JP2004300136A - オキセタン化合物及びその製造方法 - Google Patents
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- VPHUNTBTZKPDOC-UHFFFAOYSA-N CCC1(COc(cc2)ccc2S(c(cc2)ccc2OCC2(CC)COC2)(=O)=O)COC1 Chemical compound CCC1(COc(cc2)ccc2S(c(cc2)ccc2OCC2(CC)COC2)(=O)=O)COC1 VPHUNTBTZKPDOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】 下記一般式(1)で表されるオキセタン化合物及びその製造方法であり、製造方法は、水酸化アルカリ金属、アルカリ金属水素化物又はアルカリ金属の存在下、下記一般式(2)で表されるビスフェノール化合物又はそのアルカリ金属のフェノラートと下記一般式(3)で表される化合物とを反応させることを特徴とする。
【化1】
(式中、R1及びR2はH又は炭素数1〜6のアルキル基を示し、R4はH又は炭素数1〜6のアルキル基を示し、R3は-S-、-O-、-SO2-又は-C(R6R7)-を示す。R6、R7はH又は炭素数1〜9のアルキル基又はフェニル基を示すが、両者が結合して5〜6員環の2価のシクロアルカン基を形成してもよい。ただし、R6、R7は同時にHではない。R5はRSO3 -又はハロゲンを示し、Rはアルキル基又はアリール基を示す)
【選択図】 なし
Description
本発明のオキセタン化合物は、前記一般式(1)で表される化合物であり、R1、R2及びR4は独立して、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を示し、R3は-S-、-O-、-SO2-又は-C(R6R7)-のいずれか2価の基を示す。ここで、R6、R7は独立に水素原子又は炭素数1〜9のアルキル基又はフェニル基を示すが、両者が結合して5〜6員環の2価のシクロアルカン基を形成してもよい。この場合、-C(R6R7)-のC原子は環構成炭素原子の一つとなることが好ましい。また、R6、R7は同時に水素原子ではない。なお、アルキル基が炭素数3以上である場合は、直鎖又は分岐アルキル基であることができる。
好ましい-C(R6R7)-としては、下記式a)、 b)、 c) 又は d)で表される2価の基がある。
本発明のオキセタン化合物の製造方法に使用されるビスフェノール化合物は、一般式(2)で表される化合物であり、もう一つの原料は一般式(3)で表される化合物である。R5はRSO3 -又はハロゲンを示し、Rはアルキル基又はアリール基を示す。そして、一般式(2)及び(3)において、R1〜R4は一般式(1)のR1〜R4と同じ意味を有する。R1及びR2は好ましくは、水素、メチル又はエチルであり、R3は好ましくは、-S-、-O-、-SO2-又は上記式a)、b)、c)又はd)で表される2価の基である。R4は好ましくは、炭素数1〜4のアルキル基である。R5がハロゲンである場合のハロゲンとしては、塩素、臭素が好ましく、RSO3 -である場合のRとしては、メチルのような炭素数1〜6のアルキル基、p-トルイルのような炭素数1〜6のアルキル基が置換してもよいフェニル基が好ましい。
製造方法1)は、水酸化アルカリ金属、アルカリ金属水素化物又はアルカリ金属(以下、これらをアルカリと総称することがある)の存在下、上記一般式(2)で表されるビスフェノール化合物と一般式(3)で表される化合物とを反応させる方法である。
製造方法2)は、一般式(2)で表されるビスフェノール化合物を水酸化アルカリ金属、アルカリ金属水素化物又はアルカリ金属と反応させ、フェノラートを調製した後、一般式(3)で表される化合物とを反応させる方法である。
滴下ロート、攪拌装置及び冷却管を備えた内容積100mlの三つ口丸底フラスコに、4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル0.303g(0.0015mol)、水酸化ナトリウム0.144g(0.0036mol)、ジメチルスルホキシド4ml及び水1mlを入れて、100℃のオイルバス中で1hr攪拌し、加熱溶解し、フェノラートを調製した。
内容積100mlの三つ口丸底フラスコに、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルフィド0.327g(0.0015mol)、水酸化ナトリウム0.144g(0.0036mol)、ジメチルスルホキシド5ml及び水1mlを入れて、100℃のオイルバス中で1hr攪拌し、加熱溶解し、フェノラートを調製した。
次いで、得られたフェノラート含有混合液に、上記式(12)で示される化合物0.973g(0.0036mol)を、攪拌下、滴下ロートにより10分間で滴下した。その後、100℃のオイルバス中で1.5hr攪拌した。
攪拌終了後、室温まで冷却した反応液を水100mlとトルエン50mlを用いて反応混合物を水層と有機層に分離した。この有機層を2wt%のNaOH水溶液50mlで3回洗浄し、更に水50mlで3回洗浄し、溶媒を留去することにより白色固体0.538gを得た。
内容積100mlの三つ口丸底フラスコに、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン0.375g(0.0015mol)、水酸化ナトリウム0.144g(0.0036mol)、ジメチルスルホキシド4,5ml及び水0.5mlを入れて、100℃のオイルバス中で1hr攪拌し、加熱溶解し、フェノラートを調製した。
次いで、得られたフェノラート混合液に、上記式(12)で示される化合物0.973g(0.0036mol)を、攪拌下、滴下ロートにより10分間で滴下した。その後、100℃のオイルバス中で1.5hr攪拌した。
攪拌終了後、室温まで冷却した反応液を水100mlとトルエン50mlを用いて水層と有機層に分離した。この有機層を2wt%のNaOH水溶液50mlで3回洗浄し、更に水50mlで3回洗浄し、溶媒を留去することにより白色固体0.58gを得た。
内容積100mlの三つ口丸底フラスコに、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン0.403g(0.0015mol)、水酸化ナトリウム0.144g(0.0036mol)、ジメチルスルホキシド5ml、及び水0.5mlを入れて、100℃のオイルバス中で1hr攪拌し、加熱溶解し、フェノラートを調製した。
次いで、得られたフェノラートに、上記式(12)で示される化合物0.973g(0.0036mol)を、攪拌下、滴下ロートにより10分間で滴下した。その後、100℃のオイルバス中で1.5hr攪拌した。
攪拌終了後、室温まで冷却した反応液を水100mlとトルエン50mlを用いて水層と有機層に分離した。この有機層を2wt%のNaOH水溶液50mlで3回洗浄し、更に水50mlで3回洗浄し、溶媒を留去することにより白色固体0.646gを得た。
内容積100mlの三つ口丸底フラスコに、4,4’−(1−α−メチルベンジリデン)ビスフェノール[別名:α,α-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-エチルベンゼン]0.436g(0.0015mol)、水酸化ナトリウム0.144g(0.0036mol)、ジメチルスルホキシド7ml、及び水1mlを入れて、100℃のオイルバス中で1hr攪拌し、加熱溶解し、フェノラートを調製した。
次いで、得られたフェノラートに、上記式(12)で示される化合物0.973g(0.0036mol)を、攪拌下、滴下ロートにより10分間で滴下した。その後、100℃のオイルバス中で1.5hr攪拌した。
攪拌終了後、室温まで冷却した反応液を水100mlとトルエン50mlを用いて分液ロートに移し、その混合物を水層と有機層に分離した。この有機層を2wt%のNaOH水溶液50mlで3回洗浄し、更に水50mlで3回洗浄し、溶媒を留去することにより白色固体0.719gを得た。
内容積100mlの三つ口丸底フラスコに、4、4’−デシリデンビスフェノール[別名:1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-デカン]0.49g(0.0015mol)、水酸化ナトリウム0.144g(0.0036mol)、ジメチルスルホキシド7ml、及び水1mlを入れて、100℃のオイルバス中で1hr攪拌し、加熱溶解し、フェノラートを調製した。
次いで、得られたフェノラートに、上記式(12)で示される化合物0.973g(0.0036mol)を、攪拌下、滴下ロートにより10分間で滴下した。その後、100℃のオイルバス中で1.5hr攪拌した。
攪拌終了後、室温まで冷却した反応液を水100mlとトルエン50mlを用いて分液ロートに移し、その混合物を水層と有機層に分離した。この有機層を2wt%のNaOH水溶液50mlで3回洗浄し、更に水50mlで3回洗浄し、溶媒を留去することにより白色固体0.80gを得た。
内容積100mlの三つ口丸底フラスコに、4,4’−(2−エチルヘキシリデン)ビスフェノール[別名:1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-2-エチルヘキサン]0.448g(0.0015mol)、水酸化ナトリウム0.144g(0.0036mol)、ジメチルスルホキシド7ml、及び水1mlを入れて、100℃のオイルバス中で1hr攪拌し、加熱溶解し、フェノラートを調製した。
次いで、得られたフェノラートに、上記式(12)で示される化合物0.973g(0.0036mol)を、攪拌下、滴下ロートにより10分間で滴下した。その後、100℃のオイルバス中で1.5hr攪拌した。
攪拌終了後、室温まで冷却した反応液を水100mlとトルエン50mlを用いて分液ロートに移し、その混合物を水層と有機層に分離した。この有機層を2wt%のNaOH水溶液50mlで3回洗浄し、更に水50mlで3回洗浄し、溶媒を留去することにより白色固体0.74gを得た。
Claims (3)
- 請求項1記載のオキセタン化合物を製造する方法において、水酸化アルカリ金属、アルカリ金属水素化物又はアルカリ金属の存在下、下記一般式(2)で表されるビスフェノール化合物と、下記一般式(3)で表される化合物とを反応させることを特徴とするオキセタン化合物の製造方法。
- 請求項2に記載のオキセタン誘導体の製造方法における一般式(2)で表されるビスフェノール化合物を、水酸化アルカリ金属、アルカリ金属水素化物又はアルカリ金属でアルカリ金属のフェノラートとしたのち、一般式(3)で表される化合物とを反応させることを特徴とするオキセタン化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004014820A JP4531410B2 (ja) | 2003-03-17 | 2004-01-22 | オキセタン化合物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003072053 | 2003-03-17 | ||
JP2004014820A JP4531410B2 (ja) | 2003-03-17 | 2004-01-22 | オキセタン化合物及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004300136A true JP2004300136A (ja) | 2004-10-28 |
JP4531410B2 JP4531410B2 (ja) | 2010-08-25 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4531410B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007070326A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Nitto Denko Corp | オキセタン環を有するビス(ヒドロキシフェニル)アルカン誘導体およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路 |
JP2007070319A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Nitto Denko Corp | オキセタン化合物の製法 |
JP2007070325A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Nitto Denko Corp | オキセタン環を有するビス(ヒドロキシフェニル)アルキルベンゼン誘導体およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路 |
JP2007070321A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Nitto Denko Corp | ビスオキセタンエーテル化合物およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路 |
JP2007191431A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Nitto Denko Corp | アダマンタン構造を有するビスオキセタンエーテル化合物およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路 |
JP2007302581A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Nitto Denko Corp | ビスオキセタン化合物およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路 |
JP2011089127A (ja) * | 2010-12-03 | 2011-05-06 | Nitto Denko Corp | 光導波路形成用樹脂組成物およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路 |
JP2011089128A (ja) * | 2010-12-03 | 2011-05-06 | Nitto Denko Corp | 光導波路形成用樹脂組成物およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1021858B (de) * | 1956-12-14 | 1958-01-02 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung aromatischer Oxacyclobutanderivate |
DE1112830B (de) * | 1956-12-14 | 1961-08-17 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von hochmolekularen vernetzten Kunststoffen |
JPH0717958A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-20 | Rensselaer Polytechnic Inst | オキセタン化合物 |
JPH08245783A (ja) * | 1995-02-22 | 1996-09-24 | Heraeus Kulzer Gmbh | 重合性化合物の使用 |
JP2002020376A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-23 | Toagosei Co Ltd | オキセタン環を有するテトラメチルジフェニルメタン誘導体の製造方法およびオキセタン環を有するテトラメチルジフェニルメタン誘導体 |
JP2002080581A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-19 | Toagosei Co Ltd | オキセタン環を有するメチレンビスフェノール誘導体混合物 |
JP2002322268A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-08 | Toagosei Co Ltd | 多官能オキセタン化合物と環状カルボン酸無水物からなるオキセタン樹脂の製造方法 |
JP2003012662A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-15 | Toagosei Co Ltd | オキセタン環を有する2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン誘導体 |
JP2003081958A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Toagosei Co Ltd | オキセタン環を有するジフェニルスルフィド誘導体 |
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2004
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1021858B (de) * | 1956-12-14 | 1958-01-02 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung aromatischer Oxacyclobutanderivate |
DE1112830B (de) * | 1956-12-14 | 1961-08-17 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von hochmolekularen vernetzten Kunststoffen |
JPH0717958A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-20 | Rensselaer Polytechnic Inst | オキセタン化合物 |
JPH08245783A (ja) * | 1995-02-22 | 1996-09-24 | Heraeus Kulzer Gmbh | 重合性化合物の使用 |
JP2002020376A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-23 | Toagosei Co Ltd | オキセタン環を有するテトラメチルジフェニルメタン誘導体の製造方法およびオキセタン環を有するテトラメチルジフェニルメタン誘導体 |
JP2002080581A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-19 | Toagosei Co Ltd | オキセタン環を有するメチレンビスフェノール誘導体混合物 |
JP2002322268A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-08 | Toagosei Co Ltd | 多官能オキセタン化合物と環状カルボン酸無水物からなるオキセタン樹脂の製造方法 |
JP2003012662A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-15 | Toagosei Co Ltd | オキセタン環を有する2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン誘導体 |
JP2003081958A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Toagosei Co Ltd | オキセタン環を有するジフェニルスルフィド誘導体 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007070326A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Nitto Denko Corp | オキセタン環を有するビス(ヒドロキシフェニル)アルカン誘導体およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路 |
JP2007070319A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Nitto Denko Corp | オキセタン化合物の製法 |
JP2007070325A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Nitto Denko Corp | オキセタン環を有するビス(ヒドロキシフェニル)アルキルベンゼン誘導体およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路 |
JP2007070321A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Nitto Denko Corp | ビスオキセタンエーテル化合物およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路 |
JP4664165B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2011-04-06 | 日東電工株式会社 | ビスオキセタンエーテル化合物およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路、光導波路形成用樹脂組成物 |
JP2007191431A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Nitto Denko Corp | アダマンタン構造を有するビスオキセタンエーテル化合物およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路 |
JP2007302581A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Nitto Denko Corp | ビスオキセタン化合物およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路 |
JP2011089127A (ja) * | 2010-12-03 | 2011-05-06 | Nitto Denko Corp | 光導波路形成用樹脂組成物およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路 |
JP2011089128A (ja) * | 2010-12-03 | 2011-05-06 | Nitto Denko Corp | 光導波路形成用樹脂組成物およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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