CN113231742B - 一种光栅结构抗菌表面的检测方法 - Google Patents

一种光栅结构抗菌表面的检测方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及医疗器械技术领域,尤其是涉及一种光栅结构抗菌表面的检测方法,该检测方法通过光栅结构抗菌表面在紫外分光光度计200~800nm入射波长条件下的光学特性,通过比较待检测光栅结构抗菌表面的反射率与已知具有不完整光栅结构的光栅结构抗菌表面的反射率和已知受污染的具有完整光栅结构的光栅结构抗菌表面的反射率,从而判断待检测光栅结构抗菌表面的瑕疵度和污染度。

Description

一种光栅结构抗菌表面的检测方法
技术领域
本发明涉及医疗器械技术领域,尤其是涉及一种光栅结构抗菌表面的检测方法。
背景技术
手术过程中难以避免的细菌污染,临床治疗过程中器械污染是导致感染的主要原因之一。对于植入手术来说,术后通常会发生植入体附近组织感染,重者会导致植入手术失败。目前,采用具有抗菌功能的医疗器械能有效降低临床治疗过程中的感染风险。其中,多项研究表明,在合金表面加工出亚微米尺度光栅结构可有效降低材料表面的细菌粘附率。
然而,当光栅结构抗菌表面出现结构瑕疵时,其在使用过程中仍容易粘附细菌,而现有技术仅是通过扫描电镜放大观察,众所周知扫描电镜操作复杂且设备昂贵,因此光栅结构抗菌表面并不便于快速检测出来,导致无法确保光栅结构抗菌表面的使用安全性。或是,光栅结构抗菌表面使用前是否受到污染,其也无法快速地检测出来,同样无法确保使用的安全性,造成了手术风险。
发明内容
本发明的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种光栅结构抗菌表面的检测方法,该方法能快速方便地检测出光栅结构抗菌表面的是否有缺陷或是否受污染。
本发明的目的通过以下技术方案实现:
提供一种光栅结构抗菌表面的检测方法,包括以下步骤,
S1:预处理合金表面,制得光栅结构抗菌表面;
S2:获取已知具有不完整光栅结构的光栅结构抗菌表面,该表面为第一表面;和获取已知受污染的具有完整光栅结构的光栅结构抗菌表面,该表面为第二表面;采用紫外分光光度计在200~800nm的入射波长条件下分别表征第一表面的反射特性和第二表面的反射特性,制得第一表面的第一反射特性图和第二表面的第二反射特性图;
S3:采用紫外分光光度计在200~800nm的入射波长条件下,表征S1制得的光栅结构抗菌表面的反射特性,制得待比较反射特性图;
S4:将S3制得的待比较反射特性图与S2制得的第一反射特性图单独对比,当待比较反射特性图的反射率均低于第一反射特性图的反射率时,则S1制得的光栅结构抗菌表面为完整光栅结构表面,反之则是有缺陷的不完整光栅结构表面;将S3制得的待比较反射特性图与S2制得的第二反射特性图单独对比,当待比较反射特性图的反射率均低于第二反射特性图的反射率时,则S1制得的光栅结构抗菌表面没有受污染,反之则受污染。
进一步地,所述S1包括以下步骤:
S11:对合金表面进行抛光;
S12:采用激光辐射S11抛光后的合金表面,制得合金光栅结构表面;
S13:先采用无水乙醇超声清洗S12制得的合金光栅结构表面,然后采用去离子水对合金光栅结构表面进行清洗,制得光栅结构抗菌表面。
进一步地,所述S11中,抛光后的合金表面的粗糙度Ra<0.1μm。
进一步地,采用0.25~0.5μm粒度的金刚石抛光磨粒,然后在1.5~5m/s线速度,0.3~2.3MPa压强条件下对合金表面进行抛光,抛光时间是30min。
进一步地,所述S12中,采用超快激光单次或多次辐射抛光后的合金表面,所述超快激光的波长为200~1200nm,脉宽是<10ps,频率是1~100kHz,功率是0.1~50W,扫描速度是10~2000mm/s。
进一步地,所述S13中,乙醇的清洗时间是5~20min,去离子水的清洗时间是5~20min。
进一步地,所述S2中,所述第二表面通过扫描电子显微镜观察从而选择并获得具有完整光栅结构的第二表面。
进一步地,所述合金是非晶合金、不锈钢合金和钛合金。
上述方案的原理:利用了光射入完整无污染光栅结构抗菌表面时,激发的等离子体激元可使入射光在金属-电介质界面附件光吸收率增加,形成局域场效应,因而不同偏振态、不同波长的光在光栅表面不同入射角度的反射特性会产生差异,形成对光的过滤反射率较低,而当光栅结构抗菌表面出现瑕疵或者光栅结构抗菌表面存在污染物粘附时,其光反射特性会受到影响,进而表现为光反射率较大,本发明正是通过比较所检测到的光栅结构抗菌表面发射率来判断待检测光栅结构抗菌表面的质量。
本发明的一种光栅结构抗菌表面的检测方法的有益效果:
(1)本发明利用光栅结构抗菌表面在紫外分光光度计200~800nm入射波长条件下的光学特性,通过比较待检测光栅结构抗菌表面的反射率与已知具有不完整光栅结构的光栅结构抗菌表面的反射率和已知受污染的具有完整光栅结构的光栅结构抗菌表面的反射率,从而判断待检测光栅结构抗菌表面的瑕疵度和污染度。
(2)本发明通过检测光栅结构抗菌表面的反射率变化,能够快速地检测加工后的光栅结构抗菌表面是否具有不完整结构,或者快速检测具有完整光栅结构的光栅结构抗菌表面在使用前是否受污染,大大提升医疗器械安全性,克服了传统方法无法快速检测光栅结构抗菌表面结构性和污染度的问题。
附图说明
利用附图对发明作进一步说明,但附图中的实施例不构成对本发明的任何限制,对于本领域的普通技术人员,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据以下附图获得其它的附图。
图1是非晶合金光栅结构抗菌表面、不锈钢光栅结构抗菌表面和钛合金光栅结构抗菌表面的形貌对比图;
图2是具有不完整光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面与具有完整光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面的反射率对比图;
图3是受污染后的具有完整光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面与受污染前的具有完整光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面的反射率对比图。
具体实施方式
结合以下实施例和附图对本发明作进一步描述。
实施例1
本实施例公开非晶合金光栅结构抗菌表面的检测方法,包括以下步骤,
S1:制备非晶合金光栅结构抗菌表面,该步骤包括:
S11:采用0.5μm粒度的金刚石抛光磨粒,然后在1.5m/s线速度,0.3MPa压强条件下对非晶合金表面进行抛光,抛光时间是30min,抛光后的非晶合金表面的粗糙度Ra<0.1μm;
S12:采用超快激光单次或多次辐射S11抛光后的非晶合金表面,其中所述超快激光的波长为200nm,脉宽是100fs,频率是1kHz,功率是0.1W,扫描速度是10mm/s,制得非晶合金光栅结构表面;
S13:先采用无水乙醇超声清洗S12制得的非晶合金光栅结构表面,然后采用去离子水对非晶合金光栅结构表面进行清洗,其中,乙醇的清洗时间是5min,去离子水的清洗时间是5min,制得非晶合金光栅结构抗菌表面。
S2:获取已知具有不完整光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面,该表面为第一表面;和获取已知受污染的具有完整光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面,该表面为第二表面;采用紫外分光光度计在200~800nm的入射波长条件下分别表征第一表面的反射特性和第二表面的反射特性,制得第一表面的第一反射特性图和第二表面的第二反射特性图;
S3:采用紫外分光光度计在200~800nm的入射波长条件下,表征S1制得的非晶合金光栅结构抗菌表面的反射特性,制得待比较反射特性图;
S4:将S3制得的待比较反射特性图与S2制得的第一反射特性图单独对比,当待比较反射特性图的反射率均低于第一反射特性图的反射率时,则S1制得的非晶合金光栅结构抗菌表面为完整光栅结构表面,反之则是有缺陷的光栅结构表面;将S3制得的待比较反射特性图与S2制得的第二反射特性图单独对比,当待比较反射特性图的反射率均低于第二反射特性图的反射率时,则S1制得的非晶合金光栅结构抗菌表面没有受污染,反之则受污染。
实施例2
本实施例公开非晶合金光栅结构抗菌表面的检测方法,包括以下步骤,
S1:制备非晶合金光栅结构抗菌表面,该步骤包括:
S11:采用0.25μm粒度的金刚石抛光磨粒,然后在5m/s线速度,2.3MPa压强条件下对非晶合金表面进行抛光,抛光时间是30min,抛光后的非晶合金表面的粗糙度Ra<0.1μm;
S12:采用超快激光单次或多次辐射S11抛光后的非晶合金表面,其中所述超快激光的波长为1200nm,脉宽是300fs,频率是100kHz,功率是50W,扫描速度是2000mm/s,制得非晶合金光栅结构表面;
S13:先采用无水乙醇超声清洗S12制得的非晶合金光栅结构表面,然后采用去离子水对非晶合金光栅结构表面进行清洗,其中,乙醇的清洗时间是20min,去离子水的清洗时间是20min,制得非晶合金光栅结构抗菌表面。
S2:获取已知具有不完整光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面,该表面为第一表面;和获取已知受污染的具有完整光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面,该表面为第二表面;采用紫外分光光度计在200~800nm的入射波长条件下分别表征第一表面的反射特性和第二表面的反射特性,制得第一表面的第一反射特性图和第二表面的第二反射特性图;
S3:采用紫外分光光度计在200~800nm的入射波长条件下,表征S1制得的非晶合金光栅结构抗菌表面的反射特性,制得待比较反射特性图;
S4:将S3制得的待比较反射特性图与S2制得的第一反射特性图单独对比,当待比较反射特性图的反射率均低于第一反射特性图的反射率时,则S1制得的非晶合金光栅结构抗菌表面为完整光栅结构表面,反之则是有缺陷的光栅结构表面;将S3制得的待比较反射特性图与S2制得的第二反射特性图单独对比,当待比较反射特性图的反射率均低于第二反射特性图的反射率时,则S1制得的非晶合金光栅结构抗菌表面没有受污染,反之则受污染。
实施例3
本实施例公开非晶合金光栅结构抗菌表面的检测方法,包括以下步骤,
S1:制备非晶合金光栅结构抗菌表面,该步骤包括:
S11:采用0.3μm粒度的金刚石抛光磨粒,然后在2.5m/s线速度,0.9MPa压强条件下对非晶合金表面进行抛光,抛光时间是30min,抛光后的非晶合金表面的粗糙度Ra<0.1μm;
S12:采用超快激光单次或多次辐射S11抛光后的非晶合金表面,其中所述超快激光的波长为800nm,脉宽是500fs,频率是50kHz,功率是1W,扫描速度是100mm/s,制得非晶合金光栅结构表面;
S13:先采用无水乙醇超声清洗S12制得的非晶合金光栅结构表面,然后采用去离子水对非晶合金光栅结构表面进行清洗,其中,乙醇的清洗时间是10min,去离子水的清洗时间是10min,制得非晶合金光栅结构抗菌表面。
S2:获取已知具有不完整光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面,该表面为第一表面;和获取已知受污染的具有完整光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面,该表面为第二表面;采用紫外分光光度计在200~800nm的入射波长条件下分别表征第一表面的反射特性和第二表面的反射特性,制得第一表面的第一反射特性图和第二表面的第二反射特性图;
S3:采用紫外分光光度计在200~800nm的入射波长条件下,表征S1制得的非晶合金光栅结构抗菌表面的反射特性,制得待比较反射特性图;
S4:将S3制得的待比较反射特性图与S2制得的第一反射特性图单独对比,当待比较反射特性图的反射率均低于第一反射特性图的反射率时,则S1制得的非晶合金光栅结构抗菌表面为完整光栅结构表面,反之则是有缺陷的光栅结构表面;将S3制得的待比较反射特性图与S2制得的第二反射特性图单独对比,当待比较反射特性图的反射率均低于第二反射特性图的反射率时,则S1制得的非晶合金光栅结构抗菌表面没有受污染,反之则受污染。
实施例4
本实施例与实施例1的不同之处在于,所用的合金是不锈钢合金,其他制备步骤和检测方法均匀实施例1相同,此处不再赘述。
实施例5
本实施例与实施例1的不同之处在于,所用的合金是钛合金,其他制备步骤和检测方法均匀实施例1相同,此处不再赘述。
性能测试
形貌表征:分别对实施例1制得的非晶合金光栅结构抗菌表面与实施例4制得的不锈钢光栅结构抗菌表面和实施例5制得的钛合金光栅结构抗菌表面进行电镜扫描表征,由图1所示,本发明能制备出具有光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面、不锈钢光栅结构抗菌表面和钛合金光栅结构抗菌表面,其中,由于合金材质不同,所制备出的光栅结构也不尽相同。
反射率验证:通过扫描电镜选择出实施例1制得的非晶合金光栅结构抗菌表面中具有完整光栅结构的表面同时确保该表面不受污染,然后将该表面通过使用紫外分光光度计在200~800nm入射光波长下表征该表面的反射特性,接着将所得的反射特性与具有不完整光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面的反射特性比较,得到图2所示的具有不完整光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面与具有完整光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面的反射率对比图(图2)。同时,将上述表征实施例1的非晶合金光栅结构抗菌表面的反射特性图与受污染的具有完整光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面的反射特性比较,得到图3所示的受污染后的具有完整光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面与受污染前的具有完整光栅结构的非晶合金光栅结构抗菌表面的反射率对比图(图3)。
由图1和图2可见,具有完整结构的非晶合金光栅结构抗菌表面的反射率均低于光栅结构不完整或受污染后的非晶合金光栅结构抗菌表面的反射率,因此,通过紫外分光光度计来比较反射率能快速地检测出非晶合金光栅结构抗菌表面的完整度以及受污染度,极大提高了非晶合金光栅结构医疗器械的使用安全性。
最后应当说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对本发明保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的实质和范围最后应当说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对本发明保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims (8)

1.一种光栅结构抗菌表面的检测方法,其特征在于:包括以下步骤,
S1:预处理合金表面,制得光栅结构抗菌表面;
S2:获取已知具有不完整光栅结构的光栅结构抗菌表面,该表面为第一表面;和获取已知受污染的具有完整光栅结构的光栅结构抗菌表面,该表面为第二表面;采用紫外分光光度计在200~800nm的入射波长条件下分别表征第一表面的反射特性和第二表面的反射特性,制得第一表面的第一反射特性图和第二表面的第二反射特性图;
S3:采用紫外分光光度计在200~800nm的入射波长条件下,表征S1制得的光栅结构抗菌表面的反射特性,制得待比较反射特性图;
S4:将S3制得的待比较反射特性图与S2制得的第一反射特性图单独对比,当待比较反射特性图的反射率均低于第一反射特性图的反射率时,则S1制得的光栅结构抗菌表面为完整光栅结构表面,反之则是有缺陷的不完整光栅结构表面;将S3制得的待比较反射特性图与S2制得的第二反射特性图单独对比,当待比较反射特性图的反射率均低于第二反射特性图的反射率时,则S1制得的光栅结构抗菌表面没有受污染,反之则受污染。
2.根据权利要求1所述的光栅结构抗菌表面的检测方法,其特征在于:所述S1包括以下步骤:
S11:对合金表面进行抛光;
S12:采用激光辐射S11抛光后的合金表面,制得合金光栅结构表面;
S13:先采用无水乙醇超声清洗S12制得的合金光栅结构表面,然后采用去离子水对合金光栅结构表面进行清洗,制得光栅结构抗菌表面。
3.根据权利要求2所述的光栅结构抗菌表面的检测方法,其特征在于:所述S11中,抛光后的合金表面的粗糙度Ra<0.1μm。
4.根据权利要求3所述的光栅结构抗菌表面的检测方法,其特征在于:采用0.25~0.5μm粒度的金刚石抛光磨粒,然后在1.5~5m/s线速度,0.3~2.3MPa压强条件下对合金表面进行抛光,抛光时间是30min。
5.根据权利要求2所述的光栅结构抗菌表面的检测方法,其特征在于:所述S12中,采用超快激光单次或多次辐射抛光后的合金表面,所述超快激光的波长为200~1200nm,脉宽是<10ps,频率是1~100kHz,功率是0.1~50W,扫描速度是10~2000mm/s。
6.根据权利要求2所述的光栅结构抗菌表面的检测方法,其特征在于:所述S13中,乙醇的清洗时间是5~20min,去离子水的清洗时间是5~20min。
7.根据权利要求1所述的光栅结构抗菌表面的检测方法,其特征在于:所述S2中,所述第二表面通过扫描电子显微镜观察从而选择并获得具有完整光栅结构的第二表面。
8.根据权利要求1所述的光栅结构抗菌表面的检测方法,其特征在于:所述合金是非晶合金、不锈钢合金或钛合金。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113231742B (zh) * 2021-03-25 2022-09-20 广东工业大学 一种光栅结构抗菌表面的检测方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05215696A (ja) * 1992-02-04 1993-08-24 Hitachi Ltd 欠陥検査方法および装置
GB2348492B (en) * 1998-04-03 2001-08-15 Advantest Corp Surface inspection method and device for determining the roughness of an inspected surface
DE19914994A1 (de) * 1998-04-03 1999-10-14 Advantest Corp Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenprüfung
US6908773B2 (en) * 2002-03-19 2005-06-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. ATR-FTIR metal surface cleanliness monitoring
SG115621A1 (en) * 2003-02-24 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Method and device for measuring contamination of a surface of a component of a lithographic apparatus
US9981340B2 (en) * 2015-07-13 2018-05-29 King Fahd University Of Petroleum And Minerals Laser ablation method for treating a copper alloy containing metallic surface and increasing hydrophobicity
CN105651785A (zh) * 2015-12-31 2016-06-08 中国科学院半导体研究所 测量半导体材料表面微结构缺陷的显微成像装置和方法
CN105588836B (zh) * 2016-01-25 2018-04-17 江苏大学 一种检测激光清洗效果的装置及方法
CN110064104A (zh) * 2018-01-22 2019-07-30 南京农业大学 一种表面具有微纳复合抗菌织构的医学用针及其制备方法
CN109079314A (zh) * 2018-09-18 2018-12-25 广东工业大学 一种超快激光组合脉冲序列的阵列微纳结构加工方法
CN109079446A (zh) * 2018-09-20 2018-12-25 北京航空航天大学 一种在医疗器械上制备抗菌表面的方法
WO2021033162A1 (en) * 2019-08-20 2021-02-25 3M Innovative Properties Company Microstructured surface with increased microorganism removal when cleaned, articles and methods
CN110836896B (zh) * 2019-10-14 2020-12-18 深圳信息职业技术学院 一种激光清洗检测设备及激光清洗检测方法
CN211553741U (zh) * 2020-01-21 2020-09-22 贵州民族大学 一种用于紫外分光光度计的反射率测量装置
CN113231742B (zh) * 2021-03-25 2022-09-20 广东工业大学 一种光栅结构抗菌表面的检测方法

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