｎＰ６を埋め込む領域を選択的
にエツチングしてメサ状の光導波路を形成する０次に、
Ｓ１０゜膜９を選択成長マスクにしてエツチングした部
分に半絶縁性ＩｎＰ６を選択結晶成長させている。
面図であり、ｎ型ＩｎＰ基板ｌの全面上にｎ型１ｎＰ層
２、Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ変調導波路層３、Ｐ型１ｎＰク
ラッド層４、およびｐ型ＩｎＧａＡｓ Ｐコンタクト層
５を順次結晶成長させた後、Ｓｉｎｇ膜９をエツチング
マスクにして半絶縁性ｒｎＰ６を埋め込む領域を選択的
にエツチングしてメサ状の光導波路を形成する０次に、
Ｓ１０゜膜９を選択成長マスクにしてエツチングした部
分に半絶縁性ＩｎＰ６を選択結晶成長させている。
（発明が解決しようとする問題点）
この際に、５ｉｏｔ膜９をマスクとして選択成長を行な
うと、Ｓｔｏｗ膜９から半絶縁性１ｒ＋Ｐ６に不純物や
格子欠陥が導入され、結晶性が劣るＩｎＰが成長する。
うと、Ｓｔｏｗ膜９から半絶縁性１ｒ＋Ｐ６に不純物や
格子欠陥が導入され、結晶性が劣るＩｎＰが成長する。
この結果、従来の光半導体素子を光変調素子として用い
た場合には、暗電流が増大して大きく変調できな（なり
、一方レーザとして用いた場合には、発振闇値が高くな
るという欠点があった。
た場合には、暗電流が増大して大きく変調できな（なり
、一方レーザとして用いた場合には、発振闇値が高くな
るという欠点があった。
このように、従来の光半導体素子及びその製造方法では
、メサ状の光導波路を埋め込んだ半絶縁性半導体の結晶
性が劣るため、暗電流が大きく、かつ発振闇値が高いと
いう問題点があった。
、メサ状の光導波路を埋め込んだ半絶縁性半導体の結晶
性が劣るため、暗電流が大きく、かつ発振闇値が高いと
いう問題点があった。
本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するために
なされたもので、メサ状の光導波路を埋め込んだ半絶縁
性半導体の結晶性が良い光半導体素子及びその製造方法
を提供することを目的とする。
なされたもので、メサ状の光導波路を埋め込んだ半絶縁
性半導体の結晶性が良い光半導体素子及びその製造方法
を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明の第１の特徴は、基板上にメサ状に形成された光
導波路層と該光導波路層よりも屈折率の小なるクラッド
層とを有する光導波路と一対の電極とを備えた光半導体
素子において、 前記光導波路の横方向に光を閉じ込めるために前記光導
波路の外周全体に配置され、かつ前記光導波路層を構成
する半導体層の屈折率よりも小なる屈折率を有する半絶
縁性半導体と、 前記電極のうち一方の電極側から前記光導波路の一部に
達する様にドーパントが拡散された拡散領域とを有する
ことにある。
導波路層と該光導波路層よりも屈折率の小なるクラッド
層とを有する光導波路と一対の電極とを備えた光半導体
素子において、 前記光導波路の横方向に光を閉じ込めるために前記光導
波路の外周全体に配置され、かつ前記光導波路層を構成
する半導体層の屈折率よりも小なる屈折率を有する半絶
縁性半導体と、 前記電極のうち一方の電極側から前記光導波路の一部に
達する様にドーパントが拡散された拡散領域とを有する
ことにある。
本発明の第２の特徴は、基板上に光導波路層と該光導波
路層よりも屈折率の小なるクラッド層とを有する光導波
路をエツチングマスクを用いてメサ状に形成した後、半
導体層で該光導波路を埋め込んで光半導体素子を製造す
る光半導体素子の製造方法において、 該エツチングマスクを除去した後、前記メサ状の前記光
導波路を半絶縁性半導体で埋め込む工程と、 該半絶縁性半導体上部に直接もしくはコンタク層を介し
て選択拡散用のマスクを形成し、該選択拡散用のマスク
から前記光導波路の一部に達するようにドーパントを選
択的に拡散する工程を備えていることにある。
路層よりも屈折率の小なるクラッド層とを有する光導波
路をエツチングマスクを用いてメサ状に形成した後、半
導体層で該光導波路を埋め込んで光半導体素子を製造す
る光半導体素子の製造方法において、 該エツチングマスクを除去した後、前記メサ状の前記光
導波路を半絶縁性半導体で埋め込む工程と、 該半絶縁性半導体上部に直接もしくはコンタク層を介し
て選択拡散用のマスクを形成し、該選択拡散用のマスク
から前記光導波路の一部に達するようにドーパントを選
択的に拡散する工程を備えていることにある。
本発明の第３の特徴は、光を発光するための発光層と該
発光層からの光を閉じ込めるためのクラッド層からなる
発光導波路を有するレーザ領域と、前記発光層から出射
した光を変調するための光導波路層と該光導波路層より
も屈折率が小なる複数のクラッド層からなる変調導波路
を有する変調領域とを同一の基板上に集積化し、該発光
導波路と該変調導波路とをエツチングマスクを用いてメ
サ状に形成する光半導体素子の製造方法において、該エ
ツチングマスクを除去した後、前記メサ状の前記発光導
波路と前記変調導波路とを半絶縁性半導体で埋め込む工
程と、 該半絶縁性半導体上部に直接もしくはコンタクト層を介
して選択拡散用のマスクを形成する工程と、 該選択拡散用のマスクから前記発光導波路と前記変調導
波路との一部にそれぞれ達するようにドーパントを選択
的に拡散する工程を少なくとも備えていることにある。
発光層からの光を閉じ込めるためのクラッド層からなる
発光導波路を有するレーザ領域と、前記発光層から出射
した光を変調するための光導波路層と該光導波路層より
も屈折率が小なる複数のクラッド層からなる変調導波路
を有する変調領域とを同一の基板上に集積化し、該発光
導波路と該変調導波路とをエツチングマスクを用いてメ
サ状に形成する光半導体素子の製造方法において、該エ
ツチングマスクを除去した後、前記メサ状の前記発光導
波路と前記変調導波路とを半絶縁性半導体で埋め込む工
程と、 該半絶縁性半導体上部に直接もしくはコンタクト層を介
して選択拡散用のマスクを形成する工程と、 該選択拡散用のマスクから前記発光導波路と前記変調導
波路との一部にそれぞれ達するようにドーパントを選択
的に拡散する工程を少なくとも備えていることにある。
以下に、図面を用いて光変調素子を例に取り、本発明の
詳細な説明する。
詳細な説明する。
（実施例１）
第３図は本発明による光変調素子の断面図である。ｎ型
ＩｎＰ基板ｌｌ上に光導波路を形成する第１のクラッド
層であるｎ型ＩｎＰＭ！１２、ＩｎＧａＡｓＰ変調導波
路層１３及び第２のクラッド層であるＰ型ＩｎＰ層１４
が、本発明では鉄ドープの半絶縁性ＩｎＰ層１５によっ
て外周全体が埋め込まれた構造をしており、ｐ壁領域は
ｐ型ＩｎＧａＡｓ Ｐコンタクト層１６とクラッド層上
部のｐ型１ｎＰ層１４とが亜鉛拡散領域１Ｂによってつ
ながっている。但し、Ｐ型！ｎＧａＡｓＰコンタクト層
１６は、電極１９とのコンタクトを良くするために設け
られているが、素子の構成上必ずしも必要なものでなく
、省略しても構わない、なお、１９はｐ側電極、２０は
ｎ側電極である。
ＩｎＰ基板ｌｌ上に光導波路を形成する第１のクラッド
層であるｎ型ＩｎＰＭ！１２、ＩｎＧａＡｓＰ変調導波
路層１３及び第２のクラッド層であるＰ型ＩｎＰ層１４
が、本発明では鉄ドープの半絶縁性ＩｎＰ層１５によっ
て外周全体が埋め込まれた構造をしており、ｐ壁領域は
ｐ型ＩｎＧａＡｓ Ｐコンタクト層１６とクラッド層上
部のｐ型１ｎＰ層１４とが亜鉛拡散領域１Ｂによってつ
ながっている。但し、Ｐ型！ｎＧａＡｓＰコンタクト層
１６は、電極１９とのコンタクトを良くするために設け
られているが、素子の構成上必ずしも必要なものでなく
、省略しても構わない、なお、１９はｐ側電極、２０は
ｎ側電極である。
即ち、本発明の光変調素子は光導波路０１１．１２゜１
３及び層１４）が半絶縁性ＩｎＰ層１５によって外周全
体が埋め込まれた構造をしており、かつ亜鉛拡散領域１
８が光導波路の一部であるｐ型ＩｎＰ層１４に達するよ
うに拡散されて構成されているのが特徴である。
３及び層１４）が半絶縁性ＩｎＰ層１５によって外周全
体が埋め込まれた構造をしており、かつ亜鉛拡散領域１
８が光導波路の一部であるｐ型ＩｎＰ層１４に達するよ
うに拡散されて構成されているのが特徴である。
第４図（ａ）〜（ｅ）は第３図に示した光半導体素子を
本発明による製造方法で製造する方法を説明するための
工程図である。
本発明による製造方法で製造する方法を説明するための
工程図である。
（ａ）ｎ型ＩｎＰ基板１１上に光導波路となるｎ型Ｉｎ
Ｐ層１２、ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層１３、およびｐ型
ＩｎＰ層１４を順次結晶成長する。
Ｐ層１２、ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層１３、およびｐ型
ＩｎＰ層１４を順次結晶成長する。
（ｂ）次に、例えばＳｉＯｘ膜９等をエツチング？７Ｅ
、りとしてｐ型１ｎｐＨ４、ｎ型ＩｎＰ層１３、ＩｎＧ
ａＡｓＰ光導波路層１２をメサ状にエツチングする。こ
こまでは従来と同じである。なお、本発明ではここでエ
ツチングマスクであるＳ ｉ Ｏｚ膜９を除去する。
、りとしてｐ型１ｎｐＨ４、ｎ型ＩｎＰ層１３、ＩｎＧ
ａＡｓＰ光導波路層１２をメサ状にエツチングする。こ
こまでは従来と同じである。なお、本発明ではここでエ
ツチングマスクであるＳ ｉ Ｏｚ膜９を除去する。
（Ｃ）ウェーハ全面に鉄ドープの半絶縁性１ｎＰ１５を
結晶成長し、次に電極とコンタクトをとるためのｐ型１
ｎＧａＡｓ Ｐコンタクト層１６を結晶成長する。
結晶成長し、次に電極とコンタクトをとるためのｐ型１
ｎＧａＡｓ Ｐコンタクト層１６を結晶成長する。
本発明ではエツチングマスクであるＳｉｎ、膜９を除去
した後、光導波路の横方向に光を閉じ込めるための半絶
縁性ＩｎＰ層１５を全面に結晶させるため、従来のごと
（Ｓ ｉ Ｏ，膜９から半絶縁性Ｉ ｎ、 Ｐ層１５に
不純物や格子欠陥が導入されることがなくなる。
した後、光導波路の横方向に光を閉じ込めるための半絶
縁性ＩｎＰ層１５を全面に結晶させるため、従来のごと
（Ｓ ｉ Ｏ，膜９から半絶縁性Ｉ ｎ、 Ｐ層１５に
不純物や格子欠陥が導入されることがなくなる。
（ｄ）次に、ｐ型１ｎＧａＡｓＰコンタクト層１６の上
部に選択拡散用のマスクとして誘電体膜であるＳｉＯｘ
膜１７を積層し、エツチングによってメサの上部だけＳ
ｉＯｘ膜１７を除去する１次に、メサの上部のクラッド
層１４に達するようにドーパントとして亜鉛を選択的に
拡散する。
部に選択拡散用のマスクとして誘電体膜であるＳｉＯｘ
膜１７を積層し、エツチングによってメサの上部だけＳ
ｉＯｘ膜１７を除去する１次に、メサの上部のクラッド
層１４に達するようにドーパントとして亜鉛を選択的に
拡散する。
（ｅ）メサの上部だけｐ型１ ｎＧａＡｓ Ｐコンタク
ト層１６が残るようにエツチングを行い、ｐ側電極１９
とｎ側電極２０を形成する。
ト層１６が残るようにエツチングを行い、ｐ側電極１９
とｎ側電極２０を形成する。
以上の説明は光変調素子として説明をしたが、Ｉ ｎＧ
ａＡｓ Ｐ光導波路１１ｉ１２を発光層に読み替え、ｐ
側電極１９にプラス、ｎ側電極２０にマイナスの電源を
供給することにより横方向に十分に電流狭窄がされてい
て発振闇値の低い埋め込み型の半導体レーザとなる。
ａＡｓ Ｐ光導波路１１ｉ１２を発光層に読み替え、ｐ
側電極１９にプラス、ｎ側電極２０にマイナスの電源を
供給することにより横方向に十分に電流狭窄がされてい
て発振闇値の低い埋め込み型の半導体レーザとなる。
（実施例２）
第５図は本発明による第２の実施例であり、発光するレ
ーザ領域とレーザ領域からの出力光を変調する光変調領
域とが同一基板上に集積化された光半導体素子の断面を
含む斜視図であり、発光素子として発光導波路が周期的
な凹凸構造を有する（以下、ｒＤＦＢレーザ」と略す）
レーザとなっている。
ーザ領域とレーザ領域からの出力光を変調する光変調領
域とが同一基板上に集積化された光半導体素子の断面を
含む斜視図であり、発光素子として発光導波路が周期的
な凹凸構造を有する（以下、ｒＤＦＢレーザ」と略す）
レーザとなっている。
レーザ領域はｎ型１ｎＰ基板３１上に発光導波路となる
Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ導波路Ｎ３２（発光波長が約１．３
．ｃｒｍ）、ＩｎＧａＡｓＰ発光層３３（発光波要約１
．５５μｍ）とｐ型１ｎＰクラッド層３４を有し、各層
が鉄ドープ半絶縁性１ｎＰ３７に埋め込まれた構造であ
る。なお、周期的な凹凸からなるグレーティング（回折
格子）１０１がｎ型ＩｎＰ基板３１とＩｎＧａＡｓＰ光
導波路層３２との境界に形成されており、発光層３３に
電流を注入することにより凹凸の周期と屈折率で決まる
ブラッグ波長近傍で単一波長発振する。単一波長性を向
上するためにグレーティング１０１に４分の１波長シフ
ト１０２を設けている。ＤＦＢレーザの出力は発光導波
路に接続された変調用の光導波路（以下、「変調導波路
」と称す）の一部であるＩｎＧａＡｓＰ変調導波路層３
５に導波される。
Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ導波路Ｎ３２（発光波長が約１．３
．ｃｒｍ）、ＩｎＧａＡｓＰ発光層３３（発光波要約１
．５５μｍ）とｐ型１ｎＰクラッド層３４を有し、各層
が鉄ドープ半絶縁性１ｎＰ３７に埋め込まれた構造であ
る。なお、周期的な凹凸からなるグレーティング（回折
格子）１０１がｎ型ＩｎＰ基板３１とＩｎＧａＡｓＰ光
導波路層３２との境界に形成されており、発光層３３に
電流を注入することにより凹凸の周期と屈折率で決まる
ブラッグ波長近傍で単一波長発振する。単一波長性を向
上するためにグレーティング１０１に４分の１波長シフ
ト１０２を設けている。ＤＦＢレーザの出力は発光導波
路に接続された変調用の光導波路（以下、「変調導波路
」と称す）の一部であるＩｎＧａＡｓＰ変調導波路層３
５に導波される。
一方、光変調領域はＩｎＧａＡｓＰ変調導波路層３５と
ｐ型１ｎＰクラッド層３６とを有する変調導波路が、Ｄ
ＦＢレーザ領域と同様に半絶縁性ＩｎＰ層３７に埋め込
まれた構造である。実施例１と同様にｐ壁領域はｐ型１
ｎＧａＡｓ Ｐコンタクト層３８とＰ型１ｎＰクラッ
ド層３４、Ｐ型ＩｒｘＧａＡｓ Ｐコンタクト層３８と
ｐ型１ｎＰクラッド層３６とはそれぞれ亜鉛拡散領域４
０．４１によってつながっている。レーザ領域と光変調
領域との電気的な分離を行いかつ光学的な結合を良くす
るために両者の間にも半絶縁性ＩｎＰ層３７を埋め込ん
である。
ｐ型１ｎＰクラッド層３６とを有する変調導波路が、Ｄ
ＦＢレーザ領域と同様に半絶縁性ＩｎＰ層３７に埋め込
まれた構造である。実施例１と同様にｐ壁領域はｐ型１
ｎＧａＡｓ Ｐコンタクト層３８とＰ型１ｎＰクラッ
ド層３４、Ｐ型ＩｒｘＧａＡｓ Ｐコンタクト層３８と
ｐ型１ｎＰクラッド層３６とはそれぞれ亜鉛拡散領域４
０．４１によってつながっている。レーザ領域と光変調
領域との電気的な分離を行いかつ光学的な結合を良くす
るために両者の間にも半絶縁性ＩｎＰ層３７を埋め込ん
である。
４２はＤＦＢレーザ領域のＰ側電極、４３は光変調領域
のＰ側電極、４４はｎ側電極である。
のＰ側電極、４４はｎ側電極である。
第６図（ａ）〜（ｇ）は第５図に示した光半導体素子を
本発明による製造方法で製造する場合の製造工程図を示
したものである。
本発明による製造方法で製造する場合の製造工程図を示
したものである。
（ａ）λ／４シフト部１０２を設けたｎ型１ｎＰ３１基
板上に発光導波路となるＩｎＧａＡｓＰ導波路層３２、
ＥｎＧａＡｓＰ発光層３３およびｐ型１ｎＰ層３４を順
次結晶成長させる。
板上に発光導波路となるＩｎＧａＡｓＰ導波路層３２、
ＥｎＧａＡｓＰ発光層３３およびｐ型１ｎＰ層３４を順
次結晶成長させる。
（ｂ）レーザ領域の出力光を変調する光変調領域をエツ
チングによって除去する。
チングによって除去する。
（ｃ）Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ変調導波路層３５、ｐ型■ｎ
Ｐ層３６の結晶成長を全面に亘って行なう。
Ｐ層３６の結晶成長を全面に亘って行なう。
（ｄ）ＤＦＢレーザ領域と光変調領域の結合部近傍で変
調導波路層３５が発光層３３上部に残るようにして発光
層３３上部の成長層を除去する。ここで変調導波路層３
５が発光層３３上部に残るように構成するのは同一出願
人によって特許出願（特願昭６２−１７２５２号）され
ているように、ＤＦＢレーザ領域と光変調領域との光学
的な結合効率を高めるためである０次に、例えばＳｉｎ
。
調導波路層３５が発光層３３上部に残るようにして発光
層３３上部の成長層を除去する。ここで変調導波路層３
５が発光層３３上部に残るように構成するのは同一出願
人によって特許出願（特願昭６２−１７２５２号）され
ているように、ＤＦＢレーザ領域と光変調領域との光学
的な結合効率を高めるためである０次に、例えばＳｉｎ
。
膜９等をエツチングマスクとして、第７図（ａ）及び（
ｂ）のように変調導波路であるＩ ｎＧａＡｓＰ変調導
波路層３５及びｐ型ＩｎＰクラッド層３６と、発光導波
路であるＩ ｎ、 Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ導波路層３２．
ＩｎＧａＡｓＰ発光層３３及びＰ型ＩｎＰクラッド層３
４をそれぞれメサ状にエツチングする。ここまでは従来
と同じである。なお、本発明ではここでエツチングマス
クであるＳｆＯ，膜９を除去する。さらに光変調領域Ｐ
型１ｎＰクラッド層３６の一部をエツチングによって除
去する。なお、第７図（ａ）、（ｂ）は、第６図（ｄ）
におけるそれぞれＡ＋−ＡｚおよびＢ 、Ｂ ｚに沿う
断面構造を示したものである。
ｂ）のように変調導波路であるＩ ｎＧａＡｓＰ変調導
波路層３５及びｐ型ＩｎＰクラッド層３６と、発光導波
路であるＩ ｎ、 Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ導波路層３２．
ＩｎＧａＡｓＰ発光層３３及びＰ型ＩｎＰクラッド層３
４をそれぞれメサ状にエツチングする。ここまでは従来
と同じである。なお、本発明ではここでエツチングマス
クであるＳｆＯ，膜９を除去する。さらに光変調領域Ｐ
型１ｎＰクラッド層３６の一部をエツチングによって除
去する。なお、第７図（ａ）、（ｂ）は、第６図（ｄ）
におけるそれぞれＡ＋−ＡｚおよびＢ 、Ｂ ｚに沿う
断面構造を示したものである。
（ｅ）実施例１と同様にウェーハ全面に鉄ドープの半絶
縁性ＩｎＰ層３７を結晶成長し、次に電極とコンタクト
をとるためのｐ型１ｎＧａＡｓＰコンタクト層３日を結
晶成長する。このため、従来のごと＜ Ｓ ｔ Ｏｘ膜
９から半絶縁性ＩｎＰ層３７に不純物や格子欠陥が導入
されることがなくなる。
縁性ＩｎＰ層３７を結晶成長し、次に電極とコンタクト
をとるためのｐ型１ｎＧａＡｓＰコンタクト層３日を結
晶成長する。このため、従来のごと＜ Ｓ ｔ Ｏｘ膜
９から半絶縁性ＩｎＰ層３７に不純物や格子欠陥が導入
されることがなくなる。
（ｆ）ｐ膜１ ｎＧａＡｓ Ｐｌンタクト層３８の上部
に選択拡散用のマスクとして誘電体膜であるｓｉｏ、膜
３９を積層し、レーザ領域と光変調領域の分離する領域
は残してメサの上部だけＳｕｎ。
に選択拡散用のマスクとして誘電体膜であるｓｉｏ、膜
３９を積層し、レーザ領域と光変調領域の分離する領域
は残してメサの上部だけＳｕｎ。
膜３９をエツチングによって除去する０次に、メサの上
部のクラッドＪｉ［３６に達するように不純物ドーパン
トとして亜鉛を選択的に拡散して亜鉛拡散領域４０及び
４１を形成する。
部のクラッドＪｉ［３６に達するように不純物ドーパン
トとして亜鉛を選択的に拡散して亜鉛拡散領域４０及び
４１を形成する。
第８図（ａ）、（ｂ）は、第６図（ｆ）のそれぞれＡ、
−Ａ、およびＢ、−Ｂ、に沿う断面構造を示したもので
ある。
−Ａ、およびＢ、−Ｂ、に沿う断面構造を示したもので
ある。
（ｇ）光変調領域は、図のようにメサの上だけｐ型Ｔｎ
ＣｒａＡｓＰコンタクト層３８が残るようににエツチン
グを行い、ＤＦＢレーザ領域のｐｇ＠電極４２、光度ｉ
ｊ１ｗｉ域のｐ側電極４３、ｎ側電極４４を形成する。
ＣｒａＡｓＰコンタクト層３８が残るようににエツチン
グを行い、ＤＦＢレーザ領域のｐｇ＠電極４２、光度ｉ
ｊ１ｗｉ域のｐ側電極４３、ｎ側電極４４を形成する。
上述のように、本発明はレーザと変調素子とが同一基板
状に集積化された光半導体素子を製造する際にもエツチ
ングマスクを除去したのち、埋め込み半導体を結晶成長
するため半絶縁性１ｎＰｌｉ３７に不純物や格子欠陥の
導入がなくなり、結晶性の悪い結晶が成長することを防
止することができる。
状に集積化された光半導体素子を製造する際にもエツチ
ングマスクを除去したのち、埋め込み半導体を結晶成長
するため半絶縁性１ｎＰｌｉ３７に不純物や格子欠陥の
導入がなくなり、結晶性の悪い結晶が成長することを防
止することができる。
以上の説明は半絶縁性１ｎＰのドーパントとして鉄を実
施例としたが、鉄に限らずチタン等の深い準位を形成す
るドーパントによっても実現することができる。また、
鉄、チタン等の深い準位を形成するドーパントを同時に
２種類以上ドーピングしても可能である。
施例としたが、鉄に限らずチタン等の深い準位を形成す
るドーパントによっても実現することができる。また、
鉄、チタン等の深い準位を形成するドーパントを同時に
２種類以上ドーピングしても可能である。
また、拡散用のｐ型ドーパントとして亜鉛を実施例とし
たが亜鉛に限らずカドミウム等のドーパントによっても
実現することができる。ｐ型をｎ型、ｎ型をｐ型をとし
ても適用することができる。
たが亜鉛に限らずカドミウム等のドーパントによっても
実現することができる。ｐ型をｎ型、ｎ型をｐ型をとし
ても適用することができる。
半導体としてｒｎＰ／ＴｎＧａＡｓＰ系の材料を用いて
説明を行なったが、Ａｊ！ＧａＡｓ／ＧａＡｓ系やＡＩ
ＴｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系などの材料に適用することがで
きる。さらに、それらの材料系で構成される多重量子井
戸層を光導波路層や発光層として用いることもできる。
説明を行なったが、Ａｊ！ＧａＡｓ／ＧａＡｓ系やＡＩ
ＴｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系などの材料に適用することがで
きる。さらに、それらの材料系で構成される多重量子井
戸層を光導波路層や発光層として用いることもできる。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように本発明によれば、光導波路
層の側面の埋め込み時に選択成長を行わないので、埋め
込み半導体への不純物や格子欠陥の導入がない光半導体
素子が実現可能となるため光変調素子の製造工程に用い
た場合には暗電流が低減して大きく変調することが可能
となり、一方レーザの製造工程に用いた場合には発振閾
値の低減が可能となる。
層の側面の埋め込み時に選択成長を行わないので、埋め
込み半導体への不純物や格子欠陥の導入がない光半導体
素子が実現可能となるため光変調素子の製造工程に用い
た場合には暗電流が低減して大きく変調することが可能
となり、一方レーザの製造工程に用いた場合には発振閾
値の低減が可能となる。
また、光変調素子と半導体レーザとを同一基板に集積化
する製造工程に用いても同様な効果を得ることができる
。
する製造工程に用いても同様な効果を得ることができる
。
半絶縁性半導体のドーパントが鉄、チタン、コバルト、
バナジウム及びニッケルのうち少なくともｆｉｌ類以上
の元素を組み合わせて用いることにより、半絶縁性の半
導体を形成することができる。
バナジウム及びニッケルのうち少なくともｆｉｌ類以上
の元素を組み合わせて用いることにより、半絶縁性の半
導体を形成することができる。
光導波路がＩｎＰ及びＩ ｎＧａＡｓＰ半導体層で構成
することにより、１．５５μｍ帯の光変調素子または半
導体レーザを実現することができる。
することにより、１．５５μｍ帯の光変調素子または半
導体レーザを実現することができる。
第１図は従来の光半導体素子を示す斜視図、第２図は従
来の光半導体素子の製造工程を説明するための断面図、
第３図は本発明による光変調素子の断面図、第４図（ａ
）〜（ｅ）は本発明による光半導体素子の製造工程を説
明するための製造工程図、第５図は本発明によるＤＦＢ
レーザと光変調素子とを集積化した光半導体素子の断面
を含む斜視図、第６図（ａ）〜（ｇ）光半導体素子のは
本発明の第２の実施例としての製造工程を説明するため
の製造工程図、第７図（ａ）、（ｂ）および第８図（ａ
）、（ｂ）はそれぞれ第６図（ｄ）と第６図（ｆ）の各
部所面構造を示す断面図である。 ！、１１．３１”−ｎ型ｆｎＰ基板、 ２．１２＝ｎ型１ｎＰ層、 ３．１３．３５”１ｎＧａＡｓＰ変調導波路層、４．１
４，３４．３６・ ｐ型１ｎＰクラッド層、５．１６．
３Ｅｌ”ｐ型！ｎＧａＡｓＰコンタクト層、 ６．１５．３７・・・鉄ドープ半絶縁性Ｉ Ｉｎ ＰＪ
ｉｉ。 ７．１９，４２．４３・・・ｐ側電極、８．２０．４４
・・・ｎ側電極、 ９、 １７． ３９・・・Ｓｉｎ、 膜、３２ ”−
１ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ光導波路層、３３ ”−１ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ発光層、１０１・・・グレーティ
ング、 １０２・・・４分の１波長シフト、 １Ｂ、４０．４１・・・亜鉛拡散領域。 堵１ 口 特許出願人 国際電信電話株式会社
来の光半導体素子の製造工程を説明するための断面図、
第３図は本発明による光変調素子の断面図、第４図（ａ
）〜（ｅ）は本発明による光半導体素子の製造工程を説
明するための製造工程図、第５図は本発明によるＤＦＢ
レーザと光変調素子とを集積化した光半導体素子の断面
を含む斜視図、第６図（ａ）〜（ｇ）光半導体素子のは
本発明の第２の実施例としての製造工程を説明するため
の製造工程図、第７図（ａ）、（ｂ）および第８図（ａ
）、（ｂ）はそれぞれ第６図（ｄ）と第６図（ｆ）の各
部所面構造を示す断面図である。 ！、１１．３１”−ｎ型ｆｎＰ基板、 ２．１２＝ｎ型１ｎＰ層、 ３．１３．３５”１ｎＧａＡｓＰ変調導波路層、４．１
４，３４．３６・ ｐ型１ｎＰクラッド層、５．１６．
３Ｅｌ”ｐ型！ｎＧａＡｓＰコンタクト層、 ６．１５．３７・・・鉄ドープ半絶縁性Ｉ Ｉｎ ＰＪ
ｉｉ。 ７．１９，４２．４３・・・ｐ側電極、８．２０．４４
・・・ｎ側電極、 ９、 １７． ３９・・・Ｓｉｎ、 膜、３２ ”−
１ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ光導波路層、３３ ”−１ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ発光層、１０１・・・グレーティ
ング、 １０２・・・４分の１波長シフト、 １Ｂ、４０．４１・・・亜鉛拡散領域。 堵１ 口 特許出願人 国際電信電話株式会社
Claims (5)
- （１）基板上にメサ状に形成された光導波路層と該光導
波路層よりも屈折率の小なるクラッド層とを有する光導
波路と一対の電極とを備えた光半導体素子において、 前記光導波路の横方向に光を閉じ込めるために前記光導
波路の外周全体に配置され、かつ前記光導波路層を構成
する半導体層の屈折率よりも小なる屈折率を有する半絶
縁性半導体と、前記電極のうち一方の電極側から前記光
導波路層の一部に達する様にドーパントが拡散された拡
散領域と、 を有することを特徴とする光半導体素子。 - （２）基板上に光導波路層と該光導波路層よりも屈折率
の小なるクラッド層とを有する光導波路をエッチングマ
スクを用いてメサ状に形成した後、半導体層で該光導波
路を埋め込んで光半導体素子を製造する光半導体素子の
製造方法において、該エッチングマスクを除去した後、
前記メサ状の前記光導波路を半絶縁性半導体で埋め込む
工程と、 該半絶縁性半導体上部に直接もしくはコンタク層を介し
て選択拡散用のマスクを形成し、該選択拡散用のマスク
から前記光導波路の一部に達するようにドーパントを選
択的に拡散する工程を備えていることを特徴とする光半
導体素子の製造方法。 - （３）光を発光するための発光層と該発光層からの光を
閉じ込めるためのクラッド層からなる発光導波路を有す
るレーザ領域と、前記発光層から出射した光を変調する
ための光導波路層と該光導波路層よりも屈折率が小なる
複数のクラッド層からなる変調導波路を有する変調領域
とを同一の基板上に集積化し、該発光導波路と該変調導
波路とをエッチングマスクを用いてメサ状に形成する光
半導体素子の製造方法において、該エッチングマスクを
除去した後、前記メサ状の前記発光導波路と前記変調導
波路とを半絶縁性半導体で埋め込む工程と、 該半絶縁性半導体上部に直接もしくはコンタクト層を介
して選択拡散用のマスクを形成する工程と、 該選択拡散用のマスクから前記発光導波路と前記変調導
波路との一部にそれぞれ達するようにドーパントを選択
的に拡散する工程を少なくとも備えていることを特徴と
する光半導体素子の製造方法。 - （４）前記半絶縁性半導体のドーパントとして鉄。 チタン、コバルト、バナジウム及びニッケルのうち少な
くとも１種類以上の元素を組み合わせて用いることを特
徴とする特許請求の範囲第２項又は第３項記載の光半導
体素子の製造方法。 - （５）前記光導波路がＩｎＰ及びＩｎＧａＡｓＰ半導体
層で構成されることを特徴とする特許請求の範囲第２項
または第３項の光半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1032891A JPH02212804A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 光半導体素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1032891A JPH02212804A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 光半導体素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02212804A true JPH02212804A (ja) | 1990-08-24 |
Family
ID=12371509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1032891A Pending JPH02212804A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 光半導体素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02212804A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05341242A (ja) * | 1992-06-11 | 1993-12-24 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光変調素子 |
| JPH06177473A (ja) * | 1992-08-11 | 1994-06-24 | Nec Corp | 半導体光制御デバイス |
| JPH07202338A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| JP2005064512A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 集積光学装置及びその製造方法 |
| WO2013140483A1 (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-26 | 日本電気株式会社 | 光変調器、光変調器モジュール及び光変調器の駆動方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62130583A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザとその製造法 |
| JPS6313023A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 導波型光スイツチ |
| JPS63186488A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-02 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体集積発光素子 |
| JPS63191123A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-08 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
| JPS63216032A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路型光学フイルタ |
| JPS63261888A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS63305328A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ゲ−トマトリクススイッチ |
| JPS6429816A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Fujitsu Ltd | Optical modulator |
| JPS6437539A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Nippon Telegraph & Telephone | Optical switch |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP1032891A patent/JPH02212804A/ja active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62130583A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザとその製造法 |
| JPS6313023A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 導波型光スイツチ |
| JPS63186488A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-02 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体集積発光素子 |
| JPS63191123A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-08 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
| JPS63216032A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路型光学フイルタ |
| JPS63261888A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS63305328A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ゲ−トマトリクススイッチ |
| JPS6429816A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Fujitsu Ltd | Optical modulator |
| JPS6437539A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Nippon Telegraph & Telephone | Optical switch |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05341242A (ja) * | 1992-06-11 | 1993-12-24 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光変調素子 |
| JPH06177473A (ja) * | 1992-08-11 | 1994-06-24 | Nec Corp | 半導体光制御デバイス |
| JPH07202338A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| JP2005064512A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 集積光学装置及びその製造方法 |
| WO2013140483A1 (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-26 | 日本電気株式会社 | 光変調器、光変調器モジュール及び光変調器の駆動方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6238943B1 (en) | Optical semiconductor device and a method of manufacturing the same | |
| US5991322A (en) | Semiconductor optical device | |
| US7476558B2 (en) | Method for manufacturing selective area grown stacked-layer electro-absorption modulated laser structure | |
| US7561770B2 (en) | Microresonator systems and methods of fabricating the same | |
| EP0038085B1 (en) | Buried heterostructure laser diode and method for making the same | |
| US6023354A (en) | Semiconductor Bragg reflector and a method of fabricating said reflector | |
| US5703974A (en) | Semiconductor photonic integrated circuit and fabrication process therefor | |
| US4811352A (en) | Semiconductor integrated light emitting device | |
| JP2943510B2 (ja) | 可変波長半導体レーザ装置 | |
| JP2701569B2 (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| US6878959B2 (en) | Group III-V semiconductor devices including semiconductor materials made by spatially-selective intermixing of atoms on the group V sublattice | |
| US7142342B2 (en) | Electroabsorption modulator | |
| JP3421999B2 (ja) | 光機能素子、これを含む光集積素子およびそれらの製造方法 | |
| JPH02212804A (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
| CN109449756B (zh) | 一种半导体激光器及其制备方法 | |
| JPH04184973A (ja) | 長波長光送信ｏｅｉｃ | |
| JPH05158085A (ja) | 光変調装置及びその製造方法 | |
| CN115051239A (zh) | 可调谐电吸收调制激光器及其制备方法 | |
| JP2540964B2 (ja) | 光変調器と集積型光変調器と光検出器及びその製造方法 | |
| GB2292011A (en) | Semiconductor optical devices and methods for fabrication | |
| JPH01231389A (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| JPS61220389A (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| KR100228396B1 (ko) | 선택성 식각층을 이용한 고 효율의 광변조기 집적 단일파장 레이저 소자 제작방법 | |
| JP2022015037A (ja) | 半導体光素子 | |
| JPH0621574A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 |