JP2009055038A - Ccp型cpp−gmr素子およびその製造方法、ならびにccp層の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板上に形成した銅層11の上に、Al,Mg,AlMg等の窒化性材料に銅を混入させてなる混合材料層を形成する。次に、銅層11を150°C以上に保って銅層11が窒化銅に変換されないようにしつつ、混合材料層に対して窒化処理を行う。これにより、窒化性材料が窒化されて絶縁層としての窒化物領域13が形成されると共に、この窒化物領域13によって囲まれるようにして銅が分結した導電パス(銅フィラメント12)が複数形成される。この銅フィラメント12は、銅層11から窒化物領域13を膜厚方向に貫通してその上面に達する。こうして、窒化物領域13および銅フィラメント12を含むCCP層20が形成される。
【選択図】 図1
Description
(a)極めて高い銅純度
(b)周辺の磁性層の酸素汚染の防止
(c)抵抗変化率dR/Rの向上
Claims (18)
- 基板上に銅層を形成する工程と、
前記銅層の上に、窒化性材料(a nitridable material )に銅を混入させてなる混合材料層を形成する工程と、
前記銅層を150°C以上に保ってこの銅層が窒化銅に変換されるのを防止しつつ、前記混合材料層に対して窒化処理を行うことにより、電流路制限(CCP)層を形成する工程と
を含むことを特徴とするCCP層の形成方法。 - 前記CCP層の上に、窒化性材料に銅を混入させてなる1層以上の追加の混合材料層を形成する工程と、
150°C以上の温度の下で前記追加の混合材料層の各々に対して前記窒化処理を行うことにより、より厚いCCP層を形成する工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のCCP層の形成方法。 - 前記混合材料層における銅混入量を、0原子%より大きく20原子%以下とする
ことを特徴とする請求項1に記載のCCP層の形成方法。 - 前記窒化処理の工程において、
「パワー10W〜200W、アルゴン(Ar)ガスまたは(クリプトン)Krガスの流量10sccm〜200sccm、処理時間200秒」という条件の下で、アルミニウム(Al)またはその他の材料からなる混合材料層に対して表面から0.3nmないし2nmの深さまでプラズマ処理を行ったのち、
「高周波(RF)パワー10W〜300W、流量10sccm〜200sccmのArガスまたはKrガスと流量0.01sccm〜50sccmの窒素ガスとの混合ガス、処理時間5秒〜1000秒」という条件の下でプラズマ窒化処理を行う
ことを特徴とする請求項1に記載のCCP層の形成方法。 - 前記窒化性材料を、アルミニウム(Al),マグネシウム(Mg),アルミニウム銅(AlCu),AlMg(アルミニウムマグネシウム),ハフニウム(Hf),タンタル(Ta),クロム(Cr),チタン(Ti),ジルコニウム(Zr)およびシリコン(Si)からなる群から選択する
ことを特徴とする請求項1に記載のCCP層の形成方法。 - 前記銅層の膜厚を1.5nmとする
ことを特徴とする請求項1に記載のCCP層の形成方法。 - 前記混合材料層の膜厚を0.3nm〜2nmとする
ことを特徴とする請求項1に記載のCCP層の形成方法。 - 基板上に磁気ピンド層を形成する工程と、
前記磁気ピンド層の上に銅層を形成する工程と、
前記銅層の上に、窒化性材料に銅を混入させてなる混合材料層を形成する工程と、
前記銅層を150°C以上に保ってこの銅層が窒化銅に変換されるのを防止しつつ、前記混合材料層に対して窒化処理を行うことにより、前記磁気ピンド層を酸化させることなく、CCP層を形成する工程と、
前記CCP層の上に磁気フリー層を形成することにより、この磁気フリー層の意図しない酸化を回避する工程と、
前記磁気フリー層の上に上部電極を形成する工程と
を含むことを特徴とするCCP型CPP−GMR素子の製造方法。 - 前記CCP層の上に、銅が混入した1層以上の追加の混合材料層を形成する工程と、
150°Cの温度の下で前記追加の混合材料層の各々に対して前記窒化処理を行うことにより、より厚いCCP層を形成する
ことを特徴とする請求項8に記載のCCP型CPP−GMR素子の製造方法。 - 前記混合材料層における銅混入量を、0原子%より大きく20原子%以下とする
ことを特徴とする請求項8に記載のCCP型CPP−GMR素子の製造方法。 - 前記窒化処理の工程において、
「パワー10W〜200W、ArガスまたはKrガスの流量10sccm〜200sccm、処理時間200秒」という条件の下で、Alまたはその他の材料からなる混合材料層に対して表面から0.3nmないし2nmの深さまでプラズマ処理を行ったのち、
「RFパワー10W〜300W、流量10sccm〜200sccmのArガスまたはKrガスと流量0.01sccm〜50sccmの窒素ガスとの混合ガス、処理時間5秒〜1000秒」という条件の下でプラズマ窒化処理を行う
ことを特徴とする請求項8に記載のCCP型CPP−GMR素子の製造方法。 - 前記窒化性材料層を、Al,Mg,AlCu,AlMg,Hf,Ta,Cr,Ti,ZrおよびSiからなる群から選択する
ことを特徴とする請求項8に記載のCCP型CPP−GMR素子の製造方法。 - 前記銅層の膜厚を1.5nmとし、
前記混合材料層の膜厚を0.3nm〜2nmとする
ことを特徴とする請求項8に記載のCCP型CPP−GMR素子の製造方法。 - 酸素混入のない磁気ピンド層の上に形成された銅層と、
前記銅層の上に形成された金属窒化物絶縁層と、
前記銅層から前記金属窒化物絶縁層の上面まで達するようにこの金属窒化物絶縁層を貫通し、電流を制限する複数の純銅フィラメントと、
前記金属窒化物絶縁層の上に形成された、酸素混入のない磁気フリー層と、
前記磁気フリー層の上に形成された上部電極と
を備えたことを特徴とするCCP型CPP−GMR素子。 - 前記銅層と前記フリー層との間に追加のCCP層をさらに備えた
ことを特徴とする請求項14に記載のCCP型CPP−GMR素子。 - 前記追加のCCP層の相互間に銅層が形成されている
ことを特徴とする請求項15に記載のCCP型CPP−GMR素子。 - 前記金属窒化物絶縁層は、Al,Mg,AlCu,Ti,Hf,Cr,Zr,Fe,SiおよびTaからなる群から選ばれる材料の窒化物により形成されている
ことを特徴とする請求項14に記載のCCP型CPP−GMR素子。 - 前記金属窒化物絶縁層の膜厚は0.2nm〜2nmである
ことを特徴とする請求項14に記載のCCP型CPP−GMR素子。
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