JP2004037439A - 光学材料の耐照射損傷性を決定する方法および装置 - Google Patents
光学材料の耐照射損傷性を決定する方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004037439A JP2004037439A JP2002238227A JP2002238227A JP2004037439A JP 2004037439 A JP2004037439 A JP 2004037439A JP 2002238227 A JP2002238227 A JP 2002238227A JP 2002238227 A JP2002238227 A JP 2002238227A JP 2004037439 A JP2004037439 A JP 2004037439A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- sample
- test
- damage resistance
- energy density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 86
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 127
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 43
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 3
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/39—Crystals
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/38—Concrete; Lime; Mortar; Gypsum; Bricks; Ceramics; Glass
- G01N33/386—Glass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Testing Resistance To Weather, Investigating Materials By Mechanical Methods (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
【課題】光学材料の耐照射損傷性を決定する方法および装置を提供する。
【解決手段】光学材料の耐照射損傷性を決定するために、光学材料内の幾つかのサンプル体積1211〜1233に、異なった測定または所定放射エネルギ密度を有する試験放射光線を同時に照射する。ここで、すべてのサンプル体積に用いられる放射が共通の放射源13から生じている。照射されたサンプル体積の耐照射損傷性を表す少なくとも1つのパラメータが、測定放射光線を用いて測定される。測定放射光線も、試験放射光線を供給するものと同一の放射源から生じ、材料の耐照射損傷性は、それの耐照射損傷性パラメータと放射エネルギ密度との間の関数関係に基づいて決定され、その関数関係は、用いたさまざまな放射エネルギ密度でさまざまなサンプル体積において測定された耐照射損傷性パラメータの値を使用して決定される。
【選択図】 図2
【解決手段】光学材料の耐照射損傷性を決定するために、光学材料内の幾つかのサンプル体積1211〜1233に、異なった測定または所定放射エネルギ密度を有する試験放射光線を同時に照射する。ここで、すべてのサンプル体積に用いられる放射が共通の放射源13から生じている。照射されたサンプル体積の耐照射損傷性を表す少なくとも1つのパラメータが、測定放射光線を用いて測定される。測定放射光線も、試験放射光線を供給するものと同一の放射源から生じ、材料の耐照射損傷性は、それの耐照射損傷性パラメータと放射エネルギ密度との間の関数関係に基づいて決定され、その関数関係は、用いたさまざまな放射エネルギ密度でさまざまなサンプル体積において測定された耐照射損傷性パラメータの値を使用して決定される。
【選択図】 図2
Description
【0001】
本発明は、光学材料の幾つかのサンプル体積に、異なった測定または所定放射エネルギ密度を有する共通放射源から出た試験放射光線を同時に照射する段階と、測定放射光線を用いて被照射サンプル体積の耐損傷性を表す少なくとも1つのパラメータを測定する段階とを含む、光学材料の耐照射損傷性を決定する方法と、その方法を実行するのに適した装置とに関する。
【0002】
光学素子内で機能する光学材料、すなわち、フッ化カルシウムまたは合成石英ガラスなどの材料の光学品質は、それらが浴びた全照射線量のために、耐用寿命全体で劣化することは周知である。たとえば、材料の透過率は、それが浴びた照射線量によってそれの耐用寿命全体で低下し、特に、紫外線レーザ放射を伴う用途の場合にも発生する現象でる。
【0003】
したがって、光学材料の耐用寿命の予測などを行うために、使用中に受けた照射による損傷に対する光学材料の耐性を決定できる方法および装置が必要である。光学材料の一般的な耐用寿命より短い程度の長さの妥当な測定期間内に有意義な結果を得るための周知の方法では、通常使用で一般的に生じるものより相当に大きい放射エネルギ密度を用いてその光学材料のサンプルに照射する。そのような高い放射エネルギ密度範囲全体で得られた耐照射損傷性を表す1つまたは複数のパラメータを測定した結果を、通常使用で加えられる放射エネルギ範囲に外挿することによって、通常使用中の材料の耐照射損傷性に関する、たとえば、それの最大耐用寿命に関する報告を行うことができる。
【0004】
その外挿には、さまざまな高放射エネルギ密度を用いた幾つかの測定を行う必要がある。得られるそのような測定の総数が大きいほど、また、用いる放射エネルギレベルが互いに大きく異なるほど、高い信頼性かつ有意味に、得られた測定結果を通常使用で一般的に生じる問題の放射エネルギ密度範囲に外挿することができる。これに関連して、周知の方法では、さまざまな放射エネルギ密度で光学材料の1つまたは複数のサンプルにおいて幾つかの測定を行い、あるサンプルに用いられるさまざまな放射エネルギ密度の各々が、専用の個別放射源か、さまざまな放射エネルギ密度でサンプルに順次照射する調節可能な出力を有する単一の放射源によって与えられる。
【0005】
米国特許第6,075,607号は、パルスエキシマレーザ照射による損傷に対する光学材料の耐性のモデルベースの決定を行う方法を実行するためのその形式の方法および装置を記載しており、異なったエネルギ密度を照射したサンプルの耐照射損傷性を表すパラメータとして、吸収率または透過率の測定値を、一次関数依存性が適用される範囲、およびより高いエネルギ密度に対応した飽和領域の両方にわたって記録することによって、統計的または理論的方法を用いて、照射エネルギ密度またはレーザパルス数に対するそれらの吸収率または透過率の関数依存性を得る近似式を導出して相関させることができる。測定すべきサンプルは好ましくは、大きいブロックを劈開することによって得られる。
【0006】
各測定用に所望の放射エネルギ密度を有する試験ビームを使用して、1つまたはさまざまなサンプルで繰り返し測定を行う必要がある他の光学材料耐照射損傷性決定方法および装置が、特許出願EP第0 905 505A1号、JP第 2001−099753A号、JP第2000−099751A号、JP第 2000−180301A号、JP第11−230859A号、JP第11− 118669A号、JP第10−232184A号およびJP第10− 232197A号に開示されている。
【0007】
特許出願JP第11−258108A号は、レーザ照射による損傷に対する光学材料の耐性を決定する方法および装置を記載しており、この場合、サンプルにさまざまな放射エネルギ密度でレーザビームが照射され、照射毎に、圧電センサを使用して吸収部分が決定され、この場合のサンプルは、基板と、反射防止フィルムまたは反射コーティングの形の光学コーティングとで構成されている。また、このサンプルを透過するか、それによって反射した照射部分は、コーティングのない基板材料だけからなる別のサンプルへ向けられる。1つの追加サンプルにそれぞれ反射および透過光を照射することもできる。各追加サンプルの前方にレンズを配置することができる。放射光線の吸収部分も、圧電センサを使用してこれらの他のサンプルの1つまたは両方において測定される。これらの他のサンプルの一方または両方において記録された測定結果を、コーティング付きサンプルにおいて得られた測定値と相関させることによって、コーティング付きサンプルの挙動を支配する関係の精度を改善することができる。
【0008】
Proc.SPIE第4347号177頁(2001)のC.K.Van Peskiその他の雑誌記事「低レベル193nmエキシマレーザを数千億パルス照射した溶融シリカの挙動(Behavior of Fused Silica Irradiated by Low Level 193nm Excimer Laser for Tens of Billions of Pulses)」は、低エネルギ密度で193nm波長のエキシマレーザ光線の数千億パルスを長時間にわたって照射した合成石英ガラスの挙動の研究結果を示している。これらの研究のため、石英ガラス材料の6個のサンプルを対応の試験機構上で前後に一直線に並べた。ArFレーザから放出された紫外線レーザビームをまず、第1体積部分を通過する第1ビームとして、前後に一直線に並んだ6個のサンプルを通るように案内し、次に、第2体積部分を通過する第2ビームとして、偏向させて6個のサンプルを逆の順序に通るように案内し、次に、第3体積部分を通過する第3ビームとして、反射させて6個のサンプルをもう一度通過するように案内し、最後に、第4体積部分を通過する第4ビームとして、再度偏向させて6個のサンプルを逆に通るように案内することによって、合計24個のサンプル体積を生じ、第1ビームを照射される第1サンプル体積は0.2mJ/cm2のエネルギ密度で照射され、その他のサンプル体積は、段階的に減少するエネルギ密度で連続的に照射された。研究は133日間にわたって行われ、それぞれ測定処理のために中断された。これらの測定処理中に、材料に対する照射の効果を3種類の方法、すなわち、第1に透過放射光線の波面ゆがみの干渉分光測定、第2に632nmの波長での複屈折測定、第3にFTIRスペクトル分析を用いて調査した。
【0009】
本発明の目的は、本発明の冒頭に述べた形式で、使用中に受ける照射による損傷に対する光学材料の耐性を相当に簡単な装置で相当に短期間に比較的確実に決定することができる方法および装置を提供することである。
【0010】
本発明は、それぞれ請求項1または請求項6の特徴を有する、光学材料の耐照射損傷性を決定する方法および装置を提供することによって、この目的を達成する。
【0011】
本発明に従った方法および本発明に従った装置の場合、光学材料の幾つかのサンプル体積には、同一放射源から出た試験放射光線が同時に照射され、サンプル体積には、異なった放射エネルギ密度を有する試験放射光線が照射される。やはり上記放射源から出た測定放射光線を使用して、耐照射損傷性を表す透過率および吸収率などの1つまたは複数のパラメータをサンプル体積で測定して、そのサンプル体積における放射エネルギ密度と相関させると、そのパラメータと放射エネルギ密度との間の関数関係に基づいて、光学材料の耐照射損傷度を決定することができ、この関数関係は、さまざまな放射エネルギ密度におけるさまざまなサンプル体積の耐照射損傷度パラメータの測定値を使用して決定される。
【0012】
したがって、本発明は、比較的簡単な装置を使用して、特に単一の放射源を使用してさまざまな放射エネルギ密度における耐照射損傷度を表すパラメータの測定値を非常に迅速に得られるようにし、これから、特に高エネルギ密度を用いた場合、比較的短時間後に、光学材料の耐照射損傷度に関する、したがって、たとえば、使用された試験放射光線より相当に低い放射エネルギ密度が一般的に用いられる通常使用での予想耐用寿命に関する報告を確実に行うことができる。そのような耐用寿命の予想を行う時、好ましくは高エネルギ密度範囲にわたる試験中に決定された、放射エネルギ密度の関数として1つまたは複数の耐照射損傷性パラメータを表す関数関係を、その光学材料の通常使用中に加えられるエネルギ密度範囲に外挿することができる。この外挿は好ましくは、モデル援用で実行される。
【0013】
請求項2または請求項7に従った本発明の別の実施形態によれば、測定放射光線は、試験放射光線の一部分の形でそれぞれのサンプル体積から取り出される、すなわち、測定は、試験放射光線を利用した照射によって同時に実行される。
【0014】
サンプル体積は、請求項3および請求項8に記載された単一の試験サンプルの一部分でもよく、すなわち、試験放射光線が試験サンプルを通過した後、1つまたは複数の耐照射損傷性パラメータが、ビーム経路上に前後に並んだ試験サンプルの幾つかの部分体積で測定される。
【0015】
あるいは、または追加して、試験放射光線が通るビーム経路に沿って前後に連続配置された個別の試験サンプルのサンプル体積の連続配置を形成してもよい。この方法の好都合な構造では、試験放射光線の放射エネルギ密度を制御状態で可変減衰することができる可変減衰器が、各対の連続配置試験サンプルの間に配置される(クレーム4およびクレーム9を参照)。そのような減衰器を使用することによって、試験の全期間にわたってさまざまなサンプル体積でのエネルギ密度をそれらの異なった初期値でほぼ一定に維持することができ、しかし、その期間中には材料の照射誘発老化のためにサンプル体積での試験放射光線エネルギ密度損失が一般的に低下するであろうが、これは、試験の開始時に減衰器を高い減衰係数に設定し、試験の進行に伴って低い減衰係数に設定し直すことによって補償することができる。
【0016】
請求項5または請求項10に従った本発明の別の実施形態によれば、透過率が耐照射損傷性パラメータとして使用される。それぞれのサンプル体積の透過率は、試験放射光線の透過割合から計算されるか、サンプル体積に向けられた測定ビームを使用して測定される。
【0017】
本発明の好適な実施形態を図面に示し、以下に説明する。
【0018】
図1に示された装置は、レーザ照射による損傷に対するフッ化カルシウムまたは石英ガラスなどの光学材料の耐性を決定して、たとえば、それらの材料で作製されて通常使用中に、特に可視光線または紫外線領域に入るレーザ光などの対応のレーザ放射を受ける鏡やレンズなどの光学素子の予想耐用寿命に関して報告するために使用される。そのような耐照射損傷性を決定するために、図1に示された装置の場合、立方体などの形の単一の試験サンプル1にレーザ3で発生した試験ビーム2を透過する。試験ビームは、球面鏡または放物面鏡4およびレンズアセンブリ5を備えたビームエクスパンダユニットを通るように案内されることによって形成され、それを通った試験ビームは、幅が広い集束ビームのプロファイルで現れて、試験サンプル1を通過する。
【0019】
開口絞り8によって形成されて試験ビーム2に平行な走査ビーム7が、レーザ3によって放出された光ビームからビームスプリッタ6によって取り出される。別の半透過鏡9が、走査ビーム7を2つの部分ビーム7aおよび7bに分割し、透過した部分ビーム7bは第1ビームエネルギ密度測定ユニット10aへ案内され、これを使用して、この透過部分ビーム7bの放射エネルギ密度を、したがって、半透過鏡9の所定の、または既知のビームスプリット比を使用して半透過鏡9によって反射された部分ビーム7aの放射エネルギ密度も測定することができる。反射部分ビーム7aが測定ビームを形成し、これは試験サンプル1で試験ビーム2のx方向に直交するy方向に沿った向きに進む。試験サンプル1を透過した測定ビームの部分7cは、第2放射エネルギ密度測定ユニット10bへ案内される。そこで、試験ビーム2および測定ビーム7aが通過した試験サンプル1の部分体積の透過率を、両測定ユニット10aおよび10bからの信号で決定することができる。
【0020】
図1に示された試験機構の他の構成部材は、測定ビーム7aおよび/または透過走査ビーム7bを任意に遮断するための2つのコンピュータ制御式可動絞り 11aおよび11bである。試験機構はまた、図示しない従来型密閉試験室内に配置されており、汚染を十分に除去するために、試験室内に窒素などの適当なフラッシングガスが導入される。
【0021】
必要ならば、レーザ3が放出した光および/またはそれから分割された走査ビーム7の放射エネルギ密度などを直接測定で決定するために、1つまたは複数の追加の放射エネルギ密度測定ユニットを明確に図示しない方法で用いることができる。
【0022】
図1に示された構造の基礎にある重要な基本的概念は、図1にはより明確に認識できるように正確な縮尺ではなく大きくして記号表示されている2つの試験体積1aおよび1bを含む試験サンプル1の幾つかの前後に並んだ部分体積の透過率の、それに入射するエネルギ密度に対する依存度を測定することである。そのため、試験サンプル1のそれぞれの個別サンプル体積を走査するためにさまざまな設定位置へ正確に移動できるように、試験機構の一定の構成部材が、たとえば、z方向に沿って移動可能なx−y並進ステージ上に配置されている。特に、半透過鏡9と、測定ビームの透過部分7cを測定する測定ユニット10bとは、図1に示された両方向矢印dx1によって示されているように、x方向に沿って並進可能であるように構成されており、これによって、試験ビームのx方向に沿って前後に並べられたサンプル体積群を順次、測定ビーム7aによって走査することができる。z方向に沿って上下に並べられた試験サンプル1の幾つかの部分体積群を走査するために、図1に対応の両方向矢印dz1で示されているように、試験サンプルの高さがz方向に沿って並進可能である。
【0023】
図1に示された例の場合、試験サンプル1の前方に位置する光学系4、5から送られた試験ビーム2は、試験サンプル1内でz方向に沿って平坦なプロファイルと、x−y方向に沿ってわずかに集束したプロファイルを有するようにセットアップされる。したがって、z方向に上下に並べられた各サンプル体積が試験ビーム2からの同じ放射エネルギ密度と相関し、これによって分析誤差統計結果を改善することができる。試験ビーム2の方向に沿って順次並んだサンプル体積では、吸収および/または散乱損失によって減少してから先行サンプル体積を透過した部分だけが次のサンプル体積に到達するので、それらは試験ビーム2のx方向に沿って減少する放射エネルギ密度で照射される。しかし、設定されたビーム集束がこの効果を部分的に補償するため、試験ビームのx方向に沿ったそれぞれの最終サンプル体積は、試験ビーム2からの十分に高い分析可能なエネルギ密度で照射されるであろう。
【0024】
耐照射損傷性を試験するために、試験サンプル1を図1に示された機構によってz方向に沿って一定の初期高さまで上昇させると、前後に並んだ第1群のサンプル体積が試験ビーム2の照射を順次受けて、測定ビーム7aによって走査されることによって、それらの透過率の挙動を決定することができ、このために、試験ビーム2はさまざまなサンプル体積を高速で連続的に走査する。あるいは、測定ビーム7aが対応数の平行測定ビームに分割され、対応数の放射エネルギ密度測定ユニット10bが順次配置されている場合、これらのサンプル体積のすべてを同時に走査することも可能であることは明白である。この第1群のサンプル体積を測定し終わると、試験サンプル1がz方向に沿って位置決めし直されて、試験ビームのx方向に沿った第1群の上方または下方に位置する第2群の透過率の放射エネルギ密度に対する依存度を測定することができる。試験サンプル1の全体積が処理されるまで、この手順が繰り返される。
【0025】
このように多数のサンプル体積についてさまざまな照射レベル、すなわち、さまざまな照射エネルギ密度において試験サンプル1で測定された透過率をアナライザユニットA1によって分析し、このユニットは、試験サンプル1の光学材料の耐照射損傷性を決定し、測定値が、必要ならば、追加入力データも、入力信号SEの形でそれに供給される。求められている耐照射損傷性データSbが出力部に得られる。アルゴリズム、特にモデル援用アルゴリズムをアナライザユニット A1内で実行することができる。そのようなモデル援用シミュレーションは、実際には、3種類の放射エネルギ密度、たとえば、0.5mJ/cm2、 1.5mJ/cm2および5mJ/cm2について得られる測定値で行うことができ、モデル援用分析の信頼度および精度を高めるために、非常に多くの異なった放射エネルギ密度で得られた測定値を記録することが好ましいであろう。モデリングにおいて、定常状態に到達したことを証明するか、約2×109パルスなどの所定の最低レーザパルス数でサンプルを照射することが役立つことがわかるであろう。試験ビームのそれぞれのサンプル体積を透過した部分は、測定ビーム 7aを使用した透過率の同時測定に基づいて決定することができると共に、試験ビームのビームプロファイル、たとえば、図1で設定された集束プロファイルが既知であるので、前後に一直線に並んだ個々のサンプル体積に対する試験ビームのx方向に沿った放射エネルギ密度の減少はそれから決定されるであろう。
【0026】
分析は、試験ビーム2を使用した試験手順で用いられる高放射エネルギ密度範囲における透過率および放射エネルギ密度間の関数関係を、それから得られる測定結果に基づいて決定することと、決定されたこれらの関数関係を低放射エネルギ密度範囲に外挿することとを含む。試験ビーム2に対応する波長を有するレーザビームを案内するための光学系の鏡およびレンズなどを作製するために用いられている光学材料は、通常使用ではそのような低放射エネルギ密度を受ける。
【0027】
図2は、光学材料の耐照射損傷性を決定するための試験機構を示しており、個々の試験サンプルが、試験中の幾つかのサンプル体積を形成する前後配置された試験サンプルの幾つかの平行な被照射列に配置されている。一例として、図2は、同様な構成の3列の場合を示し、各列には3つの試験サンプル1211〜 1213、1221〜1223および1231〜1233が前後に一直線に並べられて、順次照射される。
【0028】
やはり試験放射光線は、関連の光学系を有する単一のレーザ源13によって供給される。試験ビーム17a〜17cが、各試験サンプル列に1つずつ、幾つかの開口絞り16a〜16cの各々によって形成されるが、一連の半透過鏡 15a〜15dによって放出レーザビーム14から取り出される。したがって、このように取り出された試験ビーム17a〜17cは、レーザ源13からの距離が増加するのに伴って減少する異なったエネルギ密度を有する。個々の試験ビーム17a、17b、17cの各々の放射エネルギ密度は、開口絞りの出口で、また、試験サンプル1211〜1233の1つを透過した後に測定ユニット1811〜 1834の1つによっても測定され、このことが、測定ビームの所定部分が、各開口絞り16a、16b、16cの後および列の最終試験サンプル以外の各試験サンプルの後の半透過鏡1911〜1933によって取り出される理由である。
【0029】
したがって、図2に示された試験機構の場合、試験放射光線の各試験サンプル1211〜1233を透過した部分が測定ユニット1811〜1834によって検出されるため、試験放射光線は同時に測定放射光線として機能する。試験ビーム 17a、17b、17cを高エネルギ密度で照射されることによる老化によって生じる試験サンプル1211〜1233の透過率の低下を完全に、または少なくともほぼ補償するために、各試験サンプル1211〜1233の前方に可変減衰器 2011〜2033が配置されている。これらの減衰器2011〜2033は、最初は比較的高い減衰係数に設定されており、光学列においてそれの後の試験サンプルの透過率の低下が見られる場合、試験手順の途中に対応の低い減衰係数に設定し直される。このように、各試験サンプルは、個々の試験サンプル1211〜1233の透過率が低下した場合でも、試験手順の全課程でほぼ一定である放射エネルギ密度を与えられる。減衰器2011〜2033を図2に示された各半透過鏡1911〜 1933と対応の試験サンプル1211〜1233との間に配置する代わりに、それぞれの測定ビームのビーム経路上の他の適当な場所、特に各試験サンプル1211〜1233の後に配置してもよい。
【0030】
減衰器2011〜2033は、図3に上面図で概略的に示されている形式にすることができる。図3に示された減衰器20は、中心Mまわりに回転可能なディスクで構成され、それに、ディスクの中心に心合わせされた共通円上に中心が位置する円形減衰ゾーン21が形成されている。これらの減衰ゾーン21は、それらを透過するレーザ光線に対して互いに異なる減衰係数を有し、ディスク20を回転させることによって、それらを図2に示された構造のそれぞれの試験ビーム 17a、17b、17cの経路内へ個別に移動させることができる。これらの減衰ゾーン21は、CaF2または同様の材料から、その表面をさまざまな程度に艶消しすることによって作製することができる。各減衰ゾーンの表面のこの艶消しは、従来方法によって達成でき、この場合、それぞれの透過率が校正などによって決定されるであろう。好都合な装置は、一方側だけを艶消した1枚のプレートか、一方側だけを艶消した2枚のプレートを、艶消し側を互いに間隔を置いて向き合わせて組み立てることによって形成された減衰ゾーンを含む。後者の実施形態の場合、艶消し表面が周囲空気から隔離され、したがってほこりが遮断される。これらの減衰器の別の例は、CaF2などから作製された1つのウィンドウまたは幾つかの薄い研磨ウィンドウの積層体を含む。これらの装置はすべて、この形式の減衰器が試験処理中に大して劣化しないという好都合な特性を共有している。
【0031】
被験光学材料の耐照射損傷性を決定するための、図2に示された試験機構を使用して試験サンプル1211〜1233について得られた試験結果のさらなる分析は、図1に示された試験機構の場合で説明したものと同じである。図2に示された例の場合、すべての試験サンプル1211〜1233に互いに異なったほぼ一定の放射エネルギ密度を有する試験ビーム17a、17b、17cが、試験時間を通して照射される。その結果、各試験サンプル1211〜1233は、試験放射光線に用いられた高放射エネルギ密度範囲にわたって耐照射損傷性を放射エネルギ密度の関数として表す透過率データ点を生じる。放射レーザビーム14の形状およびエネルギ密度が一定であれば、図2に示された試験機構を使用して、透過率とそれが浴びた全照射線量との間の関数関係を説明する9個のデータ点が同時に得られるであろう。
【0032】
これは、前述したようにして、高エネルギ密度で得られた9個のデータ点から導出された関係のモデル援用外挿などを使用して、通常使用で一般的に見られる低放射エネルギ密度範囲における光学材料の耐照射損傷性を決定するには十分であろう。必要ならば、試験放射光線を照射する試験サンプルを平行な3列より多くしたり、かつ/または各列に3個より多い試験サンプルを設けるか、あるいは、放出レーザビーム14の放射エネルギ密度の変更を、必要ならば、異なったレーザ出力による別組の、たとえば9個のデータ点の測定および分析と組み合わせることによって、データ点の数を増やしてもよい。簡略化した装置の場合、それぞれが順次照射される少なくとも2つの試験サンプルを有する1列または平行な2列だけを設けても十分であろう。
【0033】
必要な入力データを、特にそれぞれの放射エネルギ密度測定ユニット1811〜1834から送られた出力信号S11〜S34を受け取るアナライザユニットA2がそのデータを分析して、上記のように、求める耐照射損傷性データSbをそれから導出することができる。
【0034】
好適なサンプルの実施形態の上記説明から明らかなように、本発明は、幾つかのサンプル体積に、それぞれのサンプル体積によって異なる測定または所定放射エネルギ密度を有する試験放射光線を同時に照射することによって、光学材料の耐照射損傷性を比較的迅速かつ正確に決定することができ、試験放射光線および測定放射光線の両方を供給するために単一の放射源が必要なだけである。光学材料の耐照射損傷性を表す1つまたは複数のパラメータが、各照射サンプル体積で測定される。関係するパラメータは、上記の例の場合のようにそれらの透過性および/または他のパラメータ、たとえば、それらの吸収性でよく、図1および図2に示されたサンプル実施形態の混合型で、幾つかの試験サンプルを図2に示したように配置し、各試験サンプルの幾つかのサンプル体積を図1に示されたように測定することも実現可能である。透過率測定を用いた図示のサンプル実施形態に加えて、反射率測定を用いた実施形態、すなわち、第2サンプル体積以降の各サンプル体積に、光学列においてそれに先行するサンプル体積によって反射された放射光線を照射する実施形態も実現可能である。さらに、必要ならば、図1に示された試験サンプルの照射に用いられる集束ビームの代わりに、別のビーム形状を有するビームを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】レーザ照射による損傷に対する光学材料の耐性を、試験サンプルの幾つかの部分体積で実施された耐性試験に基づいて決定する装置の概略斜視図である。
【図2】レーザ照射による損傷に対する光学材料の耐性を、それぞれのビーム経路上に前後に一直線に並べられ、減衰器を割り当てられている個別試験サンプルの幾つかの平行群で実施された耐性試験に基づいて決定する別の装置の概略斜視図である。
【図3】図2に示された減衰器の1つの概略上面図である。
【符号の説明】
1 試験サンプル
2 試験ビーム
3 レーザ
4 放物面鏡
5 レンズアセンブリ
6 ビームスプリッタ
7 走査ビーム
9 半透過鏡
13 レーザ源
14 放出レーザビーム
20 減衰器
21 減衰ゾーン
本発明は、光学材料の幾つかのサンプル体積に、異なった測定または所定放射エネルギ密度を有する共通放射源から出た試験放射光線を同時に照射する段階と、測定放射光線を用いて被照射サンプル体積の耐損傷性を表す少なくとも1つのパラメータを測定する段階とを含む、光学材料の耐照射損傷性を決定する方法と、その方法を実行するのに適した装置とに関する。
【0002】
光学素子内で機能する光学材料、すなわち、フッ化カルシウムまたは合成石英ガラスなどの材料の光学品質は、それらが浴びた全照射線量のために、耐用寿命全体で劣化することは周知である。たとえば、材料の透過率は、それが浴びた照射線量によってそれの耐用寿命全体で低下し、特に、紫外線レーザ放射を伴う用途の場合にも発生する現象でる。
【0003】
したがって、光学材料の耐用寿命の予測などを行うために、使用中に受けた照射による損傷に対する光学材料の耐性を決定できる方法および装置が必要である。光学材料の一般的な耐用寿命より短い程度の長さの妥当な測定期間内に有意義な結果を得るための周知の方法では、通常使用で一般的に生じるものより相当に大きい放射エネルギ密度を用いてその光学材料のサンプルに照射する。そのような高い放射エネルギ密度範囲全体で得られた耐照射損傷性を表す1つまたは複数のパラメータを測定した結果を、通常使用で加えられる放射エネルギ範囲に外挿することによって、通常使用中の材料の耐照射損傷性に関する、たとえば、それの最大耐用寿命に関する報告を行うことができる。
【0004】
その外挿には、さまざまな高放射エネルギ密度を用いた幾つかの測定を行う必要がある。得られるそのような測定の総数が大きいほど、また、用いる放射エネルギレベルが互いに大きく異なるほど、高い信頼性かつ有意味に、得られた測定結果を通常使用で一般的に生じる問題の放射エネルギ密度範囲に外挿することができる。これに関連して、周知の方法では、さまざまな放射エネルギ密度で光学材料の1つまたは複数のサンプルにおいて幾つかの測定を行い、あるサンプルに用いられるさまざまな放射エネルギ密度の各々が、専用の個別放射源か、さまざまな放射エネルギ密度でサンプルに順次照射する調節可能な出力を有する単一の放射源によって与えられる。
【0005】
米国特許第6,075,607号は、パルスエキシマレーザ照射による損傷に対する光学材料の耐性のモデルベースの決定を行う方法を実行するためのその形式の方法および装置を記載しており、異なったエネルギ密度を照射したサンプルの耐照射損傷性を表すパラメータとして、吸収率または透過率の測定値を、一次関数依存性が適用される範囲、およびより高いエネルギ密度に対応した飽和領域の両方にわたって記録することによって、統計的または理論的方法を用いて、照射エネルギ密度またはレーザパルス数に対するそれらの吸収率または透過率の関数依存性を得る近似式を導出して相関させることができる。測定すべきサンプルは好ましくは、大きいブロックを劈開することによって得られる。
【0006】
各測定用に所望の放射エネルギ密度を有する試験ビームを使用して、1つまたはさまざまなサンプルで繰り返し測定を行う必要がある他の光学材料耐照射損傷性決定方法および装置が、特許出願EP第0 905 505A1号、JP第 2001−099753A号、JP第2000−099751A号、JP第 2000−180301A号、JP第11−230859A号、JP第11− 118669A号、JP第10−232184A号およびJP第10− 232197A号に開示されている。
【0007】
特許出願JP第11−258108A号は、レーザ照射による損傷に対する光学材料の耐性を決定する方法および装置を記載しており、この場合、サンプルにさまざまな放射エネルギ密度でレーザビームが照射され、照射毎に、圧電センサを使用して吸収部分が決定され、この場合のサンプルは、基板と、反射防止フィルムまたは反射コーティングの形の光学コーティングとで構成されている。また、このサンプルを透過するか、それによって反射した照射部分は、コーティングのない基板材料だけからなる別のサンプルへ向けられる。1つの追加サンプルにそれぞれ反射および透過光を照射することもできる。各追加サンプルの前方にレンズを配置することができる。放射光線の吸収部分も、圧電センサを使用してこれらの他のサンプルの1つまたは両方において測定される。これらの他のサンプルの一方または両方において記録された測定結果を、コーティング付きサンプルにおいて得られた測定値と相関させることによって、コーティング付きサンプルの挙動を支配する関係の精度を改善することができる。
【0008】
Proc.SPIE第4347号177頁(2001)のC.K.Van Peskiその他の雑誌記事「低レベル193nmエキシマレーザを数千億パルス照射した溶融シリカの挙動(Behavior of Fused Silica Irradiated by Low Level 193nm Excimer Laser for Tens of Billions of Pulses)」は、低エネルギ密度で193nm波長のエキシマレーザ光線の数千億パルスを長時間にわたって照射した合成石英ガラスの挙動の研究結果を示している。これらの研究のため、石英ガラス材料の6個のサンプルを対応の試験機構上で前後に一直線に並べた。ArFレーザから放出された紫外線レーザビームをまず、第1体積部分を通過する第1ビームとして、前後に一直線に並んだ6個のサンプルを通るように案内し、次に、第2体積部分を通過する第2ビームとして、偏向させて6個のサンプルを逆の順序に通るように案内し、次に、第3体積部分を通過する第3ビームとして、反射させて6個のサンプルをもう一度通過するように案内し、最後に、第4体積部分を通過する第4ビームとして、再度偏向させて6個のサンプルを逆に通るように案内することによって、合計24個のサンプル体積を生じ、第1ビームを照射される第1サンプル体積は0.2mJ/cm2のエネルギ密度で照射され、その他のサンプル体積は、段階的に減少するエネルギ密度で連続的に照射された。研究は133日間にわたって行われ、それぞれ測定処理のために中断された。これらの測定処理中に、材料に対する照射の効果を3種類の方法、すなわち、第1に透過放射光線の波面ゆがみの干渉分光測定、第2に632nmの波長での複屈折測定、第3にFTIRスペクトル分析を用いて調査した。
【0009】
本発明の目的は、本発明の冒頭に述べた形式で、使用中に受ける照射による損傷に対する光学材料の耐性を相当に簡単な装置で相当に短期間に比較的確実に決定することができる方法および装置を提供することである。
【0010】
本発明は、それぞれ請求項1または請求項6の特徴を有する、光学材料の耐照射損傷性を決定する方法および装置を提供することによって、この目的を達成する。
【0011】
本発明に従った方法および本発明に従った装置の場合、光学材料の幾つかのサンプル体積には、同一放射源から出た試験放射光線が同時に照射され、サンプル体積には、異なった放射エネルギ密度を有する試験放射光線が照射される。やはり上記放射源から出た測定放射光線を使用して、耐照射損傷性を表す透過率および吸収率などの1つまたは複数のパラメータをサンプル体積で測定して、そのサンプル体積における放射エネルギ密度と相関させると、そのパラメータと放射エネルギ密度との間の関数関係に基づいて、光学材料の耐照射損傷度を決定することができ、この関数関係は、さまざまな放射エネルギ密度におけるさまざまなサンプル体積の耐照射損傷度パラメータの測定値を使用して決定される。
【0012】
したがって、本発明は、比較的簡単な装置を使用して、特に単一の放射源を使用してさまざまな放射エネルギ密度における耐照射損傷度を表すパラメータの測定値を非常に迅速に得られるようにし、これから、特に高エネルギ密度を用いた場合、比較的短時間後に、光学材料の耐照射損傷度に関する、したがって、たとえば、使用された試験放射光線より相当に低い放射エネルギ密度が一般的に用いられる通常使用での予想耐用寿命に関する報告を確実に行うことができる。そのような耐用寿命の予想を行う時、好ましくは高エネルギ密度範囲にわたる試験中に決定された、放射エネルギ密度の関数として1つまたは複数の耐照射損傷性パラメータを表す関数関係を、その光学材料の通常使用中に加えられるエネルギ密度範囲に外挿することができる。この外挿は好ましくは、モデル援用で実行される。
【0013】
請求項2または請求項7に従った本発明の別の実施形態によれば、測定放射光線は、試験放射光線の一部分の形でそれぞれのサンプル体積から取り出される、すなわち、測定は、試験放射光線を利用した照射によって同時に実行される。
【0014】
サンプル体積は、請求項3および請求項8に記載された単一の試験サンプルの一部分でもよく、すなわち、試験放射光線が試験サンプルを通過した後、1つまたは複数の耐照射損傷性パラメータが、ビーム経路上に前後に並んだ試験サンプルの幾つかの部分体積で測定される。
【0015】
あるいは、または追加して、試験放射光線が通るビーム経路に沿って前後に連続配置された個別の試験サンプルのサンプル体積の連続配置を形成してもよい。この方法の好都合な構造では、試験放射光線の放射エネルギ密度を制御状態で可変減衰することができる可変減衰器が、各対の連続配置試験サンプルの間に配置される(クレーム4およびクレーム9を参照)。そのような減衰器を使用することによって、試験の全期間にわたってさまざまなサンプル体積でのエネルギ密度をそれらの異なった初期値でほぼ一定に維持することができ、しかし、その期間中には材料の照射誘発老化のためにサンプル体積での試験放射光線エネルギ密度損失が一般的に低下するであろうが、これは、試験の開始時に減衰器を高い減衰係数に設定し、試験の進行に伴って低い減衰係数に設定し直すことによって補償することができる。
【0016】
請求項5または請求項10に従った本発明の別の実施形態によれば、透過率が耐照射損傷性パラメータとして使用される。それぞれのサンプル体積の透過率は、試験放射光線の透過割合から計算されるか、サンプル体積に向けられた測定ビームを使用して測定される。
【0017】
本発明の好適な実施形態を図面に示し、以下に説明する。
【0018】
図1に示された装置は、レーザ照射による損傷に対するフッ化カルシウムまたは石英ガラスなどの光学材料の耐性を決定して、たとえば、それらの材料で作製されて通常使用中に、特に可視光線または紫外線領域に入るレーザ光などの対応のレーザ放射を受ける鏡やレンズなどの光学素子の予想耐用寿命に関して報告するために使用される。そのような耐照射損傷性を決定するために、図1に示された装置の場合、立方体などの形の単一の試験サンプル1にレーザ3で発生した試験ビーム2を透過する。試験ビームは、球面鏡または放物面鏡4およびレンズアセンブリ5を備えたビームエクスパンダユニットを通るように案内されることによって形成され、それを通った試験ビームは、幅が広い集束ビームのプロファイルで現れて、試験サンプル1を通過する。
【0019】
開口絞り8によって形成されて試験ビーム2に平行な走査ビーム7が、レーザ3によって放出された光ビームからビームスプリッタ6によって取り出される。別の半透過鏡9が、走査ビーム7を2つの部分ビーム7aおよび7bに分割し、透過した部分ビーム7bは第1ビームエネルギ密度測定ユニット10aへ案内され、これを使用して、この透過部分ビーム7bの放射エネルギ密度を、したがって、半透過鏡9の所定の、または既知のビームスプリット比を使用して半透過鏡9によって反射された部分ビーム7aの放射エネルギ密度も測定することができる。反射部分ビーム7aが測定ビームを形成し、これは試験サンプル1で試験ビーム2のx方向に直交するy方向に沿った向きに進む。試験サンプル1を透過した測定ビームの部分7cは、第2放射エネルギ密度測定ユニット10bへ案内される。そこで、試験ビーム2および測定ビーム7aが通過した試験サンプル1の部分体積の透過率を、両測定ユニット10aおよび10bからの信号で決定することができる。
【0020】
図1に示された試験機構の他の構成部材は、測定ビーム7aおよび/または透過走査ビーム7bを任意に遮断するための2つのコンピュータ制御式可動絞り 11aおよび11bである。試験機構はまた、図示しない従来型密閉試験室内に配置されており、汚染を十分に除去するために、試験室内に窒素などの適当なフラッシングガスが導入される。
【0021】
必要ならば、レーザ3が放出した光および/またはそれから分割された走査ビーム7の放射エネルギ密度などを直接測定で決定するために、1つまたは複数の追加の放射エネルギ密度測定ユニットを明確に図示しない方法で用いることができる。
【0022】
図1に示された構造の基礎にある重要な基本的概念は、図1にはより明確に認識できるように正確な縮尺ではなく大きくして記号表示されている2つの試験体積1aおよび1bを含む試験サンプル1の幾つかの前後に並んだ部分体積の透過率の、それに入射するエネルギ密度に対する依存度を測定することである。そのため、試験サンプル1のそれぞれの個別サンプル体積を走査するためにさまざまな設定位置へ正確に移動できるように、試験機構の一定の構成部材が、たとえば、z方向に沿って移動可能なx−y並進ステージ上に配置されている。特に、半透過鏡9と、測定ビームの透過部分7cを測定する測定ユニット10bとは、図1に示された両方向矢印dx1によって示されているように、x方向に沿って並進可能であるように構成されており、これによって、試験ビームのx方向に沿って前後に並べられたサンプル体積群を順次、測定ビーム7aによって走査することができる。z方向に沿って上下に並べられた試験サンプル1の幾つかの部分体積群を走査するために、図1に対応の両方向矢印dz1で示されているように、試験サンプルの高さがz方向に沿って並進可能である。
【0023】
図1に示された例の場合、試験サンプル1の前方に位置する光学系4、5から送られた試験ビーム2は、試験サンプル1内でz方向に沿って平坦なプロファイルと、x−y方向に沿ってわずかに集束したプロファイルを有するようにセットアップされる。したがって、z方向に上下に並べられた各サンプル体積が試験ビーム2からの同じ放射エネルギ密度と相関し、これによって分析誤差統計結果を改善することができる。試験ビーム2の方向に沿って順次並んだサンプル体積では、吸収および/または散乱損失によって減少してから先行サンプル体積を透過した部分だけが次のサンプル体積に到達するので、それらは試験ビーム2のx方向に沿って減少する放射エネルギ密度で照射される。しかし、設定されたビーム集束がこの効果を部分的に補償するため、試験ビームのx方向に沿ったそれぞれの最終サンプル体積は、試験ビーム2からの十分に高い分析可能なエネルギ密度で照射されるであろう。
【0024】
耐照射損傷性を試験するために、試験サンプル1を図1に示された機構によってz方向に沿って一定の初期高さまで上昇させると、前後に並んだ第1群のサンプル体積が試験ビーム2の照射を順次受けて、測定ビーム7aによって走査されることによって、それらの透過率の挙動を決定することができ、このために、試験ビーム2はさまざまなサンプル体積を高速で連続的に走査する。あるいは、測定ビーム7aが対応数の平行測定ビームに分割され、対応数の放射エネルギ密度測定ユニット10bが順次配置されている場合、これらのサンプル体積のすべてを同時に走査することも可能であることは明白である。この第1群のサンプル体積を測定し終わると、試験サンプル1がz方向に沿って位置決めし直されて、試験ビームのx方向に沿った第1群の上方または下方に位置する第2群の透過率の放射エネルギ密度に対する依存度を測定することができる。試験サンプル1の全体積が処理されるまで、この手順が繰り返される。
【0025】
このように多数のサンプル体積についてさまざまな照射レベル、すなわち、さまざまな照射エネルギ密度において試験サンプル1で測定された透過率をアナライザユニットA1によって分析し、このユニットは、試験サンプル1の光学材料の耐照射損傷性を決定し、測定値が、必要ならば、追加入力データも、入力信号SEの形でそれに供給される。求められている耐照射損傷性データSbが出力部に得られる。アルゴリズム、特にモデル援用アルゴリズムをアナライザユニット A1内で実行することができる。そのようなモデル援用シミュレーションは、実際には、3種類の放射エネルギ密度、たとえば、0.5mJ/cm2、 1.5mJ/cm2および5mJ/cm2について得られる測定値で行うことができ、モデル援用分析の信頼度および精度を高めるために、非常に多くの異なった放射エネルギ密度で得られた測定値を記録することが好ましいであろう。モデリングにおいて、定常状態に到達したことを証明するか、約2×109パルスなどの所定の最低レーザパルス数でサンプルを照射することが役立つことがわかるであろう。試験ビームのそれぞれのサンプル体積を透過した部分は、測定ビーム 7aを使用した透過率の同時測定に基づいて決定することができると共に、試験ビームのビームプロファイル、たとえば、図1で設定された集束プロファイルが既知であるので、前後に一直線に並んだ個々のサンプル体積に対する試験ビームのx方向に沿った放射エネルギ密度の減少はそれから決定されるであろう。
【0026】
分析は、試験ビーム2を使用した試験手順で用いられる高放射エネルギ密度範囲における透過率および放射エネルギ密度間の関数関係を、それから得られる測定結果に基づいて決定することと、決定されたこれらの関数関係を低放射エネルギ密度範囲に外挿することとを含む。試験ビーム2に対応する波長を有するレーザビームを案内するための光学系の鏡およびレンズなどを作製するために用いられている光学材料は、通常使用ではそのような低放射エネルギ密度を受ける。
【0027】
図2は、光学材料の耐照射損傷性を決定するための試験機構を示しており、個々の試験サンプルが、試験中の幾つかのサンプル体積を形成する前後配置された試験サンプルの幾つかの平行な被照射列に配置されている。一例として、図2は、同様な構成の3列の場合を示し、各列には3つの試験サンプル1211〜 1213、1221〜1223および1231〜1233が前後に一直線に並べられて、順次照射される。
【0028】
やはり試験放射光線は、関連の光学系を有する単一のレーザ源13によって供給される。試験ビーム17a〜17cが、各試験サンプル列に1つずつ、幾つかの開口絞り16a〜16cの各々によって形成されるが、一連の半透過鏡 15a〜15dによって放出レーザビーム14から取り出される。したがって、このように取り出された試験ビーム17a〜17cは、レーザ源13からの距離が増加するのに伴って減少する異なったエネルギ密度を有する。個々の試験ビーム17a、17b、17cの各々の放射エネルギ密度は、開口絞りの出口で、また、試験サンプル1211〜1233の1つを透過した後に測定ユニット1811〜 1834の1つによっても測定され、このことが、測定ビームの所定部分が、各開口絞り16a、16b、16cの後および列の最終試験サンプル以外の各試験サンプルの後の半透過鏡1911〜1933によって取り出される理由である。
【0029】
したがって、図2に示された試験機構の場合、試験放射光線の各試験サンプル1211〜1233を透過した部分が測定ユニット1811〜1834によって検出されるため、試験放射光線は同時に測定放射光線として機能する。試験ビーム 17a、17b、17cを高エネルギ密度で照射されることによる老化によって生じる試験サンプル1211〜1233の透過率の低下を完全に、または少なくともほぼ補償するために、各試験サンプル1211〜1233の前方に可変減衰器 2011〜2033が配置されている。これらの減衰器2011〜2033は、最初は比較的高い減衰係数に設定されており、光学列においてそれの後の試験サンプルの透過率の低下が見られる場合、試験手順の途中に対応の低い減衰係数に設定し直される。このように、各試験サンプルは、個々の試験サンプル1211〜1233の透過率が低下した場合でも、試験手順の全課程でほぼ一定である放射エネルギ密度を与えられる。減衰器2011〜2033を図2に示された各半透過鏡1911〜 1933と対応の試験サンプル1211〜1233との間に配置する代わりに、それぞれの測定ビームのビーム経路上の他の適当な場所、特に各試験サンプル1211〜1233の後に配置してもよい。
【0030】
減衰器2011〜2033は、図3に上面図で概略的に示されている形式にすることができる。図3に示された減衰器20は、中心Mまわりに回転可能なディスクで構成され、それに、ディスクの中心に心合わせされた共通円上に中心が位置する円形減衰ゾーン21が形成されている。これらの減衰ゾーン21は、それらを透過するレーザ光線に対して互いに異なる減衰係数を有し、ディスク20を回転させることによって、それらを図2に示された構造のそれぞれの試験ビーム 17a、17b、17cの経路内へ個別に移動させることができる。これらの減衰ゾーン21は、CaF2または同様の材料から、その表面をさまざまな程度に艶消しすることによって作製することができる。各減衰ゾーンの表面のこの艶消しは、従来方法によって達成でき、この場合、それぞれの透過率が校正などによって決定されるであろう。好都合な装置は、一方側だけを艶消した1枚のプレートか、一方側だけを艶消した2枚のプレートを、艶消し側を互いに間隔を置いて向き合わせて組み立てることによって形成された減衰ゾーンを含む。後者の実施形態の場合、艶消し表面が周囲空気から隔離され、したがってほこりが遮断される。これらの減衰器の別の例は、CaF2などから作製された1つのウィンドウまたは幾つかの薄い研磨ウィンドウの積層体を含む。これらの装置はすべて、この形式の減衰器が試験処理中に大して劣化しないという好都合な特性を共有している。
【0031】
被験光学材料の耐照射損傷性を決定するための、図2に示された試験機構を使用して試験サンプル1211〜1233について得られた試験結果のさらなる分析は、図1に示された試験機構の場合で説明したものと同じである。図2に示された例の場合、すべての試験サンプル1211〜1233に互いに異なったほぼ一定の放射エネルギ密度を有する試験ビーム17a、17b、17cが、試験時間を通して照射される。その結果、各試験サンプル1211〜1233は、試験放射光線に用いられた高放射エネルギ密度範囲にわたって耐照射損傷性を放射エネルギ密度の関数として表す透過率データ点を生じる。放射レーザビーム14の形状およびエネルギ密度が一定であれば、図2に示された試験機構を使用して、透過率とそれが浴びた全照射線量との間の関数関係を説明する9個のデータ点が同時に得られるであろう。
【0032】
これは、前述したようにして、高エネルギ密度で得られた9個のデータ点から導出された関係のモデル援用外挿などを使用して、通常使用で一般的に見られる低放射エネルギ密度範囲における光学材料の耐照射損傷性を決定するには十分であろう。必要ならば、試験放射光線を照射する試験サンプルを平行な3列より多くしたり、かつ/または各列に3個より多い試験サンプルを設けるか、あるいは、放出レーザビーム14の放射エネルギ密度の変更を、必要ならば、異なったレーザ出力による別組の、たとえば9個のデータ点の測定および分析と組み合わせることによって、データ点の数を増やしてもよい。簡略化した装置の場合、それぞれが順次照射される少なくとも2つの試験サンプルを有する1列または平行な2列だけを設けても十分であろう。
【0033】
必要な入力データを、特にそれぞれの放射エネルギ密度測定ユニット1811〜1834から送られた出力信号S11〜S34を受け取るアナライザユニットA2がそのデータを分析して、上記のように、求める耐照射損傷性データSbをそれから導出することができる。
【0034】
好適なサンプルの実施形態の上記説明から明らかなように、本発明は、幾つかのサンプル体積に、それぞれのサンプル体積によって異なる測定または所定放射エネルギ密度を有する試験放射光線を同時に照射することによって、光学材料の耐照射損傷性を比較的迅速かつ正確に決定することができ、試験放射光線および測定放射光線の両方を供給するために単一の放射源が必要なだけである。光学材料の耐照射損傷性を表す1つまたは複数のパラメータが、各照射サンプル体積で測定される。関係するパラメータは、上記の例の場合のようにそれらの透過性および/または他のパラメータ、たとえば、それらの吸収性でよく、図1および図2に示されたサンプル実施形態の混合型で、幾つかの試験サンプルを図2に示したように配置し、各試験サンプルの幾つかのサンプル体積を図1に示されたように測定することも実現可能である。透過率測定を用いた図示のサンプル実施形態に加えて、反射率測定を用いた実施形態、すなわち、第2サンプル体積以降の各サンプル体積に、光学列においてそれに先行するサンプル体積によって反射された放射光線を照射する実施形態も実現可能である。さらに、必要ならば、図1に示された試験サンプルの照射に用いられる集束ビームの代わりに、別のビーム形状を有するビームを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】レーザ照射による損傷に対する光学材料の耐性を、試験サンプルの幾つかの部分体積で実施された耐性試験に基づいて決定する装置の概略斜視図である。
【図2】レーザ照射による損傷に対する光学材料の耐性を、それぞれのビーム経路上に前後に一直線に並べられ、減衰器を割り当てられている個別試験サンプルの幾つかの平行群で実施された耐性試験に基づいて決定する別の装置の概略斜視図である。
【図3】図2に示された減衰器の1つの概略上面図である。
【符号の説明】
1 試験サンプル
2 試験ビーム
3 レーザ
4 放物面鏡
5 レンズアセンブリ
6 ビームスプリッタ
7 走査ビーム
9 半透過鏡
13 レーザ源
14 放出レーザビーム
20 減衰器
21 減衰ゾーン
Claims (10)
- 光学材料の幾つかのサンプル体積(1a、1b、1211〜 1233)に、異なった測定または所定放射エネルギ密度を有する試験放射光線 (2、17a)を同時に照射し、ここで、すべてのサンプル体積に用いられる試験放射光線が共通の放射源(3、13)から生じており、また、
それぞれの耐照射損傷性を表す少なくとも1つのパラメータを測定することによって、光学材料の耐照射損傷性を決定する方法であって、
測定放射光線が、試験放射光線と同一の放射源(3、13)から生じ、
光学材料の耐照射損傷性は、その耐損傷性パラメータと放射エネルギ密度との間の関数関係に基づいて決定され、その関数関係は、さまざまな放射エネルギ密度でさまざまなサンプル体積(1a、1b、1211〜1233)において測定された耐損傷性パラメータの値から決定されることを特徴とする方法。 - 測定放射光線は、試験放射光線の一部をそれぞれのサンプルから取り出すことによって形成される請求項1記載の方法。
- サンプル(1)の幾つかの小体積が、サンプル体積として用いられる請求項1または2に記載の方法。
- 試験放射光線の1つまたは複数の平行な照射分岐線上に順次配置された幾つかのサンプル(1211〜1233)が設けられており、それぞれ個々のサンプルに割り当てられた可変減衰器(2011〜2033)によって、試験期間を通して各サンプルを通過する放射エネルギ密度がほぼ一定に保持される請求項2または3に記載の方法。
- 透過率が、照射損傷パラメータとして使用され、各サンプル体積に入射した試験放射光線または各サンプル体積に向けられた個別の測定ビーム(7a)のいずれかが測定放射光線として機能する請求項1乃至4に記載の方法。
- 光学材料の幾つかのサンプル体積(1a、1b、1211〜 1233)に、異なった測定または所定放射エネルギ密度を有する共通放射源から出た試験放射光線を同時に照射する手段(3〜5、13)と、
測定放射光線を用いて被照射サンプル体積の耐損傷性を表す少なくとも1つのパラメータを測定する手段(10a、10b、1812〜1834)とを有する、光学材料の耐照射損傷性を決定する装置であって、
試験放射光線を供給する放射源(3、13)が、測定放射光線も供給することと、
さまざまな放射エネルギ密度でさまざまなサンプル体積(1a、1b、 1211〜1233)において測定された耐損傷性パラメータの値を使用して、耐損傷性パラメータと放射エネルギ密度との間の関数関係を決定すると共に、このように決定された関数関係に基づいて、光学材料の耐照射損傷性を決定する分析装置(A1、A2)が設けられていることとを特徴とする装置。 - さらに、測定放射光線として使用するために、試験放射光線の一部を取り出す手段を有する請求項6に記載の装置。
- さらに、サンプル(1)に試験放射光線を照射し、そのサンプルのさまざまなサンプル体積(1a、1b)の耐損傷性パラメータを測定する機構を有する請求項7に記載の装置。
- さらに、試験放射光線が通る経路に沿って順次配置された幾つかの個別サンプル(1211、1212、1213)に照射する機構を有しており、各サンプルに可変減衰器(2011、2012、2013)が割り当てられている請求項7または8に記載の装置。
- 耐照射損傷性を測定する手段は、サンプル体積に入射した試験放射光線または関係する各サンプル体積に向けられた個別の測定ビーム (7a)の透過部分を得ることによって、各サンプル体積の透過率を測定できるように構成されている請求項6乃至9に記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10225842A DE10225842A1 (de) | 2002-06-04 | 2002-06-04 | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Strahlungsbeständigkeit eines optischen Materials |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004037439A true JP2004037439A (ja) | 2004-02-05 |
Family
ID=29557748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002238227A Pending JP2004037439A (ja) | 2002-06-04 | 2002-08-19 | 光学材料の耐照射損傷性を決定する方法および装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6734970B2 (ja) |
JP (1) | JP2004037439A (ja) |
DE (1) | DE10225842A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011180039A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Sigma Koki Kk | 被検体損傷分析装置 |
WO2014038584A1 (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置及びレーザ装置の制御方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10331589B3 (de) * | 2003-07-09 | 2005-03-24 | Schott Ag | Verfahren zur quantitativen Bestimmung der Pulslaserbeständigkeit von synthetischem Quarzglas |
DE102005024678B3 (de) * | 2005-05-30 | 2006-08-31 | Schott Ag | Verfahren zur Bestimmung von irreversiblen Strahlenschäden von optischem Material |
DE102006038902A1 (de) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Schott Ag | Verfahren zur Bestimmung der Laserstabilität von optischen Material sowie damit erhaltene Kristalle und deren Verwendung |
CN101165474B (zh) * | 2006-10-16 | 2011-11-16 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法 |
WO2013162944A1 (en) | 2012-04-27 | 2013-10-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Methods for determining photoprotective materials |
CN102866163A (zh) * | 2012-09-06 | 2013-01-09 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 检测激光损伤的装置和方法 |
DE102013013069B3 (de) * | 2013-08-06 | 2015-01-22 | Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. | Verfahren zur beschleunigten Degradation von OH-armen Quarzgläsern für UV-VUV-Anwendungen |
CN104297153B (zh) * | 2014-10-10 | 2017-01-11 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 用于确定光学材料激光辐照老化寿命的加速实验方法 |
RU170697U1 (ru) * | 2016-09-12 | 2017-05-03 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Лазерная установка для исследования радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники на основе Si, GaAs, SiGe к импульсному ионизирующему воздействию |
CN111504889A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-08-07 | 中国科学院微电子研究所 | 极紫外累积辐照损伤测试系统及方法 |
RU2748971C1 (ru) * | 2020-09-28 | 2021-06-02 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет" | Способ оценки эффективности защитных экранов из композитных материалов |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2703047C2 (de) * | 1977-01-26 | 1986-11-06 | Gesellschaft für Strahlen- und Umweltforschung mbH, 8000 München | Verfahren zur Erzeugung unterschiedlicher Massenspektren einer Probe aus festem Material |
JPS59178337A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-09 | Toshiba Corp | 自動化学分析装置 |
FR2558610B1 (fr) * | 1984-01-23 | 1986-05-09 | Labo Electronique Physique | Procede et appareillage pour determiner l'instant d'arret d'un processus de renouvellement de liquide |
US4854705A (en) * | 1988-04-05 | 1989-08-08 | Aerometrics, Inc. | Method and apparatus to determine the size and velocity of particles using light scatter detection from confocal beams |
FR2647547B1 (fr) * | 1989-05-25 | 1991-09-13 | Univ Reims Champagne Ardenne | Procede et dispositif de mesure de la resistance de contact de materiaux en couches par radiometrie photothermique |
EP0420692A3 (en) * | 1989-09-29 | 1992-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonlinear optical crystal damage measuring method and damage recovering apparatus |
DD293891A5 (de) * | 1990-04-17 | 1991-09-12 | Carl Zeiss Jena Gmbh,De | Anordnung zur bestimmung der absorption und der laserfestigkeit von optischen schichten |
US5477326A (en) * | 1994-06-30 | 1995-12-19 | Bayer Corporation | Spectrophotometer arrangement with multi-detector readhead |
JP3663753B2 (ja) * | 1996-07-01 | 2005-06-22 | 株式会社ニコン | エキシマレ−ザ照射耐久性の予測方法 及び石英ガラス部材 |
DE19632349C1 (de) * | 1996-08-10 | 1998-01-08 | Dieter Dipl Phys Dr Kockott | Verfahren zur Bestimmung von Eigenschaftsänderungen einer Probe |
JPH10232184A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Nikon Corp | レーザー耐久性評価方法 |
JPH10232197A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Nikon Corp | レーザー耐久性評価方法 |
JP3768336B2 (ja) | 1997-07-02 | 2006-04-19 | 株式会社ジャパンリーコム | 心線接続余長収納ケース |
JPH11108794A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Nikon Corp | レーザ耐久性測定装置 |
JP3716574B2 (ja) * | 1997-10-07 | 2005-11-16 | 株式会社ニコン | エキシマレーザ照射に対する光学部材の耐久性予測方法及び石英ガラス光学部材の選択方法 |
JPH11118669A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Nikon Corp | レーザ耐久性評価方法 |
JPH11230859A (ja) * | 1998-02-10 | 1999-08-27 | Nikon Corp | レーザー耐久性測定方法 |
JPH11258108A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Nikon Corp | レーザー耐久性測定装置 |
JP2000081367A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-21 | Nikon Corp | 光透過性光学部材、その製造方法、その評価方法、および光リソグラフィー装置 |
US6100976A (en) * | 1998-09-21 | 2000-08-08 | The Board Of Regents For Oklahoma State University | Method and apparatus for fiber optic multiple scattering suppression |
JP2000180301A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-06-30 | Nikon Corp | レ―ザ耐久性測定装置およびホルダ |
JP4051474B2 (ja) * | 1999-04-01 | 2008-02-27 | 株式会社ニコン | 紫外用光学部材の透過率測定方法 |
JP2001033379A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-09 | Canon Inc | 紫外線耐久性に優れた蛍石および蛍石の紫外線耐久性評価方法 |
JP2001099751A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Nikon Corp | 光学素子のレーザ耐久性評価方法、光学素子のレーザ耐久性評価装置及び露光装置 |
JP2001099753A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Nikon Corp | 光学素子のレーザー耐久性評価装置、光学素子のレーザー耐久性評価方法及び露光装置 |
US6307630B1 (en) * | 1999-11-19 | 2001-10-23 | Hach Company | Turbidimeter array system |
DE10050349C2 (de) * | 2000-10-11 | 2002-11-07 | Schott Glas | Verfahren zur Bestimmung der Strahlenbeständigkeit von Kristallen und deren Verwendung |
-
2002
- 2002-06-04 DE DE10225842A patent/DE10225842A1/de not_active Withdrawn
- 2002-08-19 JP JP2002238227A patent/JP2004037439A/ja active Pending
- 2002-08-21 US US10/224,391 patent/US6734970B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011180039A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Sigma Koki Kk | 被検体損傷分析装置 |
WO2014038584A1 (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置及びレーザ装置の制御方法 |
JPWO2014038584A1 (ja) * | 2012-09-07 | 2016-08-12 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置及びレーザ装置の制御方法 |
US9490603B2 (en) | 2012-09-07 | 2016-11-08 | Gigaphoton Inc. | Laser apparatus and method of controlling laser apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030223065A1 (en) | 2003-12-04 |
DE10225842A1 (de) | 2003-12-24 |
US6734970B2 (en) | 2004-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004037439A (ja) | 光学材料の耐照射損傷性を決定する方法および装置 | |
CN105223126A (zh) | 一种聚合物辐照损伤测试装置与测试方法 | |
JP2009539064A (ja) | 光学計測装置に使用するための汚染モニタおよび制御技術 | |
CN104807761A (zh) | 一种实现微区光谱测量的光谱仪设计方法 | |
CA2095208C (en) | Method and apparatus for non-contact and rapid identification of wood species | |
EP0908716A1 (en) | Method for estimating durability of optical member against excimer laser irradiation and method for selecting silica glass optical member | |
US5991016A (en) | Apparatus for producing variable levels of uniform light flux | |
CN112595493A (zh) | 一种激光损伤阈值和非线性吸收的共靶面测量装置和方法 | |
KR101268152B1 (ko) | 광안내부를 구비하는 입자 측정 센서 | |
JP2003214949A (ja) | モニタ装置及び紫外線レーザ装置 | |
JP2003247913A (ja) | 光学部品の透過率測定装置及びレーザ光のエネルギー測定装置 | |
Burkert et al. | Investigating the ArF laser stability of CaF2 at elevated fluences | |
CN110940640A (zh) | 一种强光吸收光谱测试系统及方法 | |
JPH1062240A (ja) | 散乱測定装置とその測定方法 | |
US6392753B1 (en) | Accelerated damage testing method and apparatus for low loss optical materials | |
CN114390919A (zh) | 表征激光处理系统的激光辐射的方法、光阑装置和激光处理系统 | |
US7576348B2 (en) | One-dimensional phase contrast microscopy with a traveling lens generated by a step function change | |
Jupé et al. | Scaling law investigations in spot sizes dependence in the ns regime | |
Piombini et al. | Highlighting of local inhomogeneity in excimer conditioning of KDP | |
Dho et al. | Application of geometrical form factor in differential absorption lidar measurement | |
Ihlemann et al. | Plasma and plume effects on UV laser ablation of polymers | |
Stolz et al. | Damage test capabilities using a high-repetition-rate visible laser at LLNL | |
JP2000146755A (ja) | 光吸収量測定方法および光吸収量測定装置 | |
JP3673391B2 (ja) | 合成石英ガラスの評価方法 | |
Kimmel et al. | Optical damage testing at the Z-Backlighter facility at Sandia National Laboratories |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050805 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081007 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090811 |