JP2005039221A - 選択トランジスタを有するeeprom素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】選択トランジスタを有するEEPROM素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この素子は複数個の平行な活性領域を限定する素子分離膜と、活性領域と交差して配置された一対の制御ゲートパターン及び活性領域と交差して制御ゲートパターンの間に平行に配置された一対の選択ゲートパターンとを有する。活性領域と制御ゲートパターンが交差する領域には浮遊ゲートパターンが形成される。活性領域と選択ゲートパターンが交差する領域には下部ゲートパターンが形成される。制御ゲートパターンと浮遊ゲートパターンとの間にゲート層間誘電膜パターンが介在され、選択ゲートパターンと下部ゲートパターンとの間にダミー誘電膜パターンが介在される。ダミー誘電膜パターンは前記選択ゲートパターンと平行し、選択ゲートパターンの一側壁に自己整列されて前記選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳される。
【選択図】図5
【解決手段】この素子は複数個の平行な活性領域を限定する素子分離膜と、活性領域と交差して配置された一対の制御ゲートパターン及び活性領域と交差して制御ゲートパターンの間に平行に配置された一対の選択ゲートパターンとを有する。活性領域と制御ゲートパターンが交差する領域には浮遊ゲートパターンが形成される。活性領域と選択ゲートパターンが交差する領域には下部ゲートパターンが形成される。制御ゲートパターンと浮遊ゲートパターンとの間にゲート層間誘電膜パターンが介在され、選択ゲートパターンと下部ゲートパターンとの間にダミー誘電膜パターンが介在される。ダミー誘電膜パターンは前記選択ゲートパターンと平行し、選択ゲートパターンの一側壁に自己整列されて前記選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳される。
【選択図】図5
Description
本発明は半導体記憶素子及びその製造方法に関するものであり、さらに具体的に、選択トランジスタを有するEEPROM及びその製造方法に関するものである。
EEPROMはデータを電気的に記憶及び削除する記憶素子として、代表的にフラッシュ記憶素子及びFLOTOX記憶素子がある。FLOTOX記憶素子は二つのトランジスタ、すなわちメモリトランジスタ及び選択トランジスタで構成された記憶セルを有する。これに比べて、フラッシュ記憶素子は一つのトランジスタが記憶セルをなす。フラッシュ記憶素子セルアレイは記憶セルの配置形態に従ってNAND型セルアレイ及びNOR型セルアレイに区分される。NAND型セルアレイはセルアレイ領域に複数個の記憶セルが直列に連結されたセルストリングが平行に配置される。NAND型セルアレイのセルストリングはその両端部にFLOTOX記憶素子と類似に選択トランジスタを含んでいる。記憶セルを選択するFLOTOX記憶素子の選択トランジスタとは異なってNAND型フラッシュ記憶素子の選択トランジスタはセルストリングを選択する。
EEPROMセルのトランジスタは順次に積層された下部導電膜と上部導電膜及び前記下部導電膜と上部導電膜との間に介在された絶縁膜とを含む。記憶セルは情報を貯蔵するために前記下部導電膜と前記上部導電膜が電気的に絶縁されることが要求されるが、選択トランジスタの場合、前記下部導電膜及び前記上部導電膜は電気的に連結(接続)されなければならない。したがって、選択トランジスタの下部導電膜及び上部導電膜を電気的に連結するための多様な構造が提示されている。米国特許第4,780,431号及び第6,221,717号には選択トランジスタを有するEEPROM記憶素子を開示している。
図1は通常なNAND型フラッシュ記憶素子のセルアレイの一部分を示した平面図である。
図1を参照すると、通常なNAND型フラッシュ記憶素子は半導体基板に複数個の平行な活性領域4を限定する素子分離膜2が配置され、前記活性領域4の上部を横切って列選択ライン(string selection line、SSL)、接地選択ライン(ground selection line、GSL)及び複数個のワードラインWLが配置される。前記列選択ラインSSLと前記接地選択ラインGSL及びこれらの間に配置された複数個のワードラインWLは記憶セル単位(memory cell unit)を構成する。NAND型セルアレイは対称的に繰り返されて配置された複数個の記憶セル単位で構成される。隣接して配置された接地選択ラインGSLの間に前記活性領域4を電気的に連結する共通ソースラインCSLが配置され、隣接して配置された列選択ラインSSLの間の各活性領域4にはビットラインプラグ44が配置される。
前記ワードラインWLは前記活性領域4の上部を横切る制御ゲートパターン49と各活性領域4上に形成された浮遊ゲート32を含み、前記接地選択ラインGSL及び前記列選択ラインSSLは順次に積層された下部ゲートパターン24及び選択ゲートパターン30を含む。前記ワードラインWLは前記制御ゲートパターン49と前記浮遊ゲート32を電気的に絶縁させるゲート層間誘電膜とを含む。これに反して、前記選択ゲートパターン30及び前記下部ゲートパターン24は電気的に接続されなければならない。したがって、通常に前記選択ゲートパターン30及び前記下部ゲートパターン24はバッティングコンタクトによって電気的に連結するか、製造過程で前記選択ゲートパターン30と前記下部ゲートパターン24との間に形成されたゲート層間誘電膜の一部分を除去することによって電気的に連結する。
図2及び図3は図1のA−Aに沿って切断した従来のEEPROMの製造方法を説明するための工程断面図である。
図2を参照すると、半導体基板10に活性領域2を限定する素子分離膜4を形成し、前記半導体基板10上にゲート絶縁膜、第1導電膜を形成し、前記第1導電膜をパターニングして第1導電膜パターン14を形成する。前記第1導電膜パターン14が形成された基板上にゲート層間誘電膜(inter−gate dielectric layer:16)及びマスク導電膜18を順次に形成する。前記マスク導電膜18及び前記ゲート層間誘電膜16を順にパターニングして前記第1 導電膜パターン14が露出したオープニング20を形成する。図示しないが、前記オープニング20は前記活性領域2の上部を横切る。前記オープニング20は選択ラインが形成される領域Sの中央に位置するように形成することが望ましい。
図3を参照すると、前記オープニング20が形成された前記マスク導電膜18上に第2導電膜を形成し、前記第2導電膜、前記マスク導電膜18、前記ゲート層間誘電膜16及び前記第1導電膜パターン14を順次にパターニングして、ワードラインWL及び選択ラインSLを形成する。前記ワードラインWLは順次に積層された浮遊ゲート34、ゲート層間誘電膜パターン36、マスク導電膜パターン38及び制御ゲートパターン40を含み、前記選択ラインSLは下部ゲートパターン24、ダミー誘電膜パターン26、マスク導電膜パターン28及び選択ゲートパターン30を含む。前記浮遊ゲート34及び前記制御ゲートパターン40は電気的に絶縁されるが、前記下部ゲートパターン24及び前記選択ゲートパターン30は前記オープニング20を通じて電気的に互いに連結される。前記オープニング20の幅は例えば前記選択ライン幅Lの1/2で形成することができる。この場合、前記オープニング20と前記選択ラインSLの誤整列許容度はL/4になる。
図4乃至図5は従来の技術の問題点を説明するための工程断面図である。
図4を参照すると、前記オープニング20が誤整列されるか、前記選択ラインSLが誤整列されれば、前記オープニング20の一部分46は前記選択ライン領域Sを外す。
図5を参照すると、前記第2導電膜を形成し、前記ゲート層間誘電膜16をエッチングマスクとして使って、前記第2導電膜及び前記マスク導電膜をパターニングして制御ゲートパターン40、選択ゲートパターン30及びマスク導電膜パターン38、28を形成する。この時、前記選択ライン領域Sを外したオープニング領域46の前記第1導電膜パターン14が除去されて前記ゲート絶縁膜12が露出する。
図6を参照すると、前記ゲート層間誘電膜16及び前記第1導電膜パターン14をパターニングして浮遊ゲート34、下部ゲートパターン24及びゲート層間誘電膜パターン36及びダミー誘電膜パターン26を形成する。この時、前記オープニング領域20の半導体基板がエッチング損傷されるか、さらにひどい場合、前記選択ラインSLに隣接して溝(notch、48)が形成されることもある。
米国特許第4,780,431号
米国特許第6,221,717号
本発明の課題は選択ラインの上部導電層及び下部導電層がこれらの間に介在された誘電膜のオープニングを通じて電気的に連結されることによって集積度が高いEEPROM及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の課題は前記オープニングと選択ラインとの間の誤整列に対するマージンが高いEEPROM及びその製造方法を提供することにある。
上述の課題を達成するために本発明は、積層された下部ゲートパターンと選択ゲートパターンとの間に前記選択ゲートパターンの一側壁に整列されて、前記選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳されたダミー誘電膜パターンを含むEEPROM素子を提供する。
この素子は複数個の平行な活性領域を限定する素子分離膜と、前記活性領域と交差して配置された一対の制御ゲートパターン及び前記活性領域と交差して制御ゲートパターンの間に平行に配置された一対の選択ゲートパターンとを含む。前記活性領域と前記制御ゲートパターンが交差する領域には浮遊ゲートパターンが形成される。前記活性領域と前記選択ゲートパターンが交差する領域には下部ゲートパターンが形成される。前記制御ゲートパターンと前記浮遊ゲートパターンとの間にゲート層間誘電膜パターンが介在され、前記選択ゲートパターンと前記下部ゲートパターンとの間にダミー誘電膜パターンが介在される。前記ダミー誘電膜パターンは前記選択ゲートパターンと平行し、前記選択ゲートパターンの一側壁に自己整列されて前記選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳される。
具体的に、前記ダミー誘電膜パターンは前記制御ゲートパターンに対向する前記選択ゲートパターンの側壁に自己整列されて、前記選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳される。したがって、前記選択ゲートパターンはその下部の前記下部ゲートパターンと電気的に連結される。前記ゲート層間誘電膜パターンと前記制御ゲートパターンとの間と、前記ダミー誘電膜パターンと前記選択ゲートパターンとの間にマスク導電膜パターンがさらに介在されることもできる。
本発明はNAND型セルアレイ構造を有するフラッシュEEPROM素子にも適用することができる。
このフラッシュEEPROM素子は、複数個の平行な活性領域を限定する素子分離膜と、前記活性領域と交差して配置された一対の選択ゲートパターンと、前記活性領域と交差して前記選択ゲートパターンの間に平行に配置された複数個の平行な制御ゲートパターンとを含む。前記活性領域と前記制御ゲートパターンが交差する領域に浮遊ゲートパターンが形成され、前記活性領域と前記選択ゲートパターンが交差する領域に下部ゲートパターンが形成される。前記制御ゲートパターンと前記浮遊ゲートパターンとの間にゲート層間誘電膜パターンが介在され、前記選択ゲートパターンと前記下部ゲートパターンとの間にダミーゲートパターンが介在される。前記ダミーゲートパターンは前記選択ゲートパターンと平行し、前記選択ゲートパターンの一側壁に自己整列されて前記選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳される。
フラッシュEEPROMセルアレイは、複数個の単位セルブロックを含むことができる。前記単位セルブロックは前記一対の選択ゲートパターン及びこれらの間の制御ゲートパターンを含む。各単位セルブロックの選択ゲートパターンは隣接した単位セルブロックの選択ゲートパターンと対向して配置される。前記選択ゲートパターンの対向する部分はその下部の下部ゲートパターンと電気的に連結される。
上述の課題を達成するために本発明は、積層された下部ゲートパターンと選択ゲートパターンとの間に前記選択ゲートパターンの一側壁に整列されて、前記選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳されたダミー誘電膜パターンを含むEEPROM素子の製造方法を提供する。
この方法は半導体基板上に複数個の平行な活性領域を限定する素子分離膜を形成し、各々の活性領域の上部に隣接した素子分離膜の上部に一部分延長され、前記活性領域と平行に配置された下部導電膜パターンを形成することを含む。前記下部導電膜パターン上に前記活性領域と交差するオープニングを有する誘電膜パターンを形成し、前記誘電膜パターンの上部に上部導電膜を形成する。前記上部導電膜及び前記誘電膜パターンを順次にパターニングして前記活性領域の上部を横切る制御ゲートパターン、選択ゲートパターン、ゲート誘電膜パターン及びダミー誘電膜パターンを形成する。前記ゲート誘電膜パターンは前記制御ゲートパターンの下部に自己整列されて形成される。前記選択ゲートパターンは前記オープニングの一側壁と重畳されて形成される。したがって、前記ダミー誘電膜パターンは前記選択ゲートパターンの一側壁に自己整列されて前記選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳される。続いて、前記下部導電膜パターンをパターニングして前記選択ゲートパターンに整列された下部ゲートパターンと、前記制御ゲートパターンに自己整列された浮遊ゲートパターンとを形成する。
前記オープニングを形成するために前記下部導電膜パターンが形成された基板の全面に誘電膜及びマスク導電膜を順次に形成し、前記マスク導電膜及び前記誘電膜を順次にパターニングして前記活性領域の上部を横切るオープニングを形成することができる。
本発明の一実施の形態で、前記活性領域の上部を横切って少なくとも一対の制御ゲートパターンを形成し、各対の制御ゲートパターンの間に前記活性領域の上部を横切って一対の選択ゲートパターンを形成することができる。前記オープニングは一方向に前記一対の選択ゲートパターンのうちのいずれか一つと所定の幅だけ重畳され、他の方向に他の選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳される領域に形成することができる。
本発明の他の実施の形態で、前記活性領域の上部を横切って少なくとも一対の選択ゲートパターンを形成し、一対の選択ゲートパターンの間に前記活性領域の上部を横切る複数個の平行な制御ゲートパターンを形成することができる。 前記オープニングは前記制御ゲートパターン向いて延長されて前記選択ゲートと所定の幅だけ重畳される。この素子は前記一対の選択ゲートパターン及びこれらの間の制御ゲートパターンを含む複数個の単位セルブルロックで構成されることができる。各単位セルブロックの選択ゲートパターンは隣接した単位セルブロックの選択ゲートパターンと対向して配置されるように形成することができる。前記オープニングは一方向には互いに対向する選択ゲートパターンのうちの一つと所定の幅だけ重畳され、他の方向には他の一つの選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳される領域に形成することができる。
本発明によると、選択ゲートパターンと下部ゲートパターンとの間に介在されたダミー誘電膜パターンは前記選択ゲートパターンの一側壁に整列された側壁を有し、前記選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳されて形成される。前記ダミー誘電膜パターンはオープニングを有する誘電膜パターンを前記選択ゲートパターンに自己整列されるようにエッチングすることによって形成することができる。本発明で、前記オープニングは一方向に前記選択ゲートパターンと重畳されるので、従来の技術に比べて高い誤整列マージンを有する。
さらに、前記選択ゲートパターンの下部の下部ゲートパターンは素子分離膜上で離隔されて配置される。前記選択ゲートパターンと平行に活性領域の上部を横切る連続した下部ゲートパターンを形成する場合、フォトリソグラフィ工程の近接効果によって前記選択ゲートパターンに隣接したフローティングゲートパターンの形象が変形されることができる。本発明はフローティングゲートパターンが近接効果の影響を受けないので、均一なセル特性分布を示す。
以下、添付の図面を参照して本発明の望ましい実施の形態を詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明される実施の形態に限定されず、他の形態で具体化されることもできる。むしろ、ここで紹介される実施の形態は開示された内容が徹底し、完全になれるように、そして当業者に本発明の思想を十分に伝達するために提供されるものである。図面において、層及び領域の厚さは明確性のために誇張されたものである。また、層が他の層または基板“上”にあると言及される場合に、それは他の層または基板上に直接形成されることができるもの、またはそれらの間に第3の層が介在されることもできるものである。明細書全体にわたって同一の参照番号で表示された部分は同一の構成要素を示す。
図7(A)は本発明の第1実施の形態によるEEPROM素子の平面図である。
図7(B)は図7(A)のII−II'に沿って切断した本発明の第1実施の形態によるEEPROM素子の断面図である。
図7(A)及び図7(B)を参照すると、本発明によるEEPROM素子は半導体基板50上に形成されて複数個の平行な活性領域52を限定する素子分離膜56を含む。前記活性領域52と交差して一対の制御ゲートパターン68bが配置され、前記制御ゲートパターン68bの間に一対の選択ゲートパターン68aが前記活性領域52と交差して平行に配置される。前記活性領域52と前記制御ゲートパターン68bが交差する領域に浮遊ゲートパターン60bが配置されている。前記浮遊ゲートパターン60bは前記活性領域52と前記制御ゲートパターン68bとの間に介在される。前記浮遊ゲートパターン60bと前記制御ゲートパターン68bとの間にゲート層間誘電膜パターン62bが介在されている。前記ゲート層間誘電膜パターン62bは前記制御ゲートパターン68bに自己整列されて前記活性領域52の上部を横切る。前記活性領域52と前記選択ゲートパターン68aが交差する領域には下部ゲートパターン60aが配置されている。前記下部ゲートパターン60aは前記活性領域52と前記選択ゲートパターン68aとの間に介在される。前記下部ゲートパターン60aと前記選択ゲートパターン68aとの間にダミー誘電膜パターン62aが介在されている。前記ダミー誘電膜パターン62aは前記選択ゲートパターン68aの幅より狭い幅を有し、前記選択ゲートパターン68aの一側壁に整列された側壁を有する。前記ダミー誘電膜パターン62aは前記選択ゲートパターン68aと平行に前記活性領域52の上部を通り、前記選択ゲートパターン68aの一側壁に整列されて前記選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳されて形成される。したがって、各々の選択ゲートパターン68aはその下部の下部ゲートパターン60aと電気的に連結される。前記ダミー誘電膜パターン62aは前記選択ゲートパターン68aの側壁のうち前記制御ゲートパターン68bに対向する側壁に整列されて形成される。前記ゲート層間誘電膜パターン62bと前記制御ゲートパターン68bとの間にはマスク導電膜パターン64bが介在され、前記マスク導電膜パターン64bは前記ゲート層間誘電膜パターン62bに自己整列されている。前記ダミー誘電膜パターン62aと前記選択ゲートパターン68aとの間にもマスク導電膜パターン64aが介在され、前記マスク導電膜パターン64aはダミー誘電膜パターン62aに自己整列される。前記浮遊ゲートパターン60b及び前記活性領域52の間に第1ゲート絶縁膜58bが介在され、前記下部ゲートパターン60a及び前記活性領域52の間に第2ゲート絶縁膜58aが介在される。前記第1ゲート絶縁膜58bは電荷のトンネリングが可能な薄い領域を含む。
図示したように、一対の制御ゲートパターン68b及びその間の一対の選択ゲートパターン68aは半導体基板上に繰り返して配置された単位セルブロックを構成する。単位セルブロックの間には前記活性領域52と垂直に交差する他の活性領域54がさらに形成されることができる。前記他の活性領域54は共通ソース領域を形成することができる。また、同一の選択ゲートパターンに連結された下部ゲートパターンは素子分離膜上で離隔されている。
図8(A)乃至図10(A)は本発明の第1実施の形態によるEEPROM素子の製造方法を説明するための平面図である。
図8(B)乃至図10(B)は各々図8(A)乃至図10(B)のII-II'に沿って切断した本発明の第1実施の形態によるEEPROM素子の製造方法を説明するための断面図である。
図8(A)及び図8(B)を参照すると、半導体基板50上に素子分離膜56を形成して複数個の平行な活性領域52を限定する。この時、前記活性領域52と垂直に交差して以後の工程で共通ソース領域が形成される他の活性領域54がさらに形成されることができる。前記半導体基板50の全面にゲート絶縁膜及び下部導電膜を形成して前記下部導電膜をパターニングして複数個の平行な下部導電膜パターン60を形成する。前記下部導電膜パターン60は前記活性領域52に各々対応する。前記下部導電膜パターン60は対応する活性領域52上に配置される。前記下部導電膜パターン60は対応する活性領域52に隣接した素子分離膜と一部分が重畳される。
図示しないが、前記ゲート絶縁膜は以後形成される浮遊ゲートパターンの下部に電荷のトンネリングが可能な薄い領域が位置するように形成することができる。
図9(A)及び図9(B)を参照すると、前記下部導電膜パターン60が形成された基板の全面に前記活性領域52と交差するオープニング66を有する誘電膜パターン62を形成する。前記誘電膜パターン62は基板の全面に誘電膜及びマスク導電膜を積層し、前記マスク導電膜及び前記誘電膜を順次にパターニングすることによって形成することができる。したがって、前記誘電膜パターン62の上部にはマスク導電膜64が形成されることができる。
前記オープニングは一方向には隣接した選択ゲートパターン68aのうちのいずれか一つと所定の幅だけ重畳され、他の方向には他の選択ゲートパターン68aと所定の幅だけ重畳される領域に形成する。
図10(A)及び図10(B)を参照すると、前記基板の全面に上部導電膜68を形成する。前記上部導電膜68は前記マスク導電膜64と同一の物質で形成することもできる。さらに、前記上部導電膜68は一般的な高速、低電圧素子と同様に、金属または金属シリサイドなどの高伝導層を含む多層膜で形成することもできる。
続いて、図示しないが、前記上部導電膜68、前記マスク導電膜64及び前記誘電膜パターン62を順次にパターニングして前記活性領域52の上部を横切る制御ゲートパターン68b及び選択ゲートパターン68aを形成し、前記制御ゲートパターン68bに自己整列されたマスク導電膜パターン64b及びゲート層間誘電膜パターン62bと、前記選択ゲートパターン68aに自己整列された側壁を有するマスク導電膜パターン64a及びダミー誘電膜パターン62aを形成する。前記オープニング66は前記選択ゲートパターン68aと一部分重畳される領域に形成されるので、前記選択ゲートパターン68aの下部に誘電膜パターン62がない部分が存在する。したがって、前記ダミー誘電膜パターン62aは前記選択ゲートパターン68aの一側壁に整列された側壁を有し、前記選択ゲートパターン68aと所定の幅だけ重畳されて形成される。前記ダミー誘電膜パターン62aは前記選択ゲートパターン68aの側壁のうちで前記制御ゲートパターン68bに対向する側壁に整列された側壁を有する。したがって、選択ゲートパターンの側壁のうちで隣接した他の選択ゲートパターンに対向する側壁は下部導電膜パターン60と直接的に接触される。続いて、前記下部導電膜パターン60をパターニングして、図7(A)及び図7(B)に示したように、前記制御ゲートパターン68bと前記活性領域52が交差する領域に前記制御ゲートパターン68bに自己整列された浮遊ゲートパターン60bを形成し、前記選択ゲートパターン68aと前記活性領域52が交差する領域に前記選択ゲートパターン68aに自己整列された下部ゲートパターン60aを形成する。
本発明はNAND型セルアレイ構造を有するフラッシュEEPROM素子に適用することができる。
図11(A)は本発明の第2実施の形態によるEEPROM素子の平面図である。
図11(B)は図11(A)のIII- III'に沿って切断した本発明の第2実施の形態によるEEPROM素子の断面図である。
図11(A)及び図11(B)を参照すると、本発明によるEEPROM素子は半導体基板50上に形成されて複数個の平行な活性領域52を限定する素子分離膜56を含む。前記活性領域52と交差して一対の選択ゲートパターン68aが配置され、前記選択ゲートパターン68aの間に複数個の制御ゲートパターン68bが前記活性領域52と交差して平行に配置される。前記活性領域52と前記制御ゲートパターン68bが交差する領域に浮遊ゲートパターン60bが配置されている。前記浮遊ゲートパターン60bは前記活性領域52と前記制御ゲートパターン68bとの間に介在される。前記浮遊ゲートパターン60bと前記制御ゲートパターン68bとの間にゲート層間誘電膜パターン62bが介在されている。前記ゲート層間誘電膜パターン62bは前記制御ゲートパターン68bに自己整列されて前記活性領域52の上部を横切る。前記活性領域52と前記選択ゲートパターン68aが交差する領域には下部ゲートパターン60aが配置されている。前記下部ゲートパターン60aは前記活性領域52と前記選択ゲートパターン68aとの間に介在される。前記下部ゲートパターン60aと前記選択ゲートパターン68aとの間にダミー誘電膜パターン62aが介在されている。前記ダミー誘電膜パターン62aは前記選択ゲートパターン68aの幅より狭い幅を有し、前記選択ゲートパターン68aの一側壁に整列された側壁を有する。前記ダミー誘電膜パターン62aは前記選択ゲートパターン68aと平行に前記活性領域52の上部を通り、前記選択ゲートパターン68aの一側壁に整列されて前記選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳されて形成される。したがって、各々の選択ゲートパターン68aはその下部の下部ゲートパターン60aと電気的に連結される。前記ダミー誘電膜パターン62aは前記選択ゲートパターン68aの側壁のうち前記制御ゲートパターン68bに対向する側壁に整列されて形成される。前記ゲート層間誘電膜パターン62bと前記制御ゲートパターン68bとの間にはマスク導電膜パターン64bが介在され、前記マスク導電膜パターン64bは前記ゲート層間誘電膜パターン62bに自己整列されている。前記ダミー誘電膜パターン62aと前記選択ゲートパターン68aとの間にもマスク導電膜パターン64aが介在され、前記マスク導電膜パターン64aはダミー誘電膜パターン62aに自己整列される。前記浮遊ゲートパターン60b及び前記活性領域52の間に第1ゲート絶縁膜58bが介在され、前記下部ゲートパターン60a及び前記活性領域52の間に第2ゲート絶縁膜58aが介在される。前記第1ゲート絶縁膜58bは電荷のトンネリングが可能な薄い絶縁膜である。
図示したように、一対の選択ゲートパターン68a及びその間に配置された複数個の制御ゲートパターン68bは半導体基板上に繰り返して配置された単位セルブロックを構成する。各々のセルブロックの選択ゲートパターン68aのうちのいずれか一つに隣接して前記ゲートパターンと平行な他の活性領域52がさらに形成されることができる。前記他の活性領域52に不純物が注入されて共通ソース領域を形成することができる。これと異なって、前記ゲートパターンと平行な活性領域を形成せず、前記共通ソース領域に対応し、各々の活性領域52と電気的に接続された導電性パターンを利用して共通ソース領域を形成することができる。NAND型セルアレイで、前記選択ゲートパターン68aは隣接したセルブロックの選択ゲートパターン68aと互いに対向して配置される。同一の選択ゲートパターンに連結された下部ゲートパターンは素子分離膜上で互いに離隔されている。
図12(A)乃至図14(A)は本発明の第2実施の形態によるEEPROM素子の製造方法を説明するための平面図である。
図12(B)乃至図14(B)は各々図12(A)乃至図14(B)の III-III'に沿って切断した本発明の第2実施の形態によるEEPROM素子の製造方法を説明するための断面図である。
図12(A)及び図12(B)を参照すると、半導体基板50上に素子分離膜56を形成して複数個の平行な活性領域52を限定する。この時、前記活性領域52と垂直に交差して、以後の工程で共通ソース領域が形成される他の活性領域54がさらに形成されることができる。前記半導体基板50の全面にゲート絶縁膜及び下部導電膜を形成し、前記下部導電膜をパターニングして複数個の平行な下部導電膜パターン60を形成する。前記下部導電膜パターン60は前記活性領域52に各々対応される。前記下部導電膜パターン60は対応する活性領域52上に配置される。前記下部導電膜パターン60は対応する活性領域52に隣接した素子分離膜と一部分が重畳される。
前記下部導電膜パターン60を形成する時、選択ゲートパターンが形成される領域で前記下部導電膜パターン60が前記活性領域52の上部を横切って連結されるように形成することもできる。しかし、この場合、近接効果によって前記下部導電膜パターン60が連結される部分の形象が変形されることができるので、前記下部導電膜パターン60は前記素子分離膜56の上部で離隔されるように形成することが望ましい。
図13(A)及び図13(B)を参照すると、前記下部導電膜パターン60が形成された基板の全面に前記活性領域52と交差するオープニング66を有する誘電膜パターン62を形成する。前記誘電膜パターン62は基板の全面に誘電膜及びマスク導電膜を積層し、前記マスク導電膜及び前記誘電膜を順次にパターニングすることによって形成することができる。したがって、前記誘電膜パターン62の上部にはマスク導電膜64が形成されることができる。
前記オープニングは一方向には隣接した選択ゲートパターン68aのうちのいずれか一つと所定の幅だけ重畳され、他の方向には他の選択ゲートパターン68aと所定の幅だけ重畳される領域に形成する。
図14(A)及び図14(B)を参照すると、前記基板の全面に上部導電膜68を形成する。前記上部導電膜68は前記マスク導電膜64と同一の物質で形成することもできる。さらに、前記上部導電膜68は一般的な高速、低電圧素子と同様に、金属または金属シリサイドなどの高伝導層を含む多層膜で形成することもできる。
続いて、図示しないが、前記上部導電膜68、前記マスク導電膜64及び前記誘電膜パターン62を順次にパターニングして前記活性領域52の上部を横切る制御ゲートパターン68b及び選択ゲートパターン68aを形成し、前記制御ゲートパターン68bに自己整列されたマスク導電膜パターン64b及びゲート層間誘電膜パターン62bと、前記選択ゲートパターン68aに自己整列された側壁を有するマスク導電膜パターン64a及びダミー誘電膜パターン62aを形成する。前記オープニング66は前記選択ゲートパターン68aと一部分重畳される領域に形成されるので、前記選択ゲートパターン68aの下部に誘電膜パターン62がない部分が存在する。したがって、前記ダミー誘電膜パターン62aは前記選択ゲートパターン68aの一側壁に整列された側壁を有し、前記選択ゲートパターン68aと所定の幅だけ重畳されて形成される。前記ダミー誘電膜パターン62aは前記選択ゲートパターン68aの側壁のうちで前記制御ゲートパターン68bに対向する側壁に整列された側壁を有する。したがって、選択ゲートパターンの側壁のうちで隣接した他の選択ゲートパターンに対向する側壁は下部導電膜パターン60と直接的に接触される。続いて、前記下部導電膜パターン60をパターニングして、図11(A)及び図11(B)に示したように、前記制御ゲートパターン68bと前記活性領域52が交差する領域に前記制御ゲートパターン68bに自己整列された浮遊ゲートパターン60bを形成し、前記選択ゲートパターン68aと前記活性領域52が交差する領域に前記選択ゲートパターン68aに自己整列された下部ゲートパターン60aを形成する。
52 活性領域
54 他の活性領域
56 素子分離膜
60a 下部ゲートパターン
60b 浮遊ゲートパターン
68a ゲートパターン
68b 制御ゲートパターン
54 他の活性領域
56 素子分離膜
60a 下部ゲートパターン
60b 浮遊ゲートパターン
68a ゲートパターン
68b 制御ゲートパターン
Claims (14)
- 基板上に複数個の平行な活性領域を限定する素子分離膜と、
前記活性領域と交差して配置された一対の制御ゲートパターンと、
前記活性領域と交差して制御ゲートパターンの間に平行に配置された一対の選択ゲートパターンと、
前記活性領域と前記制御ゲートパターンが交差する領域に形成された浮遊ゲートパターンと、
前記活性領域と前記選択ゲートパターンが交差する領域に形成された下部ゲートパターンと、
前記制御ゲートパターンと前記浮遊ゲートパターンとの間に介在されたゲート層間誘電膜パターンと、
前記選択ゲートパターンと前記下部ゲートパターンとの間に介在され、前記選択ゲートパターンと平行し、前記選択ゲートパターンの一側壁に自己整列されて、前記選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳されたダミー誘電膜パターンとを含むことを特徴とするEEPROM素子。 - 前記ダミー誘電膜パターンは前記制御ゲートパターンに対向する前記選択ゲートパターンの側壁に整列されたことを特徴とする請求項1に記載のEEPROM素子。
- 前記選択ゲートパターンはその下部の前記下部ゲートパターンと電気的に連結されたことを特徴とする請求項1に記載のEEPROM素子。
- 前記ゲート層間誘電膜パターンと前記制御ゲートパターンとの間と、前記ダミー誘電膜パターンと前記選択ゲートパターンとの間に介在されたマスク導電膜パターンをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のEEPROM素子。
- 基板上に複数個の平行な活性領域を限定する素子分離膜と、
前記活性領域と交差して配置された一対の選択ゲートパターンと、
前記活性領域と交差して前記選択ゲートパターンの間に平行に配置された複数個の平行な制御ゲートパターンと、
前記活性領域と前記制御ゲートパターンが交差する領域に形成された浮遊ゲートパターンと、
前記活性領域と前記選択ゲートパターンが交差する領域に形成された下部ゲートパターンと、
前記制御ゲートパターンと前記浮遊ゲートパターンとの間に介在されたゲート層間誘電膜パターンと、
前記選択ゲートパターンと前記下部ゲートパターンとの間に介在され、前記選択ゲートパターンと平行し、前記選択ゲートパターンの一側壁に自己整列されて、前記選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳されたダミー誘電膜パターンとを含むことを特徴とするEEPROM素子。 - 前記ダミー誘電膜パターンは前記制御ゲートパターンに対向する前記選択ゲートパターンの側壁に自己整列されたことを特徴とする請求項5に記載のEEPROM素子。
- 前記選択ゲートパターンはその下部の前記下部ゲートパターンと電気的に連結されたことを特徴とする請求項5に記載のEEPROM素子。
- 前記ゲート層間誘電膜パターンと前記制御ゲートパターンとの間と、前記ダミー誘電膜パターンと前記選択ゲートパターンとの間に介在されたマスク導電膜パターンをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載のEEPROM素子。
- 前記基板に定義された複数個の単位セルブロックをさらに含み、
前記単位セルブロックは前記一対の選択ゲートパターン及びこれらの間の制御ゲートパターンを含み、前記単位セルブロックの選択ゲートパターンは隣接した単位セルブロックの選択ゲートパターンと対向して配置され、
前記選択ゲートパターンの他の選択ゲートに対向する部分はその下部の下部ゲートパターンと連結されたことを特徴とする請求項5に記載のEEPROM素子。 - 半導体基板上に複数個の平行な活性領域を限定する素子分離膜を形成する段階と、
各々の活性領域の上部に隣接した素子分離膜の上部に一部分延長され、前記活性領域と平行に配置された下部導電膜パターンを形成する段階と、
前記下部導電膜パターン上に前記活性領域と交差するオープニングを有する誘電膜パターンを形成する段階と、
前記誘電膜パターンの上部に上部導電膜を形成する段階と、
前記上部導電膜及び前記誘電膜パターンを順次にパターニングして、前記活性領域の上部を横切る制御ゲートパターン及び前記オープニングの一側壁と重畳された選択ゲートパターンを形成し、前記制御ゲートパターンに自己整列されたゲート層間誘電膜パターンと、前記選択ゲートパターンの一側壁に自己整列されて、前記選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳されたダミー誘電膜パターンを形成する段階と、
前記下部導電膜パターンをパターニングして前記選択ゲートパターンに整列された下部ゲートパターンと、前記制御ゲートパターンに自己整列された浮遊ゲートパターンを形成する段階とを含むことを特徴とするEEPROM製造方法。 - 前記誘電膜パターンを形成する段階は、
前記下部導電膜パターンが形成された基板の全面に誘電膜及びマスク導電膜を順次に形成する段階と、
前記マスク導電膜及び前記誘電膜を順次にパターニングして、前記活性領域の上部を横切るオープニングを形成する段階とを含むことを特徴とする請求項10に記載のEEPROM製造方法。 - 前記活性領域の上部を横切って少なくとも一対の制御ゲートパターンを形成し、各対の制御ゲートパターンの間に前記活性領域の上部を横切って一対の選択ゲートパターンを形成し、
前記オープニングは一方向に前記一対の選択ゲートパターンのうちのいずれか一つと所定の幅だけ重畳され、他の方向に他の選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳される領域に形成することを特徴とする請求項10に記載のEEPROM製造方法。 - 前記活性領域の上部を横切って少なくとも一対の選択ゲートパターンを形成し、一対の選択ゲートパターンの間に前記活性領域の上部を横切る複数個の平行な制御ゲートパターンを形成し、
前記オープニングは前記制御ゲートパターンを向いて延長されて、前記選択ゲートと所定の幅だけ重畳されたことを特徴とする請求項10に記載のEEPROM製造方法。 - 前記一対の選択ゲートパターン及びこれらの間の制御ゲートパターンは単位セルブロックを構成し、単位セルブロックの選択ゲートパターンは隣接した単位セルブロックの選択ゲートパターンと対向して配置されるように形成し、
前記オープニングは一方向には互いに対向する選択ゲートパターンのうちの一つと所定の幅だけ重畳され、他の方向には他の一つの選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳される領域に形成することを特徴とする請求項13に記載のEEPROM製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007066679A1 (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-14 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、投影光学系及びデバイス製造方法 |
Families Citing this family (10)
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---|---|---|---|---|
KR100632655B1 (ko) * | 2005-05-11 | 2006-10-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리소자 및 이의 제조방법 |
KR100805053B1 (ko) * | 2005-05-23 | 2008-02-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자의 제조방법 |
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US7928499B2 (en) * | 2007-03-07 | 2011-04-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Profile of flash memory cells |
KR101435520B1 (ko) * | 2008-08-11 | 2014-09-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
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TWI555177B (zh) * | 2014-01-15 | 2016-10-21 | 林崇榮 | 一次編程記憶體及其相關記憶胞結構 |
CN105336695B (zh) * | 2014-05-29 | 2018-06-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件的形成方法 |
CN110660808B (zh) * | 2018-06-28 | 2022-11-18 | 无锡华润上华科技有限公司 | 存储器结构及其制造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0817949A (ja) * | 1994-03-25 | 1996-01-19 | Nippon Steel Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JPH1126731A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-29 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2002176114A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-06-21 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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IT1302282B1 (it) | 1998-09-29 | 2000-09-05 | St Microelectronics Srl | Cella di memoria eeprom comprendente transistore di selezione contensione di soglia regolata mediante impianto, e relativo processo di |
US6103573A (en) * | 1999-06-30 | 2000-08-15 | Sandisk Corporation | Processing techniques for making a dual floating gate EEPROM cell array |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0817949A (ja) * | 1994-03-25 | 1996-01-19 | Nippon Steel Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JPH1126731A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-29 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2002176114A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-06-21 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007066679A1 (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-14 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、投影光学系及びデバイス製造方法 |
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