WO2005008853A1 - サージアブソーバ - Google Patents

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WO2005008853A1
WO2005008853A1 PCT/JP2004/009958 JP2004009958W WO2005008853A1 WO 2005008853 A1 WO2005008853 A1 WO 2005008853A1 JP 2004009958 W JP2004009958 W JP 2004009958W WO 2005008853 A1 WO2005008853 A1 WO 2005008853A1
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main discharge
surge absorber
pair
discharge electrode
electrode members
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PCT/JP2004/009958
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Yasuhiro Shato
Tsuyoshi Ogi
Miki Adachi
Sung-Gyoo Lee
Takashi Kurihara
Toshiaki Ueda
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Mitsubishi Materials Corporation
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    • H01T4/00—Overvoltage arresters using spark gaps
    • H01T4/10—Overvoltage arresters using spark gaps having a single gap or a plurality of gaps in parallel
    • H01T4/12—Overvoltage arresters using spark gaps having a single gap or a plurality of gaps in parallel hermetically sealed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
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    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49128—Assembling formed circuit to base

Definitions

  • the present invention relates to a surge absorber used to protect various devices from surges and prevent accidents before they occur.
  • An abnormal current (surge current) or anomaly such as a lightning surge or static electricity such as a portion where an electronic device for a communication device such as a telephone, a facsimile, and a modem is connected to a communication line, a power line, an antenna, or a CRT drive circuit.
  • Surge absorbers are connected to parts that are susceptible to electric shock due to voltage (surge voltage) to prevent electronic equipment and the printed circuit board on which it is installed from being thermally damaged or destroyed by fire, etc. due to abnormal voltage.
  • a surge absorber using a surge absorbing element having a micro gap has been proposed.
  • a so-called microgap is formed on the peripheral surface of a cylindrical ceramic member covered with a conductive film, and a surge absorbing element having a pair of cap electrodes at both ends of a ceramic member is provided in a glass tube together with a sealing gas.
  • This is a discharge-type surge absorber in which a sealing electrode housed and having lead wires at both ends of a cylindrical glass tube is sealed by high-temperature heating.
  • the surge absorber 100 has a plate-shaped ceramic 103 having a conductive film 102 formed on one side thereof through a central discharge gap 101, and a pair of ceramics 103 arranged at both ends of the plate-shaped ceramics 103. And a cylindrical ceramic 107 disposed on both ends of the sealing electrode 105 and sealing the plate-shaped ceramic 103 together with the sealing gas 106.
  • the sealing electrode 105 includes a terminal electrode member 108 and a panel conductor 109 electrically connected to the terminal electrode member 108 and in contact with the conductive film 102.
  • Patent Document 1 JP-A-10-106712 (Page 5, FIG. 1)
  • Patent Document 2 JP-A-2000-268934 (FIG. 1)
  • the above-mentioned conventional surge absorber has the following problems. That is, in the conventional surge absorber described above, for example, the force at which the SnO film is formed by a thin film forming method such as a chemical vapor deposition (CVD) method, the adhesive force of the SnO film to the cap electrode.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has been made by covering an oxide layer having excellent ridge-like stability in a high-temperature region and excellent adhesion to a main discharge electrode.
  • the purpose is to provide a long-life surge absorber.
  • An abnormal current or voltage such as a surge that enters from the outside is triggered by discharge in the microgap, and a main discharge is generated between the main discharge surfaces, which are opposite surfaces of the pair of projecting supports. And the surge is absorbed.
  • the oxide film is formed on the main discharge surface, the main discharge surface having excellent chemical stability in a high temperature region can be obtained. Therefore, it is possible to prevent the electrode components on the main discharge surface from being scattered during the main discharge and from adhering to the microgap and the inner wall of the insulating tube, thereby prolonging the life of the surge absorber. Further, since this oxide film has excellent adhesion to the main discharge surface, it can exhibit the characteristics of the oxide film. Further, since it is not necessary to use an expensive metal having excellent chemical stability in a high temperature region as the main discharge electrode member, an inexpensive metal material can be used for the main discharge electrode member in the present invention.
  • a surge absorber includes a columnar insulating member having a conductive film divided and formed on a peripheral surface through a central discharge gap, and the conductive member disposed opposite to both ends of the insulating member.
  • a surge discharger comprising: a pair of main discharge electrode members in contact with a conductive film; and an insulating tube having the pair of main discharge electrode members disposed at both ends and sealing the insulating member together with a sealing gas.
  • the main discharge electrode member has a peripheral portion bonded to an end surface of the insulating tube with a brazing material, and projects inward and axially of the insulating tube and supports the insulating member on a radially inner surface.
  • An oxide film formed by an oxidation process is formed on a main discharge surface of the pair of main discharge electrode members, which is a surface facing the projecting support portion.
  • the characteristics of the oxide film can be exhibited, and the life of the surge absorber can be extended.
  • the surge absorber according to the present invention is characterized in that the average thickness of the oxide film is 0.01 ⁇ m or more and 2.O / z m or less.
  • the average thickness of the oxidation film is 0.01 / zm or more, scattering of the electrode components of the main discharge electrode member due to the main discharge can be sufficiently suppressed. Further, when the thickness is not more than 2. ⁇ m, it is possible to suppress the life of the surge absorber from being shortened due to the fact that the oxide film is easily scattered.
  • the average thickness of the oxide film satisfies the range from 0.2 ⁇ to 1.0 m.
  • the discharge electrode member is a member containing Cr.
  • Cr is surface-enriched on the surface of the oxidation film.
  • the oxide film surface is excellent in chemical stability in a high-temperature region, has a high melting point, and is enriched with conductive Cr (chromium) oxide, so that it has excellent adhesion to the main discharge surface. Since the oxide film is formed, the characteristics of the oxide film can be exhibited, and the life of the surge absorber can be extended.
  • the oxide film formed by the oxidation treatment has chemically stable characteristics in a high temperature region and has excellent adhesion to the main discharge surface.
  • the film characteristics can be sufficiently exhibited. Therefore, the surge absorber can have a long life.
  • FIGS. 1 to 3 a first embodiment of a surge absorber according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
  • the surge absorber 1 is a discharge type surge absorber using a so-called microgap, and has a circumferential surface on which a conductive film 3 is divided and formed through a central discharge gap 2.
  • a columnar columnar ceramic (insulating member) 4 a pair of main discharge electrode members 5 disposed opposite to both ends of the columnar ceramic 4 and in contact with the conductive coating 3, and a pair of main discharge electrode members 5 at both ends.
  • the discharge gap 2 is a force formed from 1 to 100 pieces with a width of 0.01 to 1.5 mm by processing such as laser cutting, dicing, etching, etc. In the present embodiment, one piece of 150 111 is formed. . [0016]
  • the pair of main discharge electrode members 5 are made of Kovar (registered trademark), which is an alloy of Fe (iron), Ni (nickel), and Co (cobalt).
  • each of the pair of main discharge electrode members 5 has a rectangular peripheral portion 5A bonded to the end face of the cylindrical ceramic 7 and the brazing material 8 at an aspect ratio of 1 or less, and a cylindrical shape.
  • a protruding support portion 9 that protrudes in the axial direction inside the mold ceramics 7 and supports the columnar ceramics 4.
  • the center region is located at a position surrounded by the protruding support portions 9 and opposed to the end of the columnar ceramics 4. 5B is formed.
  • the projecting support portion 9 preferably has a slightly tapered radially inner surface so that the radially inner surface and the end of the columnar ceramic 4 can be easily press-fitted or fitted.
  • the surfaces of the tips of the protruding support portions 9 facing each other are defined as main discharge surfaces 9A.
  • an oxidation film 9B having an average film thickness of 0.6 m is formed on the main discharge surface 9A of the main discharge electrode member 5 by performing an oxidation treatment in air at 500 ° C. for 30 minutes.
  • the cylindrical ceramic 7 is made of an insulating ceramic such as Al 2 O 3 (alumina).
  • a pair of terminal electrode members 5 are integrally formed into a desired shape by punching.
  • an oxidizing treatment is performed on the main discharge surface 9A in the air at 500 ° C. for 30 minutes to form an oxide film 9B having an average thickness of 0.6 m.
  • the thickness of the oxide film 9B is determined by applying a groove force to the surface of the oxidized film 9B by FIB (Focused Ion Beam), and using a scanning electron microscope to examine a cross section of the groove at a plurality of locations such as 20 locations. It is the average value measured.
  • a molybdenum (Mo) —tungsten (W) layer and a Ni layer are respectively provided on both end surfaces of the cylindrical ceramic 7. Forming a metallized layer.
  • the columnar ceramic 4 is placed on the central region 5B of the one terminal electrode member 5, and the inner surface in the radial direction is brought into contact with the end surface of the columnar ceramic 4. Further, with the brazing material 8 interposed between the peripheral portion 5A and the end face of the cylindrical ceramic 7, the cylindrical ceramic 7 is placed on the peripheral portion 5A of the other terminal electrode member 5. Further, the terminal electrode member 5 is placed so that the upper side of the columnar ceramic 4 faces the central region 5B, and the radially inner side surface is brought into contact with the terminal electrode member 5. Then, the brazing material 8 is sandwiched between the peripheral portion 5A and the end surface of the cylindrical ceramic 7.
  • the surge absorber 1 manufactured in this manner is mounted on a substrate B such as a printed board, and a mounting surface 7A, which is one side surface of the cylindrical ceramic 7, is placed on the substrate B. B is bonded and fixed to the outer surfaces of the pair of terminal electrode members 5 with solder S for use.
  • the average film thickness is 0.01 ⁇ m or more due to the oxidation treatment of the main discharge surface 9A 2.
  • the main discharge surface 9A can have stable characteristics in a high temperature region.
  • the oxidation film 9B has excellent adhesion to the main discharge electrode member 5, the characteristics of the oxidation film 9B can be exhibited. For this reason, even if the temperature of the projecting support portion 9 becomes high during the main discharge, the metal component of the main discharge electrode member 5 can sufficiently prevent the metal component of the main discharge electrode member 5 from scattering to the microgap 2 and the inner wall of the cylindrical ceramic 7. Therefore, the life of the surge absorber can be extended.
  • the embodiment described here has the same basic configuration as that of the above-described first embodiment, and is obtained by adding another element to the above-described first embodiment. Therefore, in FIG. 4, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • the difference between the second embodiment and the first embodiment is that in the first embodiment, the columnar ceramics 4 is supported by the protruding support portions 9 of the main discharge electrode members 5.
  • the surge absorber 20 in the second embodiment has a terminal electrode member 22 and a cap electrode 23 in which the main discharge electrode member 21 has the same configuration as the main discharge electrode member 5 in the first embodiment. The point is that the columnar ceramic 4 is supported by the protruding support portion 24 provided on the terminal electrode member 22 via the cap electrode 23.
  • the pair of cap electrodes 23 has a lower hardness than the columnar ceramics 4 and can be plastically deformed, for example, a metal force such as stainless steel. It extends inward in the axial direction from the tip, is formed in a substantially U-shaped cross section, and serves as a main discharge surface 23A.
  • the surfaces of the pair of cap electrodes 23 are enriched with Cr by performing an oxidizing treatment at 700 ° C. for 40 minutes in a reducing atmosphere controlled at a predetermined oxygen concentration.
  • 0.6 ⁇ m of the formed silicon dioxide film 23B is formed.
  • the surface of the pair of cap electrodes 23 was subjected to an oxidizing treatment for 40 minutes at 700 ° C. in a reducing atmosphere controlled to a predetermined oxygen concentration, whereby Cr was enriched to 10% or more on the oxidizing film surface.
  • An oxidation film 23B having an average thickness of 0 is formed.
  • the Cr enrichment on the surface of the oxidation film 23B is confirmed by obtaining an average value measured at a plurality of places, for example, five places, by surface analysis by an Auger spectroscopic analysis.
  • the pair of cap electrodes 23 is engaged with both ends of the columnar ceramics 4, and the surge absorber 20 is manufactured in the same manner as in the first embodiment.
  • the surge absorber 20 has the same operation and effect as the surge absorber 1 according to the above-described first embodiment.
  • FIG. 5 the same components as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • the terminal electrode member 22 has a projecting support portion 24 formed integrally.
  • the main discharge electrode member 31 is composed of a plate-shaped terminal electrode member 32 and a cap electrode 23 as shown in FIG. 5A.
  • a brazing material 33 is applied to inner surfaces of the pair of terminal electrode members 32 facing each other. As shown in FIG. 5 (b), the brazing material 33 fills a gap 34 formed on the contact surface between the pair of terminal electrode members 32 and the cap electrode 23, and a gap at both ends of the cap electrode 23. And a holding portion 36 for holding the outer peripheral surface of the top electrode 23.
  • the height h of the holding portion 36 is formed lower than the height of the cap electrode 23. Thereby, the cap electrodes 23 become the facing main discharge surfaces 23A.
  • an oxide film 23B is formed on the surface of the pair of cap electrodes 23, and is engaged with both ends of the cylindrical ceramics 4.
  • brazing material 33 is applied to one surface of the terminal electrode member 32 to form the holding portion 36, and a columnar ceramic 4 on which the cap electrode 23 is engaged is placed on the central region of the terminal electrode member 32.
  • the terminal electrode member 32 and the cap electrode 23 are brought into contact with each other.
  • the end face of the cylindrical ceramic 7 is placed.
  • the other end electrode member 32 coated with the brazing material 33 is placed on the other end surface of the cylindrical ceramic 7 to make a temporary assembly state.
  • the sealing step will be described.
  • the brazing material 33 is melted, and the terminal electrode member 32 and the cap electrode member A adhere to each other.
  • the filling portion 35 of the brazing material 33 fills the gap 34 existing between the cap electrode 23 and the terminal electrode member 32 by melting.
  • the holding portion 36 formed by the surface tension of the brazing material 33 holds the cap electrode 23 so as to embed both ends of the cap electrode 23.
  • the surge absorber 30 has the same operation and effect as the surge absorber 1 according to the first embodiment described above.
  • the force filling portion 35 forming the holding portion 36 and the filling portion 35 by the same member as the brazing material 33 may be formed of a material different from the brazing material 33.
  • the holding portion 36 may be formed of a material different from the brazing material 33 similarly to the filling portion 35.
  • a brazing material 33 or a glass material which is not easily wetted by active silver brazing may be used. By doing so, the columnar ceramics 4 is more reliably fixed to the vicinity of the center of the terminal electrode member 32 or the peripheral portion thereof.
  • FIG. 6 the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • the main discharge electrode member 5 has a protruding support portion 9 formed integrally, and has a cylindrical shape.
  • the surge absorber 40 according to the fourth embodiment has a main discharge electrode member 41 in which the terminal electrode member 32 and the terminal support member 32 are supported. It is composed of the member 42.
  • the protruding support member 42 has a substantially cylindrical shape with a bottom, and has an opening 42B in the center of the bottom surface 42A.
  • the opening diameter of the opening 42B is slightly smaller than that of the columnar ceramics 4. Then, by inserting the cylindrical ceramics 4 through the opening 42B, the bottom surface 42A is elastically bent by applying a force outward in the axial direction, and a good ohmic contact between the protruding support member 42 and the conductive coating 3 is obtained. Can be obtained.
  • the surfaces of the pair of projecting support members 42 have an oxide film 42C formed thereon by the same oxidation treatment as in the first embodiment described above, and the bottom surfaces 42A facing each other are the main discharge surfaces. Become! /
  • the surge absorber O has the same operation and effect as the surge absorber 1 in the first embodiment described above.
  • the first embodiment is a surface mount type surge absorber mounted on a substrate
  • the fifth embodiment is different from the fifth embodiment.
  • the point of the Surge Absorber 50 is that it is a surge absorber with a lead wire. That is, the surge absorber 50 is composed of a cylindrical ceramic member 4 on which the conductive coating 3 is divided, a main discharge electrode member 51 disposed at both ends of the cylindrical ceramic member 4, and a cylindrical ceramic member together with the main discharge electrode member 51. 4 and a glass tube 52 for sealing the same.
  • the main discharge electrode member 51 includes a cap electrode 55 and a lead wire 56 extending from the rear end of the cap electrode 55.
  • an oxidation film 55A is formed by 0.6 m by the same oxidation treatment as in the first embodiment described above, and the surfaces facing each other are the main discharge surface 55B. Has become.
  • the glass tube 52 is arranged so as to cover the columnar ceramic 4 and the pair of cap electrodes 55, and both ends of the lead wire 56 protrude.
  • the surge absorber 50 has the same operation and effect as the surge absorber 1 according to the first embodiment described above.
  • FIG. 8 the same components as those in FIG. 7 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • cap electrodes 55 are arranged at both ends of a columnar ceramic 4 on which a conductive film 3 is divided and formed.
  • the surge absorber 60 according to the sixth embodiment has a plate-like ceramic 63 having a conductive film 62 divided on one surface via a discharge gap 61 and sandwiches the plate-like ceramic 63 between both ends.
  • the main discharge electrode member 64 is disposed.
  • the main discharge electrode member 64 comes into contact with the conductive film 62 and sandwiches the plate-like ceramic 63.
  • the surface of the clip electrode 65 including the clip electrode 65 to be formed and the lead wire 56 provided at the rear end of the clip electrode 65 is subjected to the same oxidation treatment as in the first embodiment described above.
  • 65A are formed, and the surfaces facing each other are the main discharge surfaces 65B.
  • the clip electrode 65 is configured such that a good ohmic contact between the conductive film 62 and the clip electrode 65 can be obtained by sandwiching the plate-shaped ceramic 63.
  • the surge absorber 60 has the same operation and effect as the surge absorber 1 according to the first embodiment described above.
  • FIGS. 9 and 10 Next, a surge absorber according to the present invention will be specifically described with reference to FIGS. 9 and 10 according to an embodiment.
  • the life of the surge absorber 20 according to the above-described second embodiment and the conventional surge absorber without the oxidation film 23 B were mounted on a substrate or the like, respectively, and the life was compared. Specifically, as an example, the surge current as shown in FIG. 9 was repeatedly applied to the surge absorber a predetermined number of times, and the result of measuring the firing voltage (V) between the gaps at that time is shown in FIG. 10. .
  • an oxidized film 109B was formed on a main discharge surface 109A, which is a surface facing each other, of a pair of plate panel conductors 109 by the same oxidizing process as in the first embodiment described above.
  • the surge absorber 70 may be used. Even in this case, the same operation and effect as described above are obtained. Have fruit.
  • the main discharge electrode member may be a Cu or Ni-based alloy.
  • Gas may be used.
  • FIG. 1 is an axial sectional view showing a surge absorber in a first embodiment according to the present invention.
  • FIG. 2 shows a terminal electrode member according to the first embodiment of the present invention, wherein (a) is a plan view, and (b) is a cross-sectional view taken along line XX in (a).
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the first embodiment according to the present invention when the surge absorber is mounted on a substrate.
  • FIG. 4 is an axial cross-sectional view showing a surge absorber in a second embodiment according to the present invention.
  • FIG. 5 shows a surge absorber according to a third embodiment of the present invention, in which (a) is an axial sectional view, and (b) is an enlarged view of a contact portion between a terminal electrode member and a cap electrode.
  • FIG. 6 is an axial sectional view showing a surge absorber in a fourth embodiment according to the present invention.
  • FIG. 7 is an axial sectional view showing a surge absorber in a fifth embodiment according to the present invention.
  • FIG. 8 is an axial sectional view showing a surge absorber in a sixth embodiment according to the present invention. It is.
  • FIG. 9 is a graph showing a relationship between a time of a surge current and a current value in an example according to the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a surge absorber other than the embodiment according to the present invention, to which the present invention can be applied.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a conventional surge absorber.

Landscapes

  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)

Abstract

　高温領域で化学的安定性に優れ、かつ主放電電極に対する付着力の優れた酸化物層が被覆されたサージアブソーバを提供すること。 　放電ギャップ２を介して導電性被膜３が分割形成された円柱状セラミックス４と、円柱状セラミックス４の両端に対向配置され導電性被膜３に接触する一対の主放電電極部材５と、一対の主放電電極部材５を対向するように配して円柱状セラミックス４を内部に封止ガス６と共に封止する筒型セラミックス７とを備え、一対の主放電電極部材５の少なくとも突出支持部９の対向する面である主放電面９Ａに酸化処理による酸化膜９Ｂが形成されている。

Description

明 細 書
サージァブソーバ
技術分野
[0001] 本発明は、サージから様々な機器を保護し、事故を未然に防ぐのに使用するサー ジァブソーバに関する。
背景技術
[0002] 電話機、ファクシミリ、モデム等の通信機器用の電子機器が通信線との接続する部 分、電源線、アンテナ或いは CRT駆動回路等、雷サージや静電気等の異常電流（ サージ電流)や異常電圧 (サージ電圧）による電撃を受けやすい部分には、異常電 圧によって電子機器やこの機器を搭載するプリント基板の熱的損傷又は発火等によ る破壊を防止するために、サージァブソーバが接続されて 、る。
[0003] 従来、例えばマイクロギャップを有するサージ吸収素子を用いたサージァブソーバ が提案されている。このサージァブソーバは、導電性被膜で被覆した円柱状のセラミ ックス部材の周面に、いわゆるマイクロギャップが形成され、セラミックス部材の両端に 一対のキャップ電極を有するサージ吸収素子が封止ガスと共にガラス管内に収容さ れ、円筒状のガラス管の両端にリード線を有する封止電極が高温加熱で封止された 放電型サージァブソーバである。
[0004] 近年、このような放電タイプのサージァブソーバにおいても、長寿命化が進んでい る。上記サージァブソーバに適応した例としては、ギャップ電極の主放電が行われる 面にキャップ電極よりも放電時の揮散性が低い SnOを被覆層としたものがある。この
2
ようにすることによって、主放電時にキャップ電極の金属成分がマイクロギャップゃガ ラス管の内壁に飛散することを抑制して長寿命化を図っている（例えば、特許文献 1 参照。）。
[0005] また、機器の小型化に伴い、表面実装化が進んでいる。上記サージァブソーバに 適応した例としては、面実装型 (メルフ型）として、封止電極にリード線がなぐ実装す るときは封止電極と基板側とを半田付けで接続して固定するものがある（例えば、特 許文献 2参照)。 このサージァブソーバ 100は、図 12に示すように、一面に中央の放電ギャップ 101 を介して導電性被膜 102が分割形成された板状セラミックス 103と、この板状セラミツ タス 103の両端に配置された一対の封止電極 105と、これら封止電極 105を両端に 配して板状セラミックス 103を封止ガス 106と共に封止する筒型セラミックス 107とを 備えている。
この封止電極 105は、端子電極部材 108と、この端子電極部材 108と電気的に接 続して導電性被膜 102に接触する板パネ導体 109とによって構成されている。
特許文献 1 :特開平 10-106712号公報 (第 5頁、第 1図）
特許文献 2：特開 2000-268934号公報 (第 1図）
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] し力しながら、上記従来のサージァブソーバには、以下の課題が残されている。す なわち、上記従来のサージァブソーバでは、例えば化学蒸着 (CVD)法等の薄膜形 成法によって SnO被膜が形成された力 SnO被膜のキャップ電極に対する付着力
2 2
が弱いために、主放電時の SnO被膜の剥離により、 SnO被膜の特性を十分に発
2 2
揮させることができな力つた。
[0007] 本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、高温領域でィ匕学的安定性に優れ 、かつ主放電電極に対する付着力の優れた酸化物層が被覆されたことにより、長寿 命化したサージァブソーバを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0008] 本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明 に係るサージァブソーバは、放電ギャップを介して導電性被膜が分割形成された絶 縁材部材と、対向配置され前記導電性被膜に接触する一対の主放電電極部材と、 該一対の主放電電極部材を対向に配して前記絶縁材部材を内部に封止ガスと共に 封止する絶縁性管とを備えたサージァブソーバであって、前記一対の主放電電極部 材の主放電面に、酸化処理による酸化膜が形成されていることを特徴とする。
[0009] 外部から侵入したサージ等の異常電流及び異常電圧は、マイクロギャップでの放 電をトリガとし、一対の突出支持部の対向する面である主放電面間で主放電が行わ れ、サージが吸収される。
この発明によれば、主放電面に酸化膜が形成されることによって、高温領域で化学 的安定性に優れた主放電面とすることができる。したがって、主放電時に主放電面の 電極成分が飛散しマイクロギャップや絶縁性管内壁等に付着することを抑制し、サー ジァブソーバの長寿命化が図れる。また、この酸化膜は主放電面との付着力の優れ ているために、酸ィ匕膜の特性を発揮することができる。また、高温領域で化学的安定 性に優れる高価な金属を主放電電極部材として使用する必要がないため、本発明で は主放電電極部材に安価な金属材料を用いることができる。
[0010] また、本発明に係るサージァブソーバは、周面に中央の放電ギャップを介して導電 性被膜が分割形成された柱状の絶縁性部材と、該絶縁性部材の両端に対向配置さ れ前記導電性被膜に接触する一対の主放電電極部材と、前記一対の主放電電極 部材を両端に配して前記絶縁性部材を内部に封止ガスと共に封止する絶縁性管と を備えたサージァブソーバであって、前記主放電電極部材が、前記絶縁性管の端面 とロウ材で接着される周縁部と、前記絶縁性管の内側かつ軸方向に突出すると共に 径方向内側面で前記絶縁性部材を支持する突出支持部とを備え、前記一対の主放 電電極部材の前記突出支持部の対向する面である主放電面に、酸化処理による酸 化膜が形成されて ヽることを特徴とする。
この発明によれば、主放電面との付着力に優れた酸化膜を形成するので、酸化膜 の特性を発揮し、サージァブソーバの長寿命化を図ることができる。
[0011] また、本発明に係るサージァブソーバは、前記酸化膜の平均膜厚が、 0. 01 μ m以 上 2. O /z m以下であることを特徴とする。
この発明によれば、酸ィ匕膜の平均膜厚が 0. 01 /z m以上であることで、主放電によ る主放電電極部材の電極成分の飛散を十分に抑制することができる。また、 2. Ο μ m以下であることで、酸ィ匕膜が飛散しやすくなることによるサージァブソーバの短寿 命化を抑制することができる。
なお、サージァブソーバをより長寿命とするため、酸ィ匕膜の平均膜厚は、 0. 2 μ ηι 以上 1. 0 m以下を満足することが望ましい。
[0012] また、本発明に係るサージァブソーバは、前記放電電極部材が、 Crを含む部材で あって、前記酸ィ匕膜表面に Crが表面富化されて 、ることを特徴とする。 この発明によれば、酸化膜表面に高温領域で化学的安定に優れ、高融点であり、 導電性を有する Cr (クロム)酸化物を富化することにより、主放電面に付着力に優れ た酸化膜を形成するので、酸化膜の特性を発揮し、サージァブソーバの長寿命化を 図ることができる。
ここで、富化とは、酸ィ匕膜表面の組成が、主放電電極部材のバルタ組成よりも大き いことをいう。
発明の効果
[0013] 本発明のサージァブソーバによれば、酸化処理によって形成された酸化膜が、高 温領域で化学的に安定した特性を有すると共に主放電面に対し付着力が優れてい るために、酸ィ匕膜特性を十分に発揮できる。したがって、サージァブソーバを長寿命 とすることができる。
発明を実施するための最良の形態
[0014] 以下、本発明に係るサージァブソーバの第 1の実施形態を、図 1から図 3を参照し ながら説明する。
本実施形態によるサージァブソーバ 1は、図 1に示されるように、いわゆるマイクロギ ヤップを使用した放電型サージァブソーバであって、周面に中央の放電ギャップ 2を 介して導電性被膜 3が分割形成された円柱状の円柱状セラミックス (絶縁性部材) 4と 、この円柱状セラミックス 4の両端に対向配置され導電性被膜 3に接触する一対の主 放電電極部材 5と、これら一対の主放電電極部材 5を両端に配して、円柱状セラミツ タス 4を内部に所望の電気特性を得るために組成等を調整された、例えば、 Ar (アル ゴン)等の封止ガス 6と共に封止する筒型セラミックス (絶縁性管） 7とを備えて 、る。
[0015] 円柱状セラミックス 4は、ムライト焼結体等のセラミックス材料力もなり、表面に導電性 被膜 3として物理蒸着 (PVD)法、化学蒸着 (CVD)法の薄膜形成技術による TiN ( 窒化チタン)等の薄膜が形成されて 、る。
放電ギャップ 2は、レーザカット、ダイシング、エッチング等の加工によって 0. 01か ら 1. 5mmの幅で 1から 100本形成される力 本実施形態では、 150 111のものを1 本形成している。 [0016] 一対の主放電電極部材 5は、 Fe (鉄）、 Ni (ニッケル）、及び Co (コバルト）の合金で あるコバール (KOVAR：登録商標）で構成されて 、る。
この一対の主放電電極部材 5は、図 2に示されるように、それぞれ筒型セラミックス 7 の端面とロウ材 8で接着される縦横比が 1以下とされた長方形状の周縁部 5Aと、筒 型セラミックス 7の内側且つ軸方向に突出すると共に円柱状セラミックス 4を支持する 突出支持部 9とを備え、突出支持部 9に囲まれて円柱状セラミックス 4の端部に対向 する位置には中央領域 5Bが形成されている。
突出支持部 9は、径方向内側面と円柱状セラミックス 4の端部とを圧入又は嵌合さ せやすいように、径方向内側面がわずかにテーパ形状を有することが望ましい。また 、突出支持部 9の先端の互いに対向する面が主放電面 9Aとされて 、る。
ここで、主放電電極部材 5の主放電面 9Aに、大気中で 500°C、 30分間酸化処理を 行うことにより平均膜厚 0. 6 mの酸ィ匕膜 9Bが形成されている。
[0017] 筒型セラミックス 7は、例えば Al O (アルミナ）等の絶縁性セラミックス力 なり、断
2 3
面長方形を有し、両端面外形が周縁部 5Aの外周寸法とほぼ一致して 、る。
[0018] 次に、以上の構成力 なる本実施形態のサージァブソーバ 1の製造方法について 説明する。
まず、一対の端子電極部材 5を抜き打ち加工によって所望の形状に一体成形する 。そして、主放電面 9Aに対し、大気中で 500°C、 30分間酸ィ匕処理を行うことにより平 均膜厚 0. 6 mの酸化膜 9Bを形成する。この酸化膜 9Bの膜厚は、 FIB (Focused Ion Beam)によって酸ィ匕膜 9Bの表面に溝力卩ェを行い、この溝断面を走査型電子 顕微鏡で、例えば 20箇所のように、複数箇所測定した平均値としている。
[0019] 続いて、筒型セラミックス 7の両端面に、ロウ材 8とのぬれ性を向上させるために、例 えば、モリブデン (Mo)—タングステン (W)層と Ni層とを各 1層ずつ備えるメタライズ層 を形成する。
そして、一方の端子電極部材 5の中央領域 5B上に、円柱状セラミックス 4を載置し て径方向内側面と円柱状セラミックス 4の端面とを接触させる。また、周縁部 5Aと筒 型セラミックス 7の端面との間にロウ材 8を挟んだ状態で、筒型セラミックス 7を他方の 端子電極部材 5の周縁部 5A上に載置する。 さらに円柱状セラミックス 4の上方が中央領域 5Bと対向するように端子電極部材 5を 載置して径方向内側面と端子電極部材 5とを接触させる。そして、周縁部 5Aと筒型 セラミックス 7の端面との間にロウ材 8を挟んだ状態とする。
[0020] 上述のように仮組した状態で十分に真空引き後封止ガス雰囲気としてロウ材 8が溶 融するまで過熱し、ロウ材 8の溶融により円柱状セラミックス 4を封止し、その後急速に 冷却を行い、サージァブソーバ 1が製造される。
このようにして製造したサージァブソーバ 1を、例えば、図 3に示すように、プリント基 板等の基板 B上に筒型セラミックス 7の一側面である実装面 7Aを基板 B上に載置し、 基板 Bと一対の端子電極部材 5の外面とを半田 Sによって接着固定して使用する。
[0021] 上記の構成によれば、主放電面 9Aの酸化処理により平均膜厚 0. 01 μ m以上 2.
0 m以下の酸ィ匕膜 9Bが形成されることによって、主放電面 9Aが高温領域でィ匕学 的 (熱力学的）に安定した特性とすることができる。また、この酸ィ匕膜 9Bは主放電電 極部材 5との付着力が優れているため、酸ィ匕膜 9Bの特性を発揮することができる。こ のため、主放電時に突出支持部 9が高温になっても、主放電電極部材 5の金属成分 がマイクロギャップ 2や筒型セラミックス 7の内壁等への飛散を十分に抑制することが できる。したがって、サージァブソーバの長寿命化が図れる。
[0022] 次に、第 2の実施形態について、図 4を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態はその基本的構成が上述した第 1の実施形態と同 様であり、上述の第 1の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図 4 においては、図 1と同一構成要素に同一符号をし、この説明を省略する。
[0023] 第 2の実施形態と第 1の実施形態との異なる点は、第 1の実施形態では主放電電 極部材 5の突出支持部 9によって円柱状セラミックス 4が支持された構成であるのに 対して、第 2の実施形態におけるサージァブソーバ 20は、主放電電極部材 21が第 1 の実施形態における主放電電極部材 5と同様の構成である端子電極部材 22とキヤッ プ電極 23とを有しており、円柱状セラミックス 4がキャップ電極 23を介して端子電極 部材 22に設けられた突出支持部 24に支持されているとした点である。
[0024] 一対のキャップ電極 23は、円柱状セラミックス 4よりも硬度が低ぐ塑性変形できる、 例えばステンレス等の金属力 なり、外周部が端子電極部材 22の突出支持部 24の 先端よりも軸方向内方に延びて断面略 U字状に形成され、主放電面 23Aとされて 、 る。
例えば 18— 8ステンレスの場合、この一対のキャップ電極 23の表面は、所定酸素濃 度に制御された還元雰囲気で 700°C、 40分間酸ィ匕処理を行うことにより、表面に Cr が富化した酸ィ匕膜 23Bが 0. 6 μ m形成されて 、る。
[0025] 次に、以上の構成力もなる 18— 8金属キャップを使用した本実施形態のサージアブ ソーバ 20の製造方法にっ 、て説明する。
まず、一対の端子電極部材 22に対し焼鈍処理を施した後、抜き打ち加工によって 一体成形する。
そして、一対のキャップ電極 23の表面に、所定酸素濃度に制御された還元雰囲気 で 700°C、 40分間酸ィ匕処理を行うことにより酸ィ匕膜表面に Crが 10%以上に富化した 平均膜厚 0. の酸ィ匕膜 23Bを形成させる。ここで、酸ィ匕膜 23B表面の Cr富化は 、オージ 分光分析による表面分析にて、例えば 5箇所のように複数箇所測定した平 均値を得ることで確認して ヽる。
その後、一対のキャップ電極 23を円柱状セラミックス 4の両端に係合させ、第 1の実 施形態と同様の方法でサージァブソーバ 20を製造する。
[0026] このサージァブソーバ 20は、上述した第 1の実施形態に係るサージァブソーバ 1と 同様の作用、効果を有する。
[0027] 次に、第 3の実施形態について、図 5を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第 2の実施形態と同 様であり、上述の第 2の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図 5 においては、図 4と同一構成要素に同一符号を付し、この説明を省略する。
[0028] 第 3の実施形態と第 2の実施形態との異なる点は、第 2の実施形態では端子電極 部材 22がー体的に形成された突出支持部 24を有しているのに対して、第 3の実施 形態におけるサージァブソーバ 30では、図 5 (a)に示すように主放電電極部材 31が 平板状の端子電極部材 32と、キャップ電極 23とで構成されて 、る点である。
[0029] そして、この一対の端子電極部材 32の互いに対向する内面には、ロウ材 33が塗布 されている。 このロウ材 33は、図 5 (b)に示すように、一対の端子電極部材 32とキャップ電極 23 との接触面に形成された間隙 34を埋める充填部 35と、キャップ電極 23の両端でキヤ ップ電極 23の外周面を保持する保持部 36とを備えている。
なお、保持部 36の高さ hは、キャップ電極 23の高さよりも低く形成されている。これ により、キャップ電極 23の互いに対向する面力 主放電面 23Aとなる。
[0030] 次に、以上の構成力もなる本実施形態のサージァブソーバ 30の製造方法につい て説明する。
まず、上述した第 2の実施形態と同様に一対のキャップ電極 23の表面に酸ィ匕膜 23 Bを形成し、円柱状セラミックス 4の両端に係合させる。
そして、端子電極部材 32の一面に保持部 36を形成するのに十分な量のロウ材 33 を塗布し、端子電極部材 32の中央領域上に、キャップ電極 23が係合された円柱状 セラミックス 4を載置して端子電極部材 32とキャップ電極 23とを接触させる。次に、筒 型セラミックス 7の端面を載置する。
さらに、筒型セラミックス 7のもう一方の端面にロウ材 33が塗布されたもう一方の端 子電極部材 32を載置することで仮組みの状態とする。
[0031] 続いて、封止工程について説明する。上述のように仮組みした状態の素子を Ar雰 囲気中で加熱処理することで、ロウ材 33が溶融し、端子電極部材 32とキャップ電極 部材 Aとが密着する。このとき、溶融によりロウ材 33の充填部 35が、キャップ電極 23 と端子電極部材 32との間に存在する間隙 34を埋める。また、ロウ材 33の表面張力 により形成された保持部 36が、キャップ電極 23の両端部を埋め込むようにして保持 する。
その後、上述した第 1の実施形態と同様に冷却工程を行ってサージアブノーノ 30 を製造する。
[0032] このサージァブソーバ 30は、上述した第 1の実施形態に力かるサージァブソーバ 1 と同様の作用、効果を有する。
なお、本実施形態において、ロウ材 33と同じ部材によって保持部 36及び充填部 3 5を形成していた力 充填部 35がロウ材 33とは異なる材料によって形成されていても よぐ例えば活性銀ロウのように酸ィ匕膜 23Bと端子電極部材 32とを接着可能である導 電性の接着剤であってもよい。このようにすることで、キャップ電極 23と端子電極部材 32とが接着し、主放電電極部材 31と導電性被膜 3とのより十分なォーミックコンタクト を得ることができる。したがって、サージァブソーバ 30の放電開始電圧などの電気特 性が安定する。
また、保持部 36も充填部 35と同様にロウ材 33とは異なる材料で形成されてもよぐ 例えばロウ材 33や活性銀ロウに対してぬれにくいガラス材を用いてもよい。このように することで、円柱状セラミックス 4がより確実に端子電極部材 32の中央付近またはそ の周辺部に固定される。
[0033] 次に、第 4の実施形態について、図 6を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第 1の実施形態と同 様であり、上述の第 1の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図 6 においては、図 1と同一構成要素に同一符号を付し、この説明を省略する。
[0034] 第 4の実施形態と第 1の実施形態との異なる点は、第 1の実施形態では主放電電 極部材 5が、一体的に形成された突出支持部 9を有し、円柱状セラミックス 4をこの突 出支持部 9に圧入または嵌合させた構成であるのに対して、第 4の実施形態におけ るサージァブソーバ 40は、主放電電極部材 41が端子電極部材 32と、突出支持部材 42とで構成されて 、る点である。
[0035] 突出支持部材 42は、ほぼ有底円筒形状を有しており、底面 42Aの中央に開口 42 Bが形成されている。この開口 42Bの開口径は、円柱状セラミックス 4よりもやや小さく 形成されている。そして、円柱状セラミックス 4が開口 42Bを挿通することによって、底 面 42Aを軸方向外方に向力つて弾性的に屈曲させ、突出支持部材 42と導電性被膜 3との良好なォーミックコンタクトが得られるようになつている。
なお、この一対の突出支持部材 42の表面は、上述した第 1の実施形態と同様の酸 化処理により酸化膜 42Cが 0. 形成されており、互いに対向する面である底面 42Aが主放電面となって!/、る。
[0036] このサージァブソーノ Oは、上述した第 1の実施形態におけるサージァブソーバ 1 と同様の作用、効果を有する。
[0037] 次に、第 5の実施形態について、図 7を参照しながら説明する。 なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第 1の実施形態と同 様であり、上述の第 1の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図 7 においては、図 1と同一構成要素に同一符号を付し、この説明を省略する。
[0038] 第 5の実施形態と第 1の実施形態との異なる点は、第 1の実施形態では基板上に載 置される面実装型のサージァブソーバであるのに対して、第 5の実施形態におけるサ ージァブソーバ 50はリード線を備えたサージァブソーバとなっている点である。 すなわち、サージァブソーバ 50は、導電性被膜 3が分割形成された円柱状セラミツ タス 4と、この円柱状セラミックス 4の両端に配置された主放電電極部材 51と、この主 放電電極部材 51と共に円柱状セラミックス 4を封止するガラス管 52とを備えている。
[0039] 主放電電極部材 51は、キャップ電極 55と、キャップ電極 55の後端力 延出するリ ード線 56とを備えている。
この一対のキャップ電極 55の表面は、上述した第 1の実施形態と同様の酸ィ匕処理 により酸ィ匕膜 55Aが 0. 6 m形成されており、互いに対向する面が主放電面 55Bと なっている。
ガラス管 52は、円柱状セラミックス 4及び一対のキャップ電極 55を覆うように配置さ れ、両端力 リード線 56が突出している。
[0040] このサージァブソーバ 50は、上述した第 1の実施形態に係るサージァブソーバ 1と 同様の作用、効果を有する。
[0041] 次に、第 6の実施形態について、図 8を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第 5の実施形態と同 様であり、上述の第 5の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図 8 においては、図 7と同一構成要素に同一符号を付し、この説明を省略する。
[0042] 第 6の実施形態と第 5の実施形態との異なる点は、第 5の実施形態では導電性被 膜 3が分割形成された円柱状セラミックス 4の両端にキャップ電極 55が配置されてい るのに対して、第 6の実施形態におけるサージァブソーバ 60は、一面上に放電ギヤッ プ 61を介して導電性被膜 62が分割形成された板状セラミックス 63の両端に、この板 状セラミックス 63を挟持する主放電電極部材 64が配置されている点である。
[0043] 主放電電極部材 64は、導電性被膜 62に接触すると共に板状セラミックス 63を挟持 するクリップ電極 65と、クリップ電極 65の後端に設けられたリード線 56とを備えている クリップ電極 65の表面は、上述した第 1の実施形態と同様の酸ィ匕処理により酸ィ匕膜 65Aが 0. 形成されており、互いに対向する面が主放電面 65Bとなっている。 そして、このクリップ電極 65が、板状セラミックス 63を挟持することによって、導電性被 膜 62とクリップ電極 65との良好なォーミックコンタクトが得られるように構成されている
[0044] このサージァブソーバ 60は、上述した第 1の実施形態に係るサージァブソーバ 1と 同様の作用、効果を有する。
実施例 1
[0045] 次に、本発明に係るサージァブソーバを、実施例により図 9及び図 10を参照して具 体的に説明する。
[0046] 上述した第 2の実施形態に係るサージァブソーバ 20と、酸ィ匕膜 23Bのない従来の サージァブソーバとをそれぞれ基板等に実装して使用した際の寿命を比較した。 具体的には、実施例として、図 9に示されるようなサージ電流を繰り返しサージアブ ソーバに所定回数印加して、その時のギャップ間での放電開始電圧 (V)を測定した 結果を図 10に示す。
[0047] 従来のサージァブソーバは、サージ電流を繰り返し印加されると、主放電電極部材 の金属電極の金属成分が多く飛散し、比較的短時間でマイクロギャップにおいて、そ れら金属成分が堆積するために、ギャップ間の放電開始電圧が低下して寿命に至る 。一方、本発明に力かるサージァブソーバ 20は、酸ィ匕膜 23Bにより主放電電極部材 23の電極成分の飛散が抑制されるために、放電ギャップ 2における金属成分の堆積 があまりな!/、ために、ギャップ間の放電開始電圧が安定して 、ることがわかる。
[0048] なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなぐ本発明の趣旨を逸脱し な 、範囲にぉ 、て種々の変更をカ卩えることが可能である。
例えば、図 11に示すように、一対の板パネ導体 109の互いに対向する面である主 放電面 109Aに上述した第 1の実施形態と同様の酸ィ匕処理によって酸ィ匕膜 109Bを 形成したサージァブソーバ 70であってもよい。このようにしても上述と同様の作用、効 果を有する。
また、導電性被膜は、 Ag (銀)、 Ag (銀) /Pd (パラジウム)合金、 SnO (酸化スズ）
2
、 A1 (アルミニウム）、 Ni (ニッケル）、 Cu (銅）、 Ti (チタン）、 Ta (タンタル）、 W (タンダ ステン)、 SiC (炭化シリコン)、 BaAl (バリウム 'アルミナ）、 C (炭素）、 Ag (銀) ZPt (白 金)合金、 TiO (酸化チタン）、 TiC (炭化チタン）、 TiCN (炭窒化チタン)等でもよ!/、。 また、主放電電極部材は、 Cuや Ni系の合金でもよい。
また、筒型セラミックス両端面のメタライズ層は、 Ag (銀)、 Cu (銅）、 Au (金)でもよく 、また、メタライズ層を用いず活性金属ロウ材だけで封止してもよい。
また、封止ガスは、所望の電気特性を得るために組成等を調整され、例えば、大気 (空気）でもよぐ Ar (アルゴン）、 N (窒素）、 Ne (ネオン）、 He (ヘリウム）、 Xe (キセノ
2
ン）、 H (水素）、 SF、 CF、 C F、 C F、 CO (二酸化炭素）等、及びこれらの混合
2 6 4 2 6 3 8 2
ガスでもよい。
図面の簡単な説明
[図 1]本発明に係る第 1の実施形態におけるサージァブソーバを示す軸方向断面図 である。
[図 2]本発明に係る第 1の実施形態における端子電極部材を示すもので、 (a)は平面 図であり、 (b)は (a)における X— X線矢視断面図である。
[図 3]本発明に係る第 1の実施形態におけるサージァブソーバを基板上に実装したと きの断面図である。
[図 4]本発明に係る第 2の実施形態におけるサージァブソーバを示す軸方向断面図 である。
[図 5]本発明に係る第 3の実施形態におけるサージァブソーバを示すもので、 (a)は 軸方向断面図、（b)は端子電極部材とキャップ電極との接触部分の拡大図である。
[図 6]本発明に係る第 4の実施形態におけるサージァブソーバを示す軸方向断面図 である。
[図 7]本発明に係る第 5の実施形態におけるサージァブソーバを示す軸方向断面図 である。
[図 8]本発明に係る第 6の実施形態におけるサージァブソーバを示す軸方向断面図 である。
[図 9]本発明に係る実施例におけるサージ電流の時間と電流値との関係を示すダラ フである。
[図 10]本発明に係る実施例におけるサージァブソーバの放電回数と放電開始電圧と の関係を示すグラフである。
[図 11]本発明に係る実施形態以外の、本発明を適用可能なサージァブソーバを示 す断面図である。
[図 12]従来のサージァブソーバを示す断面図である。
符号の説明
1、 20、 30、 40、 50、 60、 70 サージアブノーノ
2、 61、 101 放電ギャップ
3、 62、 102 導電性被膜
4 円柱状セラミックス (絶縁性部材）
5、 21、 31、 41、 51、 64、 105 主放電電極部材
5A 周縁部
6、 106 封止ガス
7、 107 筒型セラミックス (絶縁性管）
8、 33 ロウ材
9、 24 突出支持部
9A、 23A、 55B、 65B、 109A 主放電面
9B、 23B、 42C、 55 A, 65A、 109B 酸ィ匕膜
42A 底面（主放電面）
52 ガラス管 (絶縁性管）
63、 103 板状セラミックス (絶縁性部材）

Claims

請求の範囲
[1] 放電ギャップを介して導電性被膜が分割形成された絶縁材部材と、対向配置され 前記導電性被膜に接触する一対の主放電電極部材と、該一対の主放電電極部材を 対向に配して前記絶縁材部材を内部に封止ガスと共に封止する絶縁性管とを備え たサージァブソーバであって、
前記一対の主放電電極部材の主放電面に、酸化処理による酸化膜が形成されて
V、ることを特徴とするサージァブソーバ。
[2] 周面に中央の放電ギャップを介して導電性被膜が分割形成された柱状の絶縁性 部材と、該絶縁性部材の両端に対向配置され前記導電性被膜に接触する一対の主 放電電極部材と、前記一対の主放電電極部材を両端に配して前記絶縁性部材を内 部に封止ガスと共に封止する絶縁性管とを備えたサージァブソーバであって、 前記主放電電極部材が、前記絶縁性管の端面とロウ材で接着される周縁部と、 前記絶縁性管の内側かつ軸方向に突出すると共に径方向内側面で前記絶縁性部 材を支持する突出支持部とを備え、
前記一対の主放電電極部材の前記突出支持部の対向する面である主放電面に、 酸化処理による酸化膜が形成されて！ヽることを特徴とする請求項 1に記載のサージァ ブソーバ。
[3] 前記酸化膜の平均膜厚が、 0. 01 μ m以上 2. 0 m以下であることを特徴とする請 求項 1または 2に記載のサージァブソーバ。
[4] 前記主放電電極部材が、 Crを含む部材であって、前記酸化膜表面に Crが表面富 化されていることを特徴とする請求項 1から 3のいずれか 1項に記載のサー
ノ
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