JP2004139594A - 内部供給電圧のパワーアップ傾きを制御するための内部電圧変換器構造 - Google Patents
内部供給電圧のパワーアップ傾きを制御するための内部電圧変換器構造 Download PDFInfo
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- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
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- G05F1/465—Internal voltage generators for integrated circuits, e.g. step down generators
Abstract
【解決手段】 ここに開示される増加電圧回路は半導体メモリ装置の休止区間から初期パワーアップまたはウェークアップ遷移の時、パワーアップ傾きを増加させて内部供給電圧を供給する。そのような増加電圧回路はパワーアップ信号に応答して動作し、パワーアップ傾きを少なくとも2桁だけ増加させることができる。これによって、メモリ装置はより速くターンオンされる。一実施の形態において、パワーオン電圧を増加させるためにレベルシフトが使用される。他の実施の形態において、内部電圧ラインはパワーアップ用PMOSまたは空乏型NMOSトランジスタのターンオンを通じて外部電圧ラインと効果的に連結される。
【選択図】 図6
Description
120 パワーレベル検出器
130 Vext/Vint短絡回路
140 CEバッファ
160 CMDレジスタ
200 スタンバイIVC駆動器
300 アクティブIVC駆動器
400 電圧レギュレータ
600 内部電圧変換器
650 アクティブIVC制御器
Claims (24)
- メモリ装置の内部動作電圧発生回路において、
外部電圧を受け入れてパワーアップ信号を発生するパワーレベル検出器と、
前記パワーレベル検出器に連結され、前記パワーアップ信号が入力される時に、内部動作電圧を最小動作電圧に増加させる増加電圧発生器とを含むことを特徴とする内部動作電圧発生回路。 - 前記内部動作電圧が前記増加電圧発生器によって増加した後に、少なくとも前記最小動作電圧に前記内部動作電圧を維持させるスタンバイ電圧発生器をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の内部動作電圧発生回路。
- 前記増加電圧発生器は前記最小動作電圧に到達した後に、ターンオフされることを特徴とする請求項2に記載の内部動作電圧発生回路。
- 前記増加電圧発生器は前記パワーアップ信号が生成される前に、出力電圧を生成しないことを特徴とする請求項1に記載の内部動作電圧発生回路。
- 前記パワーアップ信号はメモリ装置の休止動作区間の終了を示すウェークアップ信号であることを特徴とする請求項1に記載の内部動作電圧発生回路。
- メモリ装置の内部動作電圧発生回路において、
パワーアップ信号を受け入れるための入力段を有し、前記パワーアップ信号が入力される時に、制御信号を発生する電圧制御器と、
一つまたはそれより多くの電圧駆動器とを含み、
前記電圧駆動器の各々は個別入力及び共通出力を有し、前記制御信号が各入力に印加される時に、前記共通出力の前記内部動作電圧を増加させることを特徴とする内部動作電圧発生回路。 - 前記電圧制御器は
複数個の入力を有する制御ロジックと、
前記制御ロジックの出力に連結された電圧レベルシフトとを含むことを特徴とする請求項6に記載の内部動作電圧発生回路。 - 前記複数個の入力のうち一つは前記パワーアップ信号であることを特徴とする請求項7に記載の内部動作電圧発生回路。
- 前記電圧レベルシフトは前記制御ロジックの出力を受け入れて前記制御信号を発生することを特徴とする請求項7に記載の内部動作電圧発生回路。
- 前記電圧駆動器のうち少なくとも一つは、
外部電圧ラインに連結された第1回路部と、
前記第1回路部及び前記共通出力に連結され、前記制御信号が印加される時に、前記共通出力の電圧を増加させる電圧増加回路とを含むことを特徴とする請求項7に記載の内部動作電圧発生回路。 - 前記内部動作電圧が前記電圧駆動器のうち一つまたはそれより多くの駆動器によって前記最小動作電圧に増加した後に、少なくとも前記最小動作電圧に前記内部動作電圧を維持させるスタンバイ電圧発生器をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の内部動作電圧発生回路。
- 前記電圧駆動器のうち少なくとも一つは前記最小動作電圧に到逹した後に、ターンオフされることを特徴とする請求項11に記載の内部動作電圧発生回路。
- 前記電圧駆動器の全部は前記最小動作電圧に到逹した後に、ターンオフされることを特徴とする請求項12に記載の内部動作電圧発生回路。
- 前記電圧駆動器は前記スタンバイ電圧発生器より大きい電圧増加能力を有することを特徴とする請求項11に記載の内部動作電圧発生回路。
- メモリ装置に使用される内部動作電圧を発生する電圧増加回路において、
外部電圧を受け入れてパワーアップ信号を発生するパワーレベル検出器と、
外部電圧ラインに連結され、前記パワーアップ信号が印加される時に、前記外部電圧ラインを内部供給ラインに連結する短絡回路とを含むことを特徴とする電圧増加回路。 - 前記短絡回路は前記外部電圧ラインに連結されたソース、前記パワーアップ信号を受け入れるための制御ゲート、及び前記内部電圧ラインに連結されたドレインを有するPMOSトランジスタを含むことを特徴とする請求項15に記載の電圧増加回路。
- 前記短絡回路は前記外部電圧ラインに連結されたソース、前記パワーアップ信号を受け入れるための制御ゲート、及び前記内部電圧ラインに連結されたドレインを有する空乏型NMOSトランジスタを含むことを特徴とする請求項15に記載の電圧増加回路。
- メモリ装置の内部電圧増加回路において、
パワーアップ信号を受け入れる入力を有し、前記パワーアップ信号が印加される時に、制御信号を発生する電圧制御器と、
各入力及び共通出力を有し、前記制御信号が入力される時に、前記共通出力の内部電圧を増加させる一つまたはそれより多くの制御器駆動器と、
外部電圧に連結され、前記パワーアップ信号が入力される時に、前記共通出力を前記外部電圧に連結する短絡回路とを含むことを特徴とする内部電圧増加回路。 - 前記短絡回路は前記外部電圧に連結されたソース、前記パワーアップ信号を受け入れるための制御ゲート、及び前記共通出力に連結されたドレインを有するPMOSトランジスタを含むことを特徴とする請求項18に記載の内部電圧増加回路。
- 前記短絡回路は前記外部電圧に連結されたソース、前記制御信号を受け入れるための制御ゲート、及び前記共通出力に連結されたドレインを有する空乏型NMOSトランジスタを含むことを特徴とする請求項18に記載の内部電圧増加回路。
- メモリ装置で内部動作電圧を生成する方法において、
パワーアップ信号を検出する段階と、
前記パワーアップ信号が検出される時に、イネーブル信号を発生する段階と、
一つまたはそれより多くの電圧増加回路に前記イネーブル信号を提供する段階と、
前記イネーブル信号が前記一つまたはそれより多くの電圧増加回路に印加される時に、前記内部動作電圧を制御電圧で最小動作電圧に増加させる段階とを含むことを特徴とする方法。 - 前記内部動作電圧が前記最小動作電圧に到逹する時に、前記一つまたはそれより多くの電圧増加回路を非活性化させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記一つまたはそれより多くの電圧増加回路がターンオフされた後に、前記内部動作電圧を少なくとも前記最小動作電圧に維持させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 少なくとも前記内部動作電圧が前記最小動作電圧に到逹するまで、前記一つまたはそれより多くの電圧増加回路の動作と同時にスタンバイ電圧発生器を動作させる段階をさらに含み、これによって、電圧増加時間が増加することを特徴とする請求項22に記載の方法。
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