JPH1055903A - 電子部品の構造 - Google Patents
電子部品の構造Info
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- JPH1055903A JPH1055903A JP8211193A JP21119396A JPH1055903A JP H1055903 A JPH1055903 A JP H1055903A JP 8211193 A JP8211193 A JP 8211193A JP 21119396 A JP21119396 A JP 21119396A JP H1055903 A JPH1055903 A JP H1055903A
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- thermistor
- lead wire
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistors with envelope or housing
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- H—ELECTRICITY
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- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
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- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リード線付感温抵抗体の耐腐食性を高める。
【解決手段】 リード線５Ａ，５Ｂに耐腐食性材料を用
い、抵抗体の電極露出部とリード線溶接部周囲を耐腐食
性材料６で被覆する。 【効果】 リード線自体が耐腐食性材料となっているた
め、溶接や切断加工部の腐食の問題は無く、更に、リー
ド線と電極露出部も耐腐食性材料で被覆されているた
め、亜硫酸ガス雰囲気中のような腐食の強い環境下で
も、長期にわたり腐食を受けることなく使用可能な、耐
久性、耐腐食性に著しく優れた信頼性の高いリード線付
感温抵抗体が提供される。
い、抵抗体の電極露出部とリード線溶接部周囲を耐腐食
性材料６で被覆する。 【効果】 リード線自体が耐腐食性材料となっているた
め、溶接や切断加工部の腐食の問題は無く、更に、リー
ド線と電極露出部も耐腐食性材料で被覆されているた
め、亜硫酸ガス雰囲気中のような腐食の強い環境下で
も、長期にわたり腐食を受けることなく使用可能な、耐
久性、耐腐食性に著しく優れた信頼性の高いリード線付
感温抵抗体が提供される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品の構造に係
り、特に自動車の吸気温度を測定する感温抵抗体の様
に、腐食を受けやすい環境下で使用されるリード線付感
温抵抗体等に好適な耐腐食性に優れた電子部品の構造に
関する。
り、特に自動車の吸気温度を測定する感温抵抗体の様
に、腐食を受けやすい環境下で使用されるリード線付感
温抵抗体等に好適な耐腐食性に優れた電子部品の構造に
関する。
【０００２】
【従来の技術】リード線付感温抵抗体の従来技術とし
て、アキシャルタイプ（ダイオードタイプ）のガラス封
入型サーミスタを一例に挙げて図２を用いて説明する。
図２に示す如く、このサーミスタはガラス管１内にサー
ミスタ素子２を挿入し、ガラス管１の両端に封止電極３
Ａ、３Ｂを封着してサーミスタ素子２を封止した構成と
なっている。４Ａ、４Ｂはリード線である。
て、アキシャルタイプ（ダイオードタイプ）のガラス封
入型サーミスタを一例に挙げて図２を用いて説明する。
図２に示す如く、このサーミスタはガラス管１内にサー
ミスタ素子２を挿入し、ガラス管１の両端に封止電極３
Ａ、３Ｂを封着してサーミスタ素子２を封止した構成と
なっている。４Ａ、４Ｂはリード線である。
【０００３】従来、このようなガラス封入型サーミスタ
において、封止電極３Ａ、３Ｂとしては、一般にジュメ
ットが用いられる。
において、封止電極３Ａ、３Ｂとしては、一般にジュメ
ットが用いられる。
【０００４】ジュメットは、図３に示す如く、鉄−ニッ
ケル合金よりなる線材１１の表面に銅中間層１２を介し
て亜酸化銅（Ｃｕ2 Ｏ）層（又はボレート（Ｃｕ2 Ｏ−
Ｎａ2 Ｂ4 Ｏ7 ）層）１３が形成されたものである。即
ち、本体部は、熱膨張率をガラスの熱膨張率に近づける
ためにＦｅ−Ｎｉ合金製とされており、表面層は、ガラ
ス管との溶着性のために亜酸化銅とされている。従っ
て、封止電極３Ａ，３Ｂは、線材のジュメットを切断加
工して製作されるため、その切断面である端面３ａ，３
ｂには、本体部のＦｅ−Ｎｉ合金が表出することにな
る。また、リード線４Ａ，４Ｂには、ジュメット、或い
は、図４に示す如く、表面に銅層１４が形成されたＦｅ
−Ｎｉ又はＦｅの線材１５が用いられる。
ケル合金よりなる線材１１の表面に銅中間層１２を介し
て亜酸化銅（Ｃｕ2 Ｏ）層（又はボレート（Ｃｕ2 Ｏ−
Ｎａ2 Ｂ4 Ｏ7 ）層）１３が形成されたものである。即
ち、本体部は、熱膨張率をガラスの熱膨張率に近づける
ためにＦｅ−Ｎｉ合金製とされており、表面層は、ガラ
ス管との溶着性のために亜酸化銅とされている。従っ
て、封止電極３Ａ，３Ｂは、線材のジュメットを切断加
工して製作されるため、その切断面である端面３ａ，３
ｂには、本体部のＦｅ−Ｎｉ合金が表出することにな
る。また、リード線４Ａ，４Ｂには、ジュメット、或い
は、図４に示す如く、表面に銅層１４が形成されたＦｅ
−Ｎｉ又はＦｅの線材１５が用いられる。
【０００５】なお、ガラス封入型サーミスタの金属部
分、即ち、封止電極３Ａ，３Ｂの外側端面及びリード線
４Ａ，４Ｂの表面には、サーミスタを基板にはんだ付け
するためのはんだメッキや、スポット溶接等によりサー
ミスタを基板に取り付けるためのＮｉメッキ（図示せ
ず）が施される。
分、即ち、封止電極３Ａ，３Ｂの外側端面及びリード線
４Ａ，４Ｂの表面には、サーミスタを基板にはんだ付け
するためのはんだメッキや、スポット溶接等によりサー
ミスタを基板に取り付けるためのＮｉメッキ（図示せ
ず）が施される。
【０００６】前述の如く、封止電極３Ａ，３Ｂの端面３
ａ，３ｂには、ジュメットの本体部の腐食し易いＦｅ−
Ｎｉ合金が表出することとなるが、このようにはんだメ
ッキ又はＮｉメッキを施すことでこの端面３ａ，３ｂの
耐腐食性が高められる。
ａ，３ｂには、ジュメットの本体部の腐食し易いＦｅ−
Ｎｉ合金が表出することとなるが、このようにはんだメ
ッキ又はＮｉメッキを施すことでこの端面３ａ，３ｂの
耐腐食性が高められる。
【０００７】このようなサーミスタにあっては、自動車
の吸気温度を測定する場合のように、腐食を受け易い環
境下で使用される場合があり、この場合には、十分に耐
腐食性が高いことが要求される。
の吸気温度を測定する場合のように、腐食を受け易い環
境下で使用される場合があり、この場合には、十分に耐
腐食性が高いことが要求される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のガラス封入型サーミスタでは、耐腐食性が十分では
なく、特に、亜硫酸ガス等の腐食性の強い環境下で使用
した場合には、腐食が発生するという欠点がある。
来のガラス封入型サーミスタでは、耐腐食性が十分では
なく、特に、亜硫酸ガス等の腐食性の強い環境下で使用
した場合には、腐食が発生するという欠点がある。
【０００９】即ち、金属部分にはんだメッキを施したサ
ーミスタでは、十分な耐腐食性が得られない。
ーミスタでは、十分な耐腐食性が得られない。
【００１０】金属部分にＮｉメッキを施したものであれ
ばはんだメッキを施したものよりも耐腐食性が高められ
るが、この場合でも十分な耐腐食性があるとは言えな
い。
ばはんだメッキを施したものよりも耐腐食性が高められ
るが、この場合でも十分な耐腐食性があるとは言えな
い。
【００１１】即ち、金属部分にＮｉメッキを施したもの
であっても、例えば、加工時に長さ調整のためにリード
線を切断すると、切断面に腐食し易いＦｅ−Ｎｉ又はＦ
ｅが露出することとなり、この部分から腐食が進行す
る。
であっても、例えば、加工時に長さ調整のためにリード
線を切断すると、切断面に腐食し易いＦｅ−Ｎｉ又はＦ
ｅが露出することとなり、この部分から腐食が進行す
る。
【００１２】また、スポット溶接時においても、溶接時
の熱でリード線のＮｉメッキが溶け、内部のＦｅ−Ｎｉ
又はＦｅが露出し、この露出部から腐食が進行する場合
がある。
の熱でリード線のＮｉメッキが溶け、内部のＦｅ−Ｎｉ
又はＦｅが露出し、この露出部から腐食が進行する場合
がある。
【００１３】本発明は上記従来の問題点を解決し、極め
て耐腐食性に優れたサーミスタ等の電子部品の構造を提
供することを目的とする。
て耐腐食性に優れたサーミスタ等の電子部品の構造を提
供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品の構造
は、温度により特性の変化する素子と該素子と電気的接
続を行なうための電極と、該素子と該電極の少なくとも
一部を封入又は被覆する無機系の絶縁部材と、該電極と
の接続のために設けられたリード線とを有する電子部品
において、リード線が耐腐食性材料よりなり、且つ、少
なくともリード線と電極との接続部の周囲を耐腐食性材
料で被覆したことを特徴とする。
は、温度により特性の変化する素子と該素子と電気的接
続を行なうための電極と、該素子と該電極の少なくとも
一部を封入又は被覆する無機系の絶縁部材と、該電極と
の接続のために設けられたリード線とを有する電子部品
において、リード線が耐腐食性材料よりなり、且つ、少
なくともリード線と電極との接続部の周囲を耐腐食性材
料で被覆したことを特徴とする。
【００１５】本発明では、リード線自体が耐腐食性材料
となっているため、溶接や切断加工部の腐食の問題は無
く、更に、リード線と電極露出部も耐腐食性材料で被覆
されているため、亜硫酸ガス雰囲気中のような腐食の強
い環境下でも、長期にわたり腐食を受けることなく使用
可能な、耐久性、耐腐食性に著しく優れた信頼性の高い
電子部品が提供される。
となっているため、溶接や切断加工部の腐食の問題は無
く、更に、リード線と電極露出部も耐腐食性材料で被覆
されているため、亜硫酸ガス雰囲気中のような腐食の強
い環境下でも、長期にわたり腐食を受けることなく使用
可能な、耐久性、耐腐食性に著しく優れた信頼性の高い
電子部品が提供される。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一例とし
て、アキシャルタイプのガラス封入型サーミスタの例を
挙げると、ジュメットよりなる円筒状の電極とニッケル
より成るリード線を溶接し、半導体素子よりなるサーミ
スタ素子と該電極をガラス管で封入し、電極の露出部、
電極とリードとの溶接部及びリード部にニッケルメッキ
を施すことによりこれらを被覆した構成にすれば良い。
て、アキシャルタイプのガラス封入型サーミスタの例を
挙げると、ジュメットよりなる円筒状の電極とニッケル
より成るリード線を溶接し、半導体素子よりなるサーミ
スタ素子と該電極をガラス管で封入し、電極の露出部、
電極とリードとの溶接部及びリード部にニッケルメッキ
を施すことによりこれらを被覆した構成にすれば良い。
【００１７】他の例として、リード線付リニア感温抵抗
体を挙げると、円筒状のアルミナボビン表面に形成され
た金属膜よりなる感温素子に鉄ニッケルよりなるキャッ
プ状電極を圧入固着し、ニッケルよりなるリード線を該
電極に溶接し、感温素子と電極の一部をガラスで被覆
し、電極の露出部、電極とリードとの溶接部及びリード
部にニッケルメッキを施すことによりこれらを被覆した
構成にすれば良い。
体を挙げると、円筒状のアルミナボビン表面に形成され
た金属膜よりなる感温素子に鉄ニッケルよりなるキャッ
プ状電極を圧入固着し、ニッケルよりなるリード線を該
電極に溶接し、感温素子と電極の一部をガラスで被覆
し、電極の露出部、電極とリードとの溶接部及びリード
部にニッケルメッキを施すことによりこれらを被覆した
構成にすれば良い。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例をより
具体的に説明する。
具体的に説明する。
【００１９】実施例１ 図１は本発明の一例であるアキシャルタイプのガラス封
入型サーミスタの実施の形態を示す断面図である。な
お、図１において、図２に示す部材と同一機能を奏する
部材には同一符号を付してある。
入型サーミスタの実施の形態を示す断面図である。な
お、図１において、図２に示す部材と同一機能を奏する
部材には同一符号を付してある。
【００２０】このガラス封入型サーミスタは、ガラス管
１内にサーミスタ素子２を挿入してガラス管１の両端部
を、Ｎｉリード線５Ａ，５Ｂ付きの封止電極３Ａ，３Ｂ
で封着し、金属部分、即ち、封止電極３Ａ，３Ｂの外側
端面とリード線５Ａ，５Ｂの表面にＮｉメッキ６を施し
たものである。
１内にサーミスタ素子２を挿入してガラス管１の両端部
を、Ｎｉリード線５Ａ，５Ｂ付きの封止電極３Ａ，３Ｂ
で封着し、金属部分、即ち、封止電極３Ａ，３Ｂの外側
端面とリード線５Ａ，５Ｂの表面にＮｉメッキ６を施し
たものである。
【００２１】本発明において、封止電極３Ａ，３Ｂとし
ては、従来品と同様ジュメットを用いるのが好ましく、
その長さや直径には特に制限はない。
ては、従来品と同様ジュメットを用いるのが好ましく、
その長さや直径には特に制限はない。
【００２２】また、ガラス管１としても従来品と同様Ｓ
ｉＯ2 −ＰｂＯ−Ｋ2 Ｏ等よりなるガラス管を用いるこ
とができる。このガラス管の肉厚は、サーミスタの大き
さ等によっても異なるが一般には０．３〜１．０ｍｍ程
度とされる。また、ガラス管の内径は封入するサーミス
タ素子の直径の１〜１．８倍程度、長さはサーミスタ素
子の厚さの３〜５０倍程度とするのが好ましい。
ｉＯ2 −ＰｂＯ−Ｋ2 Ｏ等よりなるガラス管を用いるこ
とができる。このガラス管の肉厚は、サーミスタの大き
さ等によっても異なるが一般には０．３〜１．０ｍｍ程
度とされる。また、ガラス管の内径は封入するサーミス
タ素子の直径の１〜１．８倍程度、長さはサーミスタ素
子の厚さの３〜５０倍程度とするのが好ましい。
【００２３】サーミスタ素子２としては、サーミスタセ
ラミックスの両面にＡｇ・Ｐｄ等の電極を形成したもの
を用いることができ、その大きさは、通常の場合、０．
３５〜０．６ｍｍ角程度である。
ラミックスの両面にＡｇ・Ｐｄ等の電極を形成したもの
を用いることができ、その大きさは、通常の場合、０．
３５〜０．６ｍｍ角程度である。
【００２４】Ｎｉリード線５Ａ，５Ｂとしては、線径
０．３〜０．５ｍｍ程度のものを用いるのが好適であ
る。
０．３〜０．５ｍｍ程度のものを用いるのが好適であ
る。
【００２５】また、Ｎｉメッキの厚さは、薄過ぎると十
分な耐腐食性向上効果が得られず厚過ぎてもコスト面で
不利であることから、通常の場合、２〜１０μｍ程度と
するのが好ましい。
分な耐腐食性向上効果が得られず厚過ぎてもコスト面で
不利であることから、通常の場合、２〜１０μｍ程度と
するのが好ましい。
【００２６】なお、本発明においては、リード線として
Ｎｉリード線を用いるため、このリード線部分にＮｉメ
ッキを施す必要はないが、封止電極端面のＮｉメッキ処
理に当っては、このリード線部分もＮｉメッキが形成さ
れることとなる。
Ｎｉリード線を用いるため、このリード線部分にＮｉメ
ッキを施す必要はないが、封止電極端面のＮｉメッキ処
理に当っては、このリード線部分もＮｉメッキが形成さ
れることとなる。
【００２７】このガラス封入型サーミスタを基板にスポ
ット溶接し、亜硫酸ガス雰囲気中にて実使用したとこ
ろ、長期に亘り腐食の発生は認められなかった。
ット溶接し、亜硫酸ガス雰囲気中にて実使用したとこ
ろ、長期に亘り腐食の発生は認められなかった。
【００２８】実施例２ 図５は、本発明の他の実施例を示すリニア感温抵抗体の
断面図である。直径１ｍｍ程度の中実円筒アルミナボビ
ン２１に、バレルスパッタにより白金薄膜２２を形成
し、熱処理して感温素子を構成する。該感温素子に鉄ニ
ッケル製キャップ電極２３Ａ，２３Ｂを圧入固着し、線
径０．３〜０．５ｍｍ程度のＮｉ製リード線２４Ａ，２
４Ｂを溶接する。次に、抵抗値調整を白金薄膜のレーザ
トリミングで行ない、白金薄膜部及び電極の一部にガラ
ス２５を被覆した後、電極露出部とリード線の表面に２
〜１０μｍ程度のＮｉメッキ２６を施し、リニア感温抵
抗体を構成する。
断面図である。直径１ｍｍ程度の中実円筒アルミナボビ
ン２１に、バレルスパッタにより白金薄膜２２を形成
し、熱処理して感温素子を構成する。該感温素子に鉄ニ
ッケル製キャップ電極２３Ａ，２３Ｂを圧入固着し、線
径０．３〜０．５ｍｍ程度のＮｉ製リード線２４Ａ，２
４Ｂを溶接する。次に、抵抗値調整を白金薄膜のレーザ
トリミングで行ない、白金薄膜部及び電極の一部にガラ
ス２５を被覆した後、電極露出部とリード線の表面に２
〜１０μｍ程度のＮｉメッキ２６を施し、リニア感温抵
抗体を構成する。
【００２９】このリニア感温抵抗体を基板にスポット溶
接し、亜硫酸ガス雰囲気中にて実使用したところ、実施
例１と同様に長期に亘り腐食の発生は認められなかっ
た。
接し、亜硫酸ガス雰囲気中にて実使用したところ、実施
例１と同様に長期に亘り腐食の発生は認められなかっ
た。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の電子部品の
構造によれば、亜硫酸ガス雰囲気中のような腐食の強い
環境下でも、長期にわたり腐食を受けることなく使用可
能な、耐久性、耐腐食性に著しく優れ、信頼性の高いリ
ード線付感温抵抗体が提供される。
構造によれば、亜硫酸ガス雰囲気中のような腐食の強い
環境下でも、長期にわたり腐食を受けることなく使用可
能な、耐久性、耐腐食性に著しく優れ、信頼性の高いリ
ード線付感温抵抗体が提供される。
【図１】本発明の実施例を示すガラス封入型サーミスタ
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】従来のガラス封入型サーミスタを示す断面図で
ある。
ある。
【図３】封止電極の断面図である。
【図４】従来のリード線の断面図である。
【図５】本発明の他の実施例を示すリニア感温抵抗体の
断面図である。
断面図である。
１ ガラス管 ２ サーミスタ素子 ３Ａ，３Ｂ 封止電極 ４Ａ，４Ｂ リード線 ５Ａ，５Ｂ Ｎｉリード線 ６ Ｎｉメッキ ２１ アルミナボビン ２２ 白金薄膜 ２３Ａ，２３Ｂ 鉄ニッケル製キャップ電極 ２４Ａ，２４Ｂ Ｎｉリード線 ２５ ガラス ２６ Ｎｉメッキ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平間 昌弘 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社セラミックス工場内 (72)発明者 登本 寛 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社セラミックス工場内 (72)発明者 宮崎 敦史 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 斉藤 孝行 茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式会 社日立カーエンジニアリング内 (72)発明者 内山 薫 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器事業部内
Claims (4)
- 【請求項１】 温度により特性の変化する素子と該素子
と電気的接続を行なうための電極と、該素子と該電極の
少なくとも一部を封入又は被覆する無機系の絶縁部材
と、該電極との接続のために設けられたリード線とを有
する電子部品において、リード線が耐腐食性材料よりな
り、且つ、少なくともリード線と電極との接続部の周囲
を耐腐食性材料で被覆したことを特徴とする電子部品の
構造。 - 【請求項２】 請求項１において、耐腐食性材料で被覆
されるリード線と電極との接続部周囲は、電極の金属露
出部とリード線の表面を含むことを特徴とする電子部品
の構造。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、リード線がニ
ッケルよりなり、少なくともリード線と電極との接続部
の周囲にニッケルメッキを施したことを特徴とする電子
部品の構造。 - 【請求項４】 請求項１において、温度により特性の変
化する素子が半導体材料より成るサーミスタであり、該
素子と電気的接続を行なうための電極がジュメットより
なり、該素子と該電極の少なくとも一部を封入する部材
がガラス材料よりなることを特徴とする電子部品の構
造。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8211193A JPH1055903A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 電子部品の構造 |
| DE69731265T DE69731265T2 (de) | 1996-08-09 | 1997-08-07 | Struktur einer elektronischen Vorrichtung |
| EP97113695A EP0824258B1 (en) | 1996-08-09 | 1997-08-07 | Structure of electronic device |
| KR1019970037896A KR19980018505A (ko) | 1996-08-09 | 1997-08-08 | 전자 부품의 구조 |
| CN97117322A CN1123014C (zh) | 1996-08-09 | 1997-08-08 | 电子零件的构造 |
| US08/907,881 US6344790B1 (en) | 1996-08-09 | 1997-08-11 | Electronic device such as a thermistor and the like with improved corrosion resistance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8211193A JPH1055903A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 電子部品の構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1055903A true JPH1055903A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16601932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8211193A Pending JPH1055903A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 電子部品の構造 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6344790B1 (ja) |
| EP (1) | EP0824258B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1055903A (ja) |
| KR (1) | KR19980018505A (ja) |
| CN (1) | CN1123014C (ja) |
| DE (1) | DE69731265T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| KR100436583B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2004-06-19 | 엘지전선 주식회사 | 절연관 안에 들어 있는 정온도 특성 회로 과전류 보호용소자 |
| EP1562029A1 (en) * | 2004-02-06 | 2005-08-10 | Hitachi, Ltd. | Temperature sensor |
| JP2016201383A (ja) * | 2015-04-07 | 2016-12-01 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュールおよび接続ピン |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10153217B4 (de) * | 2001-10-31 | 2007-01-18 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Manteldraht, insbesondere Anschlussdraht für elektrische Temperatursensoren |
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