JP2004155874A

JP2004155874A - フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物

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Publication number: JP2004155874A
Application number: JP2002321755A
Authority: JP
Inventors: Masamichi Nishimura; 政通西村; Yutaka Koyama; 裕小山; Kiyoharu Tsutsumi; 聖晴堤
Original assignee: Daicel Chemical Industries Ltd
Current assignee: Daicel Corp
Priority date: 2002-11-05
Filing date: 2002-11-05
Publication date: 2004-06-03
Anticipated expiration: 2022-11-05
Also published as: EP1584634A1; TW200415440A; WO2004041881A1; US7033726B2; KR20050084645A; US20050014087A1; JP4188058B2; EP1584634A4; TWI310479B

Abstract

【課題】基板密着性、酸脱離性、ドライエッチング耐性のみならず、レジスト溶剤への溶解性、及びアルカリ可溶性のバランスが優れているフォトレジスト用高分子化合物を得る。
【解決手段】フォトレジスト用高分子化合物は、ポリマー構造中に、２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位を含む。該２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位には、下記式（Ｉ）
【化１】

（式中、Ｒは水素原子又はメチル基を示す）で表されるモノマー単位が含まれる。前記フォトレジスト用高分子化合物は、２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位と、基板密着性基を有するモノマー単位と、酸脱離性基を有するモノマー単位とからなっていてもよい。
【選択図】なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体の微細加工などを行う際に用いるフォトレジスト用の高分子化合物と、この高分子化合物を含有するフォトレジスト用樹脂組成物、及び半導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程で用いられるフォトレジスト用樹脂は、シリコンウエハーなどの基板に対して密着性を示す部分と、露光によって光酸発生剤から発生する酸により脱離してアルカリ現像液に対して可溶になる部分が必要である。また、フォトレジスト用樹脂は、ドライエッチングに対する耐性をも具備している必要がある。
【０００３】
従来、基板密着性を付与し、且つドライエッチング耐性を有する構造として、ラクトン環を含有する脂環式炭化水素骨格が知られている（特許文献１参照）。また、酸脱離性を付与し、且つドライエッチング耐性を有する構造として、第３級炭素原子を含有する脂環式炭化水素骨格が提案されている（特許文献２参照）。従って、これらの２つの骨格を有する単量体を共重合させれば、フォトレジスト用樹脂に必要な機能が集積されたポリマーを得ることが可能である。このような共重合体は、基板密着性、酸脱離性、ドライエッチング耐性を有するが、脂環式炭化水素骨格を有しており極性が非常に低いため、フォトレジスト用溶剤に溶解しにくく、また露光後のアルカリ現像液にも溶解しにくいなどの問題が生じやすく、これらのレジスト用樹脂としての性能のバランスが悪い。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−２６４４６号公報
【特許文献２】
特開平９−７３１３７号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、基板密着性、酸脱離性、ドライエッチング耐性のみならず、レジスト溶剤への溶解性、及びアルカリ可溶性のバランスが良いフォトレジスト用高分子化合物と、そのフォトレジスト用高分子化合物を含むフォトレジスト用樹脂組成物を提供することにある。
【０００６】
本発明のさらに他の目的は、微細なパターンを精度よく形成できるフォトレジスト用高分子化合物、フォトレジスト用樹脂組成物、及び半導体の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、特定構造を有する単量体をフォトレジスト用高分子化合物のコモノマーとして用いると、基板密着性、酸脱離性、ドライエッチング耐性のみならず、レジスト用溶剤への溶解性、及びアルカリ可溶性のバランスが良いポリマーが得られることを見出し、本発明を完成した。
【０００８】
すなわち、本発明は、ポリマー構造中に、２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位を含むフォトレジスト用高分子化合物を提供する。
【０００９】
前記２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位の代表的な例として、下記式（Ｉ）
【化４】

（式中、Ｒは水素原子又はメチル基を示す）
で表されるモノマー単位が挙げられる。
【００１０】
前記フォトレジスト用高分子化合物には、２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位と、基板密着性基を有するモノマー単位と、酸脱離性基を有するモノマー単位とからなる高分子化合物が含まれる。
【００１１】
前記フォトレジスト用高分子化合物には、また、（Ａ）２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位、（Ｂ）ラクトン環を含有する炭素数６〜２０の脂環式炭化水素基がエステル結合を構成する酸素原子に結合している（メタ）アクリル酸エステルに対応するモノマー単位、及び（Ｃ）炭素数６〜２０の脂環式炭化水素基を含有し且つ酸の作用により脱離可能な基を有している（メタ）アクリル酸エステルに対応するモノマー単位を含む高分子化合物が含まれる。
【００１２】
前記フォトレジスト用高分子化合物には、さらに、（Ａ）２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位、（Ｂ１）下記式（ＩＩａ）〜（ＩＩｅ）
【化５】

（式中、Ｒは水素原子又はメチル基を示す。Ｒ^１〜Ｒ^３は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示し、Ｖ^１〜Ｖ^３は、同一又は異なって、−ＣＨ_２−、−ＣＯ−又は−ＣＯＯ−を示す。但し、Ｖ^１〜Ｖ^３のうち少なくとも１つは−ＣＯＯ−である。Ｒ^４〜Ｒ^８は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。Ｒ^９〜Ｒ^１７は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。Ｒ^１８〜Ｒ^２６は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す）
から選択された少なくとも１種のモノマー単位、及び（Ｃ１）下記式（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｃ）
【化６】

（式中、環Ｚは置換基を有していてもよい炭素数６〜２０の脂環式炭化水素環を示す。Ｒは水素原子又はメチル基を示す。Ｒ^２７〜Ｒ^２９は、同一又は異なって、炭素数１〜６のアルキル基を示す。Ｒ^３０は環Ｚに結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。但し、ｎ個のＲ^３０のうち少なくとも１つは、−ＣＯＯＲ^ａ基を示す。前記Ｒ^ａは置換基を有していてもよい第３級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す。ｎは１〜３の整数を示す）
から選択された少なくとも１種のモノマー単位を含む高分子化合物が含まれる。なお、Ｖ^１〜Ｖ^３における「−ＣＯＯ−」の向きは問わない。
【００１３】
本発明は、また、上記のフォトレジスト用高分子化合物と光酸発生剤とを少なくとも含むフォトレジスト用樹脂組成物を提供する。
【００１４】
本発明は、さらに、上記のフォトレジスト用樹脂組成物を基材又は基板上に塗布してレジスト塗膜を形成し、露光及び現像を経てパターンを形成する工程を含む半導体の製造方法を提供する。
【００１５】
なお、本明細書では、「アクリル」と「メタクリル」とを「（メタ）アクリル」、「アクリロイル」と「メタクリロイル」とを「（メタ）アクリロイル」等と総称する場合がある。また、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の保護基としては、有機合成の分野で慣用のものを使用できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明のフォトレジスト用高分子化合物は、ポリマー構造中に、２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位を含んでいる。このようなモノマー単位をポリマー構造中に組み込むと、基板密着性、酸脱離性、ドライエッチング耐性等を付与するためのモノマー単位として極性の低いモノマー単位を用いる場合であっても、上記各特性を損なうことなく、ポリマー自身のフォトレジスト用溶剤に対する溶解性やアルカリ現像液に対する溶解性を向上させることができる。そのため、フォトレジスト用樹脂組成物の調製や半導体の製造を操作性良く、円滑に行うことができる。
【００１７】
２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格は、ポリマーの主鎖と直接結合していてもよく、適当な連結基を介して結合していてもよい。該連結基としては、例えば、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル結合（−Ｏ−）、カルボニル基（−ＣＯ−）、アルキレン基（メチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン基などの炭素数１〜６の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基など）、これらを２以上結合した基などが挙げられる。
【００１８】
２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格は置換基を有していてもよい。該置換基としては、例えば、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基などが例示される。アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜１３のアルキル基（好ましくはＣ_１−４アルキル基）などが挙げられる。保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基としては、例えば、ヒドロキシル基、置換オキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ基等のＣ_１−４アルコキシ基など）などが挙げられる。保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基としては、前記保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基が炭素数１〜６のアルキレン基を介して結合している基などが挙げられる。保護基で保護されていてもよいカルボキシル基としては、−ＣＯＯＲ^ｂ基などが挙げられる。前記Ｒ^ｂは水素原子又はアルキル基を示し、アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ヘキシル基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜６のアルキル基などが挙げられる。２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格の有する置換基としては、特に保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基などが好ましい。
【００１９】
２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位の代表的な例として、前記式（Ｉ）で表されるモノマー単位（繰り返し単位）が挙げられる。
【００２０】
本発明のフォトレジスト用高分子化合物において、前記２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位と、基板密着性基を有するモノマー単位と、酸脱離性基を有するモノマー単位とからなる高分子化合物は、基板密着性、酸脱離性、ドライエッチング耐性、レジスト溶剤への溶解性、及びアルカリ可溶性のバランスが極めて良好である。そのため、このような高分子化合物を含むフォトレジスト用樹脂組成物を用いて半導体を製造すると、微細なパターンを精度よく形成することができる。
【００２１】
基板密着性基を有するモノマー単位としては、シリコンウエハーなどの基板に対して密着性を示すものであれば特に限定されず、例えば、ラクトン環を含有する炭素数６〜２０の脂環式炭化水素基［ラクトン環と単環又は多環（橋かけ環）の脂環式炭素環とが縮合した構造を有する基等］がエステル結合を構成する酸素原子に結合している（メタ）アクリル酸エステルに対応するモノマー単位（炭素−炭素二重結合部位で重合した場合の繰り返し単位）などが挙げられる。このようなモノマー単位の代表的な例として、前記式（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩｃ）、（ＩＩｄ）、（ＩＩｅ）で表される単位が例示される。
【００２２】
また、基板密着性基を有するモノマー単位として、γ−ブチロラクトン環又はδ−バレロラクトン環がエステル結合を構成する酸素原子に結合している（メタ）アクリル酸エステルに対応するモノマー単位（炭素−炭素二重結合部位で重合した場合の繰り返し単位）を用いることも可能である。さらに、基板密着性基を有するモノマー単位として、極性の置換基を有する炭化水素基がエステル結合を構成する酸素原子に結合している（メタ）アクリル酸エステルに対応するモノマー単位（炭素−炭素二重結合部位で重合した場合の繰り返し単位）を用いることもできる。「極性の置換基を有する炭化水素基」としては、ヒドロキシル基、オキソ基、カルボキシル基、アミノ基、スルホン酸基、置換オキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ基等のＣ_１−４アルコキシ基など）などの極性基を１又は２以上（好ましくは１〜３程度）有する炭化水素基［例えば、Ｃ_１−２０脂肪族炭化水素基、３〜２０員の単環又は多環（橋かけ環）の脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、これらが、酸素原子、エステル結合、アミド結合等の連結基を介して又は介することなく、複数個結合した炭化水素基］などが挙げられる。前記極性基は保護基で保護されていてもよい。
【００２３】
酸脱離性基を有するモノマー単位としては、露光によって光酸発生剤から発生する酸により脱離してアルカリ現像液に対して可溶性を示すものであれば特に限定されず、例えば、炭素数６〜２０の脂環式炭化水素基を含有し且つ酸の作用により脱離可能な基を有している（メタ）アクリル酸エステルに対応するモノマー単位（炭素−炭素二重結合部位で重合した場合の繰り返し単位）などが挙げられる。「炭素数６〜２０の脂環式炭化水素基を含有し且つ酸の作用により脱離可能な基を有している（メタ）アクリル酸エステル」には、炭素数６〜２０の脂環式炭化水素基を有すると共に、（メタ）アクリル酸エステルのエステル結合を構成する酸素原子との結合部位に第３級炭素原子を有する（メタ）アクリル酸エステルが含まれる。前記脂環式炭化水素基は、（メタ）アクリル酸エステルのエステル結合を構成する酸素原子と直接結合していてもよく、アルキレン基等の連結基を介して結合していてもよい。前記炭素数６〜２０の脂環式炭化水素基は単環式炭化水素基であってもよく、多環式（橋かけ環式）炭化水素基であってもよい。このような（メタ）アクリル酸エステルに対応するモノマー単位の代表的な例として、前記式（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）で表される単位が例示される。
【００２４】
また、「炭素数６〜２０の脂環式炭化水素基を含有し且つ酸の作用により脱離可能な基を有している（メタ）アクリル酸エステル」には、炭素数６〜２０の脂環式炭化水素基を有すると共に、該脂環式炭化水素基に−ＣＯＯＲ^ａ基（Ｒ^ａは置換基を有していてもよい第３級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す）が直接又は連結基を介して結合している（メタ）アクリル酸エステルも含まれる。−ＣＯＯＲ^ａ基のＲ^ａにおける第３級炭化水素基としては、例えば、ｔ−ブチル、ｔ−アミル、２−メチル−２−アダマンチル、（１−メチル−１−アダマンチル）エチル基などが挙げられる。この第３級炭化水素基が有していてもよい置換基として、例えば、ハロゲン原子、アルキル基（例えば、Ｃ_１−４アルキル基など）、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、オキソ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基などが挙げられる。また、Ｒ^ａにおけるテトラヒドロフラニル基には２−テトラヒドロフラニル基が、テトラヒドロピラニル基には２−テトラヒドロピラニル基が、オキセパニル基には２−オキセパニル基が含まれる。前記連結基としては、アルキレン基（例えば、炭素数１〜６の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基等）などが挙げられる。前記脂環式炭化水素基は、（メタ）アクリル酸エステルのエステル結合を構成する酸素原子と直接結合していてもよく、アルキレン基等の連結基を介して結合していてもよい。前記炭素数６〜２０の脂環式炭化水素基は単環式炭化水素基であってもよく、多環式（橋かけ環式）炭化水素基であってもよい。このようなモノマー単位の代表的な例として、前記式（ＩＩＩｃ）で表される単位が例示される。
【００２５】
また、酸脱離性基を有する繰り返し単位として、エステル結合を構成する酸素原子がラクトン環のβ位に結合し且つラクトン環のα位に少なくとも１つの水素原子を有する、ラクトン環を含む（メタ）アクリル酸エステルに対応するモノマー単位（炭素−炭素二重結合部位で重合した場合の繰り返し単位）などを用いることも可能である。
【００２６】
本発明のフォトレジスト用高分子化合物は、基板密着性基を有する繰り返し単位及び酸脱離性基を有するモノマー単位を、それぞれ１種又は２種以上含んでいてもよい。
【００２７】
本発明のフォトレジスト用高分子化合物の好ましい態様では、（Ａ）２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位［例えば、式（Ｉ）で表されるモノマー単位］、（Ｂ）ラクトン環を含有する炭素数６〜２０の脂環式炭化水素基がエステル結合を構成する酸素原子に結合している（メタ）アクリル酸エステルに対応するモノマー単位、及び（Ｃ）炭素数６〜２０の脂環式炭化水素基を含有し且つ酸の作用により脱離可能な基を有している（メタ）アクリル酸エステルに対応するモノマー単位を含んでいる。（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の各モノマー単位は、それぞれ１種であってもよく、２種以上であってもよい。このようなフォトレジスト用高分子化合物は、基板密着性、酸脱離性、ドライエッチング耐性、レジスト溶剤への溶解性、アルカリ可溶性の各特性のバランスにおいて特に優れている。
【００２８】
このフォトレジスト用高分子化合物において、モノマー単位（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の比率は、その組み合わせにより適宜設定できるが、モノマー単位（Ａ）の比率は、通常１〜５０モル％、好ましくは２〜４０モル％、さらに好ましくは３〜３０モル％程度であり、モノマー単位（Ｂ）の比率は、通常１〜９９モル％、１０〜９５モル％、さらに好ましくは２０〜８５モル％程度であり、モノマー単位（Ｃ）の比率は、通常１〜９９モル％、好ましくは５〜８０モル％、さらに好ましくは１５〜７０モル％程度である。なお、この高分子化合物は、モノマー単位（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）以外のモノマー単位を含んでいてもよい。
【００２９】
本発明のフォトレジスト用高分子化合物の他の好ましい態様では、（Ａ）２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位［例えば、式（Ｉ）で表されるモノマー単位］、（Ｂ１）前記式（ＩＩａ）〜（ＩＩｅ）から選択された少なくとも１種のモノマー単位、及び（Ｃ１）前記式（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｃ）から選択された少なくとも１種のモノマー単位を含んでいる。このようなフォトレジスト用高分子化合物もまた、基板密着性、酸脱離性、ドライエッチング耐性、レジスト溶剤への溶解性、アルカリ可溶性の各特性のバランスが極めて良好である。なお、式（ＩＩａ）〜（ＩＩｅ）及び式（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｃ）で表されるモノマー単位は脂環式炭化水素環を有していることから、フォトレジスト用高分子化合物のドライエッチング耐性を向上させるのに有用である。
【００３０】
このフォトレジスト用高分子化合物において、モノマー単位（Ａ）、（Ｂ１）及び（Ｃ１）の比率は、その組み合わせにより適宜設定できるが、モノマー単位（Ａ）の比率は、通常１〜５０モル％、好ましくは２〜４０モル％、さらに好ましくは３〜３０モル％程度であり、モノマー単位（Ｂ１）の比率は、通常１〜９９モル％、１０〜９５モル％、さらに好ましくは２０〜８５モル％程度であり、モノマー単位（Ｃ１）の比率は、通常１〜９９モル％、好ましくは５〜８０モル％、さらに好ましくは１５〜７０モル％程度である。なお、この高分子化合物は、モノマー単位（Ａ）、（Ｂ１）及び（Ｃ１）以外のモノマー単位を含んでいてもよい。
【００３１】
式（ＩＩａ）〜（ＩＩｅ）中、Ｒ^１〜Ｒ^２６におけるアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜１３のアルキル基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基としては、例えば、ヒドロキシル基、置換オキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ基等のＣ_１−４アルコキシ基など）などが挙げられる。保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基としては、前記保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基が炭素数１〜６のアルキレン基を介して結合している基などが挙げられる。保護基で保護されていてもよいカルボキシル基としては、−ＣＯＯＲ^ｂ基などが挙げられる。前記Ｒ^ｂは水素原子又はアルキル基を示し、アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ヘキシル基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜６のアルキル基などが挙げられる。
【００３２】
式（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｃ）中、環Ｚにおける炭素数６〜２０の脂環式炭化水素環は単環であっても、縮合環や橋かけ環等の多環であってもよい。代表的な脂環式炭化水素環として、例えば、シクロヘキサン環、シクロオクタン環、シクロデカン環、アダマンタン環、ノルボルナン環、ノルボルネン環、ボルナン環、イソボルナン環、パーヒドロインデン環、デカリン環、パーヒドロフルオレン環（トリシクロ［７．４．０．０^３，８］トリデカン環）、パーヒドロアントラセン環、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン環、トリシクロ［４．２．２．１^２，５］ウンデカン環、テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］ドデカン環などが挙げられる。脂環式炭化水素環には、メチル基等のアルキル基（例えば、Ｃ_１−４アルキル基など）、塩素原子等のハロゲン原子、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、オキソ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基などの置換基を有していてもよい。
【００３３】
式（ＩＩＩａ）及び（ＩＩＩｂ）中、Ｒ^２７〜Ｒ^２９における炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ヘキシル基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素１〜６のアルキル基が挙げられる。式（ＩＩＩｃ）中、Ｒ^３０におけるアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素１〜２０程度のアルキル基が挙げられる。Ｒ^３０における保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、−ＣＯＯＲ^ａ基は前記と同様である。
【００３４】
本発明のフォトレジスト用高分子化合物は、Ｆｅｄｏｒｓの方法［Ｐｏｌｙｍ．Ｅｎｇ．Ｓｃｉ．，１４，１４７（１９７４）参照］による溶解度パラメーターの値（以下、単に「ＳＰ値」と称することがある）が９．５（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２〜１２（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２［＝１９．４ＭＰａ^１／２〜２４．５ＭＰａ^１／２］の範囲にあるのが好ましい。
【００３５】
このような溶解度パラメーターを有する高分子化合物を含むフォトレジスト用樹脂組成物を半導体基板（シリコンウェハー等）に塗布して形成されたレジスト塗膜は、基板に対する接着性（密着性）に優れるとともに、アルカリ現像により解像度の高いパターンを形成することができる。ＳＰ値が９．５（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２［＝１９．４ＭＰａ^１／２］より低いと、基板に対する接着性が低下して、現像によりパターンが剥がれて残らないという問題が起こりやすい。また、ＳＰ値が１２（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２［＝２４．５ＭＰａ^１／２］より大きいと、基板にはじかれて塗布することが困難になりやすい上、アルカリ現像液に対する親和性が高くなり、その結果、露光部と未露光部の溶解性のコントラストが悪くなって解像度が低下しやすくなる。高分子化合物の溶解度パラメーターは、構成モノマーの種類（モノマーの溶解度パラメーター）及び組成比を適宜選択することにより調整できる。
【００３６】
本発明のフォトレジスト用高分子化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば１，０００〜５００，０００程度、好ましくは３，０００〜５０，０００程度であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、例えば１．５〜３．５程度である。なお、前記Ｍｎは数平均分子量を示し、Ｍｎ、Ｍｗともにポリスチレン換算の値である。
【００３７】
本発明のフォトレジスト用高分子化合物は、各モノマー単位に対応するモノマーの混合物を共重合することにより製造できる。式（Ｉ）、（ＩＩａ）〜（ＩＩｇ）、（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｃ）で表される各モノマー単位は、それぞれ対応する（メタ）アクリル酸エステルをコモノマーとして重合に付すことにより形成できる。
【００３８】
［式（Ｉ）で表されるモノマー単位］
前記式（Ｉ）で表されるモノマー単位に対応するモノマーは、下記式（１）で表される。式（１）で表される化合物には立体異性体が存在するが、それらは単独で又は２種以上の混合物として使用できる。
【００３９】
【化７】

（式中、Ｒは水素原子又はメチル基を示す）
【００４０】
式（１）で表される化合物の代表的な例として、下記化合物が挙げられる。
［１−１］１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−グルシトール２−（メタ）アクリレート（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３）
［１−２］１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−グルシトール５−（メタ）アクリレート（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３）［イソソルバイド（メタ）アクリレートは前記［１−１］及び［１−２］の混合物である。］
［１−３］１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｌ−グルシトール２−（メタ）アクリレート（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３）
［１−４］１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｌ−グルシトール５−（メタ）アクリレート（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３）
［１−５］１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−マニトール（メタ）アクリレート（＝イソマンナイド（メタ）アクリレート）（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３）
［１−６］１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｌ−マニトール（メタ）アクリレート（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３）
［１−７］１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−イディトール（メタ）アクリレート（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３）
［１−８］１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｌ−イディトール（メタ）アクリレート（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３）
【００４１】
上記式（１）で表される化合物は、対応する１，４：３，６−ジアンヒドロヘキシトール（炭素数６の糖アルコールの１，４：３，６−ジアンヒドロ体）（例えば、イソソルバイド、イソマンナイドなど）と（メタ）アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。
【００４２】
［式（ＩＩａ）〜（ＩＩｅ）で表されるモノマー単位］
前記式（ＩＩａ）〜（ＩＩｅ）で表されるモノマー単位に対応するモノマーは、それぞれ下記式（２ａ）〜（２ｅ）で表される。式（２ａ）〜（２ｅ）で表される化合物には、それぞれ立体異性体が存在しうるが、それらは単独で又は２種以上の混合物として使用できる。
【００４３】
【化８】

（式中、Ｒは水素原子又はメチル基を示す。Ｒ^１〜Ｒ^３は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示し、Ｖ^１〜Ｖ^３は、同一又は異なって、−ＣＨ_２−、−ＣＯ−又は−ＣＯＯ−を示す。但し、Ｖ^１〜Ｖ^３のうち少なくとも１つは−ＣＯＯ−である。Ｒ^４〜Ｒ^８は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。Ｒ^９〜Ｒ^１７は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。Ｒ^１８〜Ｒ^２６は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す）
【００４４】
式（２ａ）で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
［２−１］１−（メタ）アクリロイルオキシ−４−オキソアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^１＝Ｒ^２＝Ｒ^３＝Ｈ、Ｖ^１＝−ＣＯ−、Ｖ^２＝Ｖ^３＝−ＣＨ_２−）
［２−２］１−（メタ）アクリロイルオキシ−４−オキサトリシクロ［４．３．１．１^３，８］ウンデカン−５−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^１＝Ｒ^２＝Ｒ^３＝Ｈ、Ｖ^２＝−ＣＯ−Ｏ−（左側がＲ^２の結合している炭素原子側）、Ｖ^１＝Ｖ^３＝−ＣＨ_２−）
［２−３］１−（メタ）アクリロイルオキシ−４，７−ジオキサトリシクロ［４．４．１．１^３，９］ドデカン−５，８−ジオン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^１＝Ｒ^２＝Ｒ^３＝Ｈ、Ｖ^１＝−ＣＯ−Ｏ−（左側がＲ^１の結合している炭素原子側）、Ｖ^２＝−ＣＯ−Ｏ−（左側がＲ^２の結合している炭素原子側）、Ｖ^３＝−ＣＨ_２−）
［２−４］１−（メタ）アクリロイルオキシ−４，８−ジオキサトリシクロ［４．４．１．１^３，９］ドデカン−５，７−ジオン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^１＝Ｒ^２＝Ｒ^３＝Ｈ、Ｖ^１＝−Ｏ−ＣＯ−（左側がＲ^１の結合している炭素原子側）、Ｖ^２＝−ＣＯ−Ｏ−（左側がＲ^２の結合している炭素原子側）、Ｖ^３＝−ＣＨ_２−）
［２−５］１−（メタ）アクリロイルオキシ−５，７−ジオキサトリシクロ［４．４．１．１^３，９］ドデカン−４，８−ジオン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^１＝Ｒ^２＝Ｒ^３＝Ｈ、Ｖ^１＝−ＣＯ−Ｏ−（左側がＲ^１の結合している炭素原子側）、Ｖ^２＝−Ｏ−ＣＯ−（左側がＲ^２の結合している炭素原子側）、Ｖ^３＝−ＣＨ_２−）
【００４５】
上記式（２ａ）で表される化合物は、対応する環式アルコール誘導体と（メタ）アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。
【００４６】
式（２ｂ）で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
［２−６］５−（メタ）アクリロイルオキシ−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^４，８］ノナン−２−オン（＝５−（メタ）アクリロイルオキシ−２，６−ノルボルナンカルボラクトン）（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^４＝Ｒ^５＝Ｒ^６＝Ｒ^７＝Ｒ^８＝Ｈ）
［２−７］５−（メタ）アクリロイルオキシ−５−メチル−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^４，８］ノナン−２−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^４＝ＣＨ_３、Ｒ^５＝Ｒ^６＝Ｒ^７＝Ｒ^８＝Ｈ）
［２−８］５−（メタ）アクリロイルオキシ−１−メチル−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^４，８］ノナン−２−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^５＝ＣＨ_３、Ｒ^４＝Ｒ^６＝Ｒ^７＝Ｒ^８＝Ｈ）
［２−９］５−（メタ）アクリロイルオキシ−９−メチル−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^４，８］ノナン−２−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^６＝ＣＨ_３、Ｒ^４＝Ｒ^５＝Ｒ^７＝Ｒ^８＝Ｈ）
［２−１０］５−（メタ）アクリロイルオキシ−９−カルボキシ−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^４，８］ノナン−２−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^４＝Ｒ^５＝Ｒ^７＝Ｒ^８＝Ｈ、Ｒ^６＝ＣＯＯＨ）
［２−１１］５−（メタ）アクリロイルオキシ−９−メトキシカルボニル−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^４，８］ノナン−２−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^４＝Ｒ^５＝Ｒ^７＝Ｒ^８＝Ｈ、Ｒ^６＝メトキシカルボニル基）
［２−１２］５−（メタ）アクリロイルオキシ−９−エトキシカルボニル−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^４，８］ノナン−２−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^４＝Ｒ^５＝Ｒ^７＝Ｒ^８＝Ｈ、Ｒ^６＝エトキシカルボニル基）
［２−１３］５−（メタ）アクリロイルオキシ−９−ｔ−ブトキシカルボニル−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^４，８］ノナン−２−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^４＝Ｒ^５＝Ｒ^７＝Ｒ^８＝Ｈ、Ｒ^６＝ｔ−ブトキシカルボニル基）
【００４７】
上記式（２ｂ）で表される化合物は、対応する環式アルコール誘導体と（メタ）アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒を用いた慣用のエステル化法に従って、反応させることにより得ることができる。なお、その際に原料として用いる環式アルコール誘導体は、例えば、対応する５−ノルボルネン−２−カルボン酸誘導体又はそのエステルを過酸（過酢酸、ｍ−クロロ過安息香酸など）又は過酸化物（過酸化水素、過酸化水素＋酸化タングステンやタングステン酸などの金属化合物）と反応（エポキシ化及び環化反応）させることにより得ることができる。
【００４８】
式（２ｃ）で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
［２−１４］８−（メタ）アクリロイルオキシ−４−オキサトリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−５−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３）
［２−１５］９−（メタ）アクリロイルオキシ−４−オキサトリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−５−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３）
【００４９】
上記式（２ｃ）で表される化合物は、対応する環式アルコール誘導体と（メタ）アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。
【００５０】
式（２ｄ）で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
［２−１６］４−（メタ）アクリロイルオキシ−６−オキサビシクロ［３．２．１］オクタン−７−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^９＝Ｒ^１０＝Ｒ^１１＝Ｒ^１２＝Ｒ^１３＝Ｒ^１４＝Ｒ^１５＝Ｒ^１６＝Ｒ^１７＝Ｈ）
［２−１７］４−（メタ）アクリロイルオキシ−４−メチル−６−オキサビシクロ［３．２．１］オクタン−７−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^１０＝Ｒ^１１＝Ｒ^１２＝Ｒ^１３＝Ｒ^１４＝Ｒ^１５＝Ｒ^１６＝Ｒ^１７＝Ｈ、Ｒ^９＝ＣＨ_３）
［２−１８］４−（メタ）アクリロイルオキシ−５−メチル−６−オキサビシクロ［３．２．１］オクタン−７−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^９＝Ｒ^１１＝Ｒ^１２＝Ｒ^１３＝Ｒ^１４＝Ｒ^１５＝Ｒ^１６＝Ｒ^１７＝Ｈ、Ｒ^１０＝ＣＨ_３）
［２−１９］４−（メタ）アクリロイルオキシ−４，５−ジメチル−６−オキサビシクロ［３．２．１］オクタン−７−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^１１＝Ｒ^１２＝Ｒ^１３＝Ｒ^１４＝Ｒ^１５＝Ｒ^１６＝Ｒ^１７＝Ｈ、Ｒ^９＝Ｒ^１０＝ＣＨ_３）
【００５１】
式（２ｅ）で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
［２−２０］６−（メタ）アクリロイルオキシ−２−オキサビシクロ［２．２．２］オクタン−３−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^１８＝Ｒ^１９＝Ｒ^２０＝Ｒ^２１＝Ｒ^２２＝Ｒ^２３＝Ｒ^２４＝Ｒ^２５＝Ｒ^２６＝Ｈ）
［２−２１］６−（メタ）アクリロイルオキシ−６−メチル−２−オキサビシクロ［２．２．２］オクタン−３−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^１８＝Ｒ^２０＝Ｒ^２１＝Ｒ^２２＝Ｒ^２３＝Ｒ^２４＝Ｒ^２５＝Ｒ^２６＝Ｈ、Ｒ^１９＝ＣＨ_３）
［２−２２］６−（メタ）アクリロイルオキシ−１−メチル−２−オキサビシクロ［２．２．２］オクタン−３−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^１９＝Ｒ^２０＝Ｒ^２１＝Ｒ^２２＝Ｒ^２３＝Ｒ^２４＝Ｒ^２５＝Ｒ^２６＝Ｈ、Ｒ^１８＝ＣＨ_３）
［２−２３］６−（メタ）アクリロイルオキシ−１，６−ジメチル−２−オキサビシクロ［２．２．２］オクタン−３−オン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２０＝Ｒ^２１＝Ｒ^２２＝Ｒ^２３＝Ｒ^２４＝Ｒ^２５＝Ｒ^２６＝Ｈ、Ｒ^１８＝Ｒ^１９＝ＣＨ_３）
【００５２】
上記式（２ｄ）及び（２ｅ）で表される化合物は、対応する環式アルコール誘導体と（メタ）アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。
【００５３】
［式（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｃ）で表されるモノマー単位］
前記式（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｃ）で表されるモノマー単位に対応するモノマーは、それぞれ下記式（３ａ）〜（３ｃ）で表される。式（３ａ）〜（３ｃ）で表される化合物には、それぞれ立体異性体が存在しうるが、それらは単独で又は２種以上の混合物として使用できる。
【００５４】
【化９】

（式中、環Ｚは置換基を有していてもよい炭素数６〜２０の脂環式炭化水素環を示す。Ｒは水素原子又はメチル基を示す。Ｒ^２７〜Ｒ^２９は、同一又は異なって、炭素数１〜６のアルキル基を示す。Ｒ^３０は環Ｚに結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。但し、ｎ個のＲ^３０のうち少なくとも１つは、−ＣＯＯＲ^ａ基を示す。前記Ｒ^ａは置換基を有していてもよい第３級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す。ｎは１〜３の整数を示す）
【００５５】
式（３ａ）で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
［３−１］２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−メチルアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２７＝ＣＨ_３、Ｚ＝アダマンタン環）
［３−２］１−ヒドロキシ−２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−メチルアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２７＝ＣＨ_３、Ｚ＝１位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
［３−３］５−ヒドロキシ−２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−メチルアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２７＝ＣＨ_３、Ｚ＝５位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
［３−４］１，３−ジヒドロキシ−２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−メチルアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２７＝ＣＨ_３、Ｚ＝１位と３位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
［３−５］１，５−ジヒドロキシ−２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−メチルアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２７＝ＣＨ_３、Ｚ＝１位と５位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
［３−６］１，３−ジヒドロキシ−６−（メタ）アクリロイルオキシ−６−メチルアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２７＝ＣＨ_３、Ｚ＝１位と３位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
［３−７］２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−エチルアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２７＝ＣＨ_２ＣＨ_３、Ｚ＝アダマンタン環）
［３−８］１−ヒドロキシ−２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−エチルアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２７＝ＣＨ_２ＣＨ_３、Ｚ＝１位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
［３−９］５−ヒドロキシ−２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−エチルアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２７＝ＣＨ_２ＣＨ_３、Ｚ＝５位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
［３−１０］１，３−ジヒドロキシ−２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−エチルアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２７＝ＣＨ_２ＣＨ_３、Ｚ＝１位と３位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
［３−１１］１，５−ジヒドロキシ−２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−エチルアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２７＝ＣＨ_２ＣＨ_３、Ｚ＝１位と５位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
［３−１２］１，３−ジヒドロキシ−６−（メタ）アクリロイルオキシ−６−エチルアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２７＝ＣＨ_２ＣＨ_３、Ｚ＝１位と３位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
【００５６】
上記式（３ａ）で表される化合物は、例えば、対応する環式アルコールと（メタ）アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。
【００５７】
式（３ｂ）で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
［３−１３］１−（１−（メタ）アクリロイルオキシ−１−メチルエチル）アダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２８＝Ｒ^２９＝ＣＨ_３、Ｚ＝アダマンタン環）
［３−１４］１−ヒドロキシ−３−（１−（メタ）アクリロイルオキシ−１−メチルエチル）アダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２８＝Ｒ^２９＝ＣＨ_３、Ｚ＝１位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
［３−１５］１−（１−エチル−１−（メタ）アクリロイルオキシプロピル）アダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２８＝Ｒ^２９＝ＣＨ_２ＣＨ_３、Ｚ＝アダマンタン環）
［３−１６］１−ヒドロキシ−３−（１−エチル−１−（メタ）アクリロイルオキシプロピル）アダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２８＝Ｒ^２９＝ＣＨ_２ＣＨ_３、Ｚ＝１位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
［３−１７］１−（１−（メタ）アクリロイルオキシ−１−メチルプロピル）アダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２８＝ＣＨ_３、Ｒ^２９＝ＣＨ_２ＣＨ_３、Ｚ＝アダマンタン環）
［３−１８］１−ヒドロキシ−３−（１−（メタ）アクリロイルオキシ−１−メチルプロピル）アダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２８＝ＣＨ_３、Ｒ^２９＝ＣＨ_２ＣＨ_３、Ｚ＝１位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
［３−１９］１−（１−（メタ）アクリロイルオキシ−１，２−ジメチルプロピル）アダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２８＝ＣＨ_３、Ｒ^２９＝ＣＨ（ＣＨ_３）_２、Ｚ＝アダマンタン環）
［３−２０］１−ヒドロキシ−３−（１−（メタ）アクリロイルオキシ−１，２−ジメチルプロピル）アダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２８＝ＣＨ_３、Ｒ^２９＝ＣＨ（ＣＨ_３）_２、Ｚ＝１位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
［３−２１］１，３−ジヒドロキシ−５−（１−（メタ）アクリロイルオキシ−１−メチルエチル）アダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２８＝Ｒ^２９＝ＣＨ_３、Ｚ＝１位と３位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
［３−２２］１−（１−エチル−１−（メタ）アクリロイルオキシプロピル）−３，５−ジヒドロキシアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２８＝Ｒ^２９＝ＣＨ_２ＣＨ_３、Ｚ＝３位と５位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
［３−２３］１，３−ジヒドロキシ−５−（１−（メタ）アクリロイルオキシ−１−メチルプロピル）アダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２８＝ＣＨ_３、Ｒ^２９＝ＣＨ_２ＣＨ_３、Ｚ＝１位と３位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
［３−２４］１，３−ジヒドロキシ−５−（１−（メタ）アクリロイルオキシ−１，２−ジメチルプロピル）アダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^２８＝ＣＨ_３、Ｒ^２９＝ＣＨ（ＣＨ_３）_２、Ｚ＝１位と３位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環）
【００５８】
上記式（３ｂ）で表される化合物は、例えば、対応する１位に脂環式基を有するメタノール誘導体と（メタ）アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。
【００５９】
式（３ｃ）で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
［３−２５］１−ｔ−ブトキシカルボニル−３−（メタ）アクリロイルオキシアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^３０＝ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ＝１、Ｚ＝アダマンタン環）
［３−２６］１，３−ビス（ｔ−ブトキシカルボニル）−５−（メタ）アクリロイルオキシアダマンタン［Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^３０＝ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ＝２、Ｚ＝アダマンタン環］
［３−２７］１−ｔ−ブトキシカルボニル−３−ヒドロキシ−５−（メタ）アクリロイルオキシアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^３０＝ＯＨ，ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ＝２、Ｚ＝アダマンタン環）
［３−２８］１−（２−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル）−３−（メタ）アクリロイルオキシアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^３０＝２−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基、ｎ＝１、Ｚ＝アダマンタン環）
［３−２９］１，３−ビス（２−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル）−５−（メタ）アクリロイルオキシアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^３０＝２−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基、ｎ＝２、Ｚ＝アダマンタン環）
［３−３０］１−ヒドロキシ−３−（２−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル）−５−（メタ）アクリロイルオキシアダマンタン（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ_３、Ｒ^３０＝ＯＨ，２−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基、ｎ＝２、Ｚ＝アダマンタン環）
【００６０】
上記式（３ｃ）で表される化合物は、例えば、対応する環式アルコールと（メタ）アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。
【００６１】
本発明のフォトレジスト用高分子化合物を得るに際し、モノマー混合物の重合は、溶液重合、塊状重合、懸濁重合、塊状−懸濁重合、乳化重合など、アクリル系ポリマーを製造する際に用いる慣用の方法により行うことができるが、特に、溶液重合が好適である。さらに、溶液重合のなかでも滴下重合が好ましい。滴下重合は、具体的には、例えば、（ｉ）予め有機溶媒に溶解した単量体溶液と、有機溶媒に溶解した重合開始剤溶液とをそれぞれ調製し、一定温度に保持した有機溶媒中に前記単量体溶液と重合開始剤溶液とを各々滴下する方法、（ｉｉ）単量体と重合開始剤とを有機溶媒に溶解した混合溶液を、一定温度に保持した有機溶媒中に滴下する方法、（ｉｉｉ）予め有機溶媒に溶解した単量体溶液と、有機溶媒に溶解した重合開始剤溶液とをそれぞれ調製し、一定温度に保持した前記単量体溶液中に重合開始剤溶液を滴下する方法などの方法により行われる。
【００６２】
重合溶媒としては公知の溶媒を使用でき、例えば、エーテル（ジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等グリコールエーテル類などの鎖状エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテルなど）、エステル（酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類など）、ケトン（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなど）、アミド（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなど）、スルホキシド（ジメチルスルホキシドなど）、アルコール（メタノール、エタノール、プロパノールなど）、炭化水素（ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ヘキサン等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素など）、これらの混合溶媒などが挙げられる。また、重合開始剤として公知の重合開始剤を使用できる。重合温度は、例えば３０〜１５０℃程度の範囲で適宜選択できる。
【００６３】
重合により得られたポリマーは、沈殿又は再沈殿により精製できる。沈殿又は再沈殿溶媒は有機溶媒及び水の何れであってもよく、また混合溶媒であってもよい。沈殿又は再沈殿溶媒として用いる有機溶媒として、例えば、炭化水素（ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの脂環式炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素）、ハロゲン化炭化水素（塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化脂肪族炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素など）、ニトロ化合物（ニトロメタン、ニトロエタンなど）、ニトリル（アセトニトリル、ベンゾニトリルなど）、エーテル（ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタンなどの鎖状エーテル；テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル）、ケトン（アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトンなど）、エステル（酢酸エチル、酢酸ブチルなど）、カーボネート（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど）、アルコール（メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノールなど）、カルボン酸（酢酸など）、これらの溶媒を含む混合溶媒等が挙げられる。
【００６４】
中でも、前記沈殿又は再沈殿溶媒として用いる有機溶媒として、少なくとも炭化水素（特に、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素）を含む溶媒が好ましい。このような少なくとも炭化水素を含む溶媒において、炭化水素（例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素）と他の溶媒との比率は、例えば前者／後者（体積比；２５℃）＝１０／９０〜９９／１、好ましくは前者／後者（体積比；２５℃）＝３０／７０〜９８／２、さらに好ましくは前者／後者（体積比；２５℃）＝５０／５０〜９７／３程度である。
【００６５】
本発明のフォトレジスト用樹脂組成物は、前記本発明のフォトレジスト用高分子化合物と光酸発生剤とを含んでいる。
【００６６】
光酸発生剤としては、露光により効率よく酸を生成する慣用乃至公知の化合物、例えば、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩（例えば、ジフェニルヨードヘキサフルオロホスフェートなど）、スルホニウム塩（例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムメタンスルホネートなど）、スルホン酸エステル［例えば、１−フェニル−１−（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ−１−ベンゾイルメタン、１，２，３−トリスルホニルオキシメチルベンゼン、１，３−ジニトロ−２−（４−フェニルスルホニルオキシメチル）ベンゼン、１−フェニル−１−（４−メチルフェニルスルホニルオキシメチル）−１−ヒドロキシ−１−ベンゾイルメタンなど］、オキサチアゾール誘導体、ｓ−トリアジン誘導体、ジスルホン誘導体（ジフェニルジスルホンなど）、イミド化合物、オキシムスルホネート、ジアゾナフトキノン、ベンゾイントシレートなどを使用できる。これらの光酸発生剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用できる。
【００６７】
光酸発生剤の使用量は、光照射により生成する酸の強度や前記高分子化合物における各モノマー単位（繰り返し単位）の比率などに応じて適宜選択でき、例えば、前記高分子化合物１００重量部に対して０．１〜３０重量部、好ましくは１〜２５重量部、さらに好ましくは２〜２０重量部程度の範囲から選択できる。
【００６８】
フォトレジスト用樹脂組成物は、アルカリ可溶性樹脂（例えば、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、カルボキシル基含有樹脂など）などのアルカリ可溶成分、着色剤（例えば、染料など）、有機溶媒（例えば、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、アルコール類、エステル類、アミド類、ケトン類、エーテル類、セロソルブ類、カルビトール類、グリコールエーテルエステル類、これらの混合溶媒など）などを含んでいてもよい。
【００６９】
このフォトレジスト用樹脂組成物を基材又は基板上に塗布し、乾燥した後、所定のマスクを介して、塗膜（レジスト膜）に光線を露光して（又は、さらに露光後ベークを行い）潜像パターンを形成し、次いで現像することにより、微細なパターンを高い精度で形成できる。
【００７０】
基材又は基板としては、シリコンウエハ、金属、プラスチック、ガラス、セラミックなどが挙げられる。フォトレジスト用樹脂組成物の塗布は、スピンコータ、ディップコータ、ローラコータなどの慣用の塗布手段を用いて行うことができる。塗膜の厚みは、例えば０．１〜２０μｍ、好ましくは０．３〜２μｍ程度である。
【００７１】
露光には、種々の波長の光線、例えば、紫外線、Ｘ線などが利用でき、半導体レジスト用では、通常、ｇ線、ｉ線、エキシマレーザー（例えば、ＸｅＣｌ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなど）などが使用される。露光エネルギーは、例えば１〜１０００ｍＪ／ｃｍ^２、好ましくは１０〜５００ｍＪ／ｃｍ^２程度である。
【００７２】
光照射により光酸発生剤から酸が生成し、この酸により、例えば前記高分子化合物の酸脱離性基を有するモノマー単位（アルカリ可溶性ユニット）のカルボキシル基等の保護基（脱離性基）が速やかに脱離して、可溶化に寄与するカルボキシル基等が生成する。そのため、水又はアルカリ現像液による現像により、所定のパターンを精度よく形成できる。
【００７３】
【発明の効果】
本発明のフォトレジスト用高分子化合物は、特定構造のモノマー単位を含んでいるため、基板密着性、酸脱離性、ドライエッチング耐性のみならず、レジスト溶剤への溶解性、及びアルカリ可溶性のバランスが優れている。そのため、このような高分子化合物を含むフォトレジスト用樹脂組成物を半導体の製造に用いることにより、微細なパターンを精度よく形成することができる。
【００７４】
【実施例】
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、化合物番号（モノマー番号）の後ろに「アクリレート」とあるのは、明細書中に記載の化合物番号に相当する２つの化合物のうちアクリロイルオキシ基を有する化合物を示し、「メタクリレート」とあるのは、前記２つの化合物のうちメタクリロイルオキシ基を有する化合物を示す。構造式中の括弧の右下の数字は該モノマー単位（繰り返し単位）に対応する仕込単量体のモル％を示す。重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、検出器として屈折率計（ＲＩ）を用い、溶離液としてテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いたＧＰＣ測定により、標準ポリスチレン換算で求めた。ＧＰＣ測定は昭和電工（株）製カラム「ＫＦ−８０６Ｌ」（商品名）を３本直列につないだものを使用し、カラム温度４０℃、ＲＩ温度４０℃、溶離液の流速０．８ｍｌ／分の条件で行った。
【００７５】
実施例１
下記構造の樹脂の合成
【化１０】

還流管、攪拌子、３方コックを備えた丸底フラスコに、窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）２０ｇを入れて温度を７５℃に保ち、攪拌しながら、５−メタクリロイルオキシ−２，６−ノルボルナンカルボラクトン［化合物番号［２−６］（メタクリレート）］１８．４１ｇ（８２．９ミリモル）、イソソルバイドメタクリレート［化合物番号［１−１］（メタクリレート）及び［１−２］（メタクリレート）の混合物］４．４４ｇ（２０．７ミリモル）、１−（１−メタクリロイルオキシ−１−メチルエチル）アダマンタン［化合物番号［３−１３］（メタクリレート）］２７．１６ｇ（１０３．６ミリモル）、ジメチル−２，２′−アゾビスイソブチレート（開始剤、和光純薬工業製「Ｖ−６０１」）６．０ｇ、及びＰＧＭＥＡ１８０ｇを混合したモノマー溶液を、６時間かけて一定速度で滴下した。滴下終了後、さらに２時間攪拌を続けた。重合反応終了後、得られた反応溶液を孔径０．１μｍのフィルターで濾過した後、ヘキサン３４１０ｇ、酢酸エチル２８０ｇの混合溶液中に攪拌しながら滴下し、生じた沈殿物を濾別することでポリマーの精製を行った。回収した沈殿を減圧乾燥後、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）２００ｇに溶解させ、上述のヘキサンと酢酸エチルの混合溶液を用いた沈殿精製操作を繰り返すことにより、所望の樹脂４５．５ｇを得た。回収したポリマーをＧＰＣ分析したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）が９４００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．３７であった。
【００７６】
実施例２
下記構造の樹脂の合成
【化１１】

実施例１において、モノマー成分として、５−メタクリロイルオキシ−２，６−ノルボルナンカルボラクトン［化合物番号［２−６］（メタクリレート）］１９．５４ｇ（８８．０ミリモル）、イソソルバイドメタクリレート［化合物番号［１−１］（メタクリレート）及び［１−２］（メタクリレート）の混合物］４．７１ｇ（２２．０ミリモル）、２−メタクリロイルオキシ−２−メチルアダマンタン［化合物番号［３−１］（メタクリレート）］２５．７５ｇ（１１０．０ミリモル）を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行ったところ、所望の樹脂４４．７ｇを得た。回収したポリマーをＧＰＣ分析したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０１００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．５３であった。
【００７７】
実施例３
下記構造の樹脂の合成
【化１２】

実施例１において、モノマー成分として、５−アクリロイルオキシ−２，６−ノルボルナンカルボラクトン［化合物番号［２−６］（アクリレート）］１８．３１ｇ（８８．０ミリモル）、イソソルバイドアクリレート［化合物番号［１−１］（アクリレート）及び［１−２］（アクリレート）の混合物］４．４０ｇ（２２．０ミリモル）、１−（１−アクリロイルオキシ−１−メチルエチル）アダマンタン［化合物番号［３−１３］（アクリレート）］２７．２９ｇ（１１０．０ミリモル）を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行ったところ、所望の樹脂４３．８ｇを得た。回収したポリマーをＧＰＣ分析したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）が８７００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．３５であった。
【００７８】
比較例１
下記構造の樹脂の合成
【化１３】

還流管、攪拌子、３方コックを備えた丸底フラスコに、窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）２０ｇを入れて温度を７５℃に保ち、攪拌しながら、５−メタクリロイルオキシ−２，６−ノルボルナンカルボラクトン［化合物番号［２−６］（メタクリレート）］２２．９３ｇ（１０３．３ミリモル）、１−（１−メタクリロイルオキシ−１−メチルエチル）アダマンタン［化合物番号［３−１３］（メタクリレート）］２７．０７ｇ（１０３．３ミリモル）、ジメチル−２，２′−アゾビスイソブチレート（開始剤、和光純薬工業製「Ｖ−６０１」）６．０ｇ、及びＰＧＭＥＡ１８０ｇを混合したモノマー溶液を、６時間かけて一定速度で滴下した。滴下中に重合溶液が白濁し、ポリマーが析出した。よって、ＰＧＭＥＡに溶解するポリマーを得ることができなかった。
【００７９】
比較例２
下記構造の樹脂の合成
【化１４】

比較例１において、モノマー成分として、５−メタクリロイルオキシ−２，６−ノルボルナンカルボラクトン［化合物番号［２−６］（メタクリレート）］２４．３４ｇ（１０９．６ミリモル）、２−メタクリロイルオキシ−２−メチルアダマンタン［化合物番号［３−１］（メタクリレート）］２５．６６ｇ（１０９．６ミリモル）を用いた以外は、比較例１と同様の操作を行ったところ、滴下中に重合溶液が白濁し、ポリマーが析出した。よって、ＰＧＭＥＡに溶解するポリマーを得ることができなかった。
【００８０】
比較例３
下記構造の樹脂の合成
【化１５】

比較例１において、モノマー成分として、５−アクリロイルオキシ−２，６−ノルボルナンカルボラクトン［化合物番号［２−６］（アクリレート）］２２．８１ｇ（１０９．６ミリモル）、１−（１−アクリロイルオキシ−１−メチルエチル）アダマンタン［化合物番号［３−１３］（アクリレート）］２７．１９ｇ（１０９．６ミリモル）を用いた以外は、比較例１と同様の操作を行ったところ、滴下中に重合溶液が白濁し、ポリマーが析出した。よって、ＰＧＭＥＡに溶解するポリマーを得ることができなかった。
【００８１】
評価試験
上記実施例により得られた各ポリマーについて、ポリマー１００重量部とトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート１０重量部とをＰＧＭＥＡと混合して、ポリマー濃度１７重量％のフォトレジスト用樹脂組成物を調製した。得られた組成物をシリコンウエハー上にスピンコーティング法により塗布し、厚み１．０μｍの感光層を形成した。ホットプレートにより温度１００℃で１５０秒間プリベークした後、波長２４７ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーを用い、マスクを介して、照射量３０ｍＪ／ｃｍ^２で露光した後、温度１００℃で６０秒間ポストベークした。次いで、０．３Ｍのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により６０秒間現像し、純水でリンスしたところ、何れの場合も、０．２０μｍのライン・アンド・スペースパターンが得られた。
【００８２】
製造例１
［イソソルバイドメタクリレート及びイソソルバイドアクリレートの製造］
イソソルバイド（東京化成工業（株）製）１４６ｇ、ピリジン１００ｇ、テトラヒドロフラン１．５Ｌの混合物を、窒素雰囲気下、室温で攪拌しながら、メタクリル酸クロリド８３ｇを１時間かけて滴下した。室温で３時間攪拌した後、反応液に水３００ｇを加え、有機層を減圧濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付すことにより、下記式（Ａ）で表される１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−グルシトール２−メタクリレート２４ｇ、及び下記式（Ｂ）で表される１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−グルシトール５−メタクリレート１１ｇを得た。実施例１及び２では、これらの混合物をモノマー原料として用いた。
また、メタクリル酸クロリドの代わりにアクリル酸クロリドを用いて上記と同様の方法によりイソソルバイドアクリレートを製造し、実施例３のモノマー原料として用いた。
【化１６】

［１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−グルシトール２−メタクリレート）（Ａ）のスペクトルデータ］
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ：１．９５（ｓ，３Ｈ），２．６９（ｂｒｓ，１Ｈ），３．５８（ｄｄ，１Ｈ），３．９１（ｄｄ，１Ｈ），４．０７（ｓ，２Ｈ），４．３２（ｂｒｓ，１Ｈ），４．５３（ｄ，１Ｈ），４．６５（ｔ，１Ｈ），５．２８（ｓ，１Ｈ），５．６２（ｔ，１Ｈ），６．１２（ｓ，１Ｈ）
^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ：１８．１，７２．３，７３．５，７３．６，７８．７，８２．１，８５．７，１２６．５，１３５．６，１６６．３
ＭＳｍ／ｅ２１５（Ｍ＋Ｈ）
［１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−グルシトール５−メタクリレート）（Ｂ）のスペクトルデータ］
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ：１．９６（ｓ，３Ｈ），２．６７（ｂｒｓ，１Ｈ），３．８０−３．９３（ｍ，４Ｈ），４．３２（ｄ，１Ｈ），４．４０（ｄ，１Ｈ），４．８９（ｔ，１Ｈ），５．２０（ｑ，１Ｈ），５．６２（ｓ，１Ｈ），６．１５（ｓ，１Ｈ）
^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ：１８．２，７０．８，７４．３，７５．３，７５．５，８１．０，８８．５，１２６．３，１３５．７，１６６．９
ＭＳｍ／ｅ２１５（Ｍ＋Ｈ）
［イソソルバイドアクリレートのスペクトルデータ］
ＭＳｍ／ｅ２０１（Ｍ＋Ｈ）

Claims

ポリマー構造中に、２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位を含むフォトレジスト用高分子化合物。
２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位が、下記式（Ｉ）

（式中、Ｒは水素原子又はメチル基を示す）
で表されるモノマー単位である請求項１記載のフォトレジスト用高分子化合物。
２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位と、基板密着性基を有するモノマー単位と、酸脱離性基を有するモノマー単位とからなる請求項１記載のフォトレジスト用高分子化合物。
（Ａ）２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位、（Ｂ）ラクトン環を含有する炭素数６〜２０の脂環式炭化水素基がエステル結合を構成する酸素原子に結合している（メタ）アクリル酸エステルに対応するモノマー単位、及び（Ｃ）炭素数６〜２０の脂環式炭化水素基を含有し且つ酸の作用により脱離可能な基を有している（メタ）アクリル酸エステルに対応するモノマー単位を含む請求項１記載のフォトレジスト用高分子化合物。
（Ａ）２，６−ジオキサビシクロ［３．３．０］オクタン骨格を有するモノマー単位、（Ｂ１）下記式（ＩＩａ）〜（ＩＩｅ）

（式中、Ｒは水素原子又はメチル基を示す。Ｒ^１〜Ｒ^３は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示し、Ｖ^１〜Ｖ^３は、同一又は異なって、−ＣＨ_２−、−ＣＯ−又は−ＣＯＯ−を示す。但し、Ｖ^１〜Ｖ^３のうち少なくとも１つは−ＣＯＯ−である。Ｒ^４〜Ｒ^８は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。Ｒ^９〜Ｒ^１７は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。Ｒ^１８〜Ｒ^２６は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す）
から選択された少なくとも１種のモノマー単位、及び（Ｃ１）下記式（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｃ）

（式中、環Ｚは置換基を有していてもよい炭素数６〜２０の脂環式炭化水素環を示す。Ｒは水素原子又はメチル基を示す。Ｒ^２７〜Ｒ^２９は、同一又は異なって、炭素数１〜６のアルキル基を示す。Ｒ^３０は環Ｚに結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。但し、ｎ個のＲ^３０のうち少なくとも１つは、−ＣＯＯＲ^ａ基を示す。前記Ｒ^ａは置換基を有していてもよい第３級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す。ｎは１〜３の整数を示す）
から選択された少なくとも１種のモノマー単位を含む請求項１記載のフォトレジスト用高分子化合物。
請求項１〜５の何れかの項に記載のフォトレジスト用高分子化合物と光酸発生剤とを少なくとも含むフォトレジスト用樹脂組成物。
請求項６記載のフォトレジスト用樹脂組成物を基材又は基板上に塗布してレジスト塗膜を形成し、露光及び現像を経てパターンを形成する工程を含む半導体の製造方法。