JP2008041827A - トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 - Google Patents
トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008041827A JP2008041827A JP2006212237A JP2006212237A JP2008041827A JP 2008041827 A JP2008041827 A JP 2008041827A JP 2006212237 A JP2006212237 A JP 2006212237A JP 2006212237 A JP2006212237 A JP 2006212237A JP 2008041827 A JP2008041827 A JP 2008041827A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- content
- enhancement
- insulating barrier
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/098—Magnetoresistive devices comprising tunnel junctions, e.g. tunnel magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
- H01F41/302—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F41/305—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices applying the spacer or adjusting its interface, e.g. in order to enable particular effect different from exchange coupling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Abstract
フリー磁性層の磁歪の増大が低く、かつ抵抗変化率の高いトンネル型磁気検出素子を得る。
【解決手段】
トンネル型磁気検出素子を構成する積層体T1は、下から、固定磁性層4、絶縁障壁層5、及びフリー磁性層8の順に形成された部分を有する。前記フリー磁性層8の絶縁障壁層5側に形成されたエンハンス層6を、絶縁障壁層5側の第1エンハンス層6aと軟磁性層7側の第2エンハンス層6bとし、第1エンハンス層6aを形成するCoFe合金のFe含有量を、第2エンハンス層のCoFe合金のFe含有量より大きいものとする。これにより、フリー磁性層の磁歪の増大を抑え、抵抗変化率を高くすることができる。
【選択図】図1
Description
上記のような課題はいずれの特許文献にも記載されていない。
下から、第1磁性層、絶縁障壁層、第2磁性層の順で積層され、前記第1磁性層及び前記第2磁性層のどちらか一方が、磁化方向が固定される固定磁性層で、他方が外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層であり、
前記フリー磁性層は、軟磁性層と、前記軟磁性層よりも膜厚が薄く、前記軟磁性層と前記絶縁障壁層との間に介在するエンハンス層とで構成され、
前記エンハンス層はコバルト鉄(CoFe)合金で形成され、前記エンハンス層のFe含有量は、前記絶縁障壁層との界面側のほうが、前記軟磁性層との界面側に比べて大きいことを特徴とするものである。
本発明では、前記エンハンス層の膜厚は6〜20Åであることが好ましい。
(b) 前記金属層あるいは半導体層を酸化して、絶縁障壁層を形成する工程、
(c) 前記絶縁障壁層上に、次工程で形成される軟磁性層よりも薄い膜厚でCoFe合金からなるエンハンス層を形成し、このとき、前記エンハンス層を、少なくとも前記絶縁障壁層に接する第1エンハンス層と、前記軟磁性層に接する第2エンハンス層とを有する積層構造で形成するとともに、前記第1エンハンス層のFe含有量を、前記第2エンハンス層を含む他のエンハンス層のFe含有量に比べて大きくする工程、
(d) 前記エンハンス層上に前記軟磁性層を形成して、前記エンハンス層と前記軟磁性層とでフリー磁性層を構成する工程。
前記フリー磁性層8上にはTa等で形成された保護層9が形成されている。
積層体T1を、下から、下地層1;Ta(80)/シード層2;NiFeCr(50)/反強磁性層3;IrMn(70)/固定磁性層4[第1固定磁性層4a;Co70at%Fe30at%(14)/非磁性中間層4b;Ru(8.5)/第2固定磁性層4c;Co90at%Fe10at%(18)]/絶縁障壁層5/フリー磁性層8[第1エンハンス層6a/第2エンハンス層6b/軟磁性層7]/保護層9;Ta(200)の順に積層した。なお括弧内の数値は平均膜厚を示し単位はÅである。
前記固定磁性層4上に、Ti−Oからなる絶縁障壁層5を形成した。さらに、前記絶縁障壁層5上に、Fe含有量の異なるCoFe合金を2層形成し、第1エンハンス層6aおよび第2エンハンス層6bを形成し、さらに前記第2エンハンス6b上に、Ni86at%Fe14at%(実施例2は、Ni83.5at%Fe16.5at%である)を膜厚50Åで形成し、軟磁性層7を形成し、フリー磁性層8を形成した。
前記固定磁性層4上に、Al−Oからなる絶縁障壁層5を形成した。さらに、前記絶縁障壁層5上に、Fe含有量50(at%)のCoFe合金で第1エンハンス層6a、Fe含有量10(at%)のCoFe合金で第2エンハンス層6bを形成し、さらに前記第2エンハンス6b上に、Ni83.5at%Fe16.5at%を膜厚50Åで形成して軟磁性層7を形成した。なお、前記絶縁障壁層5がAl−Oの場合、前記第2固定磁性層4cはCo60at%Fe20at%B20at%で形成した。Bはホウ素(ボロン)である。
表2の比較例2は、Fe含有量30(at%)のCoFe合金でエンハンス層を1層のみ形成したものであり、エンハンス層の組成以外は、実施例4と同じである。
4 固定磁性層
4a 第1固定磁性層
4b 非磁性中間層
4c 第2固定磁性層
5 絶縁障壁層
6 エンハンス層
6a 第1エンハンス層
6b 第2エンハンス層
7 軟磁性層
8 フリー磁性層
9 保護層
15 金属層
21 下部シールド層
22,24 絶縁層
23 ハードバイアス層
26 上部シールド層
Claims (14)
- 下から、第1磁性層、絶縁障壁層、第2磁性層の順で積層され、前記第1磁性層及び前記第2磁性層のどちらか一方が、磁化方向が固定される固定磁性層で、他方が外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層であり、
前記フリー磁性層は、軟磁性層と、前記軟磁性層よりも膜厚が薄く、前記軟磁性層と前記絶縁障壁層との間に介在するエンハンス層とで構成され、
前記エンハンス層はコバルト鉄(CoFe)合金で形成され、前記エンハンス層のFe含有量は、前記絶縁障壁層との界面側のほうが、前記軟磁性層との界面側に比べて大きいことを特徴とするトンネル型磁気検出素子。 - 前記Fe組成比は、前記絶縁障壁層との界面から前記軟磁性層との界面に向けて徐々に小さくなっている請求項1記載のトンネル型磁気検出素子。
- 前記エンハンス層は、少なくとも前記絶縁障壁層に接する第1エンハンス層と、前記軟磁性層に接する第2エンハンス層とを有する積層構造で形成され、前記第1エンハンス層のFe含有量は、前記第2エンハンス層を含む他のエンハンス層のFe含有量よりも大きい請求項1記載のトンネル型磁気検出素子。
- 前記絶縁障壁層は酸化チタン(Ti−O)で形成され、前記絶縁障壁層との界面側でのFe含有量、あるいは、前記第1エンハンス層のFe含有量は50(at%)よりも大きく100(at%)以下である請求項1ないし3のいずれかに記載のトンネル型磁気検出素子。
- 前記軟磁性層との界面側でのFe含有量、あるいは、前記第2エンハンス層のFe含有量は0(at%)以上で50(at%)以下である請求項4記載のトンネル型磁気検出素子。
- 前記絶縁障壁層は酸化アルミニウム(Al−O)で形成され、前記絶縁障壁層との界面側でのFe含有量、あるいは、前記第1エンハンス層のFe含有量は40(at%)以上で100(at%)以下である請求項1ないし3のいずれかに記載のトンネル型磁気検出素子。
- 前記軟磁性層との界面側でのFe含有量、あるいは、前記第2エンハンス層のFe含有量は0(at%)以上で40(at%)より小さい請求項6記載のトンネル型磁気検出素子。
- 前記第1磁性層が固定磁性層で、前記第2磁性層がフリー磁性層である請求項1ないし7のいずれかに記載のトンネル型磁気検出素子。
- 前記エンハンス層の全膜厚は6〜20Åである請求項1ないし8のいずれかに記載のトンネル型磁気検出素子。
- 以下の工程を有することを特徴とするトンネル型磁気検出素子の製造方法。
(a) 固定磁性層を形成し、前記固定磁性層上に金属層あるいは半導体層を形成する工程、
(b) 前記金属層あるいは半導体層を酸化して、絶縁障壁層を形成する工程、
(c) 前記絶縁障壁層上に、次工程で形成される軟磁性層よりも薄い膜厚でCoFe合金からなるエンハンス層を形成し、このとき、前記エンハンス層を、少なくとも前記絶縁障壁層に接する第1エンハンス層と、前記軟磁性層に接する第2エンハンス層とを有する積層構造で形成するとともに、前記第1エンハンス層のFe含有量を、前記第2エンハンス層を含む他のエンハンス層のFe含有量に比べて大きくする工程、
(d) 前記エンハンス層上に前記軟磁性層を形成して、前記エンハンス層と前記軟磁性層とでフリー磁性層を構成する工程。 - 前記エンハンス層の全膜厚を6〜20Åで形成する請求項10記載のトンネル型磁気検出素子の製造方法。
- 前記絶縁障壁層を酸化チタン(Ti−O)で形成したとき、前記第1エンハンス層のFe含有量を50(at%)よりも大きく100(at%)以下とし、さらに前記第2エンハンス層のFe含有量を0(at%)以上で50(at%)以下とする請求項10または11に記載のトンネル型磁気検出素子の製造方法。
- 前記絶縁障壁層を酸化アルミニウム(Al−O)で形成したとき、前記第1エンハンス層のFe含有量を40(at%)以上で100(at%)以下とし、さらに前記第2エンハンス層のFe含有量を0(at%)以上で40(at%)より小さくする請求項10または11に記載のトンネル型磁気検出素子の製造方法。
- 前記(d)工程後、アニール処理を行う請求項10ないし13のいずれかに記載のトンネル型磁気検出素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006212237A JP2008041827A (ja) | 2006-08-03 | 2006-08-03 | トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 |
US11/880,730 US7898776B2 (en) | 2006-08-03 | 2007-07-24 | Tunneling magnetic sensing element including enhancing layer having high Fe concentration in the vicinity of barrier layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006212237A JP2008041827A (ja) | 2006-08-03 | 2006-08-03 | トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008041827A true JP2008041827A (ja) | 2008-02-21 |
Family
ID=39028906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006212237A Pending JP2008041827A (ja) | 2006-08-03 | 2006-08-03 | トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7898776B2 (ja) |
JP (1) | JP2008041827A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8445979B2 (en) | 2009-09-11 | 2013-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic memory devices including magnetic layers separated by tunnel barriers |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006128410A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子及びその製造方法 |
US7695761B1 (en) | 2006-12-21 | 2010-04-13 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a spin tunneling magnetic element having a crystalline barrier layer |
US8559141B1 (en) | 2007-05-07 | 2013-10-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Spin tunneling magnetic element promoting free layer crystal growth from a barrier layer interface |
US8545999B1 (en) | 2008-02-21 | 2013-10-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a magnetoresistive structure |
US8498084B1 (en) | 2009-07-21 | 2013-07-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetoresistive sensors having an improved free layer |
US8194365B1 (en) | 2009-09-03 | 2012-06-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read sensor having a low magnetostriction free layer |
US8760823B1 (en) | 2011-12-20 | 2014-06-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having soft and hard magnetic bias structures |
US8611054B1 (en) | 2012-04-11 | 2013-12-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Antiferromagnetically-coupled soft bias magnetoresistive read head, and fabrication method therefore |
US9070381B1 (en) | 2013-04-12 | 2015-06-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording read transducer having a laminated free layer |
US9007725B1 (en) | 2014-10-07 | 2015-04-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Sensor with positive coupling between dual ferromagnetic free layer laminates |
US9449621B1 (en) | 2015-03-26 | 2016-09-20 | Western Digital (Fremont), Llc | Dual free layer magnetic reader having a rear bias structure having a high aspect ratio |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5966012A (en) * | 1997-10-07 | 1999-10-12 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction device with improved fixed and free ferromagnetic layers |
JP3263016B2 (ja) | 1997-10-20 | 2002-03-04 | アルプス電気株式会社 | スピンバルブ型薄膜素子 |
JP3235572B2 (ja) * | 1998-09-18 | 2001-12-04 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用したシステム |
JP2003031867A (ja) | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | 酸化物磁性層と金属磁性膜を積層した磁気抵抗効果素子 |
JP4024499B2 (ja) | 2001-08-15 | 2007-12-19 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
JP3973442B2 (ja) * | 2001-09-25 | 2007-09-12 | アルプス電気株式会社 | 磁気検出素子及びその製造方法 |
JP3795841B2 (ja) | 2002-06-27 | 2006-07-12 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 |
JP4776164B2 (ja) | 2003-12-25 | 2011-09-21 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置および磁気メモリ |
US7283333B2 (en) * | 2004-02-11 | 2007-10-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Self-pinned double tunnel junction head |
US7256971B2 (en) * | 2004-03-09 | 2007-08-14 | Headway Technologies, Inc. | Process and structure to fabricate CPP spin valve heads for ultra-high recording density |
JP2006032522A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Alps Electric Co Ltd | 交換結合膜と前記交換結合膜を用いた磁気検出素子 |
JP2006128410A (ja) | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子及びその製造方法 |
JP4387923B2 (ja) | 2004-11-02 | 2009-12-24 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 |
US7683445B2 (en) * | 2005-02-24 | 2010-03-23 | Everspin Technologies, Inc. | Enhanced permeability device structures and method |
US7800868B2 (en) * | 2005-12-16 | 2010-09-21 | Seagate Technology Llc | Magnetic sensing device including a sense enhancing layer |
US8653615B2 (en) * | 2008-11-19 | 2014-02-18 | Headway Technologies, Inc. | MR device with synthetic free layer structure |
-
2006
- 2006-08-03 JP JP2006212237A patent/JP2008041827A/ja active Pending
-
2007
- 2007-07-24 US US11/880,730 patent/US7898776B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8445979B2 (en) | 2009-09-11 | 2013-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic memory devices including magnetic layers separated by tunnel barriers |
US9048412B2 (en) | 2009-09-11 | 2015-06-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic memory devices including magnetic layers separated by tunnel barriers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7898776B2 (en) | 2011-03-01 |
US20080030907A1 (en) | 2008-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4862564B2 (ja) | トンネル型磁気検出素子およびその製造方法 | |
JP5210533B2 (ja) | トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 | |
US7898776B2 (en) | Tunneling magnetic sensing element including enhancing layer having high Fe concentration in the vicinity of barrier layer | |
US20080151438A1 (en) | Magnetoresistive element | |
JP2008103662A (ja) | トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 | |
JPWO2008050790A1 (ja) | トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 | |
JP2008288235A (ja) | 磁気検出素子及びその製造方法 | |
US20080186639A1 (en) | Tunneling magnetic sensing element and method for producing same | |
JP4544037B2 (ja) | 磁気検出素子及びその製造方法 | |
JP2007194327A (ja) | トンネル型磁気検出素子 | |
JP2007142257A (ja) | 磁気検出素子 | |
JP2007194457A (ja) | トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 | |
JP2008034784A (ja) | トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 | |
JP4381358B2 (ja) | 磁気検出素子 | |
JP2008283018A (ja) | トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 | |
JP2008192827A (ja) | トンネル型磁気検出素子 | |
JP2008227297A (ja) | トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 | |
JP4830876B2 (ja) | トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 | |
JP2008066640A (ja) | トンネル型磁気検出素子およびその製造方法 | |
JP2008078378A (ja) | トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 | |
JP5061595B2 (ja) | トンネル型磁気検出素子の製造方法 | |
JP2008218735A (ja) | トンネル型磁気検出素子 | |
JP2006310620A (ja) | 磁気検出素子及びその製造方法 | |
US20080160326A1 (en) | Tunneling magnetic sensing element and method for manufacturing the same | |
JP2008078379A (ja) | トンネル型磁気検出素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080111 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081216 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090421 |