JPH1062240A - 散乱測定装置とその測定方法 - Google Patents
散乱測定装置とその測定方法Info
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エキシマレーザーのサンプルに対する散乱を
定量的に評価するに際し、測定値の再現性が良く、精度
良く測定することが可能な散乱測定装置とその測定方法
を提供する。 【解決手段】基板上に形成された薄膜状のサンプル又は
光学材料のサンプルに測定光を照射したときの散乱を積
分球を用いて測定する散乱測定装置であって、前記測定
光がエキシマレーザーであり、前記積分球の内壁がテト
ラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）からなることを特徴と
する散乱測定装置。
定量的に評価するに際し、測定値の再現性が良く、精度
良く測定することが可能な散乱測定装置とその測定方法
を提供する。 【解決手段】基板上に形成された薄膜状のサンプル又は
光学材料のサンプルに測定光を照射したときの散乱を積
分球を用いて測定する散乱測定装置であって、前記測定
光がエキシマレーザーであり、前記積分球の内壁がテト
ラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）からなることを特徴と
する散乱測定装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学材料及び光学
薄膜の散乱量を測定する測定装置及び測定方法に関する
ものである。
薄膜の散乱量を測定する測定装置及び測定方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来技術】近年、半導体素子の集積度を増すために、
半導体製造用縮小投影露光装置（ステッパー）の高解像
力化の要求が高まっている。このステッパーによるフォ
トリソグラフィーの解像度を上げる一つの方法として、
光源波長の短波長化が挙げられる。それに伴って、この
短波長における光学素子などの計測評価が不可欠になり
つつある。
半導体製造用縮小投影露光装置（ステッパー）の高解像
力化の要求が高まっている。このステッパーによるフォ
トリソグラフィーの解像度を上げる一つの方法として、
光源波長の短波長化が挙げられる。それに伴って、この
短波長における光学素子などの計測評価が不可欠になり
つつある。
【０００３】光学素子の評価項目のうちで重要な項目の
一つとして、散乱が挙げられる。光学部品の散乱量を計
測する方法として、サンプルに測定光を照射したときの
散乱を積分球を用いて測定する方法と、サンプルにスポ
ット的に測定光を照射し、散乱の角度分布などを測定す
る方法がある。前者は全散乱量について測定可能である
が、散乱の角度分布等は測定できない。
一つとして、散乱が挙げられる。光学部品の散乱量を計
測する方法として、サンプルに測定光を照射したときの
散乱を積分球を用いて測定する方法と、サンプルにスポ
ット的に測定光を照射し、散乱の角度分布などを測定す
る方法がある。前者は全散乱量について測定可能である
が、散乱の角度分布等は測定できない。
【０００４】一方、後者は散乱の角度分布などを測定す
ることによって、表面の傷などの表面状態を観測するこ
とができるが、非常に複雑な解析が必要である。従っ
て、表面状態や表面形状を測定する場合は後者の方式を
用いるが、一般的に散乱量を測定する場合は、測定の簡
便性から前者を採用する。
ることによって、表面の傷などの表面状態を観測するこ
とができるが、非常に複雑な解析が必要である。従っ
て、表面状態や表面形状を測定する場合は後者の方式を
用いるが、一般的に散乱量を測定する場合は、測定の簡
便性から前者を採用する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の散乱測
定装置に使用されている積分球の内壁材は硫酸バリウム
であり、硫酸バリウムは紫外光を吸収するので、エキシ
マレーザーをサンプルに照射したときの散乱量を測定す
る場合の散乱測定装置には適用することができない。
定装置に使用されている積分球の内壁材は硫酸バリウム
であり、硫酸バリウムは紫外光を吸収するので、エキシ
マレーザーをサンプルに照射したときの散乱量を測定す
る場合の散乱測定装置には適用することができない。
【０００６】また、エキシマレーザーは大気中の不純物
が光学系に付着した場合、光線の直進性が損なわれ、透
過率の低下という現象が生じる。透過率の低下は積分球
の効率の低下にもつながる。積分球の内壁に大気中の不
純物が付着した場合も同様に、サンプルからの散乱光の
直進性が損なわれ、光量が低下するという問題が生じる
ことが予測される。
が光学系に付着した場合、光線の直進性が損なわれ、透
過率の低下という現象が生じる。透過率の低下は積分球
の効率の低下にもつながる。積分球の内壁に大気中の不
純物が付着した場合も同様に、サンプルからの散乱光の
直進性が損なわれ、光量が低下するという問題が生じる
ことが予測される。
【０００７】さらに、積分球の内壁の汚れの程度によっ
て、散乱効率が変動し、正確な測定ができないという問
題が生じることが予測される。本発明は、かかる問題点
に鑑みてなされたものであり、エキシマレーザーのサン
プルに対する散乱を定量的に評価するに際し、測定値の
再現性が良く、精度良く測定することが可能な散乱測定
装置とその測定方法を提供することを目的とする。
て、散乱効率が変動し、正確な測定ができないという問
題が生じることが予測される。本発明は、かかる問題点
に鑑みてなされたものであり、エキシマレーザーのサン
プルに対する散乱を定量的に評価するに際し、測定値の
再現性が良く、精度良く測定することが可能な散乱測定
装置とその測定方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意研究
の結果、テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）が紫外光
に対して吸収が少なく、測定光がエキシマレーザーであ
る場合に、テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を積分
球の内壁として使用可能であることを見いだし本発明を
するに至った。
の結果、テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）が紫外光
に対して吸収が少なく、測定光がエキシマレーザーであ
る場合に、テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を積分
球の内壁として使用可能であることを見いだし本発明を
するに至った。
【０００９】本発明は第一に「基板上に形成された薄膜
状のサンプル又は光学材料のサンプルに測定光を照射し
たときの散乱を積分球を用いて測定する散乱測定装置で
あって、前記測定光がエキシマレーザーであり、前記積
分球の内壁がテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）から
なることを特徴とする散乱測定装置（請求項１）」を提
供する。
状のサンプル又は光学材料のサンプルに測定光を照射し
たときの散乱を積分球を用いて測定する散乱測定装置で
あって、前記測定光がエキシマレーザーであり、前記積
分球の内壁がテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）から
なることを特徴とする散乱測定装置（請求項１）」を提
供する。
【００１０】また、本発明は第二に「基板上の形成され
た薄膜状のサンプル又は光学材料のサンプルにエキシマ
レーザーを照射したときの散乱を積分球を用いて測定す
る散乱測定方法であって、前記サンプルにエキシマレー
ザーを照射する前に、拡散板を前記積分球に設置し、前
記拡散板にエキシマレーザーを照射し、前記拡散板から
の反射光を前記積分球で多重反射させることにより前記
積分球の内壁を洗浄することを特徴とする散乱測定方法
（請求項２）」を提供する。
た薄膜状のサンプル又は光学材料のサンプルにエキシマ
レーザーを照射したときの散乱を積分球を用いて測定す
る散乱測定方法であって、前記サンプルにエキシマレー
ザーを照射する前に、拡散板を前記積分球に設置し、前
記拡散板にエキシマレーザーを照射し、前記拡散板から
の反射光を前記積分球で多重反射させることにより前記
積分球の内壁を洗浄することを特徴とする散乱測定方法
（請求項２）」を提供する。
【００１１】また、本発明は第三に「前記積分球の内壁
の洗浄の度合いをモニターすることを特徴とする請求項
２記載の散乱測定方法（請求項３）」を提供する。ま
た、本発明は第四に「前記積分球の内壁の洗浄後、前記
積分球の効率を測定することを特徴とする請求項２記載
の散乱測定方法（請求項４）」を提供する。
の洗浄の度合いをモニターすることを特徴とする請求項
２記載の散乱測定方法（請求項３）」を提供する。ま
た、本発明は第四に「前記積分球の内壁の洗浄後、前記
積分球の効率を測定することを特徴とする請求項２記載
の散乱測定方法（請求項４）」を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照しながら説明する。図１には、本発明の実施形態の
散乱測定装置の断面概略図が示されている。チャンバー
２０内には、光源１１から入射されるエキシマレーザー
をサンプル上に集光させるビーム成形光学系１２と、エ
キシマレーザーの光量を調節する光量調整光学系１３
と、光量調整されたエキシマレーザーを参照光と測定光
に分離するビームスプリッター１８と、参照光を受光す
る光量モニタセンサー１９と、積分球１５と、測定光、
反射光を吸収するビームストップ１６ａ、１６ｂが設置
されている。
参照しながら説明する。図１には、本発明の実施形態の
散乱測定装置の断面概略図が示されている。チャンバー
２０内には、光源１１から入射されるエキシマレーザー
をサンプル上に集光させるビーム成形光学系１２と、エ
キシマレーザーの光量を調節する光量調整光学系１３
と、光量調整されたエキシマレーザーを参照光と測定光
に分離するビームスプリッター１８と、参照光を受光す
る光量モニタセンサー１９と、積分球１５と、測定光、
反射光を吸収するビームストップ１６ａ、１６ｂが設置
されている。
【００１３】積分球１５には積分球の内壁で多重反射さ
れた光を受光する光量モニタセンサー１７が設置されて
いる。光源はＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎ
ｍ）光源１１であり、パルス幅が約２０nsecのものを用
いた。パルス照射（測定）光はビーム成形光学系１２に
より集光されてサンプル１４に照射される。サンプル１
４面での光径は約２ｍｍΦである。
れた光を受光する光量モニタセンサー１７が設置されて
いる。光源はＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎ
ｍ）光源１１であり、パルス幅が約２０nsecのものを用
いた。パルス照射（測定）光はビーム成形光学系１２に
より集光されてサンプル１４に照射される。サンプル１
４面での光径は約２ｍｍΦである。
【００１４】サンプル１４は３０ｍｍФで厚さ２ｍｍの
円形ペレット状の石英ガラス基板又は蛍石基板（測定光
であるエキシマレーザーの内部透過率が９９％以上であ
る）上に薄膜を１μｍ以下の厚さにて形成したものであ
る。エキシマレーザーは酸素中又は照射により発生する
オゾンに吸収されるので、光学系等は窒素パージされた
チャンバー２０内に配置されている。
円形ペレット状の石英ガラス基板又は蛍石基板（測定光
であるエキシマレーザーの内部透過率が９９％以上であ
る）上に薄膜を１μｍ以下の厚さにて形成したものであ
る。エキシマレーザーは酸素中又は照射により発生する
オゾンに吸収されるので、光学系等は窒素パージされた
チャンバー２０内に配置されている。
【００１５】チャンバー２０内を窒素パージする方法
は、図示されていない装置により窒素を導入し、窒素の
置換度合いは、酸素濃度をモニタすることにより行う。
エキシマレーザー（測定光）の強度は光量調整光学系１
３により調節され、また測定光強度はエキシマレーザー
はビームスプリッター１８より、約９：１の割合で測定
光と参照光に分離されているので、参照光を光量モニタ
センサー１９によりモニタすることによりわかる。
は、図示されていない装置により窒素を導入し、窒素の
置換度合いは、酸素濃度をモニタすることにより行う。
エキシマレーザー（測定光）の強度は光量調整光学系１
３により調節され、また測定光強度はエキシマレーザー
はビームスプリッター１８より、約９：１の割合で測定
光と参照光に分離されているので、参照光を光量モニタ
センサー１９によりモニタすることによりわかる。
【００１６】サンプル１４によってレーザー耐久性が異
なるので、測定光の強度を光量調整光学系１３で調節す
ることによりサンプル１４の破壊を防止している。積分
球１５はテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の塊をく
りぬいて空洞にし、測定光が通過する貫通孔１５ａ、１
５ｂを形成したものである。サンプル１４の前方散乱
（サンプルの前方に散乱する光）を測定する場合は、サ
ンプル１４を積分球１５の貫通孔１５ｂに設置し、後方
散乱（サンプルの後方に散乱する光）を測定する場合
は、積分球１５の貫通孔１５ａに設置する。
なるので、測定光の強度を光量調整光学系１３で調節す
ることによりサンプル１４の破壊を防止している。積分
球１５はテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の塊をく
りぬいて空洞にし、測定光が通過する貫通孔１５ａ、１
５ｂを形成したものである。サンプル１４の前方散乱
（サンプルの前方に散乱する光）を測定する場合は、サ
ンプル１４を積分球１５の貫通孔１５ｂに設置し、後方
散乱（サンプルの後方に散乱する光）を測定する場合
は、積分球１５の貫通孔１５ａに設置する。
【００１７】どちらを測定する場合もサンプル１４は垂
直入射に対して約２゜〜５゜傾けて、光学ガラス上に形
成された膜面側からエキシマレーザーが入射されるよう
に設置する。即ち、ビームストップ１６ａが固定されて
いる場合は、積分球１５の貫通孔１５ａ、１５ｂに設置
するサンプルの設置位置は、積分球１５の貫通孔１５ａ
に設置するときは、垂直入射に対して約５゜傾け、積分
球１５の貫通孔１５ｂに設置するときは、垂直入射に対
して約５゜傾けて設置する。
直入射に対して約２゜〜５゜傾けて、光学ガラス上に形
成された膜面側からエキシマレーザーが入射されるよう
に設置する。即ち、ビームストップ１６ａが固定されて
いる場合は、積分球１５の貫通孔１５ａ、１５ｂに設置
するサンプルの設置位置は、積分球１５の貫通孔１５ａ
に設置するときは、垂直入射に対して約５゜傾け、積分
球１５の貫通孔１５ｂに設置するときは、垂直入射に対
して約５゜傾けて設置する。
【００１８】サンプル１４の設置方法は、挟み込みタイ
プのサンプルホルダーにより固定する。また、サンプル
１４からの反射光の角度に合わせてビームストップ１６
ａの位置を微調節する機構をビームストップ１６ａに設
けてもよい。積分球１５の貫通孔１５ａに設置されたサ
ンプル１４に照射されたエキシマレーザーは透過光、反
射光、散乱光、吸収とに分離される。透過光は積分球１
５の１５ｂを通過してビームストップ１６ｂにより吸収
される。反射光はサンプル１４が前記の通り傾けて設置
されているので光学系に影響を与えることなく、ビーム
ストップ１６ａにより吸収される。
プのサンプルホルダーにより固定する。また、サンプル
１４からの反射光の角度に合わせてビームストップ１６
ａの位置を微調節する機構をビームストップ１６ａに設
けてもよい。積分球１５の貫通孔１５ａに設置されたサ
ンプル１４に照射されたエキシマレーザーは透過光、反
射光、散乱光、吸収とに分離される。透過光は積分球１
５の１５ｂを通過してビームストップ１６ｂにより吸収
される。反射光はサンプル１４が前記の通り傾けて設置
されているので光学系に影響を与えることなく、ビーム
ストップ１６ａにより吸収される。
【００１９】散乱光は四方八方に散乱するが、積分球１
５に入射される方向（後方に散乱される光）にあるもの
は積分球１５内で多重反射され、積分球１５の内部に設
置してある光量モニタセンサー１７で受光され、電気変
換され、出力される。（図１（ａ）参照） 積分球１５の貫通孔１５ｂに設置されたサンプル１４に
照射されたエキシマレーザーは透過光、反射光、散乱
光、吸収とに分離される。透過光はビームストップ１６
ｂで吸収される。反射光はサンプルが前記の通り傾けて
設置されているので、１５ａを通過後光学系に影響を与
えることなく、ビームストップ１６ａにより吸収され
る。
５に入射される方向（後方に散乱される光）にあるもの
は積分球１５内で多重反射され、積分球１５の内部に設
置してある光量モニタセンサー１７で受光され、電気変
換され、出力される。（図１（ａ）参照） 積分球１５の貫通孔１５ｂに設置されたサンプル１４に
照射されたエキシマレーザーは透過光、反射光、散乱
光、吸収とに分離される。透過光はビームストップ１６
ｂで吸収される。反射光はサンプルが前記の通り傾けて
設置されているので、１５ａを通過後光学系に影響を与
えることなく、ビームストップ１６ａにより吸収され
る。
【００２０】散乱光は四方八方に散乱するが積分球１５
に入射される方向（前方に散乱される光）にあるものは
積分球１５内で多重反射され、積分球１５の内部に設置
してある光量モニタセンサー１７で受光され、電気変換
され、出力される。（図１（ｂ）参照） 次に測定方法を説明する。
に入射される方向（前方に散乱される光）にあるものは
積分球１５内で多重反射され、積分球１５の内部に設置
してある光量モニタセンサー１７で受光され、電気変換
され、出力される。（図１（ｂ）参照） 次に測定方法を説明する。
【００２１】先ず、ＰＴＦＥからなる標準拡散板を１５
ｂに設置する。図示されていない装置によりチャンバー
２０内に窒素を導入し、窒素の置換度合を、酸素濃度を
モニタすることにより確認する。エキシマレーザーの光
量をＰＴＦＥからなる標準拡散板がレーザーダメージを
受けない程度のパワーに光量調整光学系１３で調整し、
照射する。
ｂに設置する。図示されていない装置によりチャンバー
２０内に窒素を導入し、窒素の置換度合を、酸素濃度を
モニタすることにより確認する。エキシマレーザーの光
量をＰＴＦＥからなる標準拡散板がレーザーダメージを
受けない程度のパワーに光量調整光学系１３で調整し、
照射する。
【００２２】同時に、ビームスプリッターで分離された
参照光を光量モニタセンサー１９で受光し、拡散板から
の散乱光を積分球１５内に設置された光量モニタセンサ
ー１７で受光し、その比率の変動を測定する。エキシマ
レーザーの光量はＰＴＦＥからなる標準拡散板がレーザ
ーダメージを受けない程度のパワーであるため、光学系
のレンズ表面１２、１３、１８、積分球１５の内壁にダ
メージを与えることなく積分球１５内の雰囲気、光学系
のレンズ１２、１３、１８及び積分球１５の内壁に付着
した汚れが分解され、洗浄される。洗浄が完了したかど
うかは、参照光の光量と拡散板の散乱光の光量との比
率、即ち光量モニタセンサー１９と拡散板の散乱光が積
分球１５によって多重反射され、積分球１５内に設けら
れた光量モニタセンサー１７で受光された光量との比率
によって知ることができる。比率が初期値（汚染される
前の状態）に近づき安定したことを確認すれば、洗浄は
終了する。
参照光を光量モニタセンサー１９で受光し、拡散板から
の散乱光を積分球１５内に設置された光量モニタセンサ
ー１７で受光し、その比率の変動を測定する。エキシマ
レーザーの光量はＰＴＦＥからなる標準拡散板がレーザ
ーダメージを受けない程度のパワーであるため、光学系
のレンズ表面１２、１３、１８、積分球１５の内壁にダ
メージを与えることなく積分球１５内の雰囲気、光学系
のレンズ１２、１３、１８及び積分球１５の内壁に付着
した汚れが分解され、洗浄される。洗浄が完了したかど
うかは、参照光の光量と拡散板の散乱光の光量との比
率、即ち光量モニタセンサー１９と拡散板の散乱光が積
分球１５によって多重反射され、積分球１５内に設けら
れた光量モニタセンサー１７で受光された光量との比率
によって知ることができる。比率が初期値（汚染される
前の状態）に近づき安定したことを確認すれば、洗浄は
終了する。
【００２３】次に、ＰＴＦＥからなる標準拡散板を取り
出し、分光光度計で拡散反射率を測定する。この拡散反
射率と、前記した参照光の光量と拡散板の散乱光の光量
との比率、即ち光量モニタセンサー１９と拡散板の散乱
光が積分球１５によって多重反射され、積分球１５に設
けられた光量モニタセンサー１７で受光された光量との
比率により積分球１５の効率が導き出せる。
出し、分光光度計で拡散反射率を測定する。この拡散反
射率と、前記した参照光の光量と拡散板の散乱光の光量
との比率、即ち光量モニタセンサー１９と拡散板の散乱
光が積分球１５によって多重反射され、積分球１５に設
けられた光量モニタセンサー１７で受光された光量との
比率により積分球１５の効率が導き出せる。
【００２４】積分球１５の貫通孔１５ａ、１５ｂにサン
プル１４を設置しないで、測定光を数回照射し、参照光
の光量と測定光が窒素パージされた積分球１５を単に通
過した場合の散乱光の光量、即ち光量モニタセンサー１
９と測定光が窒素雰囲気中を通過することによって生じ
る散乱光が積分球１５で反射されて光量モニタセンサー
１７で受光される光量とを測定する。
プル１４を設置しないで、測定光を数回照射し、参照光
の光量と測定光が窒素パージされた積分球１５を単に通
過した場合の散乱光の光量、即ち光量モニタセンサー１
９と測定光が窒素雰囲気中を通過することによって生じ
る散乱光が積分球１５で反射されて光量モニタセンサー
１７で受光される光量とを測定する。
【００２５】この値がバックグラウンド値となる。測定
光の窒素雰囲気中での散乱光（バックグラウンド値）を
キャンセルすることにより、サンプル１４のエキシマレ
ーザーに対する真の散乱を測定することができる。エキ
シマレーザーは１ショットごとにエネルギーがばらつくので
数回照射することにより、参照光を規格化する。
光の窒素雰囲気中での散乱光（バックグラウンド値）を
キャンセルすることにより、サンプル１４のエキシマレ
ーザーに対する真の散乱を測定することができる。エキ
シマレーザーは１ショットごとにエネルギーがばらつくので
数回照射することにより、参照光を規格化する。
【００２６】サンプル１４を積分球１５の貫通孔１５ｂ
に設置し、サンプル１４の測定個所を変えて５〜１０カ
所について前方散乱を測定する。サンプル１４を貫通孔
１５ｂから取り外し、貫通孔１５ａに設置し、同様に後
方散乱を測定する。測定結果に基づいてサンプル１４の
測定光に対する散乱量が算出される。
に設置し、サンプル１４の測定個所を変えて５〜１０カ
所について前方散乱を測定する。サンプル１４を貫通孔
１５ｂから取り外し、貫通孔１５ａに設置し、同様に後
方散乱を測定する。測定結果に基づいてサンプル１４の
測定光に対する散乱量が算出される。
【００２７】
【発明の効果】以上説明した通り、積分球を用いた散乱
測定装置の積分球の内壁にテトラフルオロエチレン（Ｐ
ＴＦＥ）を採用することによって、測定光がエキシマレ
ーザーであってもエキシマレーザーをサンプルに照射し
たときに生じる散乱光の積分球での吸収がなく、精度良
く測定することができる。
測定装置の積分球の内壁にテトラフルオロエチレン（Ｐ
ＴＦＥ）を採用することによって、測定光がエキシマレ
ーザーであってもエキシマレーザーをサンプルに照射し
たときに生じる散乱光の積分球での吸収がなく、精度良
く測定することができる。
【００２８】また、サンプルを測定する前に、エキシマ
ーレーザーを用いて積分球の内壁を洗浄し、しかもその
洗浄の度合いをモニターしているので、エキシマレーザ
ーのサンプルに対する散乱量を定量的に評価するに際
し、再現性良く測定することができる。
ーレーザーを用いて積分球の内壁を洗浄し、しかもその
洗浄の度合いをモニターしているので、エキシマレーザ
ーのサンプルに対する散乱量を定量的に評価するに際
し、再現性良く測定することができる。
【図１】本発明にかかる散乱測定装置の概略断面図であ
り、（ａ）は前方散乱の光路図であり、（ｂ）は後方散
乱の光路図である。
り、（ａ）は前方散乱の光路図であり、（ｂ）は後方散
乱の光路図である。
１１・・・エキシマレ−ザー光源 １２・・・ビーム成形光学系 １３・・・光量調整光学系 １４・・・サンプル １５・・・積分球（内壁がPTFE） １６ａ、１６ｂ・・・ビームストップ １７、１９・・・光量モニタセンサー １８・・・ビームスプリッター ２０・・・チャンバー
Claims (4)
- 【請求項１】基板上に形成された薄膜状のサンプル又は
光学材料のサンプルに測定光を照射したときの散乱を積
分球を用いて測定する散乱測定装置であって、 前記測定光がエキシマレーザーであり、前記積分球の内
壁がテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）からなること
を特徴とする散乱測定装置。 - 【請求項２】基板上の形成された薄膜状のサンプル又は
光学材料のサンプルにエキシマレーザーを照射したとき
の散乱を積分球を用いて測定する散乱測定方法であっ
て、 前記サンプルにエキシマレーザーを照射する前に、拡散
板を前記積分球に設置し、前記拡散板にエキシマレーザ
ーを照射し、前記拡散板からの反射光を前記積分球で多
重反射させることにより前記積分球の内壁を洗浄するこ
とを特徴とする散乱測定方法。 - 【請求項３】前記積分球の内壁の洗浄の度合いをモニタ
ーすることを特徴とする請求項２記載の散乱測定方法。 - 【請求項４】前記積分球の内壁の洗浄後、前記積分球の
効率を測定することを特徴とする請求項２記載の散乱測
定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8218292A JPH1062240A (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 散乱測定装置とその測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8218292A JPH1062240A (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 散乱測定装置とその測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1062240A true JPH1062240A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16717556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8218292A Pending JPH1062240A (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 散乱測定装置とその測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1062240A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008070172A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 分光蛍光光度計及びその補正方法 |
| WO2009077868A2 (en) * | 2007-10-09 | 2009-06-25 | Datacolor Holding Ag | Method and apparatus for cleaning an integrating sphere |
| JP2010261847A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Konica Minolta Holdings Inc | 電子表示媒体評価システム |
| JP2010261849A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Konica Minolta Holdings Inc | 電子表示媒体の評価方法 |
| JP2010261848A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Konica Minolta Holdings Inc | 電子表示媒体の評価方法 |
| CN107250743A (zh) * | 2015-02-24 | 2017-10-13 | 柯尼卡美能达株式会社 | 光束均匀化机构、照明光学系统、受光光学系统、参照光学系统及测色计 |
-
1996
- 1996-08-20 JP JP8218292A patent/JPH1062240A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008070172A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 分光蛍光光度計及びその補正方法 |
| WO2009077868A2 (en) * | 2007-10-09 | 2009-06-25 | Datacolor Holding Ag | Method and apparatus for cleaning an integrating sphere |
| WO2009077868A3 (en) * | 2007-10-09 | 2009-08-13 | Datacolor Holding Ag | Method and apparatus for cleaning an integrating sphere |
| JP2010261847A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Konica Minolta Holdings Inc | 電子表示媒体評価システム |
| JP2010261849A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Konica Minolta Holdings Inc | 電子表示媒体の評価方法 |
| JP2010261848A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Konica Minolta Holdings Inc | 電子表示媒体の評価方法 |
| CN107250743A (zh) * | 2015-02-24 | 2017-10-13 | 柯尼卡美能达株式会社 | 光束均匀化机构、照明光学系统、受光光学系统、参照光学系统及测色计 |
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