JP2005050783A - サージアブソーバ - Google Patents

Abstract

【課題】 高温領域で化学的安定性に優れ、かつ主放電電極に対する付着力の優れた酸化物層が被覆されたサージアブソーバを提供すること。
【解決手段】 放電ギャップ２を介して導電性被膜３が分割形成された円柱状セラミックス４と、円柱状セラミックス４の両端に対向配置され導電性被膜３に接触する一対の主放電電極部材５と、一対の主放電電極部材５を対向するように配して円柱状セラミックス４を内部に封止ガス６と共に封止する筒型セラミックス７とを備え、一対の主放電電極部材５の少なくとも突出支持部９の対向する面である主放電面９Ａに酸化処理による酸化膜９Ｂが形成されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、サージから様々な機器を保護し、事故を未然に防ぐのに使用するサージアブソーバに関する。

電話機、ファクシミリ、モデム等の通信機器用の電子機器が通信線との接続する部分、電源線、アンテナ或いはＣＲＴ駆動回路等、雷サージや静電気等の異常電流（サージ電流）や異常電圧（サージ電圧）による電撃を受けやすい部分には、異常電圧によって電子機器やこの機器を搭載するプリント基板の熱的損傷又は発火等による破壊を防止するために、サージアブソーバが接続されている。

従来、例えばマイクロギャップを有するサージ吸収素子を用いたサージアブソーバが提案されている。このサージアブソーバは、導電性被膜で被覆した円柱状のセラミックス部材の周面に、いわゆるマイクロギャップが形成され、セラミックス部材の両端に一対のキャップ電極を有するサージ吸収素子が封止ガスと共にガラス管内に収容され、円筒状のガラス管の両端にリード線を有する封止電極が高温加熱で封止された放電型サージアブソーバである。

近年、このような放電タイプのサージアブソーバにおいても、長寿命化が進んでいる。上記サージアブソーバに適応した例としては、ギャップ電極の主放電が行われる面にキャップ電極よりも放電時の揮散性が低いＳｎＯ_２を被覆層としたものがある。このようにすることによって、主放電時にキャップ電極の金属成分がマイクロギャップやガラス管の内壁に飛散することを抑制して長寿命化を図っている（例えば、特許文献１参照。）。

また、機器の小型化に伴い、表面実装化が進んでいる。上記サージアブソーバに適応した例としては、面実装型（メルフ型）として、封止電極にリード線がなく、実装するときは封止電極と基板側とを半田付けで接続して固定するものがある（例えば、特許文献２参照）。
このサージアブソーバ１００は、図１２に示すように、一面に中央の放電ギャップ１０１を介して導電性被膜１０２が分割形成された板状セラミックス１０３と、この板状セラミックス１０３の両端に配置された一対の封止電極１０５と、これら封止電極１０５を両端に配して板状セラミックス１０３を封止ガス１０６と共に封止する筒型セラミックス１０７とを備えている。
この封止電極１０５は、端子電極部材１０８と、この端子電極部材１０８と電気的に接続して導電性被膜１０２に接触する板バネ導体１０９とによって構成されている。
特開平１０−１０６７１２号公報 （第５頁、第１図） 特開２０００−２６８９３４号公報 （第１図）

しかしながら、上記従来のサージアブソーバには、以下の課題が残されている。すなわち、上記従来のサージアブソーバでは、例えば化学蒸着（ＣＶＤ）法等の薄膜形成法によってＳｎＯ_２被膜が形成されたが、ＳｎＯ_２被膜のキャップ電極に対する付着力が弱いために、主放電時のＳｎＯ_２被膜の剥離により、ＳｎＯ_２被膜の特性を十分に発揮させることができなかった。

本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、高温領域で化学的安定性に優れ、かつ主放電電極に対する付着力の優れた酸化物層が被覆されたことにより、長寿命化したサージアブソーバを提供することを目的とする。

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明に係るサージアブソーバは、放電ギャップを介して導電性被膜が分割形成された絶縁材部材と、対向配置され前記導電性被膜に接触する一対の主放電電極部材と、該一対の主放電電極部材を対向に配して前記絶縁材部材を内部に封止ガスと共に封止する絶縁性管とを備えたサージアブソーバであって、前記一対の主放電電極部材の主放電面に、酸化処理による酸化膜が形成されていることを特徴とする。

外部から侵入したサージ等の異常電流及び異常電圧は、マイクロギャップでの放電をトリガとし、一対の突出支持部の対向する面である主放電面間で主放電が行われ、サージが吸収される。
この発明によれば、主放電面に酸化膜が形成されることによって、高温領域で化学的安定性に優れた主放電面とすることができる。したがって、主放電時に主放電面の電極成分が飛散しマイクロギャップや絶縁性管内壁等に付着することを抑制し、サージアブソーバの長寿命化が図れる。また、この酸化膜は主放電面との付着力の優れているために、酸化膜の特性を発揮することができる。また、高温領域で化学的安定性に優れる高価な金属を主放電電極部材として使用する必要がないため、本発明では主放電電極部材に安価な金属材料を用いることができる。

また、本発明に係るサージアブソーバは、周面に中央の放電ギャップを介して導電性被膜が分割形成された柱状の絶縁性部材と、該絶縁性部材の両端に対向配置され前記導電性被膜に接触する一対の主放電電極部材と、前記一対の主放電電極部材を両端に配して前記絶縁性部材を内部に封止ガスと共に封止する絶縁性管とを備えたサージアブソーバであって、前記主放電電極部材が、前記絶縁性管の端面とロウ材で接着される周縁部と、前記絶縁性管の内側かつ軸方向に突出すると共に径方向内側面で前記絶縁性部材を支持する突出支持部とを備え、前記一対の主放電電極部材の前記突出支持部の対向する面である主放電面に、酸化処理による酸化膜が形成されていることを特徴とする。
この発明によれば、主放電面との付着力に優れた酸化膜を形成するので、酸化膜の特性を発揮し、サージアブソーバの長寿命化を図ることができる。

また、本発明に係るサージアブソーバは、前記酸化膜の平均膜厚が、０．０１μｍ以上２．０μｍ以下であることを特徴とする。
この発明によれば、酸化膜の平均膜厚が０．０１μｍ以上であることで、主放電による主放電電極部材の電極成分の飛散を十分に抑制することができる。また、２．０μｍ以下であることで、酸化膜が飛散しやすくなることによるサージアブソーバの短寿命化を抑制することができる。
なお、サージアブソーバをより長寿命とするため、酸化膜の平均膜厚は、０．２μｍ以上１．０μｍ以下を満足することが望ましい。

また、本発明に係るサージアブソーバは、前記放電電極部材が、Ｃｒを含む部材であって、前記酸化膜表面にＣｒが表面富化されていることを特徴とする。
この発明によれば、酸化膜表面に高温領域で化学的安定に優れ、高融点であり、導電性を有するＣｒ（クロム）酸化物を富化することにより、主放電面に付着力に優れた酸化膜を形成するので、酸化膜の特性を発揮し、サージアブソーバの長寿命化を図ることができる。
ここで、富化とは、酸化膜表面の組成が、主放電電極部材のバルク組成よりも大きいことをいう。

本発明のサージアブソーバによれば、酸化処理によって形成された酸化膜が、高温領域で化学的に安定した特性を有すると共に主放電面に対し付着力が優れているために、酸化膜特性を十分に発揮できる。したがって、サージアブソーバを長寿命とすることができる。

以下、本発明に係るサージアブソーバの第１の実施形態を、図１から図３を参照しながら説明する。
本実施形態によるサージアブソーバ１は、図１に示されるように、いわゆるマイクロギャップを使用した放電型サージアブソーバであって、周面に中央の放電ギャップ２を介して導電性被膜３が分割形成された円柱状の円柱状セラミックス（絶縁性部材）４と、この円柱状セラミックス４の両端に対向配置され導電性被膜３に接触する一対の主放電電極部材５と、これら一対の主放電電極部材５を両端に配して、円柱状セラミックス４を内部に所望の電気特性を得るために組成等を調整された、例えば、Ａｒ（アルゴン）等の封止ガス６と共に封止する筒型セラミックス（絶縁性管）７とを備えている。

円柱状セラミックス４は、ムライト焼結体等のセラミックス材料からなり、表面に導電性被膜３として物理蒸着（ＰＶＤ）法、化学蒸着（ＣＶＤ）法の薄膜形成技術によるＴｉＮ（窒化チタン）等の薄膜が形成されている。
放電ギャップ２は、レーザカット、ダイシング、エッチング等の加工によって０．０１から１．５ｍｍの幅で１から１００本形成されるが、本実施形態では、１５０μｍのものを１本形成している。

一対の主放電電極部材５は、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、及びＣｏ（コバルト）の合金であるコバール（ＫＯＶＡＲ：登録商標）で構成されている。
この一対の主放電電極部材５は、図２に示されるように、それぞれ筒型セラミックス７の端面とロウ材８で接着される縦横比が１以下とされた長方形状の周縁部５Ａと、筒型セラミックス７の内側且つ軸方向に突出すると共に円柱状セラミックス４を支持する突出支持部９とを備え、突出支持部９に囲まれて円柱状セラミックス４の端部に対向する位置には中央領域５Ｂが形成されている。
突出支持部９は、径方向内側面と円柱状セラミックス４の端部とを圧入又は嵌合させやすいように、径方向内側面がわずかにテーパ形状を有することが望ましい。また、突出支持部９の先端の互いに対向する面が主放電面９Ａとされている。
ここで、主放電電極部材５の主放電面９Ａに、大気中で５００℃、３０分間酸化処理を行うことにより平均膜厚０．６μｍの酸化膜９Ｂが形成されている。

筒型セラミックス７は、例えばＡｌ_２Ｏ_３（アルミナ）等の絶縁性セラミックスからなり、断面長方形を有し、両端面外形が周縁部５Ａの外周寸法とほぼ一致している。

次に、以上の構成からなる本実施形態のサージアブソーバ１の製造方法について説明する。
まず、一対の端子電極部材５を抜き打ち加工によって所望の形状に一体成形する。そして、主放電面９Ａに対し、大気中で５００℃、３０分間酸化処理を行うことにより平均膜厚０．６μｍの酸化膜９Ｂを形成する。この酸化膜９Ｂの膜厚は、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）によって酸化膜９Ｂの表面に溝加工を行い、この溝断面を走査型電子顕微鏡で、例えば２０箇所のように、複数箇所測定した平均値としている。

続いて、筒型セラミックス７の両端面に、ロウ材８とのぬれ性を向上させるために、例えば、モリブデン（Ｍｏ）−タングステン（Ｗ）層とＮｉ層とを各１層ずつ備えるメタライズ層を形成する。
そして、一方の端子電極部材５の中央領域５Ｂ上に、円柱状セラミックス４を載置して径方向内側面と円柱状セラミックス４の端面とを接触させる。また、周縁部５Ａと筒型セラミックス７の端面との間にロウ材８を挟んだ状態で、筒型セラミックス７を他方の端子電極部材５の周縁部５Ａ上に載置する。
さらに円柱状セラミックス４の上方が中央領域５Ｂと対向するように端子電極部材５を載置して径方向内側面と端子電極部材５とを接触させる。そして、周縁部５Ａと筒型セラミックス７の端面との間にロウ材８を挟んだ状態とする。

上述のように仮組した状態で十分に真空引き後封止ガス雰囲気としてロウ材８が溶融するまで過熱し、ロウ材８の溶融により円柱状セラミックス４を封止し、その後急速に冷却を行い、サージアブソーバ１が製造される。
このようにして製造したサージアブソーバ１を、例えば、図３に示すように、プリント基板等の基板Ｂ上に筒型セラミックス７の一側面である実装面７Ａを基板Ｂ上に載置し、基板Ｂと一対の端子電極部材５の外面とを半田Ｓによって接着固定して使用する。

上記の構成によれば、主放電面９Ａの酸化処理により平均膜厚０．０１μｍ以上２．０μｍ以下の酸化膜９Ｂが形成されることによって、主放電面９Ａが高温領域で化学的（熱力学的）に安定した特性とすることができる。また、この酸化膜９Ｂは主放電電極部材５との付着力が優れているため、酸化膜９Ｂの特性を発揮することができる。このため、主放電時に突出支持部９が高温になっても、主放電電極部材５の金属成分がマイクロギャップ２や筒型セラミックス７の内壁等への飛散を十分に抑制することができる。したがって、サージアブソーバの長寿命化が図れる。

次に、第２の実施形態について、図４を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態はその基本的構成が上述した第１の実施形態と同様であり、上述の第１の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図４においては、図１と同一構成要素に同一符号をし、この説明を省略する。

第２の実施形態と第１の実施形態との異なる点は、第１の実施形態では主放電電極部材５の突出支持部９によって円柱状セラミックス４が支持された構成であるのに対して、第２の実施形態におけるサージアブソーバ２０は、主放電電極部材２１が第１の実施形態における主放電電極部材５と同様の構成である端子電極部材２２とキャップ電極２３とを有しており、円柱状セラミックス４がキャップ電極２３を介して端子電極部材２２に設けられた突出支持部２４に支持されているとした点である。

一対のキャップ電極２３は、円柱状セラミックス４よりも硬度が低く、塑性変形できる、例えばステンレス等の金属からなり、外周部が端子電極部材２２の突出支持部２４の先端よりも軸方向内方に延びて断面略Ｕ字状に形成され、主放電面２３Ａとされている。
例えば１８−８ステンレスの場合、この一対のキャップ電極２３の表面は、所定酸素濃度に制御された還元雰囲気で７００℃、４０分間酸化処理を行うことにより、表面にＣｒが富化した酸化膜２３Ｂが０．６μｍ形成されている。

次に、以上の構成からなる１８−８金属キャップを使用した本実施形態のサージアブソーバ２０の製造方法について説明する。
まず、一対の端子電極部材２２に対し焼鈍処理を施した後、抜き打ち加工によって一体成形する。
そして、一対のキャップ電極２３の表面に、所定酸素濃度に制御された還元雰囲気で７００℃、４０分間酸化処理を行うことにより酸化膜表面にＣｒが１０％以上に富化した平均膜厚０．６μｍの酸化膜２３Ｂを形成させる。ここで、酸化膜２３Ｂ表面のＣｒ富化は、オージェ分光分析による表面分析にて、例えば５箇所のように複数箇所測定した平均値を得ることで確認している。
その後、一対のキャップ電極２３を円柱状セラミックス４の両端に係合させ、第1の実施形態と同様の方法でサージアブソーバ２０を製造する。

このサージアブソーバ２０は、上述した第１の実施形態に係るサージアブソーバ１と同様の作用、効果を有する。

次に、第３の実施形態について、図５を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第２の実施形態と同様であり、上述の第２の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図５においては、図４と同一構成要素に同一符号を付し、この説明を省略する。

第３の実施形態と第２の実施形態との異なる点は、第２の実施形態では端子電極部材２２が一体的に形成された突出支持部２４を有しているのに対して、第３の実施形態におけるサージアブソーバ３０では、図５（ａ）に示すように主放電電極部材３１が平板状の端子電極部材３２と、キャップ電極２３とで構成されている点である。

そして、この一対の端子電極部材３２の互いに対向する内面には、ロウ材３３が塗布されている。
このロウ材３３は、図５（ｂ）に示すように、一対の端子電極部材３２とキャップ電極２３との接触面に形成された間隙３４を埋める充填部３５と、キャップ電極２３の両端でキャップ電極２３の外周面を保持する保持部３６とを備えている。
なお、保持部３６の高さｈは、キャップ電極２３の高さよりも低く形成されている。これにより、キャップ電極２３の互いに対向する面が、主放電面２３Ａとなる。

次に、以上の構成からなる本実施形態のサージアブソーバ３０の製造方法について説明する。
まず、上述した第２の実施形態と同様に一対のキャップ電極２３の表面に酸化膜２３Ｂを形成し、円柱状セラミックス４の両端に係合させる。
そして、端子電極部材３２の一面に保持部３６を形成するのに十分な量のロウ材３３を塗布し、端子電極部材３２の中央領域上に、キャップ電極２３が係合された円柱状セラミックス４を載置して端子電極部材３２とキャップ電極２３とを接触させる。次に、筒型セラミックス７の端面を載置する。
さらに、筒型セラミックス７のもう一方の端面にロウ材３３が塗布されたもう一方の端子電極部材３２を載置することで仮組みの状態とする。

続いて、封止工程について説明する。上述のように仮組みした状態の素子をＡｒ雰囲気中で加熱処理することで、ロウ材３３が溶融し、端子電極部材３２とキャップ電極部材Ａとが密着する。このとき、溶融によりロウ材３３の充填部３５が、キャップ電極２３と端子電極部材３２との間に存在する間隙３４を埋める。また、ロウ材３３の表面張力により形成された保持部３６が、キャップ電極２３の両端部を埋め込むようにして保持する。
その後、上述した第１の実施形態と同様に冷却工程を行ってサージアブソーバ３０を製造する。

このサージアブソーバ３０は、上述した第１の実施形態にかかるサージアブソーバ１と同様の作用、効果を有する。
なお、本実施形態において、ロウ材３３と同じ部材によって保持部３６及び充填部３５を形成していたが、充填部３５がロウ材３３とは異なる材料によって形成されていてもよく、例えば活性銀ロウのように酸化膜２３Ｂと端子電極部材３２とを接着可能である導電性の接着剤であってもよい。このようにすることで、キャップ電極２３と端子電極部材３２とが接着し、主放電電極部材３１と導電性被膜３とのより十分なオーミックコンタクトを得ることができる。したがって、サージアブソーバ３０の放電開始電圧などの電気特性が安定する。
また、保持部３６も充填部３５と同様にロウ材３３とは異なる材料で形成されてもよく、例えばロウ材３３や活性銀ロウに対してぬれにくいガラス材を用いてもよい。このようにすることで、円柱状セラミックス４がより確実に端子電極部材３２の中央付近またはその周辺部に固定される。

次に、第４の実施形態について、図６を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第１の実施形態と同様であり、上述の第１の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図６においては、図１と同一構成要素に同一符号を付し、この説明を省略する。

第４の実施形態と第１の実施形態との異なる点は、第１の実施形態では主放電電極部材５が、一体的に形成された突出支持部９を有し、円柱状セラミックス４をこの突出支持部９に圧入または嵌合させた構成であるのに対して、第４の実施形態におけるサージアブソーバ４０は、主放電電極部材４１が端子電極部材３２と、突出支持部材４２とで構成されている点である。

突出支持部材４２は、ほぼ有底円筒形状を有しており、底面４２Ａの中央に開口４２Ｂが形成されている。この開口４２Ｂの開口径は、円柱状セラミックス４よりもやや小さく形成されている。そして、円柱状セラミックス４が開口４２Ｂを挿通することによって、底面４２Ａを軸方向外方に向かって弾性的に屈曲させ、突出支持部材４２と導電性被膜３との良好なオーミックコンタクトが得られるようになっている。
なお、この一対の突出支持部材４２の表面は、上述した第１の実施形態と同様の酸化処理により酸化膜４２Ｃが０．６μｍ形成されており、互いに対向する面である底面４２Ａが主放電面となっている。

このサージアブソーバ４０は、上述した第１の実施形態におけるサージアブソーバ１と同様の作用、効果を有する。

次に、第５の実施形態について、図７を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第１の実施形態と同様であり、上述の第１の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図７においては、図１と同一構成要素に同一符号を付し、この説明を省略する。

第５の実施形態と第１の実施形態との異なる点は、第１の実施形態では基板上に載置される面実装型のサージアブソーバであるのに対して、第５の実施形態におけるサージアブソーバ５０はリード線を備えたサージアブソーバとなっている点である。
すなわち、サージアブソーバ５０は、導電性被膜３が分割形成された円柱状セラミックス４と、この円柱状セラミックス４の両端に配置された主放電電極部材５１と、この主放電電極部材５１と共に円柱状セラミックス４を封止するガラス管５２とを備えている。

主放電電極部材５１は、キャップ電極５５と、キャップ電極５５の後端から延出するリード線５６とを備えている。
この一対のキャップ電極５５の表面は、上述した第１の実施形態と同様の酸化処理により酸化膜５５Ａが０．６μｍ形成されており、互いに対向する面が主放電面５５Ｂとなっている。
ガラス管５２は、円柱状セラミックス４及び一対のキャップ電極５５を覆うように配置され、両端からリード線５６が突出している。

このサージアブソーバ５０は、上述した第１の実施形態に係るサージアブソーバ１と同様の作用、効果を有する。

次に、第６の実施形態について、図８を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第５の実施形態と同様であり、上述の第５の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図８においては、図７と同一構成要素に同一符号を付し、この説明を省略する。

第６の実施形態と第５の実施形態との異なる点は、第５の実施形態では導電性被膜３が分割形成された円柱状セラミックス４の両端にキャップ電極５５が配置されているのに対して、第６の実施形態におけるサージアブソーバ６０は、一面上に放電ギャップ６１を介して導電性被膜６２が分割形成された板状セラミックス６３の両端に、この板状セラミックス６３を挟持する主放電電極部材６４が配置されている点である。

主放電電極部材６４は、導電性被膜６２に接触すると共に板状セラミックス６３を挟持するクリップ電極６５と、クリップ電極６５の後端に設けられたリード線５６とを備えている。
クリップ電極６５の表面は、上述した第１の実施形態と同様の酸化処理により酸化膜６５Ａが０．６μｍ形成されており、互いに対向する面が主放電面６５Ｂとなっている。そして、このクリップ電極６５が、板状セラミックス６３を挟持することによって、導電性被膜６２とクリップ電極６５との良好なオーミックコンタクトが得られるように構成されている。

このサージアブソーバ６０は、上述した第１の実施形態に係るサージアブソーバ１と同様の作用、効果を有する。

次に、本発明に係るサージアブソーバを、実施例により図９及び図１０を参照して具体的に説明する。

上述した第２の実施形態に係るサージアブソーバ２０と、酸化膜２３Ｂのない従来のサージアブソーバとをそれぞれ基板等に実装して使用した際の寿命を比較した。
具体的には、実施例として、図９に示されるようなサージ電流を繰り返しサージアブソーバに所定回数印加して、その時のギャップ間での放電開始電圧（Ｖ）を測定した結果を図１０に示す。

従来のサージアブソーバは、サージ電流を繰り返し印加されると、主放電電極部材の金属電極の金属成分が多く飛散し、比較的短時間でマイクロギャップにおいて、それら金属成分が堆積するために、ギャップ間の放電開始電圧が低下して寿命に至る。一方、本発明にかかるサージアブソーバ２０は、酸化膜２３Ｂにより主放電電極部材２３の電極成分の飛散が抑制されるために、放電ギャップ２における金属成分の堆積があまりないために、ギャップ間の放電開始電圧が安定していることがわかる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、図１１に示すように、一対の板バネ導体１０９の互いに対向する面である主放電面１０９Ａに上述した第１の実施形態と同様の酸化処理によって酸化膜１０９Ｂを形成したサージアブソーバ７０であってもよい。このようにしても上述と同様の作用、効果を有する。
また、導電性被膜は、Ａｇ（銀）、Ａｇ（銀）／Ｐｄ（パラジウム）合金、ＳｎＯ_２（酸化スズ）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、ＳｉＣ（炭化シリコン）、ＢａＡｌ（バリウム・アルミナ）、Ｃ（炭素）、Ａｇ（銀）／Ｐｔ（白金）合金、ＴｉＯ（酸化チタン）、ＴｉＣ（炭化チタン）、ＴｉＣＮ（炭窒化チタン）等でもよい。
また、主放電電極部材は、ＣｕやＮｉ系の合金でもよい。
また、筒型セラミックス両端面のメタライズ層は、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）でもよく、また、メタライズ層を用いず活性金属ロウ材だけで封止してもよい。
また、封止ガスは、所望の電気特性を得るために組成等を調整され、例えば、大気（空気）でもよく、Ａｒ（アルゴン）、Ｎ_２（窒素）、Ｎｅ（ネオン）、Ｈｅ（ヘリウム）、Ｘｅ（キセノン）、Ｈ_２（水素）、ＳＦ_６、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８、ＣＯ_２（二酸化炭素）等、及びこれらの混合ガスでもよい。

本発明に係る第１の実施形態におけるサージアブソーバを示す軸方向断面図である。 本発明に係る第１の実施形態における端子電極部材を示すもので、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ線矢視断面図である。 本発明に係る第１の実施形態におけるサージアブソーバを基板上に実装したときの断面図である。 本発明に係る第２の実施形態におけるサージアブソーバを示す軸方向断面図である。 本発明に係る第３の実施形態におけるサージアブソーバを示すもので、（ａ）は軸方向断面図、（ｂ）は端子電極部材とキャップ電極との接触部分の拡大図である。 本発明に係る第４の実施形態におけるサージアブソーバを示す軸方向断面図である。 本発明に係る第５の実施形態におけるサージアブソーバを示す軸方向断面図である。 本発明に係る第６の実施形態におけるサージアブソーバを示す軸方向断面図である。 本発明に係る実施例におけるサージ電流の時間と電流値との関係を示すグラフである。 本発明に係る実施例におけるサージアブソーバの放電回数と放電開始電圧との関係を示すグラフである。 本発明に係る実施形態以外の、本発明を適用可能なサージアブソーバを示す断面図である。 従来のサージアブソーバを示す断面図である。

符号の説明

１、２０、３０、４０、５０、６０、７０ サージアブソーバ
２、６１、１０１ 放電ギャップ
３、６２、１０２ 導電性被膜
４ 円柱状セラミックス（絶縁性部材）
５、２１、３１、４１、５１、６４、１０５ 主放電電極部材
５Ａ 周縁部
６、１０６ 封止ガス
７、１０７ 筒型セラミックス（絶縁性管）
８、３３ ロウ材
９、２４ 突出支持部
９Ａ、２３Ａ、５５Ｂ、６５Ｂ、１０９Ａ 主放電面
９Ｂ、２３Ｂ、４２Ｃ、５５Ａ、６５Ａ、１０９Ｂ 酸化膜
４２Ａ 底面（主放電面）
５２ ガラス管（絶縁性管）
６３、１０３ 板状セラミックス（絶縁性部材）

Claims (4)

1. 放電ギャップを介して導電性被膜が分割形成された絶縁材部材と、対向配置され前記導電性被膜に接触する一対の主放電電極部材と、該一対の主放電電極部材を対向に配して前記絶縁材部材を内部に封止ガスと共に封止する絶縁性管とを備えたサージアブソーバであって、
   前記一対の主放電電極部材の主放電面に、酸化処理による酸化膜が形成されていることを特徴とするサージアブソーバ。
2. 周面に中央の放電ギャップを介して導電性被膜が分割形成された柱状の絶縁性部材と、該絶縁性部材の両端に対向配置され前記導電性被膜に接触する一対の主放電電極部材と、前記一対の主放電電極部材を両端に配して前記絶縁性部材を内部に封止ガスと共に封止する絶縁性管とを備えたサージアブソーバであって、
   前記主放電電極部材が、前記絶縁性管の端面とロウ材で接着される周縁部と、
   前記絶縁性管の内側かつ軸方向に突出すると共に径方向内側面で前記絶縁性部材を支持する突出支持部とを備え、
   前記一対の主放電電極部材の前記突出支持部の対向する面である主放電面に、酸化処理による酸化膜が形成されていることを特徴とするサージアブソーバ。
3. 前記酸化膜の平均膜厚が、０．０１μｍ以上２．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のサージアブソーバ。
4. 前記放電電極部材が、Ｃｒを含む部材であって、前記酸化膜表面にＣｒが表面富化されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のサージアブソーバ。
   

Images