JP2004518119A - 伸張性コーティングを有するマイクロメカニカルフローセンサ - Google Patents
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 42
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
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- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/6845—Micromachined devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F15/00—Details of, or accessories for, apparatus of groups G01F1/00 - G01F13/00 insofar as such details or appliances are not adapted to particular types of such apparatus
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Abstract
Description
本願は、2001年1月10日に出願され、その開示内容が参照によりここに組み込まれるスイス特許出願第0031/01号の優先権を主張する。
【0002】
発明の背景
本発明は請求項1の前提部分に記載のセンサ及びセンサの製造方法に関する。
【0003】
このタイプのセンサは、例えば、測定素子の少なくとも1つの部分が膜上に設けられてなるフローセンサ又は温度センサである。この膜は、しばしば、数マイクロメートルの厚さしかなく、半導体基板に形成された開口部又は凹部の上に張られている。
【0004】
半導体基板上に他の能動電子部品、例えば、増幅器用のトランジスタ又は基準電圧源が組み込まれていることは好ましい。
【0005】
膜は、通常、回路の製造中に堆積される層によって形成され、これらの層の下側にある半導体はエッチングして除去される。しかし、通常の従来の製造過程で堆積される層は、通常、圧縮応力下にあり、すなわち、圧縮力は層の面で作用している。何故ならば、例えば、高温下に層が形成され、冷却中に、基板ほどには強く収縮しなかったからである。圧縮応力の大きさは製造過程及び膜の層の構造に依存する。この圧縮応力は膜の望ましくない凹み(「座屈(Buckling)」)をもたらすことがあり、膜を機械的に不安定にする。
【0006】
従って、課題は、この問題を回避する、明細書導入部に記載されたタイプのセンサを提供することである。
【0007】
膜の撓みを防止するために、半導体基板上に、伸張性(tensile)コーティングを形成する。このコーティングは、半導体基板上に組み込まれた能動電子部品の、少なくとも1つの部分又は全部を覆われていないままにする。明らかなように、コーティングは、他の場合には、これらの部品の機能の変化又は損傷をもたらすことがある。何故ならば、コーティングは半導体の電気パラメータに影響を与えるからである。従って、すべての能動電子部品が伸張性コーティングによって覆われていないことは好ましい。
【0008】
伸張性コーティングが膜全体を覆っていることは好ましい。膜の緊張に適切な引張り応力を加えるために、コーティングは、少なくとも、2つの向かい合う側で、膜に幾らか重なっている。
【0009】
本発明は組み込まれたセンサにおける使用に特に適切である。
【0010】
本発明の他の実施の形態、利点及び使用は従属請求項から及び図を参照した以下の記述から明らかである。
【0011】
図1及び図2には、フローセンサの形態の本発明の具体例が示されている。このフローセンサは半導体基板1を有し、この半導体基板上には、測定素子2及び回路3が集積されている。
【0012】
半導体基板1には、開口部又は凹部4がエッチング除去により形成されている。この開口部又は凹部は薄い膜5によって覆われる。
【0013】
膜5上にはヒータ6が設けられている。ヒータ6に対し対称的に、2つの曲折形状のサーモパイル7,8が設けられており、これらは、温度センサとして用いられる。サーモパイル7,8及びヒータ6は、測定される媒体の流れ方向に対して、該媒体がまず第1のサーモパイル7、次にヒータ6そして最後に第2のサーモパイル8の上を流れるように、配置されている。
【0014】
測定素子2は伸張性コーティング9によって覆われている。このコーティングは引張り応力下にあり、すべての側で、あるいは、少なくとも、凹部又は開口部4の2つの向かい合う側で膜5に重なっている。この重なりは、少なくとも、引張り応力を吸収すべく伸張性コーティング9を半導体基板1に取り付ける程度までに、亘っている。伸張性コーティング9における引張り応力は、この引張り応力が、膜5に支配的な圧縮応力を越え、結果として、全引張り応力が生じるほどに、少なくともそれほどに大きい。従って、コーティング9は膜5を緊張させて、膜が湾曲するのを防止する。
【0015】
伸張性コーティング9は、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素又はポリマー、特にポリイミド樹脂からなることができる。他の可能な物質は、例えば、ダイヤモンド・ライク・カーボン(DLC)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)又はシリコーンである。窒化ケイ素は特に適切であることが明らかになった。
【0016】
コーティング9の引張り応力は、知られた方法により、製造パラメータの適切な選択によって制御することができる。例えば、「Transducers 97」(固体センサ及びアクチュエータに関する国際学会、IEEE1997)に所収の、U.ミュンヒ他の「Industrial Fabrication Technology for CMOS Infrared Sensor Arrays」を参照されたい。この論文には、PECVD法での低周波数電力及び圧力の適切な選択によって、酸窒化ケイ素からなる層の引張り応力を如何に調整することができるかが記載されている。
【0017】
引張り応力下にあるコーティングは、ケイ素よりも大きな熱膨張率を有するコーティング材料を、高温下に、半導体基板1に施すことによっても、製造することができる。基板を冷却するとき、伸張性コーティングが必然的に生じる。
【0018】
引張り応力を、引張り応力が膜5において起こり得る圧縮応力を補償することができるように大きく、選択することができる。好ましくは、引張り応力は少なくとも100MPaである。
【0019】
伸張性コーティング9の空間的な延在を構造化する又は画定するために、フォトリソグラフィー法を用いることができる。シャドウマスクも用いることができる。あるいは、コーティング9の下側にある追加の物質層を、コーティング9が除去されるべき箇所で溶かすリフトオフ法を用いることができる。
【0020】
測定素子2の一般的な操作原理は、会報 IEEE微小電気機械システム(IEEE,1996)の116頁以降の、F.マイヤー他による「Scaling of Thermal CMOS Gas Flow Mikrosensors: Experiment and Simulation」に詳述されている。特に、センサの上の質量流量(Massenfluss)を定めるべくサーモパイル7,8の上の温度を測定する。これらの温度の差は質量流量の関数である。
【0021】
サーモパイル7,8の信号をこのように処理するために、例えばCMOS技術で実施されている回路3が設けられている。回路は増幅器と、基準電圧源を有するA/Dコンバータと、インタフェースを有するディジタル式の処理回路とを具備する。回路3を外界と接続するために、複数のコンタクトパッド10が設けられている。
【0022】
図1から明らかなように、伸張性コーティング9は半導体基板1の一部分のみ、すなわち、測定される媒体に曝されている部分のみを覆う。特に、伸張性コーティング9は回路3の上まで延びていない。複数の実験は、伸張性コーティングによって引き起こされる機械応力が、半導体基板1の電気パラメータに影響を与え得ることを明らかにした。このことは、例えば、トランジスタ、基準電圧源及び他の部品、特に能動部品及び抵抗の特性の変化をもたらすことがある。伸張性コーティング9を、これらの部品の上に置かないことによって、このような故障を回避することができる。このことは製造を容易化する。何故ならば、回路をモデル設計する際に、半導体の知られた電気パラメータを前提とすることができるからである。
【0023】
既述の如く、伸張性コーティング9の故に、膜5の「座屈」を防止することができる。圧力差が膜の上にあるとき、このコーティングは膜5の撓みを防止するか又は減じる。
【0024】
上記の実施の形態では、本発明はフローディテクタの枠内で記述された。しかし、本発明は他の用途にも用いることができる。
【0025】
図2に示したタイプの膜5は、測定される圧力差が膜上に存在する圧力センサにも、用いることができる。この場合、センサの感度に影響を与えるためにも、伸張性コーティング9を用いることができる。コーティング9において引張り応力及び弾性係数が高くなれば高くなるほど、感度はそれだけ低くなる。
【0026】
更に、伸張性コーティング9を、図2に示したタイプの膜が用いられる他のタイプのセンサのために、例えば、赤外線センサのために用いることができる。
【0027】
伸張性コーティング9はセンサの能動部分であってさえよい。かくして、コーティングは、測定されるパラメータに従って変化する誘電特性又は電気特性を有する物質からなってもよい。湿度センサのン場合、例えば、現在の湿度に従って変化する誘電率又は導電率を有する、ポリマー製の伸張性コーティングを用いることができる。物質センサの場合、伸張性コーティング9は、測定される物質との化学的又は生物学的反応を行なうか、あるいは、コーティングの化学ポテンシャル又はコーティングの仕事関数が変化することができる。伸張性コーティングの光学的性質も、測定されるパラメータに依存し得る。
【0028】
伸張性コーティング9は他の機能を有することができる。特に、コーティングは、例えば、膜上に設けられた部品を測定される媒体から分離する絶縁層であってもよい。コーティングは、例えば、酸又は水による部品の損傷を防止するパッシベーションとして、用いることができる。
【0029】
膜5の層は、回路3の製造のために用いられるプロセス中に結果として生じる層であってもよい。従って、これらの層の機械特性及び特に引張り応力は自由に選択できない。しかし、追加の伸張性コーティング9は、用いられるプロセスに係わりなく、膜5を緊張状態に保ち、膜の曲げ特性を制御することができる。
【0030】
上記の実施の形態では、伸張性コーティング9は、膜5の上及び膜5に設けられた部品の上に位置している。しかし、コーティングは、膜5の下側に又は層として膜5内に設けられていてもよい。
【0031】
更に、電子半導体基板は、しばしば、保護層を有する。この保護層は好ましくは窒化ケイ素(Si3N4)からなり、特に、基板の最上の金属層を腐蝕から保護するために用いられる。保護層が出来る限り密であるためには、保護層は通常圧縮性があり、すなわち、半導体の表面に平行に圧縮応力下にある。通常のCMOS製造法で、保護層は最後の段階で基板に形成され、コンタクトパッド10を除いて、実質的に完全に基板を覆う。
【0032】
このような保護層は、伸張性コーティング9の作用に逆らうことがある。従って、保護層が少なくとも膜5の上まで延びていないように、保護層を構成することが好ましい。この目的のためには、保護層を膜5の領域で除くか、あるいは、伸張性コーティングを形成する前に除去することができる。
【0033】
このようなセンサは図3に示されている。このセンサは、圧縮応力下にあり、少なくとも回路3を覆いかつ保護する保護層12を有する。
【0034】
圧縮性のある保護層12の保護作用は、通常、伸張性コーティング9の保護作用よりも良い。何故ならば、後者のコーティングは、そこに支配的な引張り応力の故に、孔の形成及び亀裂を生じ易くするからである。従って、伸張性コーティング9を、(腐蝕し易い)金属層に直接設けないほうがよい。
【0035】
通常のCMOS基板の場合、通常、図4に示すように、複数の金属層が設けられている。この実施の形態では、最上の金属層13は保護層12によって覆われており、酸化ケイ素層15によって、最上の次の金属層14から分離されている。下方の金属層14の下には、場合によっては、他の複数の層16が続く。
【0036】
保護層12は伸張性コーティング9で代用されるとき、図5に示すように、最上の金属層13を省略するほうがよい。この場合には、最上の金属層13の構造体がコーティング9の領域に設けられていないほうがよい。このことによって、コーティング9の領域にすべての金属構造体が酸化ケイ素層15によって保護されていることが保証される。従って、酸化ケイ素層15はコーティング9と基板の金属構造体との間の分離層を形成し、該金属構造体を環境の影響から保護する。
【0037】
既述の如く、保護層12を膜5の領域で除くか、あるいは、伸張性コーティング9の形成の前に除去することができる。後者の場合、保護層9を、膜5の領域でエッチングして除去しなければならない。しかし、この場合、下方の金属層14の構造体を保護するために用いる酸化ケイ素層15が損なわれることを、回避せねばならない。
【0038】
酸化ケイ素と窒化ケイ素の間の良好な選択性を有するエッチング法がほとんどないので、保護層12をエッチングして除去するとき、最上の金属層13をエッチングストップとして用いることは好ましい。この目的のために、金属層は、この金属層が少なくとも全体の膜5上にまで延びているように、構成されている。次に、基板にコーティング12を設ける。今や、コーティング12を、膜の領域で、第1のエッチング剤によって除去することができる。この際、最上の金属層13は下にある酸化ケイ素層15を保護する。次に、最上の金属層13を、膜5の領域で、金属に対し選択的な第2のエッチング剤によって、再度酸化ケイ素層14を損なうことなく、同様に除去することができる。最後に、コーティング9を酸化ケイ素層14に形成する。
【0039】
コーティング9が金属構造体上に直接位置していないという規則を、起こり得る「スクライブライン」の領域でも守らねばならない。「スクライブライン」は、任意の或る領域で金属層を除いてすべての層をエッチングして除去することによって形成される拡散バリアである。任意の或るスクライブラインがコーティング9の下方に設けられているとき、スクライブライン上に酸化ケイ素層15を残しておくほうがよい。
【0040】
本願には本発明の好ましい実施の形態が記載されているが、本発明が該実施の形態に限定されておらず、上記の請求項の範囲内で他の方法で実施されることができることを、明確に指摘しておかねばならない。
【図面の簡単な説明】
【図1】伸張性コーティングの下側に位置する構造体が破線で示されているところのフローセンサの平面図。
【図2】図2の線I−Iに沿った断面図。
【図3】伸張性コーティングの他に追加の保護層が示されている、フローセンサの平面図。
【図4】保護層の領域にある構造体の例を示す図。
【図5】伸張性コーティングの領域にある構造体の例を示す図。
Claims (15)
- 半導体基板(1)を有するセンサであって、この半導体基板上に、測定素子(2)と、能動電子部品を有する回路(3)とが集積され、前記測定素子(2)は、前記半導体基板(1)の開口部(4)又は凹部上の膜(5)上に設けられ、前記半導体基板(1)上に、前記膜(5)を緊張させるために、伸張性コーティング(9)が設けられてなるセンサにおいて、前記伸張性コーティング(9)は、前記回路(3)の前記能動電子部品の少なくとも一部を覆わないことを特徴とするセンサ。
- 前記伸張性コーティング(9)は、少なくとも、前記回路(3)の前記能動電子部品を覆わない請求項1に記載のセンサ。
- 前記伸張性コーティング(9)は、前記膜(5)の上に延びている、請求項1又は2に記載のセンサ。
- 前記回路(3)の前記能動電子部品はトランジスタを含む、請求項1乃至3のいずれか1に記載のセンサ。
- 前記回路(3)は前記測定素子(2)の信号を処理するために構成されており、特に、前記回路(3)は前記伸張性コーティング(9)によって覆われていない、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のセンサ。
- 前記伸張性コーティング(9)は、少なくとも2つの向かい合う側で、好ましくは全ての側で前記膜(5)に重なっている、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のセンサ。
- 前記コーティング(9)の引張り応力は少なくとも100MPaである、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のセンサ。
- 前記膜には複数の部品(6,7,8)が設けられており、前記伸張性コーティングは前記膜(5)上に及び前記部品(6,7,8)上に設けられている、請求項1乃至7のいずれか1項に記載のセンサ。
- 前記電子部品を保護するための保護層(12)が前記センサに設けられており、この保護層は圧縮応力下にあり、前記保護層は前記膜(5)の上に延びていない、請求項1乃至8のいずれか1項に記載のセンサ。
- 前記保護層(12)及び前記伸張性コーティング(9)は窒化ケイ素からなる、請求項9に記載のセンサ。
- 前記半導体基板上には、金属製の構造体(13,14)が設けられており、前記伸張性コーティング(9)は、好ましくは酸化ケイ素からなる少なくとも1つの分離層(15)によって、前記金属製の構造体から分離されている、請求項1乃至10のいずれか1項に記載のセンサ。
- 以下の工程、すなわち、圧縮性のある保護層(12)を前記半導体基板(1)に形成すること、前記圧縮性のある保護層(12)を、少なくとも前記膜(5)の領域で、除去すること、及び前記伸張性コーティング(9)を、少なくとも前記膜(5)の領域に、形成することを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載のセンサを製造する方法。
- 前記保護層(12)の下方に最上の金属層(13)を設け、前記保護層(12)を除去するために、この保護層(12)を第1のエッチング剤でエッチングして除去し、その際、前記最上の金属層(13)はエッチングストップとして作用し、次に、前記最上の保護層(13)を第2のエッチング剤で除去する、請求項12に記載の方法。
- 請求項1乃至11のいずれか1項に記載のセンサの、フローセンサとしての使用。
- 前記半導体基板の一部分は測定される媒体に曝され、この部分は前記伸張性コーティングによって覆われていることを特徴とする請求項14に記載の使用。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH312001 | 2001-01-10 | ||
PCT/IB2001/002738 WO2002055967A1 (de) | 2001-01-10 | 2001-12-20 | Mikromechanischer flusssensor mit tensiler beschichtung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004518119A true JP2004518119A (ja) | 2004-06-17 |
Family
ID=4249025
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002556576A Pending JP2004518119A (ja) | 2001-01-10 | 2001-12-20 | 伸張性コーティングを有するマイクロメカニカルフローセンサ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7154372B2 (ja) |
EP (1) | EP1350078B1 (ja) |
JP (1) | JP2004518119A (ja) |
WO (1) | WO2002055967A1 (ja) |
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US20070231942A1 (en) | 2007-10-04 |
EP1350078B1 (de) | 2018-02-14 |
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A602 | Written permission of extension of time |
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