RU170697U1 - Лазерная установка для исследования радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники на основе Si, GaAs, SiGe к импульсному ионизирующему воздействию - Google Patents
Лазерная установка для исследования радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники на основе Si, GaAs, SiGe к импульсному ионизирующему воздействию Download PDFInfo
- Publication number
- RU170697U1 RU170697U1 RU2016136458U RU2016136458U RU170697U1 RU 170697 U1 RU170697 U1 RU 170697U1 RU 2016136458 U RU2016136458 U RU 2016136458U RU 2016136458 U RU2016136458 U RU 2016136458U RU 170697 U1 RU170697 U1 RU 170697U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- laser
- radiation
- wavelength
- channel
- pulsed
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Лазерная установка для исследования радиационной стойкости интегральных схем к импульсному ионизирующему воздействию состоит из наносекундного импульсного твердотельного лазера и двух каналов, выбираемых с помощью переключаемого зеркала. Первый канал, предназначенный для работы с длинами волн 1,06 и 0,53 мкм. Второй канал, предназначенный для работы с перестраиваемой длиной волны в диапазоне 0,7…1 мкм. Лазерная установка также имеет систему управления работой блоков формирователей пучка в обоих каналах на базе персонального компьютера с пакетом программного обеспечения. Технический результат полезной модели заключается в возможности осуществления исследований радиационной стойкости к импульсному ионизирующему воздействию с помощью однородного облучения изделий полупроводниковой электроники на основе Si, GaAs, SiGe на импульсной лазерной установке с перестраиваемой длиной волны. 2 ил.
Description
Полезная модель относится к измерительной технике и касается конструкции устройства, используемого для исследования радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники (интегральных схем, полупроводниковых приборов, изделий твердотельной СВЧ-электроники, оптоэлектроники и микросистемной техники, электронных модулей, реализованных на элементно-технологических базисах и по технологическим процессам микроэлектроники) к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИ).
Высокие требования к радиационной стойкости современных изделий полупроводниковой электроники (ИПЭ) для специальных применений требуют, в частности, определения их стойкости к воздействию ИИ большой мощности поглощенных доз (с уровнем порядка 1012 рад(Si)/c и выше). Достижение таких уровней на импульсных рентгеновских и гамма-установках представляет собой достаточно сложную задачу. Вместе с тем, одним из самых простых и эффективных способов проведения исследований радиационной стойкости ИПЭ к импульсному ионизирующему воздействию (ИИВ) является использование объемной ионизации полупроводника импульсным лазерным излучением (ЛИ) наносекундной длительности, которая соответствует длительности коротковременной составляющей импульса гамма-излучения. Наилучшее совпадение результатов лазерного облучения и воздействия импульсной гамма-установки наблюдается, если при этом обеспечивается однородное по всему объему исследуемой структуры ИПЭ распределение неравновесных носителей заряда.
При исследовании радиационного поведения кремниевых ИПЭ для обеспечения однородного распределения интенсивности ионизации по глубине возможно использовать импульсные твердотельные лазеры на основе ионов Nd3+ с длинами волн 1,06 или 1,08 мкм (Никифоров А.Ю., Скоробогатов П.К. Физические основы лазерного экспериментального имитационного моделирования объемных ионизационных эффектов в полупроводниковых структурах, элементах и микросхемах. Линейная модель // Микроэлектроника, 2004, Т. 33, №2, С. 91-107). Эти длины волн соответствуют глубине поглощения ЛИ в кремнии в несколько сотен микрон и по указанному критерию являются оптимальными для большинства кремниевых ИПЭ, изготовленных по объемной и эпитаксиальной технологиям. Однако, в данном случае, сравнительно низкая доля поглощенной энергии в относительно тонком приборном слое современных ИПЭ, а также наличие на их поверхности большого количества слоев металла и поликремния, заставляют применять высокую интенсивность лазерного воздействия для достижения требуемых предельных значений эквивалентных мощностей поглощенных доз.
При воздействии ЛИ на приборы, выполненные по тонкопленочной КНИ- и КНС-технологии, эффективность использования энергии ЛИ вследствие поглощения в их еще более тонком (менее 1 мкм) приборном слое существенно ниже, чем в случае объемных интегральных схем. При использовании для моделирования объемных ионизационных эффектов в КНИ-структурах с толщиной приборного слоя 0,2 мкм ЛИ с длиной волны 1,06 мкм около 0,03% лазерной энергии реально участвует в ионизации кремния, а остальная энергия поглощается в подложке или покидает прибор.
Повышение эквивалентной мощности дозы за счет роста интенсивности ЛИ ограничивается возможностью повреждения кремниевых структур вследствие термодинамических эффектов. Поэтому в случае, когда дальнейшее увеличение интенсивности ЛИ невозможно, практически единственным выходом является повышение эквивалентной мощности поглощенной дозы в полупроводнике за счет использования более коротких длин волн (менее 1 мкм). Основным препятствием, ограничивающим использование более коротких длин волн, является сильная неравномерность распределения ионизации по глубине кристалла, приводящая к нарушению корректности лазерного имитационного моделирования объемных ионизационных эффектов в кремниевых ИПЭ.
Отдельной проблемой является моделирование воздействия ИИ на современные приборы твердотельной СВЧ-электроники на основе GaAs, SiGe и т.п. Так, например, ширина запрещенной зоны GaAs составляет около 1,42 эВ, что соответствует длине волны оптического излучения 0,87 мкм, следовательно, для достижения необходимых уровней неравновесной ионизации требуется ЛИ с длиной волны короче указанного значения.
Выбор оптимальной длины волны для каждого конкретного материала подложки и типа исследуемого ИПЭ с учетом всех критических для лазерного моделирования параметров (концентрация и подвижность неравновесных носителей, распределение концентрации в объеме полупроводника и т.п.) связан с проведением большого количества экспериментов по регистрации амплитуды, длительности и формы ионизационной реакции ИПЭ на различных длинах волн и их сравнения с результатами исследований на рентгеновских и гамма установках.
Так, например, известно устройство для исследования радиационной стойкости кремниевых интегральных схем, содержащее источник наносекундных лазерных импульсов с длиной волны 1,06 мкм, дискретный аттенюатор энергии (набор нейтральных светофильтров) и гомогенизатор (матовый рассеиватель) ЛИ и отдельный блок измерения плотности энергии лазерных импульсов (Nikiforov A.Y., Mavritsky О.В., Egorov A.N., Figurov V.S., Telets V.A., Skorobogatov P.K., Polevich S.A. "RADON-5E" Portable Pulsed Laser Simulator: Description, Qualification Technique and Results, Dosimetry Procedure // Proceedings of the 1996 IEEE Radiation Effects Data Workshop (REDW) Record, pp. 49-54 (1996)).
Наиболее существенными недостатками данного устройства являются фиксированная длина волны ЛИ, непригодная для исследования ИПЭ на основе GaAs, невозможность плавно изменять и контролировать в каждом импульсе плотность энергии ЛИ на исследуемом образце, а также отсутствие компьютерного управления режимами работы устройства. Кроме того, максимально достижимая в устройстве плотность энергии ЛИ не позволяет достигать эквивалентной мощности поглощенных доз (порядка 1012 рад(Si)/c и выше) для интегральных схем с площадью кристалла более 1 см2.
Поэтому для исследования радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники на основе Si, GaAs, SiGe к импульсному ионизирующему воздействию потребовалась разработка универсальной лазерной установки, сочетающей в себе простоту и доступность традиционных лазерных источников на основе ионов Nd3+ с возможностью перестройки длины волны ЛИ.
При разработке полезной модели ставилась цель создания модульной конструкции, позволяющей перестраивать длину волны и варьировать в широких пределах энергию ЛИ с возможностью ее контроля для каждого импульса, воздействующего на исследуемое ИПЭ, а также изменять другие параметры ЛИ, такие, как диаметр падающего на объект лазерного пучка.
Настоящая полезная модель направлена на достижение технического результата, заключающегося в возможности осуществления исследования радиационной стойкости к ИИВ с помощью однородного облучения ИПЭ на основе Si, GaAs, SiGe на импульсной лазерной установке с перестраиваемой длиной волны.
Данный технический результат достигается в исследуемом образце полупроводникового устройства за счет объемной генерации неравновесных носителей заряда в однородном по сечению параллельном пучке лазерного излучения с фиксированными длинами волн (1,06 и 0,53 мкм) или перестраиваемой длиной волны в диапазоне 0,7-1 мкм. При этом устройство выполнено с возможностью изменения диаметра пучка излучения с эффективным диаметром однородного облучения от 6 до 36 мм.
Указанный технический результат достигается тем, что лазерная установка для исследования радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники на основе Si, GaAs, SiGe к импульсному ионизирующему воздействию содержит наносекундный импульсный твердотельный лазер, выполненный с возможностью удвоения частоты излучения и профилем распределения интенсивности с плоской вершиной в центральной части поперечного сечения пучка, и два канала: первый канал предназначен для работы с длинами волн 1,06 и 0,53 мкм и содержит блок формирования лазерного пучка, в который входят управляемые шаговыми приводами селектор длины волны, поляризационный плавный ослабитель с коэффициентом ослабления энергии лазерных импульсов в диапазоне от 1 до 5⋅104 и дополнительный ослабитель энергии излучения с фиксированным коэффициентом ослабления для каждой длины волны, блок расширения пучка, состоящий из набора заменяемых телескопов с выходными эффективными диаметрами параллельных пучков 6, 12, 18 и 36 мм; второй канал предназначен для работы с перестраиваемой длиной волны в диапазоне от 0,7 до 1 мкм и содержит перестраиваемый Ti3+:Al2O3 лазер, накачиваемый излучением 0,53 мкм указанного выше наносекундного импульсного твердотельного лазера, и блока формирования лазерного пучка, содержащего аналогичные формирователю первого канала поляризационный плавный ослабитель с коэффициентом ослабления энергии лазерных импульсов в диапазоне от 1 до 5⋅104, блок расширения пучка, состоящий из набора заменяемых телескопов с выходными эффективными диаметрами параллельных пучков 6, 12, 18 и 36 мм; общие для двух каналов измеритель интенсивности излучения в центральной части пучка и полупроводниковый лазерный целеуказатель и систему управления работой блоков формирователей пучка в обоих каналах на базе персонального компьютера с пакетом специализированного программного обеспечения, в которую также входит контроллер всех шаговых приводов.
Указанные признаки являются существенными, а их совокупность является достаточной для достижения указанного технического результата.
Настоящая полезная модель поясняется конкретным примером исполнения, который, однако, не является единственно возможным, но наглядно демонстрирует возможность достижения требуемого технического результата.
Сущность разработанной установки для исследования радиационной стойкости ИПЭ поясняется чертежами (см. фиг. 1 и фиг. 2).
На чертежах приняты следующие обозначения:
1. Блок питания Nd3+:YAG лазера;
2. Nd3+:YAG лазер;
3. Выносной пульт управления Nd3+:YAG лазером;
4. Удвоитель частоты (генератор второй гармоники 0,53 мкм);
5. Зеркало, переключаемое для выбора канала;
6. Перестраиваемый Ti3+:Al2O3 лазер;
7. Формирователь лазерного пучка первого канала;
8. Формирователь лазерного пучка второго канала;
9. Система управления на базе ПК;
10. Целеуказатель (полупроводниковый лазер);
11. Измеритель энергии лазерного излучения;
12. Объект (исследуемое изделие);
13. Блок селектора длины волны с шаговым приводом;
14. Дополнительный ослабитель энергии излучения;
15. Поляризационный плавный ослабитель;
16. Телескопический расширитель пучка (комплект зеркальных телескопов);
17. Калиброванная диафрагма;
18. Защитный кожух;
19. Оптическая плита (единая база всей установки).
Блок-схема разработанной полезной модели представлена на фиг. 1. Основой разработанной лазерной имитирующей установки является мощный наносекундный импульсный твердотельный лазерный излучатель 2 с активным элементом из иттрий-алюминиевого граната (YAG), активированного ионами неодима (Nd3+), работающий на длине волны 1,06 мкм в режиме модуляции добротности резонатора с регулируемой частотой повторения импульсов от 1 до 10 Гц. Блок питания выполнен в виде отдельной стойки 1. Основной особенностью излучателя является высокая стабильность выходной энергии (1-2%) и низкая расходимость пучка генерации. Работа в режиме насыщения усиления обеспечивает профиль распределения интенсивности с плоской вершиной в центральной части поперечного сечения пучка. Излучатель снабжен выносным пультом управления 3, позволяющим задавать основные рабочие режимы и параметры лазера (энергию накачки, задержку срабатывания модулятора добротности и др.).
На выходе лазерного излучателя 2 установлен блок удвоителя частоты 4 на нелинейном кристалле КТР, осуществляющий преобразование основного излучения с длиной волны 1,06 мкм во вторую гармонику 0,53 мкм. При необходимости работы с ЛИ на основной длине волны блок может быть выведен из оптического тракта.
Далее ЛИ может быть направлено в два канала: в первый канал основного излучения, используемый при работе с длинами волн 1,06 и 0,53 мкм, либо во второй канал перестройки длины волны. Необходимый канал выбирается с помощью переключаемого зеркала 5.
Первый канал
С выхода излучателя (или удвоителя частоты) ЛИ поступает в блок формирователя лазерного пучка 7, конструкция которого схематично представлена на фиг. 2, состоящего из селектора длины волны 13, управляемого шаговым приводом, дополнительного ослабителя энергии излучения 14 с фиксированным коэффициентом ослабления на каждой длине волны, поляризационного плавного ослабителя 15 и телескопического расширителя 16.
Принцип действия плавного ослабителя 15 основан на зависимости пропускания поляризатором линейно поляризованного света от угла между плоскостями поляризации световой волны и поляризатора. Конструктивно блок ослабления выполнен в виде трех последовательно расположенных поляризационных призм Глана, одна из которых (средняя) вращается вокруг оптической оси с помощью шагового привода, подключаемого через USB-контроллер к ПК. Применение данной схемы обеспечивает регулировку с высокой точностью коэффициента ослабления энергии лазерных импульсов в диапазоне 1…5⋅104 при неизменном состоянии поляризации лазерного излучения на выходе. При необходимости еще большего расширения динамического диапазона ослабителя в оптический тракт перед плавным ослабителем может быть введен дополнительный ослабитель 14.
Телескопический расширитель пучка 16 служит для обеспечения равномерности (однородности по облучаемой площади) облучения ИПЭ и представляет собой набор сменных двухзеркальных телескопов с различными коэффициентами расширения пучка, обеспечивающих на выходе установки практически параллельный лазерный пучок с необходимым эффективным диаметром. Это позволяет облучать ИПЭ непосредственно в составе модулей различной высоты без пересчета падающей интенсивности ЛИ. Применение в телескопах оптических элементов на основе диэлектрических зеркал дает возможность исключить зависимость расходимости выходного ЛИ от длины волны. Платформа для установки телескопических расширителей снабжена устройством считывания кратности выбранного телескопа.
Пройдя через формирователь лазерного пучка 7, ЛИ направляется вниз на исследуемый объект 12. Точное позиционирование объекта относительно ЛИ осуществляется с помощью встроенного целеуказателя 10, представляющего собой полупроводниковый лазер, луч которого пространственно совмещен с осью сформированного лазерного пучка. Для контроля интенсивности лазерного облучения перед исследуемым объектом установлен калиброванный измеритель энергии 11 на основе кремниевого фотодиода с калиброванной диафрагмой 17, регистрирующий отраженную от делительной пластинки малую долю каждого падающего на объект лазерного импульса, что позволяет учитывать изменение интенсивности ЛИ при смене расширяющих телескопов 16, а также нестабильность энергии лазерного излучателя.
Блок формирователя лазерного пучка 7, целеуказатель 10 и измеритель энергии 11 объединены в единый модуль, конструктивно обеспечивающий функцию подъема лазерного пучка на высоту, необходимую для его направления на исследуемую ИПЭ сверху вниз (для удобства проведения испытаний). Для защиты персонала от интенсивного прямого и отраженного лазерного излучения предусмотрен специальный опускаемый кожух 18.
Основные характеристики первого канала представлены в табл. 1.
Второй канал
При переключении зеркала 5 излучение лазера 2 попадает во второй канал, в котором, после преобразования во вторую гармонику в удвоителе частоты 4 используется для накачки перестраиваемого по длине волны лазера 6 с активным элементом на основе титан-сапфира (Ti3+:Al2O3), в котором возможны излучательные переходы в диапазоне 0,6…1,1 мкм. Из-за частичного перекрытия коротковолнового края полосы флуоресценции и длинноволнового края полосы поглощения генерация возможна только, начиная с λ=0,65 мкм. Потери в активной среде и на оптических компонентах резонатора приводят к дальнейшему сужению области перестройки до диапазона от 0,7 до 1 мкм.
В используемом перестраиваемом лазере функцию дисперсионного элемента выполняет активный элемент, торцы которого срезаны под углом Брюстера навстречу друг другу. Перестройка длины волны выходного излучения достигается поворотом глухого зеркала с помощью микровинта в плоскости дисперсии активного элемента.
На выходе перестраиваемого лазера установлен блок формирователя лазерного излучения 8, конструкция которого аналогична конструкции блока формирования лазерного пучка в первом канале, но не содержит селектора длины волны и дополнительного ослабителя энергии. Для указания центра лазерного пучка на объекте 12 и измерения энергии лазерного импульса используются те же элементы 10 и 11.
Основные характеристики второго канала представлены в табл. 2.
Управление работой блоков формирователей пучка осуществляется с помощью системы управления 9 на базе персонального компьютера, в которую также входит контроллер всех шаговых приводов, подключенный к компьютеру через USB-интерфейс. Специальная управляющая программа позволяет варьировать выходную энергию ЛИ на объекте и управлять положением дополнительного фиксированного ослабителя. Кроме этого на экран ПК может быть выведена информация о длине волны лазерного излучения и кратности установленного телескопического расширителя.
Для работы заявленной установки необходимо определенное пространственное расположение всех ее составных частей друг относительно друга. Для этого на единой оптической плите 19 все модули конструктивно объединяются в единый испытательный комплекс. Таким образом, заявленная установка может быть признана устройством, несмотря на то, что элементы (оптическая плита), обеспечивающие указанное взаимное расположение, не включены в формулу полезной модели.
Разработанная полезная модель лазерной установки для исследования радиационной стойкости интегральных схем к воздействию импульсных ионизирующих излучений имеет следующие основные признаки:
- компактный твердотельный лазерный источник с удвоителем частоты, используемый для облучения ИПЭ на длинах волн 1,06 и 0,53 мкм, а также для накачки дополнительного лазера, перестраиваемого по длине волны в диапазоне от 0,7 до 1 мкм;
- конструкция блока формирователя лазерного пучка, оснащенная опускаемым кожухом для защиты персонала от интенсивного прямого и отраженного лазерного излучения;
- программно-регулируемая система ослабления ЛИ с динамическим диапазоном от 1 до 5⋅104, позволяющая задавать коэффициент ослабления энергии лазерных импульсов и обеспечивающая неизменное состояние поляризации лазерного излучения на выходе;
- расширитель лазерного пучка со сменными зеркальными телескопами, обеспечивающий облучение параллельным пучком ЛИ интегральных схем и модулей с различными геометрическими размерами;
- встроенный измеритель энергии лазерного импульса, обеспечивающий контроль уровня воздействия на ИПЭ в каждом импульсе;
- лазерный указатель положения центра пучка воздействующего излучения.
Совокупность представленных признаков дает основания утверждать, что по сравнению с известным уровнем техники полезная модель позволяет достичь заявленный технический результат, а именно на импульсной лазерной установке с перестраиваемой длиной волны проводить исследования на стойкость к импульсному ионизирующему воздействию перспективных ИПЭ, созданных как на основе Si и SiGe, включая приборы, выполненные по тонкопленочной КНИ- и КНС-технологии, так и на основе GaAs.
Claims (1)
- Лазерная установка для исследования радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники на основе Si, GaAs, SiGe к импульсному ионизирующему воздействию, содержащая наносекундный импульсный твердотельный лазер, выполненный с возможностью удвоения частоты излучения и профилем распределения интенсивности с плоской вершиной в центральной части поперечного сечения пучка, два канала: первый канал, предназначеный для работы с длинами волн 1,06 и 0,53 мкм и содержащий блок формирования лазерного пучка, в который входят управляемые шаговыми приводами селектор длины волны, поляризационный плавный ослабитель с коэффициентом ослабления энергии лазерных импульсов в диапазоне от 1 до 5⋅104, дополнительный ослабитель энергии излучения с фиксированным коэффициентом ослабления для каждой длины волны и блок расширения пучка, состоящий из набора заменяемых телескопов с выходными эффективными диаметрами параллельных пучков 6, 12, 18 и 36 мм; второй канал, предназначеный для работы с перестраиваемой длиной волны в диапазоне от 0,7 до 1 мкм и содержащий перестраиваемый Ti3+:Al2O3 лазер, накачиваемый излучением 0,53 мкм указанного выше наносекундного импульсного твердотельного лазера, и блок формирования лазерного пучка, который содержит аналогичные формирователю первого канала поляризационный плавный ослабитель с коэффициентом ослабления энергии лазерных импульсов в диапазоне от 1 до 5⋅104, блок расширения пучка, состоящий из набора заменяемых телескопов с выходными эффективными диаметрами параллельных пучков 6, 12, 18 и 36 мм; общие для двух каналов измеритель интенсивности излучения в центральной части пучка и полупроводниковый лазерный целеуказатель; а также систему управления работой блоков формирователей пучка в обоих каналах на базе персонального компьютера с пакетом специализированного программного обеспечения, в которую также входит контроллер всех шаговых приводов.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016136458U RU170697U1 (ru) | 2016-09-12 | 2016-09-12 | Лазерная установка для исследования радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники на основе Si, GaAs, SiGe к импульсному ионизирующему воздействию |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016136458U RU170697U1 (ru) | 2016-09-12 | 2016-09-12 | Лазерная установка для исследования радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники на основе Si, GaAs, SiGe к импульсному ионизирующему воздействию |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU170697U1 true RU170697U1 (ru) | 2017-05-03 |
Family
ID=58697234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016136458U RU170697U1 (ru) | 2016-09-12 | 2016-09-12 | Лазерная установка для исследования радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники на основе Si, GaAs, SiGe к импульсному ионизирующему воздействию |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU170697U1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107907813A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-04-13 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种集成式激光电离效应模拟系统 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6734970B2 (en) * | 2002-06-04 | 2004-05-11 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologuies Ag | Method and a device for determining the radiation-damage resistance of an optical material |
| US7375332B1 (en) * | 2004-03-25 | 2008-05-20 | Sandia Corporation | Laser-based irradiation apparatus and method to measure the functional dose-rate response of semiconductor devices |
| RU2478217C2 (ru) * | 2011-05-26 | 2013-03-27 | ОАО "Экспериментальное научно-производственное объединение Специализированные электронные системы" | Установка для испытаний на совместное воздействие радиации и одиночных импульсов напряжения |
| RU2578053C1 (ru) * | 2014-09-22 | 2016-03-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" | Способ оценки стойкости цифровой электронной аппаратуры к воздействию ионизирующих излучений (варианты) |
-
2016
- 2016-09-12 RU RU2016136458U patent/RU170697U1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6734970B2 (en) * | 2002-06-04 | 2004-05-11 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologuies Ag | Method and a device for determining the radiation-damage resistance of an optical material |
| US7375332B1 (en) * | 2004-03-25 | 2008-05-20 | Sandia Corporation | Laser-based irradiation apparatus and method to measure the functional dose-rate response of semiconductor devices |
| RU2478217C2 (ru) * | 2011-05-26 | 2013-03-27 | ОАО "Экспериментальное научно-производственное объединение Специализированные электронные системы" | Установка для испытаний на совместное воздействие радиации и одиночных импульсов напряжения |
| RU2578053C1 (ru) * | 2014-09-22 | 2016-03-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" | Способ оценки стойкости цифровой электронной аппаратуры к воздействию ионизирующих излучений (варианты) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107907813A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-04-13 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种集成式激光电离效应模拟系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Mondal et al. | Surface plasma attosource beamlines at ELI-ALPS | |
| Pai et al. | Generation of intense ultrashort midinfrared pulses by laser-plasma interaction in the bubble regime | |
| TWI640140B (zh) | 利用一氧化碳雷射於印刷電路板中鑽製通孔之技術 | |
| Ross et al. | Vulcan-a versatile high-power glass laser for multiuser experiments | |
| Lidow et al. | Inelastic collision induced by intense optical radiation | |
| RU170697U1 (ru) | Лазерная установка для исследования радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники на основе Si, GaAs, SiGe к импульсному ионизирующему воздействию | |
| Ishizawa et al. | High-order harmonic generation from a solid surface plasma by using a picosecond laser | |
| Major et al. | Status of the Petawatt Field Synthesizer—pump‐seed synchronization measurements | |
| Kuznetsov et al. | Yb: YAG thin-rod laser amplifier with a high pulse energy for a fibre oscillator | |
| Radzewicz et al. | Amplitude-stabilized chaotic light | |
| Lee | Ultrafast laser-induced damage threshold of the optical materials in near-infrared region | |
| Vanda et al. | Qualification of 1030 nm ultra-short-pulsed laser for glass sheet treatment in TGV process | |
| Kuz’min et al. | Formation of nanosecond SBS-compressed pulses for pumping an ultra-high power parametric amplifier | |
| Bravy et al. | High-power mid-IR (4–5 μm) femtosecond laser system with a broadband amplifier based on Fe 2+: ZnSe | |
| Vanda et al. | Advanced LIDT testing station in the frame of the HiLASE Project | |
| DiMauro et al. | Applications of high-field and short wavelength sources | |
| Masud | Cryogenically Cooled Yb: YAG Ceramic Amplifier Module for High Power Lasers | |
| Mysyrowicz | Applications of ultrashort optical pulses | |
| Yu et al. | Design and performances of prototype laser amplifiers for technical-integration-line facility | |
| Haessler et al. | Optimisation and Application of High-Order Harmonies of an ultra-Short Terawatt Laser | |
| Kallmeyer et al. | Nd: GSAG laser for water vapor detection by lidar near 942 nm | |
| Masto | Laser pulse amplification and characterization studies at the High Power Laser Facility of ESRF | |
| Hemani et al. | Technical design report of EMPULSE | |
| Löser | Diode-Pumped High-Energy Laser Amplifiers for Ultrashort Laser Pulses The PENELOPE Laser System | |
| Nagymihaly et al. | Inversion caused spectral phase shift in a broadband Ti: Sapphire amplifier at room and cryogenic temperatures |