JP2004083905A - 熱伝導性充填剤、熱伝導性シリコーンエラストマー組成物および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(1)表面が脂肪酸により処理またはコーテイングされ、さらにエポキシ基含有化合物およびエポキシ樹脂用硬化触媒より処理またはコーテイングされた熱伝導性充填剤、(2)表面が脂肪酸により処理またはコーテイングされ、さらにエポキシ基含有化合物およびエポキシ樹脂用硬化触媒より処理またはコーテイングされた熱伝導性充填剤を含有することを特徴とする熱伝導性シリコーンエラストマー組成物、および(3)前記熱伝導性シリコーンエラストマー組成物により半導体素子を被覆し硬化してなることを特徴とする半導体装置。
【選択図】図1
Description
本発明の目的は、シリコーンエラストマー組成物等に配合しても硬化物の熱安定性が損なわれない熱伝導性充填剤、硬化物の熱安定性が優れた熱伝導性シリコーンエラストマー組成物、および、この組成物により半導体素子を被覆し硬化してなる信頼性が優れた半導体装置を提供することにある。
このようなヒドロシリレーション反応硬化性シリコーンエラストマー組成物は、(A)ケイ素原子結合アルケニル基を一分子中に少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン、(B)ケイ素原子結合水素原子を一分子中に少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン、(C)ヒドロシレーシヨン反応用触媒を必須成分としており、さらに(D)ヒドロシレーシヨン反応制御剤を含有することにより熱硬化性となる。
(A)成分の分子構造は、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示されるが、硬化後にエラストマー状、すなわち、ゴム状やゲル状になるには直鎖状か、一部分枝を有する直鎖状が好適である。
(A)成分中のケイ素原子結合アルケニル基の結合位置は、分子鎖末端、分子鎖側鎖、その両方がある。(A)成分中のアルケニル基以外のケイ素原子結合基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基;フエニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フエネチル基等のアラルキル基;3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の非置換もしくは置換一価炭化水素基が例示される。それらのうちでは工業的に容易に得られるのでメチル基が最も一般的であり、ついでメチル基とフエニル基の両方が一般的である。
(C)成分は、触媒量、すなわち、(A)成分中のケイ素原子結合アルケニル基と(B)成分中のケイ素原子結合水素原子をヒドロシレーシヨン反応させるのに充分な量配合される。白金系触媒であると、この触媒中の白金原子が組成物中に重量単位で0.1〜1,000ppmとなる範囲内の量であれば十分である。(C)成分は2種以上を併用してもよい。
(b)熱伝導性充填剤の種類によっては増粘しすぎたり、流動物にならないので、上記範囲内で適宜配合量を選択するとよい。
熱伝導性シリコーンゴム組成物を15cm×6cm、厚さ2cmの大きさに成形し150℃の熱風循環式オーブン中で1時間加熱して硬化し、これを熱伝導率測定装置(京都電子(株)製QTM−500)を用いて熱伝導率を測定した。なお検出部からの漏電防止のため厚さ10μmのポリ塩化ビニリデンフイルムを介して測定した。
熱伝導性シリコーンゴム組成物を150℃の熱風循環式オーブン中で1時間加熱して得た熱伝導性シリコーンゴムシートについて、JIS K 6253によるデユロメータ硬さ試験機を用いて硬さを測定した。
熱伝導性シリコーンゴムの初期の硬さを測定したゴムシートを150℃の熱風循環式オーブン中で24時間加熱してから、JIS K 6253によるデユロメータ硬さ試験機を用いて硬さを測定した。
図1に示した半導体装置を作成した。すなわち、表面に印刷により形成された配線3および端部に外部リードを有するガラス繊維強化エポキシ樹脂製の回路用基板2上に半導体素子1を搭載した後、半導体素子1と配線3とを金製のバンプ4により電気的に接続した。この半導体素子1の裏面上に熱伝導性シリコーンゴム組成物をディスペンサーにより塗布した後、放熱板6を貼り付け直ちに150℃の熱風循環式オーブン内で加熱することにより、半導体素子1と放熱板6が熱伝導性シリコーンゴム5により接着した半導体装置20個を作成した。
このようにして作成した半導体装置について、−40℃で30分間、+120℃で30分間を1サイクルとするサーマルサイクル試験を100サイクル行なった後、半導体素子1と放熱板6の間の熱伝導性シリコーンゴム5について、半導体素子1との間の剥離、およびアルミニウム製放熱板との間の剥離の有無を顕微鏡で観察して、剥離しているものを不良としてその半導体装置の数(不良率)を求めた。
(A)成分としての粘度が600mPa・sである分子鎖末端ジメチルビニルシロキシ基およびトリメチルシロキシ基封鎖(ジメチルビニルシロキシ基とトリメチルシロキシ基の平均モル比率が1:1)直鎖状ジメチルポリシロキサン(ケイ素原子に結合したビニル基の含有量=0.13重量%)11.4重量部に、(a)成分としてのオレイン酸で表面処理された(b)成分としての燐片状の還元銀(平均粒径10μm、福田金属株式会社製、商品名AgC−2190)85重量部、(c)成分としての粘度が25mPa・sである分子鎖両末端(3−グリシドキシプロピル)ジメチルシロキシ基封止ジメチルシロキサンオリゴマー1.0重量部、および(d)成分としてのアルミニウムトリスアセチルアセトネート0.1重量部を混合し、この混合物を90℃で1時間加熱して、表面がオレイン酸で処理され、さらに分子鎖両末端(3−グリシドキシプロピル)ジメチルシロキシ基封止ジメチルシロキサンオリゴマーとアルミニウムトリスアセチルアセトネートにより処理された燐片状の還元銀を得た。
この熱伝導性シリコーンゴム組成物を150℃で1時間加熱して得た熱伝導性シリコーンゴムについて、熱伝導率、初期の硬さ、熱エージング後の硬さ、および半導体装置の信頼性を上記の方法により評価した。これらの評価結果を表1に示した。
実施例1において、(c)成分としての粘度が25mPa・sである分子鎖両末端(3−グリシドキシプロピル)ジメチルシロキシ基封止ジメチルシロキサンオリゴマー1.0重量部、および(d)成分としてのアルミニウムトリスアセチルアセトネート0.1重量部を用いない他は同様にして、粘度が42Pa・sである熱伝導性シリコーンゴム組成物を調製した。
この熱伝導性シリコーンゴム組成物を150℃で1時間加熱して得た熱伝導性シリコーンゴムについて、熱伝導率、初期の硬さ、熱エージング後の硬さ、および半導体装置の信頼性を上記の方法により評価した。これらの評価結果を表1に示した
(A)成分としての粘度が400mPa・sである分子鎖末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ケイ素原子に結合したビニル基の含有量=0.44重量%)11.4重量部に、表面が(a)成分としてのオレイン酸で処理された(b)成分としての燐片状の還元銀(平均粒径10μm、福田金属株式会社製、商品名AgC-2190)85重量部、(c)成分としての粘度が20mPa・sであり、平均単位式 (RSiO3/2)0.18(Me2SiO2/2)0.47(MeO1/2)0.35(式中、Rは3−グリシドキシプロピル基であり、Meはメチル基である)で示される分岐状ポリシロキサン1.0重量部、および(d)成分としてのアルミニウムトリスエチルアセトアセテート0.1重量部を混合し、この混合物を90℃で3時間加熱して、表面がオレイン酸で処理され、さらに上記分岐状ポリシロキサンとアルミニウムトリスエチルアセトアセテートにより処理された燐片状の還元銀を処理した。
この熱伝導性シリコーンゴム組成物を150℃で1時間加熱して得た熱伝導性シリコーンゴムについて、熱伝導率、初期の硬さ、熱エージング後の硬さ、および半導体装置の信頼性を上記の方法により評価した。これらの評価結果を表1に示した。
実施例2において、(c)成分としての粘度が20mPa・sである平均単位式 (RSiO3/2)0.18(Me2SiO2/2)0.47(MeO1/2)0.35(式中、Rは3−グリシドキシプロピル基であり、Meはメチル基である)で示される分岐状ポリシロキサン1.0重量部、および(d)成分としてのアルミニウムトリスエチルアセトアセテート0.1重量部を用いない他は同様にして、粘度が40Pa・sである熱伝導性シリコーンゴム組成物を150℃で1時間加熱して得た熱伝導性シリコーンゴムについて、熱伝導率、初期の硬さ、熱エージング後の硬さ、および半導体装置の信頼性を上記の方法により評価した。これらの評価結果を表1に示した
実施例1において、(c)成分として、粘度が25mPa・sである分子鎖両末端(3−グリシドキシプロピル)ジメチルシロキシ基封止ジメチルシロキサンオリゴマー1.0重量部の替わりに、ビスフエノール型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、商品名ZX−1059、エポキシ価165)0.5重量部を使用した以外は同様にして、粘度が55Pa・sである熱伝導性シリコーンゴム組成物を調製した。この熱伝導性シリコーンゴム組成物を150℃で1時間加熱して得た熱伝導性シリコーンゴムについて、熱伝導率、初期の硬さ、熱エージング後の硬さ、および半導体装置の信頼性を上記の方法により評価した。これらの評価結果を表1に示した。
2 回路用基板
3 配線
4 金製のバンプ
5 熱伝導性シリコーンゴム
6 放熱板
Claims (12)
- 表面が脂肪酸により処理またはコーテイングされ、さらにエポキシ基含有化合物およびエポキシ樹脂用硬化触媒より処理またはコーテイングされた熱伝導性充填剤。
- 熱伝導性充填剤の材質が金属または金属化合物である請求項1記載の熱伝導性充填剤。
- 脂肪酸が高級脂肪酸であり、金属が銀である請求項2記載の熱伝導性充填剤。
- エポキシ基含有化合物がエポキシ樹脂またはエポキシ基含有オルガノポリシロキサンである請求項1〜請求項3のいずれか1項記載の熱伝導性充填剤。
- 表面が脂肪酸により処理またはコーテイングされ、さらにエポキシ基含有化合物およびエポキシ樹脂用硬化触媒より処理またはコーテイングされた熱伝導性充填剤を含有することを特徴とする熱伝導性シリコーンエラストマー組成物。
- 脂肪酸が高級脂肪酸であり、熱伝導性充填剤の材質が銀である請求項5記載の熱伝導性シリコーンエラストマー組成物。
- 熱伝導性シリコーンエラストマー組成物中のシリコーンエラストマー組成物がヒドロシリレーシヨン反応硬化型のシリコーンエラストマー組成物である請求項5記載の熱伝導性シリコーンエラストマー組成物。
- ヒドロシリレーシヨン反応硬化型のシリコーンエラストマー組成物が、(A)ケイ素原子結合アルケニル基を一分子中に少なくとも2個有する液状オルガノポリシロキサン、(B)ケイ素原子結合水素原子を一分子中に少なくとも2個有する液状オルガノポリシロキサンおよび(C)ヒドロシリレーシヨン反応用触媒からなる請求項7記載の熱伝導性シリコーンエラストマー組成物。
- さらに(D)ヒドロシリレーシヨン反応制御剤を含有する請求項8記載の熱伝導性シリコーンエラストマー組成物。
- 表面が脂肪酸により処理またはコーテイングされ、さらにエポキシ基含有化合物およびエポキシ樹脂用硬化触媒より処理またはコーテイングされた熱伝導性充填剤を9〜98重量%含有する請求項5記載の熱伝導性シリコーンエラストマー組成物。
- 請求項5から請求項10のいずれか1項記載の熱伝導性シリコーンエラストマー組成物により半導体素子を被覆し硬化してなることを特徴とする半導体装置。
- 半導体素子が請求項5から請求項10のいずれか1項記載の熱伝導性シリコーンエラストマー組成物の硬化物を介して放熱板に接着していることを特徴とする請求項11記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003288626A JP4393817B2 (ja) | 2002-08-07 | 2003-08-07 | 熱伝導性充填剤、熱伝導性シリコーンエラストマー組成物および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002229820 | 2002-08-07 | ||
JP2003288626A JP4393817B2 (ja) | 2002-08-07 | 2003-08-07 | 熱伝導性充填剤、熱伝導性シリコーンエラストマー組成物および半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004083905A true JP2004083905A (ja) | 2004-03-18 |
JP2004083905A5 JP2004083905A5 (ja) | 2006-08-03 |
JP4393817B2 JP4393817B2 (ja) | 2010-01-06 |
Family
ID=32072313
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003288626A Expired - Fee Related JP4393817B2 (ja) | 2002-08-07 | 2003-08-07 | 熱伝導性充填剤、熱伝導性シリコーンエラストマー組成物および半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4393817B2 (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
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A521 | Written amendment |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131023 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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