JP2004530289A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. 基体のバックサイドから延びる少なくとも１つのビアを有する基体；
   前記ビア中に形成される電気コンタクト：および
   前記基体上に形成される窒化ガリウム材料領域
   を含む半導体構造物。
2. 前記電気コンタクトが前記基体のバックサイドから前記半導体構造物の伝導領域まで延びる、請求項１に記載の半導体構造物。
3. 前記電気コンタクトが前記基体のバックサイドから前記窒化ガリウム材料領域まで延びる、請求項２に記載の半導体構造物。
4. さらに前記基体と前記窒化ガリウム材料領域との間に形成される非伝導層を含む、請求項１に記載の半導体構造物。
5. 前記ビアが前記非伝導層を通して形成され、前記電気コンタクトが前記非伝導層を通して延びる、請求項４に記載の半導体構造物。
6. 前記非伝導層が組成的に勾配をつけた遷移層を含む、請求項４に記載の半導体構造物。
7. 前記ビアが前記基体を通して形成され、前記電気コンタクトが前記基体を通して延びる、請求項１に記載の半導体構造物。
8. 前記電気コンタクトが前記基体のバックサイドから前記窒化ガリウム材料領域内の領域まで延びる、請求項１に記載の半導体構造物。
9. 前記電気コンタクトが前記基体のバックサイドから前記窒化ガリウム材料領域内に形成されるソース領域まで延びる、請求項１に記載の半導体構造物。
10. さらに前記半導体構造物のトップサイド上に形成されるトップサイド電気コンタクトを含む、請求項１に記載の半導体構造物。
11. 前記半導体構造物が垂直伝導が可能である、請求項１に記載の半導体構造物。
12. 前記窒化ガリウム材料領域が約０．００１μｍ／μｍ²未満のクラックレベルを有する、請求項１に記載の半導体構造物。
13. 半導体デバイスが前記窒化ガリウム材料領域中に形成される、請求項１に記載の半導体構造物。
14. 前記基体がシリコン基体を含む、請求項１に記載の半導体構造物。
15. シリコン基体のバックサイドから延びる少なくとも１つのビアを有するシリコン基体；および
    前記シリコン基体上に形成される窒化ガリウム材料領域
    を含む半導体構造物。
16. 前記ビアがその中に形成される電気コンタクトを有しない、請求項１５に記載の半導体構造物。
17. 前記ビアがその中に形成されるいかなる材料も有さない、請求項１５に記載の半導体構造物。
18. シリコン基体；および
    前記シリコン基体上に形成される窒化ガリウム材料領域
    を含み、垂直伝導が可能である垂直伝導半導体デバイス。
19. 基体上に窒化ガリウム材料領域を形成し；
    半導体構造物のバックサイドから延びるビアを形成し；そして
    前記ビア内に電気コンタクトを形成する
    ことを含む、半導体構造物を形成する方法。
20. 前記基体がシリコン基体を含む、請求項１９に記載の方法。
21. シリコン基体上に窒化ガリウム材料領域を形成し；そして
    半導体構造物のバックサイドから延びるビアを形成する
    ことを含む、半導体構造物を形成する方法。