CN101165474B - 一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法 - Google Patents

一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101165474B
CN101165474B CN2006101408920A CN200610140892A CN101165474B CN 101165474 B CN101165474 B CN 101165474B CN 2006101408920 A CN2006101408920 A CN 2006101408920A CN 200610140892 A CN200610140892 A CN 200610140892A CN 101165474 B CN101165474 B CN 101165474B
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
crystal device
high power
nonlinear crystal
scattering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2006101408920A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101165474A (zh
Inventor
兰国政
吴少凡
林文雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujian Castech Crystals Inc
Original Assignee
Fujian Castech Crystals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujian Castech Crystals Inc filed Critical Fujian Castech Crystals Inc
Priority to CN2006101408920A priority Critical patent/CN101165474B/zh
Publication of CN101165474A publication Critical patent/CN101165474A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101165474B publication Critical patent/CN101165474B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法，涉及一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法。应用高功率连续、准连续固体激光器照射非线性晶体器件，采用He-Ne激光散射法，通过硅光电二极管来接收激光照射非线性晶体器件时，晶体前后表面对He-Ne激光的散射变化，形成脉冲TTL信号，利用继电器来控制设置在光路上的挡板(Shutter)，利用计时器来记录激光照射时间。逐渐加大激光的输出功率，直至硅光电二极管观测到He-Ne激光的散射变化。通过计算这时作用于非线性晶体器件表面的激光功率密度，计算出非线性晶体器件在连续、准连续激光照射下的激光损伤阈值。

Description

一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法
技术领域
本发明属于材料光学性能测试领域，是光学晶体材料在激光照射下激光损伤阈值测量的一种方法。
背景技术
高功率激光装置中，光学元件的激光损伤阈值一直是技术发展的瓶颈因素之一。传统的光学元件激光损伤阈值测量是利用脉冲激光垂直照射光学元件的通光面，在每个测试点测三组数据(每组100个)。胡建平等人报道了光学元件的激光损伤阈值测量[红外和激光工程，第35卷，第2期，2006年4月]。其用的激光光源为脉冲激光器，根据激光的能量、光斑的有效面积来计算出晶体的损伤阈值。这种方法测量的相对合成不确定度为18.72％。大功率全固态连续、准连续红、绿、蓝激光器因其在工业、娱乐、军事等方面的重要应用而得到广泛的重视。而非线性晶体的激光损伤一直是高功率激光系统中非线性频率转换系统中的一项关键技术。
发明内容
本发明目的是公开一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法。
本发明是应用高功率连续、准连续固体激光器照射非线性晶体器件，采用He-Ne激光散射法，通过硅光电二极管来接收激光照射前后非线性晶体器件表面对He-Ne激光的散射变化，形成脉冲TTL信号，利用继电器来控制设置在光路上的挡板(Shutter)，利用计时器来记录激光照射时间。逐渐加大连续激光的输出功率，直至硅光电二极管观测到He-Ne激光的散射变化。通过计算这时作用于非线性晶体器件表面的激光功率密度，计算出非线性晶体器件在连续、准连续激光照射下的损伤阈值。
所说的测量方法可以是在线测量。
所说的激光光源的工作方式是连续的和准连续的。
所说的非线性晶体是LBO、BBO、KTP、LN、BIBO、KBBF、KN。本发明与传统激光损伤闽值测量方法相比，其优点在于：(1)晶体能够在连续、准连续激光照射下的直接测出其损伤情况；(2)能准确测量其在不同功率密度激光照射下的损伤阈值；(3)通过He-Ne激光散射法可以直接了解到晶体的损坏情况，实现在线测量。
附图说明
附图是本发明的一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法实例构成图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施方式作进一步说明：
1是1064nm连续固体激光器；2是He-Ne激光器；3是激光功率计；4是硅光电二极管；5是继电器；6是放晶体的二维可调节平台；7是632.8nm全反射镜；8是高透1064n/高反632.8nm反射镜；9是聚焦透镜；10是T＝96％1064nm高透632.8nm的镜片；11是继电器控制开关的挡板；12是计时器；13是LBO晶体器件。
打开1064nm连续固体激光器、He-Ne激光、硅光电二极管、继电器、计时器等工作电源，稳定工作一个小时(这时设置在光路上的挡板(Shutter)处于关闭状态)。利用硅光电二极管来接收激光照射前后LBO晶体器件对He-Ne激光的散射变化。若有变化，说明LBO晶体器件被1064nm激光损伤；若无变化，说明LBO晶体器件未被1064nm激光损伤。打开挡板，使得1064nm激光垂直入射到LBO晶体器件的通光面上，同时记时器开始记时，在硅光电二极管未感应到He-Ne激光的散射变化情况下，使1064nm激光持续照射30分钟。若硅光电二极管感应到He-Ne激光的散射变化，通过控制电路形成一个脉冲TTL信号.利用继电器来关闭设置在光路上的挡板，同时利用计时间器来记录激光照射时间。在LBO晶体器件未被损伤的情况下，逐级加大1064nm连续激光的输出功率。输出功率每次10％递增，每个输出功率下持续照射30分钟，直至硅光电二极管观测到He-Ne激光的散射变化。通过计算这时作用于LBO晶体器件表面的1064nm脉冲激光功率密度，计算出LBO晶体器件在连续激光下的激光损伤阈值。

Claims (2)

1.一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法，其特征在于：应用高功率连续固体激光器照射非线性晶体器件，采用He-Ne激光散射法，通过硅光电二极管来接收高功率连续激光照射前后非线性晶体器件表面对He-Ne激光的散射变化，形成脉冲TTL信号，利用继电器来控制设置在光路上的挡板，打开挡板能够使得高功率连续激光垂直入射到非线性晶体器件通光面上，利用计时器来记录高功率连续激光照射时间；逐渐加大高功率连续激光的输出功率，直至硅光电二极管观测到He-Ne激光的散射变化，通过计算这时作用于非线性晶体器件表面的高功率连续激光功率密度，计算出非线性晶体器件在高功率连续激光照射下的激光损伤阈值。
2.一种权利要求1所述的测量方法，其特征在于：所述非线性晶体为LBO，BBO，KTP，LN，BIBO，KBBF，KN。
CN2006101408920A 2006-10-16 2006-10-16 一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法 Active CN101165474B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2006101408920A CN101165474B (zh) 2006-10-16 2006-10-16 一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2006101408920A CN101165474B (zh) 2006-10-16 2006-10-16 一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101165474A CN101165474A (zh) 2008-04-23
CN101165474B true CN101165474B (zh) 2011-11-16

Family

ID=39334252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006101408920A Active CN101165474B (zh) 2006-10-16 2006-10-16 一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101165474B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101806657B (zh) * 2010-03-17 2012-05-09 中国科学院上海光学精密机械研究所 双波长激光同时辐照光学薄膜损伤阈值测量装置和方法
CN102841097B (zh) * 2012-09-05 2015-01-14 同济大学 基于高精度复位技术的损伤阈值测量方法及测量装置
CN102980895B (zh) * 2012-11-22 2015-07-15 同济大学 一种等离子体产生诱因识别方法
CN103226057B (zh) * 2013-03-27 2015-04-08 同济大学 一种真空环境下高效率多功能的激光损伤测试装置和方法
CN104568988B (zh) * 2014-12-17 2017-05-31 河南工程学院 Ktp晶体疲劳损伤在线监测的方法和装置
CN108287061A (zh) * 2018-01-19 2018-07-17 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种激光光学元件寿命检测和寿命概率测试方法及系统
CN114486190A (zh) * 2022-01-12 2022-05-13 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所 一种光学元件后表面激光损伤阈值的测试装置及测试方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6734970B2 (en) * 2002-06-04 2004-05-11 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologuies Ag Method and a device for determining the radiation-damage resistance of an optical material

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6734970B2 (en) * 2002-06-04 2004-05-11 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologuies Ag Method and a device for determining the radiation-damage resistance of an optical material

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平4-70536A 1992.03.05
JP特开2005-114720A 2005.04.28
Xiaodong Mu et al.Investigation of damage mechanisms of KTiOPO4 crystals by use of a continuous-wave argon laser.《APPLIED OPTICS》.2000,第39卷(第18期),3099-3103. *
周东平 等.红外滤光片激光损伤的研究.《中国激光》.1994,第21卷(第11期),893-896. *
胡建平 等.光学元件的激光损伤阈值测量.《红外与激光工程》.2006,第35卷(第2期),187-191. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN101165474A (zh) 2008-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101165474B (zh) 一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法
CN100526856C (zh) 基于太赫兹时域光谱技术的纸页定量检测装置及方法
US20210072089A1 (en) Method and system for measuring transient time width of ultrashort pulse
CN103398777B (zh) 利用光控动态光学元件调制太赫兹波的方法
CN108593106B (zh) 一种探测受激布里渊散射瞬态超声光栅光谱的系统装置
CN107677379A (zh) 一种飞秒激光脉冲波形测量装置
CN103454074B (zh) 一种小孔径高反镜反射率测量方法
CN106248636A (zh) 一种测量材料非线性吸收曲线的方法
Hassan et al. Evolution of far-field diffraction patterns and nonlinear optical properties of SAE70 oil
CN105811953B (zh) 二碘化铅薄膜在亚皮秒全光磁开关中的应用
CN101324736A (zh) 利用一次受激布里渊散射光限幅获得时域平顶光束的方法
Hassan Nonlinear optical and optical limiting properties of chicago sky blue 6B doped PVA film at 633 nm and 532 nm studied using a continuous wave laser
CN106198450B (zh) 一种测量材料非线性吸收曲线的装置
CN104251736A (zh) 一种激光器的在线功率检测方法和功率检测装置
CN208953135U (zh) 一种双延迟三阶相关仪
CN104913853B (zh) 用于测量超强超短激光预脉冲的方法和系统
Robertson et al. Nonlinear refractive beam shaping by an organic nonlinear absorber
CN204835202U (zh) 调q激光器
CN101126676A (zh) 用于高反射率测量的开关激光束的时序优化方法
CN102967726B (zh) 非线性液体介质微流动恢复时间的测量系统及其测量方法
CN201252335Y (zh) 载波包络相位稳定的双波长输出光学参量放大激光系统
Ganeev et al. Nonlinear optical characteristics of colloidal solutions of metals
Fortenberry et al. Low-power ultrashort optical pulse characterization using linear dispersion
Rychnovsky et al. Optical nonlinearities and optical limiting in GaP at 532 nm
Kozich et al. Pulse-induced thermal lensing in Kerr media

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20081010

Address after: Fuzhou City, Fujian Province, Yangqiao Road No. 155

Applicant after: Fujian Castech Crystals, Inc.

Address before: Fuzhou City, Fujian Province, Yangqiao Road No. 155

Applicant before: Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Scie

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant