JP2007194327A - トンネル型磁気検出素子 - Google Patents
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Abstract
【構成】 シード層6は、NiFeCr層16/Al層17の積層構造で形成される。これにより、シード層をNiFeCr層の単層で形成していた従来よりも、絶縁障壁層9の表面粗さを安定して小さくでき、したがって本実施形態のトンネル型磁気検出素子4によれば、安定して優れた抵抗変化率(ΔR/R)に代表されるMR特性を得ることが可能である。
【選択図】 図1
Description
磁化方向が所定方向に固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に絶縁障壁層を介して対向し外部磁界により磁化が変動するフリー磁性層とを有して成る磁気抵抗効果部と、前記磁気抵抗効果部の下に設けられたシード層とを有し、
前記シード層はNiFeCr層上にAl層が積層された構造で形成されることを特徴とするものである。
磁化方向が所定方向に固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に絶縁障壁層を介して対向し外部磁界により磁化が変動するフリー磁性層とを有して成る磁気抵抗効果部と、前記磁気抵抗効果部の下に設けられたシード層とを有し、
前記シード層はNiFeCr層上にCo層が積層され、さらに前記Co層上にAl層が積層された構造で形成されることを特徴とするものである。
磁化方向が所定方向に固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に絶縁障壁層を介して対向し外部磁界により磁化が変動するフリー磁性層とを有して成る磁気抵抗効果部と、前記磁気抵抗効果部の下に設けられたシード層とを有し、
前記シード層はNiFeCrを主体として形成され、前記シード層の表面領域でのAl平均濃度は、前記表面領域より下側のシード領域でのAl平均濃度に比べて高いことを特徴とするものである。
磁化方向が所定方向に固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に絶縁障壁層を介して対向し外部磁界により磁化が変動するフリー磁性層とを有して成る磁気抵抗効果部と、前記磁気抵抗効果部の下に設けられたシード層とを有し、
前記シード層はNiFeCrを主体として形成され、前記シード層の表面領域にはCo高濃度領域と、前記Co高濃度領域より上にAl高濃度領域が存在し、前記Co高濃度領域では、前記Co高濃度領域より下側のシード領域に比べてCo平均濃度が高く、前記Al高濃度領域では、前記Al高濃度領域より下側のシード領域に比べてAl平均濃度が高いことを特徴とするものである。
前記シード層6は、NiFeCr層16と、前記NiFeCr層16上に形成されたAl層17との積層構造である。
図1に示すように、前記積層体5のトラック幅方向(図示X方向)における両側端面5a,5aは、下側から上側に向けて徐々に前記トラック幅方向の幅寸法が小さくなるように傾斜面で形成されている。
図1に示すように、前記シード層6はNiFeCr層16上にAl層17が積層された2層構造で形成される。そして前記シード層6上に前記磁気抵抗効果部15を構成する反強磁性層7が直接形成されている。
そして前記保護層11及び上側絶縁層14上に上部シールド層18を形成する。
その結果は以下の表1に示されている。
基本膜構成は下から、基板/NiFeCr/[形成なし or Al or Co/Al]/IrMn(55)/Co70at%Fe30at%/Ru(9)/Co(22)/Cu(19)/Co90at%Fe10at%(12)/Co70at%Fe30at%(4)/Ni80at%Fe20at%(13)/Co90at%Fe10at%(3)/Ta(16)であった。なお括弧内の数値は膜厚を示し単位はÅである。
5 積層体
6、20 シード層
6a、20a (シード層の)表面領域
7 反強磁性層
8 固定磁性層
9 絶縁障壁層
10 フリー磁性層
11 保護層
15 磁気抵抗効果部
16、21 NiFeCr層
17、23 Al層
22 Co層
Claims (4)
- 磁化方向が所定方向に固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に絶縁障壁層を介して対向し外部磁界により磁化が変動するフリー磁性層とを有して成る磁気抵抗効果部と、前記磁気抵抗効果部の下に設けられたシード層とを有し、
前記シード層はNiFeCr層上にAl層が積層された構造で形成されることを特徴とするトンネル型磁気検出素子。 - 磁化方向が所定方向に固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に絶縁障壁層を介して対向し外部磁界により磁化が変動するフリー磁性層とを有して成る磁気抵抗効果部と、前記磁気抵抗効果部の下に設けられたシード層とを有し、
前記シード層はNiFeCr層上にCo層が積層され、さらに前記Co層上にAl層が積層された構造で形成されることを特徴とするトンネル型磁気検出素子。 - 磁化方向が所定方向に固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に絶縁障壁層を介して対向し外部磁界により磁化が変動するフリー磁性層とを有して成る磁気抵抗効果部と、前記磁気抵抗効果部の下に設けられたシード層とを有し、
前記シード層はNiFeCrを主体として形成され、前記シード層の表面領域でのAl平均濃度は、前記表面領域より下側のシード領域でのAl平均濃度に比べて高いことを特徴とするトンネル型磁気検出素子。 - 磁化方向が所定方向に固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に絶縁障壁層を介して対向し外部磁界により磁化が変動するフリー磁性層とを有して成る磁気抵抗効果部と、前記磁気抵抗効果部の下に設けられたシード層とを有し、
前記シード層はNiFeCrを主体として形成され、前記シード層の表面領域にはCo高濃度領域と、前記Co高濃度領域より上にAl高濃度領域が存在し、前記Co高濃度領域では、前記Co高濃度領域より下側のシード領域に比べてCo平均濃度が高く、前記Al高濃度領域では、前記Al高濃度領域より下側のシード領域に比べてAl平均濃度が高いことを特徴とするトンネル型磁気検出素子。
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