JP2004193527A - 半導体デバイスアレイ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】微細な半導体デバイスを高密度に並べたアレイを簡便な方法で作製する。
【解決手段】シリコン又はゲルマニウムを含み構成されるマトリクス部材２中にアルミニウムを含み構成される柱状物質が分散している構造体から柱状物質を除去して形成された柱状の孔を有する多孔体と、孔内に形成された、少なくとも１つのｐ−ｎ結合もしくはｐ−ｉ−ｎ結合を有する半導体領域１と、半導体領域１の上下に設置された一対の電極４、５とを備えた半導体デバイスを複数個基板上に有する。その後、多孔体を除去してもよい。
【選択図】 図１
【解決手段】シリコン又はゲルマニウムを含み構成されるマトリクス部材２中にアルミニウムを含み構成される柱状物質が分散している構造体から柱状物質を除去して形成された柱状の孔を有する多孔体と、孔内に形成された、少なくとも１つのｐ−ｎ結合もしくはｐ−ｉ−ｎ結合を有する半導体領域１と、半導体領域１の上下に設置された一対の電極４、５とを備えた半導体デバイスを複数個基板上に有する。その後、多孔体を除去してもよい。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体デバイスアレイ及びその製造方法に関するものであって、特に面発光素子、自発光表示装置及びイメージセンサなどに適応可能な新規な半導体デバイスアレイ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ダイオードやトランジスタなどの半導体デバイスのアレイは個々に製造した半導体デバイスチップを規則的に配列させ結線することで作製されてきたが、近年のエレクトロニクス機器の小型化、高集積化に伴い半導体デバイスアレイも高密度化、ワンチップ化することが求められている。
【０００３】
例えば、エリアイメージセンサとして用いられるＣＣＤチップの受光部を形成するフォトダイオードアレイの個々のダイオードは、現在販売されている物のなかで最小のものでは約３μｍ角である。また、パソコンなどの頭脳にあたるＣＰＵやメモリーであるＤＲＡＭに用いられる最先端の半導体プロセスの設計ルールは０．１３μｍであり、このことは現時点ではフォトリソグラフィを用いた半導体加工技術を用いて商業的に作製できる構造体は０．１３μｍサイズが限界であることを示している。
【０００４】
更に微細な構造体の作製方法としては、例えば、更に短波長の光を用いたフォトリソグラフィをはじめ、電子線露光、Ｘ線露光などの微細パターン形成技術をはじめとする半導体加工技術によって直接的にナノ構造体を作製する方法が挙げられる。
【０００５】
一方で、上述の半導体加工技術とは別に、材料の自己組織化（self-organization）現象を利用する手法がある。即ち、自然に形成される規則的な構造をベースに、新規な微細構造体を実現しようというものである。
【０００６】
この自己組織化現象を利用する手法では、ミクロンオーダーは勿論、ナノオーダーの構造体を簡易に実現できる可能性があるため、多くの研究が行われ始めている。
【０００７】
このような自己組織化手法として、ナノサイズの空孔を有するナノ構造体を制御よく大面積に形成できる陽極酸化が挙げられる。たとえば、アルミニウムを酸性浴中で陽極酸化することで作製する陽極酸化アルミナが知られている。
【０００８】
アルミニウムの陽極酸化は、アルミニウム板あるいは基板上に形成されたアルミニウム膜を酸性電解質中で陽極酸化すると、多孔質酸化被膜（陽極酸化アルミナ）が形成される。（たとえば非特許文献１等参照）。この多孔質酸化被膜の特徴は、直径が数十ｎｍ〜数百ｎｍの極めて微細な円柱状空孔（ナノホール）が、数十ｎｍ〜数百ｎｍの間隔（セルサイズ）で平行に配列するという特異的な幾何学的構造を有することにある。この円柱状の空孔は、空孔間隔が数十ｎｍ以上の場合では、高いアスペクト比を有し、断面の径の一様性にも比較的優れている。この空孔の径及び間隔は、陽極酸化の際の酸の種類、電圧を調整することによりある程度の制御が可能である。具体的には電圧を低下させると空孔の間隔を低減できる。また、陽極酸化被膜の厚さ及び空孔の深さは、陽極酸化の時間を制御することにより、ある程度の制御が可能である。
【０００９】
この陽極酸化ナノホール内に金属や半導体等を充填する技術や、ナノホールのレプリカ技術を用いることより、着色、磁気記録媒体、ＥＬ発光素子、エレクトロクロミック素子、光学素子、太陽電池、ガスセンサをはじめとするさまざまな応用が試みられている。さらには、量子細線、ＭＩＭ素子などの量子効果デバイス、ナノホールを化学反応場として用いる分子センサー、など多方面への応用が期待されている（非特許文献２）。更に特許文献１では、アルミナナノホール内にＺｎＯを埋め込み基板に対して垂直方向平行な方向で発光波長の強度が違う発光デバイスが提案されている。
【００１０】
また、ナノホールを用いたプロセス以外のプロセスで微細な構造を作製した例として、例えば微粒子金属がお互いの電気あるいは磁気的な相互作用により、自己組織化的に結合することを利用して、ワイヤ状の金属微粒子集合体を形成する方法が特許文献２に開示されている。
【００１１】
また、金などの微粒子を触媒として自己組織化的にナノワイヤを成長させるvapor-liquid-solid(VLS)法を用いて、ｐ型とｎ型のインジウム−リンの単結晶ナノワイヤを作製し、これらを接触させて発光させたという報告もある（非特許文献３）。
【００１２】
【特許文献１】
特開２００１−１６２６００号公報
【特許文献２】
特開平１０−３２１８３４号公報
【非特許文献１】
RC.Furneaux、W.R.Rigby&A.P.Davidson"Nature"Vol.337、P147(1989)
【非特許文献２】
益田“固体物理”３１，４９３（１９９６）
【非特許文献３】
M.Lieberら"Nature"Vol.409、P66(2001)
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＣＣＤなどを半導体部品を組み込んだ機器が更に小型化高精細化を求められるに従い、リソグラフィ等の半導体加工技術は０．１μｍ以下の加工精度が必要になってきたが、深紫外光やより波長が短いＸ線を光源とした場合、縮小光学系の作製が困難である、光源が巨大になる、といった問題が生じる。また電子線描画の場合は、描画速度が遅いという問題がある。
【００１４】
このように、従来のフォトリソグラフィなどの微細パターン形成技術を代表される半導体加工技術によって直接的に微細構造体を作製する手法は個々の素子のサイズが小さくなるに従って飛躍的に困難になってゆく。
【００１５】
更に、この半導体加工技術による直接的な微細構造体の製造は、歩留まりの悪さや装置のコストが高いなどの問題があり、簡易な手法で再現性よく作製できる手法が望まれている。
【００１６】
本発明の目的は、量子効果も期待できるナノオーダーサイズの半導体デバイスとこの半導体デバイスのアレイを提供することである。
【００１７】
また、本発明は上記のような高密度な半導体デバイスアレイおよびこのアレイを用いたデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上述したような技術的背景により、本発明者らは上記課題に対して種々の検討を加えた結果、ナノスケールの柱状構造を形成する新規なナノ構造材料を用いることで、従来達成できなかった微細な半導体デバイスアレイを高密度で形成する方法を見出し、本発明に至った。
【００１９】
すなわち、上記の目的を達成することができる本発明の第一の発明は、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成されるマトリクス部材中に該第一の成分を含み構成される柱状物質が分散している構造体から前記柱状物質を除去して形成された柱状の孔を有する多孔体と、該孔内に形成された、少なくとも１つのｐ−ｎ結合もしくはｐ−ｉ−ｎ結合を有する半導体領域と、該半導体領域の上下に設置された一対の電極とを備えた半導体デバイスを複数個基板上に有する半導体デバイスアレイである。
【００２０】
また本発明の第二の発明は、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成されるマトリクス部材中に該第一の成分を含み構成される柱状物質が分散している構造体から前記柱状物質を除去して形成された柱状の孔を有する多孔体の前記孔に半導体材料を充填し、且つ該マトリクス部材を除去することで形成された、少なくとも１つのｐ−ｎ結合もしくはｐ−ｉ−ｎ結合を有する半導体領域と、該半導体領域の上下に設置された一対の電極とを備えた半導体デバイスを複数個基板上に有する半導体デバイスアレイである。
【００２１】
本発明においては、前記半導体デバイスがダイオード、特に発光ダイオードまたはフォトダイオードであることを特徴とする。また本発明においては、前記半導体デバイスがトランジスタ、特にフォトトランジスタであることを特徴とする。
【００２２】
また本発明においては、前記多孔体が薄膜状であることが好ましい。
【００２３】
また本発明においては、前記多孔体に化学的処理を施した後、前記孔内に前記半導体デバイスを作製して得られるデバイスアレイであることが好ましい。特に前記化学的処理が酸化処理であることが好ましい。
【００２４】
また本発明においては、前記構造体に対する、前記多孔体のマトリクス部材の第二の成分の割合が、２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の範囲にあることが好ましい。さらに前記柱状物質がアルミニウムであり、前記マトリクス部材の第二成分がシリコン又はゲルマニウムであることが好ましい。
【００２５】
また本発明においては、前記多孔体の主成分がシリコン又はゲルマニウムであることが好ましい。
【００２６】
また本発明においては、前記半導体デバイスの直径が０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましく、更に１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であるとなお好ましい。
【００２７】
また本発明においては、前記半導体デバイス同士の間隔が１５ｎｍ以下である、ことが好ましく、更に３ｎｍ以上１０ｎｍ以下であるとなお好ましい。
【００２８】
また本発明においては、前記柱状物質は結晶性物質であり、前記マトリクス部材は非晶質物質であることが好ましい。
【００２９】
本発明の第三の発明は、次の工程（ａ）から（ｅ）を有することを特徴とする半導体デバイスアレイの製造方法である。
（ａ） 基板上に電極を設置する工程
（ｂ） 第一の成分を含み構成される柱状物質が、該第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成されるマトリクス部材中に分散している構造体を前記基板上に形成する工程
（ｃ） 前記柱状物質を除去する工程
（ｄ） 前記除去工程により得られる柱状の空孔内に少なくとも１つのｐ−ｎ接合またはｐ−ｉ−ｎ接合を持つ半導体領域を作製する工程
（ｅ） 前記半導体領域を作製した前記構造体上部に電極を作製する工程
本発明においては、前記除去工程としてエッチングが好ましく用いられる。
【００３０】
また本発明においては、前記柱状物質を除去する工程の後に、前記第二の成分を含み構成されるマトリクス部材を化学処理する工程を有してもよい。
【００３１】
特に前記化学処理が酸化であることが好ましい。
【００３２】
また本発明においては、前記柱状物質を除去する工程の後に、前記柱状の空孔の孔径を広げる工程を有してもよい。
【００３３】
また本発明においては、前記上部に電極を作製する工程の後に、前記柱状物質を取り囲む前記マトリクス部材を除去する工程を有してもよい。
【００３４】
本発明においては、前記半導体領域の作製工程として、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法が好ましく用いられる。
【００３５】
また本発明においては、前記半導体領域の作製工程として、前記空孔の底部に触媒を形成した後に触媒反応によって行う工程が好ましく用いられる。 また、本発明に係る半導体デバイスアレイの製造方法は、柱状の部材と該柱状の部材を取り囲む領域を含む構造体を用意する工程、該構造体から該柱状の部材を除去して多孔質体を形成する工程、及び該多孔質体に材料を導入しｐ−ｎあるいはｐ−ｉ―ｎ接合を形成する工程を有することを特徴とする。
【００３６】
また、本発明に係る半導体デバイスアレイは、柱状の部材とそれを取り囲む領域を含み構成される構造体から、該柱状の部材を除去して得られる多孔質体にｐ−ｎあるいはｐ−ｉ―ｎ接合を形成して得られることを特徴とする。
【００３７】
ここで、前記構造体は、第1の材料を含み構成される前記柱状の部材が、第２の材料を含み構成される前記領域に取り囲まれており、且つ該構造体には該第２の材料が、該第１の材料と第２の材料の全量に対して２０atomic％以上７０atomic％以下の割合で含まれているのがよい。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００３９】
本発明の実施形態の説明に先立って、本発明に用いられる、第一の成分（材料）と共晶を形成し得る第二の成分（材料）を含み構成されるマトリクス部材中に該第一の成分（材料）を含み構成される柱状物質が分散している構造体について説明する。
（実験例：第１の材料Ａｌ、第２の材料Ｓｉ）
シリコンに周囲を囲まれたアルミニウム構造体部分が円柱状構造であり、その径２ｒが３ｎｍであり、間隔２Ｒが７ｎｍ、長さＬが２００ｎｍであるアルミニウム細線について示す。
【００４０】
まず、アルミニウム細線の作製方法を説明する。
【００４１】
ガラス基板上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法を用いて、シリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して５５ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍ形成する。ターゲットには、４インチのアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップ１３を８枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は室温とした。
【００４２】
なお、ここではターゲットとして、アルミニウムターゲット上にシリコンチップを８枚置いたものを用いたが、シリコンチップの枚数はこれに限定されるものではなく、スパッタ条件により変化し、アルミニウムシリコン混合膜の組成が約５５ａｔｏｍｉｃ％近辺になれば良い。また、ターゲットはアルミニウムターゲット上にシリコンチップを置いたものに限定したものではなく、シリコンターゲット上にアルミニウムチップを置いたものでも良いし、シリコンとアルミニウムの粉末を焼結したターゲットを用いても良い。
【００４３】
次に、このようにして得られたアルミニウムシリコン混合膜をＩＣＰ（誘導結合型プラズマ発光分析）にて、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量（ａｔｏｍｉｃ％）を分析した。その結果、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量は約５５ａｔｏｍｉｃ％であった。なお、ここでは測定の都合上、基板として、カーボン基板上に堆積したアルミニウムシリコン混合膜を用いた。
【００４４】
ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、アルミニウムシリコン混合膜を観察した。基板真上方向から見た表面の形状は、シリコンに囲まれた円形のアルミニウムナノ構造体が二次元的に配列していた。アルミニウムナノ構造体部分の孔径は３ｎｍであり、その平均中心間間隔は７ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察した所、高さは２００ｎｍであり、それぞれのアルミニウムナノ構造体部分はお互いに独立していた。
【００４５】
また、Ｘ線回折法でこの試料を観察した所、結晶性を示すシリコンのピークは確認できず、シリコンは非晶質であった。
【００４６】
従って、シリコンに周囲を囲まれた間隔２Ｒが７ｎｍ、径２ｒが３ｎｍ、高さＬが２００ｎｍのアルミニウム細線を含んだアルミニウムシリコンナノ構造体を作製することができた。
【００４７】
（比較例）
また、比較試料Ａとして、ガラス基板上に、スパッタ法を用いて、シリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して１５ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍ形成した。ターゲットには、４インチのアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップ１３を２枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は室温とした。
【００４８】
ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、比較試料Ａを観察した。基板真上方向から見た表面の形状は、アルミニウム部分は円形状にはなっておらず、縄状になっていた。即ち、アルミニウムの柱状構造体がシリコン領域内に均質に分散した微細構造体となっていなかった。さらに、その大きさは１０ｎｍを遥かに超えていた。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察した所、アルミニウム部分の幅は１５ｎｍを超えていた。なお、このようにして得られたアルミニウムシリコン混合膜をＩＣＰ（誘導結合型プラズマ発光分析）にて、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量（ａｔｏｍｉｃ％）を分析した。その結果、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量は約１５ａｔｏｍｉｃ％であった。
【００４９】
さらに、比較試料Ｂとして、ガラス基板上に、スパッタ法を用いて、シリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して７５ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍ形成した。ターゲットには、４インチのアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップ１３を１４枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は室温とした。
【００５０】
ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、比較試料Ｂを観察した。基板真上方向から見た試料表面には、アルミニウム部分を観察することができなかった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察しても、明確にアルミニウム部分を観察することができなかった。なお、このようにして得られたアルミニウムシリコン混合膜をＩＣＰ（誘導結合型プラズマ発光分析）にて、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量（ａｔｏｍｉｃ％）を分析した。その結果、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量は約７５ａｔｏｍｉｃ％であった。
【００５１】
また、比較試料Ａを作製した場合と、シリコンチップの枚数の条件のみを変え、アルミニウムシリコン混合体の全量に対するシリコンの割合が、２０ａｔｏｍｉｃ％、３５ａｔｏｍｉｃ％、５０ａｔｏｍｉｃ％、６０ａｔｏｍｉｃ％、７０ａｔｏｍｉｃ％である試料を作製した。アルミニウムの柱状構造体がシリコン領域内に均質に分散した微細構造体となっている場合を○、なっていない場合を×としたものを以下に示す。
【００５２】
【表１】
このように、アルミニウムとシリコンの全量に対するシリコン含有量を、２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下に調整することで、作製されたアルミニウムナノ構造体の孔径の制御が可能であり、また、直線性に優れたアルミニウム細線の作製が可能になる。なお、構造の確認には、ＳＥＭの他にもＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）等を利用するのがよい。なお、上記含有量に関しては上記シリコンに代えてゲルマニウム、あるいはシリコンとゲルマニウムの混合物を用いても同様であった。
【００５３】
さらに、比較試料Ｃとして、ガラス基板上に、スパッタ法を用いて、シリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して５５ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍ形成した。ターゲットには、４インチのアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップ１３を８枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は２５０℃とした。
【００５４】
ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、比較試料Ｃを観察した。基板真上方向から見た試料表面には、アルミニウムとシリコンの明瞭な境界を確認することができなかった。つまり、アルミニウムナノ構造体を確認することができなかった。即ち、基板温度が高すぎると、より安定な状態に変化してしまうため、このようなアルミニウムナノ構造体を形成する膜成長ができていないと思われる。
【００５５】
なお、柱状の部材が分散した構造体を得る為に、ターゲットの組成をＡｌ：Ｓｉ＝５５：４５などに設定することも好ましい形態である。
【００５６】
次に本発明の実施形態について説明する。
【００５７】
図１は、本発明の半導体デバイスアレイの一例を示す概略図で、ｐ−ｎ結合を１つ含むダイオードアレイを作製したものである。図１（ａ）は模式的上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の破線ＡＡ'に沿って切ったときの模式的断面図である。図１において、１ａはｐ型半導体部分、１ｂはｐ−ｎ接合面、１ｃはｎ型半導体部分であり、ダイオードの半導体部分（半導体領域）１を形成している。ダイオードの半導体部分は多孔体薄膜の空孔中に形成されている。この多孔体薄膜は、一成分が微細な柱状構造を形成して他の成分のマトリクス部材中に分散している、互いに共晶を形成する複数の材料から構成される薄膜から、前記柱状材料成分を除去して得られるものである。この多孔体薄膜中の空孔は、独立した空孔として、基板に対してほぼ垂直に形成されている。従って、ダイオードの半導体部分１は膜中で、前記マトリクス部材２によって互いに隔てられている。前記互いに共晶を形成する複数の材料から構成される膜は、下部電極４を形成した基板３上に形成され、上部に上部電極５が形成されている。基板３の上部に下部電極４を形成する代わりに、全体が導電性の基板を使用し基板が下部電極を兼ねる構成にしても良い。
【００５８】
図１には、半導体材料が一つのｐ−ｎ接合を有するダイオードの例を示したが、空孔内に形成される一本の半導体材料が、図２のように一つのｐ−ｉ−ｎ接合を有するダイオードであるものや、図３のように２つのｐ−ｎ接合を有するトランジスタであるもの等が本発明には包含される。ここで、ｉは真性半導体を示し、ｐ−ｉ−ｎ接合は発光ダイオード等において、発光効率を高めるために使用される構成である。図２において１１はダイオードの半導体部分、１１ａはｐ型半導体部分、１１ｂはｐ−ｉ接合面、１１ｃは真性半導体部分、１１ｄはｉ−ｎ接合面、１１ｅはｎ型半導体部分である。また図３においては、２１はトランジスタの半導体部分、２１ａはｐ型半導体部分、２１ｂはｐ−ｎ接合面、２１ｃはｎ型半導体部分、２１ｄはｐ−ｎ接合面、２１ｅはｐ型半導体部分である。また、これら図１から図３においては、ｐ型半導体とｎ型半導体が逆になっても良い。
【００５９】
本発明の半導体デバイスを構成している空孔部分の基板上面からみた形状は、図１（ａ）、図２（ａ）及び図３（ａ）のように、ほぼ円形のものでもよいし、また楕円形など任意の形状が適応可能である。
【００６０】
また、本発明の半導体デバイスアレイを構成している半導体デバイスの半導体部分の基板断面からみた形状は、図１から３の各（ｂ）のように長方形形状でもよいし、膜厚を薄くすることによって正方形形状にしたり、下記のナノ構造体作成方法によっては台形や縦長の六角形など任意の形状が可能である。また、半導体デバイスの半導体部分の直径（平均径を示す）２ｒは０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であり、空孔の間隔（平均間隔を示す）２Ｒは１５ｎｍ以下である。好ましくは、直径２ｒは１〜１０ｎｍであり、その間隔２Ｒは３〜１０ｎｍである。また、長さＬは２ｎｍ〜数μｍ、好ましくは５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲である。なお、楕円等の場合は、最も長い外径部が、上記直径の範囲内であればよい。ここで平均径とは、例えば、実際のＳＥＭ写真（約１００ｎｍ×７０ｎｍの範囲）で観察される空孔部分をコンピュータで画像処理して、導出される値である。
【００６１】
なお、半導体デバイスの柱状形状とは上記サイズを満足するものであれば、任意のアスペクト比（長さＬ／孔径２ｒ）を有する形状を含むものである。なお、好ましいアスペクト比（長さＬ／孔径２ｒ）は０．５〜１０００の範囲である。
【００６２】
また、本発明の半導体デバイスアレイは、複数の半導体デバイスが上下の電極で繋がれて一組の半導体デバイスとして扱われ、全体として半導体デバイスアレイを形成しているが、これは「従来の技術」の項目でも触れたとおり現在の最先端のリソグラフィ技術を用いても個々の半導体デバイスに配線することはできないためである。
【００６３】
次に図４（ａ）〜（ｅ）を用いて、各工程について更に詳しく説明する。以下の工程（ａ）〜（ｅ）は図４（ａ）〜（ｅ）に対応する。
（ａ） 下部電極作製
図４（ａ）に示すように、電極３０を半導体デバイスアレイを作製する基板３１上へ作製する。作製方法は、特に限定されず、基板上に電極になる金属を蒸着すればよい。パターニングは必須ではないが、パターニングを行うことで基板上の異なる半導体デバイスを個別に駆動することが可能となる。
【００６４】
ここで基板の材料の材質は、目的の半導体デバイスアレイを作製するプロセスに耐えうるものであれば、どのようなものでも良好に用いることができる。例えば、シリコンウエハ、ガラス等が好ましく用いられる。また、基板の形状としては平滑な板状のものに限らず、曲面を有するもの、表面にある程度の凹凸や段差を有するものなどが挙げられるが、上部に作製される半導体デバイスアレイに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
【００６５】
またここで基板表面に設置する下部電極の材料も、目的の半導体デバイスアレイを作製するプロセスに耐えうるものであれば、どのようなものでも良好に用いることができる。例えば、金、白金等が好ましく用いられる。
（ｂ） ナノ構造体作製
次に、図４（ｂ）に示すように、電極３０を形成した基板３１、もしくは導電性の基板上にナノ構造体の薄膜３３を形成する。ここで、ナノ構造体は第一の成分の微細な柱状の形態となって第二の成分のマトリクス中に分散されている材料を示す。このような構造体は互いに共晶系にある物質において形成されることが本発明者らの研究で明らかになっている。
【００６６】
共晶関係にある複数の成分は特に限定されないが、複数の成分のうち第一の成分をアルミニウム、第二の成分をシリコンまたはゲルマニウム（シリコンとゲルマニウムの混合物でもよい）にした場合、目的にあったナノ構造体が形成されることがわかっている。
【００６７】
上記第一の成分と第二の成分から目的にあったナノ構造体を形成するには、両者を非平衡状態にすればよい。これは、このような非平衡状態で物質を形成する成膜法で作製された共晶関係の２成分のナノ構造体領域３３は、両者が準安定状態の共晶型組織となり、第一の成分が数ｎｍレベル程度の径を持ったナノ構造体３２を形成しその周りを第二の成分の成分領域３４が取り囲むように自己組織的に分離するからである。
【００６８】
両者を非平衡状態にする代表的な方法としてスパッタリング法がある。原料としての第一、第二の成分は、例えば、図９に示すように、スパッタ装置の第一の成分のターゲット上に第二の成分のチップを配することで達成される。第二の成分のチップは、複数に分けて配置しても１つでもよい。但し、均一な第一の成分を含む柱状構造体を第二の成分領域内に均一に分散させるには、基板に対称（例えば同心円上）に配置しておくのがよい。また、所定量の第一の成分と第二の成分との粉末を焼成して作製した混合焼成物を構造体作製のターゲット材として用いることもできる。また、第一の成分と第二の成分のターゲットを別々に用意し、同時に両方のターゲットをスパッタリングする方法を用いてもよい。
【００６９】
形成される膜中の第二の成分の量は、例えば第一の成分がアルミニウムで第二の成分がシリコンまたはゲルマニウムの場合、第一、第二両者の全量に対して２０〜７０ａｔｏｍｉｃ％であり、好ましくは２５〜６５ａｔｏｍｉｃ％、さらに好ましくは３０〜６０ａｔｏｍｉｃ％である。シリコンまたはゲルマニウム量がかかる範囲内であれば、シリコンまたはゲルマニウム領域内にアルミニウムの柱状構造体が分散したアルミニウムシリコンまたはアルミニウムゲルマニウムナノ構造体が得られる。
【００７０】
本発明において、アルミニウムの割合等を示すａｔｏｍｉｃ％とは、例えば、シリコンとアルミニウムなどの単原子の原子の数の割合を示し、ａｔｏｍ％あるいはａｔ％とも記載され、例えば誘導結合型プラズマ発光分析法でアルミニウムシリコン混合膜中のシリコンとアルミニウムの量を定量分析したときの値である。
【００７１】
なお、上記割合においては、ａｔｏｍｉｃ％を単位として用いているが、ｗｔ％を単位として用いる場合は、例えばシリコンが２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の場合は、２０．６５ｗｔ％以上７０．８４ｗｔ％以下となる（ａｔｏｍｉｃ％からｗｔ％への換算は、Ａｌの原子量を２６．９８２、Ｓｉの原子量を２８．０８６としてＡｌとＳｉの重量比を求め、（重量比）×（ａｔｏｍｉｃ％）の値からｗｔ％に換算することができる。
【００７２】
また、基板温度としては、２００℃以下が好ましく、室温から１５０℃、より好ましくは１００℃から１５０℃の範囲が好ましい。
【００７３】
第一の成分をアルミニウム、第二の成分をシリコンまたはゲルマニウムとした場合、このような方法で第一、第二の成分のナノ構造体を形成すると、アルミニウムとシリコンまたはゲルマニウムが準安定状態の共晶型組織となり、アルミニウムがシリコンまたはゲルマニウムマトリックス中に数ｎｍレベルのナノ構造体（柱状構造体）を形成し、アルミニウムとシリコンまたはゲルマニウムが自己組織的に分離する。そのときのアルミニウムはほぼ円柱状形状であり、その孔径は１〜１５ｎｍであり、間隔は３〜１５ｎｍである。
【００７４】
また、スパッタ時に基板温度や投入電力を変化させることによって、一本のアルミニウムの円柱の太さを高さによって変化させ、円錐台形状や紡錘形状にすることも可能である。
【００７５】
アルミニウムシリコンまたはアルミニウムゲルマニウムナノ構造体のシリコンの量は、例えばアルミニウムターゲット上に置くシリコンチップの量を変えることで制御できる。
【００７６】
非平衡状態で成膜を行う場合、特にスパッタリング法の場合は、アルゴンガスを流したときの反応装置内の圧力は、０．２〜１Ｐａ程度がよく、プラズマを形成するための出力は４インチターゲットの場合は１５０から１０００Ｗ程度が好ましい。しかし、特に、これに限定されるものではなく、アルゴンプラズマが安定に形成される圧力及び出力であればよい。
【００７７】
非平衡状態で物質を形成する成膜法は、スパッタリング法が好ましいが抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）をはじめとする任意の非平衡状態で物質を形成する成膜法が適用可能である。スパッタリング法で行う場合には、マグネトロンスパッタリング、ＲＦスパッタリング、ＥＣＲスパッタリング、ＤＣスパッタリング法を用いることができる。
【００７８】
また、成膜する方法としては、第一の成分と第二の成分を同時に形成する同時成膜プロセスを用いてもよいし、第一の成分と第二の成分を数原子層づつ積層する積層成膜プロセスを用いてもよい。
【００７９】
上記の様にして成膜された第一の成分と第二の成分のナノ構造体領域３３は、第一の成分を主成分とする柱状構造体３２と、その周囲の第二の成分を主成分とする領域３４を備える。領域３４は非晶質であることが望ましい。
【００８０】
柱状構造体部３２の組成は、第一の成分を主成分とするが、柱状構造の微細構造体が得られていれば、酸素、アルゴン、窒素などの他の元素を含有していてもよい。なお、主成分とは、柱状構造体部の成分構成比において第一の成分の割合が８０ａｔｏｍｉｃ％以上、好ましくは９０ａｔｏｍｉｃ％以上をいう。
【００８１】
また、第一の成分の柱状構造体の周囲を取り囲んでいる第二の成分の領域３４の組成は、柱状構造の微細構造体が得られていれば、酸素、アルゴン、窒素、水素などの各種の元素を含有してもよい。なお、主成分とは、第二の成分の領域の成分構成比においてシリコンの割合が８０ａｔｏｍｉｃ％以上、好ましくは９０ａｔｏｍｉｃ％以上をいう。
（ｃ）空孔形成
図４（ｃ）に示すように、上記のナノ構造体薄膜から第一の成分の柱状構造体３２のみを選択的にエッチングにより除去する。その結果、空孔３６を有する第二の成分領域のみが残り、多孔質の第二の成分の薄膜３５が形成される。
【００８２】
ウエットエッチングに用いる溶液は、例えば、第一の成分がアルミニウム、第二の成分がシリコンの場合、アルミニウムを溶かしシリコンをほとんど溶解しない、リン酸、硫酸、塩酸、クロム酸溶液などの酸が挙げられるが、エッチングによる空孔形成に不都合がなければ水酸化ナトリウムなどのアルカリを用いることができ、特に酸の種類やアルカリの種類には限定されるものではない。また、数種類の酸溶液やあるいは数種類のアルカリ溶液を混合したものを用いてもよい。またエッチング条件は、例えば、溶液温度、濃度、時間などは、作製するシリコンナノ構造体に応じて、適宜設定することができる。
【００８３】
次に記載する（ｃ’―１）と（ｃ’―２）工程は必須ではなく、第二の成分及び要求される半導体デバイスの性能に応じて行う工程である。
（ｃ’−１）第二の成分ナノ構造体の酸化
第二の成分がシリコンやゲルマニウムのような半導体である場合やその他良導体材料である場合、空孔内の半導体デバイスと絶縁する為、空孔を有するナノ構造体を酸化処理して不良導体に変換する必要がある。また、後述する工程で空孔を有するナノ構造体を除去する場合、やはり酸化処理を行い半導体デバイス本体より短時間でエッチングされる素材に変換する必要がある。
【００８４】
図４（ｃ’）に示すように、この工程により第二の成分多孔質膜３５は第二の成分の酸化物の多孔質膜３７となる。
【００８５】
工程（ｃ）で作製された第二の成分の多孔質膜の酸化方法としては、例えば第二の成分がシリコンまたはゲルマニウムの場合、酸素雰囲気中で加熱する方法の他、水蒸気中あるいは空気中での加熱、陽極酸化、酸素プラズマにさらすなどの任意の酸化方法が適用可能である。ここで、シリコン酸化物領域の組成は、シリコン酸化物を主成分とするが、アルゴン、窒素などの他の各種の元素や元素の酸化物を含有してもよい。例えば第一の成分がアルミニウム、第二の成分がシリコンである場合、シリコン酸化物領域におけるシリコンの含有量は酸素を除くすべての元素に対して８０ａｔｏｍｉｃ％以上、好ましくは８５％以上である。ここで第一の成分がアルミニウムの場合、アルミニウムの含有量は酸素を除くすべての元素に対して、０．０１〜２０ａｔｏｍｉｃ％の範囲であり、好ましくは０．１〜１０ａｔｏｍｉｃ％の範囲である。また、シリコン酸化物ナノ構造体を構成しているシリコン酸化物の構造は、非晶質シリコン酸化物であることが望ましいが、結晶化させて結晶質のシリコン酸化物を含んでいてもよい。
（ｃ’−２）空孔径の拡大
空孔径を拡大する工程は、空孔の孔径の拡大を柱状物質を除去した第二の成分の多孔質膜に対して行う方法、または酸化物の多孔質膜に対しておこなう方法がある。
【００８６】
空孔径の拡大は、上記第二の成分または第二の成分の酸化物の多孔質膜に対して第二の成分または第二の成分の酸化物を溶解する溶液中に浸すポアワイド処理（孔径拡大処理）により、行われる。
【００８７】
上記溶液も特に空孔の拡大に問題がなければどのような酸及びアルカリを用いてもよい。また、数種類の酸溶液やあるいは数種類のアルカリ溶液を混合したものを用いてもよい。例えば、第二の成分がシリコンの場合、上記溶解用溶液としてはフッ化水素を薄めた酸溶液など、あるいは水酸化ナトリウムなどのアルカリ溶液が適している。また空孔孔径拡大（ポアワイド処理）条件は、例えば、溶液温度、濃度、時間などは、作製する空孔の大きさに応じて、適宜設定することができる。
（ｄ）半導体デバイスの半導体部分作製
ここで空孔内に作製する半導体デバイスの半導体部分３８（図４（ｄ）ではダイオード）は、特に限定されず、一般的にｐ−ｎ接合またはｐ−ｉ−ｎ接合を有するものなら何でも良い。例えば、ダイオードやバイポーラトランジスタが好ましい。更に、ダイオードなら発光ダイオードのような発光機能をもったものやフォトダイオードのような受光機能を持ったもの、トランジスタならフォトトランジスタのような受光機能を持ったものならなお好ましい。
【００８８】
上記半導体デバイスの材料は、特に限定されず、一般的にｐ−ｎ接合またはｐ−ｉ−ｎ接合を有する半導体デバイス用に用いられるものなら何でも良い。例えば、シリコン、ゲルマニウム、特に発光ダイオードとして用いられるものとしては例えば、ガリウムヒ素系材料（ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｌＰ）、ガリウムヒ素リン（ＧａＡｓＰ）、ガリウムリン（ＧａＰ）、インジウムリン等のIII−Ｖ族化合物半導体デバイス材料や間接遷移型材料の炭化珪素（ＳｉＣ）、直接遷移型の窒化ガリウム系材料（ＧａＮ／ＩｎＧａＡｌＮ）、セレン化亜鉛系（ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅ）に代表されるII−VI族化合物半導体デバイス材料などが適している。これらの中でも特に半導体デバイス全般で材料にとして多用されるシリコンや発光ダイオード用として使われるガリウムヒ素、ガリウムリンが好ましい。
【００８９】
求められる半導体デバイスの性質によって、上記半導体材料に適したドーパントを選択してｐ型、ｎ型を作り分ければよい。例えば、半導体がシリコンならドーパントはホウ素とリンが一般によく用いられる。更に高機能な半導体デバイスを作製する必要が有るなら、複数回ドーパントを交換して複数の接合面を作製しても良い。またドーパントを添加せず真性半導体にしても良い。
【００９０】
半導体がIII−Ｖ族化合物半導体の場合、両者の成分比を調節することによってｐ型半導体、ｎ型半導体、真性半導体を作り分け接合型半導体デバイスを作製することもできる。
【００９１】
工程（ｃ）で作製された空孔中に上記半導体デバイスを作製する工程は、ナノ構造体の空孔構造を破壊しない範囲内で一般的に半導体結晶を成長させる方法を用いればよい。
【００９２】
例えば、化学気相成膜（ＣＶＤ）法ならば、アルゴン、キセノン、ヘリウム、ネオン、クリプトン等の希ガス、水素、炭化水素、フッ素、窒素、酸素ガス等の雰囲気で作製することができる。半導体デバイスの成長速度に応じて、ガス流量、圧力、投入電力等の条件は目的の半導体材料に対して適宜選択される。原料ガスはシリコン半導体デバイスを作製する場合ならば、一般式ＳｉnＨ2n+2（ｎは自然数）で表されるモノラン、ジシラン、トリシラン、テトラシランなどシラン化合物やフッ化シラン、有機シラン、炭化水素、ゲルマン化合物などが用いられる。また、希釈ガスとして、水素、重水素、フッ素、塩素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン、窒素などのガスを原料ガスとともに導入しても良い。これらのガスを用いる場合には、原料ガスに対して、０．０１〜１００％（容積比率）の範囲で用いると効果的であり、作製する半導体デバイスの特性を考慮して適宜選択されるものである。
【００９３】
ＣＶＤ法のかわりに、前記ナノ構造体の空孔底部に金粒子を電着しこれを触媒として有機金属ガスからナノワイヤを成長させるＶＬＳ法を用いると、空孔内に選択的に半導体を作り込むことが容易になる。
【００９４】
空孔内への半導体デバイスの半導体部分作製の際の温度等の条件は目的とする半導体材料に対して適宜選択される。
（ｅ）上部電極作製
半導体デバイスを作製したナノ構造体上部に電極３９を作製する工程は、工程（ａ）と同様一般的な方法でよい。
【００９５】
ここで上部電極の材料は、電気の良導体なら特に限定されない。電極の厚さは材料によって適宜決定される。
【００９６】
工程（ａ）で基板表面に等間隔で平行な下部電極を作製し、工程（ｅ）で基板表面の電極とは垂直になる方向に平行な上部電極を作製すれば、半導体デバイスアレイを逐次駆動（ダイナミックドライブ）することが出来る。また、上部電極をパターニングせず全体で一つの電極とし、すべての半導体デバイスの上部側を一つの共通電極とすることもできる。
【００９７】
最後に、図示しないが上部電極を作製した後、必要に応じて以下の工程を行ってもよい。
【００９８】
（第二の成分または第二の成分の酸化物領域の除去）
半導体デバイスを取り囲む第二の成分または第二の成分の酸化物領域３７を除去し半導体デバイス３８を露出させても良い。処理方法及び処理に用いる溶液は工程（ｃ’−２）の空孔を拡大する際に用いるものと同じである。結晶性の半導体である半導体アレイ本体及び電極を残して、その周辺の非晶性部分のみを溶解除去する条件は、例えば、溶液温度、濃度、時間などは、作製する空孔の大きさに応じて、適宜設定することができる。
【００９９】
以上、本発明の要旨を再度述べると、本発明は、互いに共晶関係にある複数の成分から成るナノ構造体の一方の成分を除去して得られる多孔体薄膜を利用して作製された、従来のデバイスアレイよりはるかに小型の半導体デバイスを高密度で並べた新規な半導体デバイスアレイとその製造方法に関する。
【０１００】
【実施例】
以下、実施例により本発明を詳述するが、これらは本発明をなんら限定するものではない。
【０１０１】
（実施例１）
本実施例は、多孔質シリコン酸化物薄膜中にシリコンダイオードを作製したものであり、図５に示した模式図のようなシリコンダイオードアレイを作製した。なお、図５（ａ）はアレイ全体の模式図、図５（ｂ）はアレイの一部をナノサイズで描いた模式図である。
【０１０２】
（下部電極の作製）
まず、図５（ａ）に示すように、一辺が２ｃｍ厚さが１．１ｍｍの正方形のガラス基板１０３上にスパッタリング法により膜厚２００ｎｍの金を蒸着した上でパターニングを行い、ガラス基板の一辺に平行に１００μｍごとに１０μｍずつエッチングをし、幅９０μｍの帯状の金電極１０４が等間隔で並ぶようにした。
【０１０３】
（多孔質シリコン酸化物薄膜の作製）
次に、このガラス基板１０３上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、２００ｎｍの膜厚のアルミニウムとシリコンの混合膜１０５を作製した。ターゲットには、直径が４インチ（１０１．６ｍｍ）の円形のアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップを６枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：３００Ｗとした。また、基板温度は室温（２５℃）とした。
【０１０４】
なお、ここではターゲットとして、図９に示すように、アルミニウムターゲット上にシリコンチップを６枚置いたものを用いたが、シリコンチップの枚数はこれに限定されるものではなく、スパッタリング条件により変化し、後述する目的の構造が形成されればよい。また、ターゲットはアルミニウムターゲット上にシリコンチップを置いたものに限定するものではなく、シリコンターゲット上にアルミニウムチップを置いたものでもよいし、シリコンとアルミニウムを焼結したターゲットを用いてもよい。
【０１０５】
なお、ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、アルミニウムシリコン混合膜の上部および断面を観察したところ、シリコン領域に囲まれた円形のアルミニウム柱状構造体が二次元的に配列していた。また、アルミニウム柱状構造体の孔径は６ｎｍであり、その平均中心間間隔は８ｎｍであった。また、高さは２００ｎｍであり、それぞれのアルミニウム柱状構造体部分はシリコン領域により互いに分離されていた。
【０１０６】
また、誘導結合型プラズマ発光分析法（ＩＣＰ法）により、本実施例で作製したアルミニウムシリコン混合膜中の元素組成の分析を行った。なお、この分析用に用いたのはカーボン基板上に作製した膜である。その結果、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量は３７ａｔｏｍｉｃ％と求められた。以上のようにして、微細な柱状のアルミニウムを３７ａｔｏｍｉｃ％含むアルミニウムシリコン混合膜が形成された。この混合膜をＸ線回折分析で評価した。その結果、シリコンの回折ピークは認められず、シリコンは非晶質であることがわかった。一方、アルミニウムに関しては複数の回折線が見られ、アルミニウムは結晶性であることが示された。
【０１０７】
このようなシリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して３７ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜をリン酸５ｗｔ％中に４時間浸し、アルミニウム柱状構造体部分のみを選択的にエッチングして空孔を形成した。この結果、ナノスケールの空孔が膜面に垂直に形成された多孔質シリコンの膜が形成された。
【０１０８】
次に、ＦＥ−ＳＥＭにて、リン酸エッチングした上記多孔質シリコン薄膜を観察した。基板真上方向から見た表面の形状はシリコン領域に囲まれた空孔が二次元的に配列しているものであった。空孔部の孔径は６ｎｍであり、その平均間隔は約８ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察した所、高さは２００ｎｍであり、それぞれの空孔部分はシリコン領域により隔たれており互いに独立していた。
【０１０９】
次に、作製された多孔質シリコン薄膜を酸素雰囲気中で加熱した。ここでは、大気圧で酸素を５０ｓｃｃｍ流しながら、８００℃で２時間加熱した。この結果、シリコン酸化物が作製された。シリコン酸化物の形成は、広域電子エネルギー損失構造解析（ＥＥＬＳ）により確認された。
【０１１０】
ＦＥ−ＳＥＭにて、酸化後の膜を観察した。基板真上方向から見た表面の形状はシリコン酸化物に囲まれた空孔が二次元的に配列していた。空孔部の孔径は５ｎｍであり、その平均間隔は約８ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察した所、高さは２００ｎｍであり、それぞれの空孔部分はシリコン酸化物領域により隔たれており互いに独立していた。
【０１１１】
この結果、多孔質シリコン酸化物薄膜が作製された。
【０１１２】
シリコン酸化物領域中のシリコンの含有量は、ＩＣＰ法によって酸素を除くすべての原子に対して約９０ａｔｏｍｉｃ％と求められた。
【０１１３】
（シリコンダイオードの作製）
このように作製された多孔質シリコン酸化物薄膜の空孔底部の金電極部分に電着を行い金粒子を付けた。電着は、市販の電気メッキ液（高純度化学研究所製金用電気メッキ液、商品コードＫ−２４Ｅ）を用い、４０℃に保持した酸性浴（ｐＨ＝４．５）中において、０．５Ａ／ｃｍ2の電流密度で行った。
【０１１４】
次にこの多孔質シリコン薄膜を石英管の中に設置し気圧を１３Ｐａ以下にした後、アルゴンガスを流しながら４４０℃に加熱した。次に石英管内に、ヘリウムガス中に１０％の割合で混合したシランガスを５０ｓｃｃｍの流量で６０秒間供給した。この時、始めの３０秒間はシランガスにドーパント源としてジボランを添加しシリコンの下部をｐ型（１０１ａ）、後半の３０秒間はホスフィンを添加しシリコンの上部をｎ型（１０１ｃ）にし、空孔底部の金粒子を触媒としてｐ−ｎ接合１０１ｂを１つ有する柱状のシリコンを作製した。この工程での時間はあらかじめ予備実験を行って決定した。上記の工程によってシリコン導入を行った多孔質シリコン酸化物薄膜の表面を研磨して金粒子及び余分なシリコンの付着物等を除去した後にＦＥ−ＳＥＭで観察を行ったところ、空孔の中にシリコンが形成されている様子が観察された。Ｘ線回折分析を行った結果、シリコンの結晶に起因する回折線が認められ導入した柱状のシリコンは結晶性であることが確認された。
【０１１５】
次に、このようにして作製されたシリコンを空孔内に有する多孔質シリコン酸化物薄膜の上部にスパッタリングにより膜厚２００ｎｍの金を蒸着し、底部の金電極と垂直方向になるように幅９０μｍの帯状の上部金電極１０５をパターニングによって作製した。
【０１１６】
この一連の作業により、一辺９０μｍの領域内にある約１．３×１０8個（１．１×１０4×１．１×１０4）のダイオードが一組のダイオードとして同じ電極を共有するダイオードアレイが完成した。
【０１１７】
（整流機能の確認）
シリコン酸化物に直接光が当たらないようにマスクをした上で、ガラス基板１０３上の下部電極１０４と多孔質シリコン酸化物薄膜上部の上部電極１０５をそれぞれ１つづつ選んで可変電圧をかけ、その時の電流を測定した。いくつかの電極を選んで同様の測定を行ったところ、すべての組み合わせで同様の結果であった。代表的なものを図６示す。逆方向にはほとんど電流が流れず、順方向には約０．７Ｖから電流が流れ始めるという結果が得られ、リーク電流や絶縁破壊等は観測されず、整流作用があることが確認された。
【０１１８】
以上の結果より、多孔質シリコン酸化物薄膜中に、正常に機能するダイオードが並んだダイオードアレイが作製されたことが確認できた。
【０１１９】
（フォトダイオードとしての機能の確認）
ガラス基板上の下部電極１０４と多孔質シリコン酸化物薄膜上部の上部電極１０５をそれぞれ１つづつ順番に選んで１０ボルトの逆電圧をかけ、その時の電流を測定した。次に上記マスクを剥離し、多孔質シリコン酸化物薄膜に何段階かの明るさの光を照射して電流を測定した。いくつかの電極を選んで同様の測定を行ったところ、すべての組み合わせで同様の結果であった。代表的なものを図７に示す。明るさに比例して電流が増加していることがわり、ダイオードがフォトダイオードとして機能していることが確認された。
【０１２０】
以上の結果より、多孔質シリコン酸化物薄膜中のダイオードがフォトダイオードとして機能するフォトダイオードアレイが作製されたことが確認できた。
【０１２１】
（実施例２）
本実施例はダイオードの径拡大したものである。実施例１と同様の方法で空孔構造を持つ多孔質シリコン薄膜を作製した。
【０１２２】
次に、この構造体を２５℃に保った水酸化ナトリウム１ｍｏｌ／Ｌ中に３０分浸し、空孔の拡大を行った。
【０１２３】
なお、空孔の拡大処理を行った多孔質シリコン薄膜をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、シリコン領域に囲まれた空孔が二次元的に配列していた。また、そのとき観察した空孔部の孔径は６ｎｍ、その平均間隔は８ｎｍ、高さは２００ｎｍであり、それぞれの空孔部分はシリコン領域により隔たれており、互いに独立していた。なお、Ｘ線回折法で作製した試料を測定した所、シリコンの結晶のピークは確認できず、シリコンは非晶質であった。
【０１２４】
この後、実施例１と同様に多孔質シリコン薄膜を酸化して多孔質シリコン酸化物薄膜を作製し、空孔内にシリコンダイオードを作製した。
【０１２５】
この半導体の電極に実施例１と同様に電圧をかけて電流を測定したところ、実施例１と同様に逆電圧ではほとんど電流は流れず、順電圧では０．７Ｖ付近から電流が流れ、４Ｖの電圧で実施例１より約５０μＡ電流量が多いダイオードからなるダイオードアレイが作製されたことが確認できた。
【０１２６】
以上のように、空孔を拡大する工程を加えることにより、ダイオードの電流量を増大させることができた。
【０１２７】
（実施例３）
本実施例は多孔質シリコン酸化物薄膜を除去したシリコンダイオードを作製したものである。
【０１２８】
ガラス基板の代わりに一辺が２ｃｍ厚さが０．３ｍｍの正方形の金の板を用い、これを基板兼下部電極とし、また上部電極もパターニングを行わず１枚の電極とした他は、実施例１と同様の方法で半導体デバイスアレイを作製した。
【０１２９】
次にこの半導体デバイスアレイを２％のフッ酸に浸漬し約１分間静置した。これを静かに取りだし蒸留水で洗浄した後、自然乾燥させた。これをＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、上部電極と基板の間に柱状構造物が整然と並んでいることが確認できた。
【０１３０】
次に、上部電極と基板に電圧をかけ実施例１と同様に電気的特性を調べた。
【０１３１】
その結果、実施例１と本質的に同様の結果が得られ、多孔質シリコン酸化物薄膜を除去する処理を施しても、ダイオードの電気的特性に悪影響がないことが確かめられた。
【０１３２】
以上のように表面が露出したダイオードアレイの形成が確認された。
【０１３３】
（実施例４）
本実施例は多孔質ゲルマニウム酸化物薄膜中にシリコンダイオードを作製したものである。
【０１３４】
実施例１の多孔質シリコン酸化薄膜を多孔質ゲルマニウム酸化物薄膜に代えて、図５に示した模式図のようなシリコンダイオードアレイを作製した。
【０１３５】
（下部電極の作製）
まず、図５（ａ）に示すように、一辺が２ｃｍ厚さが１．１ｍｍの正方形のガラス基板１０３上にスパッタリング法により膜厚２００ｎｍの金を蒸着した上でパターニングを行い、ガラス基板の一辺に平行に１００μｍごとに１０μｍづつエッチングをし、幅９０μｍの帯状の金電極１０４が等間隔で並ぶようにした。
【０１３６】
（多孔質ゲルマニウム酸化物薄膜の作製）
次に、このガラス基板上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、２００ｎｍの膜厚のアルミニウムとゲルマニウムの混合膜を作製した。ターゲットには、直径が４インチ（１０１．６ｍｍ）の円形のアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のゲルマニウムチップを４枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：３００Ｗとした。また、基板温度は室温（２５℃）とした。
【０１３７】
なお、ここではターゲットとして、アルミニウムターゲット上にゲルマニウムチップを４枚置いたものを用いたが、ゲルマニウムチップの枚数はこれに限定されるものではなく、スパッタリング条件により変化し、後述する目的の構造が形成されればよい。また、ターゲットはアルミニウムターゲット上にゲルマニウムチップを置いたものに限定するものではなく、ゲルマニウムターゲット上にアルミニウムチップを置いたものでもよいし、ゲルマニウムとアルミニウムを焼結したターゲットを用いてもよい。
【０１３８】
なお、ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、アルミニウムゲルマニウム混合膜の上面および断面を観察したところ、ゲルマニウム領域に囲まれた円形のアルミニウム柱状構造体が二次元的に配列していた。また、アルミニウム柱状構造体の孔径は１２ｎｍであり、その平均中心間間隔は１５ｎｍであった。また、高さは２００ｎｍであり、それぞれのアルミニウム柱状構造体部分はゲルマニウム領域により互いに分離されていた。
【０１３９】
また、誘導結合型プラズマ発光分析法（ＩＣＰ法）により、本実施例で作製したアルミニウムゲルマニウム混合膜中の元素組成の分析を行った。その結果、ゲルマニウムのアルミニウムとゲルマニウムの全量に対する分量は３７ａｔｏｍｉｃ％と求められた。以上のようにして、微細な柱状のアルミニウムを３７ａｔｏｍｉｃ％含むアルミニウムゲルマニウム混合膜が形成された。この混合膜をＸ線回折分析で評価した。その結果、ゲルマニウムの回折ピークは認められず、ゲルマニウムは非晶質であることがわかった。一方、アルミニウムに関しては複数の回折線が見られ、アルミニウムは結晶性であることが示された。
【０１４０】
このようなゲルマニウムをアルミニウムとゲルマニウムの全量に対して３７ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムゲルマニウム混合膜をリン酸５ｗｔ％中に４時間浸し、アルミニウム柱状構造体部分のみを選択的にエッチングして空孔を形成した。この結果、ナノスケールの空孔が膜面に垂直に形成された多孔質ゲルマニウムの膜が形成された。
【０１４１】
次に、ＦＥ−ＳＥＭにて、リン酸エッチングした上記多孔質ゲルマニウム薄膜を観察した。基板真上方向から見た表面の形状はゲルマニウム領域に囲まれた空孔が二次元的に配列しているものであった。空孔部の孔径は１２ｎｍであり、その平均間隔は約１５ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察した所、高さは２００ｎｍであり、それぞれの空孔部分はゲルマニウム領域により隔たれており互いに独立していた。
【０１４２】
次に、作製された多孔質ゲルマニウム薄膜を酸素雰囲気中で加熱した。ここでは、大気圧で酸素を５０ｓｃｃｍ流しながら、８００℃で２時間加熱した。この結果、ゲルマニウム酸化物が作製された。ゲルマニウム酸化物の形成は、広域電子エネルギー損失構造解析（ＥＥＬＳ）により確認された。
【０１４３】
ＦＥ−ＳＥＭにて、酸化後の膜を観察した。基板真上方向から見た表面の形状はゲルマニウム酸化物に囲まれた空孔が二次元的に配列していた。空孔部の孔径は１１ｎｍであり、その平均間隔は約１５ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察した所、高さは２００ｎｍであり、それぞれの空孔部分はゲルマニウム酸化物領域により隔たれており互いに独立していた。
【０１４４】
この結果、多孔質ゲルマニウム酸化物薄膜が作製された。
【０１４５】
ゲルマニウム酸化物領域中のゲルマニウムの含有量は、ＩＣＰ法によって酸素を除くすべての原子に対して約９０ａｔｏｍｉｃ％と求められた。
【０１４６】
（シリコンダイオードの作製）
このように作製された多孔質ゲルマニウム酸化物薄膜の空孔底部の金電極部分に電着を行い金粒子を付けた。電着は、市販の電気メッキ液（高純度化学研究所製金用電気メッキ液、商品コードＫ−２４Ｅ）を用い、４０℃に保持した酸性浴（ｐＨ＝４．５）中において、０．５Ａ／ｃｍ2の電流密度で行った。
【０１４７】
次にこの多孔質ゲルマニウム薄膜を石英管の中に設置し気圧を１３Ｐａ以下にし、アルゴンガスを流しながら４４０℃に加熱した。次に石英管内に、ヘリウムガス中に１０％の割合で混合したシランガスを５０ｓｃｃｍの流量で６０秒間供給した。この時、始めの３０秒間はシランガスにドーパント源としてジボランを添加しシリコンの下部をｐ型（１０１ａ）、後半の３０秒間はホスフィンを添加しシリコンの上部をｎ型（１０１ｃ）にし、空孔底部の金粒子を触媒としてｐ−ｎ接合１０１ｂを１つ有する柱状のシリコンを作製した。この工程での時間はあらかじめ予備実験を行って決定した。上記の工程によってシリコン導入を行った多孔質ゲルマニウム酸化物薄膜の表面を研磨して金粒子及び余分なシリコンの付着物等を除去した後にＦＥ−ＳＥＭで観察を行ったところ、空孔の中にシリコンが形成されている様子が観察された。Ｘ線回折分析を行った結果、シリコンの結晶に起因する回折線が認められ導入した柱状のシリコンダイオードは結晶性であることが確認された。
【０１４８】
次に、このようにして作製されたシリコンを空孔内に有する多孔質ゲルマニウム酸化物薄膜の上部にスパッタリングにより膜厚２００ｎｍの金を蒸着し、底部の金電極と垂直方向になるように幅９０μｍの帯状の上部金電極１０５をパターニングによって作製した。
【０１４９】
この一連の作業により、一辺９０μｍの領域内にある約３．６×１０7個（６．０×１０3×６．０×１０3）のダイオードが一組のダイオードとして同じ電極を共有するダイオードアレイが完成した。
【０１５０】
（整流機能の確認）
この半導体の電極に実施例１と同様に電圧をかけて電流を測定したところ、実施例１と同様に逆電圧ではほとんど電流は流れず、順電圧では０．７Ｖ付近から電流が流れ、４Ｖの電圧で実施例１より約４０μＡ電流量が多いダイオードからなるダイオードアレイが作製されたことが確認できた。
【０１５１】
（実施例５）
本実施例は多孔質シリコン酸化物薄膜中にｐ−ｉ−ｎ型発光ダイオードを作製したものである。
【０１５２】
下部電極をパターニングせず基板全面に膜厚２００ｎｍの金を蒸着した基板を用いた以外は、実施例１と同様の方法で作成した多孔質シリコン酸化物薄膜を用意した。
【０１５３】
次に中の空孔底部に実施例１と同様の方法で金粒子を付けた。次にこの多孔質シリコン薄膜を、あらかじめＮｄ−ＹＡＧレーザー（波長１０６４ｎｍ、平均２．５Ｗ）の焦点に合わせてインジウムリン９９％亜鉛１％のターゲットを設置した石英管の中に設置し、１．３×１０4Ｐａにし、アルゴンガスを１００ｓｃｃｍで流しながら８００℃に加熱し、レーザーをターゲットに１０秒照射した。これに続いて、インジウムリン１００％のターゲットを用い、レーザーを同条件で１秒照射した。更にこの後、インジウムリン９９％テルル１％のものと交換し、再び同条件でレーザーを１０秒照射した。この工程でのレーザーの照射時間はあらかじめ予備実験で決定した。上記の工程によって空孔底部の金粒子を触媒として基板側から、亜鉛をドーパントとしたｐ型インジウムリン、ドーパントを含まないインジウムリン、テルルをドーパントとしたｎ型インジウムリンの三層を積層したｐ−ｉ−ｎ接合を含む柱状のインジウムリンが形成された。多孔質シリコン酸化物薄膜の表面を研磨して余分なインジウムリンの付着物等を除去した後にＦＥ−ＳＥＭで観察を行ったところ、空孔の中にインジウムリンが形成されている様子が観察された。Ｘ線回折分析を行った結果、インジウムリンの結晶に起因する回折線が認められ導入した柱状のインジウムリンは結晶性であることが確認された。
【０１５４】
次に、このようにして作製されたインジウムリンを空孔内に有する多孔質シリコン酸化物薄膜の上部にスパッタリングにより膜厚２００ｎｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を蒸着し、薄膜上部を透明電極で覆った。
【０１５５】
このダイオードアレイの上下電極に２ボルトの順電圧をかけたところ多孔質シリコン薄膜全面が波長約８００ｎｍを中心とする赤外光で発光していることが確認できた。
【０１５６】
以上の結果により、多孔質シリコン酸化物薄膜中に、ｐ−ｉ−ｎ型インジウムリンダイオードが発光ダイオードとして機能する発光ダイオードアレイが作製されたことが確認できた。
【０１５７】
（実施例６）
本実施例は多孔質シリコン酸化物薄膜中にフォトトランジスタを作製したものである。
【０１５８】
実施例１と同様の多孔質シリコン酸化物薄膜中の空孔中に、２つのｐ−ｎ接合を持つｐ−ｎ−ｐ型シリコントランジスタを作製した。ここで、ｐ型およびｎ型シリコンの形成方法は実施例１から４と同じ方法である。また、実施例１から４と同様に、作製した薄膜ＦＥ−ＳＥＭで観察を行ったところ、空孔の中にシリコンが形成されている様子が観察された。Ｘ線回折分析を行った結果、シリコンの結晶に起因する回折線が認められ導入したシリコンは結晶性であることが確認された。
【０１５９】
次に、このようにして作製されたシリコンを空孔内に有する多孔質シリコン酸化物薄膜の上部にスパッタリングにより膜厚２００ｎｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）透明電極を蒸着し、底部の金電極と垂直方向になるように幅９０μｍの帯状の上部金電極１０５をパターニングによって作製した。
【０１６０】
この一連の作業により、一辺９０μｍの領域内にある約３．６×１０7個（６．０×１０3×６．０×１０3）のトランジスタが一組のトランジスタとして同じ電極を共有するトランジスタアレイが完成した。
【０１６１】
この多孔質シリコン酸化物薄膜に遮光マスクをした上で、上下の電極に実施例１のフォトダイオードとしての機能の確認と同様に１０ボルトの電圧をかけ、その時の電流を測定した。次に上記マスクを剥離して多孔質シリコン酸化物薄膜に何段階かの明るさの光を照射して電流を測定した。測定したすべて組み合わせで同様の結果であった。代表的なものを図８に示す。明るさに比例して電流が増加していることがわかった。またかつ実施例１の場合と比較して多くの電流が流れていることが確認された。
【０１６２】
以上の結果より、多孔質シリコン酸化物薄膜中のトランジスタがフォトトランジスタとして機能するフォトトランジスタアレイが作製されたことが確認できた。
【０１６３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、互いに共晶を形成する材料系において形成される微細な柱状対を含む薄膜から形成される基板に垂直な空孔に半導体材料を導入することによって、微細な半導体デバイスを高密度に並べたアレイを簡便な方法で作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明において１つのｐ−ｎ接合を有する半導体デバイスアレイの例を示す概略図である。
【図２】本発明において１つのｐ−ｉ−ｎ接合を有する半導体デバイスアレイの例を示す概略図である。
【図３】本発明において２つのｐ−ｎ接合を有する半導体デバイスアレイの例を示す概略図である。
【図４】本発明の半導体デバイスアレイの製造方法の一例を示す説明図である。
【図５】実施例１で作製したダイオードアレイを示す概略図である。
【図６】実施例１で作製したダイオードの、電圧と電流の関係を示すグラフである。
【図７】実施例１で作製したダイオードの、照射する光の明るさと電流の関係を示すグラフである。
【図８】実施例６で作製したフォトトランジスタの、照射する光の明るさと電流の関係を示すグラフである。
【図９】本発明による構造体の作製方法を示す図である。
【符号の説明】
１ ｐ−ｎ型ダイオードの半導体部分
１ａ ｐ型半導体部分
１ｂ ｐ−ｎ接合面
１ｃ ｎ型半導体部分
２ マトリクス部材領域
３ 基板
４ 下部電極
５ 上部電極
１１ ｐ−ｉ−ｎ型ダイオードの半導体部分
１１ａ ｐ型半導体部分
１１ｂ ｐ−ｉ接合面
１１ｃ 真性半導体部分
１１ｄ ｉ−ｎ接合面
１１ｅ ｎ型半導体部分
２１ ｐ−ｎ−ｐ型トランジスタの半導体部分
２１ａ ｐ型半導体部分
２１ｂ ｐ−ｎ接合面
２１ｃ ｎ型半導体部分
２１ｄ ｐ−ｎ接合面
２１ｅ ｐ型半導体部分
３０ 下部電極
３１ 基板
３２ 第一の成分の柱状構造体
３３ 第一の成分と第二の成分の混合薄膜領域
３４ 第二の成分領域
３５ 第二の成分からなる多孔質薄膜
３６ 空孔
３７ 第二の成分の酸化物からなる多孔質薄膜
３８ ダイオード本体部分
３９ 上部電極
１０１ ダイオード本体部分
１０１ａ ｐ型シリコン部分
１０１ｂ ｐ−ｎ接合面
１０１ｃ ｎ型シリコン部分
１０２ 第二成分の酸化物領域
１０３ 基板
１０４ 下部電極
１０５ 上部電極
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体デバイスアレイ及びその製造方法に関するものであって、特に面発光素子、自発光表示装置及びイメージセンサなどに適応可能な新規な半導体デバイスアレイ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ダイオードやトランジスタなどの半導体デバイスのアレイは個々に製造した半導体デバイスチップを規則的に配列させ結線することで作製されてきたが、近年のエレクトロニクス機器の小型化、高集積化に伴い半導体デバイスアレイも高密度化、ワンチップ化することが求められている。
【０００３】
例えば、エリアイメージセンサとして用いられるＣＣＤチップの受光部を形成するフォトダイオードアレイの個々のダイオードは、現在販売されている物のなかで最小のものでは約３μｍ角である。また、パソコンなどの頭脳にあたるＣＰＵやメモリーであるＤＲＡＭに用いられる最先端の半導体プロセスの設計ルールは０．１３μｍであり、このことは現時点ではフォトリソグラフィを用いた半導体加工技術を用いて商業的に作製できる構造体は０．１３μｍサイズが限界であることを示している。
【０００４】
更に微細な構造体の作製方法としては、例えば、更に短波長の光を用いたフォトリソグラフィをはじめ、電子線露光、Ｘ線露光などの微細パターン形成技術をはじめとする半導体加工技術によって直接的にナノ構造体を作製する方法が挙げられる。
【０００５】
一方で、上述の半導体加工技術とは別に、材料の自己組織化（self-organization）現象を利用する手法がある。即ち、自然に形成される規則的な構造をベースに、新規な微細構造体を実現しようというものである。
【０００６】
この自己組織化現象を利用する手法では、ミクロンオーダーは勿論、ナノオーダーの構造体を簡易に実現できる可能性があるため、多くの研究が行われ始めている。
【０００７】
このような自己組織化手法として、ナノサイズの空孔を有するナノ構造体を制御よく大面積に形成できる陽極酸化が挙げられる。たとえば、アルミニウムを酸性浴中で陽極酸化することで作製する陽極酸化アルミナが知られている。
【０００８】
アルミニウムの陽極酸化は、アルミニウム板あるいは基板上に形成されたアルミニウム膜を酸性電解質中で陽極酸化すると、多孔質酸化被膜（陽極酸化アルミナ）が形成される。（たとえば非特許文献１等参照）。この多孔質酸化被膜の特徴は、直径が数十ｎｍ〜数百ｎｍの極めて微細な円柱状空孔（ナノホール）が、数十ｎｍ〜数百ｎｍの間隔（セルサイズ）で平行に配列するという特異的な幾何学的構造を有することにある。この円柱状の空孔は、空孔間隔が数十ｎｍ以上の場合では、高いアスペクト比を有し、断面の径の一様性にも比較的優れている。この空孔の径及び間隔は、陽極酸化の際の酸の種類、電圧を調整することによりある程度の制御が可能である。具体的には電圧を低下させると空孔の間隔を低減できる。また、陽極酸化被膜の厚さ及び空孔の深さは、陽極酸化の時間を制御することにより、ある程度の制御が可能である。
【０００９】
この陽極酸化ナノホール内に金属や半導体等を充填する技術や、ナノホールのレプリカ技術を用いることより、着色、磁気記録媒体、ＥＬ発光素子、エレクトロクロミック素子、光学素子、太陽電池、ガスセンサをはじめとするさまざまな応用が試みられている。さらには、量子細線、ＭＩＭ素子などの量子効果デバイス、ナノホールを化学反応場として用いる分子センサー、など多方面への応用が期待されている（非特許文献２）。更に特許文献１では、アルミナナノホール内にＺｎＯを埋め込み基板に対して垂直方向平行な方向で発光波長の強度が違う発光デバイスが提案されている。
【００１０】
また、ナノホールを用いたプロセス以外のプロセスで微細な構造を作製した例として、例えば微粒子金属がお互いの電気あるいは磁気的な相互作用により、自己組織化的に結合することを利用して、ワイヤ状の金属微粒子集合体を形成する方法が特許文献２に開示されている。
【００１１】
また、金などの微粒子を触媒として自己組織化的にナノワイヤを成長させるvapor-liquid-solid(VLS)法を用いて、ｐ型とｎ型のインジウム−リンの単結晶ナノワイヤを作製し、これらを接触させて発光させたという報告もある（非特許文献３）。
【００１２】
【特許文献１】
特開２００１−１６２６００号公報
【特許文献２】
特開平１０−３２１８３４号公報
【非特許文献１】
RC.Furneaux、W.R.Rigby&A.P.Davidson"Nature"Vol.337、P147(1989)
【非特許文献２】
益田“固体物理”３１，４９３（１９９６）
【非特許文献３】
M.Lieberら"Nature"Vol.409、P66(2001)
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＣＣＤなどを半導体部品を組み込んだ機器が更に小型化高精細化を求められるに従い、リソグラフィ等の半導体加工技術は０．１μｍ以下の加工精度が必要になってきたが、深紫外光やより波長が短いＸ線を光源とした場合、縮小光学系の作製が困難である、光源が巨大になる、といった問題が生じる。また電子線描画の場合は、描画速度が遅いという問題がある。
【００１４】
このように、従来のフォトリソグラフィなどの微細パターン形成技術を代表される半導体加工技術によって直接的に微細構造体を作製する手法は個々の素子のサイズが小さくなるに従って飛躍的に困難になってゆく。
【００１５】
更に、この半導体加工技術による直接的な微細構造体の製造は、歩留まりの悪さや装置のコストが高いなどの問題があり、簡易な手法で再現性よく作製できる手法が望まれている。
【００１６】
本発明の目的は、量子効果も期待できるナノオーダーサイズの半導体デバイスとこの半導体デバイスのアレイを提供することである。
【００１７】
また、本発明は上記のような高密度な半導体デバイスアレイおよびこのアレイを用いたデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上述したような技術的背景により、本発明者らは上記課題に対して種々の検討を加えた結果、ナノスケールの柱状構造を形成する新規なナノ構造材料を用いることで、従来達成できなかった微細な半導体デバイスアレイを高密度で形成する方法を見出し、本発明に至った。
【００１９】
すなわち、上記の目的を達成することができる本発明の第一の発明は、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成されるマトリクス部材中に該第一の成分を含み構成される柱状物質が分散している構造体から前記柱状物質を除去して形成された柱状の孔を有する多孔体と、該孔内に形成された、少なくとも１つのｐ−ｎ結合もしくはｐ−ｉ−ｎ結合を有する半導体領域と、該半導体領域の上下に設置された一対の電極とを備えた半導体デバイスを複数個基板上に有する半導体デバイスアレイである。
【００２０】
また本発明の第二の発明は、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成されるマトリクス部材中に該第一の成分を含み構成される柱状物質が分散している構造体から前記柱状物質を除去して形成された柱状の孔を有する多孔体の前記孔に半導体材料を充填し、且つ該マトリクス部材を除去することで形成された、少なくとも１つのｐ−ｎ結合もしくはｐ−ｉ−ｎ結合を有する半導体領域と、該半導体領域の上下に設置された一対の電極とを備えた半導体デバイスを複数個基板上に有する半導体デバイスアレイである。
【００２１】
本発明においては、前記半導体デバイスがダイオード、特に発光ダイオードまたはフォトダイオードであることを特徴とする。また本発明においては、前記半導体デバイスがトランジスタ、特にフォトトランジスタであることを特徴とする。
【００２２】
また本発明においては、前記多孔体が薄膜状であることが好ましい。
【００２３】
また本発明においては、前記多孔体に化学的処理を施した後、前記孔内に前記半導体デバイスを作製して得られるデバイスアレイであることが好ましい。特に前記化学的処理が酸化処理であることが好ましい。
【００２４】
また本発明においては、前記構造体に対する、前記多孔体のマトリクス部材の第二の成分の割合が、２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の範囲にあることが好ましい。さらに前記柱状物質がアルミニウムであり、前記マトリクス部材の第二成分がシリコン又はゲルマニウムであることが好ましい。
【００２５】
また本発明においては、前記多孔体の主成分がシリコン又はゲルマニウムであることが好ましい。
【００２６】
また本発明においては、前記半導体デバイスの直径が０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましく、更に１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であるとなお好ましい。
【００２７】
また本発明においては、前記半導体デバイス同士の間隔が１５ｎｍ以下である、ことが好ましく、更に３ｎｍ以上１０ｎｍ以下であるとなお好ましい。
【００２８】
また本発明においては、前記柱状物質は結晶性物質であり、前記マトリクス部材は非晶質物質であることが好ましい。
【００２９】
本発明の第三の発明は、次の工程（ａ）から（ｅ）を有することを特徴とする半導体デバイスアレイの製造方法である。
（ａ） 基板上に電極を設置する工程
（ｂ） 第一の成分を含み構成される柱状物質が、該第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成されるマトリクス部材中に分散している構造体を前記基板上に形成する工程
（ｃ） 前記柱状物質を除去する工程
（ｄ） 前記除去工程により得られる柱状の空孔内に少なくとも１つのｐ−ｎ接合またはｐ−ｉ−ｎ接合を持つ半導体領域を作製する工程
（ｅ） 前記半導体領域を作製した前記構造体上部に電極を作製する工程
本発明においては、前記除去工程としてエッチングが好ましく用いられる。
【００３０】
また本発明においては、前記柱状物質を除去する工程の後に、前記第二の成分を含み構成されるマトリクス部材を化学処理する工程を有してもよい。
【００３１】
特に前記化学処理が酸化であることが好ましい。
【００３２】
また本発明においては、前記柱状物質を除去する工程の後に、前記柱状の空孔の孔径を広げる工程を有してもよい。
【００３３】
また本発明においては、前記上部に電極を作製する工程の後に、前記柱状物質を取り囲む前記マトリクス部材を除去する工程を有してもよい。
【００３４】
本発明においては、前記半導体領域の作製工程として、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法が好ましく用いられる。
【００３５】
また本発明においては、前記半導体領域の作製工程として、前記空孔の底部に触媒を形成した後に触媒反応によって行う工程が好ましく用いられる。 また、本発明に係る半導体デバイスアレイの製造方法は、柱状の部材と該柱状の部材を取り囲む領域を含む構造体を用意する工程、該構造体から該柱状の部材を除去して多孔質体を形成する工程、及び該多孔質体に材料を導入しｐ−ｎあるいはｐ−ｉ―ｎ接合を形成する工程を有することを特徴とする。
【００３６】
また、本発明に係る半導体デバイスアレイは、柱状の部材とそれを取り囲む領域を含み構成される構造体から、該柱状の部材を除去して得られる多孔質体にｐ−ｎあるいはｐ−ｉ―ｎ接合を形成して得られることを特徴とする。
【００３７】
ここで、前記構造体は、第1の材料を含み構成される前記柱状の部材が、第２の材料を含み構成される前記領域に取り囲まれており、且つ該構造体には該第２の材料が、該第１の材料と第２の材料の全量に対して２０atomic％以上７０atomic％以下の割合で含まれているのがよい。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００３９】
本発明の実施形態の説明に先立って、本発明に用いられる、第一の成分（材料）と共晶を形成し得る第二の成分（材料）を含み構成されるマトリクス部材中に該第一の成分（材料）を含み構成される柱状物質が分散している構造体について説明する。
（実験例：第１の材料Ａｌ、第２の材料Ｓｉ）
シリコンに周囲を囲まれたアルミニウム構造体部分が円柱状構造であり、その径２ｒが３ｎｍであり、間隔２Ｒが７ｎｍ、長さＬが２００ｎｍであるアルミニウム細線について示す。
【００４０】
まず、アルミニウム細線の作製方法を説明する。
【００４１】
ガラス基板上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法を用いて、シリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して５５ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍ形成する。ターゲットには、４インチのアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップ１３を８枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は室温とした。
【００４２】
なお、ここではターゲットとして、アルミニウムターゲット上にシリコンチップを８枚置いたものを用いたが、シリコンチップの枚数はこれに限定されるものではなく、スパッタ条件により変化し、アルミニウムシリコン混合膜の組成が約５５ａｔｏｍｉｃ％近辺になれば良い。また、ターゲットはアルミニウムターゲット上にシリコンチップを置いたものに限定したものではなく、シリコンターゲット上にアルミニウムチップを置いたものでも良いし、シリコンとアルミニウムの粉末を焼結したターゲットを用いても良い。
【００４３】
次に、このようにして得られたアルミニウムシリコン混合膜をＩＣＰ（誘導結合型プラズマ発光分析）にて、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量（ａｔｏｍｉｃ％）を分析した。その結果、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量は約５５ａｔｏｍｉｃ％であった。なお、ここでは測定の都合上、基板として、カーボン基板上に堆積したアルミニウムシリコン混合膜を用いた。
【００４４】
ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、アルミニウムシリコン混合膜を観察した。基板真上方向から見た表面の形状は、シリコンに囲まれた円形のアルミニウムナノ構造体が二次元的に配列していた。アルミニウムナノ構造体部分の孔径は３ｎｍであり、その平均中心間間隔は７ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察した所、高さは２００ｎｍであり、それぞれのアルミニウムナノ構造体部分はお互いに独立していた。
【００４５】
また、Ｘ線回折法でこの試料を観察した所、結晶性を示すシリコンのピークは確認できず、シリコンは非晶質であった。
【００４６】
従って、シリコンに周囲を囲まれた間隔２Ｒが７ｎｍ、径２ｒが３ｎｍ、高さＬが２００ｎｍのアルミニウム細線を含んだアルミニウムシリコンナノ構造体を作製することができた。
【００４７】
（比較例）
また、比較試料Ａとして、ガラス基板上に、スパッタ法を用いて、シリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して１５ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍ形成した。ターゲットには、４インチのアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップ１３を２枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は室温とした。
【００４８】
ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、比較試料Ａを観察した。基板真上方向から見た表面の形状は、アルミニウム部分は円形状にはなっておらず、縄状になっていた。即ち、アルミニウムの柱状構造体がシリコン領域内に均質に分散した微細構造体となっていなかった。さらに、その大きさは１０ｎｍを遥かに超えていた。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察した所、アルミニウム部分の幅は１５ｎｍを超えていた。なお、このようにして得られたアルミニウムシリコン混合膜をＩＣＰ（誘導結合型プラズマ発光分析）にて、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量（ａｔｏｍｉｃ％）を分析した。その結果、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量は約１５ａｔｏｍｉｃ％であった。
【００４９】
さらに、比較試料Ｂとして、ガラス基板上に、スパッタ法を用いて、シリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して７５ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍ形成した。ターゲットには、４インチのアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップ１３を１４枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は室温とした。
【００５０】
ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、比較試料Ｂを観察した。基板真上方向から見た試料表面には、アルミニウム部分を観察することができなかった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察しても、明確にアルミニウム部分を観察することができなかった。なお、このようにして得られたアルミニウムシリコン混合膜をＩＣＰ（誘導結合型プラズマ発光分析）にて、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量（ａｔｏｍｉｃ％）を分析した。その結果、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量は約７５ａｔｏｍｉｃ％であった。
【００５１】
また、比較試料Ａを作製した場合と、シリコンチップの枚数の条件のみを変え、アルミニウムシリコン混合体の全量に対するシリコンの割合が、２０ａｔｏｍｉｃ％、３５ａｔｏｍｉｃ％、５０ａｔｏｍｉｃ％、６０ａｔｏｍｉｃ％、７０ａｔｏｍｉｃ％である試料を作製した。アルミニウムの柱状構造体がシリコン領域内に均質に分散した微細構造体となっている場合を○、なっていない場合を×としたものを以下に示す。
【００５２】
【表１】
【００５３】
さらに、比較試料Ｃとして、ガラス基板上に、スパッタ法を用いて、シリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して５５ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜を約２００ｎｍ形成した。ターゲットには、４インチのアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップ１３を８枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：１ｋＷとした。また、基板温度は２５０℃とした。
【００５４】
ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、比較試料Ｃを観察した。基板真上方向から見た試料表面には、アルミニウムとシリコンの明瞭な境界を確認することができなかった。つまり、アルミニウムナノ構造体を確認することができなかった。即ち、基板温度が高すぎると、より安定な状態に変化してしまうため、このようなアルミニウムナノ構造体を形成する膜成長ができていないと思われる。
【００５５】
なお、柱状の部材が分散した構造体を得る為に、ターゲットの組成をＡｌ：Ｓｉ＝５５：４５などに設定することも好ましい形態である。
【００５６】
次に本発明の実施形態について説明する。
【００５７】
図１は、本発明の半導体デバイスアレイの一例を示す概略図で、ｐ−ｎ結合を１つ含むダイオードアレイを作製したものである。図１（ａ）は模式的上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の破線ＡＡ'に沿って切ったときの模式的断面図である。図１において、１ａはｐ型半導体部分、１ｂはｐ−ｎ接合面、１ｃはｎ型半導体部分であり、ダイオードの半導体部分（半導体領域）１を形成している。ダイオードの半導体部分は多孔体薄膜の空孔中に形成されている。この多孔体薄膜は、一成分が微細な柱状構造を形成して他の成分のマトリクス部材中に分散している、互いに共晶を形成する複数の材料から構成される薄膜から、前記柱状材料成分を除去して得られるものである。この多孔体薄膜中の空孔は、独立した空孔として、基板に対してほぼ垂直に形成されている。従って、ダイオードの半導体部分１は膜中で、前記マトリクス部材２によって互いに隔てられている。前記互いに共晶を形成する複数の材料から構成される膜は、下部電極４を形成した基板３上に形成され、上部に上部電極５が形成されている。基板３の上部に下部電極４を形成する代わりに、全体が導電性の基板を使用し基板が下部電極を兼ねる構成にしても良い。
【００５８】
図１には、半導体材料が一つのｐ−ｎ接合を有するダイオードの例を示したが、空孔内に形成される一本の半導体材料が、図２のように一つのｐ−ｉ−ｎ接合を有するダイオードであるものや、図３のように２つのｐ−ｎ接合を有するトランジスタであるもの等が本発明には包含される。ここで、ｉは真性半導体を示し、ｐ−ｉ−ｎ接合は発光ダイオード等において、発光効率を高めるために使用される構成である。図２において１１はダイオードの半導体部分、１１ａはｐ型半導体部分、１１ｂはｐ−ｉ接合面、１１ｃは真性半導体部分、１１ｄはｉ−ｎ接合面、１１ｅはｎ型半導体部分である。また図３においては、２１はトランジスタの半導体部分、２１ａはｐ型半導体部分、２１ｂはｐ−ｎ接合面、２１ｃはｎ型半導体部分、２１ｄはｐ−ｎ接合面、２１ｅはｐ型半導体部分である。また、これら図１から図３においては、ｐ型半導体とｎ型半導体が逆になっても良い。
【００５９】
本発明の半導体デバイスを構成している空孔部分の基板上面からみた形状は、図１（ａ）、図２（ａ）及び図３（ａ）のように、ほぼ円形のものでもよいし、また楕円形など任意の形状が適応可能である。
【００６０】
また、本発明の半導体デバイスアレイを構成している半導体デバイスの半導体部分の基板断面からみた形状は、図１から３の各（ｂ）のように長方形形状でもよいし、膜厚を薄くすることによって正方形形状にしたり、下記のナノ構造体作成方法によっては台形や縦長の六角形など任意の形状が可能である。また、半導体デバイスの半導体部分の直径（平均径を示す）２ｒは０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であり、空孔の間隔（平均間隔を示す）２Ｒは１５ｎｍ以下である。好ましくは、直径２ｒは１〜１０ｎｍであり、その間隔２Ｒは３〜１０ｎｍである。また、長さＬは２ｎｍ〜数μｍ、好ましくは５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲である。なお、楕円等の場合は、最も長い外径部が、上記直径の範囲内であればよい。ここで平均径とは、例えば、実際のＳＥＭ写真（約１００ｎｍ×７０ｎｍの範囲）で観察される空孔部分をコンピュータで画像処理して、導出される値である。
【００６１】
なお、半導体デバイスの柱状形状とは上記サイズを満足するものであれば、任意のアスペクト比（長さＬ／孔径２ｒ）を有する形状を含むものである。なお、好ましいアスペクト比（長さＬ／孔径２ｒ）は０．５〜１０００の範囲である。
【００６２】
また、本発明の半導体デバイスアレイは、複数の半導体デバイスが上下の電極で繋がれて一組の半導体デバイスとして扱われ、全体として半導体デバイスアレイを形成しているが、これは「従来の技術」の項目でも触れたとおり現在の最先端のリソグラフィ技術を用いても個々の半導体デバイスに配線することはできないためである。
【００６３】
次に図４（ａ）〜（ｅ）を用いて、各工程について更に詳しく説明する。以下の工程（ａ）〜（ｅ）は図４（ａ）〜（ｅ）に対応する。
（ａ） 下部電極作製
図４（ａ）に示すように、電極３０を半導体デバイスアレイを作製する基板３１上へ作製する。作製方法は、特に限定されず、基板上に電極になる金属を蒸着すればよい。パターニングは必須ではないが、パターニングを行うことで基板上の異なる半導体デバイスを個別に駆動することが可能となる。
【００６４】
ここで基板の材料の材質は、目的の半導体デバイスアレイを作製するプロセスに耐えうるものであれば、どのようなものでも良好に用いることができる。例えば、シリコンウエハ、ガラス等が好ましく用いられる。また、基板の形状としては平滑な板状のものに限らず、曲面を有するもの、表面にある程度の凹凸や段差を有するものなどが挙げられるが、上部に作製される半導体デバイスアレイに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
【００６５】
またここで基板表面に設置する下部電極の材料も、目的の半導体デバイスアレイを作製するプロセスに耐えうるものであれば、どのようなものでも良好に用いることができる。例えば、金、白金等が好ましく用いられる。
（ｂ） ナノ構造体作製
次に、図４（ｂ）に示すように、電極３０を形成した基板３１、もしくは導電性の基板上にナノ構造体の薄膜３３を形成する。ここで、ナノ構造体は第一の成分の微細な柱状の形態となって第二の成分のマトリクス中に分散されている材料を示す。このような構造体は互いに共晶系にある物質において形成されることが本発明者らの研究で明らかになっている。
【００６６】
共晶関係にある複数の成分は特に限定されないが、複数の成分のうち第一の成分をアルミニウム、第二の成分をシリコンまたはゲルマニウム（シリコンとゲルマニウムの混合物でもよい）にした場合、目的にあったナノ構造体が形成されることがわかっている。
【００６７】
上記第一の成分と第二の成分から目的にあったナノ構造体を形成するには、両者を非平衡状態にすればよい。これは、このような非平衡状態で物質を形成する成膜法で作製された共晶関係の２成分のナノ構造体領域３３は、両者が準安定状態の共晶型組織となり、第一の成分が数ｎｍレベル程度の径を持ったナノ構造体３２を形成しその周りを第二の成分の成分領域３４が取り囲むように自己組織的に分離するからである。
【００６８】
両者を非平衡状態にする代表的な方法としてスパッタリング法がある。原料としての第一、第二の成分は、例えば、図９に示すように、スパッタ装置の第一の成分のターゲット上に第二の成分のチップを配することで達成される。第二の成分のチップは、複数に分けて配置しても１つでもよい。但し、均一な第一の成分を含む柱状構造体を第二の成分領域内に均一に分散させるには、基板に対称（例えば同心円上）に配置しておくのがよい。また、所定量の第一の成分と第二の成分との粉末を焼成して作製した混合焼成物を構造体作製のターゲット材として用いることもできる。また、第一の成分と第二の成分のターゲットを別々に用意し、同時に両方のターゲットをスパッタリングする方法を用いてもよい。
【００６９】
形成される膜中の第二の成分の量は、例えば第一の成分がアルミニウムで第二の成分がシリコンまたはゲルマニウムの場合、第一、第二両者の全量に対して２０〜７０ａｔｏｍｉｃ％であり、好ましくは２５〜６５ａｔｏｍｉｃ％、さらに好ましくは３０〜６０ａｔｏｍｉｃ％である。シリコンまたはゲルマニウム量がかかる範囲内であれば、シリコンまたはゲルマニウム領域内にアルミニウムの柱状構造体が分散したアルミニウムシリコンまたはアルミニウムゲルマニウムナノ構造体が得られる。
【００７０】
本発明において、アルミニウムの割合等を示すａｔｏｍｉｃ％とは、例えば、シリコンとアルミニウムなどの単原子の原子の数の割合を示し、ａｔｏｍ％あるいはａｔ％とも記載され、例えば誘導結合型プラズマ発光分析法でアルミニウムシリコン混合膜中のシリコンとアルミニウムの量を定量分析したときの値である。
【００７１】
なお、上記割合においては、ａｔｏｍｉｃ％を単位として用いているが、ｗｔ％を単位として用いる場合は、例えばシリコンが２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の場合は、２０．６５ｗｔ％以上７０．８４ｗｔ％以下となる（ａｔｏｍｉｃ％からｗｔ％への換算は、Ａｌの原子量を２６．９８２、Ｓｉの原子量を２８．０８６としてＡｌとＳｉの重量比を求め、（重量比）×（ａｔｏｍｉｃ％）の値からｗｔ％に換算することができる。
【００７２】
また、基板温度としては、２００℃以下が好ましく、室温から１５０℃、より好ましくは１００℃から１５０℃の範囲が好ましい。
【００７３】
第一の成分をアルミニウム、第二の成分をシリコンまたはゲルマニウムとした場合、このような方法で第一、第二の成分のナノ構造体を形成すると、アルミニウムとシリコンまたはゲルマニウムが準安定状態の共晶型組織となり、アルミニウムがシリコンまたはゲルマニウムマトリックス中に数ｎｍレベルのナノ構造体（柱状構造体）を形成し、アルミニウムとシリコンまたはゲルマニウムが自己組織的に分離する。そのときのアルミニウムはほぼ円柱状形状であり、その孔径は１〜１５ｎｍであり、間隔は３〜１５ｎｍである。
【００７４】
また、スパッタ時に基板温度や投入電力を変化させることによって、一本のアルミニウムの円柱の太さを高さによって変化させ、円錐台形状や紡錘形状にすることも可能である。
【００７５】
アルミニウムシリコンまたはアルミニウムゲルマニウムナノ構造体のシリコンの量は、例えばアルミニウムターゲット上に置くシリコンチップの量を変えることで制御できる。
【００７６】
非平衡状態で成膜を行う場合、特にスパッタリング法の場合は、アルゴンガスを流したときの反応装置内の圧力は、０．２〜１Ｐａ程度がよく、プラズマを形成するための出力は４インチターゲットの場合は１５０から１０００Ｗ程度が好ましい。しかし、特に、これに限定されるものではなく、アルゴンプラズマが安定に形成される圧力及び出力であればよい。
【００７７】
非平衡状態で物質を形成する成膜法は、スパッタリング法が好ましいが抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）をはじめとする任意の非平衡状態で物質を形成する成膜法が適用可能である。スパッタリング法で行う場合には、マグネトロンスパッタリング、ＲＦスパッタリング、ＥＣＲスパッタリング、ＤＣスパッタリング法を用いることができる。
【００７８】
また、成膜する方法としては、第一の成分と第二の成分を同時に形成する同時成膜プロセスを用いてもよいし、第一の成分と第二の成分を数原子層づつ積層する積層成膜プロセスを用いてもよい。
【００７９】
上記の様にして成膜された第一の成分と第二の成分のナノ構造体領域３３は、第一の成分を主成分とする柱状構造体３２と、その周囲の第二の成分を主成分とする領域３４を備える。領域３４は非晶質であることが望ましい。
【００８０】
柱状構造体部３２の組成は、第一の成分を主成分とするが、柱状構造の微細構造体が得られていれば、酸素、アルゴン、窒素などの他の元素を含有していてもよい。なお、主成分とは、柱状構造体部の成分構成比において第一の成分の割合が８０ａｔｏｍｉｃ％以上、好ましくは９０ａｔｏｍｉｃ％以上をいう。
【００８１】
また、第一の成分の柱状構造体の周囲を取り囲んでいる第二の成分の領域３４の組成は、柱状構造の微細構造体が得られていれば、酸素、アルゴン、窒素、水素などの各種の元素を含有してもよい。なお、主成分とは、第二の成分の領域の成分構成比においてシリコンの割合が８０ａｔｏｍｉｃ％以上、好ましくは９０ａｔｏｍｉｃ％以上をいう。
（ｃ）空孔形成
図４（ｃ）に示すように、上記のナノ構造体薄膜から第一の成分の柱状構造体３２のみを選択的にエッチングにより除去する。その結果、空孔３６を有する第二の成分領域のみが残り、多孔質の第二の成分の薄膜３５が形成される。
【００８２】
ウエットエッチングに用いる溶液は、例えば、第一の成分がアルミニウム、第二の成分がシリコンの場合、アルミニウムを溶かしシリコンをほとんど溶解しない、リン酸、硫酸、塩酸、クロム酸溶液などの酸が挙げられるが、エッチングによる空孔形成に不都合がなければ水酸化ナトリウムなどのアルカリを用いることができ、特に酸の種類やアルカリの種類には限定されるものではない。また、数種類の酸溶液やあるいは数種類のアルカリ溶液を混合したものを用いてもよい。またエッチング条件は、例えば、溶液温度、濃度、時間などは、作製するシリコンナノ構造体に応じて、適宜設定することができる。
【００８３】
次に記載する（ｃ’―１）と（ｃ’―２）工程は必須ではなく、第二の成分及び要求される半導体デバイスの性能に応じて行う工程である。
（ｃ’−１）第二の成分ナノ構造体の酸化
第二の成分がシリコンやゲルマニウムのような半導体である場合やその他良導体材料である場合、空孔内の半導体デバイスと絶縁する為、空孔を有するナノ構造体を酸化処理して不良導体に変換する必要がある。また、後述する工程で空孔を有するナノ構造体を除去する場合、やはり酸化処理を行い半導体デバイス本体より短時間でエッチングされる素材に変換する必要がある。
【００８４】
図４（ｃ’）に示すように、この工程により第二の成分多孔質膜３５は第二の成分の酸化物の多孔質膜３７となる。
【００８５】
工程（ｃ）で作製された第二の成分の多孔質膜の酸化方法としては、例えば第二の成分がシリコンまたはゲルマニウムの場合、酸素雰囲気中で加熱する方法の他、水蒸気中あるいは空気中での加熱、陽極酸化、酸素プラズマにさらすなどの任意の酸化方法が適用可能である。ここで、シリコン酸化物領域の組成は、シリコン酸化物を主成分とするが、アルゴン、窒素などの他の各種の元素や元素の酸化物を含有してもよい。例えば第一の成分がアルミニウム、第二の成分がシリコンである場合、シリコン酸化物領域におけるシリコンの含有量は酸素を除くすべての元素に対して８０ａｔｏｍｉｃ％以上、好ましくは８５％以上である。ここで第一の成分がアルミニウムの場合、アルミニウムの含有量は酸素を除くすべての元素に対して、０．０１〜２０ａｔｏｍｉｃ％の範囲であり、好ましくは０．１〜１０ａｔｏｍｉｃ％の範囲である。また、シリコン酸化物ナノ構造体を構成しているシリコン酸化物の構造は、非晶質シリコン酸化物であることが望ましいが、結晶化させて結晶質のシリコン酸化物を含んでいてもよい。
（ｃ’−２）空孔径の拡大
空孔径を拡大する工程は、空孔の孔径の拡大を柱状物質を除去した第二の成分の多孔質膜に対して行う方法、または酸化物の多孔質膜に対しておこなう方法がある。
【００８６】
空孔径の拡大は、上記第二の成分または第二の成分の酸化物の多孔質膜に対して第二の成分または第二の成分の酸化物を溶解する溶液中に浸すポアワイド処理（孔径拡大処理）により、行われる。
【００８７】
上記溶液も特に空孔の拡大に問題がなければどのような酸及びアルカリを用いてもよい。また、数種類の酸溶液やあるいは数種類のアルカリ溶液を混合したものを用いてもよい。例えば、第二の成分がシリコンの場合、上記溶解用溶液としてはフッ化水素を薄めた酸溶液など、あるいは水酸化ナトリウムなどのアルカリ溶液が適している。また空孔孔径拡大（ポアワイド処理）条件は、例えば、溶液温度、濃度、時間などは、作製する空孔の大きさに応じて、適宜設定することができる。
（ｄ）半導体デバイスの半導体部分作製
ここで空孔内に作製する半導体デバイスの半導体部分３８（図４（ｄ）ではダイオード）は、特に限定されず、一般的にｐ−ｎ接合またはｐ−ｉ−ｎ接合を有するものなら何でも良い。例えば、ダイオードやバイポーラトランジスタが好ましい。更に、ダイオードなら発光ダイオードのような発光機能をもったものやフォトダイオードのような受光機能を持ったもの、トランジスタならフォトトランジスタのような受光機能を持ったものならなお好ましい。
【００８８】
上記半導体デバイスの材料は、特に限定されず、一般的にｐ−ｎ接合またはｐ−ｉ−ｎ接合を有する半導体デバイス用に用いられるものなら何でも良い。例えば、シリコン、ゲルマニウム、特に発光ダイオードとして用いられるものとしては例えば、ガリウムヒ素系材料（ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｌＰ）、ガリウムヒ素リン（ＧａＡｓＰ）、ガリウムリン（ＧａＰ）、インジウムリン等のIII−Ｖ族化合物半導体デバイス材料や間接遷移型材料の炭化珪素（ＳｉＣ）、直接遷移型の窒化ガリウム系材料（ＧａＮ／ＩｎＧａＡｌＮ）、セレン化亜鉛系（ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅ）に代表されるII−VI族化合物半導体デバイス材料などが適している。これらの中でも特に半導体デバイス全般で材料にとして多用されるシリコンや発光ダイオード用として使われるガリウムヒ素、ガリウムリンが好ましい。
【００８９】
求められる半導体デバイスの性質によって、上記半導体材料に適したドーパントを選択してｐ型、ｎ型を作り分ければよい。例えば、半導体がシリコンならドーパントはホウ素とリンが一般によく用いられる。更に高機能な半導体デバイスを作製する必要が有るなら、複数回ドーパントを交換して複数の接合面を作製しても良い。またドーパントを添加せず真性半導体にしても良い。
【００９０】
半導体がIII−Ｖ族化合物半導体の場合、両者の成分比を調節することによってｐ型半導体、ｎ型半導体、真性半導体を作り分け接合型半導体デバイスを作製することもできる。
【００９１】
工程（ｃ）で作製された空孔中に上記半導体デバイスを作製する工程は、ナノ構造体の空孔構造を破壊しない範囲内で一般的に半導体結晶を成長させる方法を用いればよい。
【００９２】
例えば、化学気相成膜（ＣＶＤ）法ならば、アルゴン、キセノン、ヘリウム、ネオン、クリプトン等の希ガス、水素、炭化水素、フッ素、窒素、酸素ガス等の雰囲気で作製することができる。半導体デバイスの成長速度に応じて、ガス流量、圧力、投入電力等の条件は目的の半導体材料に対して適宜選択される。原料ガスはシリコン半導体デバイスを作製する場合ならば、一般式ＳｉnＨ2n+2（ｎは自然数）で表されるモノラン、ジシラン、トリシラン、テトラシランなどシラン化合物やフッ化シラン、有機シラン、炭化水素、ゲルマン化合物などが用いられる。また、希釈ガスとして、水素、重水素、フッ素、塩素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン、窒素などのガスを原料ガスとともに導入しても良い。これらのガスを用いる場合には、原料ガスに対して、０．０１〜１００％（容積比率）の範囲で用いると効果的であり、作製する半導体デバイスの特性を考慮して適宜選択されるものである。
【００９３】
ＣＶＤ法のかわりに、前記ナノ構造体の空孔底部に金粒子を電着しこれを触媒として有機金属ガスからナノワイヤを成長させるＶＬＳ法を用いると、空孔内に選択的に半導体を作り込むことが容易になる。
【００９４】
空孔内への半導体デバイスの半導体部分作製の際の温度等の条件は目的とする半導体材料に対して適宜選択される。
（ｅ）上部電極作製
半導体デバイスを作製したナノ構造体上部に電極３９を作製する工程は、工程（ａ）と同様一般的な方法でよい。
【００９５】
ここで上部電極の材料は、電気の良導体なら特に限定されない。電極の厚さは材料によって適宜決定される。
【００９６】
工程（ａ）で基板表面に等間隔で平行な下部電極を作製し、工程（ｅ）で基板表面の電極とは垂直になる方向に平行な上部電極を作製すれば、半導体デバイスアレイを逐次駆動（ダイナミックドライブ）することが出来る。また、上部電極をパターニングせず全体で一つの電極とし、すべての半導体デバイスの上部側を一つの共通電極とすることもできる。
【００９７】
最後に、図示しないが上部電極を作製した後、必要に応じて以下の工程を行ってもよい。
【００９８】
（第二の成分または第二の成分の酸化物領域の除去）
半導体デバイスを取り囲む第二の成分または第二の成分の酸化物領域３７を除去し半導体デバイス３８を露出させても良い。処理方法及び処理に用いる溶液は工程（ｃ’−２）の空孔を拡大する際に用いるものと同じである。結晶性の半導体である半導体アレイ本体及び電極を残して、その周辺の非晶性部分のみを溶解除去する条件は、例えば、溶液温度、濃度、時間などは、作製する空孔の大きさに応じて、適宜設定することができる。
【００９９】
以上、本発明の要旨を再度述べると、本発明は、互いに共晶関係にある複数の成分から成るナノ構造体の一方の成分を除去して得られる多孔体薄膜を利用して作製された、従来のデバイスアレイよりはるかに小型の半導体デバイスを高密度で並べた新規な半導体デバイスアレイとその製造方法に関する。
【０１００】
【実施例】
以下、実施例により本発明を詳述するが、これらは本発明をなんら限定するものではない。
【０１０１】
（実施例１）
本実施例は、多孔質シリコン酸化物薄膜中にシリコンダイオードを作製したものであり、図５に示した模式図のようなシリコンダイオードアレイを作製した。なお、図５（ａ）はアレイ全体の模式図、図５（ｂ）はアレイの一部をナノサイズで描いた模式図である。
【０１０２】
（下部電極の作製）
まず、図５（ａ）に示すように、一辺が２ｃｍ厚さが１．１ｍｍの正方形のガラス基板１０３上にスパッタリング法により膜厚２００ｎｍの金を蒸着した上でパターニングを行い、ガラス基板の一辺に平行に１００μｍごとに１０μｍずつエッチングをし、幅９０μｍの帯状の金電極１０４が等間隔で並ぶようにした。
【０１０３】
（多孔質シリコン酸化物薄膜の作製）
次に、このガラス基板１０３上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、２００ｎｍの膜厚のアルミニウムとシリコンの混合膜１０５を作製した。ターゲットには、直径が４インチ（１０１．６ｍｍ）の円形のアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のシリコンチップを６枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：３００Ｗとした。また、基板温度は室温（２５℃）とした。
【０１０４】
なお、ここではターゲットとして、図９に示すように、アルミニウムターゲット上にシリコンチップを６枚置いたものを用いたが、シリコンチップの枚数はこれに限定されるものではなく、スパッタリング条件により変化し、後述する目的の構造が形成されればよい。また、ターゲットはアルミニウムターゲット上にシリコンチップを置いたものに限定するものではなく、シリコンターゲット上にアルミニウムチップを置いたものでもよいし、シリコンとアルミニウムを焼結したターゲットを用いてもよい。
【０１０５】
なお、ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、アルミニウムシリコン混合膜の上部および断面を観察したところ、シリコン領域に囲まれた円形のアルミニウム柱状構造体が二次元的に配列していた。また、アルミニウム柱状構造体の孔径は６ｎｍであり、その平均中心間間隔は８ｎｍであった。また、高さは２００ｎｍであり、それぞれのアルミニウム柱状構造体部分はシリコン領域により互いに分離されていた。
【０１０６】
また、誘導結合型プラズマ発光分析法（ＩＣＰ法）により、本実施例で作製したアルミニウムシリコン混合膜中の元素組成の分析を行った。なお、この分析用に用いたのはカーボン基板上に作製した膜である。その結果、シリコンのアルミニウムとシリコンの全量に対する分量は３７ａｔｏｍｉｃ％と求められた。以上のようにして、微細な柱状のアルミニウムを３７ａｔｏｍｉｃ％含むアルミニウムシリコン混合膜が形成された。この混合膜をＸ線回折分析で評価した。その結果、シリコンの回折ピークは認められず、シリコンは非晶質であることがわかった。一方、アルミニウムに関しては複数の回折線が見られ、アルミニウムは結晶性であることが示された。
【０１０７】
このようなシリコンをアルミニウムとシリコンの全量に対して３７ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムシリコン混合膜をリン酸５ｗｔ％中に４時間浸し、アルミニウム柱状構造体部分のみを選択的にエッチングして空孔を形成した。この結果、ナノスケールの空孔が膜面に垂直に形成された多孔質シリコンの膜が形成された。
【０１０８】
次に、ＦＥ−ＳＥＭにて、リン酸エッチングした上記多孔質シリコン薄膜を観察した。基板真上方向から見た表面の形状はシリコン領域に囲まれた空孔が二次元的に配列しているものであった。空孔部の孔径は６ｎｍであり、その平均間隔は約８ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察した所、高さは２００ｎｍであり、それぞれの空孔部分はシリコン領域により隔たれており互いに独立していた。
【０１０９】
次に、作製された多孔質シリコン薄膜を酸素雰囲気中で加熱した。ここでは、大気圧で酸素を５０ｓｃｃｍ流しながら、８００℃で２時間加熱した。この結果、シリコン酸化物が作製された。シリコン酸化物の形成は、広域電子エネルギー損失構造解析（ＥＥＬＳ）により確認された。
【０１１０】
ＦＥ−ＳＥＭにて、酸化後の膜を観察した。基板真上方向から見た表面の形状はシリコン酸化物に囲まれた空孔が二次元的に配列していた。空孔部の孔径は５ｎｍであり、その平均間隔は約８ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察した所、高さは２００ｎｍであり、それぞれの空孔部分はシリコン酸化物領域により隔たれており互いに独立していた。
【０１１１】
この結果、多孔質シリコン酸化物薄膜が作製された。
【０１１２】
シリコン酸化物領域中のシリコンの含有量は、ＩＣＰ法によって酸素を除くすべての原子に対して約９０ａｔｏｍｉｃ％と求められた。
【０１１３】
（シリコンダイオードの作製）
このように作製された多孔質シリコン酸化物薄膜の空孔底部の金電極部分に電着を行い金粒子を付けた。電着は、市販の電気メッキ液（高純度化学研究所製金用電気メッキ液、商品コードＫ−２４Ｅ）を用い、４０℃に保持した酸性浴（ｐＨ＝４．５）中において、０．５Ａ／ｃｍ2の電流密度で行った。
【０１１４】
次にこの多孔質シリコン薄膜を石英管の中に設置し気圧を１３Ｐａ以下にした後、アルゴンガスを流しながら４４０℃に加熱した。次に石英管内に、ヘリウムガス中に１０％の割合で混合したシランガスを５０ｓｃｃｍの流量で６０秒間供給した。この時、始めの３０秒間はシランガスにドーパント源としてジボランを添加しシリコンの下部をｐ型（１０１ａ）、後半の３０秒間はホスフィンを添加しシリコンの上部をｎ型（１０１ｃ）にし、空孔底部の金粒子を触媒としてｐ−ｎ接合１０１ｂを１つ有する柱状のシリコンを作製した。この工程での時間はあらかじめ予備実験を行って決定した。上記の工程によってシリコン導入を行った多孔質シリコン酸化物薄膜の表面を研磨して金粒子及び余分なシリコンの付着物等を除去した後にＦＥ−ＳＥＭで観察を行ったところ、空孔の中にシリコンが形成されている様子が観察された。Ｘ線回折分析を行った結果、シリコンの結晶に起因する回折線が認められ導入した柱状のシリコンは結晶性であることが確認された。
【０１１５】
次に、このようにして作製されたシリコンを空孔内に有する多孔質シリコン酸化物薄膜の上部にスパッタリングにより膜厚２００ｎｍの金を蒸着し、底部の金電極と垂直方向になるように幅９０μｍの帯状の上部金電極１０５をパターニングによって作製した。
【０１１６】
この一連の作業により、一辺９０μｍの領域内にある約１．３×１０8個（１．１×１０4×１．１×１０4）のダイオードが一組のダイオードとして同じ電極を共有するダイオードアレイが完成した。
【０１１７】
（整流機能の確認）
シリコン酸化物に直接光が当たらないようにマスクをした上で、ガラス基板１０３上の下部電極１０４と多孔質シリコン酸化物薄膜上部の上部電極１０５をそれぞれ１つづつ選んで可変電圧をかけ、その時の電流を測定した。いくつかの電極を選んで同様の測定を行ったところ、すべての組み合わせで同様の結果であった。代表的なものを図６示す。逆方向にはほとんど電流が流れず、順方向には約０．７Ｖから電流が流れ始めるという結果が得られ、リーク電流や絶縁破壊等は観測されず、整流作用があることが確認された。
【０１１８】
以上の結果より、多孔質シリコン酸化物薄膜中に、正常に機能するダイオードが並んだダイオードアレイが作製されたことが確認できた。
【０１１９】
（フォトダイオードとしての機能の確認）
ガラス基板上の下部電極１０４と多孔質シリコン酸化物薄膜上部の上部電極１０５をそれぞれ１つづつ順番に選んで１０ボルトの逆電圧をかけ、その時の電流を測定した。次に上記マスクを剥離し、多孔質シリコン酸化物薄膜に何段階かの明るさの光を照射して電流を測定した。いくつかの電極を選んで同様の測定を行ったところ、すべての組み合わせで同様の結果であった。代表的なものを図７に示す。明るさに比例して電流が増加していることがわり、ダイオードがフォトダイオードとして機能していることが確認された。
【０１２０】
以上の結果より、多孔質シリコン酸化物薄膜中のダイオードがフォトダイオードとして機能するフォトダイオードアレイが作製されたことが確認できた。
【０１２１】
（実施例２）
本実施例はダイオードの径拡大したものである。実施例１と同様の方法で空孔構造を持つ多孔質シリコン薄膜を作製した。
【０１２２】
次に、この構造体を２５℃に保った水酸化ナトリウム１ｍｏｌ／Ｌ中に３０分浸し、空孔の拡大を行った。
【０１２３】
なお、空孔の拡大処理を行った多孔質シリコン薄膜をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、シリコン領域に囲まれた空孔が二次元的に配列していた。また、そのとき観察した空孔部の孔径は６ｎｍ、その平均間隔は８ｎｍ、高さは２００ｎｍであり、それぞれの空孔部分はシリコン領域により隔たれており、互いに独立していた。なお、Ｘ線回折法で作製した試料を測定した所、シリコンの結晶のピークは確認できず、シリコンは非晶質であった。
【０１２４】
この後、実施例１と同様に多孔質シリコン薄膜を酸化して多孔質シリコン酸化物薄膜を作製し、空孔内にシリコンダイオードを作製した。
【０１２５】
この半導体の電極に実施例１と同様に電圧をかけて電流を測定したところ、実施例１と同様に逆電圧ではほとんど電流は流れず、順電圧では０．７Ｖ付近から電流が流れ、４Ｖの電圧で実施例１より約５０μＡ電流量が多いダイオードからなるダイオードアレイが作製されたことが確認できた。
【０１２６】
以上のように、空孔を拡大する工程を加えることにより、ダイオードの電流量を増大させることができた。
【０１２７】
（実施例３）
本実施例は多孔質シリコン酸化物薄膜を除去したシリコンダイオードを作製したものである。
【０１２８】
ガラス基板の代わりに一辺が２ｃｍ厚さが０．３ｍｍの正方形の金の板を用い、これを基板兼下部電極とし、また上部電極もパターニングを行わず１枚の電極とした他は、実施例１と同様の方法で半導体デバイスアレイを作製した。
【０１２９】
次にこの半導体デバイスアレイを２％のフッ酸に浸漬し約１分間静置した。これを静かに取りだし蒸留水で洗浄した後、自然乾燥させた。これをＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、上部電極と基板の間に柱状構造物が整然と並んでいることが確認できた。
【０１３０】
次に、上部電極と基板に電圧をかけ実施例１と同様に電気的特性を調べた。
【０１３１】
その結果、実施例１と本質的に同様の結果が得られ、多孔質シリコン酸化物薄膜を除去する処理を施しても、ダイオードの電気的特性に悪影響がないことが確かめられた。
【０１３２】
以上のように表面が露出したダイオードアレイの形成が確認された。
【０１３３】
（実施例４）
本実施例は多孔質ゲルマニウム酸化物薄膜中にシリコンダイオードを作製したものである。
【０１３４】
実施例１の多孔質シリコン酸化薄膜を多孔質ゲルマニウム酸化物薄膜に代えて、図５に示した模式図のようなシリコンダイオードアレイを作製した。
【０１３５】
（下部電極の作製）
まず、図５（ａ）に示すように、一辺が２ｃｍ厚さが１．１ｍｍの正方形のガラス基板１０３上にスパッタリング法により膜厚２００ｎｍの金を蒸着した上でパターニングを行い、ガラス基板の一辺に平行に１００μｍごとに１０μｍづつエッチングをし、幅９０μｍの帯状の金電極１０４が等間隔で並ぶようにした。
【０１３６】
（多孔質ゲルマニウム酸化物薄膜の作製）
次に、このガラス基板上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、２００ｎｍの膜厚のアルミニウムとゲルマニウムの混合膜を作製した。ターゲットには、直径が４インチ（１０１．６ｍｍ）の円形のアルミニウムターゲット上に１５ｍｍ角のゲルマニウムチップを４枚おいたものを用いた。スパッタ条件は、ＲＦ電源を用いて、Ａｒ流量：５０ｓｃｃｍ、放電圧力：０．７Ｐａ、投入電力：３００Ｗとした。また、基板温度は室温（２５℃）とした。
【０１３７】
なお、ここではターゲットとして、アルミニウムターゲット上にゲルマニウムチップを４枚置いたものを用いたが、ゲルマニウムチップの枚数はこれに限定されるものではなく、スパッタリング条件により変化し、後述する目的の構造が形成されればよい。また、ターゲットはアルミニウムターゲット上にゲルマニウムチップを置いたものに限定するものではなく、ゲルマニウムターゲット上にアルミニウムチップを置いたものでもよいし、ゲルマニウムとアルミニウムを焼結したターゲットを用いてもよい。
【０１３８】
なお、ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）にて、アルミニウムゲルマニウム混合膜の上面および断面を観察したところ、ゲルマニウム領域に囲まれた円形のアルミニウム柱状構造体が二次元的に配列していた。また、アルミニウム柱状構造体の孔径は１２ｎｍであり、その平均中心間間隔は１５ｎｍであった。また、高さは２００ｎｍであり、それぞれのアルミニウム柱状構造体部分はゲルマニウム領域により互いに分離されていた。
【０１３９】
また、誘導結合型プラズマ発光分析法（ＩＣＰ法）により、本実施例で作製したアルミニウムゲルマニウム混合膜中の元素組成の分析を行った。その結果、ゲルマニウムのアルミニウムとゲルマニウムの全量に対する分量は３７ａｔｏｍｉｃ％と求められた。以上のようにして、微細な柱状のアルミニウムを３７ａｔｏｍｉｃ％含むアルミニウムゲルマニウム混合膜が形成された。この混合膜をＸ線回折分析で評価した。その結果、ゲルマニウムの回折ピークは認められず、ゲルマニウムは非晶質であることがわかった。一方、アルミニウムに関しては複数の回折線が見られ、アルミニウムは結晶性であることが示された。
【０１４０】
このようなゲルマニウムをアルミニウムとゲルマニウムの全量に対して３７ａｔｏｍｉｃ％含んだアルミニウムゲルマニウム混合膜をリン酸５ｗｔ％中に４時間浸し、アルミニウム柱状構造体部分のみを選択的にエッチングして空孔を形成した。この結果、ナノスケールの空孔が膜面に垂直に形成された多孔質ゲルマニウムの膜が形成された。
【０１４１】
次に、ＦＥ−ＳＥＭにて、リン酸エッチングした上記多孔質ゲルマニウム薄膜を観察した。基板真上方向から見た表面の形状はゲルマニウム領域に囲まれた空孔が二次元的に配列しているものであった。空孔部の孔径は１２ｎｍであり、その平均間隔は約１５ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察した所、高さは２００ｎｍであり、それぞれの空孔部分はゲルマニウム領域により隔たれており互いに独立していた。
【０１４２】
次に、作製された多孔質ゲルマニウム薄膜を酸素雰囲気中で加熱した。ここでは、大気圧で酸素を５０ｓｃｃｍ流しながら、８００℃で２時間加熱した。この結果、ゲルマニウム酸化物が作製された。ゲルマニウム酸化物の形成は、広域電子エネルギー損失構造解析（ＥＥＬＳ）により確認された。
【０１４３】
ＦＥ−ＳＥＭにて、酸化後の膜を観察した。基板真上方向から見た表面の形状はゲルマニウム酸化物に囲まれた空孔が二次元的に配列していた。空孔部の孔径は１１ｎｍであり、その平均間隔は約１５ｎｍであった。また、断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察した所、高さは２００ｎｍであり、それぞれの空孔部分はゲルマニウム酸化物領域により隔たれており互いに独立していた。
【０１４４】
この結果、多孔質ゲルマニウム酸化物薄膜が作製された。
【０１４５】
ゲルマニウム酸化物領域中のゲルマニウムの含有量は、ＩＣＰ法によって酸素を除くすべての原子に対して約９０ａｔｏｍｉｃ％と求められた。
【０１４６】
（シリコンダイオードの作製）
このように作製された多孔質ゲルマニウム酸化物薄膜の空孔底部の金電極部分に電着を行い金粒子を付けた。電着は、市販の電気メッキ液（高純度化学研究所製金用電気メッキ液、商品コードＫ−２４Ｅ）を用い、４０℃に保持した酸性浴（ｐＨ＝４．５）中において、０．５Ａ／ｃｍ2の電流密度で行った。
【０１４７】
次にこの多孔質ゲルマニウム薄膜を石英管の中に設置し気圧を１３Ｐａ以下にし、アルゴンガスを流しながら４４０℃に加熱した。次に石英管内に、ヘリウムガス中に１０％の割合で混合したシランガスを５０ｓｃｃｍの流量で６０秒間供給した。この時、始めの３０秒間はシランガスにドーパント源としてジボランを添加しシリコンの下部をｐ型（１０１ａ）、後半の３０秒間はホスフィンを添加しシリコンの上部をｎ型（１０１ｃ）にし、空孔底部の金粒子を触媒としてｐ−ｎ接合１０１ｂを１つ有する柱状のシリコンを作製した。この工程での時間はあらかじめ予備実験を行って決定した。上記の工程によってシリコン導入を行った多孔質ゲルマニウム酸化物薄膜の表面を研磨して金粒子及び余分なシリコンの付着物等を除去した後にＦＥ−ＳＥＭで観察を行ったところ、空孔の中にシリコンが形成されている様子が観察された。Ｘ線回折分析を行った結果、シリコンの結晶に起因する回折線が認められ導入した柱状のシリコンダイオードは結晶性であることが確認された。
【０１４８】
次に、このようにして作製されたシリコンを空孔内に有する多孔質ゲルマニウム酸化物薄膜の上部にスパッタリングにより膜厚２００ｎｍの金を蒸着し、底部の金電極と垂直方向になるように幅９０μｍの帯状の上部金電極１０５をパターニングによって作製した。
【０１４９】
この一連の作業により、一辺９０μｍの領域内にある約３．６×１０7個（６．０×１０3×６．０×１０3）のダイオードが一組のダイオードとして同じ電極を共有するダイオードアレイが完成した。
【０１５０】
（整流機能の確認）
この半導体の電極に実施例１と同様に電圧をかけて電流を測定したところ、実施例１と同様に逆電圧ではほとんど電流は流れず、順電圧では０．７Ｖ付近から電流が流れ、４Ｖの電圧で実施例１より約４０μＡ電流量が多いダイオードからなるダイオードアレイが作製されたことが確認できた。
【０１５１】
（実施例５）
本実施例は多孔質シリコン酸化物薄膜中にｐ−ｉ−ｎ型発光ダイオードを作製したものである。
【０１５２】
下部電極をパターニングせず基板全面に膜厚２００ｎｍの金を蒸着した基板を用いた以外は、実施例１と同様の方法で作成した多孔質シリコン酸化物薄膜を用意した。
【０１５３】
次に中の空孔底部に実施例１と同様の方法で金粒子を付けた。次にこの多孔質シリコン薄膜を、あらかじめＮｄ−ＹＡＧレーザー（波長１０６４ｎｍ、平均２．５Ｗ）の焦点に合わせてインジウムリン９９％亜鉛１％のターゲットを設置した石英管の中に設置し、１．３×１０4Ｐａにし、アルゴンガスを１００ｓｃｃｍで流しながら８００℃に加熱し、レーザーをターゲットに１０秒照射した。これに続いて、インジウムリン１００％のターゲットを用い、レーザーを同条件で１秒照射した。更にこの後、インジウムリン９９％テルル１％のものと交換し、再び同条件でレーザーを１０秒照射した。この工程でのレーザーの照射時間はあらかじめ予備実験で決定した。上記の工程によって空孔底部の金粒子を触媒として基板側から、亜鉛をドーパントとしたｐ型インジウムリン、ドーパントを含まないインジウムリン、テルルをドーパントとしたｎ型インジウムリンの三層を積層したｐ−ｉ−ｎ接合を含む柱状のインジウムリンが形成された。多孔質シリコン酸化物薄膜の表面を研磨して余分なインジウムリンの付着物等を除去した後にＦＥ−ＳＥＭで観察を行ったところ、空孔の中にインジウムリンが形成されている様子が観察された。Ｘ線回折分析を行った結果、インジウムリンの結晶に起因する回折線が認められ導入した柱状のインジウムリンは結晶性であることが確認された。
【０１５４】
次に、このようにして作製されたインジウムリンを空孔内に有する多孔質シリコン酸化物薄膜の上部にスパッタリングにより膜厚２００ｎｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を蒸着し、薄膜上部を透明電極で覆った。
【０１５５】
このダイオードアレイの上下電極に２ボルトの順電圧をかけたところ多孔質シリコン薄膜全面が波長約８００ｎｍを中心とする赤外光で発光していることが確認できた。
【０１５６】
以上の結果により、多孔質シリコン酸化物薄膜中に、ｐ−ｉ−ｎ型インジウムリンダイオードが発光ダイオードとして機能する発光ダイオードアレイが作製されたことが確認できた。
【０１５７】
（実施例６）
本実施例は多孔質シリコン酸化物薄膜中にフォトトランジスタを作製したものである。
【０１５８】
実施例１と同様の多孔質シリコン酸化物薄膜中の空孔中に、２つのｐ−ｎ接合を持つｐ−ｎ−ｐ型シリコントランジスタを作製した。ここで、ｐ型およびｎ型シリコンの形成方法は実施例１から４と同じ方法である。また、実施例１から４と同様に、作製した薄膜ＦＥ−ＳＥＭで観察を行ったところ、空孔の中にシリコンが形成されている様子が観察された。Ｘ線回折分析を行った結果、シリコンの結晶に起因する回折線が認められ導入したシリコンは結晶性であることが確認された。
【０１５９】
次に、このようにして作製されたシリコンを空孔内に有する多孔質シリコン酸化物薄膜の上部にスパッタリングにより膜厚２００ｎｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）透明電極を蒸着し、底部の金電極と垂直方向になるように幅９０μｍの帯状の上部金電極１０５をパターニングによって作製した。
【０１６０】
この一連の作業により、一辺９０μｍの領域内にある約３．６×１０7個（６．０×１０3×６．０×１０3）のトランジスタが一組のトランジスタとして同じ電極を共有するトランジスタアレイが完成した。
【０１６１】
この多孔質シリコン酸化物薄膜に遮光マスクをした上で、上下の電極に実施例１のフォトダイオードとしての機能の確認と同様に１０ボルトの電圧をかけ、その時の電流を測定した。次に上記マスクを剥離して多孔質シリコン酸化物薄膜に何段階かの明るさの光を照射して電流を測定した。測定したすべて組み合わせで同様の結果であった。代表的なものを図８に示す。明るさに比例して電流が増加していることがわかった。またかつ実施例１の場合と比較して多くの電流が流れていることが確認された。
【０１６２】
以上の結果より、多孔質シリコン酸化物薄膜中のトランジスタがフォトトランジスタとして機能するフォトトランジスタアレイが作製されたことが確認できた。
【０１６３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、互いに共晶を形成する材料系において形成される微細な柱状対を含む薄膜から形成される基板に垂直な空孔に半導体材料を導入することによって、微細な半導体デバイスを高密度に並べたアレイを簡便な方法で作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明において１つのｐ−ｎ接合を有する半導体デバイスアレイの例を示す概略図である。
【図２】本発明において１つのｐ−ｉ−ｎ接合を有する半導体デバイスアレイの例を示す概略図である。
【図３】本発明において２つのｐ−ｎ接合を有する半導体デバイスアレイの例を示す概略図である。
【図４】本発明の半導体デバイスアレイの製造方法の一例を示す説明図である。
【図５】実施例１で作製したダイオードアレイを示す概略図である。
【図６】実施例１で作製したダイオードの、電圧と電流の関係を示すグラフである。
【図７】実施例１で作製したダイオードの、照射する光の明るさと電流の関係を示すグラフである。
【図８】実施例６で作製したフォトトランジスタの、照射する光の明るさと電流の関係を示すグラフである。
【図９】本発明による構造体の作製方法を示す図である。
【符号の説明】
１ ｐ−ｎ型ダイオードの半導体部分
１ａ ｐ型半導体部分
１ｂ ｐ−ｎ接合面
１ｃ ｎ型半導体部分
２ マトリクス部材領域
３ 基板
４ 下部電極
５ 上部電極
１１ ｐ−ｉ−ｎ型ダイオードの半導体部分
１１ａ ｐ型半導体部分
１１ｂ ｐ−ｉ接合面
１１ｃ 真性半導体部分
１１ｄ ｉ−ｎ接合面
１１ｅ ｎ型半導体部分
２１ ｐ−ｎ−ｐ型トランジスタの半導体部分
２１ａ ｐ型半導体部分
２１ｂ ｐ−ｎ接合面
２１ｃ ｎ型半導体部分
２１ｄ ｐ−ｎ接合面
２１ｅ ｐ型半導体部分
３０ 下部電極
３１ 基板
３２ 第一の成分の柱状構造体
３３ 第一の成分と第二の成分の混合薄膜領域
３４ 第二の成分領域
３５ 第二の成分からなる多孔質薄膜
３６ 空孔
３７ 第二の成分の酸化物からなる多孔質薄膜
３８ ダイオード本体部分
３９ 上部電極
１０１ ダイオード本体部分
１０１ａ ｐ型シリコン部分
１０１ｂ ｐ−ｎ接合面
１０１ｃ ｎ型シリコン部分
１０２ 第二成分の酸化物領域
１０３ 基板
１０４ 下部電極
１０５ 上部電極
Claims (32)
- 柱状の部材と該柱状の部材を取り囲む領域を含む構造体を用意する工程、該構造体から該柱状の部材を除去して多孔質体を形成する工程、及び該多孔質体に材料を導入しｐ−ｎあるいはｐ−ｉ―ｎ接合を形成する工程を有することを特徴とする半導体デバイスアレイの製造方法。
- 前記構造体は、第1の材料を含み構成される前記柱状の部材が、第２の材料を含み構成される前記領域に取り囲まれており、且つ該構造体には該第２の材料が、該第１の材料と第２の材料の全量に対して２０atomic％以上７０atomic％以下の割合で含まれている請求項１記載の半導体デバイスアレイの製造方法。
- 柱状の部材とそれを取り囲む領域を含み構成される構造体から、該柱状の部材を除去して得られる多孔質体にｐ−ｎあるいはｐ−ｉ―ｎ接合を形成して得られることを特徴とする半導体デバイスアレイ。
- 前記構造体は、第1の材料を含み構成される前記柱状の部材が、第２の材料を含み構成される前記領域に取り囲まれており、且つ該構造体には該第２の材料が、該第１の材料と第２の材料の全量に対して２０atomic％以上７０atomic％以下の割合で含まれている請求項３記載の半導体デバイスアレイ。
- 第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成されるマトリクス部材中に該第一の成分を含み構成される柱状物質が分散している構造体から前記柱状物質を除去して形成された柱状の孔を有する多孔体と、該孔内に形成された、少なくとも１つのｐ−ｎ結合もしくはｐ−ｉ−ｎ結合を有する半導体領域と、該半導体領域の上下に設置された一対の電極とを備えた半導体デバイスを複数個基板上に有する半導体デバイスアレイ。
- 第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成されるマトリクス部材中に該第一の成分を含み構成される柱状物質が分散している構造体から前記柱状物質を除去して形成された柱状の孔を有する多孔体の前記孔に半導体材料を充填し、且つ該マトリクス部材を除去することで形成された、少なくとも１つのｐ−ｎ結合もしくはｐ−ｉ−ｎ結合を有する半導体領域と、該半導体領域の上下に設置された一対の電極とを備えた半導体デバイスを複数個基板上に有する半導体デバイスアレイ。
- 前記半導体デバイスがダイオードである、請求項５または６に記載の半導体デバイスアレイ。
- 前記ダイオードが発光ダイオードである、請求項７に記載の半導体デバイスアレイ。
- 前記ダイオードがフォトダイオードである、請求項７に記載の半導体デバイスアレイ。
- 前記半導体デバイスがトランジスタである、請求項５または６に記載の半導体デバイスアレイ。
- 前記トランジスタがフォトトランジスタである、請求項１０に記載の半導体デバイスアレイ。
- 前記多孔体が、薄膜状である請求項５〜１１のいずれか１項に記載の半導体デバイスアレイ。
- 前記多孔体に化学的処理を施した後、前記孔内に前記半導体デバイスを作製して得られる請求項５〜１２に記載のいずれか１項に半導体デバイスアレイ。
- 前記化学的処理が酸化処理である請求項１３に記載の半導体デバイスアレイ。
- 前記構造体に対する、前記多孔体のマトリクス部材の第二の成分の割合が、２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の範囲にある請求項５〜１４のいずれか１項に記載の半導体デバイスアレイ。
- 前記柱状物質がアルミニウムであり、前記マトリクス部材の第二成分がシリコンである請求項１５に記載の半導体デバイスアレイ。
- 前記柱状物質がアルミニウムであり、前記マトリクス部材の第二成分がゲルマニウムである請求項１５に記載の半導体デバイスアレイ
- 前記多孔体の主成分がシリコンである請求項５〜１４のいずれか１項に記載の半導体デバイスアレイ。
- 前記多孔体の主成分がゲルマニウムである請求項５〜１４のいずれか１項に記載の半導体デバイスアレイ。
- 前記半導体デバイスの直径が０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である、請求項５〜１９のいずれか１項に記載の半導体デバイスアレイ。
- 前記半導体デバイスの直径が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、請求項５〜２０のいずれか１項に記載の半導体デバイスアレイ。
- 前記半導体デバイス同士の間隔が１５ｎｍ以下である、請求項５〜２１のいずれか１項に記載の半導体デバイスアレイ。
- 前記半導体デバイス同士の間隔が３ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、請求項５〜２２のいずれか１項に記載の半導体デバイスアレイ。
- 前記柱状物質は結晶性物質であり、前記マトリクス部材は非晶質物質である、請求項５〜２３のいずれか１項に記載の半導体デバイスアレイ。
- 次の工程（ａ）から（ｅ）を有することを特徴とする半導体デバイスアレイの製造方法。
（ａ） 基板上に電極を設置する工程
（ｂ） 第一の成分を含み構成される柱状物質が、該第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成されるマトリクス部材中に分散している構造体を前記基板上に形成する工程
（ｃ） 前記柱状物質を除去する工程
（ｄ） 前記除去工程により得られる柱状の空孔内に少なくとも１つのｐ−ｎ接合またはｐ−ｉ−ｎ接合を持つ半導体領域を作製する工程
（ｅ） 前記半導体領域を作製した前記構造体上部に電極を作製する工程 - 前記除去工程が、エッチングである請求項２５に記載の半導体デバイスアレイの製造方法。
- 前記柱状物質を除去する工程の後に、前記第二の成分を含み構成されるマトリクス部材を化学処理する工程を有することを特徴とする請求項２５または２６に記載の半導体デバイスアレイの製造方法。
- 前記化学処理が酸化である請求項２７に記載の半導体デバイスアレイの製造方法。
- 前記柱状物質を除去する工程の後に、前記柱状の空孔の孔径を広げる工程を有することを特徴とする請求項２５〜２８のいずれか１項に記載の半導体デバイスアレイの製造方法。
- 前記上部に電極を作製する工程の後に、前記柱状物質を取り囲む前記マトリクス部材を除去する工程を有することを特徴とする請求項２５〜２９のいずれか１項に記載の半導体デバイスアレイの製造方法。
- 前記半導体領域の作製工程が、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法である請求項２５〜３０のいずれか１項に記載の半導体デバイスアレイの製造方法。
- 前記半導体領域の作製工程が、前記空孔の底部に触媒を形成した後に触媒反応によって行う工程である請求項２５〜３０のいずれか１項に記載の半導体デバイスアレイの製造方法。
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|---|---|
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|---|---|
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Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007043150A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 細長いナノ構造体を有する波長センシティブ検出器 |
| JP2007049063A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 |
| JP2007324324A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 太陽電池 |
| WO2008081998A1 (en) * | 2007-01-03 | 2008-07-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Multiple stacked nanostructure arrays and methods for making the same |
| WO2008149548A1 (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Panasonic Corporation | 半導体ナノワイヤおよびその製造方法 |
| JP2008306156A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | National Chiao Tung Univ | 柱状ナノ構造体（ナノロッド）を利用し発光ダイオード（ｌｅｄ）の発光効率を引き上げる方法 |
| JP2009501347A (ja) * | 2005-06-30 | 2009-01-15 | セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク | 平面ディスプレイアクティブプレート |
| CN102130251A (zh) * | 2010-09-28 | 2011-07-20 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| JP2011527519A (ja) * | 2008-07-07 | 2011-10-27 | グロ アーベー | ナノ構造のｌｅｄ |
| JP2012524397A (ja) * | 2009-04-15 | 2012-10-11 | ソル ヴォルテイックス エービー | ナノワイヤを有する多接合光電池 |
| JP2014209625A (ja) * | 2010-12-14 | 2014-11-06 | ゼーナ テクノロジーズ, インク.Zena Technologies, Inc. | イメージセンサ用の２つ組又は４つ組のシリコンナノワイヤを備えるフルカラー単一ピクセル |
| JP2018508366A (ja) * | 2014-12-08 | 2018-03-29 | バークレー ライツ，インコーポレイテッド | 横方向／垂直方向トランジスタ構造を含むマイクロ流体デバイスならびにそれを作製および使用するプロセス |
| JP2020181937A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 富士通株式会社 | 半導体デバイス、コンピュータ、及び半導体デバイスの製造方法 |
| US20200412100A1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-31 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and projector |
| JP2021007136A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-21 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
| US20210194209A1 (en) * | 2019-12-23 | 2021-06-24 | Seiko Epson Corporation | Light Emitting Device And Projector |
| US11394171B2 (en) | 2017-07-31 | 2022-07-19 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and projector |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6649824B1 (en) * | 1999-09-22 | 2003-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and method of production thereof |
| AU2003221365A1 (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Porous material and process for producing the same |
| US7371778B2 (en) * | 2002-06-21 | 2008-05-13 | Medicines For Malaria Venture Mmv | Spiro and dispiro 1,2,4-trioxolane antimalarials |
| JP4464041B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2010-05-19 | キヤノン株式会社 | 柱状構造体、柱状構造体を有する電極、及びこれらの作製方法 |
| WO2005014875A2 (en) * | 2003-08-07 | 2005-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Nano-structure and process of production thereof |
| US7132677B2 (en) * | 2004-02-13 | 2006-11-07 | Dongguk University | Super bright light emitting diode of nanorod array structure having InGaN quantum well and method for manufacturing the same |
| JP2005305634A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Fujitsu Ltd | ナノホール構造体及びその製造方法、スタンパ及びその製造方法、磁気記録媒体及びその製造方法、並びに、磁気記録装置及び磁気記録方法 |
| US7312165B2 (en) * | 2004-05-05 | 2007-12-25 | Jursich Gregory M | Codeposition of hafnium-germanium oxides on substrates used in or for semiconductor devices |
| US7569905B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-08-04 | Palo Alto Research Center Incorporated | Systems and methods for electrical contacts to arrays of vertically aligned nanorods |
| US7663288B2 (en) * | 2005-08-25 | 2010-02-16 | Cornell Research Foundation, Inc. | Betavoltaic cell |
| KR100763894B1 (ko) * | 2006-03-21 | 2007-10-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | Ｌｅｄ 칩을 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 |
| KR101530379B1 (ko) * | 2006-03-29 | 2015-06-22 | 삼성전자주식회사 | 다공성 글래스 템플릿을 이용한 실리콘 나노 와이어의제조방법 및 이에 의해 형성된 실리콘 나노 와이어를포함하는 소자 |
| US20070262296A1 (en) * | 2006-05-11 | 2007-11-15 | Matthias Bauer | Photodetectors employing germanium layers |
| US20070289627A1 (en) * | 2006-06-20 | 2007-12-20 | University Of Kentucky Research Foundation | Nanoscale solar cell with vertical and lateral junctions |
| US7998788B2 (en) * | 2006-07-27 | 2011-08-16 | International Business Machines Corporation | Techniques for use of nanotechnology in photovoltaics |
| US8716594B2 (en) * | 2006-09-26 | 2014-05-06 | Banpil Photonics, Inc. | High efficiency photovoltaic cells with self concentrating effect |
| US8373060B2 (en) * | 2006-10-24 | 2013-02-12 | Zetta Research and Development LLC—AQT Series | Semiconductor grain microstructures for photovoltaic cells |
| US8426722B2 (en) | 2006-10-24 | 2013-04-23 | Zetta Research and Development LLC—AQT Series | Semiconductor grain and oxide layer for photovoltaic cells |
| US8158880B1 (en) | 2007-01-17 | 2012-04-17 | Aqt Solar, Inc. | Thin-film photovoltaic structures including semiconductor grain and oxide layers |
| DE102007031600B4 (de) * | 2007-07-06 | 2015-10-15 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Array aus vertikalen UV-Leuchtemitterdioden und Verfahren zu seiner Herstellung |
| CN104392933B (zh) | 2007-08-21 | 2017-11-07 | 加州大学评议会 | 具有高性能热电性质的纳米结构 |
| US7906392B2 (en) * | 2008-01-15 | 2011-03-15 | Sandisk 3D Llc | Pillar devices and methods of making thereof |
| KR101573270B1 (ko) * | 2008-01-15 | 2015-12-01 | 쌘디스크 3디 엘엘씨 | 필라 장치와 이를 제조하는 방법 |
| US7745312B2 (en) * | 2008-01-15 | 2010-06-29 | Sandisk 3D, Llc | Selective germanium deposition for pillar devices |
| DE102008015118A1 (de) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Ohnesorge, Frank, Dr. | Raumtemperatur-Quantendraht-(array)-Feldeffekt-(Leistungs-) Transistor "QFET", insbesondere magnetisch "MQFET", aber auch elektrisch oder optisch gesteuert |
| US20110017286A1 (en) * | 2008-03-24 | 2011-01-27 | The Regents Of The University Of California | Composite nanorods with distinct regions |
| US8357960B1 (en) * | 2008-09-18 | 2013-01-22 | Banpil Photonics, Inc. | Multispectral imaging device and manufacturing thereof |
| US8008213B2 (en) * | 2008-09-30 | 2011-08-30 | Sandisk 3D Llc | Self-assembly process for memory array |
| US7927977B2 (en) * | 2009-07-15 | 2011-04-19 | Sandisk 3D Llc | Method of making damascene diodes using sacrificial material |
| EP2483666A1 (en) | 2009-10-02 | 2012-08-08 | Allergan, Inc. | In vitro method of determining changes in a protein environment |
| FR2951875B1 (fr) * | 2009-10-23 | 2012-05-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d?un ecran a tres haute resolution utilisant une couche conductrice anisotropique et emissive |
| US20110114146A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Alphabet Energy, Inc. | Uniwafer thermoelectric modules |
| KR20110080591A (ko) * | 2010-01-06 | 2011-07-13 | 삼성전자주식회사 | 나노와이어를 이용한 태양전지 및 그 제조방법 |
| WO2011123257A1 (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Eastman Kodak Company | Light emitting nanowire device |
| US8431817B2 (en) | 2010-06-08 | 2013-04-30 | Sundiode Inc. | Multi-junction solar cell having sidewall bi-layer electrical interconnect |
| US8476637B2 (en) | 2010-06-08 | 2013-07-02 | Sundiode Inc. | Nanostructure optoelectronic device having sidewall electrical contact |
| WO2011156266A2 (en) * | 2010-06-08 | 2011-12-15 | Sundiode, Inc. | Nanostructure optoelectronic device having sidewall electrical contact |
| US8659037B2 (en) | 2010-06-08 | 2014-02-25 | Sundiode Inc. | Nanostructure optoelectronic device with independently controllable junctions |
| US9240328B2 (en) | 2010-11-19 | 2016-01-19 | Alphabet Energy, Inc. | Arrays of long nanostructures in semiconductor materials and methods thereof |
| US8736011B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-05-27 | Alphabet Energy, Inc. | Low thermal conductivity matrices with embedded nanostructures and methods thereof |
| US20130081679A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Ut-Battelle, Llc | Multijunction hybrid solar cell incorporating vertically-aligned silicon nanowires with thin films |
| US20130175654A1 (en) * | 2012-02-10 | 2013-07-11 | Sylvain Muckenhirn | Bulk nanohole structures for thermoelectric devices and methods for making the same |
| US9051175B2 (en) | 2012-03-07 | 2015-06-09 | Alphabet Energy, Inc. | Bulk nano-ribbon and/or nano-porous structures for thermoelectric devices and methods for making the same |
| FR2992472B1 (fr) * | 2012-06-20 | 2014-08-08 | Commissariat Energie Atomique | Recepteur optique semi-conducteur a structure pin |
| US9257627B2 (en) | 2012-07-23 | 2016-02-09 | Alphabet Energy, Inc. | Method and structure for thermoelectric unicouple assembly |
| US9224911B2 (en) * | 2012-09-12 | 2015-12-29 | High Power Opto. Inc. | Method for separating light-emitting diode from a substrate |
| US9082930B1 (en) | 2012-10-25 | 2015-07-14 | Alphabet Energy, Inc. | Nanostructured thermolectric elements and methods of making the same |
| JP2014106996A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体、及びその製造方法 |
| US9012883B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-04-21 | Sol Voltaics Ab | Recessed contact to semiconductor nanowires |
| US8955357B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-02-17 | Lighting Science Group Corporation | System and methods of embedding material in a glass substrate |
| FR3008546B1 (fr) * | 2013-07-12 | 2015-08-07 | Commissariat Energie Atomique | Photodetecteur semi-transparent a jonction p-n structuree |
| US10454006B2 (en) * | 2013-10-02 | 2019-10-22 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Heterostructure including anodic aluminum oxide layer |
| US9691849B2 (en) | 2014-04-10 | 2017-06-27 | Alphabet Energy, Inc. | Ultra-long silicon nanostructures, and methods of forming and transferring the same |
| EP3116036A1 (en) | 2015-07-07 | 2017-01-11 | Technische Universität Braunschweig | Light emitting device, optical detection device, its method for operating and computer program |
| CN107564980B (zh) | 2016-07-01 | 2020-03-31 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
| JP2021057443A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、および、プロジェクター |
| DE102019129932B4 (de) * | 2019-11-06 | 2023-12-21 | Technische Universität Braunschweig | Optische Detektionseinrichtung und Verfahren zum Betreiben einer optischen Detektionseinrichtung |
| US11355540B2 (en) * | 2020-04-15 | 2022-06-07 | Visera Technologies Company Limited | Optical device |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3890161A (en) * | 1973-07-16 | 1975-06-17 | Iii Charles M Brown | Diode array |
| DE2741954A1 (de) * | 1977-09-17 | 1979-03-29 | Karl Hertel | Verfahren zur herstellung von solarzellen |
| US4990988A (en) * | 1989-06-09 | 1991-02-05 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Laterally stacked Schottky diodes for infrared sensor applications |
| US5581091A (en) * | 1994-12-01 | 1996-12-03 | Moskovits; Martin | Nanoelectric devices |
| JP3135110B2 (ja) | 1995-11-29 | 2001-02-13 | 工業技術院長 | 多孔質セラミックス膜とその製造方法 |
| JP3182522B2 (ja) * | 1996-12-20 | 2001-07-03 | ファインセラミックス技術研究組合 | 一次元貫通気孔を持つセラミック膜とその製造方法 |
| EP0865078A1 (en) | 1997-03-13 | 1998-09-16 | Hitachi Europe Limited | Method of depositing nanometre scale particles |
| US6602620B1 (en) * | 1998-12-28 | 2003-08-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording apparatus, magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
| JP3610293B2 (ja) | 1999-09-22 | 2005-01-12 | キヤノン株式会社 | 細孔を有する構造体及び前記細孔を有する構造体を用いたデバイス |
| US20050032226A1 (en) * | 1999-10-01 | 2005-02-10 | Natan Michael J. | Encoded nanoparticles in paper manufacture |
| JP2001261376A (ja) | 2000-03-17 | 2001-09-26 | Asahi Glass Co Ltd | 防曇膜および防曇膜付き基体 |
| US6709929B2 (en) * | 2001-06-25 | 2004-03-23 | North Carolina State University | Methods of forming nano-scale electronic and optoelectronic devices using non-photolithographically defined nano-channel templates |
| AU2003207199A1 (en) | 2002-02-12 | 2003-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure, method of manufacturing the same, and device using the same |
| AU2003221365A1 (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Porous material and process for producing the same |
| AU2003213353A1 (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Porous material and process for producing the same |
| AU2003221347A1 (en) | 2002-03-15 | 2003-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Functional device and method of manufacturing the device, vertical magnetic recording medium, magnetic recording and reproducing device, and information processing device |
| US6946597B2 (en) * | 2002-06-22 | 2005-09-20 | Nanosular, Inc. | Photovoltaic devices fabricated by growth from porous template |
-
2002
- 2002-12-13 JP JP2002363134A patent/JP4235440B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-12-11 US US10/735,062 patent/US7183127B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101261019B1 (ko) | 2005-06-30 | 2013-05-06 | 에꼴레 폴리테크닉 | 평판 디스플레이 액티브 플레이트 |
| JP2009501347A (ja) * | 2005-06-30 | 2009-01-15 | セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク | 平面ディスプレイアクティブプレート |
| JP2007043150A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 細長いナノ構造体を有する波長センシティブ検出器 |
| JP4591276B2 (ja) * | 2005-08-12 | 2010-12-01 | パナソニック電工株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
| JP2007049063A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 |
| JP2007324324A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 太陽電池 |
| WO2008081998A1 (en) * | 2007-01-03 | 2008-07-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Multiple stacked nanostructure arrays and methods for making the same |
| WO2008149548A1 (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Panasonic Corporation | 半導体ナノワイヤおよびその製造方法 |
| US8143144B2 (en) | 2007-06-06 | 2012-03-27 | Panasonic Corporation | Semiconductor nanowire and its manufacturing method |
| JP5498161B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2014-05-21 | パナソニック株式会社 | 半導体ナノワイヤの製造方法 |
| JP2008306156A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | National Chiao Tung Univ | 柱状ナノ構造体（ナノロッド）を利用し発光ダイオード（ｌｅｄ）の発光効率を引き上げる方法 |
| JP2011527519A (ja) * | 2008-07-07 | 2011-10-27 | グロ アーベー | ナノ構造のｌｅｄ |
| US9595649B2 (en) | 2008-07-07 | 2017-03-14 | Glo Ab | Nanostructured LED |
| US11605758B2 (en) | 2008-07-07 | 2023-03-14 | Nanosys, Inc. | Display device including nanostructured LEDs connected in parallel |
| US10217917B2 (en) | 2008-07-07 | 2019-02-26 | Glo Ab | Nanostructured LED |
| JP2012524397A (ja) * | 2009-04-15 | 2012-10-11 | ソル ヴォルテイックス エービー | ナノワイヤを有する多接合光電池 |
| CN102130251A (zh) * | 2010-09-28 | 2011-07-20 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| JP2014209625A (ja) * | 2010-12-14 | 2014-11-06 | ゼーナ テクノロジーズ, インク.Zena Technologies, Inc. | イメージセンサ用の２つ組又は４つ組のシリコンナノワイヤを備えるフルカラー単一ピクセル |
| JP2018508366A (ja) * | 2014-12-08 | 2018-03-29 | バークレー ライツ，インコーポレイテッド | 横方向／垂直方向トランジスタ構造を含むマイクロ流体デバイスならびにそれを作製および使用するプロセス |
| US11596941B2 (en) | 2014-12-08 | 2023-03-07 | Berkeley Lights, Inc. | Lateral/vertical transistor structures and process of making and using same |
| US10792658B2 (en) | 2014-12-08 | 2020-10-06 | Berkeley Lights, Inc. | Lateral/vertical transistor structures and process of making and using same |
| US11394171B2 (en) | 2017-07-31 | 2022-07-19 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and projector |
| JP2020181937A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 富士通株式会社 | 半導体デバイス、コンピュータ、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP7265138B2 (ja) | 2019-04-26 | 2023-04-26 | 富士通株式会社 | 半導体デバイス、コンピュータ、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2021007135A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-21 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
| JP7056628B2 (ja) | 2019-06-28 | 2022-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
| JP7136020B2 (ja) | 2019-06-28 | 2022-09-13 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
| US11575247B2 (en) * | 2019-06-28 | 2023-02-07 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and projector |
| JP2021007136A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-21 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
| US20200412100A1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-31 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and projector |
| US20210194209A1 (en) * | 2019-12-23 | 2021-06-24 | Seiko Epson Corporation | Light Emitting Device And Projector |
| US11901695B2 (en) * | 2019-12-23 | 2024-02-13 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and projector |
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| Publication number | Publication date |
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