JP2004507116A

JP2004507116A - 高周波適用のためのポリイミド

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Publication number: JP2004507116A
Application number: JP2002521566A
Authority: JP
Inventors: チェン，バート　ティー．; エゼル，スティーブン　エー．
Original assignee: 3M Innovative Properties Co
Current assignee: 3M Innovative Properties Co
Priority date: 2000-08-21
Filing date: 2000-12-21
Publication date: 2004-03-04
Also published as: US6392004B1; KR20030029829A; WO2002016473A1; EP1311586A1; AU2001227360A1

Abstract

３７５以上のイミド当量を有するように選択されたポリイミドを含むギガヘルツ用電子デバイスの素子が提供される。好ましくはポリイミドの、１２．８ＧＨｚでの誘電損失が０．００９以下であり、Ｔｇが２６０℃以上である。かかる素子には、回路基材およびアンテナなどがある。

Description

【０００１】
発明の分野
この発明は、それらの高ポリイミド当量のために選択されたポリイミドからなる素子を含有するギガヘルツ用電子デバイスに関する。
【０００２】
技術の背景
米国特許第５，３８６，００２号、３，７５８，４３４号、５，７５０，６４１号、５，９６９，０８８号、６，０８４，０５３号および５，１４５，９４２号には、フルオレニルジアミンから誘導されたポリイミドなど、ポリイミドが記載されている。
【０００３】
発明の要旨
簡潔にいうと、本発明は、３７５以上のイミド当量を有するポリイミドを含む、１〜１００ＧＨｚの周波数範囲の放射線または電子信号に使用するためのギガヘルツ用電子デバイス、の素子を提供する。この素子には、回路基材、アンテナおよび保護コーティングなどがある。ポリイミドは好ましくは、０．００９以下の、１２．８ＧＨｚでの誘電損失を示す。ポリイミドは好ましくは、２６０℃以上のＴｇを有する。ポリイミドは、本願明細書と同日に出願された、係属中の米国特許出願第＿＿／＿＿＿，＿＿＿，号に記載されているように、硬化または架橋されてもよい。
【０００４】
本技術分野にまだ記載されておらず本発明によって提供されるものは、より高イミド当量のポリイミドを選択することによって１〜１００ＧＨｚの周波数範囲のポリイミドの電子的特性を増強する手段である。
【０００５】
この出願において、
【０００６】
「硬化した（ｃｕｒｅｄ）」は、好ましくは、溶剤メチルエチルケトン、Ｎ−メチルピロリドンまたはγ−ブチロラクトンに対して好ましくは室温で測定したとき、処理前の同じポリマーより所定の温度でより小さい溶解度を有する熱処理ポリマーについて説明する。
【０００７】
「架橋した（ｃｒｏｓｓｌｉｎｋｅｄ）」は、高温および長時間でも不溶解性を一般に示す、網目構造を有するポリマーを説明する。
【０００８】
「ベンジルの水素（ｂｅｎｚｙｌｉｃ　ｈｙｄｒｏｇｅｎ）」は、芳香族環に直接に結合した炭素原子に結合した水素原子、例えば、トルエンの３個のメチルの水素の何れか、エチルベンゼンの２個のアルファ水素の何れか、などを指す。
【０００９】
「ポリイミド」は、特に指示しない限り、ポリイミドポリマーを指す。
【００１０】
「ジアミンを含むポリイミド」および同様な表現は、ジアミンモノマーを使用する重合によって、指定したジアミンモノマーから誘導されたセグメントを混入するポリイミドポリマーを指すと理解されるべきである。
【００１１】
「フルオレニルペンダント基を含むジアミン」は、９，９−ビス（アミノアリール）フルオレンなど、アミン含有置換基で９位置で二置換されたフルオレニル化合物を指す。
【００１２】
「フルオレニルペンダント基を含むポリイミド」は、フルオレニルペンダント基を含むジアミンモノマーから少なくとも一部が誘導されたポリイミドを指す。
【００１３】
「Ｃ（数）」は、炭素原子の表示数を含有する化学部分を指す。
【００１４】
特定の置換基に対してではなく用いた用語「置換した（ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ）」は、望ましい生成物または方法を妨げない通常の置換基によって置換された化学種について、例えば、置換基がアルキル、アルコキシ、アリール、フェニル、ハロ（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノなどであってもよいことを意味する。
【００１５】
ポリイミドの良好な機械的、光学的、および電気的特性を有すると共に改善されたギガヘルツ性能を更に有する材料を提供することが、本発明の利点である。
【００１６】
好ましい実施態様の詳細な説明
本発明は、３７５以上のイミド当量を有するポリイミドを含む、１〜１００ＧＨｚの周波数範囲の放射線または電子信号に使用するためのギガヘルツ用電子デバイスの素子を提供する。
【００１７】
ギガヘルツ周波数範囲はまた、マイクロ波範囲と呼ばれてもよい。本発明の実施において、何れの適したギガヘルツ用電子デバイス、例えば、電話、人工衛星、および他の有線および放送通信用に対応した電子デバイス、並びに料理または加熱用に対応した電子デバイスに使用されてもよい。電子デバイスは、１〜１００ＧＨｚの放射線または信号に使用するために対応したアンテナ、伝送線または他の回路素子を提供するなど、何れかの適した手段によって、１〜１００ＧＨｚの周波数範囲のそれらの動作特性に対応した同調回路、フィルターまたは発振器を提供することによって、１〜１００ＧＨｚの周波数範囲の放射線または信号を測定または分析するように意図された材料を提供することによって、またはそのように対応した他のデバイスと相互作用することを可能にするデバイスを提供することによって、１〜１００ＧＨｚの周波数範囲の放射線または電子信号に使用するために特に実装されてもよい。好ましくは、電子デバイスは、１〜１００ＧＨｚの周波数範囲の信号を送信または受信するようになっている通信装置である。
【００１８】
イミド当量（ＩＥＷ）がポリイミド材料のギガヘルツ範囲の誘電損失を低下させるのに有効な変数であり得ることが見いだされた。イミド当量（ＩＥＷ）は、ポリマーの反復単位の原子量をポリマーの反復単位中のイミド基の数で割った値として定義される。反復単位が変化する場合、コポリマーにおけるように、平均の反復単位がとられる。本発明によるポリイミドは好ましくは３７５以上、より好ましくは３９０以上、より好ましくは４１０以上、最も好ましくは４３０以上のイミド当量を有する。本発明によるポリイミドは好ましくは、２１℃の気温で５０％の湿度の周囲条件に平衡後に測定したとき、前記ポリイミドの、１２．８ＧＨｚでの誘電損失が０．００９以下である。より好ましくは１２．８ＧＨｚでの誘電損失が０．００８以下、最も好ましくは０．００７以下である。
【００１９】
理論に囚われるわけではないが、ＩＥＷの低下は、ポリイミドが水と結合する傾向を低下すると考えられる。水は、ギガヘルツ範囲で電磁放射線を強く吸収する。本発明のポリイミドの改善された性能が、吸水率の問題がより顕著である、常〜高湿度条件下で明らかである。
【００２０】
本発明によるポリイミドは好ましくは、２６０℃以上のガラス転移温度（Ｔｇ）を有し、はんだ付けを行ってもよい電子部品にそれらを使用することを可能にする。
【００２１】
本発明によるポリイミドは好ましくは、フルオレニルペンダント基、好ましくは、９，９置換フルオレニル基、より好ましくは置換または非置換９，９−ビス（アミノアリール）フルオレンを含有する少なくとも１つのジアミンを含有する。好ましくは、前記ポリイミドは、好ましくは９，９置換フルオレニル基を含有する、より好ましくは置換または非置換９，９−ビス（アミノアリール）フルオレンを含有する、フルオレニルジアミン以外にジアミンを本質的に含有しない。
【００２２】
９，９−ビス（アミノアリール）フルオレンのアミノアリール基は、少なくとも１個の第一アミン基を有する芳香環を含む基を指す。芳香族基は一環式または多環式であってもよく、６〜約４０個の炭素原子を有することができる。好ましくは、芳香族基は一環であり、より好ましくはフェニルであり、第一アミン基に対して芳香環のパラ位置でフルオレン核に結合している。アミノアリール環のどちらかまたは両方が、０〜４個の線状、分岐または環状アルキル基、ハロゲン、またはフェニルで置換されてもよい。好ましくは、両方の環が、１〜３個の炭素原子を有する１または２個の線状または分岐アルキル基で置換されてもよく、このような置換が、環の位置２、３、５、または６の何れか、好ましくは環の位置３または５またはそれらの組合せである。より好ましくは、両方のアミノアリール環が１または２個のメチルまたはエチル基で置換されてもよい。最も好ましくは、本発明に有用な９，９−ビス（アミノアリール）フルオレンには、９，９−ビス（３−メチル−４−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３，５−ジメチル−４−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３，５−ジエチル−４−アミノフェニル）フルオレン、および９，９−ビス（３−エチル−５−メチル−４−アミノフェニル）フルオレンなどがある。
【００２３】
二無水物は、ポリイミドポリマーの形成に使用するために適した何れの二無水物であってもよい。好ましくは二無水物は芳香族である。本発明のポリイミドに有用な芳香族テトラカルボン酸二無水物化合物は、式Ｉ：
【化１】

によって表される化合物であり、式中、Ａが好ましくは６〜４０個の炭素原子を含有し、好ましくはピロメリト基、ナフチレン、フルオレニレン、ベンゾフルオレニレン、アントラセニレンおよびそれらの置換誘導体などの多環式芳香族基、を含有し、置換基が１〜１０個の炭素原子を有するアルキルおよびそのフッ素化誘導体、およびＦまたはＣｌなどのハロゲン、および式ＩＩ：
【化２】

の部分であってもよく、式中、Ｂが共有結合、Ｃ（Ｒ^２）_２基、ＯＡｒＯ基、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、およびＳＯ_２基、Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５）_２基またはＮ（Ｒ^３）_２基およびそれらの組合せ、であってもよく、ｍが１〜１０の整数であってもよく、各Ｒ^２が独立にＨまたはＣ（Ｒ^４）_３であってもよく、各Ｒ^３が独立に、Ｈ、約１〜約２０個の炭素原子を有するアルキル基、６〜約２０個の炭素原子を有するアリール基であってもよく、Ａｒが約６〜約４０個の炭素原子を有する芳香族基であってもよく、各Ｒ^４が独立に、Ｈ、フッ素、または塩素であってもよい。
【００２４】
代表的な有用な二無水物には、ピロメリト酸二無水物、３，６−ジフェニルピロメリト酸二無水物、３，６−ビス（トリフルオロメチル）ピロメリト酸二無水物、３，６−ビス（メチル基）ピロメリト酸二無水物、３，６−ジヨードピロメリト酸二無水物、３，６−ジブロモピロメリト酸二無水物、３，６−ジクロロピロメリト酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，５，６−トリフルオロ−３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２’−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、４，４’−オキシジ（無水フタル酸）、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−｛４，４’−イソプロピリデン−ジ（ｐ−フェニレンオキシ）｝−ビス（無水フタル酸）、Ｎ，Ｎ−（３，４−ジカルボキシフェニル）−Ｎ−メチルアミン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジエチルシラン二無水物の他、２，３，６，７−および１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、などのナフタレンテトラカルボン酸二無水物、およびチオフェン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、ピリジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物などの複素環芳香族テトラカルボン酸二無水物、およびビスフェノールＡジ（無水フタル酸）（ＢＰＡＤＡ）とも呼ばれる、２，２ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、などがある。
【００２５】
ポリイミドは、何れの適した方法によって作製されてもよい。適した方法は、以下の実施例およびＣ．Ｅ．Ｓｒｏｏｇ，Ｐｒｏｇ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，１６，５６１〜６９４ページ（１９９１年）および米国特許第５，７５０，６４１号に記載されている。
【００２６】
ポリイミドは好ましくは、１，０００〜２００，０００、より好ましくは１０，０００〜１００，０００の数平均分子量（Ｍｎ）を有する。
【００２７】
好ましくは本発明によるポリイミドは、係属中の特許出願第＿＿／＿＿＿，＿＿＿号に記載されているような硬化および架橋の性質を示す。硬化および架橋という用語は、上に定義される。本発明によるポリイミドは、Ｔｇに近づくかまたは超える温度に加熱されるとき、架橋される。しかしながら、硬化は、より低い温度で始まるのが観察される。
【００２８】
ポリイミドを熱硬化することができる。未硬化ポリイミドは溶解度の低下をもたらすのに十分な温度に好ましくは加熱される。好ましくは硬化温度は約２００℃以上であり、より好ましくは約３００℃以上であり、より好ましくは約３５０℃以上であり、最も好ましくは約３９０℃以上である。好ましくは硬化は、窒素などの不活性雰囲気下で行われる。好ましくは硬化は、１０時間以下、より好ましくは１時間以下、最も好ましくは４０分以下の加熱工程の間に達成される。好ましくは、ポリイミドは硬化する前に、例えば繊維、粒子、または最も好ましくはフィルムに加工される。好ましくは、フィルムは、ポリイミドを溶液からキャストすることによって形成される。
【００２９】
ポリイミドの架橋を、何れかの適した方法によって、しかし好ましくは熱架橋によって達成することができる。未架橋ポリイミドは好ましくは、Ｔｇより２０℃以上低い温度に加熱され、より好ましくはＴｇより１０℃以上低い温度、最も好ましくはＴｇ以上の温度に加熱される。好ましくは架橋硬化温度は約３５０℃以上、より好ましくは約３７０℃以上、より好ましくは約３９０℃以上、最も好ましくは約４００℃以上である。好ましくは架橋は窒素などの不活性雰囲気下で行われる。好ましくは架橋は１０時間以下、より好ましくは１時間以下、最も好ましくは４０分以下の加熱工程の間に達成される。好ましくは、ポリイミドは、架橋する前に、例えば繊維、粒子、または最も好ましくはフィルムに加工される。好ましくは、フィルムは、ポリイミドを溶液からキャストすることによって形成される。
【００３０】
硬化ポリイミドフィルムは、メチルエチルケトン、Ｎ−メチルピロリドンまたはγ−ブチロラクトンの１つの中で撹拌することにより、２５℃で１５分後に、好ましくは２５℃で１時間後でもポリイミドの溶解を実質的に全くもたらさないか、より好ましくはポリイミドの可視的な溶解を全くもたらさない程度まで、好ましくは不溶解性である。
【００３１】
架橋ポリイミドフィルムは好ましくは、２日間、１００℃でＮ−メチルピロリドンに浸漬されるときでも、不溶解性である。
【００３２】
本発明によるポリイミドは、特にマイクロ波周波数、約１〜１００ＧＨｚで、好ましくは優れた電気的性質を有する。好ましくは本発明によるポリイミドの、１２．８ＧＨｚでの誘電率が、３．０以下、より好ましくは２．８以下、より好ましくは２．６以下である。好ましくは誘電率が、２１℃の気温で５０％の湿度の、以下に記載した試験条件などの周囲条件に平衡化後でも望ましい範囲に維持される。好ましくは本発明によるポリイミドの、１２．８ＧＨｚでの誘電損失が０．０１２以下、より好ましくは０．００９以下、より好ましくは０．００８以下、最も好ましくは０．００７以下である。好ましくは誘電損失が、２１℃の気温で５０％の湿度の、以下に記載した試験条件などの周囲条件に平衡化後でも望ましい範囲に維持される。
【００３３】
本発明によるポリイミドは好ましくは、特に硬化または架橋したとき、低い熱膨張率によって示されるように、高い機械的安定度を示す。本発明による材料は好ましくは、加えられた歪ゼロでの熱膨張率が、６０ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは４０ｐｐｍ／℃以下、最も好ましくは２０ｐｐｍ／℃以下であり、これらの率は好ましくは、２５℃〜１００℃、より好ましくは２５℃〜２００℃、最も好ましくは２５℃〜２６０℃の温度範囲にわたって当てはまる。
【００３４】
好ましくは本発明によるポリイミドは、ギガヘルツ用電子デバイスの素子の製造に、特に周知のポリイミドが十分な厚さの層で得られない用途において用いられる。好ましくは前記素子は
【００３５】
この発明は、ギガヘルツ用電子デバイスおよび電子パッケージングの光学または誘電材料として有用である。
【００３６】
この発明の目的および利点は更に以下の実施例によって示されるが、これらの実施例に記載した特定の材料およびそれらの量、並びに他の条件および詳細な内容が、この発明を不当に制限すると解釈されるべきではない。
【００３７】
実施例
材料
特に指示しない限り、すべての化学物質および試薬は、Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏ．（Ｍｉｌｗａｕｋｅｅ，ＷＩ）から得られ、現在も入手可能である。
【００３８】
以下の実施例において、９，９−ビス（３−メチル−４−アミノフェニル）フルオレン（ＯＴＢＡＦ）を、米国特許第４，６８４，６７８号、実施例２に記載されたように調製した。それを、使用する前に無水ジクロロエタンから再晶出した。ｐ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）を、Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏ．（Ｍｉｌｗａｕｋｅｅ，Ｗｉｓｃｏｎｓｉｎ）製の、昇華した、ゾーン精製した形で入手した。９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン（ＢＡＦ）をＳｈｉｎｅｔｓｕ　Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ　Ｃｏ．，Ｌｔｄ．（東京、日本）から入手した。２，５−ジメチル（ｐ−フェニレンジアミン）（ＤＭＰＤＡ）をＡｌｄｒｉｃｈから入手し、使用する前に絶対エタノールから再晶出した。３，３’−４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）を、昇華した形でＡｌｄｒｉｃｈから購入した。４，４’−オキシジ（無水フタル酸）（ＯＤＰＡ）をＯｃｃｉｄｅｎｔａｌ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏｒｐ．（Ｄａｌｌａｓ，Ｔｅｘａｓ）から入手し、アニソールから再結晶によって精製した。ピロメリト酸二無水物（ＰＭＤＡ）、２，２’−ビス−（（３，４−ジカルボキシフェニル）−ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）および３，３’−４，４’−ビフェニルテトラカルボン二無水物（ｓ−ＢＰＤＡ）を、Ｃｈｒｉｓｋｅｖ　Ｃｏ．（Ｌｅａｗｏｏｄ，Ｋａｎｓａｓ）から購入し、受け取ったまま使用した。２，２’−ビス−（（３，４−ジカルボキシフェニル）−ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）もまた、Ｃｌａｒｉａｎｔ　Ｃｏ．（Ｃｈａｒｌｏｔｔｅ，ＮＣ）から購入した。ビスフェノールＡジ（無水フタル酸）（ＢＰＡＤＡ）とも呼ばれる、２，２ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物を、Ｇｅｎｅｒａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｉｃ（Ｍｏｕｎｔ　Ｖｅｒｎｏｎ，Ｉｎｄｉａｎａ）から入手した。
【００３９】
ポリイミドの合成
ポリイミド１〜８を、表Ｉに示したモノマーを用いて作製した。表ＩＩは、ポリイミド１〜８の構造を表す。
【００４０】
【表１】

【００４１】
【表２】

【表３】

【００４２】
ポリイミドを、Ｃ．Ｅ．Ｓｒｏｏｇ，Ｐｒｏｇ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，１６、５６１〜６９４ページ（１９９１年）に開示された情報の変更に従って合成した。その合成を以下に詳細に開示する。更に詳細な内容は、米国特許第５，７５０，６４１号に見いだすことができる。
【００４３】
ポリイミドを、次のように合成した。指定した比率の指定したモノマー約１５０ｇを、機械撹拌機、窒素入口およびバブラー、加熱マントル、および温度調節器を備えた１リットル３口反応フラスコ中に直接に粉末として入れた。
【００４４】
反応器を密封し、５６０ｃｃのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）を添加した。撹拌を安定した窒素パージ下で始めた。室温で数時間、撹拌した後に、明るい黄色の、粘性のポリ（アミド酸）溶液が得られた。４時間、撹拌した後に、無水酢酸（６５．１ｇ）をポリアミック酸溶液に滴下し、その後に、ピリジン（４４．１ｇ）もまた滴下した。反応物を１２０℃に加熱し、４５分間保持し、次いで１時間、１００℃に保持した。得られた環化ポリイミドが全体にわたって溶けたままであった。溶液を一晩、室温に冷却し、次いで、ブレンダー中で、ＤＭＡＣ溶液をメタノール中にゆっくりと注ぐことによって、未精製ポリイミドを凝固させた。沈殿ポリマーが、大きな、きめが粗いブフナー漏斗上に濾過によって得られ、メタノール８〜１２リットル（２〜３ガロン）で洗浄された。この徹底的な洗浄は、ＤＭＡＣ、ピリジン、および他の副生成物の材料を取り除くために必要であった。次に、洗浄したポリマーを一晩、６０℃で真空乾燥させたが、最終生成物は白い粉末であった。この材料のフィルムを、いろいろな溶剤から溶剤コーティングによって調製した。
【００４５】
上の表Ｉに記録したガラス転移温度（Ｔｇ）を、以下の見出しの熱機械的性質に記載したように、測定した。
【００４６】
イミド当量（ＩＥＷ）を、ポリマーの化学式および周知の原子量のデータを用いて計算した。
【００４７】
架橋
上に合成したポリイミド１〜８について、ポリイミド粉末４グラムをシクロペンタノン１６ｇ中に溶解し、２０重量％のポリイミド溶液を調製した。溶液を、Ｋａｐｔｏｎ^ＴＭフィルム（Ｄｕ　Ｐｏｎｔ　Ｃｏ．（Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ，ＤＥ））上に、３００μｍの間隙を有するナイフコータを用いてコートし、次いで８０℃のオーブン内で一晩、乾燥させ、約４０μｍのフィルム厚さを有する架橋可能なポリイミドフィルムを得た。
【００４８】
フィルムを、３０分間、窒素雰囲気下で４００℃のオーブン内で加熱し、この実施例の耐溶剤性のポリイミドフィルムを得た。
【００４９】
架橋ポリイミドフィルムを２ｃｍ^２の試料に切り分け、それをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）を入れた試薬ビン内に置き、約１時間、撹拌した。フィルムは溶解されなかった。フィルムの劣化（例えば、脆性など）は観察されなかった。耐溶剤性が、ＮＭＰおよびγ−ブチロラクトンで同様に実証された。フィルムは、いずれの溶剤でも溶解されなかった。
【００５０】
別の硬化の実施例
更に別の実施例を行い、硬化現象の温度依存を調べた。
【００５１】
上に合成したポリイミド１〜７の各々について、厚さ４０μｍ〜５０μｍのポリイミドフィルムを、２０重量パーセント（重量％）のＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）溶液中に前記ポリマーを溶解して調製した。溶液を、調整可能な間隙距離を有するナイフコータを用いてＤｕ　Ｐｏｎｔ（Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ，Ｄｅｌａｗａｒｅ）製の厚さ１２５μｍのＫａｐｔｏｎフィルム上にキャストした。２７０μｍの間隙距離は、厚さ４０μｍのキャストポリイミド（ＰＩ）フィルムをもたらした。キャストポリイミド溶液を、一晩（約１６時間）、５０℃に保持したオーブン内で乾燥させた。１０ｃｍ×１０ｃｍのポリイミドフィルムの試料を、乾燥した材料から切り分けた。次に、ＰＩフィルムを、２つのクリップで各面を留めて、矩形のガラス基材上に固定した。各ＰＩフィルム試料を、窒素雰囲気中で３０分間、３００℃、３５０℃、または４００℃で硬化した。この熱硬化は、試料をわずかに収縮させた。
【００５２】
硬化した後に、１ｃｍ×３ｃｍの試料を、硬化ＰＩフィルムから切り分けた。試料を、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、またはγ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）を入れた１０ｃｃのビン中に１時間、浸漬した。浸漬した後に、試料を溶剤から除去し、フィルムの状態を亀裂について目視検査し、次に、試料に折り目を付け、脆性の性質を測定した。架橋されない親ポリマーもまた、同じ溶解度試験にかけた。表ＩＩＩ〜ＶＩは、比較用に熱処理をしない親ポリイミド粉末の溶解度の性質と共にこれらのフィルムの溶解度の結果を示す。可溶性試料を名称「Ｓ」で示し、ゲル形成試料を「Ｇ」、不溶解性試料を「Ｉ」、不溶解性だが脆いフィルムを「Ｉ、Ｂ」で示した。
【００５３】
【表４】

【００５４】
【表５】

【００５５】
【表６】

【００５６】
【表７】

【００５７】
アルミニウム基材上の架橋
上記の試験をポリイミド２、３、および７について繰り返し、各々、アルミニウム上に制限した。試料の作製および試験は以下の通りである。１００ｍｍ×１００ｍｍ×２ｍｍ厚のアルミニウム基材材料を、０．０１６ｍｍの平均直径を有するアルミナ粉末で０．３５ＭＰａのブラスト圧を用いてサンドブラストした。次いで、アルミニウム基材を、二クロム酸ナトリウム二水化物（４ｇ）、硫酸（４０ｇ）および蒸留水（１２０ｇ）の溶液中で化学エッチングした。基材材料を２時間、（６３〜６７℃に維持された）この溶液中に浸漬し、ＤＩ水ですすぎ洗いをし、乾燥させた。９０％のエタノールおよび１０％の水の基剤中の３−アミノプロピルトリエトキシシラン接着促進剤の１重量％溶液（Ｓｈｉｎｅｔｓｕ　Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ（東京、日本））を、アルミニウム基材上にスピンコートし、次に、３０分間、１２０℃の空気中で乾燥させた。
【００５８】
ポリイミド粉末を、シクロペンタノン中に溶解し、２０重量％溶液をもたらした。各組成物の溶液を、５００μｍ間隙を有するナイフコータを用いて（上に記載したように作製した）アルミニウム基材上にコートした。ポリイミドのコートされたアルミニウム基材を一晩（約１６時間）、５０℃のオーブン内で乾燥させ、何れのシクロペンタノンをも除去した。次いで試料を約３０分にわたって室温から４００℃に加熱する温度サイクルを用いて硬化し、１時間、４００℃に保持し、約６０分にわたって室温まで冷却した。窒素雰囲気をオーブン内に維持した。アルミニウム基材上の得られたフィルム厚さは８０μｍであった。アルミニウム上のポリイミドのこれらの試料を２分間、各試験溶剤中に浸漬し、フォトレジストストリッピング方法をシミュレートした。結果を表ＶＩＩに示す。
【００５９】
【表８】

【００６０】
ポリイミドの架橋の構造的基礎
更に別の実施例を、硬化現象の構造的基礎を調べるために行った。
【００６１】
フルオレニルジアミン残留物の構造の変化があるポリイミド組成物を、架橋性質の原因を示すために調べた。構造を、式ＩＩＩおよび表ＶＩＩＩに示す。ポリイミドを、上に記載した手順によって形成した。式ＩＶのコモノマーＰＤＡを、表ＶＩＩＩに示すように、添加した。フィルムを作製するために、溶剤キャストし、次いで、２０分間、窒素下、３９０℃で硬化した。真の架橋の試験として、硬化フィルムを２日間、１００℃のＮＭＰ中に浸漬し、溶解度を観察した。表ＶＩＩＩにおいて、「有り」は試料が溶解も膨張しもしなかったことを意味する。「無し」は、試料が溶解したことを意味する。
【化３】

【００６２】
【表９】

【００６３】
この実施例は、真の架橋が３９０℃で硬化によって起こり、架橋プロセスを可能にする特徴がアルキル芳香族基であることを示す。アルキル置換基が存在しない場合、材料は架橋しなかった。アルキル芳香族基がないコモノマーの添加は、この傾向に影響を及ぼさなかった。しかしながら、上記のポリイミド９は、アルキル芳香族基を有するコモノマーの添加は、架橋をもたらすことを示した。
【００６４】
材料の性質
以下の実施例は、本発明によるポリイミドが、エレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスなど、多数の適用範囲に有用な性質を有することを示す。
【００６５】
誘電率（１ＭＨｚ）
ポリイミド２〜８の面外誘電率（ｋ）を、平行板キャパシタンスの測定（金属−ポリイミド−金属）によって求めた。誘電率を、次の関係式
ｋ＝（ｃ×ｔ）／（ε×Ａ）
によって計算し、式中、ｃ＝キャパシタンスの測定値、ｔ＝フィルム厚さ、ε＝真空誘電率（ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ｖａｃｕｕｍ）、およびＡ＝アルミニウムドットの面積である。金属−ポリイミド−金属を作製するために、ポリイミドフィルム（厚さ１〜２μｍであり、試料毎に厚さの偏差が約１％より小さい）をアルミニウム化ケイ素ウェファー上にスピンコートした。フィルムは、２つの条件のうちの１つ：２．５時間、３００℃で、または０．５時間、４００℃で、窒素下、熱処理した。次いで、アルミニウムドット（半径０．７５０ｍｍ）を、ポリイミドの自由表面上に電子ビーム真空堆積した。フィルムの吸湿はフィルムの全誘電率を増大させることが知られていたので（ｋ_水＝１ＭＨｚで７８．２）、「乾燥」フィルム（測定する前に３時間、窒素中で２４０℃で乾燥させた）と実験室周囲環境（２１℃、５０％の相対湿度）に平衡されたフィルムとの両方の誘電率を測定した。乾燥状態のポリイミドフィルムの誘電測定は、表ＩＸに記載したように、１ＭＨｚで２．７３〜３．０５の範囲の誘電率を示した。架橋による誘電率の変化は、架橋温度による誘電率の変化と同様に、小さかった。実験室周囲環境に平衡された時に、フィルム中の少量の湿気の吸収のため（約１重量％より少ない吸湿が誘電率の変化から計算された）、予期したように、誘電率は増加した。
【００６６】
【表１０】

【００６７】
誘電率／損失（１２．８ＧＨｚ）
ポリイミド２〜８の１２．８ＧＨｚでの面内誘電特性を、スプリットポスト共鳴器技術（ｓｐｌｉｔ　ｐｏｓｔ　ｒｅｓｏｎａｔｏｒ　ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）（ベイカー−ジャーヴィスら、ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ．ｏｎ　Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ａｎｄ　Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ、５（４）、１９９８年、５７１ページおよびクルプカら、Ｐｒｏｃ．７ｔｈ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　ｏｎ　Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ：Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ　ａｎｄ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，ＩＥＥＥ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｎｏ．４３０、１９９６年９月）によって測定した。
【００６８】
厚さ３８〜１０２μｍ（１．５〜４ミル）のポリイミドフィルムを、ドクターブレードで溶液（ＮＭＰ）からキャストし、室温の窒素中で数日にわたって乾燥させた。フィルムをその後、真空中で２００℃で一晩、熱処理し、その後に、３組の条件のうちの１つ、すなわち、２３０℃で３．５時間、３４０℃で３時間、または４００℃で０．５時間、窒素雰囲気下で第２の熱処理をした。１ＭＨｚの誘電測定と同じように、「乾燥した」フィルム（３時間、窒素中で２３０℃で乾燥させ、測定する前に窒素中で一晩、室温に冷却した）および実験室周囲環境（２１℃、５０％　ＲＨ）に平衡されたフィルムの誘電率を測定した。１０ＧＨｚでの水の誘電率および誘電損失は、それぞれ、５５．０および５４０ミリ単位である。表ＸおよびＸＩは、誘電率の測定値を記録する。
【００６９】
【表１１】

【００７０】
【表１２】

【００７１】
表ＸおよびＸＩのデータは、本発明の材料は、ギガヘルツの周波数範囲で作動する装置用の電子部品またはパッケージング材料で使用するためのすぐれた特徴を有することを示す。誘電率が、ポリイミド２の架橋プロセスの全体にわたって相対的に安定していたことは注目に値する。
【００７２】
誘電率／損失（１２．８ＧＨｚ）対イミド当量（ＩＥＷ）
図５は、周囲条件で測定した１２．８ＧＨｚでの誘電損失を、増大するＩＥＷを有するＯＴＢＡＦの一連のポリマー、すなわち、増大するＩＥＷの順序で、ポリイミド８、４、３および７のＩＥＷに関係づける。この図は、表ＩおよびＸからのデータを関係づける。いろいろなＩＥＷを有するＯＴＢＡＦのポリマーを比較することによって、図５は、ＩＥＷが周囲条件下で１２．８ＧＨｚでの誘電損失を減少させるために有効な変数であることを示す。
【００７３】
ポリイミド３をポリイミド２および６と比較することにより、フルオレニルジアミン、この場合、ＯＴＢＡＦの役割を明らかにする。３つすべてが、６ＦＤＡを有するコポリマーであるが、しかしながら、ＯＴＢＡＦ含有量の一部が、ポリイミド２および６中、非フルオレニルコモノマーＰＤＡまたはＤＭＰＤＡで置き換えられる。結果として、周囲条件下の１２．８ＧＨｚでの誘電損失は、ポリイミド２および６については増大する。
【００７４】
屈折率／複屈折
ポリイミドフィルムの面内（ｎ_ＴＥ）および面外（ｎ_ＴＭ）屈折率の測定を、モデル２０１０プリズムカプラー（６３２．８ｎｍのレーザー偏光源）（Ｍｅｔｒｉｃｏｎ　Ｃｏｒｐ．（Ｐｅｎｎｉｎｇｔｏｎ，ＮＪ））で行った。プリズムカプラーはまた、フィルム厚さを確認するために用いられた。ｎ_ＴＥおよびｎ_ＴＭの測定値を用いて、６３２．８ｎｍでの面内誘電率（ｎ_ＴＥ２）、６３２．８ｎｍでの面外誘電率（ｎ_ＴＭ２）、および複屈折（ｎ＝ｎ_ＴＥ−ｎ_ＴＭ）を計算した。測定のために用いたポリイミドフィルムを、ＮＭＰ溶剤からケイ素ウエハー上にスピンコートすることによって作製した。厚さ１〜２μｍのフィルムを作製した。所与の試料全体にわたって、フィルム厚さは２％未満、変化した。
【００７５】
表ＸＩＩは、窒素下で３０分間、４００℃で硬化した後にいろいろな組成物のフィルムについて、面内（ｎ_ＴＥ）および面外（ｎ_ＴＭ）屈折率、複屈折の計算値（ｎ_ＴＥ−ｎ_ＴＭ）および６３２．８ｎｍでの誘電率の計算値（ｎ^２）を記載する。
【００７６】
【表１３】

【００７７】
低い度合の複屈折（すなわち、フィルムの異方性）は、等方性誘電特性が回路部品のパシベーションにおいて望ましい多くの電子用途に望ましい。屈折率の測定は、ポリイミドフィルムが相対的に小さい量の面外複屈折を有することを示す。本発明による架橋は、面外複屈折を更に低減した。これらの結果は、窒素雰囲気下で徐々により高い温度で硬化した単一ポリイミドフィルム試料（ポリイミド２）について、以下の表ＸＩＩＩおよび図１に示される。各々の温度間隔で、フィルムを窒素中で更に３０分間、加熱した。屈折率と従って誘電率が硬化プロセスの全体にわたって相対的に安定していたことは注目に値する。これは、硬化プロセスがフィルムの誘電特性、電子機器パッケージング、誘電絶縁体および他の用途のための重要な特質を劣化させないことを示した。
【００７８】
【表１４】

【００７９】
光の透過率
光の波長の低損失を示す材料がしばしば、光学的用途のために必要とされる。
【００８０】
光の透過スペクトルを、未硬化、硬化、および架橋状態のポリイミドについて、ＵＶ／ＶＩＳ／ＮＩＲスペクトロメータラムダ１９（Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ　Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ　Ｉｎｓｔ．Ｃｏ．，Ｎｏｒｗａｌｋ，Ｃｏｎｎｅｃｔｉｃｕｔ）を用いて測定した。フィルムを、ＮＭＰから約３０〜５０μｍの厚さまでキャストした。実際厚さを、硬化する前にキャリパを用いて手作業で測定し、表ＸＩＶに記載する。比較用の未硬化フィルムを、数日間、窒素下、室温で乾燥させた。硬化フィルムを１時間、窒素下で２６０℃に加熱した。架橋フィルムを３０分間、窒素下で４００℃に加熱した。フィルムは、測定されたカットオフポイントよりもすぐれた透過率を有することが示された。図２、３および４は、それぞれ、未硬化、硬化、および架橋状態のポリイミド３について得られた透過スペクトルである。表ＸＩＶは、８５％の透過率が各々のポリイミドについて得られたナノメートル単位の波長を記載する。
【００８１】
【表１５】

【００８２】
本発明による材料は、架橋した後でも、導波路などの電気通信の用途に使用するために十分な光の透過率の特徴を示す。
【００８３】
熱機械的性質
ポリイミド２の硬化フィルムの横熱膨張率は、ＴＭＡ２９４０熱機械分析器（ＴＡ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃ）を用いる熱機械分析によって得られた。フィルムを、３０分間、窒素中３８０℃で硬化した。測定したフィルムの初期寸法は、１２．８ｍｍ×２ｍｍ、厚さ０．０３０ｍｍであった。フィルムを計測器に装填した後、フィルムを最初に、低い応力（０．５ＭＰａ）下に置き、窒素下で３０分間、３００℃に加熱した。３００℃が、永久延伸または分子配向の増大がこの前処理の間に起こらない、Ｔｇより十分に低い温度として選択された。この前処理工程は、カールを引き起こす応力など、内部フィルム応力を減じることを意図するものである。次に、実測を、１０℃／分の走査速度で窒素下で行った。寸法の変化は、ポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）で急速に増大し、このため、この方法は、表Ｉに記載したＴｇのデータのすべてを確認するためにも用いられた。測定を、４つの異なった加えられた応力レベル、１．６、２．４、３．１および４．０ＭＰａで行った。次に、これらの結果を、加えられた歪みゼロに補外した。上に示したように硬化したポリマー２について、加えられた歪みゼロでの熱膨張率を計算すると、２５℃〜２６０℃の温度範囲にわたって１９．８ｐｐｍ／℃であった。
【００８４】
この発明の種々の修正および変更がこの発明の範囲および原理から外れることなく実施できることは、当業者には明白であろうが、この発明は、本明細書に示した具体的な実施例に不当に制限しようとするものでないと理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明によるポリイミドの試料の硬化温度対複屈折の測定値のグラフである。
【図２】図２は、ポリイミドの比較用未硬化フィルムの２００ｎｍ〜８００ｎｍの波長の光の透過スペクトルである。
【図３】図３は、本発明によるポリイミドの硬化フィルムの２００ｎｍ〜８００ｎｍの波長の光の透過スペクトルである。
【図４】図４は、本発明によるポリイミドの架橋フィルムの２００ｎｍ〜８００ｎｍの波長の光の透過スペクトルである。
【図５】図５は、ＯＴＢＡＦの一連のポリマーの１２．８ＧＨｚでの誘電損失対イミド当量のグラフである。

Claims

３７５以上のイミド当量を有するポリイミドを含む、１〜１００ＧＨｚの周波数範囲の放射線または電子信号に使用するために実装された電子デバイスの素子。
２１℃の気温で５０％の湿度の周囲条件に平衡後に測定したとき、前記ポリイミドの、１２．８ＧＨｚでの誘電損失が０．００９以下である、請求項１に記載の素子。
２１℃の気温で５０％の湿度の周囲条件に平衡後に測定したとき、１２．８ＧＨｚでの誘電損失が０．００９以下であるポリイミドを含む、１〜１００ＧＨｚの周波数範囲の放射線または電子信号に使用するために実装された電子デバイスの素子。
前記ポリイミドが３７５以上のイミド当量を有する、請求項３に記載の素子。
２１℃の気温で５０％の湿度の周囲条件に平衡後に測定したとき、前記ポリイミドの、１２．８ＧＨｚでの誘電損失が０．００８以下である、請求項１〜４の何れか１項に記載の素子。
２１℃の気温で５０％の湿度の周囲条件に平衡後に測定したとき、前記ポリイミドの、１２．８ＧＨｚでの誘電損失が０．００７以下である、請求項１〜４の何れか１項に記載の素子。
前記ポリイミドが３９０以上のイミド当量を有する、請求項１〜６の何れか１項に記載の素子。
前記ポリイミドが４３０以上のイミド当量を有する、請求項１〜６の何れか１項に記載の素子。
前記ポリイミドが２６０℃以上のＴｇを有する、請求項１〜８の何れか１項に記載の素子。
前記ポリイミドがフルオレニルペンダント基を含む、請求項１〜９の何れか１項に記載の素子。
前記ポリイミドが、置換または非置換９，９−ビス（アミノフェニル）フルオレン以外にジアミンを本質的に含まない、請求項１〜１０の何れか１項に記載の素子。
前記ポリイミドが、置換または非置換ビスフェノールＡジ（無水フタル酸）（「ＢＰＡＤＡ」）以外に二無水物を本質的に含まない、請求項１〜１１の何れか１項に記載の素子。
前記ポリイミドが、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）中に可溶性である、請求項１〜１２の何れか１項に記載の素子。
前記ポリイミドが硬化または架橋される、請求項１〜１３の何れか１項に記載の素子。
電子回路用基材、アンテナ、または保護コーティングである、請求項１〜１４の何れか１項に記載の素子。