JPS61151237A - 透明な芳香族ポリイミド及びその組成物 - Google Patents

透明な芳香族ポリイミド及びその組成物

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JPS61151237A
JPS61151237A JP27207984A JP27207984A JPS61151237A JP S61151237 A JPS61151237 A JP S61151237A JP 27207984 A JP27207984 A JP 27207984A JP 27207984 A JP27207984 A JP 27207984A JP S61151237 A JPS61151237 A JP S61151237A
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JP
Japan
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aromatic polyimide
aromatic
phenyl
bis
aminophenoxy
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JP27207984A
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English (en)
Inventor
Kohei Nakajima
中島 紘平
Kazuaki Nishio
一章 西尾
Hiroshi Watanabe
洋 渡辺
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Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
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  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔本発明の技術分野〕 この発明は、有機極性溶媒に可溶性であり、しかも透明
性および非着色性が優れている特定の芳香族ポリイミド
に係るものである。
この発明の透明な芳香族ポリイミドは、電気的性質、機
械的性質および耐熱性などにおいて優れていると共に、
光などの透過性、非着色性および有機溶媒に対する溶解
性(可溶性)が優れているので、種々の電気または電子
部品の電気絶縁用の保護膜を形成するための芳香族ポリ
イミド組成物(ワニス)を容易に調製することができ、
さらに、その芳香族ポリイミド組成物を種々の電気また
は電子部品の表面に塗布し、て電気絶縁用の保護膜を形
成することができる。
〔公知技術の説明〕
芳咎族ポリイミドを、電気絶縁性の保護膜(N間絶縁膜
など)として使用することは、電気または電子材料工業
において、例えば、特開昭48−34686号公報、特
開昭41−40077号公報などに示されているように
、固体素子への絶縁膜、パッシベーション膜の形成材料
、半導体集積回路などの眉間絶縁膜などにおいて、耐熱
性および絶縁性などの優れた性質からポリイミドで形成
することが、すでに種々提案されている。
しかしながら、一般的に、芳香族ポリイミドは、有機溶
媒に溶解しにくいために、芳香族ポリイミドの前駆体(
芳香族ポリアミック酸)の溶液を使用して、塗布膜を形
成し、次いで、乾燥とイミド化のために塗布膜を、かな
りの高温で長時間、加熱処理して、芳香族ポリイミド製
の保護膜を形成する必要があり、芳香族ポリイミド製の
保護膜を比較的低温で再現性よく形成できるものではな
かったので、保護すべき電気または電子材料自体が熱的
に劣化してしまうという問題があった。
一方、有機極性溶媒に可溶性の芳香族ポリイミドは、例
えば、特公昭57−41491号公報に記載されている
ようなポリイミドが知られているが、これらの芳香族ポ
リイミドは、一般に黄色、褐色、赤褐色などに着色して
おり、可視光線などの透過性が充分ではなかったので、
画像形成用の材料に使用したり、光センサ−、太陽電池
などの保護膜として使用する場合に不適当であった。
〔本発明の要件およびその効果〕
この発明者らは、前述のような欠点を有していない芳香
族ポリイミド、すなわち、優れた透明性および可溶性を
共に有している芳香族ポリイミドについて鋭意研究した
結果、ビフェニルテトラカルボン酸類と、ビス(アミノ
フェノキシ−フェニル)プロパン類とを、重合およびイ
ミド化して得、られた芳香族ポリイミドが、有機極性溶
媒に対する優れた溶解性を有しており、しかも可視光線
に対して優れた透過性を有していることを見い出し、こ
の発明を完成した。
すなわち、この発明は、ビフェニルテトラカルボン酸類
を主成分とする芳香族テトラカルボン酸成分と、 一般式 で示されるビス(アミノフェノキシ−フェニル)プロパ
ン類を主成分とする芳香族ジアミン成分とから、重合お
よびイミド化によって得られた透明な可溶性芳香族ポリ
イミドに関するものであり、さらに、この発明は、前述
の芳香族ポリイミドが、有機極性溶媒に均一に溶解して
いる芳香族ポリイミド組成物に関する。
この発明の芳香族ポリイミドは、例えば、フェノール系
溶媒、アミド系溶媒(ピロリドン系溶媒、ホルムアミド
系溶媒、アセトアミド系溶媒など)等の有機極性溶媒に
対して溶解性能を充分に有しており、芳香族ポリイミド
と前記溶媒とからなり、比較的低粘度である「この発明
の芳香族ポリイミド組成物(ワニス)」を容易に形成す
ることができる。
したがって、この発明の芳香族ポリイミド組成物は、種
々の電気または電子部材などの表面に塗布し、次いで比
較的低温で乾燥・加熱処理して優れた保護膜(厚さ;約
0.5〜500μ程度)を容易に形成することができる
また、この芳香族ポリイミドは、極めて優れた可視光線
などの透過性能を有していて、透明性および非着色性に
優れており、従来、黄色、褐色、赤褐色などの着色によ
って使用することができなかったような種々の用途、例
えば、画像形成用の保護材料、光センサ−、太陽電池な
どの保護膜として使用する用途などに、使用することが
できるのである。
さらに、この発明の芳香族ポリイミドは、従来公知の芳
香族ポリイミドと同様に、機械的強度、耐熱性、電気絶
縁性などにおいて優れた性能を保持しており、種々の電
気または電子材料の表面保護、眉間絶縁膜などとして好
適に使用することができるのである。
〔本発明の詳細な説明〕
この発明の芳香族ポリイミドは、ビフェニルテトラカル
ボン酸類を、好ましくは80%モル以上含有している芳
香族テトラカルボン酸成分と、で示されるビス(アミノ
フェノキシ−フェニル)プロパン類を、好ましくは80
モル%以上含有している芳香族ジアミン成分とを、略等
モル、有機極性溶媒中で、かなり高温(好ましくは約1
00〜300℃の温度、特に好ましくは140〜250
℃の温度)に加熱して、一段で重合およびイミド化する
ことによって製造されるか、あるいは、前記の二成分を
、略等モル、有機極性溶媒中で、好ましくは約80″C
以下の温度、特に0〜60℃の温度で重合して芳香族ポ
リアミ・ツク酸(芳香族ポリイミドの前駆体)を製造し
、その芳香族ポリアミック酸を適当な条件でイミド化し
て製造される透明な可溶性芳香族ポリイミドである。
前記のビフェニルテトラカルボン酸類としては、3.3
’ 、4.4”−ビフェニルテトラカルボン酸またはそ
の酸二無水物、2,3.3’、4”−ビフェニルテトラ
カルボン酸またはその酸二無水物、あるいは、上記の芳
香族テトラカルボン酸のエステル化物または塩などでも
よい。この発明では、2.3.3’、4’−ビフェニル
テトラカルボン酸またはその酸二無水物は、得られる芳
香族ポリイミドの溶解性などが優れているので、最適で
ある。
前記の芳香族テトラカルボン酸成分は、前記のビフェニ
ルテトラカルボン酸類の一部を、例えば、3.3’、4
.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸またはその酸
二無水物、2,3.3’、4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸またはその酸二無水物、ピロメリット酸また
はその酸二無水物などのその他の芳香族テトラカルボン
酸類で置き換えて、前記のビフェニルテトラカルボン酸
類と共に使用することができる。前記の「その他の芳香
族テトラカルボン酸類」の使用量の割合は、全芳香族テ
トラカルボン酸成分に対して約20モル%未満、特に1
0モル%未満であることが好ましい。
また、前記の芳香族ジアミン成分の主成分である「前記
の一般式で示されるビス(アミノフェノキシ−フェニル
)プロパン類1としては、例えば、2.2−ビス(4−
(4’−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,
2−ビス(4−(3’−アミノフェノキシ)フェニル〕
プロパンなどを挙げることができる。前記のビス(アミ
ノフェノキシ−フェニル)プロパン類としては、前述の
芳香族ジアミン化合物のベンゼン環の水素の少なくとも
一つが、適当な置換基(例えば、メチル基、エチル基、
プロピル基などの低級アルキル基、メトキシ基、エトキ
シ基などのアルコキシ基などの置換基)で置換されてい
てもよい。
前記の芳香族ジアミン成分は、前記ビス(アミノフェノ
キシ−フェニル)プロパン類の一部を、例えば、パラフ
ェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、2,4−
ジアミノトルエン、4.4′−ジアミノジフェニルエー
テル、4.4′−ジアミノジフェニルメタン、〇−トリ
ジン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン
、〇−トリジンスルホンなどのその他の芳香族ジアミン
化合物などで置き換えて、前記ビス(アミノフェノキシ
−フェニル)プロパン類と共に使用することができる。
前述の「その他の芳香族ジアミン化合物」の使用量の割
合は、全芳香族ジアミン成分に対して約20モル%未満
、特に10モル%未満であることが、好ましい。
前記の重合に使用される有機極性溶媒としては、例えば
、N、N−ジメチルスルホキシド、N、 N−ジエチル
スルホキシドなどのスルホキシド系溶媒、N、N−ジメ
チルホルムアミド、N、N−ジエチルホルムアミドなど
のホルムアミド系溶媒、N、 N−ジメチルアセトアミ
ド、N、N−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミド
系溶媒、N−メチル−2−ピロリドン、N−ビニル−2
−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、ヘキサメチレン
スルホルアミド、γ−ブチロラクトン等、あるいは、フ
ェノール、0−lm−又はp−クレゾール、キシレノー
ル、ハロゲン化フェノール(パラクロルフェノール、オ
ルトクロルフェノール、パラブロムフェノールなど)、
カテコール等のフェノール系溶媒などを挙げることがで
きる。
この発明の芳香族ポリイミドは、高分子量のボリマーで
あり、例えば、濃度; 0.5 g / 100mβ溶
媒(N−メチル−2−ピロリドン)である溶液で、30
°Cの測定温度で測定した対数粘度(ポリマーの重合度
の程度を示す)が、0.2〜5.0であること、特に0
.3〜3.0程度であることが好ましい。
この発明の芳香族ポリイミドは、前述の重合で使用され
た有機極性溶媒と同様の有機極性溶媒、または、それら
の有機極性溶媒にキシレン、エチルセロソルブ、ジグラ
イム、ジオキサンなどを一部配合されている混合溶媒に
極めて容易に溶解するので、芳香族ポリイミドが有機極
性溶媒中に濃度約1〜30重量%、特に3〜25重量%
で、均一に溶解しており、25℃の回転粘度が約0.1
〜100000ポイス、特に1〜10000ボイスであ
る芳香族ポリイミドの溶液(ワニスまたは製膜用のドー
プ液となる)、すなわち、「この発明の芳香族ポリイミ
ド組成物」をm製することができる。
この発明の芳香族ポリイミド組成物は、前述のようにし
てモノマー成分を有機極性溶媒中で一段で重合およびイ
ミド化して得られた芳香族ポリイミドの重合液であって
もよく、またその重合液をその重合溶媒と同様の有機極
性溶媒で適当な濃度に希釈したものであってもよい。あ
るいは、この発明の芳香族ポリイミド組成物は、前述の
重合液から一旦粉末状の析出物として単離された芳香族
ポリイミド粉末を前記の有機極性溶媒に溶解して調製す
ることもできる。
この発明の芳香族ポリイミド組成物は、例えば、被覆す
べき対象物(回路基板、光センサーなど)の表面に、常
温または加温下、回転塗布機または印刷機などを使用す
る適当な方法で、均一な厚さに塗布し、前記組成物(芳
香族ポリイミド溶液)の塗布膜を形成し、次いで、その
塗布膜を約50℃以上、特に60・〜250 ”cの温
度で乾燥させることによって、透明な芳香族ポリイミド
の固化膜を製造することができる。
この発明の芳香族ポリイミド組成物では、前記の有機極
性溶媒として、特にスルホキシド系溶媒、ホルムアミド
系溶媒、アセトアミド系溶媒、ピロリドン系溶媒、また
はヘキサメチレンホスホアミドなどのアミド系溶媒が使
用されている場合には、前記の乾燥温度を約60〜20
0℃、特に80〜180℃の比較的低温とすることがで
きるので、適当である。
この発明の芳香族ポリイミドは、前述のようにピロリド
ン系溶媒などにも優れた溶解性を有していると共に、約
jOμ以下、特に20μ以下の厚さの膜に形成された場
合には、その膜が非着色性と透明性とに優れており、実
質上、無色透明ということができるものである。
〔実施例〕
実施例I N−メチル−2−ピロリドン(NMP)12.0m1l
に、2,3.3’、4’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物1.31gおよび2,2−ビス(4−(4’−
アミノフヱノキシ)フェニル〕プロパン1.85gを加
え、窒素ガスを流通し攪拌しながら、その反応液を20
℃の反応温度で、5時間保持して、重合を行い、芳香族
ポリアミック酸を生成した。
次に、この芳香族ポリアミック酸の溶液にさらにNMP
56.0mlを加えて希釈した後、無水酢酸8.75 
gおよびピリジン3.34 gを加え、50℃で3時間
イミド化反応させて、芳香族ポリイミドを生成させ、さ
らにこの溶液にメタノールを添加して、生成している芳
香族ポリイミドを析出させ、濾過して、芳香族ポリイミ
ド粉末を得た。
前述のようにして得られた芳香族ポリイミドについて、
NMPに約30℃で溶解して、そのポリイミドの溶解性
、およびこのポリイミドの対数粘度(濃度; 0.5 
g/100ffl溶媒、測定温度;3゜℃)を測定した
。その結果を第1表に示す。
前述のようにして得られた芳香族ポリイミドをNMPに
約30℃で熔解して、濃度約14重量%の均一な芳香族
ポリイミド溶液を調製した。
前述のようにして調製された芳香族ポリイミド溶液につ
い゛て、回転粘度(25°C)を測定して、その結果を
第1表に示す。
さらに、この芳香族ポリイミド溶液を5i02がコーテ
ィングされているガラス上に、回転塗布tJl! (5
00〜6000rpm )を使用して塗布し、80°C
で60分間加熱し乾燥させ、約5μの厚さの芳香族ポリ
イミド製の薄膜を形成させた。
この薄膜のそのまま、あるいはこの薄膜を空気中で35
0℃で30分間熱処理した膜について、自記分光光度針
(日立製作所@製、330型)を使用して、400nm
または440 nmの波長の光線の光透過−:を測定し
た。
また、前記の芳香族ポリイミド製の薄膜(熱処理膜)に
ついて、膜の色調を観察し、次いで、熱量分析器(デュ
ポン社製、951型)を使用して、熱分解開始温度を測
定した。
前記の測定結果を第1表に示す。
実施例2 N−メチル−2−ピロリドン(NMP)15.0ml1
に、3.3’ 、4.4’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物1.57 gおよび2,2−ビスC4−(4
’−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン2.22 
gを加え、窒素雰囲気、20℃の反応温度で、5時間攪
拌して重合を行い、芳香族ポリアミック酸を生成した。
次に、この芳香族ポリアミック酸の溶液にさらにNMP
56.Omj!を加えて希釈した後、無水酢酸10.5
0 gおよびピリジン4.01gを加え、50℃で3時
間イミド化反応させて、芳香族ポリイミドを生成させ、
さらにこの溶液にメタノールを添加して、生成している
芳香族ポリイミドを析出させ、濾過して、芳香族ポリイ
ミド粉末を得た。
この芳香族ポリイミドについて、溶解性および対数粘度
を実施例1と同様にして測定し、その結果を第1表に示
す。
前述のようにして得られた芳香族ポリイミドをNMPに
約30℃で溶解して、濃度14重量%の均一な芳香族ポ
リイミド溶液を調製した。
前述のようにして調製された芳香族ポリイミド溶液につ
いて、回転粘度(25℃)を測定して、その結果を第1
表に示す。
さらに、この芳香族ポリイミド溶液を使用したほかは、
実施例1と同様にして、芳香族ポリイミド製の薄膜を製
造した。この薄膜について、実施例1と同様にして、光
透過性および熱分解開始温度を測定し、その結果を第1
表に示す。
実施例3 N−メチル−2−ピロリドン(NMP)51.0m7!
に、2.3.3°、4゛−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物3.53 gおよび2,2−ビスC4−(4’
−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン5.0 Og
を加え、窒素雰囲気で180℃の重合反応温度で、5時
間攪拌し、重合およびイミド化を一段で行い、回転粘度
(25℃)が920ボイズである芳香族ポリイミド溶液
を得た。
前記の溶液から、含有されている芳香族ポリイミドを回
収し、その芳香族ポリイミドの溶解性および対数粘度を
、実施例1と同様にして測定し、その結果を第1表に示
す。
また、前記の芳香族ポリイミド溶液を使用したほかは、
実施例1と同様にして、芳香族ポリイミド製の薄膜を製
造した。この薄膜について、実施例1と同様にして、光
透過性および熱分解開始温度を測定し、その結果を第1
表に示す。
第1表

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ビフェニルテトラカルボン酸類を主成分とする芳
    香族テトラカルボン酸成分と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示されるビス(アミノフェノキシ−フェニル)プロパ
    ン類を主成分とする芳香族ジアミン成分とから、重合お
    よびイミド化によって得られた透明な可溶性芳香族ポリ
    イミド。
  2. (2)ビフェニルテトラカルボン酸類を主成分とする芳
    香族テトラカルボン酸成分と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示されるビス(アミノフェノキシ−フェニル)プロパ
    ン類を主成分とする芳香族ジアミン成分とから、重合お
    よびイミド化によって得られた透明な可溶性芳香族ポリ
    イミドが、有機極性溶媒中に均一に溶解されている芳香
    族ポリイミド組成物。
JP27207984A 1984-12-14 1984-12-25 透明な芳香族ポリイミド及びその組成物 Pending JPS61151237A (ja)

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Cited By (7)

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