JP2008294436A - 放射に関する量を測定するデバイスおよびリソグラフィ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】入射する粒子からセンサが保護され、同時に放射がセンサへと到達できるデバイス、及びリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】デバイス１は、放射源ＳＯから放出される放射のドーズ量またはパルスエネルギーといった量を測定するセンサ２、極端紫外線を放出する放射源から放出されて入射する粒子からセンサを保護するスクリーン４、および放射源により放出された極端紫外線を、スクリーンを通り越してセンサへ向かうよう向け直すミラー６を備える。粒子はセンサに当たることができないが、放射はセンサに当たることができる。
【選択図】図２

Description

[0001] 本発明は、放射に関する量を測定するデバイス、該デバイスを含む放射源、および該放射源を含むリソグラフィ装置に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する装置である。リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路（ＩＣ）の製造において用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（たとえばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（たとえば１つのダイの一部、１つまたはいくつかのダイを含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上での結像を介してなされる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、およびある特定の方向（「スキャン」方向）の放射ビームによってパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

[0003] 小さなパターンを基板へ投影することができるように、通常は５ｎｍ〜４０ｎｍの間の波長を有する電磁放射である、いわゆる極紫外線（ＥＵＶ）領域内の波長を有する放射が用いられる。ＥＵＶ放射源は、ＥＵＶ放射のほかに、光学系、放射に関する量を測定するセンサ、およびリソグラフィプロセスが実行される作業環境のいずれにとっても有害となり得る汚染物質を生成する。このことは特に、レーザ誘起プラズマを介して動作するＥＵＶ放射源の場合にあてはまる。一方、パターンを基板に投影するためにＥＵＶ放射が用いられるリソグラフィにおいては、前述のセンサだけでなく、ＥＵＶ源からの放射ビームを調節する光学系の汚染に歯止めをかけることが望まれている。

[0004] 放射源から放出されて入射する粒子からセンサを保護するために、スクリーンを配置することが提案されている。しかしながら、このようなスクリーンは放射源とセンサとの間に位置決めすることができるが、それによってセンサからの放射を遮断してしまう。

[0005] 放射がセンサに到達できるように、放射源から放出されてスクリーンを通過する極端紫外線を、スクリーンを通り越してセンサへ向かうよう向け直すミラーを配置することが提案されている。

[0006] 入射する粒子からセンサが保護され、同時に放射がセンサへと到達できるデバイスを提供することが望ましい。

[0007] 一態様によれば、放射に関する量を測定するデバイスが提供される。該デバイスは、量を測定するセンサ、極端紫外線を放出する放射源から放出されて入射する粒子からセンサを保護するスクリーン、および放射源によって放出される極端紫外線を、スクリーンを通り越してセンサへ向かうよう向け直すミラーを備える。

[0008] 別の態様によれば、極端紫外線を放出する放射源が提供される。該放射源は放射に関する量を測定するデバイスを備える。該デバイスは、量を測定するセンサ、極端紫外線を放出する放射源から放出されて入射する粒子からセンサを保護するスクリーン、および放射源によって放出される極端紫外線を、スクリーンを通り越してセンサへ向かうよう向け直すミラーを備える。

[0009] さらに別の態様によれば、放射ビームを調節する照明システム、およびパターニングデバイスを支持するサポートを含むリソグラフィ装置が提供される。パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができる。該装置はまた、基板を保持する基板テーブル、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システム、および放射に関する量を測定するデバイスを含む。デバイスは、量を測定するセンサ、極端紫外線を放出する放射源から放出されて入射する粒子からセンサを保護するスクリーン、および放射源によって放出される極端紫外線を、スクリーンを通り越してセンサへ向かうよう向け直すミラーを備える。

[0010] 本発明のある態様によれば、反射層を備えるミラーが提供される。該反射層はガリウム合金である液体金属を含む。

[0011] 以下、添付の概略図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施形態を説明する。図面において、同じ参照符号は同じ部分を示す。

[0016] 図１はリソグラフィ装置を概略的に示している。リソグラフィ装置は、放射ビームＢ（たとえばＥＵＶ照射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ、パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ一定のパラメータにしたがってパターニングデバイスを正確に位置付けするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されるサポート構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴ、基板（たとえばレジストコートされたウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ一定のパラメータにしたがって基板を正確に位置付けするように構成された第２ポジショナＰＷに連結される基板テーブル（たとえばウェーハテーブル）ＷＴ、およびパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（たとえば屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。

[0017] 照明システムは、放射を誘導、整形または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電気型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組み合わせなどさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。

[0018] サポート構造はパターニングデバイスを支持する、たとえばパターニングデバイスの重みを支えるものである。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、たとえばパターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどといった他の条件に応じた様態でパターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、たとえば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、たとえば、投影システムに対して任意の位置に確実に置くことができる。本明細書において使われる用語「レチクル」または「マスク」はすべて、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えてよい。

[0019] 本明細書において使われる用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように放射ビームの断面にパターンを付与するために使うことができるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付与されたパターンは、たとえば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の任意のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などの、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。

[0020] パターニングデバイスは、透過型または反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(Alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(Attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームさまざまな方向に反射するように、個別に傾斜することができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射された放射ビームにパターンを付与する。

[0021] 本明細書において使われる用語「投影システム」は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型、および静電気型光学システム、またはそれらのあらゆる組み合わせを含むあらゆるタイプの投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使われる用語「投影レンズ」はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えるとよい。

[0022] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（たとえば反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（たとえば透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。

[0023] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、あるいは、予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。

[0024] また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体、たとえば水によって、基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。さらに、リソグラフィ装置内の別の空間、たとえば、マスクと投影システムとの間の空間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は投影システムの開口数を増加させるためのものとして当該技術分野では周知である。本明細書において使われている用語「液浸」は、基板のような構造体を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。

[0025] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射放射源ＳＯから放射を受ける。放射源およびリソグラフィ装置は、たとえば、放射源がエキシマレーザである場合、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、たとえば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。別の場合においては、放射源は、たとえば放射源が水銀ランプである場合、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。

[0026] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するためのアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他の構成要素を含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調節すれば、放射ビームの断面に任意の均一性および強度分布を持たせることができる。

[0027] 放射ビームＢは、サポート構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束させる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（たとえば干渉デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、たとえば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１（図１（ａ）には明示されていない）を使い、たとえば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置づけることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてよく、あるいは固定されていてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせされていてもよい。例示では基板アライメントマークがそれ専用のターゲット部分におかれているが、基板アライメントマークをターゲット部分の間の空間（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）内に置くこともできる。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイの間に置かれてもよい。

[0028] 例示の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使うことができると考えられる。

[0029] １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。基板テーブルＷＴは、つぎにＸおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃが露光されることが可能になる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に投影されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。

[0030] ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同時にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。

[0031] ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かすまたはスキャンする一方で、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0032] 上述の使用モードの組み合わせおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なるモードもまた採用可能である。

[0033] 図２は、図１のリソグラフィ装置に適用可能な、本発明によるデバイス１の第１の実施形態の概略図である。デバイス１は、放射源ＳＯから放出される放射のドーズ量またはパルスエネルギーといった量を測定するセンサ２、たとえば光ダイオードを備える。放射源ＳＯから放出されて入射する粒子により被る損害を避けるために、デバイス１はスクリーン４を備えることができる。悪いことには、スクリーン４はそのような粒子だけでなく、放射源ＳＯより放出される極端紫外線をも遮断する。放射がセンサに到達できるように、ミラー６は、使用中に放射源ＳＯにより放出された放射の向きを変えて、スクリーン４を通ってセンサへ向ける。そのため、粒子は放射源ＳＯに当たることができないが、放射は放射源ＳＯに当たることができる。

[0034] ミラー６は反射層１０を含むリザーバ８を備え、反射層１０は放射源の作動中に液状であるよう選択された素材を含む。適切な液体は錫であってよい。他の適切な素材としては、ガリウム、インジウム、および錫の共晶合金であるガリンスタンといったガリウム合金であってよい。通常、ガリウム、インジウム、および錫を含む合金においては、該合金が室温を下回る融点を有するように化合物が選択され得る。これにより、錫と比較して幅広い温度範囲においてミラー６の液状反射層１０として該合金を使用することができる。特に、通常は錫の融点を下回る温度を有する構成成分を外部から加熱する必要がなくなる。

[0035] さらに、上述のガリスタンのようなガリウムを含む合金は、通常は極端紫外線にとって好ましい反射特性を有する。特に、原子濃度でガリウムを約６３．３％、インジウムを２３．３％、錫を１３．４％有する合金は極端紫外線の反射に適することが分かっている。

[0036] さらに、該粒子の主要部分が錫粒子である場合は特に、このような合金は放射源ＳＯにより放出される粒子の吸収に非常に適することが分かっている。原子濃度でガリウムを約８１．３％、およびインジウムを約１８．７％有する合金は、該合金が原子濃度でガリウムを約７２．２％、インジウムを約１６．６％、錫を約１１．２％含むまで、錫の吸収に特に適することが分かっている。反射層１０は液体を含むので、低表面ラフネスを維持しながら、あらゆる堆積微小粒子を吸収する。

[0037] 表１は、Ｓｎと同様に適切な他の合金を比較のために示す。化合物は原子濃度で示される（たとえば、Ｇａ−８．５Ｓｎ は、Ｇａが９１．５ ａｔ％かつＳｎが８．５ ａｔ％であることを意味する）。融点は各相平衡状態図から決定された。ある種類の合金（たとえばＧａ−Ｉｎ−Ｓｎ）は、過冷却のため融点を下回る液体であり得る。反射率および表面張力は構成要素の特性の加重平均である。すなわち、表面が概ねバルク合金と同様の組成物を有するとみなされる。

[0038] 様々な合金は、純Ｓｎ液状ミラーと比較して、それぞれ異なる効果を有する。たとえば、Ｇａベースの共晶合金はＳｎよりも大幅に低い融点を有するため、室温において液状であり外部からの加熱を必要としない。Ｂｉ−Ｓｎ合金はＳｎに比べて顕著に高いＥＵＶ反射率を有しており、また表面張力が低いためにより好ましい濡れ性を示す可能性が高い。

[0039] デバイス１は、フィルタ１２と、さらにピンホール１６が設けられたスクリーン１４とを任意に備える。放射はスクリーン１４を透過してフィルタ１２へ伝播し、最終的にセンサ２に到達する（図２）。

[0040] 図３は図２のデバイス１の変形例を示す。特に図２は、ミラー６が基板８を有し、該基板８上に反射層１０が保持される様子を示す。基板８は、第１端１８および第２端２０を備え、第１端１８が第２端２０より高い位置にくるように傾斜される。

[0041] 図３に示すように、デバイス１の変形例は、基板８の第１端１８に近い位置で液体を反射層１０に塗布する入口２１を備え、それによって反射層１０、および任意の速度で液体を基板８に供給する投与システム２２を保持する。

[0042] 図３に見られるように、基板８から落ちる液体を第２端２０付近で回収する回収リザーバ２４が設けられる。液体は出口２６を通して排出されることができる。

[0043] 図４はデバイス１の第２の実施形態を示す。図４に示されるデバイス１のスクリーン４は、ミラー６により反射される放射が伝播する際に通過する貫通孔２８を備え、この点で図４に示されるデバイス１は図２のデバイスと異なる。さらに、図４のデバイス１は、スクリーン４の後ろを伝播する放射の経路に沿って延伸するダクト３０を備え、スクリーン４は、放射源３０により放出される放射の伝播方向とは反対の方向Ｐへダクト３０を通ってガスが供給されるようにする。該ガスは、極端紫外線に対して透過的なアルゴンなどのガスであり、透過した放射は第１ミラー３２および第２ミラー３４へと伝播する。図４の実施形態においては、それぞれ多層ミラー３２、３４である。フィルタ１２と共に、ミラー３２および３４は帯域内極端紫外線以外のあらゆる電磁放射を除去するバンドパスフィルタを形成する。

[0044] 図４におけるデバイス１のミラー６は、図２のリザーバと同様の反射層１０を含むリザーバ８を備えることができる。あるいは、図３と同様の変形例を適用可能である。

[0045] 本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など、他の用途を有することは明らかである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使われている用語「ウェーハ」または「ダイ」はすべて、それぞれより一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義であると考えてよい。本明細書に記載されている基板は、露光の前後に、たとえば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示物を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに、基板は、たとえば積層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使われる基板という用語が、既に多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

[0046] 本明細書では、光リソグラフィに関連した本発明の実施形態の使用について上記に具体的に言及されたが、本発明は、たとえばインプリントリソグラフィといった他の用途にも使用可能であり、状況が許す場合には光リソグラフィに限定されないことが明らかである。インプリントリソグラフィの場合、パターニングデバイスにおけるトポグラフィが基板上に形成されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工されてよく、その場合電磁放射、熱、圧力、またはこれらの組み合わせを与えることによってレジストは硬化される。レチクルが硬化された後、パターンはレチクルに残した状態でパターニングデバイスはレジストから外へ移動される。

[0047] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（たとえば、３６５、３５５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｍｍ、あるいはその前後の波長を持つもの）および極端紫外線（ＥＵＶ）放射（たとえば、５〜２０ｍｍの範囲の波長を持つもの）を含むあらゆる種類の電磁放射、ならびにイオンビームまたは電子ビームといった粒子ビームを包含する。

[0048] 「レンズ」という用語は、状況が許す場合、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、および静電型光コンポーネントを含む各種光コンポーネントのうちの１つまたは組み合わせを指すことができる。

[0049] 以上、本発明の特定の実施形態を説明してきたが、本発明は説明された以外にも実施可能であることは明らかである。たとえば、本発明は上述された方法を示す機械読取可能な命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、もしくはそのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態とすることができる。

[0050] 以上の説明は、制限ではなく例示を目的としたものである。したがって、当業者にとって明らかであるように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本発明に変更を加えることができる。

本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 本発明の一態様によるデバイスの実施形態の模式図である。 図２のデバイスの変形例の模式図である。 本発明の一態様によるデバイスの別の実施形態である。

Claims (21)

1. 放射に関する量を測定するデバイスであって、
   量を測定するセンサ、
   極端紫外線を放出する放射源から放出されて入射する粒子からセンサを保護するスクリーン、および
   放射源により放出された極端紫外線を、スクリーンを通り越してセンサへ向かうよう向け直すミラー
   を備えるデバイス。
2. ミラーは反射層を備え、該反射層は放射源の作動中に液状物質を備える、請求項１に記載のデバイス。
3. 液状物質は液体金属である、請求項２に記載のデバイス。
4. 液体は、ガリウム、インジウム、リチウム、ビスマス、および錫からなる群より選択される一種類以上の物質を含む、請求項２に記載のデバイス。
5. ミラーは反射層を備え、該反射層はガリウム合金を含む、請求項１に記載のデバイス。
6. センサが測定する量はドーズ量またはパルスエネルギーである、請求項１に記載のデバイス。
7. 極端紫外線を放出する放射源であって、
   量を測定するセンサ、
   極端紫外線を放出する放射源から放出されて入射する粒子からセンサを保護するスクリーン、および
   放射源によって放出される極端紫外線を、スクリーンを通り越してセンサへ向かうよう向け直すミラー
   を含む、放射に関する量を測定するデバイス
   を備える、放射源。
8. ミラーは反射層を備え、該反射層は放射源の作動中に液状物質を含む、請求項７に記載の放射源。
9. 液状物質は液体金属である、請求項８に記載の放射源。
10. 液体は、ガリウム、インジウム、リチウム、および錫からなる群より選択される一種類以上の物質を含む、請求項８に記載の放射源。
11. ミラーは反射層を備え、該反射層はガリウム合金を含む、請求項７に記載の放射源。
12. センサが測定する量はドーズ量またはパルスエネルギーである、請求項７に記載の放射源。
13. 放射ビームを調節する照明システム、
    放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するサポート、
    基板を保持する基板テーブル、
    パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システム、および
    放射に関する量を測定するデバイス
    を備えるリソグラフィ装置であって、
    前記デバイスは、
    量を測定するセンサ、
    極端紫外線を放出する放射源から放出されて入射する粒子からセンサを保護するスクリーン、および
    放射源によって放出される極端紫外線を、スクリーンを通り越してセンサへ向かうよう向け直すミラー
    を備える、リソグラフィ装置。
14. ミラーは反射層を備え、該反射層は放射源の作動中に液状物質を含む、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
15. 液体は液体金属である、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
16. 液状物質は、ガリウム、インジウム、リチウム、および錫からなる群より選択される一種類以上の素材を含む、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
17. ミラーは反射層を備え、該反射層はガリウム合金を含む、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
18. センサが測定する量はドーズ量またはパルスエネルギーである、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
19. ガリウム合金である液体金属を含む反射層を備えるミラー。
20. ガリウム合金はガリウムおよびインジウムを含む、請求項１９に記載のミラー。
21. ガリウム合金はさらに錫を含む、請求項２０に記載のミラー。

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