JPH11116672A - フッ素含有ポリイミド樹脂を含む電気絶縁材料およびそれを用いた電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 比誘電率が低く、耐熱性に優れており、しか
も各種溶媒に対する溶解性にも優れているフッ素含有ポ
リイミド樹脂を含む電気絶縁材料およびそれを用いた電
子部品を提供する。 【解決手段】 一般式（１）で表される繰り返し単位お
よび一般式（２）で表される繰り返し単位あるいはいず
れか一方で表される繰り返し単位を含むフッ素含有ポリ
イミド樹脂を含む電気絶縁材料およびそれを用いた電子
部品。 【化１】 【化２】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フッ素含有ポリイ
ミド樹脂を含む電気絶縁材料およびそれを用いた電子部
品に関する。さらに詳しくは、耐熱性に優れるとともに
誘電率が低いフッ素含有ポリイミド樹脂を含む電気絶縁
材料およびそれを用いた電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】各種電気・電子部品に用いられるＬＳＩ
（大規模集積回路）等の半導体装置は、微細加工技術の
進歩によって、高集積化、多機能化、高性能化の一途を
辿っている。その結果、回路抵抗（以下、「寄生抵抗」
と称する場合もある。）や配線間のコンデンサー容量
（以下、「寄生容量」と称する場合もある。）が増大
し、それに伴って消費電力が増すだけではなく、入力信
号に対する遅延時間も増大し、デバイスの信号スピード
が低下する大きな要因となっており、その解決が大きな
課題となっている。このような信号スピードの低下を抑
える方策として、寄生抵抗や寄生容量を小さくすること
が考えられ、その一つとして、配線周辺を低誘電率の層
間絶縁膜で覆うことにより寄生容量を下げて、デバイス
の高速化に対応しようとしている。そこで、従来の代表
的な層間絶縁膜である無機膜の二酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ₂ ）を、低誘電率の有機膜に代える試みがなされてい
る。そして、この有機膜の材料としては、絶縁性・低誘
電性の特性のほかに、実装基板製造時の薄膜化工程の際
や、チップ接続あるいはピン付け等の際の熱処理（加熱
工程）にも耐えられる耐熱性を有することが必要とされ
ている。ここで、代表的な低誘電性の電気絶縁有機材料
としてはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代
表されるフッ素樹脂が知られている。かかるフッ素樹脂
は溶媒に対して不溶であり、電子部品の多様な用途に展
開するためには、特殊な組成物にする必要があるなど、
加工性や取り扱い性に問題があり、非常に限られた範囲
にその使用が限定されていた。また、さらに耐熱性の高
い有機材料としてポリイミド樹脂が知られており、特に
耐熱性の高いポリイミド樹脂として、J．Polymer Sc
i.、Part A：Polymer Chemistry、Vol.31、2153-2163(1
993) に記載されている、９、９−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］フルオレンと、ピロメリッ
ト酸二無水物、３、３'、４、４'−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、３、３'、４、４'−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸二無水物および３、３'、４、４'
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等とを反応
させて得られるものが知られている。しかしながら、か
かるポリイミド樹脂の比誘電率の値は２．９〜３．５程
度であり、信号スピードの高速化を図ったＬＳＩの低誘
電層間絶縁膜としては未だ満足しうるものではない。ま
た、かかるポリイミド樹脂を溶解するための溶媒の種類
が限定されてしまうという問題も見られた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の問題
に鑑みなされたものであり、誘電率が低く、かつ高度の
耐熱性を有し、しかも各種溶媒に対する溶解性にも優れ
たフッ素含有ポリイミド樹脂を少なくとも一部に含む電
気絶縁材料、具体的にはワニス等の電気絶縁材料あるい
は、かかる電気絶縁材料を用いた電子部品を提供するこ
とを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、フッ素含有ポリイミド樹脂を含む
電気絶縁材料において、下記一般式（１）で表される繰
り返し単位および下記一般式（２）で表される繰り返し
単位あるいはいずれか一方で表される繰り返し単位を含
むことを特徴とする。

【０００４】

【化８】

【０００４】〔一般式（１）において、ＡおよびＢは、
それぞれ２価の有機基（置換基と称する場合もある。以
下、同様である。）であって、下記式（３）に示す有機
基Ｃ、下記式（４）に示す有機基Ｄ、下記式（５）に示
す有機基Ｅおよび下記式（６）に示す有機基Ｆからなる
群から選ばれた有機基であり、ＡおよびＢは、同一また
は異なったものであってもよく、さらに、下記（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）の条件を満たす。 （ａ）有機基Ａと有機基Ｂの合計量を２００モル％とし
た時に、有機基Ｃの量を５０〜１８０モル％の範囲内の
値とする。 （ｂ）有機基Ａと有機基Ｂの合計量を２００モル％（有
機基Ａは１００モル％、有機基Ｂは１００モル％）とし
た時に、有機基Ｄ、Ｅ、およびＦの、少なくとも一つの
有機基の量を２０〜１５０モル％の範囲内の値とする。 （ｃ）フッ素含有ポリイミド樹脂におけるフッ素原子含
有率を、０．１〜３０重量％の範囲内の値とする。 （ｄ）一般式（１）、（３）および（５）において、Ｒ
¹ 〜Ｒ⁶ 、Ｒ⁹ 、Ｒ¹⁰は、フッ素原子、メチル基、トリ
フルオロメチル基から選ばれ、ｌは０または１〜３の整
数、ｍは０または１〜４の整数であり、Ｒ⁷ およびＲ⁸
は、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基およ
び下記式（７）に示す基から選ばれ、ｎは０または１〜
４の整数であり、ｐは０または１〜４の整数であり、下
記式（７）においてＲ¹¹は、フッ素原子、メチル基、ト
リフルオロメチル基から選ばれ、ｑは０または１〜５の
整数である。〕

【０００５】

【化９】

【０００６】〔一般式（２）において、Ａ、Ｂ、Ｒ¹ 、
Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、ｌおよびｍは一般式（１）に示すも
のと同義である。〕

【０００７】

【化１０】

【０００８】

【化１１】

【０００９】

【化１２】

【００１０】

【化１３】

【００１１】

【化１４】

【００１２】なお、ここで、一般式（２）で表される繰
り返し単位からなる樹脂は、ポリイミド前駆体（ポリア
ミック酸）であるが、本発明では、これを含めてポリイ
ミド樹脂と称する。この点につき、以下同様である。ま
た、上述した電気絶縁材料およびそれを用いた電子部品
において、フッ素含有ポリイミド樹脂を含むという場合
には、それぞれ電気絶縁材料等の構成成分の全てまたは
一部が、本発明のフッ素含有ポリイミドから構成されて
いることを意味する。したがって、本発明のフッ素含有
ポリイミド樹脂が「一部」に含まれる（使用）とされる
場合には、残りの構成成分はその他の電気絶縁材料、た
とえばその他の樹脂あるいは無機フィラー等からなる電
気絶縁材料を意味する。

【００１３】また、この発明において、フッ素含有ポリ
イミド樹脂を含む電気絶縁材料を構成するに当たり、当
該電気絶縁材料が下記特性（ｉ）〜（iv）を有すること
が好ましい。 （ｉ）対数粘度（Ｎ−メチル−２−ピロリドン溶媒中、
濃度０．５ｇ／ｄｌ、３０℃で測定）が、０．０５〜１
０ｄｌ／ｇの範囲内の値である。 （ii）ガラス転移温度が、２３０℃以上の値である。 （iii） ５重量％熱分解温度（窒素ガス中、１０℃／分
昇温）が４００℃以上の値である。 （iV）誘電率（１ＭＨｚ）が、２．９以下の値である。

【００１４】また、この発明において、フッ素含有ポリ
イミド樹脂を含む電気絶縁材料を構成するに当たり、当
該電気絶縁材料中のフッ素含有率を１〜２５重量％の範
囲内の値とするのがより好ましい。

【００１５】また、この発明において、フッ素含有ポリ
イミド樹脂を含む電気絶縁材料を構成するに当たり、当
該電気絶縁材料の熱重量変化（窒素ガス中、４００℃、
３時間）が０〜３重量％(但し、０は含まない。)の範囲
内の値であるのが好ましい。

【００１６】また、この発明において、フッ素含有ポリ
イミド樹脂を含む電気絶縁材料を構成するに当たり、当
該電気絶縁材料がさらに溶媒を含みワニス状であるのが
好ましい。

【００１７】また、この発明において、フッ素含有ポリ
イミド樹脂を含む電気絶縁材料をワニス状に構成するに
当たり、前記溶媒を、フッ素含有ポリイミド樹脂１００
重量部に対して１５０〜３０００重量部の範囲内の値と
するのが好ましい。

【００１８】また、この発明において、フッ素含有ポリ
イミド樹脂を含む電気絶縁材料をワニス状に構成するに
当たり、前記溶媒を、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、メトキシメチル
プロピオネート、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテートからなる群から選択された少なくとも一
つとするのが好ましい。

【００１９】また、この発明において、フッ素含有ポリ
イミド樹脂を含む電気絶縁材料を構成するに当たり、当
該電気絶縁材料の粘度を、１０〜１００，０００ｃｐｓ
（測定温度２５℃条件）の範囲内の値とするのが好まし
い。

【００２０】また、この発明において、フッ素含有ポリ
イミド樹脂を含む電気絶縁材料を構成するに当たり、フ
ッ素含有ポリイミド樹脂１００重量部に対して、シラン
カップリング剤を０．１〜３０重量部の範囲内でさらに
含むことが好ましい。

【００２１】また、この発明において、フッ素含有ポリ
イミド樹脂を含む電気絶縁材料を構成するに当たり、前
記シランカップリング剤が、アミノシランカップリング
剤およびエポキシシランカップリング剤あるいはいずれ
か一方であることが好ましい。

【００２２】また、この発明における別な態様は、電子
部品であって、上述したフッ素含有ポリイミド樹脂を含
む電気絶縁材料を、少なくとも一部に含むことを特徴と
する。

【００２３】また、この発明において、電子部品を構成
するに当たり、当該電子部品が、半導体における層間絶
縁膜、平坦化膜、電気絶縁膜、キャパシタ絶縁膜、高周
波基板用基材、フレキシブルプリント配線基板用基材、
ＴＡＢテープ用基材およびフィルムキャリア用基材のい
ずれか一つであることが好ましい。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具体
的に説明する。 １．電気絶縁材料 本発明の電気絶縁材料は、所定の構造と、所定の好まし
い特性とを有するフッ素含有ポリイミド樹脂を、少なく
ともその構成の一部として含むものである。このフッ素
含有ポリイミド樹脂として、以下に示すフッ素含有ポリ
イミド樹脂および／またはその前駆体としてのフッ素含
有ポリアミック酸を挙げることができる。

【００２５】（１）フッ素含有ポリイミド樹脂 構造 本発明のフッ素含有ポリイミド樹脂の構造は、上記一般
式（１）に示す繰り返し単位を、ポリイミドの分子鎖中
にランダム状およびブロック状あるいはいずれか一方の
形態で以て結合して含むことができる。

【００２６】ここで、一般式（１）において、Ａおよび
Ｂは、それぞれ２価の有機基であって、上述した一般式
（３）に示す有機基Ｃ、同様に上述した一般式（４）に
示す有機基Ｄ、同様に上述した一般式（５）に示す有機
基Ｅおよび同様に上述した一般式（６）に示す有機基Ｆ
からなる群から選ばれた２価の有機基である。Ａおよび
Ｂがこのような有機基であれば、誘電率が低く、かつ優
れた耐熱性を有し、しかも各種溶媒に対する溶解性にも
優れたフッ素含有ポリイミド樹脂を提供することができ
る。そして、ＡおよびＢは、同一または異なったもので
あってもよい。

【００２７】さらに、下記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）およ
び（ｄ）の条件を満たすことが必要である。 （ａ）有機基Ａと有機基Ｂの合計量を２００モル％、す
なわち、フッ素含有ポリイミドの有機基Ａの量を１００
モル％および有機基Ｂの量を１００モル％とそれぞれし
た時に、有機基Ｃの量を５０〜１８０モル％の範囲内の
値とする。 （ｂ）有機基Ａと有機基Ｂの合計量を２００モル％とし
た時に、有機基Ｄ、Ｅ、およびＦの、少なくとも一つの
有機基の量を２０〜１５０モル％の範囲内の値とする。 （ｃ）フッ素含有ポリイミド樹脂におけるフッ素原子含
有率を、０．１〜３０重量％の範囲内の値とする。 （ｄ）上述した一般式（１）、（３）および（５）にお
いて、Ｒ¹ 〜Ｒ³ 、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰は、フッ素原子、メチル
基、トリフルオロメチル基から選ばれたものであり、ｌ
は０または１〜３の整数であり、ｍは０または１〜４の
整数であり、Ｒ⁷およびＲ⁸ は、フッ素原子、メチル
基、トリフルオロメチル基および下記式（７）に示す基
から選ばれたものであり、ｎは０または１〜４の整数で
あり、ｐは０または１〜４の整数であり、上述した一般
式（７）においてＲ¹¹は、フッ素原子、メチル基、トリ
フルオロメチル基から選ばれたものであり、ｑは０また
は１〜５の整数である。〕

【００２８】ここで、有機基Ａと有機基Ｂの合計量を２
００モル％とした時に、有機基Ｃの量を５０〜１８０モ
ル％の範囲内の値とするのは、有機基Ｃの量が５０モル
％未満となると、フッ素含有ポリイミド樹脂の耐熱性
（例えば、５重量％熱分解温度）が低下するためであ
り、又、一方で、有機基Ｃの量が１８０モル％を超える
と、フッ素含有ポリイミド樹脂の比誘電率が高くなるた
めである。

【００２９】また、有機基Ａと有機基Ｂの合計量を２０
０モル％とした時に、有機基Ｄ、Ｅ、およびＦの、少な
くとも一つの有機基の量を２０〜１５０モル％の範囲内
の値とするのは、有機基Ｄ等の量が２０モル％未満とな
ると、フッ素含有ポリイミド樹脂の比誘電率が高くなる
ためであり、一方、有機基Ｄ等の量が１５０モル％を超
えると、フッ素含有ポリイミド樹脂の耐熱性（例えば、
５重量％熱分解温度）が低下するためである。

【００３０】また、この発明のフッ素含有ポリイミド樹
脂は、下記一般式（８）および一般式（９）に示す有機
基Ｇを、有機基Ａおよび有機基Ｂの合計量（２００モル
％）に対して、０〜８０モル％（但し、０モル％は含ま
ない。）の範囲内の値となるように含むことが好まし
い。このような範囲で有機基Ｇを含むことにより、フッ
素含有ポリイミド樹脂の耐熱性をよりきめ細かく調整す
ることができるが、含有量に関して、添加量の８０モル
％を超えると、フッ素含有ポリイミド樹脂の比誘電率が
高くなるおそれがあるためである。

【００３１】

【化１５】

【００３２】

【化１６】

【００３３】〔式（９）中、ｎは１〜１０の整数、ｍは
１〜５０の整数をそれぞれ示す。〕

【００３４】特性 本発明に用いられるフッ素含有ポリイミド樹脂は、下記
に示す特性を有するものであることが好ましい。なお、
本発明のフッ素含有ポリイミド樹脂は、そのイミド化率
が５０％以上であることが好ましい。 （ｉ）対数粘度 Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下ＮＭＰと略すことが
ある）溶媒中、濃度０．５ｇ／ｄｌ、３０℃で測定した
対数粘度を０．０５〜１０ｄｌ／ｇの範囲内の値とする
のが好ましい。対数粘度の値が０．０５ｄｌ／ｇ未満で
あると、分子量が低すぎて、耐熱性（熱分解温度）が低
下し、またフィルム形成性に乏しく、塗布膜形成が困難
となるおそれが生じるためである。一方、対数粘度の値
が１０ｄｌ／ｇを超えると高分子量体となり、高粘度と
なる。したがって、加工性や使用性が低下するおそれが
生じるためである。

【００３５】したがって、フッ素含有ポリイミド樹脂に
おける耐熱性等と、加工性等とのバランスがより良好な
観点から、フッ素含有ポリイミド樹脂の対数粘度の値を
０．１〜４ｄｌ／ｇの範囲内の値とするのがより好まし
い。

【００３６】（ii）フッ素含有率 本発明のフッ素含有ポリイミドのフッ素含有率（フッ素
原子含有率と称する場合もある。）を、０．１〜３０重
量％の範囲内の値とするのが好ましい。フッ素含有ポリ
イミドのフッ素含有率が０．１重量％未満となると、比
誘電率が高くなるおそれがあるためである。一方、フッ
素含有ポリイミドのフッ素含有率が３０重量％を超える
と耐熱性が低下したり、加熱時にフッ素やフッ化水素が
発生したりするおそれがあり、さらには、下地（積層
面）に対する密着性や塗工性などの加工性が低下するお
それが生じるためである。

【００３７】したがって、フッ素含有ポリイミド樹脂に
おける比誘電率の値等と、耐熱性等とのバランスがより
良好な観点から、フッ素含有ポリイミド樹脂のフッ素含
有率の値を、１〜２５重量％の範囲内の値とするのがよ
り好ましい。

【００３８】（iii） ガラス転移温度（Ｔｇ） フッ素含有ポリイミド樹脂におけるガラス転移温度は、
２３０℃以上の値が好ましく、さらに好ましくは２４０
〜６００℃の範囲内の値である。ガラス転移温度が２３
０℃未満であると、高温プロセス（たとえば耐ハンダ性
を要するプロセス）時に熱変形を引き起すおそれがある
ためである。なお、ガラス転移温度は、ＤＳＣ（Differ
ential Scan-ning Calorimeter）を用いて、フッ素含有
ポリイミド樹脂の比熱の変化点から求めることができ
る。

【００３９】（iv）５重量％熱分解温度 フッ素含有ポリイミド樹脂の５重量％熱分解温度の値
は、４００℃以上が好ましく、さらに好ましくは４３０
℃以上である。フッ素含有ポリイミド樹脂の５重量％熱
分解温度が４００℃未満となると、半田付け等の高温プ
ロセス時に分解ガスが発生するおそれが生じ、また、半
田付け箇所において、半田のはがれやふくれなどが生じ
る原因となるおそれがあるためである。そして、さらに
は、配線加工時の高温加工条件（４００℃以上）で、熱
分解を生じるおそれがあるためである。なお、５重量％
熱分解温度は、ＴＧＡを用いて窒素中、１０℃／分の昇
温条件で測定することができる。そして、５重量％熱分
解温度とは、測定開始時における測定試料の重量を１０
０重量％としたときに、この測定試料の重量が５重量％
減少した時の温度、すなわち、測定試料の重量が９５重
量％になった時のその温度をいう。

【００４０】（ｖ）比誘電率（１ＭＨｚ） フッ素含有ポリイミド樹脂の比誘電率（１ＭＨｚ）の値
は、２．９以下が好ましく、さらに好ましくは２．８５
以下である。フッ素含有ポリイミド樹脂の比誘電率の値
が２．９を超えると、高周波に対する電気絶縁性に乏し
くなり、誘電性に基づく効果、たとえば配線遅延や発熱
等に対する課題を解決することができないおそれが生じ
るためである。

【００４１】（２）フッ素含有ポリアミック酸 本発明のフッ素含有ポリイミド樹脂の合成に用いられる
フッ素含有ポリアミック酸は、上述した一般式（２）に
示す繰り返し単位を含むものである。そして、一般式
（２）において、Ａ、Ｂ、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、ｌ
およびｍは、上述した一般式（１）に示すものと同義で
ある。このフッ素含有ポリアミック酸は、イミド化率
が、５０％を超えない範囲内で、部分的にイミド化され
ていてもよい。フッ素含有ポリアミック酸は、フッ素含
有ポリイミド樹脂に比べて有機溶媒に溶解しやすいの
で、溶液濃度を高くしやすいという利点がある。そし
て、フッ素含有ポリアミック酸を、溶液状態で基材上に
塗布し、乾燥させて塗膜とした後、この塗膜を所定温度
に加熱することにより、脱水反応を生じさせて、フッ素
含有ポリイミド樹脂とすることができる。

【００４２】なお、このようにフッ素含有ポリアミック
酸を、塗布し、所定温度に加熱することにより作成した
フッ素含有ポリイミド樹脂と、フッ素含有ポリイミド樹
脂溶液を基材に塗布し、乾燥させることにより作成した
フッ素含有ポリイミド樹脂とを比較して、５重量％熱分
解温度や比誘電率等の特性において、顕著な差がないこ
とが確認されている。

【００４３】（３）材料の調製 本発明の電気絶縁材料は、上述したフッ素含有ポリイミ
ド樹脂あるいはその前駆体としてのフッ素含有ポリアミ
ック酸を用いて、たとえば下記のように調製し、作成す
ることができる。重合して得られたフッ素含有ポリイミ
ド樹脂の重合溶液（塗布液）から、または重合溶媒より
も沸点の高い溶媒を加え、低沸点溶媒を留去させて得ら
れるポリマー溶液（いわゆるワニス）から、それぞれ溶
液流延法によってフィルムやシートを得ることができ
る。また、重合溶液またはワニスをポリマーに対する貧
溶媒を添加して、ポリマー（フッ素含有ポリイミド樹
脂）を析出させた後、これを乾燥することにより、固体
または粉末状のフッ素含有ポリイミド樹脂のポリマーが
得られる。これらを粉末状で、あるいは熱成形してペレ
ットとし、フッ素含有ポリイミド樹脂からなる成形材料
とすることもできる。

【００４４】なお、本発明の電気絶縁材料の外形形状
は、フィルム状、シート状、固形ペレット状、ペースト
状、液状等のいずれであってもよい。

【００４５】本発明の電気絶縁材料は、上述したフッ素
含有ポリイミド樹脂を少なくともその構成の一部として
含んでいればよいが、その構成全体の５重量％以上含む
ことが前記ポリイミドの特性を十分に発揮させる上で好
ましい。フッ素含有ポリイミド樹脂の含有量が５重量％
未満となると、誘電率が高くなったり、耐熱性が低下す
るおそれが生じるためである。したがって、かかる誘電
率や耐熱性がより良好となる観点から、上述したフッ素
含有ポリイミド樹脂を１０重量％以上含むことがさらに
好ましい。そして、全ポリマー中の５０重量％以上が上
述したフッ素含有ポリイミド樹脂であることが好まし
い。

【００４６】２．ワニス（ワニス状フッ素含有ポリイミ
ド樹脂） 本発明のフッ素含有ポリイミド樹脂を含む電気絶縁材料
はワニス状であっても良く（以下、ワニス状フッ素含有
ポリイミド樹脂あるいは単に、ワニスと称する場合があ
る。）、上述したフッ素含有ポリイミド樹脂および溶媒
（有機溶剤）を少なくともその構成の一部として含むも
のである。

【００４７】そして、前述したように、このワニスの固
形分や粘度を、溶媒を用いて調製することができる。用
いる溶媒の種類としては、特に制限はないが、たとえ
ば、ＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）、ＤＭＦ（Ｎ、Ｎ
−ジメチルホルムアミド）、ＤＭＡｃ（Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド）などのアミド系溶媒、γ−ブチロラク
トン等のポリアミック酸やポリイミド樹脂に対して用い
られる双極子溶媒、乳酸エチル、メトキシメチルプロピ
オネート、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテートなどを挙げることができる。なお、本発明の電
気絶縁材料は、このように幅広い種類の溶媒に溶解可能
であり、かかる点も本発明の特徴の一つである。

【００４８】また、本発明のワニスにおいて、溶媒の添
加量を、フッ素含有ポリイミド樹脂１００重量部に対し
て、１５０〜３０００重量部（固形分濃度約３〜４０重
量％）の範囲内の値とするのが好ましい。溶媒の添加量
が１５０重量部未満となると、ワニスの粘度が著しく高
くなり、気泡を巻き込んだり、あるいは均一な製膜が困
難となるおそれがあるためである。一方、溶媒の添加量
が３０００重量部を超えると、ワニスの粘度が著しく低
くなり、溶媒の除去に手間がかかったりあるいは使い勝
手が悪くなって、電子部品に適した膜厚の塗工が困難と
なるおそれがあるためである。したがって、ワニスの粘
度や使い勝手のバランスがより良好な観点から、溶媒の
添加量を、フッ素含有ポリイミド樹脂１００重量部に対
して、２５０〜２０００重量部（固形分濃度約５〜３０
重量％）の範囲内の値とするのが好ましい。

【００４９】また、本発明のワニスには、基質との密着
性改良のためにカップリング剤などの接着助剤や、加工
時に均一に塗膜を形成するための界面活性剤を加えるの
も好ましい。

【００５０】３．電子部品 本発明の電子部品は、上述したフッ素含有ポリイミド樹
脂を少なくともその構成の一部として含むものである。
電子部品としては特に制限はないが、たとえば半導体や
マルチチップモジュール（ＭＣＭ）内部における、配線
と配線との間の層間絶縁膜、あるいは絶縁膜（キャパシ
タ絶縁膜を含む）、さらには平坦化膜、表面保護膜およ
びフレキシブル回路用基材等を挙げることができる。そ
して、本発明の電子部品は比誘電率が低いため、低誘電
性が要求される層間絶縁膜の用途が好ましい。以下、具
体的な電子部品への応用例を示す。

【００５１】（１）半導体用層間絶縁膜 半導体集積回路を搭載したシリコン基板、金属板あるい
はセラミック基板などの半導体基板は、回路素子の所定
部分を除いてシリコン酸化膜等の保護膜で被覆され、露
出した回路素子上にアルミニウム等からなる第１導体層
が形成されている。そして、この半導体基板上にフッ素
含有ポリイミド樹脂をスピナー法（回転塗布法）などで
塗布し、加熱熱処理することにより、溶媒の除去が行わ
れ、層間絶縁膜としてのフッ素含有ポリイミド樹脂膜が
形成される。

【００５２】次にフェノールノボラック系感光性樹脂等
からなる感光性樹脂層を、層間絶縁膜上にスピナー法に
より形成し、公知のフォトリソグラフ技術によって所定
部分の層間絶縁膜が露出するように窓（ビアホール部）
が設けられる。そして、この窓部に露出した層間絶縁膜
は、ドライエッチングにより選択的に除去され窓が開け
られる。次いで感光性樹脂層を除去する。さらに公知の
金属膜形成法、例えばスパッタリング法およびフォトリ
ソグラフ技術を用いて第２導体層を層間絶縁膜上に形成
するとともに、ビアホール部を介して、この第２導体層
と第１導体層とを電気的に接続する。

【００５３】３層以上の多層配線構造体を作成する場合
は、上記工程を繰り返して行う。また、この発明のフッ
素含有ポリイミド樹脂を用いて、多層配線構造体（半導
体素子）の最上部に絶縁性材料からなる表面保護膜を形
成することもできる。さらに、本発明の電子部品におい
ては、フッ素含有ポリイミド樹脂を絶縁材料および表面
保護材料として使用することができる。特に半導体装置
（半導体素子）においては、低誘電性の層間絶縁膜とし
て好適に用いられる。

【００５４】（２）多層化フレキシブル回路基板 ステンレスベルト上に本発明のフッ素含有ポリイミドワ
ニスを連続的にＴダイなどを用いて塗布する。次に、所
定の熱処理条件（通常２００〜３００℃）により、フッ
素含有ポリイミドワニスに含まれる溶媒を蒸発除去し、
フッ素含有ポリイミド樹脂からなるフィルム（通常、膜
厚２〜１００μｍ）を作成する。それから、ドライプロ
セスを用いて、フッ素含有ポリイミドフィルム上にター
ゲットから銅を真空条件下でスパッタリング法によって
析出させるか、あるいは、ウェットプロセスを用いて、
メッキ浴中で行うメッキ法などから銅張フレキシブル基
板を作成することができる。そして、低誘電性の特性が
要求される多層化フレキシブル基板においては、前記フ
ッ素含有ポリイミド樹脂がその基材として好適に用いら
れる。

【００５５】

【実施例】以下、本発明を実施例によってさらに具体的
に説明する。

【００５６】［実施例１］攪拌機、還流冷却器、窒素導
入管をそれぞれ備えた容器内に窒素ガスを流入し、Ｎ、
Ｎ−ジメチルホルムアミド２７６．８ｇを仕込んだの
ち、９、９−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）−３
−フェニル〕フルオレン２６．６３３ｇ（５０ミリモ
ル）を添加して十分溶解した。その後、２、２−ビス
（３、４−ジカルボキシフェニルヘキサフルオロプロパ
ン二無水物２２．２１３ｇ（５０ミリモル）を添加し
た、さらに、攪拌機を用いて室温で５時間攪拌して、フ
ッ素含有ポリアミック酸の溶液を得た。このフッ素含有
ポリアミック酸の溶液の対数粘度を測定したところ
（Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド溶媒、３０℃、濃度
０．５ｇ／ｄｌ）、その値は０．８０ｄｌ／ｇであっ
た。

【００５７】そして、このフッ素含有ポリアミック酸の
溶液に、キシレン８０ｍｌを加え、加熱、還流を３時間
行い、フッ素含有ポリアミック酸からフッ素含有ポリイ
ミド樹脂（溶液状態）を得た。それから、この間に生成
した水分を、共沸留法を用いて分離して除去した。次
に、水分の留出がさらに無いことを確認の上、フッ素含
有ポリイミド樹脂溶液から、過剰のキシレンを蒸留によ
り除去した。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを
溶媒として添加し、フッ素含有ポリイミド溶液を得た。
このポリイミド溶液の対数粘度を測定したところ（Ｎ、
Ｎ−ジメチルホルムアミド溶媒、３０℃、濃度０．５ｇ
／ｄｌ）、その値は、０．８１ｄｌ／ｇであった。

【００５８】（コーティング膜の作成）以下に示すとお
り、第１〜第３のフッ素含有ポリイミド樹脂からなるポ
リイミドフィルムを作成した。 （１）上記フッ素含有ポリアミック酸の溶液をＳＵＳ３
０４基板上に、スピンコート（回転塗布法）により塗布
したのち、８０℃、１４０℃、２００℃、２５０℃、３
００℃の各温度に順次昇温させ、各温度で２０分間加熱
保持して、フッ素含有ポリイミド樹脂からなる第１のポ
リイミドフィルムを作成した。

【００５９】（２）上記フッ素含有ポリイミド溶液を、
フッ素含有ポリアミック酸の溶液の場合と同様に、ＳＵ
Ｓ３０４基板上に、スピンコートにより塗布したのち、
８０℃、１４０℃、２００℃の各温度に順次昇温させ、
各温度で２０分間加熱保持して、フッ素含有ポリイミド
樹脂からなる第２のポリイミドフィルムを作成した。 （３）上記フッ素含有ポリアミック酸の溶液をガラス板
上に、流延した後、８０℃、１４０℃、２００℃、２５
０℃、３００℃の各温度に順次昇温させ、各温度で２０
分間加熱保持して、フッ素含有ポリイミド樹脂からなる
第３のポリイミドフィルムを作成した。

【００６０】（コーティング膜の評価） （１）比誘電率（ε）の測定 この第１のポリイミドフィルム上に、マスク蒸着により
金電極を形成して、比誘電率測定用試料とした。この試
料を用い、比誘電率（ε）を以下に示す方法で測定し
た。すなわち、フッ素含有ポリイミド樹脂からなるポリ
イミドフィルムの１ＭＨｚにおける静電容量を、横河ヒ
ューレットパッカード社製のＬＣＲメーター４２８４Ａ
を用いて測定し、下記式により比誘電率（ε）を求め
た。 ε＝Ｃ・ｄ／（ε₀・Ｓ） ただし、Ｃは静電容量、ｄは試料膜厚、ε₀ は真空中の
誘電率、Ｓは上部電極面積をそれぞれ表す。その結果、
フッ素含有ポリイミド樹脂からなる第１のポリイミドフ
ィルムの比誘電率εの値は、２．８２であり、十分低い
値であることが確認された。また、第２のポリイミドフ
ィルムについても、第１のポリイミドフィルムと同様に
比誘電率を測定したところ、比誘電率εの値は、第１の
ポリイミドフィルムと同じく２．８２であり、十分低い
値であることが確認された。

【００６１】（２）体積固有抵抗の測定 ガラス基板上に作成したフッ素含有ポリイミド樹脂から
なる第３のポリイミドフィルム（厚さ３０μｍ）におけ
る体積固有抵抗を測定した。すなわち、体積固有抵抗測
定装置（アドバンテスト（株）製、Ｒ８３４０Ａ、ウル
トラハイレジスタンスメータ）を用いて、第３のポリイ
ミドフィルムの体積固有抵抗を測定したところ、その値
は、６×１０１６Ω・ｃｍであった。

【００６２】（３）ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定 ガラス基板上に作成したフッ素含有ポリイミド樹脂から
なる第３のポリイミドフィルムにおけるガラス転移温度
を測定した。すなわち、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用
いて、窒素雰囲気中、昇温速度２０℃／分の条件でフッ
素含有ポリイミド樹脂からなる第３のポリイミドフィル
ムのガラス転移温度（Ｔｇ）を測定した。その結果、フ
ッ素含有ポリイミ樹脂フィルムにおける、Ｔｇは２９３
℃であった。したがって、この発明のフッ素含有ポリイ
ミド樹脂からなるフィルムは、ガラス転移温度に関して
高い耐熱性を有していることが確認された。

【００６３】（４）５重量％熱分解温度（Ｔｄ５）の測
定 ガラス基板上に作成したフッ素含有ポリイミド樹脂から
なる第３のポリイミドフィルムにおけるガラス転移温度
を測定した。すなわち、熱天秤（ＴＧＡ）を用い、窒素
中、昇温速度１０℃／分の条件で加熱し、加熱開始前の
試料重量を１００重量％としたときに、５重量％の試料
重量の減少指示温度を、５重量％熱分解温度（Ｔｄ５）
として測定した。その結果、フッ素含有ポリイミド樹脂
フィルムにおける、Ｔｄ５は５３４℃であった。したが
って、この発明のフッ素含有ポリイミド樹脂からなるフ
ィルムは、５重量％熱分解温度に関して、高い耐熱性を
有していることが確認された。

【００６４】（５）フッ素含有率の測定 この発明のフッ素含有ポリイミド樹脂をｄ６ＤＭＳＯに
溶解し、このフッ素含有ポリイミド樹脂溶液のフッ素含
有率を、基準物質として、基準量のベンゾトリフルオラ
イドを用いてＮＭＲ法により測定した。その結果、フッ
素含有ポリイミド樹脂におけるフッ素含有率は、１２．
１重量％であった。

【００６５】［実施例２〜１２および比較例１、２］芳
香族ジアミン化合物およびテトラカルボン酸二無水物を
表１および一部併用してＩＲチャート（図３〜図２１）
で表される化合物を用いたほかは実施例１と同様の条件
において、フッ素含有ポリアミック酸の合成およびフッ
素含有ポリイミドフィルムの作製をそれぞれ行った。そ
して、実施例１と同様の条件および手法により、フッ素
含有ポリアミック酸の対数粘度〔η_inh 〕、フッ素含有
ポリイミド樹脂からなるフィルムの比誘電率（ε）、ガ
ラス転移温度（Ｔｇ）および５重量％熱分解温度（Ｔｄ
５）をそれぞれ測定した。これらの結果を表１に示す。

【００６６】［実施例１３］実施例１で得られたフッ素
含有ポリイミド樹脂溶液の溶媒を、γ−ブチロラクトン
に置換し、固形分濃度が５重量％のフッ素含有ポリイミ
ド樹脂溶液とした。そして、この溶液におけるフッ素含
有ポリイミド樹脂に対して、シランカップリング剤であ
るＮ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチ
ルジメトキシシランを５重量％の濃度となるように添加
した。

【００６７】次に、このシランカップリング剤を添加し
たフッ素含有ポリイミド樹脂溶液を、Ａｌ（アルミニウ
ム）蒸着したシリコンウェハー上にスピンコーティング
（回転塗布）法により塗布した。それから、このフッ素
含有ポリイミド樹脂が表面に積層されたシリコンウェハ
ーを、クリーンオーブンを用いて、１００℃×１０分、
次いで１５０℃×１０分、さらに引き続き２００℃×１
０分の条件で熱処理し、３μｍの膜厚のコーティング膜
を形成し、以下の評価に供した。

【００６８】（１）比誘電率の測定 得られたコーティング膜の比誘電率（１ＭＨｚ）を測定
したところ、２．８２という値が得られた。さらに、温
度制御可能なオーブンを用いて、３００℃、１時間、窒
素下の条件で以て加熱処理したコーティング膜の比誘電
率を測定したところ、加熱処理前のコーティング膜の比
誘電率と比較して、比誘電率の変化は３％以内と低いこ
とが確認された。

【００６９】（２）膜厚測定 また、得られたコーティング膜について触針式の膜厚計
を用いて膜厚を測定した。その結果、塗布面内における
膜厚変化（差）は１％以下であり、このコーティング膜
は優れた平坦性を有していることが確認された。 （３）密着性試験 さらに、得られたコーティング膜に対して、碁盤目試験
による密着性試験を行った。その結果、剥離部分は観察
されず（残存数１００個／１００個）、シリコンウェハ
ーに対するコーティング膜の密着性が良好であることが
確認された。

【００７０】（４）ＰＣＴ試験（耐湿熱試験） また、得られたコーティング膜に対して、温度１２１
℃、圧力２気圧、湿度１００％、時間２４時間の条件で
以てＰＣＴ（プレッシャークッカー試験）を行い、その
後碁盤目試験による密着性試験を行った。その結果、剥
離部分（残存数１００個／１００個）やクラックの発生
は特に見られなかった。また、ＰＣＴ試験後のコーティ
ング膜の比誘電率を測定したところ、試験前の誘電率と
比較して、誘電率の変化率は３％以内と低いことが確認
された。

【００７１】（５）エッチング特性の評価 上述したシランカップリング剤を添加したフッ素含有ポ
リイミド樹脂溶液を、シリコンウェハー上にスピンコー
ティングして乾燥、熱処理後（１００℃×１０分、次い
で１５０℃×１０分、さらに続いて２００℃×１０
分）、３μｍの膜厚のコーティング膜とした。こうして
得られたコーティング膜上に、さらに１．５μｍの膜厚
のノボラック型ポジレジストを塗布し、露光マスクを介
して紫外線を照射した後、アルカリ現像液を用いて現像
し、レジストパターンを形成させた。そして、エッチン
グガスとして、Ｏ₂ ／ＣＦ₄ ＝７５／２５（ガス組成）
の混合ガスを用い、コーティング膜のドライエッチング
を行った。その結果、Ｌ＆Ｓ（ライン／スペース＝５０
／５０）が１μｍのフッ素含有ポリイミド樹脂からなる
コーティング膜のパターニングができたことを光学顕微
鏡で確認した。したがって、本発明のフッ素含有ポリイ
ミドは、パターニングが要求される用途、例えば、フレ
キシブル回路基板等の電子材料用途に適していると言え
る。

【００７２】なお、シランカップリング剤を添加してい
ない実施例１で得られたフッ素含有ポリイミド樹脂溶液
についても、上述したように、エッチング特性を評価し
た。すなわち、まず、フッ素含有ポリイミド樹脂溶液を
シリコンウェハー上にスピンコーティングして３μｍの
膜厚のコーティング膜を製膜した。それから、このコー
ティング膜上に、１．５μｍの膜厚のノボラック型ポジ
レジストからなるレジストパターンを形成させた。そし
て、エッチングガスとして、Ｏ２ ／ＣＦ４＝７５／２
５（ガス組成）の混合ガスを用い、コーティング膜のド
ライエッチングを行った。その結果、Ｌ＆Ｓ（ライン／
スペース＝５０／５０）が１μｍのフッ素含有ポリイミ
ド樹脂からなるコーティング膜のパターニングができた
ことを光学顕微鏡で確認した。

【００７３】以上のとおり、この発明の電気絶縁材料と
してのフッ素含有ポリイミド樹脂からなるコーティング
膜は、低い誘電率や優れた耐熱性や耐湿性を有し、下地
に対する密着性に優れ、さらには表面平滑性にも優れて
いることが確認された。したがって、この発明の電気絶
縁材料としてのフッ素含有ポリイミド樹脂からなるコー
ティング膜は、電子材料用層間絶縁膜の用途（半導体装
置、ＭＣＭ−Ｄ）に特に適しているということができ
る。

【００７４】

【表１】

【００７５】

【表２】

【００７６】

【発明の効果】本発明の電気絶縁材料としてのフッ素含
有ポリイミド樹脂は、上述した一般式（１）で表される
繰り返し単位および一般式（２）で表される繰り返し単
位あるいはいずれか一方で表される繰り返し単位を含む
ことにより、比誘電率が低く、耐熱性に優れており、し
かも各種溶媒に対する溶解性にも優れている電気絶縁材
料としてのフッ素含有ポリイミド樹脂を提供できるよう
になった。また、フッ素含有ポリイミド樹脂を含む本発
明の電気絶縁材料は、各種溶媒における溶解性にも優れ
ているため、使い勝手も良い。また、フッ素含有ポリイ
ミド樹脂を含む本発明の電気絶縁材料は、コーティング
膜として製膜した場合に、表面平滑性にも優れている。
さらに、このフッ素含有ポリイミド樹脂からなるコーテ
ィング膜は、精度が高いエッチング特性を有しているこ
とも確認されている。したがって、この電気絶縁材料を
たとえばＬＳＩ（大規模集積回路）の層間絶縁膜として
用いた場合に、信頼性が高く、かつ高速化に対応しうる
デバイス（素子）、たとえば半導体装置をもたらすこと
ができるようになった。

【００７７】また、本発明のフッ素含有ポリイミド樹脂
を含むワニスは、基材等に容易に塗布加工して、比誘電
率が低く、耐熱性に優れており、しかも表面平滑性にも
優れているコーティング膜を提供可能なため、使い勝手
の良いポリマー溶液として好適に用いることができるよ
うになった。

【００７８】さらに、本発明のフッ素含有ポリイミド樹
脂を含む電子部品は、誘電率が低く、かつ優れた耐熱性
を有しているため、ＬＳＩが内蔵されている家庭用電気
機器および産業用機器の一部あるいは全部として好適に
用いることができるようになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１により得られたポリアミック酸のＩＲ
チャートを示す図である。

【図２】実施例１により得られたポリイミド樹脂のＩＲ
チャートを示す図である。

【図３】実施例２により得られたポリアミック酸のＩＲ
チャートを示す図である。

【図４】実施例２により得られたポリイミド樹脂のＩＲ
チャートを示す図である。

【図５】実施例３により得られたポリアミック酸のＩＲ
チャートを示す図である。

【図６】実施例３により得られたポリイミド樹脂のＩＲ
チャートを示す図である。

【図７】実施例４により得られたポリアミック酸のＩＲ
チャートを示す図である。

【図８】実施例４により得られたポリイミド樹脂のＩＲ
チャートを示す図である。

【図９】実施例５により得られたポリアミック酸のＩＲ
チャートを示す図である。

【図１０】実施例５により得られたポリイミド樹脂のＩ
Ｒチャートを示す図である。

【図１１】実施例６により得られたポリアミック酸のＩ
Ｒチャートを示す図である。

【図１２】実施例６により得られたポリイミド樹脂のＩ
Ｒチャートを示す図である。

【図１３】実施例８により得られたポリイミド樹脂のＩ
Ｒチャートを示す図である。

【図１４】実施例９により得られたポリアミック酸のＩ
Ｒチャートを示す図である。

【図１５】実施例９により得られたポリイミド樹脂のＩ
Ｒチャートを示す図である。

【図１６】実施例１０により得られたポリアミック酸の
ＩＲチャートを示す図である。

【図１７】実施例１０により得られたポリイミド樹脂の
ＩＲチャートを示す図である。

【図１８】実施例１１により得られたポリアミック酸の
ＩＲチャートを示す図である。

【図１９】実施例１１により得られたポリイミド樹脂の
ＩＲチャートを示す図である。

【図２０】実施例１２により得られたポリアミック酸の
ＩＲチャートを示す図である。

【図２１】実施例１２により得られたポリイミド樹脂の
ＩＲチャートを示す図である。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フッ素含有ポリイミド樹脂を含む電気絶
   縁材料において、 下記一般式（１）で表される繰り返し単位および下記一
   般式（２）で表される繰り返し単位あるいはいずれか一
   方の一般式で表される繰り返し単位を含むことを特徴と
   するフッ素含有ポリイミド樹脂を含む電気絶縁材料。 【化１】 〔一般式（１）において、ＡおよびＢは、それぞれ２価
   の有機基であって、下記式（３）に示す有機基Ｃ、下記
   式（４）に示す有機基Ｄ、下記式（５）に示す有機基Ｅ
   および下記式（６）に示す有機基Ｆからなる群から選ば
   れた有機基であり、ＡおよびＢは同一または異なったも
   のであってもよく、さらに、ＡおよびＢは下記（ａ）、
   （ｂ）、（ｃ）および（ｄ）の条件を満たす。 （ａ）有機基Ａと有機基Ｂの合計量を２００モル％とし
   た時に、有機基Ｃの量を５０〜１８０モル％の範囲内の
   値とする。 （ｂ）有機基Ａと有機基Ｂの合計量を２００モル％とし
   た時に、有機基Ｄ、Ｅ、およびＦの、少なくとも一つの
   有機基の量を２０〜１５０モル％の範囲内の値とする。 （ｃ）フッ素含有ポリイミド樹脂におけるフッ素原子含
   有率を、０．１〜３０重量％の範囲内の値とする。 （ｄ）一般式（１）、（３）および（５）において、Ｒ
   ¹ 〜Ｒ⁶ 、Ｒ⁹ 、Ｒ¹⁰は、フッ素原子、メチル基、トリ
   フルオロメチル基から選ばれ、ｌは０または１〜３の整
   数、ｍは０または１〜４の整数であり、Ｒ⁷ およびＲ⁸
   は、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基およ
   び下記式（７）に示す基から選ばれ、ｎは０または１〜
   ４の整数であり、ｐは０または１〜４の整数であり、下
   記式（７）においてＲ¹¹は、フッ素原子、メチル基、ト
   リフルオロメチル基から選ばれ、ｑは０または１〜５の
   整数である。〕 【化２】 〔一般式（２）において、Ａ、Ｂ、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、
   Ｒ⁴ 、ｌおよびｍは一般式（１）に示すものと同義であ
   る。〕 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】 【化７】
2. 【請求項２】 請求項１に記載のフッ素含有ポリイミド
   樹脂を含む電気絶縁材料において、当該電気絶縁材料が
   下記特性（ｉ）〜（iv）を有するものであることを特徴
   とするフッ素含有ポリイミド樹脂を含む電気絶縁材料。 （ｉ）対数粘度（Ｎ−メチル−２−ピロリドン溶媒中、
   濃度０．５ｇ／ｄｌ、３０℃で測定）が、０．０５〜１
   ０ｄｌ／ｇの範囲内の値である。 （ii）ガラス転移温度が、２３０℃以上の値である。 （iii） ５重量％熱分解温度（窒素ガス中、１０℃／分
   昇温）が４００℃以上の値である。 （iV）誘電率（１ＭＨｚ）が、２．９以下の値である。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のフッ素
   含有ポリイミド樹脂を含む電気絶縁材料において、当該
   電気絶縁材料中のフッ素含有率を１〜２５重量％の範囲
   内の値とすることを特徴とするフッ素含有ポリイミド樹
   脂を含む電気絶縁材料。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載のフ
   ッ素含有ポリイミド樹脂を含む電気絶縁材料において、
   当該電気絶縁材料の熱重量変化（窒素ガス中、４００
   ℃、３時間）が０〜３重量％(但し、０は含まない。)の
   範囲内の値であることを特徴とするフッ素含有ポリイミ
   ド樹脂を含む電気絶縁材料。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載のフ
   ッ素含有ポリイミド樹脂を含む電気絶縁材料において、
   当該電気絶縁材料がさらに溶媒を含みワニス状であるこ
   とを特徴とするフッ素含有ポリイミド樹脂を含む電気絶
   縁材料。
6. 【請求項６】 請求項５に記載のフッ素含有ポリイミド
   樹脂を含む電気絶縁材料において、前記溶媒を、前記フ
   ッ素含有ポリイミド樹脂１００重量部に対して１５０〜
   ３０００重量部の範囲内の値とすることを特徴とするフ
   ッ素含有ポリイミド樹脂を含む電気絶縁材料。
7. 【請求項７】 請求項５または請求項６に記載のフッ素
   含有ポリイミド樹脂を含む電気絶縁材料において、前記
   溶媒が、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
   ムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロ
   ラクトン、乳酸エチル、メトキシメチルプロピオネー
   ト、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
   トからなる群から選択された少なくとも一つの溶媒であ
   ることを特徴とするフッ素含有ポリイミド樹脂を含む電
   気絶縁材料。
8. 【請求項８】 請求項５〜７のいずれか１項に記載のフ
   ッ素含有ポリイミド樹脂を含む電気絶縁材料において、
   当該電気絶縁材料の粘度が、１０〜１００，０００ｃｐ
   ｓ（測定温度２５℃条件）の範囲内の値であることを特
   徴とするフッ素含有ポリイミド樹脂を含む電気絶縁材
   料。
9. 【請求項９】 請求項１〜８のいずれか１項に記載のフ
   ッ素含有ポリイミド樹脂を含む電気絶縁材料において、
   前記フッ素含有ポリイミド樹脂１００重量部に対して、
   シランカップリング剤を０．１〜３０重量部の範囲内で
   さらに含むことを特徴とするフッ素含有ポリイミド樹脂
   を含む電気絶縁材料。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載のフッ素含有ポリイミ
    ド樹脂を含む電気絶縁材料において、前記シランカップ
    リング剤が、アミノシランカップリング剤およびエポキ
    シシランカップリング剤あるいはいずれか一方であるこ
    とを特徴とするフッ素含有ポリイミド樹脂を含む電気絶
    縁材料。
11. 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれか１項に記載
    のフッ素含有ポリイミド樹脂を含む電気絶縁材料を、少
    なくとも一部に含むことを特徴とする電子部品。
12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の電子部品におい
    て、当該電子部品が、半導体における層間絶縁膜、平坦
    化膜、電気絶縁膜、キャパシタ絶縁膜、高周波基板用基
    材、フレキシブルプリント配線基板用基材、ＴＡＢテー
    プ用基材およびフィルムキャリア用基材のいずれか一つ
    であることを特徴とする電子部品。