JP2004282046A - リソグラフィ装置の構成要素表面の汚染を測定する方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】リソグラフィ投影装置の構成要素の表面における汚染を測定する方法および装置を提供する。
【解決手段】リソグラフィ投影装置の構成要素表面の汚染を特定する測定装置を提供する。該測定装置は、前記表面の少なくとも一部に放射線を投影する放射線トランスミッタと、構成要素からの放射線を受光する放射線レシーバとを有する。そしてプロセッサが放射線レシーバに通信接続され、受光放射線の特性を得て、この放射線特性から汚染の特性を得る。また、リソグラフィ投影装置の構成要素表面の汚染の特性を測定する方法も提供する。該方法は、表面に放射線を投影するステップと、構成要素からの放射線を受光するステップと、受光放射線から汚染の特性を得るステップとを備える。
【選択図】図1
【解決手段】リソグラフィ投影装置の構成要素表面の汚染を特定する測定装置を提供する。該測定装置は、前記表面の少なくとも一部に放射線を投影する放射線トランスミッタと、構成要素からの放射線を受光する放射線レシーバとを有する。そしてプロセッサが放射線レシーバに通信接続され、受光放射線の特性を得て、この放射線特性から汚染の特性を得る。また、リソグラフィ投影装置の構成要素表面の汚染の特性を測定する方法も提供する。該方法は、表面に放射線を投影するステップと、構成要素からの放射線を受光するステップと、受光放射線から汚染の特性を得るステップとを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、リソグラフィ投影装置内にある構成要素の表面の汚染を測定する方法に関する。また本発明は、リソグラフィ投影装置に関する。さらに本発明は、デバイス製造方法およびコンピュータプログラム製品に関する。
本明細書において使用する「パターニング手段」という用語は、入射する放射線ビームに、基板の目標部分に形成されるパターンに対応するパターン化された断面を与えるために用いることができる手段を指すものとして広義に解釈されるべきである。「ライトバルブ」という用語もこの意味で使用することができる。一般的に、上記パターンは、集積回路または他のデバイス(下記の説明を参照)などの目標部分に形成中のデバイスの特定の機能層に対応する。このようなパターニング手段としては下記のものがある。
−マスク。マスクの概念は、リソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスクや減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。放射線ビーム内にこのようなマスクを置くと、マスク上のパターンにより、マスク面に当たる放射線が選択的に透過(透過性マスクの場合)または選択的に反射(反射性マスクの場合)される。あるマスクの場合には、それに対応する支持構造は、一般的に、確実にマスクを入射放射線ビーム内の所望する位置に保持することができ、必要に応じて、ビームに対してマスクを移動することができるようなマスクテーブルである。
−プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例としては、粘弾性制御層および反射面を有するマトリクスアドレス可能面がある。このようなデバイスの基本的原理は、(例えば)反射面のアドレスされた領域が入射光を回折光として反射するが、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するといったことである。適切なフィルタを使用することにより、反射ビームから上記の非回折光をろ過して回折光だけを後に残すことができる。このようにして、ビームは、マトリックスアドレス可能面のアドレスパターンに従ってパターン形成される。プログラマブルミラーアレイの他の実施形態は小さな複数のミラーのマトリックス配列を用いる。そのミラーの各々は、適した局部電界を加えることにより、または圧電作動手段を用いることにより、軸を中心に個々に傾けられている。この場合も、ミラーはマトリクスアドレス可能であり、それによりアドレスされたミラーはアドレスされていないミラーとは異なる方向に入射放射線ビームを反射する。このようにして、反射されたビームは、マトリックスアドレス可能なミラーのアドレスパターンに従ってパターン形成される。必要とされるマトリックスアドレス指定は、適切な電子手段用いて実行される。上述の両方の状況において、パターニング手段は、1つ以上のプログラマブルミラーアレイから構成可能である。ここで参照したミラーアレイに関するより詳細な情報は、例えば、米国特許第5,296,891号、米国特許第5,523,193号、PCT特許出願WO98/38597号およびWO98/33096号から得られので、その内容を参照されたい。プログラマブルミラーアレイの場合、上記支持構造は、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、必要に応じて固定式もしくは移動式となる。
−プログラマブルLCDアレイ。このような構造の一例は、米国特許第5,229,872号に記載されており、その内容を参照されたい。すでに説明したように、この場合の支持構造も、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、必要に応じて固定式もしくは移動式となる。
説明を簡単にするために、以降の本文には、マスクおよびマスクテーブルを含む例についての具体的な説明に重点を置いた箇所があるが、こうした例において論じられる一般的な原理は、すでに述べたようなパターニング手段のより広範な状況において理解されるべきである。
リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路(IC)の製造の際に使用することができる。このような場合、パターニング手段はICの個々の層に対応する回路パターンを形成し、そして、このパターンを、放射線感光材料(レジスト)の層でコーティングされた基板(シリコンウェハ)上の目標部分(例えば、1つ以上のダイを含む)に像形成することができる。一般的に、1つのウェハは、投影システムにより1つずつ連続的に照射される隣接目標部分の全ネットワークを含む。1つのマスクテーブル上の1つのマスクによりパターン形成を行う現在の装置の場合、異なる2つのタイプのマシンに区分される。リソグラフィ投影装置の一タイプでは、1回の動作で目標部分上に全マスクパターンを露光することにより各目標部分が照射される。このような装置は、通常、ウェハステッパまたはステップアンドリピート装置と呼ばれる。一般に、ステップアンドスキャン装置と呼ばれる別の装置では、所定の基準方向(「走査」方向)の投影ビーム下で、マスクパターンを順次走査すると共に、この方向に平行または反平行に基板テーブルを同期走査することにより、各目標部分が照射される。一般的に、投影システムは倍率係数M(一般的に、1より小さい)を有しているので、基板テーブルが走査される速度Vは、マスクテーブルが走査される速度のM倍の率となる。ここに記載したリソグラフィデバイスについてのより詳細な情報は、例えば、米国特許第6,046,792号を参照されたい。
リソグラフィ投影装置を使用する製造工程において、パターン(例えば、マスクにおける)は、放射線感光材料(レジスト)の層で少なくとも一部が覆われている基板上に像形成される。この像形成ステップを行う前に、プライミング、レジストコーティングおよびソフトベークといった各種処置が基板に対して施される。露光後、露光後ベーク(PEB)、現像、ハードベークおよび像形成特性の測定/検査といった他の各種処置が基板に対して施される。このような一連の処置は、例えば、ICのようなデバイスの個々の層をパターン形成する際の基礎として使用される。次に、このようにパターン化された層は、エッチング、イオン注入(ドーピング)、メタライゼーション、酸化、化学機械的研磨といった各種プロセスを経る。これらすべてのプロセスは、個々の層を仕上げるためのものである。数枚の層が必要な場合には、全処置またはその変形処置を新しい各層ごとに繰り返す必要がある。最終的に、デバイスのアレイが基板(ウェハ)上に形成される。次に、これらのデバイスは、ダイシングやソーイングといった技術により互いに分離される。それにより、個々のデバイスは、キャリアに装着されたり、ピンに接続されたりする。このようなプロセスに関するより詳細な情報は、1997年にマグローヒル出版社より刊行された、Peter van Zant著、「マイクロチップ製造:半導体処理に対する実用ガイド」(“Microchip Fabrication:A Practical Guide to Semiconductor Processing”)の第3版、ISBN0−07−067250−4に記載されているので参照されたい。
説明を簡単にするために、以降、投影システムを「レンズ」と称する場合もある。しかし、この用語は、例えば、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系を含む各種タイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。放射線システムは、放射線の投影ビームの誘導、成形、あるいは制御のためのこれら設計タイプのいずれかに応じて動作する構成要素も備える場合がある。そして、これら構成要素を、以下の説明においては、集約的に、あるいは単独で「レンズ」と称する場合もある。さらに、リソグラフィ装置は、2つ以上の基板テーブル(および、または2つ以上のマスクテーブル)を有するタイプのものであってもよい。このような「多段」装置では、追加のテーブルを並列に使用したり、あるいは、1つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に、1つ以上のテーブルで予備行程を実行する。二段リソグラフィ装置については、例えば、米国特許第5,969,441号および国際特許出願WO98/40791号に記載されているので参照されたい。
IC製造における本発明に係わる装置の使用について、本文では具体的に言及がなされているかもしれないが、このような装置には多くの他の用途可能性があることをはっきりと理解されたい。例えば、本発明の装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の案内および検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いることができる。当業者であれば、このような代わりの用途の状況では、「レチクル」、「ウェハ」または「ダイ」のような用語を、それぞれもっと一般的な用語である「マスク」、「基板」および「目標部分」に置き換えて考えるべきであることは理解されるだろう。
本明細書において、「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームまたは電子ビームのような粒子ビームのみならず、紫外線(UV)(例えば、365、248、193、157または126nmの波長の)や極紫外線(EUV)(例えば、5〜20nmの範囲の波長を有する)を含むすべてのタイプの電磁放射線を網羅するのに用いられる。
一般的に、リソグラフィ投影装置の構成要素の表面は使用中に汚染される。たとえ装置の大部分が真空中で動作するとしても、例えば、常に装置内に存在する炭化水素分子が原因で汚染される。一般にEUVリソグラフィ投影装置が密閉された真空システムであることに留意されたい。以下の物質のみに限定されるわけではないが、ヘキサメチルジシラザン、あるいは酸化ケイ素などの他のケイ素含有物質の放射線分解によって生じる反応物等、他の物質によって汚染が生じることもある。特に、DUVまたはEUVを使用する装置では、炭化水素分子の放射線分解が原因で、構成要素が炭素含有物質に汚染される場合もある。
特に、ミラーなどのリソグラフィ投影装置の光学構成要素が汚染されると、光学構成要素の光学特性に影響するため、装置の性能に悪影響を及ぼす。例えば、光学構成要素が汚染すると、放射線の吸収が増進して構成要素を加熱することになり、反射率および透過性が低下して波面エラーをもたらす。この結果、光学素子の寿命が短くなる。EUV放射線を使用する場合には、光学構成要素の汚染が特に問題となる。なぜなら、放射線汚染、例えば炭素の放射線汚染が、照射領域の大部分、すなわち光学構成要素の近くで発生するからである。
従って、汚染の制御および知識が求められる。
本発明の一般的な目的は、リソグラフィ投影装置の構成要素の表面における汚染を測定する方法を提供することである。従って、本発明は請求項1に記載の方法を提供する。
受光された放射線は少なくとも部分的に汚染の影響を受けるため、このような方法により少なくとも1つの汚染特性を測定できる。
さらに、本発明は請求項24に記載のリソグラフィ投影装置を提供する。本発明のさらに別の態様によれば、請求項25に記載のデバイス製造方法が提供される。さらにまた、本発明は請求項26に記載のコンピュータプログラム製品を提供する。このような装置、方法およびプログラムによりリソグラフィ投影装置の表面の汚染の特性を測定することができる。
本発明の具体的な実施形態は従属請求項に記載される。以下、本発明のさらなる詳細、態様および実施形態について、ほんの一例としてではあるが、添付図を参照して説明する。
図1は本発明に係わるリソグラフィ投影装置1の一実施形態の例を概略的に表す。通常、リソグラフィ投影装置1は、放射線(例えば、UVまたはEUV)の投影ビームPBを供給するための放射線システムEx、ILを備える。この特定の場合に限れば、放射線システムは、放射線源LAと、マスクMA(例えば、レチクル)を保持するためのマスクホルダーを備え、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段PMに接続される第1のオブジェクトテーブル(マスクテーブル)MTと、基板W(例えば、レジストでコーティングされたシリコンウェハ)を保持するための基板ホルダーを備え、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段PWに接続される第2のオブジェクトテーブルWTと、マスクMAの照射部分を基板Wの目標部分C(例えば、1つまたはそれ以上のダイを備える)に像形成する投影システム(「レンズ」)PL(例えば、ミラーグループ)とを備える。
ここに表されるように、該装置は反射タイプのものである(すなわち反射性マスクを有する)。しかし、一般には、例えば(透過性マスクを有する)透過タイプのものであってもよい。またその代わりに、該装置は、上述したようなある種のプログラマブルミラーアレイ等、別種のパターニング手段を用いてもよい。
放射線源LA(例えば、水銀ランプ、エキシマレーザー、蓄積リングまたはシンクロトロン内の電子ビームの経路周辺に設置されるアンジュレータまたはウィグラー、レーザー生成プラズマ、あるいはそれ以外のもの)は、放射線ビーム、この例では極紫外線を生成する。このビームは、直接、あるいは、例えばビームエキスパンダーExといったようなコンディショニング手段を横断した後に照明システム(照明装置)ILに送られる。照明装置ILは、ビームにおける強度分布の外部および、または内部の放射状の広がり(通常、それぞれσアウタおよびσインナと呼ばれる)を設定する調整手段AMを備えるかもしれない。さらに、照明装置は、一般的に、積分器INおよびコンデンサCOといったような、他のさまざまな構成要素を備える。このようにして、マスクMAに入射するビームPBは、その断面において所望の均一性と輝度分布とを有する。
なお、図1の場合、放射線源LAは、リソグラフィ投影装置のハウジング内にある(これは例えば放射線源が水銀ランプである場合に多い)が、リソグラフィ投影装置から離れていてもよい。この場合、放射線源が発生する放射線ビームは、(例えば、適した誘導ミラーにより)装置内に導かれる。この後者のシナリオでは、放射線源LAがエキシマレーザーである場合が多い。本発明および請求項はこれら両方のシナリオを網羅するものである。
続いて、ビームPBは、マスクテーブルMT上に保持されているマスクMAを入射する。そして、ビームPBはマスクMAにより選択的に反射され、投影システムPLを通過し、基板Wの目標部分C上にビームPBの焦点を結ぶ。第2の位置決め手段(および干渉計測定手段IF)により、例えばビームPBの経路内の異なる目標部分Cの位置を定めるために、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、例えば、マスクライブラリからマスクMAを機械的に検索した後に、あるいは走査中に、ビームPBの経路に対してマスクMAの位置を正確に定めるために第1の位置決め手段PMを使用することができる。通常、オブジェクトテーブルMT、WTの移動は、図1に明示されていないが、ロングストロークモジュール(粗位置決め)、およびショートストロークモジュール(微動位置決め)にて行われる。しかし、ウェハステッパの場合(ステップアンドスキャン装置とは対照的に)、マスクテーブルMTは、ショートストロークアクチュエータに連結されるだけか、あるいは固定されるだけである。マスクMAおよび基板Wの位置合わせは、例えばマスク線列マークM1、M2および基板線列マークP1、P2を用いてなされる。
図示の装置は、以下の2つの異なるモードにて使用可能である。
1.ステップモードの場合には、マスクテーブルMTは基本的に静止状態に保たれている。そして、マスク像全体が1回で(すなわち、1回の「フラッシュ」で)目標部分Cに投影される。次に、異なる目標部分CをビームPBで照射することができるように、基板テーブルWTがxおよび、またはy方向にシフトされる。
2.走査モードの場合、所定の目標部分Cが1回の「フラッシュ」では露光されない点を除き、本質的に同じシナリオが適用される。ここでは、1回の「フラッシュ」に代わり、マスクテーブルMTが速度vで所定方向(いわゆる「走査方向」、例えばy方向)に移動可能なので、投影ビームPBがマスク像を走査することになる。これと同時に、基板テーブルWTが速度V=Mvで同じ方向または反対方向に移動する。ここで、MはレンズPLの倍率(通常、M=1/4または1/5)である。このように、解像度を犠牲にすることなく比較的広い目標部分Cを露光することができる。
1.ステップモードの場合には、マスクテーブルMTは基本的に静止状態に保たれている。そして、マスク像全体が1回で(すなわち、1回の「フラッシュ」で)目標部分Cに投影される。次に、異なる目標部分CをビームPBで照射することができるように、基板テーブルWTがxおよび、またはy方向にシフトされる。
2.走査モードの場合、所定の目標部分Cが1回の「フラッシュ」では露光されない点を除き、本質的に同じシナリオが適用される。ここでは、1回の「フラッシュ」に代わり、マスクテーブルMTが速度vで所定方向(いわゆる「走査方向」、例えばy方向)に移動可能なので、投影ビームPBがマスク像を走査することになる。これと同時に、基板テーブルWTが速度V=Mvで同じ方向または反対方向に移動する。ここで、MはレンズPLの倍率(通常、M=1/4または1/5)である。このように、解像度を犠牲にすることなく比較的広い目標部分Cを露光することができる。
図2は、図1のリソグラフィ投影装置1の例に使用できる投影光学システムPLの一例および放射線システム2の一例を示す。放射線システム2は、照明光学ユニット4を有する照明システムILを備える。また、放射線システム2は、ソース-コレクタモジュールまたは放射線ユニット3を備えていてもよい。放射線ユニット3は、例えば放電プラズマ、レーザー生成プラズマ、あるいはそれ以外のものによって生成され得る放射線源LAを備えている。放射線源LAはXeガスまたはLi蒸気のようなガスまたは蒸気を用い、これらのガスまたは蒸気中でかなり高温のプラズマが生成され、電磁スペクトルのEUV領域の放射線を放出するようにしてもよい。放電の部分的にイオン化されたプラズマを光軸O上で崩壊させることによって高温プラズマが生成される。しかし、高温プラズマは異なる軸上での崩壊によっても同様に生成され得る。十分な放射線を生成するためには、分圧が0.1mbのXeガス、Li蒸気、あるいは他に適した任意のガスや蒸気が必要かもしれない。放射線源LAから放出された放射線は、ガスバリア構造、すなわち「金属箔トラップ」9を経由し、ソースチャンバ7からコレクタチャンバ8へと渡される。ガスバリア構造は、例えばヨーロッパ特許出願公報EP−A−1233468号およびEP−A−1057079号で詳述されているようなチャンネル構造を備えている。詳細はこれら文献を参照されたい。
コレクタチャンバ8は、微小角入射線コレクタによって形成される本発明による放射線コレクタ10を備える。コレクタ10を通過した放射線は格子スペクトルフィルタ11で反射され、コレクタチャンバ8内のアパーチャの仮想ソースポイント12に焦点を結ぶ。そしてチャンバ8から出て、投影ビーム16は照明光学ユニット4内で垂直入射リフレクタ13、14により反射されて、レチクルすなわちマスクテーブルMT上に配置されたレチクルすなわちマスクに達する。こうしてパターン化されたビーム17が形成され、投影光学システムPL内で反射要素18、19を経由し、ウェハステージすなわち基板テーブルWTに像形成される。一般に、照明光学ユニット4および投影システムPLには図示されたものよりも多くの要素がある。
図1および図2に図示されるように、リソグラフィ投影装置1は本発明による測定装置100の実例がいくつかある。測定装置100はレンズPLの表面の一部分をモニタし、表面の汚染の特性を1つ以上測定することができる。図3にさらに詳細に示すように、測定装置100は放射線トランスミッタ101および放射線レシーバ102を備える。さらに測定装置100は、放射線レシーバ102に通信接続されるプロセッサ103を有する。
図3において、放射線トランスミッタ101は、レンズPLの構成要素200の表面201の少なくとも一部に放射線104を照射することができる。また図3において、表面201は汚染物質の層202で汚染されている。放射線レシーバ102は表面201から放射線105を受光することができ、プロセッサ103は受光した放射線から汚染層202の特性を決定することができる。投影された放射線は、表面すなわちその汚染によって、何らかの面で変調されるため、レシーバで受光された受光放射線は被変調放射線となる。変調される態様は、例えば放射線の(相対)強度や散乱、反射方向、放射線の位相もしくは偏光、あるいは、例えば放射線の干渉性などの他の特性などであるが、本発明はそのうちの特定の態様に限定されるものではない。
一例であるが、図3の構成要素は多層ミラー200である。しかし、この構成要素は、例えば、マスク、微小角入射ミラー、DUVレンズ、センサ、あるいはその他のものといったリソグラフィ投影装置のその他の構成要素であってもよい。多層ミラー200は極紫外(EUV)リソグラフィ投影に特に適している。説明を簡単にするために、多層ミラーおよび投影システムについてこれ以上詳述しない。というのも、例えば米国特許第6,410,928号から、多層ミラーがリソグラフィ投影の分野では一般に知られているからである。また、多層ミラーを備えた投影システムについても、例えば国際特許公報WO2002/056114号からわかるように、リソグラフィ投影の分野では一般に知られている。
図3に示すように、EUV放射線300は多層ミラー200に投影される。同様に、投影放射線300はミラー200によって反射される。通常、放射線の入射角度は垂直入射に近く、微小角入射と約84度の角度の違いがある。EUV放射線に露光される表面201の一部では、炭水化物の放射線分解によって薄いC膜(層202)の成長が誘発される。従って、この例では汚染物が炭素含有物質であるとされる。しかし、汚染が、例えばフォトレジストやその他のものの放射線分解から生じる、例えばケイ素、酸化ケイ素や他の酸化物、あるいはその他のものといった異なる成分からなる場合もある。
同様に、汚染が樹枝状塩構造のような表面上で成長する塩生成物からなることもある。理論に束縛されずに考えると、このような塩構造はパージ空気中に極めて低濃度(100万のうち数個から10億のうち数個の範囲)で存在する耐熱性化合物に由来すると思われ、特別な浄化目的に使用される精製窒素にさえ存在する。酸素、水、アンモニアのような他の気体汚染要因物の存在と共に、照射により生じるシラン、硫酸塩、またはリン酸塩の化学(表面)反応は、基本的な分解メカニズムの基本的なものと考えられる。汚染結晶の成長と同じく核生成もGラインおよびIラインならびに深紫外線波長の放射線の露光中においてのみ生じると一般的に考えられている。
プロセッサ103はレシーバ102によって受光された放射線の1つ以上の特性を特定し、その放射線特性から1つ以上の汚染特性を得ることができる。例えば、プロセッサは、受光した放射線の量(相対的)、放射線の散乱や反射方向、放射線の位相もしくは偏光、あるいは放射線の干渉性といった放射線の他の特性を特定するようにしてもよい。
汚染特性とは、例えば、汚染の厚さや汚染物に存在する物質、あるいはその他のものである。汚染の厚さは、例えば、放射線トランスミッタ101によって投じられた放射線の強度と、放射線レシーバ102によって受光された放射線の強度の比から求められる。同様に、図8Aおよび図8Bを参照してより詳細に説明するように、プロセッサは、投じられた放射線と受光された放射線のスペクトルを互いに比較し、この比較から放射線中に存在する物質のタイプを得るようにしてもよい。
また、プロセッサ103が特定した特性値を基準値と比較するようにしてもよい。例えば、プロセッサ103が、求めた厚さを最大許容厚の所定値と比較し、求めた厚さがその所定値を超える場合に信号を出力するようにしてもよい。このように、自動的に汚染の検出を行うことができ、例えば装置の操作者に、表面201およびオプションとして装置の他の部分もクリーニングが必要であると警告を発することができる。同様に、プロセッサ103は表面が十分にクリーニングされたことを判断し、自動的にクリーニングを停止して過剰クリーニングを防止するようにしてもよい。ヨーロッパ特許出願第02080488.6号に記載されたクリーニング方法およびクリーニング装置を使用しても良い。詳細については、この特許出願を参照されたい。
図4には第二の例の測定装置100’が示される。該装置は放射線トランスミッタ101、第1の放射線レシーバ102、第2の放射線レシーバ107、およびプロセッサ103を備える。放射線トランスミッタ101から放出される放射線はビームスプリッタ106によって第1の放射線ビーム1041および第2の放射線ビーム1042に分割される。第1の放射線ビーム1041は構成要素200の表面201に投影され、表面201で反射されて第1の放射線レシーバ102に到達する。第2の放射線ビーム1042はビームスプリッタから第2の放射線レシーバ107へ向かう。
プロセッサ103は、第1の放射線レシーバ102で受光された放射線を表す信号と第2の放射線レシーバ107で受光された放射線を表す信号とを比較し、これら受光放射線の比から汚染の特性、例えば厚さを決定する。この比は強度すなわち波長の実際の値との相対関係がないため、強度すなわち波長の変化等、トランスミッタ101から放出される放射線の変動に測定が反応することはない。したがって、本発明に係わる測定装置内のトランスミッタおよび/または他の装置への電力供給に高出力安定の電源を使用してもよい。それによって、投じられる放射線の変動が減少され、投じられた放射線と受光された放射線のわずかな違いであっても求めることができ、非常に薄い層に対しても高感度を実現することができる。
本発明に係わる測定装置は、時間が経過しても実質的に一定に保たれる放射線を使用してもよい。しかし、測定装置は、例えば時とともに強度すなわち波長が変化する放射線のように、時間の経過に伴い変化する放射線を使用してもよい。測定装置は、例えば、ヘテロダイン測定装置であってもよい。一般に、ヘテロダイン式の方法または装置では、信号を異なる周波数の信号と混合し、適切な逆混合プロセスを経て元の信号を得ることができる。ヘテロダイン検出技術は信号処理の分野において一般に知られており、説明を簡潔にするために、詳細すべての説明は省略する。
このようなヘテロダイン測定装置は、例えば図4に示すようにして実現することができ、この例では、放射線トランスミッタ101は、時間変調されて振幅が変化する放射線を出力する変調放射線トランスミッタである。変調は、例えば、チョッパ、電気光学変調器、あるいはその他のものを使用し、トランスミッタに供給される電力を変化させることによって行われる。図4において、プロセッサ103はロックイン増幅器1031を備えるが、これは電子工学の分野では一般に知られており、説明を簡単にするために詳述は控える。ロックイン増幅器1031は放射線トランスミッタ101に通信接続される基準入力1032と、第1ならびに第2の放射線レシーバ102、107にそれぞれ通信接続される信号入力1033、1034とを有し、レシーバで受光された放射線を比較するプロセッサ103に設けられてもよい。図4に図示していないが、増幅器1031はさらに出力を有する。該出力は、プロセッサ103の他の構成要素に通信接続される。そして、フィルタにかけられた信号がロックイン増幅器1031の出力にあり、それぞれの放射線レシーバで受光され変調のために修正された放射線を表す。該信号はさらにプロセッサ103で処理され、厚さ、汚染の位置、あるいはその他のものといった1つ以上の汚染特性を特定するようにしてもよい。
本発明によるヘテロダイン測定装置は、ヘテロダイン式ではない測定装置と比べて高い感度を有し、例えばその感度は約1桁高い。さらに、本発明によるヘテロダイン測定装置は、散乱光のような背景放射には比較的反応しない。
本発明によるリソグラフィ装置は、本発明による測定装置を2つ以上有し、各測定装置に対して別々に放射線を変化させてもよいため、異なる測定装置間の混信を減らすことができる。例えば、本発明による測定装置を2つ以上使用する場合は、各装置が固有の変調周波数を有していてもよい。さらに、波長の異なる放射線を使用することもできる。変調周波数等のこのような違いを局所的に適用してもよい。例えば、1つの測定装置が2つ以上の構成要素の測定を行ってもよく、その場合、各構成要素は異なる周波数で変調された放射線で照明され、それによって各構成要素が別々にモニタされてもよい。同様に、測定装置が1つの構成要素の表面の異なる部分を異なる変調放射線で測定してもよい。
本発明による測定装置は、特定の用途に適した任意の方法で実現されてもよい。例えば、測定装置が、1つ以上の放射線トランスミッタおよび、または1つ以上の放射線レシーバを有していてもよい。トランスミッタおよびレシーバは、互いに類似したものでも異なるものでもよく、例えば適切なレシーバと共に、異なるタイプの放射線を提供する2つのトランスミッタを用いることができる。放射線トランスミッタは、光電気通信ネットワークシステムでしばしば利用されるように、例えばインジウムガリウムヒ素(InGaAs)レーザーダイオードを備えていてもよく、該ダイオードは一般に約1.5マイクロメータ、主に約1530nmの波長で動作する。このような放射線トランスミッタは比較的構造が単純で安価である。放射線レシーバは、例えば特定の放射線などを受けるのに適したフォトダイオードを備えていてもよい。また、トランスミッタは装置の投影システムの一部であってもよく、図5の例で示すように、例えば図1の例の放射線源LAが本発明による測定装置におけるトランスミッタとして用いられてもよい。
図5に示す本発明による測定装置の例は、2つの放射線レシーバ102、107を有しており、一方の放射線レシーバ102がトランスミッタ101から放射線を受け、他方のレシーバ107が放射線源LAから放射線300を受けることができる。この例において、放射線源LAはDUVまたはEUVを放出し、トランスミッタ101はDUVまたはEUV領域外の光学放射線を放出する。従って、レシーバ102、107は、表面で反射される放射線の異なる特性、すなわち反射放射線の異なる波長を測定する。図5の例において、トランスミッタ101および放射線源LAからの放射線は、多かれ少なかれ共に単色であると想定される。しかし、異なる波長の放射線を送出するトランスミッタを使用し、各々が異なる波長の放射線に反応する2つ以上の適したレシーバで放射線を受光することも同様に可能である。
本発明による装置または方法において、放射線は、例えば可視光、近赤外線(NIR)、赤外線(IR)、または遠赤外線(FIR)領域の電磁放射線であってもよい。この放射線はレーザー装置または広帯域光源によって生成されてもよい。これらの領域の放射線は、炭素含有物質を伴う汚染の厚さを特定するのに特に適している。炭素含有物質はこれらの領域の光を吸収するため、炭素含有物質を伴う汚染は結果として反射損失をきたし、正確な検出を行うことができる。さらに、レーザー光は平行単色、非破壊的で、高解像度の測定が可能となる。
図3および図4の例では、表面で反射された放射線は放射線レシーバによって検出される。そのため、光は汚染層を2度通過するので、測定装置は高い感度を有することになる。図3および図4の例では、トランスミッタおよびレシーバが構成要素に対して同じ側、例えば表面より上に配置される(トランスミッタおよびレシーバを表面より下に配置することも同様に可能である)。しかし、表面を通過する光から汚染特性を測定すること同様に可能であり、例えば、送出される光の強度の変化によって汚染層の厚さを測定することもできる。それによって、非反射性表面または透明な基板上の汚染の量を測定することもできるようになる。そして、トランスミッタおよび検出器すなわち放射線レシーバを異なる側に配置することもできる。例えば検出器を表面より下に、トランスミッタを表面より上に配置してもよいし、その逆でもよい。
一般に、本発明による装置において、本発明による測定装置または測定方法が装置の光学系の機能を妨害することはないので、汚染のオンライン分析、すなわち装置のスイッチをオフすることなく分析が可能となる。さらに、放射線がレーザー光である場合、例えば放射線が光学系の外側から、あるいは光学構成要素からある距離を置いたレーザー光源から送出され、光ファイバ経由で表面に導かれ、光学系における本発明による測定装置の構成要素を最小限にとどめるようにしてもよい。
光学放射線が使用される場合は、放射線トランスミッタを低電力レーザーダイオードで構成し、余分な熱負荷を防止するようにしてもよい。放射線トランスミッタの放射線を表面の広い範囲に投影することで、結果として表面積に対する放射出力量が低下し、それによって加熱を防止するようにしてもよい。また、測定時間を短くすることでこの問題を解決してもよい。炭素成長を測定する場合、(近)赤外線領域の光学放射で毎分1測定以下の測定速度であれば高精度に汚染プロセスをモニタするのに十分であることがわかった。しかし、本発明はこのような測定速度に限定されるものではなく、任意の適した測定方法を用いることができる。測定速度を変化させてもよい。例えば、2つ以上の異なる測定速度を用いることもできる。例えば、リソグラフィ投影装置の標準操作においては第1の測定速度を用い、例えば装置のクリーニングやメンテナンス中(あるいはメンテナンス直後)では第2の測定速度を用いてよい。例えば、第2の測定速度は第1の測定速度より速いかもしれない。例えば、第1の測定速度は毎分約1回であり、第2の測定速度は(半)連続的であってもよい。
本発明による測定装置または測定方法は、例えば放射線トランスミッタ101で表面の様々な部分を照射することによって、汚染の局所的な差を特定するために使用されてもよい。例えば、表面に対しトランスミッタを移動させるか、あるいは、例えば1つ以上のミラーを用いて表面に沿って放射線ビームを走査することによって異なる部分を照射することができる。装置が表面の様々な部分を照射する場合には、放射線ビームを複数の位置に向ける手段を設けてもよい。これを実現するのに適した手段を用いれば、表面は固定した状態に保ちつつ測定ビームを偏向させるか、あるいは表面に対し放射線トランスミッタを移動させたり、あるいは測定ビームは保持して表面を動かすか、あるいは複数の測定ビームを使用することなども可能となる。
図6は厚さが変化する炭素層で汚染された表面沿いの近赤外線(NIR)領域における相対反射率の実験結果を示す。図6のグラフで示される実験では、ダイオードレーザーを使用して波長が780nmの放射線を投影し、4〜7nmの範囲の厚さの炭素層に関して、EUVミラーに対して入射角度が45度の光の反射を測定した。この実験では反射ビームを直接測定した。すなわちヘテロダイン検出ではない。炭素層を伴わない領域での反射に対し、炭素層では4〜6%の範囲の吸収がみられる。この配置に対して、ミラーの垂直面に対する入射角度が10〜50度の間で吸収が最大になった。炭素の吸収断面がより大きくなるような波長を選択することで、吸収を増加させることができる。一般的に、例えば780nmより低い低波長、および赤外領域の波長、すなわち1マイクロメータより大きい波長の光学放射線の両方で吸収は増加する。図6において矢印で示すように、汚染が存在する位置ではかなりの反射率低下が測定される。図6では、矢印が示すようにx=9mmおよびx=13mmで反射率の低下がみられる。さらに図6では、異なる汚染層の厚さの値に対する相対反射率の差も明白に見ることができる。
図7Aは、キャップ層なしのモリブデン−シリコン(Mo−Si)多層ミラー、すなわち表面層が他の層と同じである多層ミラーに対する反射率(垂直入射)対光の波長のシミュレーション結果を示す。図7Bは、キャップ層付きMo−Si多層ミラー(すなわちミラーの表面層が残りの層と異なり、この例では表面層がルテニウム(Ru)で作られる)に対する反射率(垂直入射)対光の波長のシミュレーション結果を示す。
図7Aのシミュレーションは、Si基板を備え、その基板上に4.4nmのSi層および2.5nmのMo層を交互に40組重ねた多層膜ミラーに対して行われた。図7Bでは、多層膜ミラーがSi基板を有し、その基板上に4.4nmのSi層および2.5nmのMo層が交互に40組重なっているとした。表面の一組は、キャップ層とも称するように、2.0nmのMo層の上に1.5nmのRu層が重なっているものとした。図7Aおよび図7Bのシミュレーションでは、汚染物が2nmの炭素層であるとした。
キャップ層なしの多層ミラーおよびキャップ層付き多層ミラーの両方に対し、炭素汚染層を伴う場合と伴わない場合のシミュレーションが示されている。図7Aの破線で示すように、この例では炭素層の厚さは2nmであるが、炭素層が非常に薄くても、実線で表される汚染されていない表面の場合と比べて、キャップ層なしのミラーのスペクトルはすでに十分に変化している。図7Bはキャップ層付きミラーについても同様の性質を示すもので、破線は汚染されたミラーの場合を示し、実線は表面が汚染されていないミラーの場合を示す。
これらのシミュレーションから分かるのは、赤外線領域の波長、特に1〜2ミクロン、とりわけ1.2〜1.7μmの波長を有する光学放射線を使用する本発明による方法または装置が、図7Aおよび図7Bから得られるように、最も高い感度、すなわち反射率に対して最も大きな変形を与えるということである。さらに図7Aおよび図7Bは、0.5〜1ミクロンの波長に対して、炭素を含んだ汚染物を伴う多層ミラーの反射率が汚染されていない表面を有する多層ミラーの反射率より高いことを示している。理論に束縛されずに考えると、反射率の増加は干渉および定常波の影響に起因するとみなされる。
図8Aは、それぞれ0、1、2、5、10、および20ナノメートルの厚さの炭素層で汚染され、図7Aのシミュレーションに用いたミラーと類似の多層ミラーに対して行われたシミュレーションの結果を示す。図8Bは、それぞれ1、2、5、および10ナノメートルの厚さの酸化ケイ素層で汚染され、図7Aのシミュレーションに用いたミラーと類似の多層ミラーに対して行われたシミュレーションの結果を示す。図8Aに示すように、炭素含有物質の薄層の成長は、0〜150nm、特に50nmおよび120nm周辺の光学放射線で正確に検出することができる。なぜなら、これらの範囲の波長では薄層の成長が反射率に大きな影響を与えるからである。例えば、一般的にEUVリソグラフィ投影装置のビームにはすでに使用されている13.5nmのEUVを使用することができる。図8Bから得られるように、(二)酸化ケイ素含有物質の薄層の成長は、50〜150nmの波長の放射線、特に100〜120nmの波長の放射線によって正確に検出することができる。このように、異なる波長、例えば炭素含有物質に対しては10〜70nmの波長、(二)酸化ケイ素含有物質に対しては70〜150nmの波長の放射線を使用することによって、炭素含有物質および二酸化ケイ素含有物質を識別することができる。
表面からの放射線から、例えば、炭素含有物質および酸化ケイ素含有物質の濃度のような汚染層内の物質の濃度が特定できる。グラフから得られるように、炭素含有物質および酸化ケイ素含有物質は、例えば相対強度や偏光のような異なる反射特性を有している。それゆえ、表面で反射される放射線はこれらの特性の組合せである。このように、反射放射線を基準値と比較することで、反射放射線に対するこれらの物質の相対寄与率が求められ、汚染中のこれらの物質の濃度が特定できる。
図9は、このような方法を実行するのに適した、図2〜4の例のプロセッサ103のセクション1035の一例を示す。セクション1035は、比率決定装置1035E、1035Fに接続される入力1035A〜1035Dを有する。比率決定装置1035E、1035Fは計算機1035Gに接続され、計算機1035Gはさらにメモリ1035Hに接続される。計算機1035Gは出力1035Iを有し、それぞれの物質の確定濃度を表す信号を出力できる。
入力1035Aには、トランスミッタ101によって第1の波長λ1で送出された放射線の強度Iin(λ1)に対応する信号が存在する。入力1035Bには、レシーバ102によって第1の波長λ1で受光された放射線の強度Iout(λ1)に対応する信号が存在する。入力1035Cには、トランスミッタ101によって第2の波長λ2で送出された放射線の強度Iin(λ2)に対応する信号が存在する。入力1035Dには、レシーバ102によって第2の波長λ2で受光された放射線の強度Iout(λ2)に対応する信号が存在する。
比率決定装置1035E、1035Fは、それぞれ特定の波長に対する送出強度と受光輝度の比Rを決定する。すなわち、デバイス1035Eはλ1での比R(λ1)を決定し、デバイス1035Fはλ2での比R(λ2)を決定する。比率R(λ1)およびR(λ2)は計算機1035Gに送信され、この計算機1035Gにおいて、前記比率およびメモリ1035Hに記憶されている値a1(λ1)、a2(λ1)、a1(λ2)、a2(λ2)から濃度が導き出される。値a1(λ1)およびa1(λ2)は炭素層に対するλ1およびλ2での相対反射率を表し、値a2(λ1)およびa2(λ2)は酸化ケイ素層に対する相対反射率を表す。汚染されていないミラーが投影放射線をすべて反射すると仮定すると、計算機は、例えば次式から濃度を計算することができる。
R(λ1)=ccarbona1(λ1)+csilicon−oxidea2(λ1)(1)
R(λ2)=ccarbona1(λ2)+csilicon−oxidea2(λ2)(2)
この式においてcはそれぞれの物質の濃度を表す。しかし、1つ以上の汚染特性を特定するために、計算機は他の計算を行ってもよい。その後、計算結果はセクション1035の出力1035Iで出力される。
R(λ1)=ccarbona1(λ1)+csilicon−oxidea2(λ1)(1)
R(λ2)=ccarbona1(λ2)+csilicon−oxidea2(λ2)(2)
この式においてcはそれぞれの物質の濃度を表す。しかし、1つ以上の汚染特性を特定するために、計算機は他の計算を行ってもよい。その後、計算結果はセクション1035の出力1035Iで出力される。
濃度の特定は、同様に、2つ以上の異なる波長の送出放射線と受光放射線の比、入射角度、偏光、位相シフト、干渉性等、反射放射線の異なる特性に基づいて行うことができる。
放射線トランスミッタから送出される放射線の入射角度は、特定の用途に適する任意の角度でよい。固定波長、特に赤外領域の電磁放射線では、図10に示すように、ほとんどの入射角度において炭素層の厚さに対し反射率がほぼ線形に減少することが分かる。図10は、図7Bのシミュレーションに用いたのと同様のキャップ層付き多層ミラーに対して、様々な入射角度における反射率を炭素の厚さの関数として表したシミュレーションの結果を示す。図10において、それぞれの線に対する参照番号は放射線の入射角度を示している。図10のシミュレーションでは、光は1530nmの波長を有するとした。図10から得られるように、本発明による方法において、炭素層1nmにつき測定信号ΔR/Rの変化が約3%となる最高感度が実現されるのは、表面へ入射する放射線の角度が20〜40度の時であることがわかる。
本発明による方法または装置は、リソグラフィ投影装置の動作の任意の段階で用いることができる。例えば、本発明による方法または装置は、構成要素の少なくとも一部をクリーニング中に投影装置の1つ以上の構成要素の汚染を測定するのに使用してもよい。このように、制御可能なクリーニングを行うことができ、例えば物質が過剰に取り除かれるのを防止することができる。このようなクリーニングについては、例えばヨーロッパ特許出願第02080488.6号など、任意の適したタイプであればよい。例えば、光子、電子、またはイオンを十分なエネルギーで投射する光子ビーム、電子ビーム、またはイオンビームを構成要素の表面に投射して汚染の少なくとも一部を除去するようにしてもよい。そして、レシーバがビームに応じて表面(または表面上の汚染)から放出された放射線を受けるようにしてもよい。受光放射線は、例えば二次粒子、散乱粒子、または反射粒子などを含んでいるかもしれない。そして1つ以上の汚染特性が1つ以上の受光放射線の特性から導き出されてもよい。例えば、トランスミッタは少なくとも一部の汚染を除去する電子を表面に放出してもよい。レシーバは放出電子に応じて表面により散乱または伝達され(戻ってきた)電子を測定するようにしてもよい。このような場合、レシーバが電荷を測定するダイオードとして実現されても、表面から接地電流への漏れ電流、あるいは電子などにより生成される磁場といった電流を測定するものでもよい。エネルギーのような散乱あるいは伝達電子の特性は、とりわけ汚染の厚さおよび汚染中に存在する物質に依存する。このように、汚染の特性は、散乱あるいは伝達電子の特性から決定することができる。
本発明による測定装置または測定方法において、投光放射線および受光放射線は特定用途の実現に適する任意のタイプの放射線でよい。放射線として、例えば電磁放射線(赤外線、可視光線または紫外線のような)やその他のものなどが可能である。さらにトランスミッタは、レシーバによって受光される放射線とは異なるタイプの放射線を送出してもよい。例えばトランスミッタが電子ビームを放出し、レシーバが電子ビームによって表面上の分子が励磁された結果生じる電磁放射線を受けてもよい。同様に、トランスミッタがある波長の電磁放射線を放出し、レシーバが別の波長の放射線を受光してもよいため、例えば汚染の蛍光発光性を測定することもできる。放射線は単波長でもいいし、広域スペクトルあるいは複数の波長からなっていてもよい。さらに、本発明は、プログラマブル装置で動く際に本発明による方法のステップを実行するためのコンピュータプログラム製品として応用してもよく、このように、例えば汎用コンピュータのようなプログラマブル装置で図9のセクション1035の機能を実現することも可能である。
上記の実施形態は本発明を例示するものであって、本発明を限定するものではなく、添付の請求項の範囲から逸脱することなく当業者が他に取り得る形態を設計することができることに留意すべきである。請求項において、括弧でくくられた任意の参照符号はその請求項を限定するものとして理解すべきではない。「備える」という用語は、請求項に記載されたもの以外の他の要素またはステップの存在を除外するものではない。別の記載がない限り、「ある」という単語は「1つ以上」の意味として使用される。また、ある手段や方策が互いに異なる請求項に記載されているといった事実は、これらの手段や方策の組合わせを有益に使用することができないことを示すものではない。
Claims (29)
- リソグラフィ投影装置の構成要素の表面における汚染の特性の少なくとも1つを測定するための測定装置であって、
−前記表面の少なくとも一部に投影放射線を投影する放射線トランスミッタと、
−投影放射線に応答して構成要素からの放射線を受光する放射線レシーバと、
−放射線レシーバに通信接続され、受光放射線の少なくとも1つの特性を導出し、受光放射線の前記少なくとも1つの特性から前記汚染の少なくとも1つの特性を特定するプロセッサとを備える測定装置。 - −投影放射線の少なくとも一部を受光する第1の放射線レシーバと、
−構成要素からの前記放射線を受光する第2の放射線レシーバとを備え、
前記プロセッサが
−投影放射線の前記一部と構成要素から受光した放射線とを比較する手段と、
−投影放射線の前記一部に対する相対特性を受光放射線から特定する手段と、
−相対特性から前記汚染の少なくとも1つの特性を特定する手段とを備えることを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記プロセッサが、表面の汚染によって変調される変調放射線の少なくとも1つの特性を特定する手段を有することを特徴とする前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 前記プロセッサが、受光放射線の少なくとも1つの特性と少なくとも1つの汚染特性に関する少なくとも1つの基準値を比較する手段を有することを特徴とする前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 前記プロセッサが
−受光放射線の第1の特性を特定する手段と、
−受光放射線の第2の特性を特定する手段と、
−受光放射線の第1の特性および受光放射線の第2の特性から前記汚染の少なくとも1つの汚染特性を得る手段とを備えることを特徴とする前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。 - 前記プロセッサが、受光放射線の第1および第2の特性から第1の汚染特性および第2の汚染特性を得る手段を備えることを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 汚染が投影放射線を少なくとも部分的に変調する少なくとも1つの物質からなり、前記少なくとも1つの物質が、炭素含有物質、ケイ素含有物質、酸化物含有物質、塩含有物質、耐熱物質から成るグループのうちの1つであることを特徴とする前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 受光放射線の前記少なくとも1つの特性が、強度、波長、入射角度、偏光、および位相シフトから成るグループのうちの少なくとも1つであることを特徴とする前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 前記少なくとも1つの汚染特性が、厚さ、位置、粗さ、および化学組成から成るグループのうちの少なくとも1つであることを特徴とする前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 前記構成要素の表面で反射される放射線を受光する放射線レシーバを備える前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 構成要素の少なくとも一部分を通って放出される放射線を受光するための放射線レシーバを備える前述の請求項のいずれか1つに記載のデバイス。
- 構成要素の少なくとも一部を透過する投影放射線を送出する放射線トランスミッタを備える前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 投影放射線または受光放射線が電磁放射線であることを特徴とする前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 電磁放射線が、可視光から遠赤外光までの範囲の光学放射線および深紫外線または極紫外線のような紫外線から成るグループのうちの少なくとも1つからなることを特徴とする請求項13に記載の装置。
- −投影放射線によって前記表面で放射線を生成する放射線トランスミッタであって、生成放射線は少なくとも1つの態様で投影放射線とは異なり、その少なくとも1つの態様が波長および放射線タイプから成るグループのうちの1つである放射線トランスミッタと、
−その生成放射線を受光する放射線レシーバとを備える前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。 - 投影放射線または受光放射線がイオンビームまたは電子ビームのような粒子ビームであることを特徴とする前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 時間が経過しても強度がほぼ一定である放射線を投影する一定強度放射トランスミッタを備える前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 時間の経過とともに強度が変化する放射線を投影する可変強度放射トランスミッタを備える請求項1乃至17のいずれか1つに記載の装置。
- 前記装置がヘテロダイン装置であることを特徴とする請求項18に記載の装置。
- 放射線トランスミッタが、放射線の投影ビームを提供し放射線の投影ビームで放射線パターンを放射線感光材料の層の目標部分に投影するリソグラフィ投影装置で使用される放射線システムの一部であることを特徴とする前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 放射線レシーバが、表面の少なくとも2つの異なる部分から放射線を受光することができ、プロセッサが前記異なる部分の各々に対して汚染の特性を特定する手段を備えることを特徴とする前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 前記装置が、表面の少なくとも2つの異なる部分に放射線を連続的に投影する走査放射線トランスミッタを備える走査測定装置であることを特徴とする請求項21に記載の装置。
- 前記構成要素が、ミラー、レンズ、レチクル、あるいは検出器といったリソグラフィ投影装置の光学系の一部であることを特徴とする前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 前記リソグラフィ投影装置が深紫外線または極紫外線リソグラフィ投影装置であることを特徴とする前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- リソグラフィ投影装置の構成要素の表面における汚染の少なくとも1つの特性を測定する方法であって、
−表面の少なくとも一部に放射線を投影するステップと、
−前記投影放射線に応答して構成要素から放射線を受光するステップと、
−受光放射線から前記汚染の少なくとも1つの特性を得るステップとを備える方法。 - 前記表面の少なくとも一部のクリーニング中に前記方法を実行することを特徴とする請求項25に記載の方法。
- リソグラフィ投影装置であって、
−放射線の投影ビームを提供する放射線システムと、
−所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するパターニング手段を支持する支持構造と、
−基板を保持するための基板テーブルと、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、
−請求項1乃至24のいずれか1つに記載の測定装置とを備えるリソグラフィ投影装置。 - デバイス製造方法であって、
−放射線感光材料の層によって少なくとも部分的に覆われる基板を提供するステップと、
−放射線システムを用いて放射線の投影ビーム提供するステップと、
−投影ビームの断面にパターンを形成するパターニング手段を使用するステップと、
−パターン化された放射線のビームを放射線感光材料層の目標部分に投影するステップと、
−請求項25または26のいずれかに記載の方法を放射線システムの少なくとも一部に適用して前記部分の表面が炭素含有物質によってある程度汚染されているかを判断するステップとを備えるデバイス製造方法。 - プログラマブル装置で動作する際に請求項25または26のいずれかに記載の方法のステップを実行するためのプログラムコード部分を備えるコンピュータプログラム製品。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03075548 | 2003-02-24 |
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006114914A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ・システム、リソグラフィ・システム内の光路の透過特性を調整するための方法、半導体デバイス、リソグラフィ・システムに使用するための反射エレメントを製造する方法、およびそれによって製造される反射エレメント |
JP2006208210A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Toppan Printing Co Ltd | 露光光学系光学部品の検査方法及び検査装置 |
JP2007173804A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Asml Netherlands Bv | 汚染を検出するためのモニタデバイスを有するリソグラフィ装置 |
JP2007173786A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-07-05 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
JP2007173805A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置内の少なくとも1つの汚染種を検出するシステムおよび方法 |
JP2007333729A (ja) * | 2006-05-05 | 2007-12-27 | Asml Netherlands Bv | 検査方法およびそれを使用する装置 |
JP2009105403A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | Euvシステムでの汚染検出 |
JP2011181894A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-09-15 | Sii Nanotechnology Inc | Euvマスク修正装置および方法 |
JP2015064603A (ja) * | 2010-02-02 | 2015-04-09 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | Euvマスク修正装置 |
US11003085B2 (en) | 2017-08-29 | 2021-05-11 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generating apparatus |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8075732B2 (en) * | 2004-11-01 | 2011-12-13 | Cymer, Inc. | EUV collector debris management |
US7626701B2 (en) * | 2004-12-27 | 2009-12-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with multiple alignment arrangements and alignment measuring method |
KR100784901B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2007-12-11 | 한국표준과학연구원 | 제거형 가간섭성 반스토크스 라만 분광법을 이용한 광학장치 |
JP5305568B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2013-10-02 | 株式会社東芝 | 露光装置及びケミカルフィルタ寿命検知方法 |
US20080151201A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
JP2008277585A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Canon Inc | 露光装置の洗浄装置及び露光装置 |
US7894037B2 (en) * | 2007-07-30 | 2011-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102007037942A1 (de) * | 2007-08-11 | 2009-02-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Anordnung, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Bestimmen der Dicke einer Kontaminationsschicht |
DE102009001488A1 (de) | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Asml Netherlands B.V. | Entfernen von Kontaminationen von optischen Oberflächen durch aktivierten Wasserstoff |
US8054446B2 (en) * | 2008-08-21 | 2011-11-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV lithography apparatus and method for determining the contamination status of an EUV-reflective optical surface |
DE102009045008A1 (de) | 2008-10-15 | 2010-04-29 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten einer Maske |
DE102009033319B4 (de) | 2009-07-15 | 2019-02-21 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Partikelstrahl-Mikroskopiesystem und Verfahren zum Betreiben desselben |
CN102645437A (zh) * | 2012-04-11 | 2012-08-22 | 法国圣戈班玻璃公司 | 光学测量装置和光学测量方法 |
US8836934B1 (en) * | 2012-05-15 | 2014-09-16 | The Boeing Company | Contamination identification system |
US9453801B2 (en) | 2012-05-25 | 2016-09-27 | Kla-Tencor Corporation | Photoemission monitoring of EUV mirror and mask surface contamination in actinic EUV systems |
CN103149217B (zh) * | 2013-03-12 | 2015-06-24 | 合肥知常光电科技有限公司 | 光学元件表面及亚表面缺陷检测红外锁相成像方法及装置 |
DE102013214008A1 (de) | 2013-07-17 | 2015-01-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optikanordnung |
EP3189328A4 (en) * | 2014-09-02 | 2018-02-28 | Polaris Sensor Technologies, Inc. | Wide-area real-time method for detecting foreign fluids on water surfaces |
EP3351179A4 (en) * | 2015-09-17 | 2018-08-29 | Shimadzu Corporation | Radiography apparatus |
CN106249550B (zh) * | 2015-12-21 | 2018-07-06 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种极紫外光学元件表面污染层厚度控制方法及装置 |
WO2018125763A2 (en) * | 2016-12-29 | 2018-07-05 | Ipg Photonics Corporation | High temperature optical molecular anti-contamination getter system |
DE102017008383A1 (de) * | 2017-09-07 | 2019-03-07 | Heuft Systemtechnik Gmbh | Inspektionsvorrichtung mit optischem Wasserzeichen |
DE102017217266A1 (de) * | 2017-09-28 | 2019-03-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Bestimmung von Eigenschaften einer EUV-Quelle |
EP3588055A1 (en) * | 2018-06-21 | 2020-01-01 | Koninklijke Philips N.V. | Laser sensor module with indication of readiness for use |
CN210720191U (zh) * | 2019-07-09 | 2020-06-09 | 杭州欧镭激光技术有限公司 | 一种污渍检测装置及一种激光雷达 |
CN110618585B (zh) * | 2019-10-17 | 2022-05-27 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 监控光刻机晶圆移载台平整度的方法 |
DE102021201690A1 (de) | 2021-02-23 | 2022-08-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System, insbesondere für die EUV-Lithographie |
US11579539B2 (en) * | 2021-03-03 | 2023-02-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for improving critical dimension variation |
CN113231742B (zh) * | 2021-03-25 | 2022-09-20 | 广东工业大学 | 一种光栅结构抗菌表面的检测方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6394109B1 (en) * | 1999-04-13 | 2002-05-28 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing carbon contamination in a sub-atmospheric charged particle beam lithography system |
JP2000346817A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Nikon Corp | 測定装置、照射装置および露光方法 |
TW484039B (en) * | 1999-10-12 | 2002-04-21 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus and method |
US6177993B1 (en) * | 1999-12-07 | 2001-01-23 | The Regents Of The University Of California | Inspection of lithographic mask blanks for defects |
DE10061248B4 (de) * | 2000-12-09 | 2004-02-26 | Carl Zeiss | Verfahren und Vorrichtung zur In-situ-Dekontamination eines EUV-Lithographiegerätes |
US6924492B2 (en) * | 2000-12-22 | 2005-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
DE10109031A1 (de) * | 2001-02-24 | 2002-09-05 | Zeiss Carl | Optisches Strahlführungssystem und Verfahren zur Kontaminationsverhinderung optischer Komponenten hiervon |
-
2004
- 2004-02-20 SG SG200400813A patent/SG115621A1/en unknown
- 2004-02-23 US US10/783,087 patent/US20040227102A1/en not_active Abandoned
- 2004-02-23 TW TW093104440A patent/TWI243897B/zh active
- 2004-02-23 JP JP2004045957A patent/JP2004282046A/ja not_active Abandoned
- 2004-02-23 CN CNA2004100330116A patent/CN1525160A/zh active Pending
- 2004-02-24 KR KR1020040012078A patent/KR20040076218A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006114914A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ・システム、リソグラフィ・システム内の光路の透過特性を調整するための方法、半導体デバイス、リソグラフィ・システムに使用するための反射エレメントを製造する方法、およびそれによって製造される反射エレメント |
JP4639134B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2011-02-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ・システムおよびリソグラフィ・システム内の光路の透過特性を調整するための方法 |
JP2006208210A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Toppan Printing Co Ltd | 露光光学系光学部品の検査方法及び検査装置 |
JP2007173786A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-07-05 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
JP2007173805A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置内の少なくとも1つの汚染種を検出するシステムおよび方法 |
JP4503582B2 (ja) * | 2005-12-20 | 2010-07-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置内の少なくとも1つの汚染種を検出するシステムおよび方法 |
JP4509094B2 (ja) * | 2005-12-20 | 2010-07-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 汚染を検出するためのモニタデバイスを有するリソグラフィ装置 |
JP2007173804A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Asml Netherlands Bv | 汚染を検出するためのモニタデバイスを有するリソグラフィ装置 |
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JP2009105403A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | Euvシステムでの汚染検出 |
JP2011181894A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-09-15 | Sii Nanotechnology Inc | Euvマスク修正装置および方法 |
JP2015064603A (ja) * | 2010-02-02 | 2015-04-09 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | Euvマスク修正装置 |
US11003085B2 (en) | 2017-08-29 | 2021-05-11 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generating apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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