JP2004014697A - 抵抗体およびそのトリミング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】抵抗体をトリミングするにあたって、トリミングに要する面積を少なくし、且つ抵抗値変動を適度に抑制した微調整を可能にする。
【解決手段】抵抗体１０に対してサーペンタインカット型のレーザトリミングを行うことにより、抵抗体１０の幅方向の両側から交互にカットされた複数個の第１のカット部１１を形成することで抵抗値の粗調整を行い、次に、個々の第１のカット部１１の間においてレーザトリミングを行うことにより、抵抗値の微調整を行うための第２のカット部１２を抵抗体１０の幅方向に沿って形成する。第１のカット部１１と第２のカット部１２との間隔ΔＷを変更することによって抵抗変化値ΔＲの微調整範囲を見積もることができる。
【選択図】 図１
【解決手段】抵抗体１０に対してサーペンタインカット型のレーザトリミングを行うことにより、抵抗体１０の幅方向の両側から交互にカットされた複数個の第１のカット部１１を形成することで抵抗値の粗調整を行い、次に、個々の第１のカット部１１の間においてレーザトリミングを行うことにより、抵抗値の微調整を行うための第２のカット部１２を抵抗体１０の幅方向に沿って形成する。第１のカット部１１と第２のカット部１２との間隔ΔＷを変更することによって抵抗変化値ΔＲの微調整範囲を見積もることができる。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、抵抗体およびそのトリミング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の抵抗体は、一般に半導体基板の上に金属薄膜を用いて形成される。そして、形成された金属薄膜はその抵抗値を調整するためにレーザトリミング等によりトリミングされる。このような抵抗体のトリミングに係るものとしては、例えば特開平８−１５９８９９号公報に記載されているものがある。
【０００３】
このような従来の一般的な抵抗体のトリミングパターンを図４に示す。従来では、抵抗体１００においては、抵抗値の粗調整を行う粗調整領域１００ａと当該粗調整を行った後に抵抗値の微調整を行う微調整領域１００ｂとに分けてトリミングを行っていた。
【０００４】
粗調整領域１００ａでは、抵抗体１００に対してサーペンタインカット型のトリミングを行う。それにより、抵抗体１００の幅方向の両側から交互にカットされた複数個のカット部１１０すなわち粗調カット部１１０を形成する。図４中、粗調カット部１１０は太い実線にて図示。これにより、実質的に抵抗体１００が長く且つ細くなり抵抗値を大きくできる。
【０００５】
その後、粗調整領域１００ａと抵抗体１００の端部１００ｃの両方から離れた抵抗値変動の少ない領域を微調整領域１００ｂとしてトリミングを行い、微調整のためのカット部１２０すなわち微調カット部１２０を形成する。図４中、微調カット部１２０は太い破線にて図示。
【０００６】
この微調カット部１２０の長さＬｃ、Ｌｃ’や本数を変えることにより抵抗値の微調整を行うことができる。図４では、微調カット部１２０において、その長さをＬｃとした場合とＬｃ’とした場合との両者を便宜上、位置をずらして並示してある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来のトリミングにおいては、微調整領域１００ｂにて形成する微調カット部１２０は、粗調整領域１００ａと抵抗体１００の端部１００ｃの両方から十分な距離Ａ、Ｂを確保する必要がある。そのため、トリミングに要する抵抗体１００の面積が大きくなってしまう。
【０００８】
また、微調カット部１２０の長さＬｃ、Ｌｃ’が長くなるほど、わずかな長さの変動に伴って抵抗値の変動も大きくなる。例えば微調カット部１２０の長さがＬｃと長い場合、上記図４の実線矢印に示すように電流が流れると考えられ、微調カット部１２０の長さがＬｃ’と短い場合、上記図４の一点鎖線矢印に示すように電流が流れると考えられる。
【０００９】
このように、従来では微調カット部１２０の長さが変わると、抵抗体１００に流れる電流の経路が大きく変化し、結果、抵抗値の変動も大きくなると考えられる。したがって、従来の抵抗体のトリミングにおいては、微調整の高精度化が困難となり、抵抗値の微調整範囲を見積もることも困難となってしまう。
【００１０】
本発明は上記問題に鑑み、抵抗体をトリミングするにあたって、トリミングに要する面積を少なくし、且つ抵抗値変動を適度に抑制した微調整を可能にすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、抵抗体（１０）の抵抗値を調整するトリミング方法であって、抵抗体に対してサーペンタインカット型のトリミングを行うことにより、抵抗体の幅方向の両側から交互にカットされた複数個の第１のカット部（１１）を形成し、次に、個々の第１のカット部の間においてトリミングを行うことにより、第２のカット部（１２）を抵抗体の幅方向に沿って形成することを特徴とする。
【００１２】
それによれば、第１のカット部（１１）を形成することにより抵抗値の粗調整を行い、次に第２のカット部（１２）を形成することにより微調整を行うことができる。そして本発明では、粗調整領域にて微調整を行うことができるので、従来に比べてトリミングに要する面積を低減できる。
【００１３】
また、本発明では、微調整の役目を担う第２のカット部（１２）が第１のカット部（１１）の間にあるため、第２のカット部の長さ（Ｌ、Ｌ’）が変わっても、従来ほどには抵抗体（１０）に流れる電流経路の変化が大きくないと考えられる（図２参照）。また、実際に、第１のカット部と第２のカット部との間隔（ΔＷ）を変更することで抵抗値変動を適切な範囲で変更することができる（図３参照）。
【００１４】
要するに、本発明によれば、抵抗体をトリミングするにあたって、トリミングに要する面積を少なくし、且つ抵抗値変動を適度に抑制した微調整が可能な抵抗体のトリミング方法を提供することができる。
【００１５】
また、請求項２に記載の発明では、サーペンタインカット型のトリミングを行うことにより、幅方向の両側から交互に一定間隔（Ｗ）にて形成された複数個の第１のカット部（１１）を有する抵抗体であって、個々の第１のカット部の間に第２のカット部（１２）が形成されていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の抵抗体（１０）は、請求項１に記載のトリミング方法において、複数個の第１のカット部（１１）を一定間隔（Ｗ）に形成した場合に、これら第１のカット部の間に微調整用の第２のカット部（１２）を形成することで適切に製造される。したがって、本発明においても上記請求項１の発明と同様の効果が発揮されうる。
【００１７】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図１は本発明の実施形態に係る抵抗体１０の平面構成を示す図である。この抵抗体１０は、シリコン基板などの半導体基板の上に形成されたものでＣｒ−Ｓｉなどの金属薄膜からなるものである。
【００１９】
抵抗体１０においては、図１中の左右方向が長手方向、上下方向が幅方向である。抵抗体１０に対してレーザトリミングを行うことにより、抵抗体１０の幅方向の一端側と他端側から幅方向に沿って横断するように、複数個の切れ込みすなわちカット部１１、１２が形成されている。
【００２０】
ここで、図１中、太い実線に示すように、抵抗体１０の幅方向の両側から交互に一定間隔Ｗにて形成された複数個のカット部１１が、第１のカット部１１として形成されている。一方、図１中、太い破線に示すように、第１のカット部１１の間に形成されたカット部１２が第２のカット部１２として形成されている。
【００２１】
また、図１中には、第２のカット部１２とこれに最近接している第１のカット部１１との距離を間隔ΔＷとして示しており、第２のカット部１２の長さをＬとして示してある。
【００２２】
このような抵抗体１０の製造方法について述べる。シリコン基板などの半導体基板上に、蒸着やスパッタ等による成膜およびフォトリソグラフ技術を用いたパターニング手法等を用いて抵抗体１０を形成する。次に、トリミング工程を行うことによって抵抗体１０の抵抗値を調整するすなわち抵抗値を所望の値となるように大きくする。
【００２３】
抵抗体１０のトリミング方法は、ＹＡＧレーザなどを用いたレーザトリミングにより一般に次のように行われる。抵抗体１０の両端の電極を計測器につなぎ、抵抗値をモニタしながらレーザビームにより抵抗体１０を加熱蒸発させる。このとき抵抗体１０の幅方向に沿って横断するようにレーザビームを移動し、抵抗値が所定値になったところでレーザの発光を止める。
【００２４】
ここで、本実施形態では、まず、抵抗体１０に対してサーペンタインカット型のレーザトリミングを行う。サーペンタインカットとは、まさしく上記図１に示すように、抵抗体１０の幅方向の両側から交互にカットされた複数個の第１のカット部１１を形成するものである。この第１のカット部１１の形成に伴い、抵抗体１０における抵抗値の粗調整が行われる。
【００２５】
次に、個々の第１のカット部１１の間においてレーザトリミングを行うことにより、抵抗値の微調整を行うための第２のカット部１２を抵抗体１０の幅方向に沿って形成する。こうして上記図１に示される抵抗体１０ができあがる。
【００２６】
ところで、本実施形態によれば、第１のカット部１１を形成することにより抵抗値の粗調整を行い、次に、第１のカット部１１の間に第２のカット部１２を形成することにより微調整を行うことができる。このように、第１のカット部１１の間の領域すなわち粗調整領域にて微調整を行うことができるので、従来に比べてトリミングに要する面積を低減できる。
【００２７】
また、図２は本実施形態の作用を説明するための抵抗体１０の平面図である。図２では、第２のカット部１２の長さをＬとした場合と該Ｌよりも短いＬ’とした場合とを並記してある。第２のカット部１２の長さがＬと長い場合、図２の実線矢印に示すように電流が流れると考えられ、第２のカット部１２の長さがＬ’と短い場合、図２の一点鎖線矢印に示すように電流が流れると考えられる。
【００２８】
このように本実施形態では、微調整の役目を担う第２のカット部１２が第１のカット部１１の間にあるため、第２のカット部１２の長さＬ、Ｌ’が変わっても、上記図４に示した従来のものほどには、抵抗体１０に流れる電流経路の変化が大きくならないと考えられる。
【００２９】
そして、本実施形態では、実際に、第１のカット部１１と第２のカット部１２との間隔ΔＷを変更することで抵抗値変動を適切な範囲で変更することができる。つまり、粗調整によって当該粗調整部分における抵抗体１０の幅がＷと狭くなるが、さらに抵抗体の幅をＷから（Ｗ−ΔＷ）へと小さくすることで抵抗値を大きくし、微調整が可能となる。
【００３０】
具体的には、抵抗体１０のシート抵抗率をＳとして、上記した第１および第２のカット部同士の間隔ΔＷ、第２のカット部１２の長さＬ、第１のカット部１１同士の間隔Ｗを用いると、抵抗体１０の微調整による抵抗変化値ΔＲは下記の数式１に表される。
【００３１】
【数１】
このように本実施形態では、抵抗変化値ΔＲは第２のカット部１２の長さＬにほぼ比例するが、第１のカット部１１と第２のカット部１２との間隔ΔＷを変更することによっても抵抗変化値ΔＲの微調整範囲を見積もることができる。
【００３２】
微調整による間隔ΔＷと抵抗変化値ΔＲとの関係の一例を図３に示す。これは、Ｗ＝２０μｍ、Ｌ＝２００μｍ、Ｓ＝５００Ω／□としたときの間隔ΔＷによる抵抗変化値ΔＲの変化範囲を示すものである。第１のカット部１１と第２のカット部１２との間隔ΔＷを変更することにより、抵抗変化値ΔＲを適切に見積もることができる。
【００３３】
つまり、本実施形態によれば、第２のカット部１２の長さの変更をもって微調整の主たる役目を担わせるのではなく、主として第１のカット部１１と第２のカット部１２との間隔ΔＷを変更することにより、抵抗値の微調整を高精度に行うことができる。
【００３４】
ちなみに従来では、上記図４に示したように、粗調カット部１１０と微調カット部１２０との距離Ｂが大きい。当該距離Ｂは上記間隔ΔＷに相当する。そのため、従来では当該両カット部の距離Ｂを変更したとしても、抵抗体１００の抵抗値変動が小さすぎて抵抗値を調整することは困難である。
【００３５】
このように、本実施形態によれば、抵抗体をトリミングするにあたって、トリミングに要する面積を少なくし、且つ抵抗値変動を適度に抑制した微調整が可能な抵抗体１０およびそのトリミング方法を提供することができる。
【００３６】
なお、粗調整の役目を担う複数個の第１のカット部１１については、カット部１１間の間隔や各々のカット部１１の長さは互いに一定でなくても良い。また、第２のカット部１２についても複数個ある場合には、各々の長さＬや間隔ΔＷなどは互いに一定でなくても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る抵抗体を示す平面図である。
【図２】上記実施形態の作用を説明するための図である。
【図３】第１のカット部と第２のカット部との間隔ΔＷと抵抗変化値ΔＲとの関係の一例を示す図である。
【図４】従来の抵抗体のトリミングパターンを示す平面図である。
【符号の説明】
１０…抵抗体、１１…第１のカット部、１２…第２のカット部、
Ｗ…第１のカット部同士の間隔。
【発明の属する技術分野】
本発明は、抵抗体およびそのトリミング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の抵抗体は、一般に半導体基板の上に金属薄膜を用いて形成される。そして、形成された金属薄膜はその抵抗値を調整するためにレーザトリミング等によりトリミングされる。このような抵抗体のトリミングに係るものとしては、例えば特開平８−１５９８９９号公報に記載されているものがある。
【０００３】
このような従来の一般的な抵抗体のトリミングパターンを図４に示す。従来では、抵抗体１００においては、抵抗値の粗調整を行う粗調整領域１００ａと当該粗調整を行った後に抵抗値の微調整を行う微調整領域１００ｂとに分けてトリミングを行っていた。
【０００４】
粗調整領域１００ａでは、抵抗体１００に対してサーペンタインカット型のトリミングを行う。それにより、抵抗体１００の幅方向の両側から交互にカットされた複数個のカット部１１０すなわち粗調カット部１１０を形成する。図４中、粗調カット部１１０は太い実線にて図示。これにより、実質的に抵抗体１００が長く且つ細くなり抵抗値を大きくできる。
【０００５】
その後、粗調整領域１００ａと抵抗体１００の端部１００ｃの両方から離れた抵抗値変動の少ない領域を微調整領域１００ｂとしてトリミングを行い、微調整のためのカット部１２０すなわち微調カット部１２０を形成する。図４中、微調カット部１２０は太い破線にて図示。
【０００６】
この微調カット部１２０の長さＬｃ、Ｌｃ’や本数を変えることにより抵抗値の微調整を行うことができる。図４では、微調カット部１２０において、その長さをＬｃとした場合とＬｃ’とした場合との両者を便宜上、位置をずらして並示してある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来のトリミングにおいては、微調整領域１００ｂにて形成する微調カット部１２０は、粗調整領域１００ａと抵抗体１００の端部１００ｃの両方から十分な距離Ａ、Ｂを確保する必要がある。そのため、トリミングに要する抵抗体１００の面積が大きくなってしまう。
【０００８】
また、微調カット部１２０の長さＬｃ、Ｌｃ’が長くなるほど、わずかな長さの変動に伴って抵抗値の変動も大きくなる。例えば微調カット部１２０の長さがＬｃと長い場合、上記図４の実線矢印に示すように電流が流れると考えられ、微調カット部１２０の長さがＬｃ’と短い場合、上記図４の一点鎖線矢印に示すように電流が流れると考えられる。
【０００９】
このように、従来では微調カット部１２０の長さが変わると、抵抗体１００に流れる電流の経路が大きく変化し、結果、抵抗値の変動も大きくなると考えられる。したがって、従来の抵抗体のトリミングにおいては、微調整の高精度化が困難となり、抵抗値の微調整範囲を見積もることも困難となってしまう。
【００１０】
本発明は上記問題に鑑み、抵抗体をトリミングするにあたって、トリミングに要する面積を少なくし、且つ抵抗値変動を適度に抑制した微調整を可能にすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、抵抗体（１０）の抵抗値を調整するトリミング方法であって、抵抗体に対してサーペンタインカット型のトリミングを行うことにより、抵抗体の幅方向の両側から交互にカットされた複数個の第１のカット部（１１）を形成し、次に、個々の第１のカット部の間においてトリミングを行うことにより、第２のカット部（１２）を抵抗体の幅方向に沿って形成することを特徴とする。
【００１２】
それによれば、第１のカット部（１１）を形成することにより抵抗値の粗調整を行い、次に第２のカット部（１２）を形成することにより微調整を行うことができる。そして本発明では、粗調整領域にて微調整を行うことができるので、従来に比べてトリミングに要する面積を低減できる。
【００１３】
また、本発明では、微調整の役目を担う第２のカット部（１２）が第１のカット部（１１）の間にあるため、第２のカット部の長さ（Ｌ、Ｌ’）が変わっても、従来ほどには抵抗体（１０）に流れる電流経路の変化が大きくないと考えられる（図２参照）。また、実際に、第１のカット部と第２のカット部との間隔（ΔＷ）を変更することで抵抗値変動を適切な範囲で変更することができる（図３参照）。
【００１４】
要するに、本発明によれば、抵抗体をトリミングするにあたって、トリミングに要する面積を少なくし、且つ抵抗値変動を適度に抑制した微調整が可能な抵抗体のトリミング方法を提供することができる。
【００１５】
また、請求項２に記載の発明では、サーペンタインカット型のトリミングを行うことにより、幅方向の両側から交互に一定間隔（Ｗ）にて形成された複数個の第１のカット部（１１）を有する抵抗体であって、個々の第１のカット部の間に第２のカット部（１２）が形成されていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の抵抗体（１０）は、請求項１に記載のトリミング方法において、複数個の第１のカット部（１１）を一定間隔（Ｗ）に形成した場合に、これら第１のカット部の間に微調整用の第２のカット部（１２）を形成することで適切に製造される。したがって、本発明においても上記請求項１の発明と同様の効果が発揮されうる。
【００１７】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図１は本発明の実施形態に係る抵抗体１０の平面構成を示す図である。この抵抗体１０は、シリコン基板などの半導体基板の上に形成されたものでＣｒ−Ｓｉなどの金属薄膜からなるものである。
【００１９】
抵抗体１０においては、図１中の左右方向が長手方向、上下方向が幅方向である。抵抗体１０に対してレーザトリミングを行うことにより、抵抗体１０の幅方向の一端側と他端側から幅方向に沿って横断するように、複数個の切れ込みすなわちカット部１１、１２が形成されている。
【００２０】
ここで、図１中、太い実線に示すように、抵抗体１０の幅方向の両側から交互に一定間隔Ｗにて形成された複数個のカット部１１が、第１のカット部１１として形成されている。一方、図１中、太い破線に示すように、第１のカット部１１の間に形成されたカット部１２が第２のカット部１２として形成されている。
【００２１】
また、図１中には、第２のカット部１２とこれに最近接している第１のカット部１１との距離を間隔ΔＷとして示しており、第２のカット部１２の長さをＬとして示してある。
【００２２】
このような抵抗体１０の製造方法について述べる。シリコン基板などの半導体基板上に、蒸着やスパッタ等による成膜およびフォトリソグラフ技術を用いたパターニング手法等を用いて抵抗体１０を形成する。次に、トリミング工程を行うことによって抵抗体１０の抵抗値を調整するすなわち抵抗値を所望の値となるように大きくする。
【００２３】
抵抗体１０のトリミング方法は、ＹＡＧレーザなどを用いたレーザトリミングにより一般に次のように行われる。抵抗体１０の両端の電極を計測器につなぎ、抵抗値をモニタしながらレーザビームにより抵抗体１０を加熱蒸発させる。このとき抵抗体１０の幅方向に沿って横断するようにレーザビームを移動し、抵抗値が所定値になったところでレーザの発光を止める。
【００２４】
ここで、本実施形態では、まず、抵抗体１０に対してサーペンタインカット型のレーザトリミングを行う。サーペンタインカットとは、まさしく上記図１に示すように、抵抗体１０の幅方向の両側から交互にカットされた複数個の第１のカット部１１を形成するものである。この第１のカット部１１の形成に伴い、抵抗体１０における抵抗値の粗調整が行われる。
【００２５】
次に、個々の第１のカット部１１の間においてレーザトリミングを行うことにより、抵抗値の微調整を行うための第２のカット部１２を抵抗体１０の幅方向に沿って形成する。こうして上記図１に示される抵抗体１０ができあがる。
【００２６】
ところで、本実施形態によれば、第１のカット部１１を形成することにより抵抗値の粗調整を行い、次に、第１のカット部１１の間に第２のカット部１２を形成することにより微調整を行うことができる。このように、第１のカット部１１の間の領域すなわち粗調整領域にて微調整を行うことができるので、従来に比べてトリミングに要する面積を低減できる。
【００２７】
また、図２は本実施形態の作用を説明するための抵抗体１０の平面図である。図２では、第２のカット部１２の長さをＬとした場合と該Ｌよりも短いＬ’とした場合とを並記してある。第２のカット部１２の長さがＬと長い場合、図２の実線矢印に示すように電流が流れると考えられ、第２のカット部１２の長さがＬ’と短い場合、図２の一点鎖線矢印に示すように電流が流れると考えられる。
【００２８】
このように本実施形態では、微調整の役目を担う第２のカット部１２が第１のカット部１１の間にあるため、第２のカット部１２の長さＬ、Ｌ’が変わっても、上記図４に示した従来のものほどには、抵抗体１０に流れる電流経路の変化が大きくならないと考えられる。
【００２９】
そして、本実施形態では、実際に、第１のカット部１１と第２のカット部１２との間隔ΔＷを変更することで抵抗値変動を適切な範囲で変更することができる。つまり、粗調整によって当該粗調整部分における抵抗体１０の幅がＷと狭くなるが、さらに抵抗体の幅をＷから（Ｗ−ΔＷ）へと小さくすることで抵抗値を大きくし、微調整が可能となる。
【００３０】
具体的には、抵抗体１０のシート抵抗率をＳとして、上記した第１および第２のカット部同士の間隔ΔＷ、第２のカット部１２の長さＬ、第１のカット部１１同士の間隔Ｗを用いると、抵抗体１０の微調整による抵抗変化値ΔＲは下記の数式１に表される。
【００３１】
【数１】
【００３２】
微調整による間隔ΔＷと抵抗変化値ΔＲとの関係の一例を図３に示す。これは、Ｗ＝２０μｍ、Ｌ＝２００μｍ、Ｓ＝５００Ω／□としたときの間隔ΔＷによる抵抗変化値ΔＲの変化範囲を示すものである。第１のカット部１１と第２のカット部１２との間隔ΔＷを変更することにより、抵抗変化値ΔＲを適切に見積もることができる。
【００３３】
つまり、本実施形態によれば、第２のカット部１２の長さの変更をもって微調整の主たる役目を担わせるのではなく、主として第１のカット部１１と第２のカット部１２との間隔ΔＷを変更することにより、抵抗値の微調整を高精度に行うことができる。
【００３４】
ちなみに従来では、上記図４に示したように、粗調カット部１１０と微調カット部１２０との距離Ｂが大きい。当該距離Ｂは上記間隔ΔＷに相当する。そのため、従来では当該両カット部の距離Ｂを変更したとしても、抵抗体１００の抵抗値変動が小さすぎて抵抗値を調整することは困難である。
【００３５】
このように、本実施形態によれば、抵抗体をトリミングするにあたって、トリミングに要する面積を少なくし、且つ抵抗値変動を適度に抑制した微調整が可能な抵抗体１０およびそのトリミング方法を提供することができる。
【００３６】
なお、粗調整の役目を担う複数個の第１のカット部１１については、カット部１１間の間隔や各々のカット部１１の長さは互いに一定でなくても良い。また、第２のカット部１２についても複数個ある場合には、各々の長さＬや間隔ΔＷなどは互いに一定でなくても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る抵抗体を示す平面図である。
【図２】上記実施形態の作用を説明するための図である。
【図３】第１のカット部と第２のカット部との間隔ΔＷと抵抗変化値ΔＲとの関係の一例を示す図である。
【図４】従来の抵抗体のトリミングパターンを示す平面図である。
【符号の説明】
１０…抵抗体、１１…第１のカット部、１２…第２のカット部、
Ｗ…第１のカット部同士の間隔。
Claims (2)
- 抵抗体（１０）の抵抗値を調整するトリミング方法であって、
前記抵抗体に対してサーペンタインカット型のトリミングを行うことにより、前記抵抗体の幅方向の両側から交互にカットされた複数個の第１のカット部（１１）を形成し、
次に、個々の前記第１のカット部の間においてトリミングを行うことにより、第２のカット部（１２）を前記抵抗体の幅方向に沿って形成することを特徴とする抵抗体のトリミング方法。 - サーペンタインカット型のトリミングを行うことにより、幅方向の両側から交互に一定間隔（Ｗ）にて形成された複数個の第１のカット部（１１）を有し、
個々の前記第１のカット部の間に第２のカット部（１２）が形成されていることを特徴とする抵抗体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002164397A JP2004014697A (ja) | 2002-06-05 | 2002-06-05 | 抵抗体およびそのトリミング方法 |
| US10/453,935 US20030226829A1 (en) | 2002-06-05 | 2003-06-04 | Resistance element and method for trimming the same |
Applications Claiming Priority (1)
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