JP2004153248A - 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気ヘッド並びに磁気再生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 磁化方向が一方向に固着された第1の強磁性体膜を含む磁化固着層(4)と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第2の強磁性体膜を含む磁化自由層(6)と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、を有する磁気抵抗効果膜を備え、前記中間層は、相分離層(9)を含み、前記相分離層は、2種類以上の元素からなる合金の相分離により形成された第1及び第2の相を有し、前記第1の相(9A)と前記第2の相(9B)との電気抵抗の差による電流狭窄効果を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。
【選択図】 図1
Description
Phys.Rev.B.,Vol.45, 806(1992), J. Appl. Phys. Vol.69, 4774(1991)
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかる磁気抵抗効果素子の断面構造を表す概念図である。同図において、1は基板電極、2は下地層、3は反強磁性膜、4は磁化固着層(ピン層)、5Aは磁気結合遮断層、5Bは界面調整層、6は磁化自由層(フリー層)、7は保護層、8は上部電極層、9は相分離層である。すなわち、この素子は、基板電極1と上部電極層9との間でセンス電流I(同図の矢印方向、または矢印とは反対の方向)が通電されるCPP型の磁気抵抗効果素子である。
ここで、酸化生成自由エネルギーの値が小さいほど、酸化されやすいことを意味する。つまり、表1において、上方に挙げられた元素ほど酸化されにくく、下方に挙げられた元素ほど酸化されやすい。
次に、本発明の第2の実施の形態として、磁化固着層、磁化自由層、中間層ならびに電極と強磁性膜の間のいずれかに相分離層9を設け、前記相分離層に接した磁気結合遮断層を含む磁気抵抗効果素子について説明する。
次に、本発明の第3の実施の形態として、磁化自由層と電極との間に相分離層を設けた磁気抵抗効果素子について説明する。
次に、本発明の第4の実施の形態として、磁化固着層と磁化自由層とが微小な磁性領域により接続されたBMR(ballistic magnetoresistance effect)型の抵抗効果素子について説明する。
まず、本発明の第1の実施例として、アルミニウム(Al)−銀(Ag)系のスピノーダル分解を利用して形成した磁気抵抗効果素子について説明する。
Si基板(1)/5nmTa(2)/200nmCu(2)/10nmPtMn(3)/3nmCoFe(4)/0.2nmCu(5A)/0.8nmAlAg合金(9)/0.2nmCu(5B)/3nmCoFe(6)/2nmTa(7)/200nmCu(8)
なお、本発明の実施例で用いたSi基板(1)は、熱酸化処理によりSiO2が表面に約100ナノメータ程度形成された基板である。また、AlAg合金は、組成式 Al100−xAgx において組成x=0、5、10、20、40原子%とした。
相分離層9の材料 MR RA
Cu 0.5% 0.08Ωμm2
Al90Ag10(酸化処理あり) 6.0% 0.25Ωμm2
Al90Ag10合金を母材料として用いた相分離層9の酸化処理有無の試料について、断面TEM(tansmission electron microscopy:透過型電子顕微鏡)観察でその結晶性をそれぞれ調べた。
Si(1)/5nmTa(1)/200nmCu(1)/5nmTa(2)/2nmRu(2)/15nmPtMn(3)/4nmCoFe(4)/1nmRu(4)/4nmCoFe(4)/[0.2nmCu(5B)/50nmAlAg(9)
このようにして作製した試料に、磁気抵抗効果素子膜と同様の熱処理を施した後、平面TEM観察ならびにナノEDXによる組成分析を行った。
相分離層9の材料 MR RA
Al80Ag20(酸化処理あり)4.5% 0.17Ωμm2
AlAg合金においては、Agの割合が1%未満では、高導電相の領域が大幅に少ないので1平方ミクロン当りの面積抵抗RAが1Ωμm2以上に増大してしまい、TMRと同様な高抵抗に起因するノイズや周波数応答性が低下してしまう。一方、Agの割合が40%を越えると、高導電相の領域が広すぎて電流狭窄効果がもはや得られず、Cu等の金属中間層を用いた場合と同様な低R、低ARとなってしまう。その組成xは、1原子%〜40原子%Agの範囲内とすることが望ましく、その最適組成は、必要とされる磁気抵抗効果MRや抵抗値Rによって適宜決定することができる。また、Alをマグネシウム(Mg)やシリコン(Si)ならびにマンガン(Mn)に置換した母材を用いた場合についても調べたが、MRやRに多少の差が見られるもの、その効果や断面TEMでの組織は、Alの場合と同様の傾向が見られた。
次に、本発明の第2の実施例として、アルミニウム(Al)−金(Au)系のスピノーダル分解を利用した磁気抵抗効果素子について説明する。
Si基板(1)/5nmTa(2)/200nmCu(2)/5nm(Ni0.8Fe0.2)78Cr22(2)/10nmPtMn(3)/2.5nmCoFe(4)/0.9nmRu(4)/2.5nmCoFe(4)/0.2nmCu(5A))/0.8nmAlAu合金(9)/0.2nmCu(5B)/3nmCoFe(6)/2nmTa(7)/200nmCu(8)
相分離層9の母材料として、Al90Au10合金を用いた場合の磁気抵抗効果MRと面積抵抗Rは、如くであった。
MR RA
酸化処理あり 7.5% 0.18Ωμm2
また、Al100−xAux合金の組成x=0、5、10、20、40原子%とした相分離層9の酸化処理の有無の試料について、断面TEM観察でその結晶性を調べた。処理なしの場合、スピノーダル分解に伴うAlと幅約1.5nmAuの相分離が不明確ではあるが確認された。一方、処理有りの場合、処理なしと同様にスピノーダル分解に伴うAlと幅約1.5nmAuの相分離が明確に確認され、また、それぞれの相について酸素分析を行った結果、ほとんどの酸素がAl部分に存在していることも合わせて確認できた。
MR RA
酸化処理あり 5.5% 0.13Ωμm2
このようにAlAu合金においても、Auの割合が1%未満では、高導電相の領域が大幅に少ないので1平方ミクロン当りの面積抵抗RAが1Ωμm2以上に増大してしまい、TMRと同様な高抵抗に起因するノイズや周波数応答性が低下してしまう。一方、Auの割合が40%を越えると、高導電相の領域が広すぎて電流狭窄効果がもはや得られず、Cu等の金属中間層を用いた場合と同様な低R、低ARとなってしまう。
次に、本発明の第3の実施例として、銅(Cu)−ニッケル(Ni)−鉄(Fe)系のスピノーダル分解を利用した磁気抵抗効果素子について説明する。
Si基板(1)/5nmTa(2)/200nmCu(2)/5nm(Ni0.8Fe0.2)78Cr22(2)/10nmPtMn(3)/2.5nmCoFe(4)/0.9nmRu(4)/2.5nmCoFe(4)/0.8nmCuNiFe合金(9)/2.0nmCu(5)/3nmCoFe(6)/2nmTa(7)/200nmCu(8)
ここで、相分離層9の母材料として用いたCuNiFe合金は、組成式がCux(Ni1−yFey)100−x(原子%)で表され、x=0.5、1、10、20、50、60、y=0、0.2、0.5、0.7とした。また、相分離層9と磁化自由層6との間に、2.0nmCuからなる磁気結合遮断層5を挿入した。この磁気結合遮断層5は、CuNiFe合金からなる相分離層9と磁化自由層6との間の磁気的なカップリングを遮断する程度の厚さが必要であり、その最適膜厚は、1〜3nm程度が望ましい。
次に、本発明の第4の実施例として、磁化2層の相分離層を設けた磁気抵抗効果素子について説明する。
Si基板(1)/5nmTa(2)/200nmCu(2)/5nm(Ni0.8Fe0.2)78Cr22(2)/10nmPtMn(3)/2nmCoFe(4)/0.5nmCuNiFe合金(9)/2.5nmCoFe(4)/0.5nmCu(5)/0.8nmCuNiFe合金(9)/3nmCoFe(6)/2nmTa(7)/200nmCu(8)
また、図18に表した磁気抵抗効果素子を構成する各層の膜厚と材料は、以下の如くである。なお、図18に表した符号を、対応する各層にカッコ書きで付した。
Si基板(1)/5nmTa(2)/200nmCu(2)/5nm(Ni0.8Fe0.2)78Cr22(2)/10nmPtMn(3)/4nmCoFe(4)/0.2nmCu(5)/0.8nmCuNiFe合金(9)/1nmCu(5)/1nmCoFe(6)/0.3nmAlAg合金(9)/3nmNiFe
(6)/2nmTa(7)/200nmCu(8)
いずれの素子についても、作成方法は、第1実施例に関して前述した方法と概ね同様とした。ただし、磁化固着層4と磁化自由層6との間の磁気相分離層9は成膜後に、酸素イオンを含んだイオンビームを照射することにより酸化して形成した。また、磁化固着層4と磁化自由層6の中に挿入した相分離層9は、成膜と同時に酸素イオンを含んだイオンビームを基板上に照射しながら形成した。
次に、本発明の第5の実施例として、第1実施形態と第2実施形態とを組み合わせた磁気抵抗効果素子について説明する。
Si基板(1)/3nmTa(2)/200nmCu(2)/2nmAl70Ag30合金(9−1)/0.8nmCr80Cu20合金(9−2)/4nmCo90Fe10(6)/1nmAl70Cu30合金(9−3)/1nmCu20Ni40Co20合金(9−4)/0.5nmCu(5)/4nmCo90Fe10(4)/15nmPtMn(3)/2nmRu(7)/200nmCu(8)
また、本実施例の作成方法は、第1実施例に関して前述した方法と概ね同様とした。相分離層9−1、9−2、9−3の酸化処理としては、母材料を成膜後にRF50ワット(W)で加速電圧100ボルト(V)のビームエネルギーで流量4SCCMの酸素を酸素ラジカルにして約30秒照射した。但し、相分離層9−4のCuNiCo合金については、母材料の堆積後に低エネルギーのArイオン照射でスピノーダル分解を促進した後に、上述したものと同様の方法でRFパワーを70Wにて酸化処理を施した。
次に、本発明の第6の実施例として、第5実施例と同様に、第1実施形態と第2実施形態とを組み合わせた磁気抵抗効果素子について説明する。
Si基板(1)/5nmTa(2)/2nmRu(2)/15nmPtMn(3)/4nmCo90Fe10(4)/1nmCuNiFe合金(9−1)/0.7nmAl70Cu30合金(9−2)/0.2nmCu(5)/4nmCo90Fe10(6)/0.5nmAl80Au20合金(9−3)/1nmAl70Cu30合金(9−4)/200nmCu(8)
また、本実施例の作成方法は、第5実施例に関して前述した方法と概ね同様とした。
次に、本発明の第7の実施例として、アルミニウム(Al)−銀(Ag)−タンタル(Ta)系とアルミニウム(Al)−銅(Cu)系をそれぞれ用いた磁気抵抗効果素子について説明する。
Si基板(1)/5nmTa(2)/200nmCu(2)/5nm(Ni0.8Fe0.2)78Cr22(2)/10nmPtMn(3)/3.5nmCoFe(4)/1.0nmRu(4)/3.5nmCoFe(4)/0.2nmCu(5A))/1.1nmAlAgTa合金(9)/0.5nmCu(5B)/3.5nmCoFe(6)/2nmRu(7)/200nmCu(8)
相分離層9の母材料として、(Al80Ta20)80Ag20合金を用いた。
この磁気抵抗効果素子を作成するにあたり、(Al80Ta20)80Ag20合金の相分離層9と同一条件でSi基板(1)/5nmTa(2)/10nmPtMn(3)/3.5nmCoFe(4)上に0.2nmCu(5A))/1.1nmAlAgTa合金(9)を2回積層し熱処理を施した試料を形成し、この相分離層9の形態を平面TEMならびに断面TEM、組成ならびにその分布をSIMS(Secondary ion mass spectroscopy :二次イオン質量分析法)で調べた。
また、同様の層構造で、相分離層9の母材料をAl−Cu合金としたサンプルを作成して評価した結果、AlAgTaを用いた場合と類似した相分離構造が観察された。Al−Cu系合金は、Al70Cu30 の組成領域において相分離を生ずる。従って、母材料(9)としてAl70Cu30 を用いてもよいが、上下に積層されるCu層(4)からCuが相分離層(9)に拡散するので、母材料の組成としては、Al70Cu30 よりもCuの組成が低いものを用いてもよい。
次に、本発明の第8の実施例として、鉄(Fe)−マグネシウム(Mg)系合金の相分離を利用した磁気抵抗効果素子について説明する。
Si基板(1)/5nmTa(2)/200nmCu(2)/5nm(Ni0.8Fe0.2)78Cr22(2)/10nmPtMn(3)/2.5nmCoFe(4)/0.9nmRu(4)/2.5nmCoFe(4)/0.5nmCu(5A))/1.0nmFeMg合金(9)/1.0nmCu(5B)/3nmCoFe(6)/2nmTa(7)/200nmCu(8)
相分離層9の母材料として、Mg90Fe10合金を用いた場合の磁気抵抗効果MRと面積抵抗RAは、如くであった。
MR RA
酸化処理あり 8.0% 0.25Ωμm2
また、Mg100−xFex合金の組成x=0、5、10、20、40原子%とした相分離層9の酸化処理の有無について、それぞれの試料を作成し、断面TEM観察でその結晶性を調べた。酸化処理なしの場合、相分解に伴うMgと幅約2nmFeの相分離が不明確ではあるが確認された。一方、酸化処理有りの場合も、処理なしと同様に相分解に伴うMgと幅約2nmFeの相分離が明確に確認され、また、それぞれの相について酸素含有量の分析を行った結果、Fe相に若干の酸素が見られるものの、ほとんどの酸素がMg相の部分に存在していることが確認できた。
MR RA
酸化処理あり 6.5% 0.2Ωμm2
また、FeMg系合金においても、Feの割合が1%未満では、高導電相の領域が大幅に少ないので1平方ミクロン当りの面積抵抗RAが1Ωμm2以上に増大してしまい、TMRと同様な高抵抗に起因するノイズや周波数応答性が低下してしまう。
一方、Feの割合が40%を越えると、高導電相の領域が広すぎて電流狭窄効果がもはや得られず、Cu等の金属中間層を用いた場合と同様にRとARともに低下してしまう。 従って、Feの組成を1原子%〜40原子%の範囲内とすることが望ましい。
次に、本発明の第9の実施例として、アルミニウム(Al)−ニッケル(Ni)系合金の相分離を利用した磁気抵抗効果素子について説明する。
Si基板(1)/5nmTa(2)/200nmCu(2)/5nm(Ni0.8Fe0.2)78Cr22(2)/10nmPtMn(3)/2.5nmCoFe(4)/0.9nmRu(4)/2.5nmCoFe(4)/1.2nmAlNi合金(9)/2.0nmCu(5)/3nmCoFe(6)/2nmTa(7)/200nmCu(8)
ここで、相分離層9の母材料として用いたAlNi合金は、組成式がAl100−xNix(原子%)で表され、x=0.5、1、10、20、50、60、とした。また、相分離層9と磁化自由層6との間に、2.0nmCuからなる磁気結合遮断層5を挿入した。この磁気結合遮断層5は、AlNi合金からなる相分離層9と磁化自由層6との間の磁気的なカップリングを遮断する程度の厚さが必要であり、その最適膜厚は、1〜3nm程度が望ましい。
次に、本発明の第10の実施例として、アルミニウム(Al)−コバルト(Co)系合金の相分離を利用した磁気抵抗効果素子について説明する。
Si基板(1)/5nmTa(2)/200nmCu(2)/5nm(Ni0.8Fe0.2)78Cr22(2)/10nmPtMn(3)/2.5nmCoFe(4)/0.9nmRu(4)/2.5nmCoFe(4)/1.0nmAlCo合金(9)/2.0nmCu(5)/3nmCoFe(6)/2nmTa(7)/200nmCu(8)
ここで、相分離層9の母材料として用いたAlCo合金は、組成式がAl100−xCox(原子%)で表され、x=0.5、1、10、20、50、60、とした。また、相分離層9と磁化自由層6との間に、2.0nmCuからなる磁気結合遮断層5を挿入した。この磁気結合遮断層5は、AlCo合金からなる相分離層9と磁化自由層6との間の磁気的なカップリングを遮断する程度の厚さが必要であり、その最適膜厚は、1〜3nm程度が望ましい。
次に、本発明の第11の実施例として、相分離層として組成式 Al100−xAgx により表されるAlAg系合金を用いた場合の「スペキュラリティーdGs」を、以下に示す膜構成で膜面内の磁気抵抗変化率(CIP−MR)と膜の比抵抗(Rs)から算出した。スペキュラリティーdGs(1/Ω)は、電子の鏡面反射率を表す一つの指標であり、CIP型MRではこの値が大きくなるほどMR変化率も大きくなる傾向にある。また、スペキュラリティーdGsは、膜構成によってその絶対値は若干異なるが、その傾向(例えば、電子反射層の膜質の優越など)が大きく異なることは少ない。
基板/Ta5/Ru2/PtMn15/CoFe2/Ru1.0/CoFe2/Cu2.5/CoFe2/Cu0.2/Al100−xAgx1.0/Cu0.2/Ru2(元素記号の後の数字は膜厚を表し、その単位はナノメートルである。)
相分離層を構成する合金系 Al100−xAgx における組成xは、0、2、10、20、30、40、50の範囲であり、膜形成後に270℃で10時間の磁界中熱処理を施した。得られた磁気抵抗効果素子の磁気抵抗変化率を測定し、スペキュラリティーdGsを評価した。
次に、本発明の第12の実施例として、一対の強磁性層の間に磁性を有する相分離層を設けることにより形成されたBMR(ballistic magnetoresistance effect)型の抵抗効果素子について説明する。
Si(1)/100nmSiO2(1)/10nmTa(2)/200nmCu(2)/5nmTa(2)/2.5nmCoFe(6)/1.5nmNi0.8Fe0.2(6)/5nmAl0.8Ni0.2(9)/3nmCo0.9Fe0.1(4)/15nmPtMn(3)/5nmTa(8)/200nmCu(8)/100Au(8)
積層構造の形成後に、真空中で、10キロエルステッド(kOe)の磁界を印加して300℃で10時間の熱処理を施した。
次に、本発明の第13の実施例として、本発明の磁気抵抗効果素子を搭載した磁気再生装置について説明する。すなわち、図1乃至図22に関して以上説明した本発明の実施形態の磁気抵抗効果素子あるいは磁気ヘッドは、例えば、記録再生一体型の磁気ヘッドアセンブリに組み込まれ、磁気記録再生装置に搭載することができる。
次に、本発明の第14の実施例として、本発明の実施形態の磁気抵抗効果素子を搭載した磁気メモリについて説明する。すなわち、図1乃至図22に関して説明した本発明の実施形態の磁気抵抗効果素子を用いて、例えば、メモリセルがマトリクス状に配置されたランダムアクセス磁気メモリ(magnetic random access memory)などの磁気メモリを実現できる。
2 下地層
3 反強磁性層
4 磁化固着層
5、5A 磁気結合遮断層
5B 界面調整相分離層
6 磁化自由層
7 保護層
8 上部電極
9 相分離層
10 中間層
150 磁気記録再生装置
152 スピンドル
153 ヘッドスライダ
154 サスペンション
155 アクチュエータアーム
156 ボイスコイルモータ
157 スピンドル
160 磁気ヘッドアッセンブリ
164 リード線
200 磁気記録媒体ディスク
311 記憶素子部分
312 アドレス選択用トランジスタ部分
312 選択用トランジスタ部分
321 磁気抵抗効果素子
322 ビット線
322 配線
323 ワード線
323 配線
324 下部電極
326 ビア
328 配線
330 スイッチングトランジスタ
332 ゲート
332 ワード線
334 ビット線
334 ワード線
350 列デコーダ
351 行デコーダ
352 センスアンプ
360 デコーダ
Claims (20)
- 磁化方向が実質的に一方向に固定された第1の強磁性層と、磁化方向が外部磁界に応じて変化する第2の強磁性層と、前記第1及び第2の強磁性層の間に形成された中間層と、を有する磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略垂直な方向にセンス電流を通電可能とする、前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極と、
複数種の元素からなる合金が固相内分離した第1及び第2の相を有し、前記第1及び第2の相の一方は他方よりも酸素、窒素、フッ素、及び炭素よりなる群から選択された少なくとも一つの元素を高い濃度で含有する、前記一対の電極間に形成された相分離層と、
を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記複数種の元素からなる合金は、銀、金、白金、パラジウム、イリジウム、オスミウム及び銅よりなる第1の群から選択されたいずれか少なくとも一つの元素と、ニッケル、鉄及びコバルトよりなる第2の群から選択された少なくとも一つの元素とを含む合金であって、前記第1の群から選択された元素をMとして組成式 Mx(Ni100‐y(Fe100‐zCoz)y)100‐x により表した場合に、前記第1の群から選択された元素の合計の組成xが1原子%以上で50原子%以下、組成yが0原子%以上で50原子%以下、組成zが0原子%以上で100原子%以下の範囲に含まれる合金、もしくは、組成式 Mx(Co100‐y(Fe100‐zNiz)y)100‐x により表した場合に、組成xが1原子%以上で50原子%以下、組成yが0原子%以上で50原子%以下、組成zが0原子%以上で100原子%以下の範囲に含まれる合金であることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記複数種の元素からなる合金は、銀、金、白金、銅、パラジウム、イリジウム及びオスミウムよりなる第1の群から選択された少なくとも一つの元素と、マグネシウム、カルシウム、シリコン、ゲルマニウム、ボロン、タンタル、タングステン、ニオブ、ジルコニウム、チタン、クロム、亜鉛、リチウム及びガリウムよりなる第2の群から選択された少なくとも一つの元素と、アルミニウムと、を含む合金であって、
前記第1の群から選択された元素をM、前記第2の群から選択された元素をQとして組成式 (Al100−yQy)100−xMx により表した場合に、前記第1の群から選択された元素の合計の組成xが1原子%以上で40原子%以下、前記第2の群から選択された元素の合計の組成yが0原子%以上で30原子%以下の範囲に含まれる合金であることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記複数種の元素からなる合金は、銀、金、白金、銅、パラジウム、イリジウム及びオスミウムよりなる第1の群から選択された少なくとも一つの元素と、アルミニウム、カルシウム、シリコン、ゲルマニウム、亜鉛、リチウム及びガリウムよりなる第2の群から選択された少なくとも一つの元素と、マグネシウムと、を含む合金であって、
前記第1の群から選択された元素をM、前記第2の群から選択された元素をQとして組成式 (Mg100−yQy)100−xMx により表した場合に、前記第1の群から選択された元素の合計の組成xが1原子%以上で40原子%以下、前記第2の群から選択された元素の合計の組成yが0原子%以上で30原子%以下の範囲に含まれる合金であることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記複数種の元素からなる合金は、銀、金、白金、銅、パラジウム、イリジウム及びオスミウムよりなる第1の群から選択された少なくとも一つの元素と、マグネシウム、カルシウム、アルミニウム、ゲルマニウム、亜鉛、リチウム及びガリウムよりなる第2の群から選択された少なくとも一つの元素と、シリコンと、を含む合金であって、
前記第1の群から選択された元素をM、前記第2の群から選択された元素をQとして組成式 (Si100−yQy)100−xMx により表した場合に、前記第1の群から選択された元素の合計の組成xが1原子%以上で40原子%以下、前記第2の群より選択された元素の合計の組成yが0原子%以上で30原子%以下の範囲に含まれる合金であることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記第1及び第2の相の前記他方は、前記一方よりも磁性元素を高い濃度で含有することを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1及び第2の相の前記他方は、前記一方の相の中に点在し、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層とを接続する磁性領域を形成してなることを特徴とする請求項6記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記複数種の元素からなる合金は、鉄(Fe)を主成分とした磁性を有する低抵抗相とモリブデン、マグネシウム、カルシウム、チタン、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム、タンタル、ボロン、アルミニウム及びシリコンよりなる第2の群から選択された少なくとも一つの元素とを含む合金であって、前記第2の群から選択された元素をMとして組成式M100−xFex により表した場合に、鉄の組成xが1原子%以上で50原子%以下の範囲である合金であることを特徴とする請求項1、6及び7のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記複数種の元素からなる合金は、ニッケル(Ni)を主成分とした磁性を有する低抵抗相とモリブデン、マグネシウム、タングステン、チタン、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム、タンタル、ボロン、アルミニウム及びシリコンよりなる第2の群から選択された少なくとも一つの元素とを含む合金であって、前記第2の群から選択された元素をMとして組成式M100−xNix により表した場合に、ニッケルの組成xが1原子%以上で50原子%以下の範囲である合金であることを特徴とする請求項1、6及び7のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記複数種の元素からなる合金は、コバルト(Co)を主成分とした磁性を有する低抵抗相とモリブデン、マグネシウム、タングステン、チタン、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム、タンタル、ボロン、アルミニウム、クロム及びバナジウムよりなる第2の群から選択された少なくとも一つの元素とを含む合金であって、前記第2の群から選択された元素をMとして組成式M100−xCox により表した場合に、コバルトの組成xが1原子%以上で50原子%以下の範囲である合金であることを特徴とする請求項1、6及び7のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記相分離層は、第1の合金が前記固相内分離した第1の層と、前記第1の合金とは異なる第2の合金が前記固相内分離した第2の層と、を積層してなることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1つ記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1及び第2の相のうちの前記他方の相を前記相分離層の粒径の平均値は、前記相分離層の厚みの0.8倍以上4倍以下であり、隣接する前記他方の相の間隔の平均値は、1nm以上10nm未満の範囲にあることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1及び第2の相のうちの前記他方の相どうしの間隔の平均値は、前記第1の強磁性層及び前記第2の強磁性層の結晶粒径の平均値よりも小さいことを特徴とする請求項1〜12のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子。
- 磁化方向が実質的に一方向に固定された第1の強磁性層と、磁化方向が外部磁界に応じて変化する第2の強磁性層と、前記第1及び第2の強磁性層の間に形成された中間層と、を有する磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略垂直な方向にセンス電流を通電可能とする、前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極と、
酸素、窒素、フッ素、及び炭素よりなる群から選択された少なくとも1つの元素を高い濃度で含有する第1の領域と低い濃度で含有する第2の領域とを有し、前記一対の電極間に形成された第3の磁性層と、
前記第1または第2の強磁性層と第3の磁性層との間に形成された磁気結合遮断層と、
を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 磁化方向が実質的に一方向に固定された第1の強磁性層と、磁化方向が外部磁界に応じて変化する第2の強磁性層と、前記第1及び第2の強磁性層の間に形成された中間層とを有する磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略垂直な方向にセンス電流を通電可能とする、前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極と、
酸素、窒素、フッ素及び炭素よりなる群から選択された少なくとも1つの元素を高い濃度で含有する第1の領域と低い濃度で含有する第2の領域とを有し、前記一対の電極間に形成された第3の磁性層と、
前記第1または第2の強磁性層と第3の磁性層との間に形成され、膜厚が1ナノメートル以上3ナノメートル以下の、銅、金、銀、レニウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウム、クロム、マグネシウム、アルミニウム、ロジウム及び白金よりなる群から選択された少なくとも1つの元素を含有する層と、
を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 磁化方向が実質的に一方向に固定された第1の強磁性層と、磁化方向が外部磁界に応じて変化する第2の強磁性層と、前記第1及び第2の強磁性層の間に形成された中間層とを有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略垂直な方向にセンス電流を通電可能とする、前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
2種類以上の元素からなる合金層を相分離させて互いに組成が異なる第1及び第2の相を膜面内に分布させる工程を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 酸素、窒素、フッ素及び炭素よりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を、前記第1及び第2の相のいずれか一方の相に対して優先的に反応させることを特徴とする請求項16記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 前記元素のプラズマあるいはラジカルを形成し前記反応させることを特徴とする請求項17記載の磁気抵抗効果素子。
- 請求項1〜15のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子を備えたことを特徴とする磁気ヘッド。
- 請求項19記載の磁気ヘッドを備え、磁気記録媒体に磁気的に記録された情報の読み取りを可能としたことを特徴とする磁気再生装置。
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