JP2001163975A - ポリベンゾオキサゾール樹脂及びその前駆体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気特性、熱特性、低吸水性に優れた耐熱性
樹脂を提供する。 【解決手段】 一般式（２）で表される繰り返し単位を
有するポリベンゾオキサゾール樹脂。 【化１】 ただし、式中のｎは、２〜１０００までの整数を示す。
Ｘは２価の有機基を表す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気特性、熱特
性、機械特性、物理特性に優れたポリベンゾオキサゾー
ル樹脂に関するものであり、半導体用の層間絶縁膜、保
護膜、多層回路の層間絶縁膜、フレキシブル銅張板のカ
バーコート、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜などとし
て適用できる。

【０００２】

【従来の技術】半導体材料には、必要とされる特性に応
じて、無機系材料、有機系材料など様々な材料が、様々
な部分で用いられている。例えば、半導体用の層間絶縁
膜としては、化学気相法等で作製した二酸化シリコン等
の無機の絶縁膜が使用されている。しかしながら、近年
の半導体の高機能化、高性能化に伴い、二酸化シリコン
等の無機絶縁膜では、誘電率が高い、脆い、吸水率が高
いなどの問題から適用が難しくなっている。これらの改
良手段の一つとして、有機系材料の適用が検討されつつ
ある。

【０００３】半導体用途の有機材料としては、耐熱性、
機械特性などの優れたポリイミド樹脂が、挙げられ、ソ
ルダーレジスト、カバーレイ、液晶配向膜などに用いら
れている。しかしながら、一般にポリイミド樹脂は、イ
ミド環にカルボニル基を２個有していることから、電気
特性、吸水性に問題がある。これらの問題に対して、フ
ッ素ならびにトリフルオロメチル基を高分子内に導入す
ることにより、電気特性と吸水性、耐熱性を改良するこ
とも試みられているが、現時点では、必要とされる水準
までに達していない。

【０００４】このような事から、ポリイミド樹脂に比べ
て、電気特性、吸水性に関して、優れた性能を示すポリ
ベンゾオキサゾール樹脂を、半導体用途の絶縁材料に適
用することが試みられている。ポリベンゾオキサゾール
樹脂は、電気特性、熱特性、物理特性のいずれかの特性
のみを満足することは、容易であり、例えば、４，４’
−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシビフェニルとテレ
フタル酸からなるポリベンゾオキサゾール樹脂は、非常
に優れた耐熱分解性、高Ｔｇ等の耐熱性を有するが、一
方、誘電率、誘電正接等の電気特性は、あまり良くな
い。また、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ
−５−トリフルオロメチルフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパンからなるポリベンゾオキサゾール樹脂は、低誘電
率等の良好な電気特性を示すが、耐熱性、特に加湿時の
耐熱性等はあまり好ましくない。このように、電気特
性、熱特性、及び物理特性のいずれにも優れた樹脂は、
得られていないのが、現状である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体用途
において、電気特性、熱特性、及び低吸水性のいずれに
も優れた耐熱性樹脂を提供する事を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記従来
の問題点を鑑み、鋭意検討を重ねた結果、一般式（１）
で表される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾー
ル前駆体、

【０００７】

【化３】

【０００８】及び一般式（２）で表される繰り返し単位
を有するポリベンゾオキサゾール樹脂を見いだし、本発
明を完成するに至った。

【０００９】

【化４】

【００１０】但し、一般式（１）および一般式（２）中
のｎは、２〜１０００までの整数を示す。Ｘは２価の有
機基を表す。

【００１１】一般式（２）で表される繰り返し単位を有
するポリベンゾオキサゾール樹脂は、一般式（１）で表
される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール前
駆体より得られる。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明のポリベンゾオキサゾール
前駆体および樹脂の合成の際に使用するビスアミノフェ
ノール化合物としては、２，２−ビス（３−ヒドロキシ
−４−アミノ−５−トリフルオロメチルフェニル）ヘキ
サフルオロプロパンを単独で用いることが、目的の特性
を得る上で好ましいが、前記以外のビスアミノフェノー
ル化合物、例えば、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジ
ヒドロキシビフェニルや２，２−ビス（３−アミノ−４
−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンなど
も、性能を損なわない範囲で、併用することが可能であ
る。

【００１３】本発明のポリベンゾオキサゾール前駆体お
よび樹脂の合成の際に使用するジカルボン酸について
は、一般式（３）で表される通りであり、例えば、３−
フルオロイソフタル酸、２−フルオロイソフタル酸、３
−フルオロフタル酸、２−フルオロフタル酸、２−フル
オロテレフタル酸、２，４，５，６−テトラフルオロイ
ソフタル酸、３，４，５，６−テトラフルオロフタル
酸、４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェ
ニル−１，１’−ジカルボン酸、パーフルオロスベリン
酸、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’
−ビフェニレンジカルボン酸、テレフタル酸、イソフタ
ル酸、４，４’−オキシジフェニル−１，１’−ジカル
ボン酸などが挙げられるが、必ずしもこれらに限られる
ものではない。また、これらのジカルボン酸を単独また
は２種以上組み合わせて使用することも可能である。

【００１４】

【化５】 （式（３）中、Ｘは２価の有機基を表す。）

【００１５】本発明の一般式（１）で表される繰り返し
単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体の製造方法
としては、前記ビスアミノフェノール化合物と、前記一
般式（３）で示されるジカルボン酸とのポリリン酸やジ
シクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下
での縮合反応による方法、また前記ビスアミノフェノー
ル化合物と、前記一般式（３）で示されるジカルボン酸
の酸クロリド化合物との脱塩酸縮合反応である酸クロリ
ド法、もしくは活性エステル法などがある。

【００１６】前記ポリベンゾオキサゾール前駆体の合成
の例のうち、酸クロリド法による具体例を挙げると、ま
ず、ジカルボン酸である４，４’−ヘキサフルオロイソ
プロピリデンジフェニル−１，１’−ジカルボン酸を、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の触媒存在下、過剰量
の塩化チオニルと、室温から７５℃で反応させ、過剰の
塩化チオニルを加熱及び減圧することにより留去する。
その後、残査を、ヘキサン等の溶媒で再結晶することに
より、酸クロリド化合物である４，４’−ヘキサフルオ
ロイソプロピリデンジフェニル−１，１’−ジカルボン
酸クロリドを得る。次に、得られた４，４’−ヘキサフ
ルオロイソプロピリデンジフェニル−１，１’−ジカル
ボン酸クロリドとビスアミノフェノール化合物である
２，２-ビス（３-ヒドロキシ-４-アミノ−５−トリフル
オロメチルフェニル）ヘキサフルオロプロパンとを、通
常Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の極性溶媒に溶解し、
ピリジン等の酸受容剤存在下で、−３０℃から室温で反
応させることにより、ポリベンゾオキサゾール前駆体を
得ることができる。

【００１７】本発明の一般式（２）で表される繰り返し
単位を有するポリベンゾオキサゾール樹脂は、このよう
にして得られた一般式（１）で表される繰り返し単位を
有するポリベンゾオキサゾール前駆体を、従来法の通
り、加熱、または脱水剤での縮合反応により、閉環させ
て、得ることができる。この前駆体または樹脂に、必要
により、各種添加剤として、界面活性剤やカップリング
剤等を添加し、半導体用層間絶縁膜、保護膜、多層回路
の層間絶縁膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソ
ルダーレジスト膜、液晶配向膜等として用いることがで
きる。

【００１８】また、本発明におけるポリベンゾオキサゾ
ール樹脂の前駆体は、感光剤としてのナフトキノンジア
ジド化合物と一緒に用いることで、感光性樹脂組成物と
して用いることが可能である。

【００１９】本発明のポリベンゾオキサゾール前駆体
は、通常、これを溶剤に溶解し、ワニス状にして使用す
るのが好ましい。溶剤としては、例えば、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、ε−カプロラク
トン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルエー
テル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチ
レングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−
１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３−ブチ
レングリコール−３−モノメチルエーテル、ピルビン酸
メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキシプロ
ピオネート、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トン等が挙げられ、１種、または２種以上混合して用い
ることが出来る。

【００２０】本発明のポリベンゾオキサゾール前駆体を
使用する例としては、まず、該前駆体及び必要により各
種添加剤を、上記溶剤に溶解し、適当な支持体、例えば
ガラス、金属、シリコンウエハーやセラミック基盤等に
塗布する。塗布方法としては、スピンナーを用いた回転
塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印
刷、ロールコーティング等が挙げられる。このようにし
て、塗膜を形成した後、加熱処理をして、ポリベンゾオ
キサゾール樹脂に変換し用いることが好ましい。

【００２１】

【実施例】以下に、実施例により、本発明を具体的に説
明するが、本発明は、実施例の内容になんら限定される
ものではない。以下、部は重量部を示す。

【００２２】「実施例１」 （１）ビスアミノフェノール化合物のトリフルオロメチ
ル化 ２，２−ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェニル）
ヘキサフルオロプロパン１５０部を、乾燥Ｎ、Ｎ−ジメ
チルホルムアミド（岸田化学（株）製、以下ＤＭＦと略
す）８９０ｍｌに溶解し、氷冷下、Ｓ−（トリフルオロ
メチル）ジベンゾチオフェニウム トリフルオロメタン
スルホン酸塩（ダイキン化成品販売（株）製）３９３部
を加えた。１０℃／時の昇温速度で、７０℃まで昇温さ
せた後、７０℃で２４時間反応させた。なお、反応は窒
素雰囲気下で行った。反応溶液を水に加え、水層を中性
近辺に調整した後、ジエチルエーテル（岸田化学（株）
製、以下エーテルと略す）で抽出した。エーテル層を集
めエーテルを留去した後、析出物を酢酸エチル等の有機
溶媒で十分に洗浄して、２，２−ビス（３−ヒドロキシ
−４−アミノ−５−トリフルオロメチルフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン１００．５部を得た。

【００２３】（２）酸クロリド化合物の合成 ４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェニル
−１，１’−ジカルボン酸（クラリアント・ジャパン
（株）製）９２部、塩化チオニル（岸田化学（株）製）
１６６ｍｌ及び乾燥ＤＭＦ１．８ｍｌを反応容器に入
れ、６０℃で２時間反応させた。反応終了後、過剰の塩
化チオニルを、加熱及び減圧により、留去した。析出物
を、ヘキサン（関東化学（株）製）を用いて、再結晶を
行い、４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフ
ェニル−１，１’−ジカルボン酸クロリド８４．６部を
得た。

【００２４】（３）前駆体の合成及び樹脂フィルムの作
製 上記で得た２，２−ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノ
−５−トリフルオロメチルフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン１００．５部（０．２ｍｏｌ）を、乾燥したジメ
チルアセトアミド９００部に溶解し、ピリジン（岸田化
学（株）製）３９．６部（０．５ｍｏｌ）を添加後、乾
燥窒素下、−１５℃で、ジメチルアセトアミド８００部
に４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェニ
ル−１，１’−ジカルボン酸クロリド８４．６部（０．
２ｍｏｌ）を溶解したものを、３０分掛けて滴下した。
滴下終了後、室温まで戻し、室温で５時間攪拌した。そ
の後、反応液を蒸留水７００ｍｌに滴下し、沈殿物を集
め、乾燥することによりポリベンゾオキサゾール前駆体
を得た。ここで得られたポリベンゾオキサゾール前駆体
の数平均分子量（Ｍｎ）を東ソー株式会社製ＧＰＣを用
いてポリスチレン換算で求めたところ、２５，０００で
あった。また、純水／イソプロパノール混合溶液中で１
２５℃、２０時間の加熱加圧処理を行い、抽出液につい
て横河ＩＣ７０００型イオンクロマトアナライザーを用
いてＰＣＴ処理後のフッ素発生量測定を行ったところ、
８ｐｐｍであった。

【００２５】このポリベンゾオキサゾール前駆体を、Ｎ
−メチル−２−ピロリドンに溶解し、孔径０．２μｍの
テフロンフィルターで濾過しワニスを得た。このワニス
を、ガラス板上にギャップ３００μｍのドクターブレー
ドを用いて塗布した。その後、オーブン中で、７０℃１
時間乾燥し、はく離して膜厚２０μｍのポリベンゾオキ
サゾール前駆体フィルムを得た。そのフィルムを金枠で
固定し、１５０℃で３０分間、２５０℃で３０分間、３
５０℃で３０分間の順で窒素雰囲気下で加熱し、ポリベ
ンゾオキサゾール樹脂フィルムを得た。この試験フィル
ムを用いて、各種特性を評価し、その結果を表１にまと
めた。

【００２６】「実施例２」１，２，３，５−テトラフル
オロ−４，６−ジシアノベンゼン（ＳＤＳバイオテック
社製）６８．３部を、６５％硫酸水３４２部に加えた。
加熱して溶解させたあと、還流条件下３時間加熱した。
析出した結晶を吸引濾過し、集めた結晶を濃塩酸（和光
純薬工業（株））で洗浄後風乾し、２，４，５，６−テ
トラフルオロイソフタル酸４９．２部を得た。

【００２７】実施例１の４，４’−ヘキサフルオロイソ
プロピリデンジフェニル−１，１’−ジカルボン酸クロ
リド８４．６部（０．２ｍｏｌ）の代わりに、２，４，
５，６−テトラフルオロイソフタル酸から実施例１の酸
クロリド化合物の合成と同様の操作により得た２，４，
５，６−テトラフルオロイソフタル酸クロリド５４．２
部（０．２ｍｏｌ）を用いた以外は、実施例１と同様に
して、ポリベンゾオキサゾール樹脂フィルムを作製し、
評価を行った。

【００２８】「実施例３」実施例１の４，４’−ヘキサ
フルオロイソプロピリデンジフェニル−１，１’−ジカ
ルボン酸クロリド８４．６部（０．２ｍｏｌ）の代わり
に、４，４’−オキシジフェニル−１，１’−ジカルボ
ン酸から実施例１の酸クロリド化合物の合成と同様の操
作により得た４，４’−オキシジフェニル−１，１’−
ジカルボン酸クロリド５９．０部（０．２ｍｏｌ）を用
いた以外は、実施例１と同様にして、ポリベンゾオキサ
ゾール樹脂フィルムを作製し、評価を行った。また、得
られた前駆体についても実施例１と同様にして、数平均
分子量（Ｍｎ）を求めたところ、２６，０００であり、
ＰＣＴ処理後のフッ素発生量は８ｐｐｍであった。

【００２９】「実施例４」実施例１の４，４’−ヘキサ
フルオロイソプロピリデンジフェニル−１，１’−ジカ
ルボン酸クロリド８４．６部（０．２ｍｏｌ）の代わり
に、上記同様にして得た４，４’−ヘキサフルオロイソ
プロピリデンジフェニル−１，１’−ジカルボン酸クロ
リド４２．３部（０．１ｍｏｌ）と４，４’−オキシジ
フェニル−１，１’−ジカルボン酸クロリド２９．５部
（０．１ｍｏｌ）を用いた以外は、実施例１と同様にし
て、ポリベンゾオキサゾール樹脂フィルムを作製し、評
価を行った。また、得られた前駆体についても、実施例
１と同様にして、数平均分子量（Ｍｎ）を求めたとこ
ろ、２５，０００であり、ＰＣＴ処理後のフッ素発生量
は８ｐｐｍであった。

【００３０】「実施例５」実施例１の４，４’−ヘキサ
フルオロイソプロピリデンジフェニル−１，１’ジカル
ボン酸クロリド８４．６部（０．２ｍｏｌ）の代わり
に、上記同様にして得た４，４’−ヘキサフルオロイソ
プロピリデンジフェニル−１，１’−ジカルボン酸クロ
リド４２．３部（０．１ｍｏｌ）と２，４，５，６−テ
トラフルオロイソフタル酸クロリド２７．１部（０．１
ｍｏｌ）を用いた以外は、実施例１と同様にポリベンゾ
オキサゾール樹脂フィルムを作製し、評価を行った。

【００３１】「実施例６」実施例１の２，２−ビス（３
−ヒドロキシ−４−アミノ−５−トリフルオロメチルフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン１００．５部（０．２
ｍｏｌ）の代わりに、２，２−ビス（３−ヒドロキシ−
４−アミノ−５−トリフルオロメチルフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン７０．４部（０．１４ｍｏｌ）と４，
４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシビフェニル１
３．０部（０．０６ｍｏｌ）を用いた以外は、実施例１
と同様にして、ポリベンゾオキサゾール樹脂フィルムを
作製し、評価を行った。

【００３２】「実施例７」実施例１の２，２−ビス（３
−ヒドロキシ−４−アミノ−５−トリフルオロメチルフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン１００．５部（０．２
ｍｏｌ）の代わりに、２，２−ビス（３−ヒドロキシ−
４−アミノ−５−トリフルオロメチルフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン５０．３部（０．１ｍｏｌ）と４，
４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシビフェニル２
１．６部（０．１ｍｏｌ）を用いた以外は、実施例１と
同様にして、ポリベンゾオキサゾール樹脂フィルムを作
製し、評価を行った。

【００３３】「比較例１」実施例１の２，２−ビス（３
−ヒドロキシ−４−アミノ−５−トリフルメチルオロフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン１００．５部（０．２
ｍｏｌ）の代わりに４，４’−ジアミノ−３，３’−ジ
ヒドロキシビフェニル４３．２部（０．２ｍｏｌ）を、
また、４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフ
ェニル−１，１’−ジカルボン酸クロリド８４．６部
（０．２ｍｏｌ）の代わりに上記同様にして得た４，
４’−オキシジフェニル−１，１’−ジカルボン酸クロ
リド５９．０部（０．２ｍｏｌ）を用いた以外は、実施
例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール樹脂フィル
ムを作製し、評価を行った。

【００３４】「比較例２」実施例１の２，２−ビス（３
−ヒドロキシ−４−アミノ−５−トリフルオロメチルフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン１００．５部（０．２
ｍｏｌ）の代わりに２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン４３．３部
（０．２ｍｏｌ）を、また、４，４’−ヘキサフルオロ
イソプロピリデンジフェニル−１，１’−ジカルボン酸
クロリド８４．６部（０．２ｍｏｌ）の代わりに上記同
様にして得た４，４’−オキシジフェニル−１，１’−
ジカルボン酸クロリド５９．０部（０．２ｍｏｌ）を用
いた以外は、実施例１と同様にして、ポリベンゾオキサ
ゾール樹脂フィルムを作製し、評価を行った。また、得
られた前駆体についても、実施例１と同様にして、数平
均分子量（Ｍｎ）を求めたところ、２５，０００であ
り、ＰＣＴ処理後のフッ素発生量は４ｐｐｍであった。

【００３５】「比較例３」２，２’−ビス（４−アミノ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン（セントラル硝子
（株）製）６６．９部（０．２ｍｏｌ）を、乾燥したＮ
−メチル−２−ピロリドン２０部に溶解し、乾燥窒素
下、１０℃で、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１０部にヘ
キサフルオロイソプロピリデン−２，２’−ビスフタル
酸無水物（ダイキン工業（株）製）８８．８部を溶解し
たものを、３０分掛けて滴下した。滴下終了後、室温ま
で戻し、室温で２時間攪拌した。その後、反応液を蒸留
水１０００ｍｌに滴下し、沈殿物を集め、乾燥すること
によりポリイミド前駆体を得た。このポリイミド前駆体
をＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解しワニスとした
後、実施例１の樹脂フィルム作製の操作と同様にして、
ポリイミド樹脂フィルムを作製し、評価を行った。

【００３６】「比較例４」実施例１の２，２−ビス（３
−ヒドロキシ−４−アミノ−５−トリフルオロメチルフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン１００．５部（０．２
ｍｏｌ）の代わりに２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシ−５−トリフルオロメチルフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン１００．５部（０．２ｍｏｌ）を用いた
以外は、実施例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾー
ル樹脂フィルムを作成し、評価を行った。また、得られ
た前駆体についても実施例１と同様にして、数平均分子
量（Ｍｎ）を求めたところ、２７，０００であり、ＰＣ
Ｔ処理後のフッ素発生量は８，０００ｐｐｍであった。

【００３７】実施例と比較例での評価結果を表１に示
す。

【００３８】

【表１】

【００３９】誘電率：ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準拠し、周
波数１ＭＨｚで、ヒューレット パッカード社製ＨＰ−
４２８４Ａ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ ＬＣＲ メーターを
用いて測定を行った。 耐熱性：セイコー電子工業（株）製ＴＧ／ＤＴＡ２２０
を用いて、窒素ガスフロー下、昇温速度１０℃／分で重
量減少５％の温度を測定した。 吸水率：温度８５℃、湿度８５％、２４時間後の吸水率
を重量法により測定した。

【００４０】表１の結果から、実施例１〜７のポリベン
ゾオキサゾール樹脂の実施例は、誘電率、耐熱性、吸水
率及び、ＰＣＴ処理後のフッ素発生量のいずれも良好な
結果を示した。しかし、比較例１〜２のポリベンゾオキ
サゾール樹脂は、実施例よりも高い誘電率となり、比較
例４では、高温加湿時で低い耐熱性を示し、比較例３の
ポリイミド樹脂は、誘電率、吸水率が劣ることを示し
た。以上の実施例から、本発明により、電気特性、熱特
性、低吸水性に優れたポリベンゾオキサゾール樹脂を得
られることが示される。

【００４１】

【発明の効果】本発明のポリベンゾオキサゾール樹脂及
びその前駆体は、電気特性、熱特性、機械特性、物理特
性のいずれにも優れ、しかも加湿時の耐熱性にも優れた
ものである。従って、電気特性、熱特性、機械特性、物
理特性が要求される様々な分野、例えば半導体用の層間
絶縁膜、保護膜、多層回路の層間絶縁膜、フレキシブル
銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、液晶配向
膜などとして有用である。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J043 PA02 PA14 PA19 PC065 PC145 QB15 QB33 RA52 SA06 SA54 SA71 SB01 SB02 TA47 TB01 TB02 UA122 UA131 UA132 UB061 UB062 UB122 UB402 VA012 VA021 VA022 VA032 VA052 VA071 VA072 VA092 VA101 VA102 XA04 XA16 YA06 ZA12 ZB47 ZB50

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（１）で表わされる繰り返し単位
   を有するポリベンゾオキサゾール前駆体。 【化１】 （式（１）中、ｎは２〜１０００までの整数を示す。Ｘ
   は２価の有機基を表す。）
2. 【請求項２】 一般式（２）で表される繰り返し単位を
   有するポリベンゾオキサゾール樹脂。 【化２】 （式（２）中、ｎは２〜１０００までの整数を示す。Ｘ
   は２価の有機基を表す。）