JP6609061B2 - 複数の光源の波長合成 - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は２０１６年３月３日に出願された米国特許出願第６２／３０２，９７３号の優先権を主張し、この出願はその全体が参照により本明細書に組み込まれる。

[0002] 本開示は、例えば、リソグラフィ装置に関連することがある計測システムにおいて使用される光源に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、基板のターゲット部分に所望のパターンを施す機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用することができる。その状況では、マスク又はレチクルとも代替的に呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、このパターンは、放射感応性材料（レジスト）層を有する基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ又は複数のダイの一部を含む）上に結像することができる。一般的に、単一の基板は、連続的に露光される隣接するターゲット部分のネットワークを含む。既知のリソグラフィ装置は、いわゆるステッパ及びいわゆるスキャナを含み、ステッパでは、一度にターゲット部分上に全体パターンを露光することにより各ターゲット部分を照射し、またスキャナでは、所与の方向（「走査」方向）にビームによってパターンを走査しながら、同時にこの方向に平行に又は逆平行に基板を走査することより、各ターゲット部分を照射する。パターンを基板にインプリントすることによって、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。別のリソグラフィシステムとしては、干渉リソグラフィシステムがあり、このシステムでは、パターニングデバイスはなく、光ビームが２つのビームに分割され、これらの２つのビームは、反射システムの使用によって基板のターゲット部分で干渉するようになっている。この干渉により、基板のターゲット部分にラインが形成される。

[0004] リソグラフィ動作の間、異なる処理ステップが、異なる層を基板上に順次形成することを必要とすることがある。従って、基板上に形成された以前のパターンに対して高精度で基板を位置決めする必要があることがある。一般的に、アライメントマークが、位置合わせされるべき基板上に置かれ、第２のオブジェクトを基準にして配置される。リソグラフィ装置は、アライメントマークの位置（例えば、Ｘ及びＹ位置）を検出するために、かつ、アライメントマークを使用して基板を位置合わせし、マスクからの正確な露光を確実にするために、計測システムを使用することがある。計測システムを使用して、Ｚ方向のウェーハ表面の高さを決定することがある。

[0005] アライメントシステムは通常、それ自体の照明システムを有する。アライメント及び／又は高さを決定するために使用される照明システムは、通常、ある範囲の波長を提供する。紫外光は、可視光と比べるとそのより短い波長のおかげで、これらの照明システムにおいてより良好な性能をもたらすが、複数の紫外（ＵＶ）光源を合成することは困難であることがある。

[0006] 従って、ある範囲のＵＶ波長をより効率的に提供するために、アライメントシステムの照明システムの設計を改善する必要がある。

[0007] 一実施形態によれば、光合成器が、複数の光源、第１のフィルタ、及び第２のフィルタを含む。第１のフィルタは、複数の光源のうちの第１の光源から生成された光を実質的に反射し、かつ、複数の光源のうちの第２の光源から生成された光を実質的に透過させるように設計される。第２のフィルタは、複数の光源のうちの第１の光源及び第２の光源から生成された光を実質的に反射し、かつ、複数の光源のうちの第３の光源から生成された光を実質的に透過させるように設計される。第１のフィルタの表面上での第１の光源から生成された光の入射角は、３０度未満である。

[0008] 別の実施形態では、計測システムは、光を生成する放射源と、投影格子と、検出格子と、検出器とを含む。投影格子は光を受け取り、基板に向けて像を投影する。検出格子は、基板の表面から反射された像を受け取る。検出器は、検出格子から像を受け取り、受け取った像に基づいて基板の表面の高さを測定する。放射源は、複数の光源、第１のフィルタ、及び第２のフィルタを含む。第１のフィルタは、複数の光源のうちの第１の光源から生成された光を実質的に反射し、かつ、複数の光源のうちの第２の光源から生成された光を実質的に透過させるように設計される。第２のフィルタは、複数の光源のうちの第１の光源及び第２の光源から生成された光を実質的に反射し、かつ、複数の光源のうちの第３の光源から生成された光を実質的に透過させるように設計される。第１のフィルタの表面上での第１の光源から生成された光の入射角は、３０度未満である。

[0009] 更に別の実施形態では、リソグラフィ装置は、パターニングデバイスのパターンを照射するように設計された照明システムと、パターンの像を基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、基板の表面の高さを判定する計測システムとを含む。計測システムは、複数の光源、第１のフィルタ、及び第２のフィルタを含む放射源を有する。第１のフィルタは、複数の光源のうちの第１の光源から生成された光を実質的に反射し、かつ、複数の光源のうちの第２の光源から生成された光を実質的に透過させるように設計される。第２のフィルタは、複数の光源のうちの第１の光源及び第２の光源から生成された光を実質的に反射し、かつ、複数の光源のうちの第３の光源から生成された光を実質的に透過させるように設計される。第１のフィルタの表面上での第１の光源から生成された光の入射角は、３０度未満である。

[0010] 本発明の更なる特徴及び利点、並びに本発明の様々な実施形態の構造及び動作について、添付の図面を参照して、以下で詳細に説明する。なお、本発明は、本明細書で説明する特定の実施形態に限定されない。そのような実施形態は、説明目的のためにのみ、本明細書で提示される。本明細書に含まれる教示に基づいて、更なる実施形態が、当業者には明らかになるであろう。

[0011] 本明細書に組み込まれ本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明を例示し、また、説明文と併せて、本発明の原理を説明し、当業者が本発明を実施し使用できるように更に機能する。

[0012]一実施形態による反射型リソグラフィ装置の概略図である。 [0013]一実施形態による透過型リソグラフィ装置の概略図である。 [0014]一実施形態による、反射型リソグラフィ装置のより詳細な概略図である。 [0015]一実施形態による、リソグラフィックセルの概略図である。 [0016]一実施形態による、計測システムの概略図である。 [0017]一実施形態による、光合成器の概略図である。 [0018]一実施形態による、異なるフィルタについての反射対波長を示すシミュレーションデータのグラフである。 [0019]一実施形態による、光合成器の光スループット対波長を示すシミュレーションデータのグラフである。 [0020]一実施形態による、フィルタの概略図である。 [0021]一実施形態による、別の光合成器の概略図である。

[0022] 本発明の特徴及び利点は、図面と併せて以下に記載する詳細な説明から、より明らかになるであろう。図面では、同様の参照符号は、全体を通じて対応する要素を特定する。図面では、同様の参照番号は一般的に同一の、機能的に類似の、かつ／又は構造的に類似の要素を示す。ある要素が最初に現れる図面は、対応する参照番号の左端の数字によって示される。特に断りの無い限り、本開示を通じて提供される図面は、縮尺通りの図面として解釈されるべきではない。

[0023] 本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ又は複数の実施形態について開示する。開示される実施形態は、本発明を単に例示するに過ぎない。本発明の範囲は、開示される実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付の特許請求の範囲によって規定される。

[0024] 記載される実施形態、及び「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的な実施形態」等への明細書中での言及は、説明される実施形態が、特定の特徴、構造、又は特性を含み得ることを示すが、必ずしも全ての実施形態が、その特定の特徴、構造、又は特性を含んでいなくてもよい。更に、そのような語句は、必ずしも同一の実施形態を指してはいない。更に、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性が説明される場合、明示的に説明されていようといまいと、そのような特徴、構造、又は特性を他の実施形態に関連してもたらすことは、当業者の知識の範囲内であると理解される。

[0025] しかしながら、そのような実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示的な環境を提示することが有益である。

反射型及び透過型リソグラフィシステムの例
[0026] 図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、本発明の実施形態を実施することができる、リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’の概略図である。リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’は、それぞれ、以下のものを含む、即ち、放射ビームＢ（例えば、深紫外線又は極端紫外線放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル、又はダイナミックパターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジスト塗布ウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された、基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴとを含む。リソグラフィ装置１００及び１００’は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを、基板Ｗの（例えば、１つ又は複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃに投影するように構成された、投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射型である。リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過型である。

[0027] 照明システムＩＬは、放射ビームＢの方向決め、成形、又は制御のための、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型、静電気型などの様々な種類の光学コンポーネント、又は他の種類の光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせを含むことがある。

[0028] サポート構造ＭＴは、基準フレームに対するパターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００及び１００’のうちの少なくとも１つの設計、及びパターニングデバイスＭＡが真空環境に保持されているか否かなどの他の条件、に依存するような態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電気式、又は他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスＭＡを保持することがある。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定であることも又は可動であることもあるフレーム又はテーブルであり得る。センサを使用することにより、サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが、例えば投影システムＰＳに対して所望の位置にあることを確実にすることができる。

[0029] 「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームＢの断面にパターンを付与するために使用することができる任意のデバイスを指すものとして、広く解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されたパターンは、集積回路を形成するためにターゲット部分Ｃに生成されるデバイスの特定の機能層に対応することができる。

[0030] パターニングデバイスＭＡは、（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’のように）透過型であっても、又は（図１Ａのリソグラフィ装置１００のように）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例としては、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが挙げられる。マスクは、リソグラフィではよく知られており、バイナリ型、レベンソン型（交互位相シフト型）、及びハーフトーン型（減衰位相シフト型）などのマスクタイプ、並びに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型のミラーのマトリックス配置が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように、個々に傾斜していることがある。傾斜したミラーは、小型ミラーのマトリックスによって反射される放射ビームＢにパターンを付与する。

[0031] 「投影システム」ＰＳという用語は、使用される露光放射に適した、又は基板Ｗ上での液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に適した、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型、及び静電気型の光学系、若しくはそれらの任意の組み合わせを含む、任意の種類の投影システムを包含することができる。真空環境は、ＥＵＶ又は電子ビーム放射用に使用することができる、というのも、他のガスは、放射線又は電子をあまりに多く吸収することがあるからである。従って、真空壁及び真空ポンプの助けを借りて、ビームパス全体に真空環境を提供することができる。

[0032] リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有する種類のものとすることができる。そのような「マルチステージ」の機械では、追加の基板テーブルＷＴを並行して使用することができ、又は、１つ又は複数のテーブルで準備工程を実行している間に、１つ又は複数の他の基板テーブルＷＴを露光用に使用することができる。場合によっては、追加のテーブルは基板テーブルＷＴではないことがある。

[0033] 図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬが放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置１００、１００’は、別個の物理的要素であることがある。そのような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００又は１００’の一部を形成するとはみなされず、放射ビームＢは、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビーム拡大器を含む、ビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）の助けを借りて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと通過する。他の場合では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプである場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００、１００’の一体化された部分とすることができる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとまとめて、放射システムと呼ばれることがある。

[0034] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するためのアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を含むことができる。一般的に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側の径方向範囲（一般的に、それぞれ「σ-outer」及び「σ-inner」と呼ばれる）を調節することができる。更に、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの様々な他の構成要素（図１Ｂ）を含むことができる。イルミネータＩＬを使用して、放射ビームＢの断面において所望の均一性及び強度分布になるように放射ビームＢを調節することができる。

[0035] 図１Ａを参照すると、放射ビームＢが、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン付けされる。リソグラフィ装置１００では、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴを、（例えば、放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して、放射ビームＢの経路に対して正確にパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。

[0036] 図１Ｂを参照すると、放射ビームＢが、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン付けされる。マスクＭＡを横断した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束させる。投影システムは、照明システムの瞳ＩＰＵに結合した瞳ＰＰＵを有する。放射の部分は、照明システムの瞳ＩＰＵでの強度分布から放射され、マスクパターンでの回折による影響を受けることなくマスクパターンを通り抜け、照明システムの瞳ＩＰＵにおける強度分布の像を生成する。

[0037] 第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴを、（例えば、放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１Ｂには図示せず）を使用して、（例えば、マスクライブラリの機械検索の後で、又は走査中に）放射ビームＢの経路に対して正確にマスクＭＡを位置決めすることができる。

[0038] 一般的に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成する、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けを借りて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成する、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現することができる。（スキャナとは対照的に）ステッパの場合、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータのみに接続されるか、又は固定されることがある。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。基板アライメントマークは（図示するように）専用のターゲット部分を占めるが、これらのマークはターゲット部分同士の間のスペースに配置することもできる（スクライブレーンアライメントマークとして知られる）。同様に、マスクＭＡ上に２つ以上のダイが設けられる場合には、マスクアライメントマークはダイの間に配置されることがある。

[0039] マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡは真空チャンバ内にあることがあり、真空チャンバでは、真空内ロボットＩＶＲを使用して、マスクなどのパターニングデバイスを真空チャンバの内外へ移動させることができる。或いは、マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡが真空チャンバの外側にある場合、真空内ロボットＩＶＲと同様に、真空外ロボットを様々な運搬動作用に使用することができる。真空内及び真空外ロボットの両方とも、移送ステーションの固定されたキネマティックマウントへ任意のペイロード（例えば、マスク）をスムーズに移送するために、較正する必要がある。

[0040] リソグラフィ装置１００及び１００’は、以下のモードのうちの少なくとも１つで使用することができる。

[0041] １．ステップモードでは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちながら、放射ビームＢに付与された全体パターンを、ターゲット部分Ｃに一度に投影する（即ち、単一静的露光）。次いで、基板テーブルＷＴは、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるように、Ｘ及び／又はＹ方向にシフトされる。

[0042] ２．スキャンモードでは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期して走査しながら、放射ビームＢに付与されたパターンを、ターゲット部分Ｃに投影する（即ち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）倍率及び像反転特性によって決定されることがある。

[0043] ３．別のモードでは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを、プログラマブルパターニングデバイスを保持させながら実質的に静止状態に保ち、また、基板テーブルＷＴを移動させるか又は走査しながら、放射ビームＢに付与されたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。パルス放射源ＳＯを使用することができ、また、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後で、又は走査中の連続的な放射パルスの合間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、プログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0044] 説明された使用モードの組み合わせ及び／若しくは変形例、又は全く異なる使用モードを使用することもできる。

[0045] 更なる実施形態では、リソグラフィ装置１００は、ＥＵＶリソグラフィ用のＥＵＶ放射のビームを生成するように構成された、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を含む。一般的に、ＥＵＶ放射源は放射システム内に構成され、対応する照明システムは、ＥＵＶ放射源のＥＵＶ放射ビームを調節するように構成される。

[0046] 図２は、ソースコレクタ装置ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含めて、リソグラフィ装置１００をより詳細に示す。ソースコレクタ装置ＳＯは、ソースコレクタ装置ＳＯの封止構造２２０内に真空環境を維持することができるように、構成され配置される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０が、放電生成プラズマ源によって形成されることがある。ＥＵＶ放射は、非常に高温のプラズマ２１０を生成して電磁スペクトルのＥＵＶ範囲で放射線を放出するガス又は蒸気、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気によって、生成することができる。非常に高温のプラズマ２１０は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを引き起こす放電によって、生成される。放射線の効率的な生成のために、例えば、１０Ｐａの分圧のＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気又は他の適切なガス若しくは蒸気が必要とされることがある。一実施形態では、ＥＵＶ放射を生成するために、励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマが供給される。

[0047] 高温プラズマ２１０によって放出された放射線は、放射源チャンバ２１１の開口部の中又は後ろに位置する任意選択的なガスバリア又は汚染物質トラップ２３０（場合によっては、汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）を介して、放射源チャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２へ送られる。汚染物質トラップ２３０は、チャネル構造を含むことがある。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリア、又はガスバリアとチャネル構造との組み合わせを含むこともある。本明細書で更に示される汚染物質トラップ又は汚染物質バリア２３０は、当技術分野で知られるように、少なくともチャネル構造を含む。

[0048] コレクタチャンバ２１２は、いわゆる斜入射型コレクタであり得る放射コレクタＣＯを含むことがある。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１及び下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを通り抜ける放射線は、格子スペクトルフィルタ２４０から反射されて、仮想光源点ＩＦに集束されることがある。仮想光源点ＩＦは一般的に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタ装置は、この中間焦点ＩＦが封止構造２２０の開口部２１９に又はその近傍に位置するように構成される。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。格子スペクトルフィルタ２４０は、特に赤外線（ＩＲ）放射を抑制するために使用される。

[0049] 続いて、放射線は照明システムＩＬを通り抜け、照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２２１の所望の角度分布を提供するように、並びにパターニングデバイスＭＡにおいて所望の均一性の放射強度を提供するように構成された、ファセット付フィールドミラーデバイス２２２及びファセット付瞳ミラーデバイス２２４を含むことがある。サポート構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２２１が反射されると、パターン付きビーム２２６が形成され、パターン付きビーム２２６は、反射要素２２８、２３０を介して投影システムＰＳによって、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に結像される。

[0050] 一般的に、図示しているものよりも多くの要素が、照明光学ユニットＩＬ及び投影システムＰＳ内に存在していることがある。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置の種類に応じて、任意選択的に存在することがある。更に、図に示したミラーよりも多くのミラーが存在してもよく、例えば、図２に示すものよりも、更に１〜６個の追加の反射要素が投影システムＰＳに存在することがある。

[0051] 図２に示すように、集光光学系ＣＯは、コレクタ（又は集光ミラー）の単なる一例として、斜入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５を有する入れ子型コレクタとして示されている。斜入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５は、光軸Ｏの周りに軸対称に配置されており、この種類の集光光学系ＣＯは、しばしばＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマ源と組み合わせて用いられるのが好ましい。

リソグラフィックセルの例
[0052] 図３は、リソグラフィックセル３００を示しており、これは、時にはリソセル又はクラスターとも呼ばれる。リソグラフィ装置１００及び１００’は、リソグラフィックセル３００の一部を形成することがある。リソグラフィックセル３００は、基板上で露光前及び露光後プロセスを実行するための装置を含むこともある。従来、これらの装置は、レジスト層を堆積させるためのスピンコータＳＣ、露光されたレジストを現像するための現像液ＤＥ、冷却プレートＣＨ、及びベークプレートＢＫを含む。基板ハンドラ又はロボットＲＯは、入力／出力ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２から基板をピックアップし、異なる処理装置の間で基板を移動させ、リソグラフィ装置のローディングベイＬＢに届ける。これらのデバイスは、しばしば総称してトラックと呼ばれ、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にあり、トラック制御ユニットＴＣＵは、それ自体が監視制御システムＳＣＳによって制御され、監視制御システムＳＣＳは、リソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。従って、異なる装置を動作させて、スループット及び処理効率を最大化することができる。

計測システムの例
[0053] 図４は、一実施形態による、リソグラフィ装置１００又は１００’の一部として実装することができる計測システム４００の概略図を示す。この実施形態の例では、計測システム４００は、基板Ｗの表面の高さ及び高さの変動を測定するように構成されることがある。幾つかの他の実施形態では、計測システム４００は、基板上のアライメントマークの位置を検出するように、かつ、アライメントマークの検出された位置を用いて、パターニングデバイス、又はリソグラフィ装置１００若しくは１００’の他の構成要素に対して基板を位置合わせするように、構成されることがある。

[0054] 一実施形態によれば、計測システム４００は、放射源４０２、投影格子４０４、検出格子４１２、及び検出器４１４を含むことがある。放射源４０２は、１つ又は複数の通過帯域を有する電磁狭帯域放射ビームを供給するように構成されることがある。一例では、１つ又は複数の通過帯域は、約５００ｎｍ〜約９００ｎｍの間の波長の範囲内にあることがある。別の例では、１つ又は複数の通過帯域は、約５００ｎｍ〜約９００ｎｍの間の波長の範囲内の、別個の狭い通過帯域であることがある。別の例では、放射源４０２は、約２２５ｎｍ〜４００ｎｍの間の波長の紫外線（ＵＶ）範囲内の光を生成する。放射源４０２は、長期間に渡って（例えば、放射源４０２の寿命に渡って）実質的に一定の中心波長（ＣＷＬ）値を有する１つ又は複数の通過帯域を供給するように、更に構成されることがある。そのような放射源４０２の構成は、上述したように、現在の計測システムにおいて、実際のＣＷＬ値が所望のＣＷＬ値からシフトするのを防止するのに役立つことがある。結果として、一定のＣＷＬ値を使用することにより、現在の計測システムと比べて、計測システム（例えば、計測システム４００）の長期安定性及び精度を改善することができる。

[0055] 投影格子４０４は、放射源４０２から生成された放射のビームを受け取り、基板４０８の表面上に投影された像を供給するように構成されることがある。結像光学系４０６が、投影格子４０４と基板４０８との間に含まれることがあり、この結像光学系４０６は、１つ又は複数のレンズ、ミラー、格子等を含むことがある。一実施形態では、結像光学系４０６は、投影格子４０４から投影された像を基板４０８の表面上に集束させるように構成される。

[0056] 一実施形態では、投影格子４０４は、基板４０８の表面上に面法線に対して角度θで像を供給する。像は、基板表面によって反射され、検出格子４１２上で再結像される。検出格子４１２は、投影格子４０４と同一であってもよい。結像光学系４１０が、基板４０８と基板検出格子４１２との間に含まれることがあり、この結像光学系４１０は、１つ又は複数のレンズ、ミラー、格子等を含むことがある。一実施形態では、結像光学系４０８は、基板４０８の表面から反射された像を検出格子４１２上に集束させるように構成される。斜め入射のおかげで、基板４０８の表面における高さの変動（Ｚ_ｗ）は、投影格子４０４によって投影された像が検出格子４１２によって受け取られるときに、以下の方程式（１）によって与えられる距離（ｓ）に渡ってこの像をシフトさせる。
（数１）
ｓ＝２Ｚ_ｗｓｉｎ（θ） （１）

[0057] 一実施形態によれば、投影格子４０４のシフトされた像は、検出格子４１２および像シフトの周期的関数である透過強度によって部分的に透過される。このシフトされた像は、検出器４１４によって受け取られ、測定される。検出器４１４は、フォトダイオード又はフォトダイオードアレイを含むことがある。検出器４１４の他の例としては、ＣＣＤアレイが挙げられる。一実施形態では、検出器４１４は、受け取った像に基づいて、１ｎｍもの小ささのウェーハ高さの変動を測定するように設計されることがある。

アライメントシステム放射源の例
[0058] 放射源４１２は、ＵＶからＮＩＲ（近赤外線）スペクトルまでの範囲の波長で光を出力するように構成されることがある。実施形態によっては、ＵＶ波長は、より優れた計測センサ性能（精度）を提供する。ＵＶ光は、約２２５ｎｍ〜４００ｎｍの間の広い帯域幅を有することがある。ＵＶ波長範囲を提供するために、１つ又は複数の周波数倍増構成要素、又はレーザ励起プラズマ源に加えて、調節可能な赤外線レーザ源が設けられることがある。しかしながら、そのような構成は非効率的であり、大量の電力を消費する。

[0059] 一実施形態によれば、異なる中心波長の複数の光源を使用して、ＵＶ範囲内の１００〜２００ｎｍにまたがる帯域幅を有する光を生成する放射源が、提示される。広い帯域幅を有する単一の光源を使用することもできる。複数の光源は、中心波長の周りに１０ｎｍの半値全幅（ＦＷＨＭ）を有するＵＶ発光ダイオード（ＬＥＤ）を含むことがある。例えば、２６５ｎｍ、２８０ｎｍ、３００ｎｍ、３２０ｎｍ、及び３４０ｎｍの中心波長を有する５つのＵＶ ＬＥＤは、約２５０ｎｍ〜３５５ｎｍの間の波長を有する広帯域光を放出するように、それらの出力が合成されることがある。一連のビームスプリッタを使用した光合成システムを使用して、各ＬＥＤの出力を効率的な態様で合成することができる。各ＬＥＤの出力を合成する際に、回折格子及び分散プリズムなどの他の光学素子を使用することもある。

[0060] 図５は、一実施形態による、複数の光源の出力を合成するために使用することができる光合成器５００の一例を示す。光合成器５００は、放射源４０２内部の幾つかの構成要素のうちの１つであり得る。光合成器５００は、一連のフィルタ（例えば、５０２、５０４、５０６、及び５０８）を含む。これらのフィルタはそれぞれ、特定の波長のみを反射する一方で、他の波長は通過させるビームスプリッタのように作用する。

[0061] 光合成器５００では、５つのＬＥＤ源（ＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３、ＬＥＤ４、及びＬＥＤ５）が結合されている。しかしながら、任意の数の光源を結合してもよく、ＬＥＤ以外の光源を同様に使用してもよい。一実施形態では、各ＬＥＤ源はＵＶ範囲（例えば、約２２５ｎｍ〜約４００ｎｍの間）の光を放出する。各ＬＥＤ源は、異なる中心波長を有することがある。一例では、ＬＥＤ１は約２５０ｎｍ〜約２８０ｎｍの間の中心波長を有し、ＬＥＤ２は約２６５ｎｍ〜約２９５ｎｍの間の中心波長を有し、ＬＥＤ３は約２８５ｎｍ〜約３１５ｎｍの間の中心波長を有し、ＬＥＤ４は約３０５ｎｍ〜約３３５ｎｍの間の中心波長を有し、ＬＥＤ５は約３２５ｎｍ〜約３５５ｎｍの間の中心波長を有する。一実施形態では、所与のＬＥＤの中心波長は、直前のＬＥＤの中心波長よりも少なくとも１０ｎｍ高い（例えば、ＬＥＤ３は、ＬＥＤ２よりも少なくとも１０ｎｍ高い中心波長を有する）。

[0062] フィルタ５０２は、ＬＥＤ１によって生成された光を実質的に反射しながら、ＬＥＤ２によって生成された光を実質的に透過させる面を有するように設計されることがある。フィルタ５０２は、ＬＥＤ１によって生成された入射光の５０％超、６０％超、７０％超、８０％超、又は９０％超を反射しながら、ＬＥＤ２によって生成された光の５０％超、６０％超、７０％超、８０％超、又は９０％超を透過させるように設計されることがある。

[0063] 光合成器５００の図示した例に続いて、フィルタ５０４は、ＬＥＤ１及びＬＥＤ２によって生成された光を実質的に反射しながら、ＬＥＤ３によって生成された光を実質的に透過させる面を有するように設計される。フィルタ５０４は、ＬＥＤ１及びＬＥＤ２によって生成された入射光の５０％超、６０％超、７０％超、８０％超、又は９０％超を反射しながら、ＬＥＤ３によって生成された光の５０％超、６０％超、７０％超、８０％超、又は９０％超を透過させるように設計されることがある。

[0064] フィルタ５０６は、ＬＥＤ１、ＬＥＤ２、及びＬＥＤ３によって生成された光を実質的に反射しながら、ＬＥＤ４によって生成された光を実質的に透過させる面を有するように設計される。フィルタ５０６は、ＬＥＤ１、ＬＥＤ２、及びＬＥＤ３によって生成された入射光の５０％超、６０％超、７０％超、８０％超、又は９０％超を反射しながら、ＬＥＤ４によって生成された光の５０％超、６０％超、７０％超、８０％超、又は９０％超を透過させるように設計されることがある。

[0065] フィルタ５０８は、ＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３、及びＬＥＤ４によって生成された光を実質的に反射しながら、ＬＥＤ５によって生成された光を実質的に透過させる面を有するように設計される。フィルタ５０８は、ＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３、及びＬＥＤ４によって生成された入射光の５０％超、６０％超、７０％超、８０％超、又は９０％超を反射しながら、ＬＥＤ５によって生成された光の５０％超、６０％超、７０％超、８０％超、又は９０％超を透過させるように設計されることがある。

[0066] 最終的な光出力５１０は、ＬＥＤ１〜ＬＥＤ５の各々からの寄与を含む。最終的な光出力５１０は、基板に向けられるために、任意の形態の導光体によって受け取られることがある。別の例では、最終的な光出力５１０は、レンズ及び／又はミラーなどの自由空間光学コンポーネントによって受けられて、基板に向けられる。

[0067] フィルタ５０２〜５０８の各々の配置は、図５の例示に限定されない。更に、本明細書で説明する実施形態の範囲又は趣旨から逸脱することなく、光を平行化、集束、及び／又は方向づけするために、フィルタ５０２〜５０８のいずれかの前、後、又は間に他の光学コンポーネントが配置されることがある。既存のフィルタを調節又は交換する必要なく、追加のフィルタが光合成器５００に追加されることがある。

[0068] 光は、所与のフィルタの表面に入射角θで入射する。一実施形態によれば、入射角θは４５度未満又は３０度未満である。入射角θは、１０度〜２５度の間であってもよい。入射角θは、約１５度であってもよい。より小さな入射角を使用することにより、偏光分離の発生を低減又は除去し、従って、反射される光の量を最大化するのに役立つことがある。入射角θは、図５ではフィルタ５０２に対してのみ図示されているが、各フィルタ５０２、５０４、５０６、及び５０８において受け取られる光の入射角は、１０度〜２５度の間であり得る。一実施形態では、フィルタ５０２、５０４、５０６、及び５０８の各々は、各フィルタについて入射角が同じになるように構成される。

[0069] 図６は、一実施形態による、各フィルタ設計に対する反射率対入射光波長についてのシミュレーション出力を提供する。図６から分かるように、フィルタ５０２は、一例では、約２７５ｎｍ未満の波長に対して高い反射を有するように設計される。従って、ＬＥＤ１が、約２６５ｎｍの中心波長を有するＵＶ源であるこの例では、ＬＥＤ１から生成される光の大部分はフィルタ５０２によって反射される。この例では、フィルタ５０２は、約２８０ｎｍより高い波長に対しては、ほぼ完全に透過性である。従って、ＬＥＤ２が、約２８０ｎｍの中心波長を有するＵＶ源である場合、ＬＥＤ２から生成される光の大部分はフィルタ５０２を透過する。

[0070] フィルタ５０４は、一例では、約２９０ｎｍ未満の波長に対して高い反射を有するように設計される。従って、ＬＥＤ１が約２６５ｎｍの中心波長を有するＵＶ源であり、ＬＥＤ２が約２８０ｎｍの中心波長を有するＵＶ源であるこの例では、ＬＥＤ１及びＬＥＤ２から生成される光の大部分はフィルタ５０４によって反射される。この例では、フィルタ５０４は、約２９５ｎｍより高い波長に対しては、ほぼ完全に透過性である。従って、ＬＥＤ３が、約３００ｎｍの中心波長を有するＵＶ源である場合、ＬＥＤ３から生成される光の大部分はフィルタ５０４を透過する。

[0071] フィルタ５０６は、一例では、約３１０ｎｍ未満の波長に対して高い反射を有するように設計される。従って、ＬＥＤ１が約２６５ｎｍの中心波長を有するＵＶ源であり、ＬＥＤ２が約２８０ｎｍの中心波長を有するＵＶ源であり、ＬＥＤ３が約３００ｎｍの中心波長を有するＵＶ源であるこの例では、ＬＥＤ１、ＬＥＤ２、及びＬＥＤ３から生成される光の大部分はフィルタ５０６によって反射される。この例では、フィルタ５０６は、約３１５ｎｍより高い波長に対しては、ほぼ完全に透過性である。従って、ＬＥＤ４が、約３２０ｎｍの中心波長を有するＵＶ源である場合、ＬＥＤ４から生成される光の大部分はフィルタ５０６を透過する。

[0072] フィルタ５０８は、一例では、約３２５ｎｍ未満の波長に対して高い反射を有するように設計される。従って、ＬＥＤ１が約２６５ｎｍの中心波長を有するＵＶ源であり、ＬＥＤ２が約２８０ｎｍの中心波長を有するＵＶ源であり、ＬＥＤ３が約３００ｎｍの中心波長を有するＵＶ源であり、ＬＥＤ４が約３２０ｎｍの中心波長を有するＵＶ源であるこの例では、ＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３、及びＬＥＤ４から生成される光の大部分はフィルタ５０８によって反射される。この例では、フィルタ５０８は、約３３５ｎｍより高い波長に対しては、ほぼ完全に透過性である。従って、ＬＥＤ５が、約３４０ｎｍの中心波長を有するＵＶ源である場合、ＬＥＤ５から生成される光の大部分はフィルタ５０８を透過する。各フィルタの反射率特性は、図８でより詳細に説明するように、フィルタ表面の薄膜層構造設計に基づいて調節することができる。

[0073] なお、図５を参照して説明した実施形態では、ＬＥＤ１〜ＬＥＤ５は増加してゆく波長を有している。しかしながら、ＬＥＤ及び対応するフィルタの順序は、波長が任意の順序で合成されるように、再編成されてもよい。

[0074] 図７は、一実施形態による、波長に基づく光合成器５００の最終的な光スループットのシミュレーション出力を提供する。シミュレーションデータから分かるように、最終的な光出力５１０は、合成される各ＬＥＤの中心波長に対応する波長における強度ピークを含む。この例では、ＬＥＤ１…５の中心波長はそれぞれ、２６５ｎｍ、２８０ｎｍ、３００ｎｍ、３２０ｎｍ、及び３４０ｎｍである。

[0075] 図８は、一実施形態による、フィルタ５０２と共に使用される１つの層構造設計の一例を示す。この例はフィルタ５０２用であるが、この考察はフィルタ５０４、５０６、又は５０８のいずれにも当てはまることを理解されたい。

[0076] フィルタ５０２は、フィルタ５０２と共に使用される波長に対して低い吸収を有する任意の材料であり得る基板８０２を含む。基板材料の例としては、融解石英、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム、及びサファイアが挙げられる。

[0077] 一実施形態によれば、基板８０２は、フィルタ５０２にその反射特性を提供する、積層構造８０３内の複数の薄膜を含む。任意の数の薄膜層を、積層構造８０３内部で使用することができる。一実施形態によれば、各薄膜層は、１００ｎｍ未満、又は７５ｎｍ未満の厚さを有する。一例では、各薄膜層は、約５ｎｍ〜約６５ｎｍの間の厚さを有する。積層構造８０３内の各薄膜層は、同一の厚さを有してもよく、又はそれぞれ異なる厚さを有してもよい。一実施形態によれば、フィルタ５０２の反射特性は、使用される薄膜層の数、それぞれの個々の厚さ、及び各薄膜層に使用される材料によって、部分的に決定される。

[0078] 薄膜８０４ａ〜ｃは、同一の材料を表すことがあり、やはり同一の材料を表すことがある薄膜８０６ａ〜ｃと交互になっていることがある。薄膜８０４ａ〜ｃは二酸化ケイ素であることがあり、一方、薄膜８０６ａ〜ｃは酸化ハフニウムであることがある。薄膜８０４ａ〜ｃ及び８０６ａ〜ｃのいずれかに使用することができる他の例示的な材料としては、フッ化マグネシウム、フッ化ランタン、及び酸化アルミニウムが挙げられる。一実施形態では、各薄膜８０４ａ〜８０４ｃは、異なる材料を表す。同様に、各薄膜８０６ａ〜８０６ｃは、異なる材料を表すことがある。別の実施形態では、積層構造８０３は、薄膜８０４ａ及び薄膜８０６ｂが同一の材料を表し、薄膜８０６ａ及び８０４ｃが同一の材料を表し、薄膜８０４ｂ及び８０６ｃが同一の材料を表すように、繰り返される３つの薄膜層のサブグループを含む。

[0079] 太い矢印は、積層構造８０３へ入射しかつ反射する放射ビームの相対的な経路を表す。一実施形態によれば、入射角θが示され、入射角θは１０度〜２５度の間である。薄膜の数、各薄膜の厚さ、及び各薄膜に使用される材料により、どの光の波長が実質的にフィルタ５０２によって反射されるかが決定されることがある。

[0080] 図９は、一実施形態による、複数の光源の出力を合成するために使用することができる光合成器９００の別の例を示す。光合成器９００は、放射源４０２内部の幾つかの構成要素のうちの１つであり得る。光合成器９００は、一連のフィルタ（例えば、９０２、９０４、９０６、及び９０８）を含む。これらのフィルタはそれぞれ、特定の波長のみを反射する一方で、他の波長は通過させるビームスプリッタのように作用する。

[0081] 光合成器９００の例示的な光源（ＬＥＤ１…ＬＥＤ５）は、光合成器５００において上述した光源と同様であり、ここでは再度説明はしない。更に、各フィルタ９０２、９０４、９０６、及び９０８は、光合成器５００において説明したフィルタと、フィルタの両方のタイプとも、特定の波長範囲を反射しながら他の波長は通過させるように設計された薄膜の積層を含むという点で、類似している。しかしながら、光合成器５００のフィルタとは対照的に、光合成器９００のフィルタ９０２、９０４、９０６、及び９０８は、最終的な出力ビーム９１０を生成するために、光の反射よりも光の透過を利用するように設計されている。

[0082] 一実施形態によれば、フィルタ９０２は、ＬＥＤ１によって生成された光を実質的に透過させながら、ＬＥＤ２によって生成された光を実質的に反射するように設計される。フィルタ９０４は、ＬＥＤ１及びＬＥＤ２の両方によって生成された光を実質的に透過させながら、ＬＥＤ３によって生成された光を実質的に反射するように設計される。フィルタ９０６は、ＬＥＤ１、ＬＥＤ２、及びＬＥＤ３によって生成された光を実質的に透過させながら、ＬＥＤ４によって生成された光を実質的に反射するように設計される。フィルタ９０８は、ＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３、及びＬＥＤ４によって生成された光を実質的に透過させながら、ＬＥＤ５によって生成された光を実質的に反射するように設計される。

[0083] フィルタ９０２〜９０８の各々の配置は、図９の例示に限定されない。更に、本明細書で説明する実施形態の範囲又は趣旨から逸脱することなく、光を平行化、集束、及び／又は方向づけするために、フィルタ９０２〜９０８のいずれかの前、後、又は間に他の光学コンポーネントが配置されることがある。既存のフィルタを調節又は交換する必要なく、追加のフィルタが光合成器９００に追加されることがある。

[0084] 光合成器５００に関して前述したように、一実施形態によれば、光は、所与のフィルタの表面に４５度未満又は３０度未満の入射角で入射する。入射角は、１０度〜２５度の間であってもよい。入射角は、約１５度であってもよい。より小さな入射角を使用することにより、偏光分離の発生を低減又は除去し、従って、反射される光の量を最大化するのに役立つことがある。一実施形態では、フィルタ９０２、９０４、９０６、及び９０８の各々は、各フィルタについて入射角が同じになるように構成される。

[0085] 本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及されていることがあるが、本明細書で説明するリソグラフィ装置は、磁区メモリ、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等のためのガイダンス及び検出パターン、集積光学システムの製造などの、他の用途を有することがあることを理解されたい。当業者であれば、そのような代替の用途の文脈において、本明細書での「ウェーハ」又は「ダイ」という用語の使用は、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」というより一般的な用語の同義としてみなすことができることを、理解するであろう。本明細書で言及される基板は、露光の前又は後で、例えば、トラック（通常、レジストの層を基板に塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、計測ツール及び／又は検査ツールで処理されることがある。適用可能である場合、本明細書の開示は、そのような他の基板処理ツールに適用することができる。更に、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために２度以上処理されることがあり、その結果、本明細書で使用する基板という用語は、複数の処理済層を既に包含している基板を指すこともある。

[0086] 光リソグラフィに関連して本発明の実施形態の使用について上記で具体的に言及してきたが、本発明は他の用途、例えばインプリントリソグラフィにおいても使用することができ、状況が許せば、光リソグラフィに限定はされないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが、基板上に生成されるパターンを規定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジストの層にプレスされることがあり、基板上では、電磁放射、熱、圧力、又はそれらの組み合わせを印加することにより、レジストが硬化される。パターニングデバイスはレジストから外部に移動され、レジストが硬化された後でレジストにパターンを残す。

[0087] 本明細書の語句又は用語は、説明の目的のためのものであり、限定するものではなく、本明細書の用語又は語句は、関連技術分野の当業者によって、本明細書の教示に照らし合わせて解釈されるべきものであることを、理解されたい。

[0088] 本明細書で説明した実施形態では、状況が許す場合、「レンズ」及び「レンズ素子」という用語は、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、及び静電気型の光学コンポーネントを含む、様々なタイプの光学コンポーネントのうちのいずれか１つ又は組み合わせを指すことがある。

[0089] 更に、本明細書で使用する「放射」「ビーム」及び「光」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外線（ＥＵＶ又は軟Ｘ線）放射（例えば、１３．５ｎｍなど５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、又は５ｎｍ未満で動作する硬Ｘ線、並びにイオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含む、全ての種類の電磁放射を包含する。一般的に、約４００〜約７００ｎｍの間の波長を有する放射は、可視放射とみなされ、約７８０〜３０００ｎｍ（又はそれ以上）の間の波長を有する放射は赤外放射とみなされる。ＵＶは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射を指す。リソグラフィの中では、「ＵＶ」という用語は、水銀放電ランプによって生成することができる波長、即ち、Ｇ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍ、及び／又はＩ線３６５ｎｍ、にも当てはまる。真空ＵＶ、又はＶＵＶ（即ち、ガスによって吸収されるＵＶ）は、約１００〜２００ｎｍの波長を有する放射を指す。深紫外線（ＤＵＶ）は、一般的に、１２６ｎｍから４２８ｎｍまでの範囲の波長を有する放射を指し、一実施形態では、エキシマレーザは、リソグラフィ装置内部で使用されるＤＵＶ放射を生成することができる。例えば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射は、少なくともその一部が５〜２０ｎｍの範囲内にある特定の波長帯域を有する放射に関係することを理解されたい。

[0090] 本明細書で使用する「基板」という用語は、一般的に、その上に後続の材料層が追加される材料を表す。実施形態では、基板自体がパターン付けされることがあり、基板の上部に追加された材料もパターン付けされることがあるか、又はパターン付けされないままであることがある。

[0091] 本発明の具体的な実施形態について上記で説明したが、本発明は、説明したものとは別の態様で実施されることがあることを、理解されたい。説明は、本発明を限定することを意図したものではない。

[0092] 「発明の概要」及び「要約」の章ではなく、「発明を実施するための形態」の章が、請求項を解釈するために使用されるように意図されていることを理解されたい。「発明の概要」及び「要約」の章は、発明者らによって企図された本発明の例示的な実施形態の、全てではないが１つ又は複数を記載していることがあり、従って、いかなる態様でも、本発明及び添付の特許請求の範囲を限定することを意図していない。

[0093] 本発明について、具体的な機能の実装及びそれらの関係を示す機能的構成ブロックの助けを借りて、上述した。これらの機能的構成ブロックの境界は、説明の便宜上、本明細書では任意に規定される。特定の機能及びそれらの関係が適切に実行される限り、代替の境界を規定することができる。

[0094] 特定の実施形態についての前述の説明は、本発明の一般的性質を完全に明らかにしているので、当分野の技術の範疇の知識を応用することによって、他者が、本発明の一般的な概念から逸脱することなく、不適当な実験を行うことなしに、そのような特定の実施形態を容易に修正するかつ／又は様々な用途へ適合させることができる。従って、そのような適合及び修正は、本明細書で提示された教示及び指導に基づいて、開示された実施形態の均等物の趣旨及び範囲の内部にあることが意図されている。

[0095] 本発明の広さ及び範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以降の請求項及びそれらの均等物に従ってのみ、規定されるべきである。

Claims (20)

1. 光合成器であって、
   複数の光源と、
   前記複数の光源のうちの第１の光源から生成された光の５０％超を反射し、かつ、前記複数の光源のうちの第２の光源から生成された光の５０％超を透過させるように構成された第１のフィルタと、
   前記複数の光源のうちの前記第１の光源及び前記第２の光源から生成された光の５０％超を反射し、かつ、前記複数の光源のうちの第３の光源から生成された光の５０％超を透過させるように構成された第２のフィルタとを含み、
   前記第１のフィルタの表面上での前記第１の光源から生成された光の入射角は３０度未満である、光合成器。
2. 前記複数の光源のうちの前記第１の光源、前記第２の光源、及び前記第３の光源から生成された光の５０％超を反射し、かつ、前記複数の光源のうちの第４の光源から生成された光の５０％超を透過させるように構成された第３のフィルタを更に含む、請求項１に記載の光合成器。
3. 前記複数の光源のうちの前記第１の光源、前記第２の光源、前記第３の光源、及び前記第４の光源から生成された光の５０％超を反射し、かつ、前記複数の光源のうちの第５の光源から生成された光の５０％超を透過させるように構成された第４のフィルタを更に含む、請求項２に記載の光合成器。
4. 前記第１の光源、前記第２の光源、前記第３の光源、前記第４の光源、及び前記第５の光源の各々は、異なる中心波長を有する、請求項３に記載の光合成器。
5. 前記第１のフィルタ及び前記第２のフィルタの各々は、薄膜材料の積層体を含む、請求項１に記載の光合成器。
6. 前記薄膜材料の積層体は、二酸化ケイ素及び酸化ハフニウムを含む、請求項５に記載の光合成器。
7. 前記積層体内で、二酸化ケイ素薄膜が酸化ハフニウム薄膜と交互になっている、請求項６に記載の光合成器。
8. 前記薄膜材料の積層体における各薄膜の厚さは、５ｎｍ〜６５ｎｍの間である、請求項６に記載の光合成器。
9. 前記複数の光源は、紫外光発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、請求項１〜３又は５〜８のいずれか一項に記載の光合成器。
10. 計測システムであって、
    光を生成するように構成された放射源と、
    前記光を受け取り、基板に向けて像を投影するように構成された投影格子と、
    前記基板の表面から反射された前記像を受け取るように構成された検出格子と、
    前記検出格子から前記像を受け取り、前記受け取った像に基づいて前記基板の前記表面の高さを測定するように構成された検出器とを含み、
    前記放射源は、
    複数の光源と、
    前記複数の光源のうちの第１の光源から生成された光の５０％超を反射し、かつ、前記複数の光源のうちの第２の光源から生成された光の５０％超を透過させるように構成された第１のフィルタと、
    前記複数の光源のうちの前記第１の光源及び前記第２の光源から生成された光の５０％超を反射し、かつ、前記複数の光源のうちの第３の光源から生成された光の５０％超を透過させるように構成された第２のフィルタとを含み、
    前記第１のフィルタの表面上での前記第１の光源から生成された光の入射角は３０度未満である、計測システム。
11. 前記複数の光源は紫外線ＬＥＤを含む、請求項１０に記載の計測システム。
12. 前記放射源は、前記複数の光源のうちの前記第１の光源、前記第２の光源、及び前記第３の光源から生成された光の５０％超を反射し、かつ、前記複数の光源のうちの第４の光源から生成された光の５０％超を透過させるように構成された第３のフィルタを更に含む、請求項１０に記載の計測システム。
13. 前記放射源は、前記複数の光源のうちの前記第１の光源、前記第２の光源、前記第３の光源、及び前記第４の光源から生成された光の５０％超を反射し、かつ、前記複数の光源のうちの第５の光源から生成された光の５０％超を透過させるように構成された第４のフィルタを更に含む、請求項１２に記載の計測システム。
14. 前記第１のフィルタ及び前記第２のフィルタの各々は、二酸化ケイ素及び酸化ハフニウムを含む薄膜材料の積層体を含む、請求項１０に記載の計測システム。
15. 前記光源の各々は異なる中心波長を有する、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の計測システム。
16. リソグラフィ装置であって、
    パターニングデバイスのパターンを照射するように構成された照明システムと、
    前記パターンの像を基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
    前記基板の表面の高さを判定するように構成された計測システムとを含み、
    前記計測システムの放射源は、
    複数の光源と、
    前記複数の光源のうちの第１の光源から生成された光の５０％超を反射し、かつ、前記複数の光源のうちの第２の光源から生成された光の５０％超を透過させるように構成された第１のフィルタと、
    前記複数の光源のうちの前記第１の光源及び前記第２の光源から生成された光の５０％超を反射し、かつ、前記複数の光源のうちの第３の光源から生成された光の５０％超を透過させるように構成された第２のフィルタとを含み、
    前記第１のフィルタの表面上での前記第１の光源から生成された光の入射角は３０度未満である、リソグラフィ装置。
17. 前記放射源は、前記複数の光源のうちの前記第１の光源、前記第２の光源、及び前記第３の光源から生成された光の５０％超を反射し、かつ、前記複数の光源のうちの第４の光源から生成された光の５０％超を透過させるように構成された第３のフィルタを更に含む、請求項１６に記載のリソグラフィ装置。
18. 前記放射源は、前記複数の光源のうちの前記第１の光源、前記第２の光源、前記第３の光源、及び前記第４の光源から生成された光の５０％超を反射し、かつ、前記複数の光源のうちの第５の光源から生成された光の５０％超を透過させるように構成された第４のフィルタを更に含む、請求項１７に記載のリソグラフィ装置。
19. 前記第１のフィルタ及び前記第２のフィルタの各々は、二酸化ケイ素及び酸化ハフニウムを含む薄膜材料の積層体を含む、請求項１６に記載のリソグラフィ装置。
20. 前記複数の光源は紫外線ＬＥＤを含む、請求項１６〜１９のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
    

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