JP2003514949A - 表面平坦化組成物及び方法 - Google Patents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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-
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Abstract
(57)【要約】
表面の平坦化又は研磨のための組成物及び方法を提供する。この組成物は、液体キャリア、化学促進剤、及び約５〜９０ｗｔ％のフュームド金属酸化物及び約１０〜９５ｗｔ％の砥粒を含む固体を含有し、ここで砥粒の約９０％又はそれよりも多く（数に関して）の粒度が１００ｎｍ以下である。本発明の組成物は、表面を表面の平坦化又は研磨するのに有益であり、研磨効率、均一性及び除去速度が大きく、また欠陥、例えば下側構造及び形状のその場での損失のような欠陥を最少化する。
Description
【０００１】
［発明の技術分野］
本発明は、半導体表面又はメモリ若しくは硬質ディスクの金属層のような表面
の平坦化又は研磨のための組成物及び方法に関する。
の平坦化又は研磨のための組成物及び方法に関する。
【０００２】
［発明の背景］
基体の表面を平坦化又は研磨する組成物は、当該技術分野で既知である。研磨
スラリーは典型的に、水溶液中に研磨材を含有しており、スラリー組成物で飽和
した研磨パッドで表面と接触させることによって表面に適用する。典型的な研磨
材としては、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウ
ム、及び酸化スズを挙げることができる。例えば米国特許第５，５２７，４２３
号明細書は、水性媒体中に高純度の微細金属酸化物粒子を含有する研磨スラリー
を表面に接触させることによって金属層を機械化学的に研磨する方法を説明して
いる。
スラリーは典型的に、水溶液中に研磨材を含有しており、スラリー組成物で飽和
した研磨パッドで表面と接触させることによって表面に適用する。典型的な研磨
材としては、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウ
ム、及び酸化スズを挙げることができる。例えば米国特許第５，５２７，４２３
号明細書は、水性媒体中に高純度の微細金属酸化物粒子を含有する研磨スラリー
を表面に接触させることによって金属層を機械化学的に研磨する方法を説明して
いる。
【０００３】
従来の研磨組成物は典型的に、半導体ウェハー平坦化に関して完全に満足でき
るものではなかった。特に研磨スラリーは、研磨速度が所望の研磨速度よりも小
さく、また半導体表面の化学機械研磨におけるその使用は望ましくない表面の品
質をもたらすことがあった。半導体ウェハーの性能は、その表面の平坦性に直接
に関連するので、研磨効率、均一性及び除去速度が大きい研磨組成物を使用する
こと、及び表面欠陥を最少化して高品質の研磨を行うことは重要である。
るものではなかった。特に研磨スラリーは、研磨速度が所望の研磨速度よりも小
さく、また半導体表面の化学機械研磨におけるその使用は望ましくない表面の品
質をもたらすことがあった。半導体ウェハーの性能は、その表面の平坦性に直接
に関連するので、研磨効率、均一性及び除去速度が大きい研磨組成物を使用する
こと、及び表面欠陥を最少化して高品質の研磨を行うことは重要である。
【０００４】
半導体ウェハーのための効果的な研磨組成物を作る際の困難性は、半導体ウェ
ハーの複雑さに起因する。半導体ウェハーは典型的に基体からなり、ここに複数
のトランジスタが形成されている。集積回路は、基体のパターンを付けられた領
域及び基体の層によって、化学的及び物理的に基体に接続されている。操作可能
な半導体ウェハーを作り、且つウェハーの収率、性能及び信頼性を最大化するた
めには、下側構造又は形状に好ましくない影響を与えずに、ウェハーの選択され
た表面を研磨することが望ましい。実際に、適当に平坦化されたウェハー表面に
処理工程を行わないと、半導体製造において様々な問題が起こり得る。
ハーの複雑さに起因する。半導体ウェハーは典型的に基体からなり、ここに複数
のトランジスタが形成されている。集積回路は、基体のパターンを付けられた領
域及び基体の層によって、化学的及び物理的に基体に接続されている。操作可能
な半導体ウェハーを作り、且つウェハーの収率、性能及び信頼性を最大化するた
めには、下側構造又は形状に好ましくない影響を与えずに、ウェハーの選択され
た表面を研磨することが望ましい。実際に、適当に平坦化されたウェハー表面に
処理工程を行わないと、半導体製造において様々な問題が起こり得る。
【０００５】
研磨された表面の欠陥性及び下側構造又は形状への損害を最少化しながら、従
来の研磨材の研磨効率及び均一性を改良するための様々な試みが存在する。例え
ば米国特許第５，２６４，０１０号明細書は、酸化セリウム、フュームドシリカ
及び沈降シリカを含有する研磨組成物を開示している。これは、改良された除去
速度及び研磨効率をもたらすとされている。同様に、米国特許第５，６２２，５
２５号明細書は、平均粒度２０〜５０ｎｍのコロイド状シリカ、化学活性化剤及
び脱ミネラル水を含有する研磨組成物を説明している。
来の研磨材の研磨効率及び均一性を改良するための様々な試みが存在する。例え
ば米国特許第５，２６４，０１０号明細書は、酸化セリウム、フュームドシリカ
及び沈降シリカを含有する研磨組成物を開示している。これは、改良された除去
速度及び研磨効率をもたらすとされている。同様に、米国特許第５，６２２，５
２５号明細書は、平均粒度２０〜５０ｎｍのコロイド状シリカ、化学活性化剤及
び脱ミネラル水を含有する研磨組成物を説明している。
【０００６】
しかしながら、基体の研磨及び平坦化の間に、欠陥性、例えば表面不完全性及
び下側構造及び形状への損傷を最少化しながら、望ましい平坦化効率、均一性及
び除去速度を示す組成物及び方法がまだ必要とされている。本発明は、そのよう
な組成物及び方法の提供を意図している。本発明のこれらの及び他の利点は、以
下の本発明の説明で秋からになる。
び下側構造及び形状への損傷を最少化しながら、望ましい平坦化効率、均一性及
び除去速度を示す組成物及び方法がまだ必要とされている。本発明は、そのよう
な組成物及び方法の提供を意図している。本発明のこれらの及び他の利点は、以
下の本発明の説明で秋からになる。
【０００７】
［発明の概略］
本発明は、表面を平坦化又は研磨する組成物に関する。本発明の研磨組成物は
、（ａ）液体キャリア、（ｂ）化学促進剤、並びに（ｃ）約５〜９０ｗｔ％のフ
ュームド金属酸化物及び約１０〜９５ｗｔ％の砥粒を含む固体を含有する。ここ
でこの砥粒の約９０％又はそれよりも多く（数に関して）の粒度は１００ｎｍ以
下である。また本発明は、本発明の組成物と表面を接触させることを含む、表面
の平坦化又は研磨方法を提供する。
、（ａ）液体キャリア、（ｂ）化学促進剤、並びに（ｃ）約５〜９０ｗｔ％のフ
ュームド金属酸化物及び約１０〜９５ｗｔ％の砥粒を含む固体を含有する。ここ
でこの砥粒の約９０％又はそれよりも多く（数に関して）の粒度は１００ｎｍ以
下である。また本発明は、本発明の組成物と表面を接触させることを含む、表面
の平坦化又は研磨方法を提供する。
【０００８】
［好ましい態様の説明］
本発明は、（ａ）液体キャリア、（ｂ）化学促進剤並びに（ｃ）約５〜９０ｗ
ｔ％のフュームド金属酸化物及び約１０〜９５ｗｔ％の砥粒を含む固体を含有す
る組成物を提供する。ここでこの砥粒の約９０％又はそれよりも多く（すなわち
数に関して）の粒度が１００ｎｍ以下である。この組成物は、表面の平坦化又は
研磨に有益である。本発明は欠陥、例えば下側構造及び形状の損失を最少化しな
がら、大きい表面の研磨効率、均一性及び除去速度を可能にする。
ｔ％のフュームド金属酸化物及び約１０〜９５ｗｔ％の砥粒を含む固体を含有す
る組成物を提供する。ここでこの砥粒の約９０％又はそれよりも多く（すなわち
数に関して）の粒度が１００ｎｍ以下である。この組成物は、表面の平坦化又は
研磨に有益である。本発明は欠陥、例えば下側構造及び形状の損失を最少化しな
がら、大きい表面の研磨効率、均一性及び除去速度を可能にする。
【０００９】
全固体は、本発明の組成物中に任意の濃度で存在していてよい。望ましくは固
体は、約０．１ｗｔ％又はそれよりも高い濃度（例えば約０．１〜４０ｗｔ％の
濃度）で存在している。好ましくは全固体濃度は、組成物の約０．１〜３０ｗｔ
％（例えば約１〜３０ｗｔ％）である。
体は、約０．１ｗｔ％又はそれよりも高い濃度（例えば約０．１〜４０ｗｔ％の
濃度）で存在している。好ましくは全固体濃度は、組成物の約０．１〜３０ｗｔ
％（例えば約１〜３０ｗｔ％）である。
【００１０】
本発明の組成物の固体は、約５〜９０ｗｔ％のフュームド金属酸化物及び約１
０〜９５ｗｔ％の砥粒を含む（すなわち砥粒は、全固体の少なくとも約１０ｗｔ
％である）。組成物の固体は望ましくは、約１０〜８５ｗｔ％（例えば約１５〜
７５ｗｔ％）のフュームド金属酸化物、及び約１５〜９０ｗｔ％（例えば約２５
〜８５ｗｔ％）の砥粒を含む（すなわち砥粒は、全固体の少なくとも約１５ｗｔ
％（例えば少なくとも約２５ｗｔ％）である）。好ましくは固体は、約１５〜６
０ｗｔ％（例えば約２０〜５０ｗｔ％）のフュームド金属酸化物、及び約４０〜
８５ｗｔ％（例えば約５０〜８０ｗｔ％）の砥粒を含む（すなわち砥粒は、全固
体の少なくとも約４０ｗｔ％（例えば少なくとも約５０ｗｔ％）である）。
０〜９５ｗｔ％の砥粒を含む（すなわち砥粒は、全固体の少なくとも約１０ｗｔ
％である）。組成物の固体は望ましくは、約１０〜８５ｗｔ％（例えば約１５〜
７５ｗｔ％）のフュームド金属酸化物、及び約１５〜９０ｗｔ％（例えば約２５
〜８５ｗｔ％）の砥粒を含む（すなわち砥粒は、全固体の少なくとも約１５ｗｔ
％（例えば少なくとも約２５ｗｔ％）である）。好ましくは固体は、約１５〜６
０ｗｔ％（例えば約２０〜５０ｗｔ％）のフュームド金属酸化物、及び約４０〜
８５ｗｔ％（例えば約５０〜８０ｗｔ％）の砥粒を含む（すなわち砥粒は、全固
体の少なくとも約４０ｗｔ％（例えば少なくとも約５０ｗｔ％）である）。
【００１１】
本発明の組成物のフュームド金属酸化物は、任意の適当なフュームド（熱）金
属酸化物でよい。適当なフュームド金属酸化物としては例えば、フュームドアル
ミナ、フュームドシリカ、フュームドチタニア、フュームドセリア、フュームド
ジルコニア、フュームドゲルマニア、フュームドマグネシア、それらの共生成物
、それらのコフュームド（共フュームド）生成物、及びそれらの混合を挙げるこ
とができる。好ましくは、本発明の組成物のフュームド金属酸化物はフュームド
シリカである。
属酸化物でよい。適当なフュームド金属酸化物としては例えば、フュームドアル
ミナ、フュームドシリカ、フュームドチタニア、フュームドセリア、フュームド
ジルコニア、フュームドゲルマニア、フュームドマグネシア、それらの共生成物
、それらのコフュームド（共フュームド）生成物、及びそれらの混合を挙げるこ
とができる。好ましくは、本発明の組成物のフュームド金属酸化物はフュームド
シリカである。
【００１２】
本発明の組成物では、任意の適当な砥粒を使用することができる。所望の砥粒
は金属酸化物である。適当な金属酸化物としては、アルミナ、シリカ、チタニア
、セリア、ジルコニア、及びマグネシアを挙げることができる。米国特許第５，
２３０，８３３号明細書の記載に従って調製される砥粒、様々な商業的に入手可
能な生成物、例えばＡｋｚｏ−Ｎｏｂｅｌ Ｂｉｎｄｚｉｌ ５０／８０生成物
並びにＮａｌｃｏ １０５０、２３２７及び２３２９生成物、並びにＤｕＰｏｎ
ｔ、Ｂａｙｅｒ、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｒｅｓｅａｒｃｈ、日産化学及びＣｌａｒｉ
ａｎｔから入手可能な他の同様な生成物も、本発明の組成物中で使用するのに適
当である。好ましくは、本発明の組成物の砥粒は、縮重合金属酸化物、例えば縮
重合シリカである。縮重合シリカは典型的に、Ｓｉ（ＯＨ）４をコロイド粒子に
縮合させて調製する。
は金属酸化物である。適当な金属酸化物としては、アルミナ、シリカ、チタニア
、セリア、ジルコニア、及びマグネシアを挙げることができる。米国特許第５，
２３０，８３３号明細書の記載に従って調製される砥粒、様々な商業的に入手可
能な生成物、例えばＡｋｚｏ−Ｎｏｂｅｌ Ｂｉｎｄｚｉｌ ５０／８０生成物
並びにＮａｌｃｏ １０５０、２３２７及び２３２９生成物、並びにＤｕＰｏｎ
ｔ、Ｂａｙｅｒ、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｒｅｓｅａｒｃｈ、日産化学及びＣｌａｒｉ
ａｎｔから入手可能な他の同様な生成物も、本発明の組成物中で使用するのに適
当である。好ましくは、本発明の組成物の砥粒は、縮重合金属酸化物、例えば縮
重合シリカである。縮重合シリカは典型的に、Ｓｉ（ＯＨ）４をコロイド粒子に
縮合させて調製する。
【００１３】
本発明の組成物の砥粒は、砥粒の約９０％又はそれよりも多く（数に関して）
の粒度が１００ｎｍ以下であるようなものである。好ましくは砥粒は、砥粒の少
なくとも約９５％、９８％又は実質的に全て（又は実際に全て）の粒度が１００
ｎｍ以下であるようなものである。砥粒に関して好ましいこれらの粒度は、他の
粒度、例えば９５ｎｍ、９０ｎｍ、８５ｎｍ、８０ｎｍ、７５ｎｍ、７０ｎｍ及
び６５ｎｍであってもよい（すなわち砥粒の少なくとも約９０％、９５％、９８
％又は実質的に全て、及び実際に全ての粒度が（数に関して）、特定の値以下で
あってもよい）。
の粒度が１００ｎｍ以下であるようなものである。好ましくは砥粒は、砥粒の少
なくとも約９５％、９８％又は実質的に全て（又は実際に全て）の粒度が１００
ｎｍ以下であるようなものである。砥粒に関して好ましいこれらの粒度は、他の
粒度、例えば９５ｎｍ、９０ｎｍ、８５ｎｍ、８０ｎｍ、７５ｎｍ、７０ｎｍ及
び６５ｎｍであってもよい（すなわち砥粒の少なくとも約９０％、９５％、９８
％又は実質的に全て、及び実際に全ての粒度が（数に関して）、特定の値以下で
あってもよい）。
【００１４】
同様に、本発明の組成物の砥粒は、少なくとも約９０％、９５％、９８％又は
実質的に全て（又は実際に全て）（数に関して）の粒度が５ｎｍ以上であるよう
なものでよい。砥粒に関して好ましいこれらの粒度は、他の粒度、例えば７ｎｍ
、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２５ｎｍ及び３０ｎｍであってもよい（すなわち砥粒の
少なくとも約９０％、９５％、９８％、実質的に全て及び全て（数に関して）の
粒度が、特定の値以上であってもよい）。
実質的に全て（又は実際に全て）（数に関して）の粒度が５ｎｍ以上であるよう
なものでよい。砥粒に関して好ましいこれらの粒度は、他の粒度、例えば７ｎｍ
、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２５ｎｍ及び３０ｎｍであってもよい（すなわち砥粒の
少なくとも約９０％、９５％、９８％、実質的に全て及び全て（数に関して）の
粒度が、特定の値以上であってもよい）。
【００１５】
本発明の組成物の砥粒は、粒径に関して本質的にモードが２つある分布を有し
、砥粒の約３０〜７０％（例えば約５０％）（数に関して）の大きさが約３０〜
５０ｎｍであり、砥粒の約３０〜７０％（例えば約５０％）（数に関して）の大
きさが約７０〜９０ｎｍであってよい。好ましくは、砥粒は粒径に関して本質的
にモードが２つある分布を有し、砥粒の約３０〜７０％（例えば約５０％）（数
に関して）の大きさが約３５〜４５ｎｍであり、砥粒の約３０〜７０％（例えば
約５０％）（数に関して）の大きさが約７５〜８５ｎｍである。
、砥粒の約３０〜７０％（例えば約５０％）（数に関して）の大きさが約３０〜
５０ｎｍであり、砥粒の約３０〜７０％（例えば約５０％）（数に関して）の大
きさが約７０〜９０ｎｍであってよい。好ましくは、砥粒は粒径に関して本質的
にモードが２つある分布を有し、砥粒の約３０〜７０％（例えば約５０％）（数
に関して）の大きさが約３５〜４５ｎｍであり、砥粒の約３０〜７０％（例えば
約５０％）（数に関して）の大きさが約７５〜８５ｎｍである。
【００１６】
粒度に関して砥粒の性質を説明するためにここで使用されている割合の値は、
特に言及しない限り、重量分率ではなく、「数」に関する割合である。砥粒の粒
度は粒子直径に言及している。粒度は任意の適当な技術で測定することができる
。ここで挙げられている粒度の値は、満足に有意な砥粒試料、好ましくは少なく
とも２００個の砥粒の、視覚的な検査、特に透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による
検査に基づいている。
特に言及しない限り、重量分率ではなく、「数」に関する割合である。砥粒の粒
度は粒子直径に言及している。粒度は任意の適当な技術で測定することができる
。ここで挙げられている粒度の値は、満足に有意な砥粒試料、好ましくは少なく
とも２００個の砥粒の、視覚的な検査、特に透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による
検査に基づいている。
【００１７】
砥粒の粒度分布は、シグマ−ｇ（σｇ）として言及される数による幾何学標準
分布によって特徴付けられる。σｇの値は、（ａ）８４％（数に関して）の砥粒
がそれよりも小さくなる砥粒の直径を、（ｂ）１６％（数に関して）の砥粒がそ
れよりも小さくなる砥粒の直径で割ることによって得られる（すなわちσｇ＝ｄ ８４ ／ｄ１６となる）。単分散砥粒のσｇの値は約１となる。砥粒は多分散性で
あるので（すなわち異なるサイズの砥粒を含むので）、砥粒のσｇは１よりも大
きくなる。砥粒は典型的に、σｇの値が約２．５又はそれ未満（例えば約２．３
又はそれ未満）である。望ましくは砥粒のσｇの値は、少なくとも約１．１（例
えば約１．１〜２．３（例えば１．１〜１．３））であり、好ましくはσｇの値
は、少なくとも約１．３（例えば約１．５〜２．３又は約１．８〜２．３）であ
る。
分布によって特徴付けられる。σｇの値は、（ａ）８４％（数に関して）の砥粒
がそれよりも小さくなる砥粒の直径を、（ｂ）１６％（数に関して）の砥粒がそ
れよりも小さくなる砥粒の直径で割ることによって得られる（すなわちσｇ＝ｄ ８４ ／ｄ１６となる）。単分散砥粒のσｇの値は約１となる。砥粒は多分散性で
あるので（すなわち異なるサイズの砥粒を含むので）、砥粒のσｇは１よりも大
きくなる。砥粒は典型的に、σｇの値が約２．５又はそれ未満（例えば約２．３
又はそれ未満）である。望ましくは砥粒のσｇの値は、少なくとも約１．１（例
えば約１．１〜２．３（例えば１．１〜１．３））であり、好ましくはσｇの値
は、少なくとも約１．３（例えば約１．５〜２．３又は約１．８〜２．３）であ
る。
【００１８】
本発明の組成物は、パッキング密度によっても特徴付けられる。パッキング密
度は、個々の組成物成分のそれぞれの沈降体積の和で割った共に混合した全ての
組成物成分の沈降体積を、１から引いた値である。従ってパッキング密度（ＰＤ
）は１−（Ｖｔｏｔ／（Ｖｆｍｏ＋Ｖａｐ））である。ここでＶｆｍｏは、フュ
ームド金属酸化物（砥粒が存在しない状態）の体積、Ｖａｐは砥粒（フュームド
金属酸化物が存在しない状態）の体積、Ｖｔｏｔは混合したフュームド金属酸化
物及び砥粒の体積である。これらの単独のフュームド金属酸化物、単独の砥粒、
及び混合された条件のこれら２つの組み合わせの体積は、体積を決定する材料の
最少粒子のストークス沈降時間に１．２を掛けた値に等しい時間にわたって、任
意の適当なＧ力で試料を遠心分離することによって決定する。
度は、個々の組成物成分のそれぞれの沈降体積の和で割った共に混合した全ての
組成物成分の沈降体積を、１から引いた値である。従ってパッキング密度（ＰＤ
）は１−（Ｖｔｏｔ／（Ｖｆｍｏ＋Ｖａｐ））である。ここでＶｆｍｏは、フュ
ームド金属酸化物（砥粒が存在しない状態）の体積、Ｖａｐは砥粒（フュームド
金属酸化物が存在しない状態）の体積、Ｖｔｏｔは混合したフュームド金属酸化
物及び砥粒の体積である。これらの単独のフュームド金属酸化物、単独の砥粒、
及び混合された条件のこれら２つの組み合わせの体積は、体積を決定する材料の
最少粒子のストークス沈降時間に１．２を掛けた値に等しい時間にわたって、任
意の適当なＧ力で試料を遠心分離することによって決定する。
【００１９】
望ましくは組成物のパッキング密度の値は少なくとも約０．１、好ましくはパ
ッキング密度の値は少なくとも約０．１５である。より好ましくは、組成物のパ
ッキング密度の値は少なくとも約０．２である。最も好ましくは、本発明の組成
物のパッキング密度の値は少なくとも約０．３（例えば約０．３〜０．６）、又
は少なくとも約０．４（例えば約０．４〜０．６又は約０．５〜０．６）である
。本発明の組成物は典型的にパッキング密度の値が約０．７又はそれ未満（例え
ば約０．６５又はそれ未満、又は約０．６又はそれ未満）である。
ッキング密度の値は少なくとも約０．１５である。より好ましくは、組成物のパ
ッキング密度の値は少なくとも約０．２である。最も好ましくは、本発明の組成
物のパッキング密度の値は少なくとも約０．３（例えば約０．３〜０．６）、又
は少なくとも約０．４（例えば約０．４〜０．６又は約０．５〜０．６）である
。本発明の組成物は典型的にパッキング密度の値が約０．７又はそれ未満（例え
ば約０．６５又はそれ未満、又は約０．６又はそれ未満）である。
【００２０】
任意の適当な化学促進剤が本発明の組成物中に存在していてよい。化学促進剤
は、例えば基体除去速度の増加によって示されるように、基体の平坦化又は研磨
を改良するように作用する。
は、例えば基体除去速度の増加によって示されるように、基体の平坦化又は研磨
を改良するように作用する。
【００２１】
適当な化学促進剤としては例えば、酸化剤、キレート化又は錯化剤、触媒等を
挙げることができる。適当な酸化剤としては例えば、酸化ハロゲン化物（例えば
塩素酸塩、臭素酸塩、ヨウ素酸塩、過塩素酸塩、過臭素酸塩、過ヨウ素酸塩、そ
れらの混合等）を挙げることができる。適当な酸化剤としては例えば、過ホウ素
酸、過ホウ酸塩、過炭酸塩、硝酸塩、過硫酸塩、過酸化物、ペルオキシ酸（例え
ば過酢酸、過安息香酸、ｍ−クロロ過安息香酸、それらの塩、それらの混合等）
、過マンガン酸塩、クロム酸塩、セリウム化合物、フェリシアン化物（例えばフ
ェリシアン化カリウム）、酸化金属塩（例えばナトリウム塩、鉄塩、カリウム塩
、アルミニウム塩等）、酸化金属錯体、非金属酸化酸、アンモニウム塩、リン塩
、三酸化物（例えば三酸化バナジウム）、それらの混合等も挙げることができる
。
挙げることができる。適当な酸化剤としては例えば、酸化ハロゲン化物（例えば
塩素酸塩、臭素酸塩、ヨウ素酸塩、過塩素酸塩、過臭素酸塩、過ヨウ素酸塩、そ
れらの混合等）を挙げることができる。適当な酸化剤としては例えば、過ホウ素
酸、過ホウ酸塩、過炭酸塩、硝酸塩、過硫酸塩、過酸化物、ペルオキシ酸（例え
ば過酢酸、過安息香酸、ｍ−クロロ過安息香酸、それらの塩、それらの混合等）
、過マンガン酸塩、クロム酸塩、セリウム化合物、フェリシアン化物（例えばフ
ェリシアン化カリウム）、酸化金属塩（例えばナトリウム塩、鉄塩、カリウム塩
、アルミニウム塩等）、酸化金属錯体、非金属酸化酸、アンモニウム塩、リン塩
、三酸化物（例えば三酸化バナジウム）、それらの混合等も挙げることができる
。
【００２２】
適当なキレート化又は錯化剤としては例えば、カルボニル化合物（例えばアセ
ト酢酸等）、単純なカルボン酸塩（例えば酢酸塩、アリールカルボン酸塩等）、
１又は複数のヒドロキシル基を有するカルボン酸塩（例えばグリコール酸塩、乳
酸塩、グルコン酸塩、没食子酸及びその塩等）、ジ−、トリ−及びポリ−カルボ
ン酸塩（例えばシュウ酸塩、フタル酸塩、クエン酸塩、コハク酸塩、酒石酸塩、
リンゴ酸塩、エデト酸塩（例えばジナトリウムＥＤＴＡ）、それらの混合等）、
１又は複数のスルホン基及び／又はホスホン基を有するカルボン酸塩等を挙げる
ことができる。また適当なキレート化又は錯化剤としては例えば、ジ−、トリ−
及びポリ−アルコール（例えばエチレングリコール、ピロカテコール、ピロガロ
ール、タンニン酸等）、及びハロゲン化物（例えばフッソ化物、塩素化物、臭素
化物及びヨウ素化物）等も挙げることができる。また適当な化学促進剤としては
例えば、硫黄含有化合物、例えばチオール、チオエステル、チオエーテル及び硫
酸塩、並びに窒素含有化合物、例えばアミン（アミン含有化合物）、イミン（イ
ミン含有化合物）、アミド（アミド含有化合物）及びイミド（イミド含有化合物
）を挙げることができる。適当な窒素含有化合物としては例えば、第１アミン、
第２アミン、第３アミン、第４アミン、エーテルアミン、ヒドロキシル化アミン
、アミノアルコール、アミノエーテルアルコール、アミノ酸（例えばグリシン、
アラニン、イミノ二酢酸、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、及び／又
はスレオニン）、オリゴマーアミン、オリゴマーイミン、オリゴマーアミド、オ
リゴマーイミド、ポリマーアミン、ポリマーイミン、ポリマーアミド、ポリマー
イミド並びにそれらの混合を挙げることができる。
ト酢酸等）、単純なカルボン酸塩（例えば酢酸塩、アリールカルボン酸塩等）、
１又は複数のヒドロキシル基を有するカルボン酸塩（例えばグリコール酸塩、乳
酸塩、グルコン酸塩、没食子酸及びその塩等）、ジ−、トリ−及びポリ−カルボ
ン酸塩（例えばシュウ酸塩、フタル酸塩、クエン酸塩、コハク酸塩、酒石酸塩、
リンゴ酸塩、エデト酸塩（例えばジナトリウムＥＤＴＡ）、それらの混合等）、
１又は複数のスルホン基及び／又はホスホン基を有するカルボン酸塩等を挙げる
ことができる。また適当なキレート化又は錯化剤としては例えば、ジ−、トリ−
及びポリ−アルコール（例えばエチレングリコール、ピロカテコール、ピロガロ
ール、タンニン酸等）、及びハロゲン化物（例えばフッソ化物、塩素化物、臭素
化物及びヨウ素化物）等も挙げることができる。また適当な化学促進剤としては
例えば、硫黄含有化合物、例えばチオール、チオエステル、チオエーテル及び硫
酸塩、並びに窒素含有化合物、例えばアミン（アミン含有化合物）、イミン（イ
ミン含有化合物）、アミド（アミド含有化合物）及びイミド（イミド含有化合物
）を挙げることができる。適当な窒素含有化合物としては例えば、第１アミン、
第２アミン、第３アミン、第４アミン、エーテルアミン、ヒドロキシル化アミン
、アミノアルコール、アミノエーテルアルコール、アミノ酸（例えばグリシン、
アラニン、イミノ二酢酸、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、及び／又
はスレオニン）、オリゴマーアミン、オリゴマーイミン、オリゴマーアミド、オ
リゴマーイミド、ポリマーアミン、ポリマーイミン、ポリマーアミド、ポリマー
イミド並びにそれらの混合を挙げることができる。
【００２３】
更に、適当な化学促進剤としては、例えばリン酸イオン（化学構造ＰＯ４で示
される、ここでこの構造は二重結合（Ｐ＝Ｏ）を有する）、ホスホン酸イオン（
化学構造ＲＯ−ＰＯ３又はＲ２Ｏ２−ＰＯ２で示される、ここでこの構造は二重
結合（Ｐ＝Ｏ）を有し、Ｒは有機部分、典型的にアルキル部分、アリール部分、
環状部分、芳香族部分及びヘテロ原子含有有機部分（例えばＮ含有有機部分）か
らなる群より選択される）、又はそれらの組み合わせである。リン酸イオンは、
任意の適当なリン酸イオン源からもたらすことができる。適当なリン酸イオン源
としては例えば、リン酸及び水溶性リン酸塩、例えばオルトリン酸塩、ポリリン
酸塩、及びそれらの混合を挙げることができる。リン酸イオン源は、ピロリン酸
塩、トリポリリン酸塩、及びそれらの混合からなる群より選択することができる
。好ましくはリン酸イオン源は、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸リ
チウム、リン酸セシウム、リン酸マグネシウム、リン酸アンモニウム、リン酸等
、及びそれらの混合からなる群より選択する。ホスホン酸イオンは、任意の適当
なホスホン酸イオン源からもたらすことができる。適当なホスホン酸イオン源と
しては例えば、アミン含有ホスホン酸塩、イミン含有ホスホン酸塩、イミド含有
ホスホン酸塩、アミド含有ホスホン酸塩、窒素を含有しないホスホン酸化合物（
例えばアミン基を有さないホスホン酸塩）、及びそれらの混合を挙げることがで
きる。好ましくはホスホン酸イオン源は、ホスホ酢酸、２−アミノエチル２水素
リン酸塩、アミノトリ−（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレン）
トリホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１−ジホスホン酸、及びジエチレ
ントリアミンペンタ−（メチレンホスホン酸）、及びそれらの混合からなる群よ
り選択する。
される、ここでこの構造は二重結合（Ｐ＝Ｏ）を有する）、ホスホン酸イオン（
化学構造ＲＯ−ＰＯ３又はＲ２Ｏ２−ＰＯ２で示される、ここでこの構造は二重
結合（Ｐ＝Ｏ）を有し、Ｒは有機部分、典型的にアルキル部分、アリール部分、
環状部分、芳香族部分及びヘテロ原子含有有機部分（例えばＮ含有有機部分）か
らなる群より選択される）、又はそれらの組み合わせである。リン酸イオンは、
任意の適当なリン酸イオン源からもたらすことができる。適当なリン酸イオン源
としては例えば、リン酸及び水溶性リン酸塩、例えばオルトリン酸塩、ポリリン
酸塩、及びそれらの混合を挙げることができる。リン酸イオン源は、ピロリン酸
塩、トリポリリン酸塩、及びそれらの混合からなる群より選択することができる
。好ましくはリン酸イオン源は、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸リ
チウム、リン酸セシウム、リン酸マグネシウム、リン酸アンモニウム、リン酸等
、及びそれらの混合からなる群より選択する。ホスホン酸イオンは、任意の適当
なホスホン酸イオン源からもたらすことができる。適当なホスホン酸イオン源と
しては例えば、アミン含有ホスホン酸塩、イミン含有ホスホン酸塩、イミド含有
ホスホン酸塩、アミド含有ホスホン酸塩、窒素を含有しないホスホン酸化合物（
例えばアミン基を有さないホスホン酸塩）、及びそれらの混合を挙げることがで
きる。好ましくはホスホン酸イオン源は、ホスホ酢酸、２−アミノエチル２水素
リン酸塩、アミノトリ−（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレン）
トリホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１−ジホスホン酸、及びジエチレ
ントリアミンペンタ−（メチレンホスホン酸）、及びそれらの混合からなる群よ
り選択する。
【００２４】
上述の化合物の多くが、塩（例えば金属塩、アンモニウム塩等）、酸又は部分
塩の形で存在していてよいことが明らかである。例えばクエン酸塩としては、ク
エン酸並びにそのモノ−、ジ−及びトリ−塩を挙げることができ、フタル酸塩と
してはフタル酸並びにそのモノ−塩（例えばフタル酸水素カリウム）及びジ−塩
を挙げることができ、過塩素酸塩としては対応する酸（すなわち過塩素酸）及び
その酸を挙げることができる。
塩の形で存在していてよいことが明らかである。例えばクエン酸塩としては、ク
エン酸並びにそのモノ−、ジ−及びトリ−塩を挙げることができ、フタル酸塩と
してはフタル酸並びにそのモノ−塩（例えばフタル酸水素カリウム）及びジ−塩
を挙げることができ、過塩素酸塩としては対応する酸（すなわち過塩素酸）及び
その酸を挙げることができる。
【００２５】
更に、ある種の化合物は、１よりも多くの機能を達成することができる。例え
ばいくらかの化合物（例えば過硫酸アンモニウム、硝酸ヒドロキシルアミン等）
は、キレート化剤及び酸化剤の両方として機能することができる。更に、本発明
の組成物は２又はそれよりも多くの化学促進剤、例えば３又はそれよりも多くの
化学促進剤、又は４又はそれよりも多くの化学促進剤を含有することができる。
これに関して、化学促進剤は、促進された効果又は更に相乗効果をもたらすよう
に機能することがある。例えば本発明の組成物は、酸化剤と錯化剤とを含有する
ことができる。これについて、好ましくは、本発明の組成物は酸化剤とアミノ酸
、例えばグリシン、アラニン、イミノ二酢酸、バリン、ロイシン、イソロイシン
、セリン及び／又はスレオニンを含有する。同様に組成物は、酸化剤とリン酸含
有化合物、又は酸化剤とカルボン酸化合物を含有することができる。これについ
て、好ましくは、本発明の組成物は過酸化水素およびグリシンを含有する。
ばいくらかの化合物（例えば過硫酸アンモニウム、硝酸ヒドロキシルアミン等）
は、キレート化剤及び酸化剤の両方として機能することができる。更に、本発明
の組成物は２又はそれよりも多くの化学促進剤、例えば３又はそれよりも多くの
化学促進剤、又は４又はそれよりも多くの化学促進剤を含有することができる。
これに関して、化学促進剤は、促進された効果又は更に相乗効果をもたらすよう
に機能することがある。例えば本発明の組成物は、酸化剤と錯化剤とを含有する
ことができる。これについて、好ましくは、本発明の組成物は酸化剤とアミノ酸
、例えばグリシン、アラニン、イミノ二酢酸、バリン、ロイシン、イソロイシン
、セリン及び／又はスレオニンを含有する。同様に組成物は、酸化剤とリン酸含
有化合物、又は酸化剤とカルボン酸化合物を含有することができる。これについ
て、好ましくは、本発明の組成物は過酸化水素およびグリシンを含有する。
【００２６】
任意の適当な量の化学促進剤が、本発明の組成物中に存在していてよい。望ま
しくは、化学促進剤は本発明の組成物中に、約０．０１〜２０ｗｔ％（例えば約
０．０１〜１５ｗｔ％）の量で存在する。好ましくは、化学促進剤は本発明の組
成物中に、約０．１〜１０ｗｔ％の量で存在する。より好ましくは、化学促進剤
は本発明の組成物中に、約０．１〜５ｗｔ％（例えば約０．１〜２ｗｔ％）の量
で存在する。
しくは、化学促進剤は本発明の組成物中に、約０．０１〜２０ｗｔ％（例えば約
０．０１〜１５ｗｔ％）の量で存在する。好ましくは、化学促進剤は本発明の組
成物中に、約０．１〜１０ｗｔ％の量で存在する。より好ましくは、化学促進剤
は本発明の組成物中に、約０．１〜５ｗｔ％（例えば約０．１〜２ｗｔ％）の量
で存在する。
【００２７】
本発明の組成物は更に、１又は複数の他の成分を含有していてもよい。そのよ
うな他の成分としては、界面活性剤、ポリマー安定化剤又は他の表面活性分散剤
、ｐＨ調節剤、調整剤、又は緩衝剤等を挙げることができる。適当な界面活性剤
としては例えば、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、非イオン性界
面活性剤、両性界面活性剤、フッ素化界面活性剤、それらの混合等を挙げること
ができる。適当なポリマー安定化剤又は他の表面活性分散剤としては例えば、リ
ン酸、有機酸、酸化スズ、有機ホスホン酸塩、それらの混合等を挙げることがで
きる。適当なｐＨ調節剤、調整剤、又は緩衝剤としては例えば、水酸化ナトリウ
ム、炭酸ナトリウム、硫酸、塩化水素酸、硝酸、リン酸、クエン酸、リン酸カリ
ウム、それらの混合等を挙げることができる。
うな他の成分としては、界面活性剤、ポリマー安定化剤又は他の表面活性分散剤
、ｐＨ調節剤、調整剤、又は緩衝剤等を挙げることができる。適当な界面活性剤
としては例えば、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、非イオン性界
面活性剤、両性界面活性剤、フッ素化界面活性剤、それらの混合等を挙げること
ができる。適当なポリマー安定化剤又は他の表面活性分散剤としては例えば、リ
ン酸、有機酸、酸化スズ、有機ホスホン酸塩、それらの混合等を挙げることがで
きる。適当なｐＨ調節剤、調整剤、又は緩衝剤としては例えば、水酸化ナトリウ
ム、炭酸ナトリウム、硫酸、塩化水素酸、硝酸、リン酸、クエン酸、リン酸カリ
ウム、それらの混合等を挙げることができる。
【００２８】
任意の適当なキャリア（例えば溶媒）を、本発明の組成物で使用することがで
きる。キャリアを使用して、適当な基体の表面へのフュームド金属酸化物及び砥
粒の適用を促進する。好ましくはキャリアは水である。
きる。キャリアを使用して、適当な基体の表面へのフュームド金属酸化物及び砥
粒の適用を促進する。好ましくはキャリアは水である。
【００２９】
本発明の組成物のｐＨは、意図する最終用途のために適当な範囲に維持する。
組成物のｐＨは望ましくは、約２〜１２である。好ましくはｐＨは特定の化学促
進剤に依存する。例えば、化学促進剤が過硫酸アンモニウム及びＮＨ３である場
合、ｐＨは好ましくは約９〜１１である。化学促進剤が硝酸鉄（ＩＩＩ）である
場合、ｐＨは好ましくは約２．５又はそれ未満、より好ましくは約２である。化
学促進剤が硝酸ヒドロキシルアミンである場合、ｐＨは好ましくは約２〜５であ
る。
組成物のｐＨは望ましくは、約２〜１２である。好ましくはｐＨは特定の化学促
進剤に依存する。例えば、化学促進剤が過硫酸アンモニウム及びＮＨ３である場
合、ｐＨは好ましくは約９〜１１である。化学促進剤が硝酸鉄（ＩＩＩ）である
場合、ｐＨは好ましくは約２．５又はそれ未満、より好ましくは約２である。化
学促進剤が硝酸ヒドロキシルアミンである場合、ｐＨは好ましくは約２〜５であ
る。
【００３０】
また本発明は、表面を平坦化又は研磨する方法を提供する。この方法は、表面
に、上述の組成物を接触させることを含む。表面は、任意の適当な技術によって
処理することができる。例えば組成物は、研磨パッドを使用して表面に適用する
ことができる。
に、上述の組成物を接触させることを含む。表面は、任意の適当な技術によって
処理することができる。例えば組成物は、研磨パッドを使用して表面に適用する
ことができる。
【００３１】
本発明の組成物は、比較的大きい速度で基体を平滑化又は研磨すること、例え
ば比較的大きい速度で層状の基体から二酸化ケイ素層を除去することができる。
更に本発明の組成物は、多くの硬質の加工品、例えばメモリ又は硬質ディスク、
金属（例えば貴金属）、ＩＬＤ層、半導体、マイクロ電子機械系、強誘電体、磁
気ヘッド、ポリマーフィルム、並びに低及び高誘電率フィルムを平坦化又は研磨
するのに非常に適している。またこの組成物は、集積回路及び半導体の製造にお
いて使用することができる。本発明の組成物は、望ましい平滑化効率、均一性、
除去速度、並びに基体の平坦化及び研磨の間の小さい欠陥率を示す。
ば比較的大きい速度で層状の基体から二酸化ケイ素層を除去することができる。
更に本発明の組成物は、多くの硬質の加工品、例えばメモリ又は硬質ディスク、
金属（例えば貴金属）、ＩＬＤ層、半導体、マイクロ電子機械系、強誘電体、磁
気ヘッド、ポリマーフィルム、並びに低及び高誘電率フィルムを平坦化又は研磨
するのに非常に適している。またこの組成物は、集積回路及び半導体の製造にお
いて使用することができる。本発明の組成物は、望ましい平滑化効率、均一性、
除去速度、並びに基体の平坦化及び研磨の間の小さい欠陥率を示す。
【００３２】
例
以下の例は本発明を更に説明しているが、当然に本発明の範囲をいかようにも
限定するものではない。
限定するものではない。
【００３３】
以下の例のうちの１つ（すなわち例５）を除く全ての例で言及するメモリ又は
硬質ディスクは、Ｓｅａｇａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙから商業的に入手可能
なメモリ又は硬質ディスクである。メモリ又は硬質ディスクは、アルミニウム基
体のニッケル−リンコーティング（メッキ）ディスクであった。メモリ又は硬質
ディスクには、以下の例で使用する前に、予備研磨プロセスを行い、それぞれの
メモリ又は硬質ディスクの表面粗さは３０〜５０Åであった。
硬質ディスクは、Ｓｅａｇａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙから商業的に入手可能
なメモリ又は硬質ディスクである。メモリ又は硬質ディスクは、アルミニウム基
体のニッケル−リンコーティング（メッキ）ディスクであった。メモリ又は硬質
ディスクには、以下の例で使用する前に、予備研磨プロセスを行い、それぞれの
メモリ又は硬質ディスクの表面粗さは３０〜５０Åであった。
【００３４】
メモリ又は硬質ディスクは、Ｓｔｒｅｕｅｒｓ（オハイオ州ウエストレーク）
が製造するテーブルトップ研磨装置を使用して研磨した。このテーブルトップ研
磨装置は、Ｒｏｔｏｐｏｌ ３１ベースとＲｏｔｏｆｏｒｃｅ ３ダウンフォー
ス装置を使用していた。以下の例のそれぞれで使用した研磨パッドは、Ｒｏｄｅ
ｌが製造する直径３０．４８ｃｍ（１２インチ）のＰｏｌｙｔｅｘ Ｈｉパッド
であった。メモリ又は硬質ディスクは、プラテン速度１５０ｒｐｍ、研磨キャリ
ア速度１５０ｒｐｍ、及びスラリー流量１００ｍｌ／分で、一面について１０分
間にわたって研磨した。但し、例６のメモリ又は硬質ディスクでは、５分間にわ
たって研磨した。全ての例において使用した研磨力は、５０Ｎであった。
が製造するテーブルトップ研磨装置を使用して研磨した。このテーブルトップ研
磨装置は、Ｒｏｔｏｐｏｌ ３１ベースとＲｏｔｏｆｏｒｃｅ ３ダウンフォー
ス装置を使用していた。以下の例のそれぞれで使用した研磨パッドは、Ｒｏｄｅ
ｌが製造する直径３０．４８ｃｍ（１２インチ）のＰｏｌｙｔｅｘ Ｈｉパッド
であった。メモリ又は硬質ディスクは、プラテン速度１５０ｒｐｍ、研磨キャリ
ア速度１５０ｒｐｍ、及びスラリー流量１００ｍｌ／分で、一面について１０分
間にわたって研磨した。但し、例６のメモリ又は硬質ディスクでは、５分間にわ
たって研磨した。全ての例において使用した研磨力は、５０Ｎであった。
【００３５】
以下のそれぞれの例におけるニッケル−リン除去速度は、研磨の前後で、清浄
化し、乾燥したメモリ又は硬質ディスクを計量することによって計算した。重量
損失は、ニッケル−リン密度８．０５ｇ／ｃｍ３を使用してメモリ又は硬質ディ
スク厚さの減少に換算した。
化し、乾燥したメモリ又は硬質ディスクを計量することによって計算した。重量
損失は、ニッケル−リン密度８．０５ｇ／ｃｍ３を使用してメモリ又は硬質ディ
スク厚さの減少に換算した。
【００３６】
例１
この例は、表面の平坦化又は研磨の間の表面の除去速度を最大化する場合に、
本発明の組成物中の砥粒に対するフュームド金属酸化物の割合及び組み合わせ、
並びに化学促進剤の存在が重要であることを説明している。
本発明の組成物中の砥粒に対するフュームド金属酸化物の割合及び組み合わせ、
並びに化学促進剤の存在が重要であることを説明している。
【００３７】
ニッケル−リンメッキメモリ又は硬質ディスクは、以下の１０種類の異なる組
成物でそれぞれ研磨した。これらの組成物は、様々な相対濃度のフュームドシリ
カ（すなわち０ｗｔ％、２５ｗｔ％、５０ｗｔ％、７５ｗｔ％及び１００ｗｔ％
）、縮重合シリカ（すなわち１００ｗｔ％、７５ｗｔ％、５０ｗｔ％、２５ｗｔ
％及び０ｗｔ％）（測定メジアン粒度約２０ｎｍ、σｇ＝２．２６）、及び硝酸
ヒドロキシアミン（ＨＡＮ）（すなわち０ｗｔ％のＨＡＮ又は０．２５ｗｔ％の
ＨＡＮ）を含有する。全ての組成物のｐＨが約３．５であった。フュームドシリ
カは、Ｃａｂ−Ｏ−Ｓｐｅｒｓｅ（商標）ＳＣ−Ｅフュームドシリカ水性分散体
（キャボット社）の形で組成物に加えた。縮重合シリカは、Ｂｉｎｄｚｉｌ（商
標）５０／８０（Ａｋｚｏ−Ｎｏｂｅｌ）であり、ここでは約９０％又はそれよ
りも多くの粒子（数に関して）の粒度が１００ｎｍ以下であり、約９０％又はそ
れよりも多くの粒子（数に関して）の粒度が５ｎｍ以上であった。研磨組成物の
使用の後で、それぞれの組成物の除去速度を決定した。結果は表１に示している
。
成物でそれぞれ研磨した。これらの組成物は、様々な相対濃度のフュームドシリ
カ（すなわち０ｗｔ％、２５ｗｔ％、５０ｗｔ％、７５ｗｔ％及び１００ｗｔ％
）、縮重合シリカ（すなわち１００ｗｔ％、７５ｗｔ％、５０ｗｔ％、２５ｗｔ
％及び０ｗｔ％）（測定メジアン粒度約２０ｎｍ、σｇ＝２．２６）、及び硝酸
ヒドロキシアミン（ＨＡＮ）（すなわち０ｗｔ％のＨＡＮ又は０．２５ｗｔ％の
ＨＡＮ）を含有する。全ての組成物のｐＨが約３．５であった。フュームドシリ
カは、Ｃａｂ−Ｏ−Ｓｐｅｒｓｅ（商標）ＳＣ−Ｅフュームドシリカ水性分散体
（キャボット社）の形で組成物に加えた。縮重合シリカは、Ｂｉｎｄｚｉｌ（商
標）５０／８０（Ａｋｚｏ−Ｎｏｂｅｌ）であり、ここでは約９０％又はそれよ
りも多くの粒子（数に関して）の粒度が１００ｎｍ以下であり、約９０％又はそ
れよりも多くの粒子（数に関して）の粒度が５ｎｍ以上であった。研磨組成物の
使用の後で、それぞれの組成物の除去速度を決定した。結果は表１に示している
。
【００３８】
【表１】
【００３９】
表１に示したデータから明らかなように、ＨＡＮを伴う組成物によって示され
る除去速度は、ＨＡＮを伴わない組成物によって示される除去速度よりもかなり
大きい。更に、ＨＡＮ、及び約２５〜７５ｗｔ％のフュームドシリカと２５〜７
５ｗｔ％の縮重合シリカからなる固体を伴う組成物（組成物１Ｂ、１Ｃ及び１Ｄ
）での除去速度は、ＨＡＮ、及び１００ｗｔ％のフュームドシリカのみ又は１０
０ｗｔ％の縮重合シリカのみからなる固体を伴う組成物（組成物１Ａ及び１Ｅ）
での除去速度よりも大きかった。これらの結果は、本発明の組成物によって達成
可能な除去速度に関して、ここで示される粒度特性及び砥粒に対するフュームド
金属酸化物の割合を有する砥粒及びフュームド金属酸化物の混合と、化学促進剤
との組み合わせが重要であることを示している。
る除去速度は、ＨＡＮを伴わない組成物によって示される除去速度よりもかなり
大きい。更に、ＨＡＮ、及び約２５〜７５ｗｔ％のフュームドシリカと２５〜７
５ｗｔ％の縮重合シリカからなる固体を伴う組成物（組成物１Ｂ、１Ｃ及び１Ｄ
）での除去速度は、ＨＡＮ、及び１００ｗｔ％のフュームドシリカのみ又は１０
０ｗｔ％の縮重合シリカのみからなる固体を伴う組成物（組成物１Ａ及び１Ｅ）
での除去速度よりも大きかった。これらの結果は、本発明の組成物によって達成
可能な除去速度に関して、ここで示される粒度特性及び砥粒に対するフュームド
金属酸化物の割合を有する砥粒及びフュームド金属酸化物の混合と、化学促進剤
との組み合わせが重要であることを示している。
【００４０】
例２
この例は、表面の平坦化又は研磨の間の表面の除去速度を最大化する場合に、
本発明の組成物中の砥粒に対するフュームド金属酸化物の割合及び組み合わせ、
並びに化学促進剤の存在が重要であることを説明している。
本発明の組成物中の砥粒に対するフュームド金属酸化物の割合及び組み合わせ、
並びに化学促進剤の存在が重要であることを説明している。
【００４１】
ニッケル−リンメッキメモリ又は硬質ディスクは、以下の１０種類の異なる組
成物でそれぞれ研磨した。これらの組成物は、様々な相対濃度のフュームドシリ
カ（すなわち０ｗｔ％、２５ｗｔ％、５０ｗｔ％、７５ｗｔ％及び１００ｗｔ％
）、縮重合シリカ（すなわち１００ｗｔ％、７５ｗｔ％、５０ｗｔ％、２５ｗｔ
％及び０ｗｔ％）（測定メジアン粒度約２０ｎｍ、σｇ＝２．２６）、過硫酸ア
ンモニウム（ＡＰＳ）及びＮＨ３（すなわち０．２５ｗｔ％のＡＰＳ及び０．２
５ｗｔ％のＮＨ３、又は０ｗｔ％のＡＰＳ及び０ｗｔ％のＮＨ３）を含有する。
全ての組成物のｐＨは約１０であった。フュームドシリカは、Ｃａｂ−Ｏ−Ｓｐ
ｅｒｓｅ（商標）ＳＣ−Ｅフュームドシリカ水性分散体（キャボット社）の形で
組成物に加えた。縮重合シリカは、Ｂｉｎｄｚｉｌ（商標）５０／８０（Ａｋｚ
ｏ−Ｎｏｂｅｌ）であり、ここでは約９０％又はそれよりも多くの粒子（数に関
して）の粒度が１００ｎｍ以下であり、約９０％又はそれよりも多くの粒子（数
に関して）の粒度が５ｎｍ以上であった。研磨組成物の使用の後で、それぞれの
組成物の除去速度を決定した。結果は表２に示している。
成物でそれぞれ研磨した。これらの組成物は、様々な相対濃度のフュームドシリ
カ（すなわち０ｗｔ％、２５ｗｔ％、５０ｗｔ％、７５ｗｔ％及び１００ｗｔ％
）、縮重合シリカ（すなわち１００ｗｔ％、７５ｗｔ％、５０ｗｔ％、２５ｗｔ
％及び０ｗｔ％）（測定メジアン粒度約２０ｎｍ、σｇ＝２．２６）、過硫酸ア
ンモニウム（ＡＰＳ）及びＮＨ３（すなわち０．２５ｗｔ％のＡＰＳ及び０．２
５ｗｔ％のＮＨ３、又は０ｗｔ％のＡＰＳ及び０ｗｔ％のＮＨ３）を含有する。
全ての組成物のｐＨは約１０であった。フュームドシリカは、Ｃａｂ−Ｏ−Ｓｐ
ｅｒｓｅ（商標）ＳＣ−Ｅフュームドシリカ水性分散体（キャボット社）の形で
組成物に加えた。縮重合シリカは、Ｂｉｎｄｚｉｌ（商標）５０／８０（Ａｋｚ
ｏ−Ｎｏｂｅｌ）であり、ここでは約９０％又はそれよりも多くの粒子（数に関
して）の粒度が１００ｎｍ以下であり、約９０％又はそれよりも多くの粒子（数
に関して）の粒度が５ｎｍ以上であった。研磨組成物の使用の後で、それぞれの
組成物の除去速度を決定した。結果は表２に示している。
【００４２】
【表２】
【００４３】
表２に示したデータから明らかなように、ＡＰＳ及びＮＨ３を伴う組成物によ
って示される除去速度は、１００ｗｔ％のフュームドシリカからなる組成物を除
いて、ＡＰＳ及びＮＨ３を伴わない組成物によって示される除去速度よりもかな
り大きい。更に、ＡＰＳ及びＮＨ３及び約２５〜７５ｗｔ％のフュームドシリカ
と２５〜７５ｗｔ％の縮重合シリカからなる固体を伴う組成物（組成物２Ｂ、２
Ｃ及び２Ｄ）での除去速度は、ＡＰＳ及びＮＨ３及び１００ｗｔ％のフュームド
シリカのみ又は１００ｗｔ％の縮重合シリカのみからなる固体を伴う組成物（組
成物２Ａ及び２Ｅ）での除去速度よりも大きかった。これらの結果は、本発明の
組成物によって達成可能な除去速度に関して、ここで示される粒度特性及び砥粒
に対するフュームド金属酸化物の割合を有する砥粒及びフュームド金属酸化物の
混合と、化学促進剤との組み合わせが重要であることを示している。
って示される除去速度は、１００ｗｔ％のフュームドシリカからなる組成物を除
いて、ＡＰＳ及びＮＨ３を伴わない組成物によって示される除去速度よりもかな
り大きい。更に、ＡＰＳ及びＮＨ３及び約２５〜７５ｗｔ％のフュームドシリカ
と２５〜７５ｗｔ％の縮重合シリカからなる固体を伴う組成物（組成物２Ｂ、２
Ｃ及び２Ｄ）での除去速度は、ＡＰＳ及びＮＨ３及び１００ｗｔ％のフュームド
シリカのみ又は１００ｗｔ％の縮重合シリカのみからなる固体を伴う組成物（組
成物２Ａ及び２Ｅ）での除去速度よりも大きかった。これらの結果は、本発明の
組成物によって達成可能な除去速度に関して、ここで示される粒度特性及び砥粒
に対するフュームド金属酸化物の割合を有する砥粒及びフュームド金属酸化物の
混合と、化学促進剤との組み合わせが重要であることを示している。
【００４４】
例３
この例は、表面の平坦化又は研磨の間の表面の除去速度を最大化する場合に、
本発明の組成物中の砥粒に対するフュームド金属酸化物の割合及び組み合わせ、
並びに化学促進剤の存在が重要であることを説明している。
本発明の組成物中の砥粒に対するフュームド金属酸化物の割合及び組み合わせ、
並びに化学促進剤の存在が重要であることを説明している。
【００４５】
ニッケル−リンメッキメモリ又は硬質ディスクは、以下の１０種類の異なる組
成物でそれぞれ研磨した。これらの組成物は、様々な相対濃度のフュームドシリ
カ（すなわち０ｗｔ％、２５ｗｔ％、５０ｗｔ％、７５ｗｔ％及び１００ｗｔ％
）、縮重合シリカ（すなわち１００ｗｔ％、７５ｗｔ％、５０ｗｔ％、２５ｗｔ
％及び０ｗｔ％）（測定メジアン粒度約２０ｎｍ、σｇ＝２．２６）、及びＦｅ
（ＮＯ３）３（すなわち０ｗｔ％のＦｅ（ＮＯ３）３又は０．２５ｗｔ％のＦｅ
（ＮＯ３）３）を含有していた。全ての組成物のｐＨが約２であった。フューム
ドシリカは、Ｃａｂ−Ｏ−Ｓｐｅｒｓｅ（商標）ＳＣ−Ｅフュームドシリカ水性
分散体（キャボット社）の形で組成物に加えた。縮重合シリカは、Ｂｉｎｄｚｉ
ｌ（商標）５０／８０（Ａｋｚｏ−Ｎｏｂｅｌ）であり、ここでは約９０％又は
それよりも多くの粒子（数に関して）の粒度が１００ｎｍ以下であり、約９０％
又はそれよりも多くの粒子（数に関して）の粒度が５ｎｍ以上であった。研磨組
成物の使用の後で、それぞれの組成物の除去速度を決定した。結果は表３に示し
ている。
成物でそれぞれ研磨した。これらの組成物は、様々な相対濃度のフュームドシリ
カ（すなわち０ｗｔ％、２５ｗｔ％、５０ｗｔ％、７５ｗｔ％及び１００ｗｔ％
）、縮重合シリカ（すなわち１００ｗｔ％、７５ｗｔ％、５０ｗｔ％、２５ｗｔ
％及び０ｗｔ％）（測定メジアン粒度約２０ｎｍ、σｇ＝２．２６）、及びＦｅ
（ＮＯ３）３（すなわち０ｗｔ％のＦｅ（ＮＯ３）３又は０．２５ｗｔ％のＦｅ
（ＮＯ３）３）を含有していた。全ての組成物のｐＨが約２であった。フューム
ドシリカは、Ｃａｂ−Ｏ−Ｓｐｅｒｓｅ（商標）ＳＣ−Ｅフュームドシリカ水性
分散体（キャボット社）の形で組成物に加えた。縮重合シリカは、Ｂｉｎｄｚｉ
ｌ（商標）５０／８０（Ａｋｚｏ−Ｎｏｂｅｌ）であり、ここでは約９０％又は
それよりも多くの粒子（数に関して）の粒度が１００ｎｍ以下であり、約９０％
又はそれよりも多くの粒子（数に関して）の粒度が５ｎｍ以上であった。研磨組
成物の使用の後で、それぞれの組成物の除去速度を決定した。結果は表３に示し
ている。
【００４６】
【表３】
【００４７】
表３に示したデータから明らかなように、Ｆｅ（ＮＯ３）３を伴う組成物によ
って示される除去速度は、Ｆｅ（ＮＯ３）３を伴わない組成物によって示される
除去速度よりもかなり大きい。特に、Ｆｅ（ＮＯ３）３と、約２５〜７５ｗｔ％
のフュームドシリカと２５〜７５ｗｔ％の縮重合シリカからなる固体を伴う組成
物（組成物３Ｂ、３Ｃ及び３Ｄ）での除去速度は、Ｆｅ（ＮＯ３）３と、１００
ｗｔ％のフュームドシリカ又は１００ｗｔ％の縮重合シリカからなる固体を伴う
組成物（組成物３Ａ及び３Ｅ）での除去速度よりも大きかった。これらの結果は
、本発明の組成物によって達成可能な除去速度に関して、ここで示される粒度特
性及び砥粒に対するフュームド金属酸化物の割合を有する砥粒及びフュームド金
属酸化物の混合と、化学促進剤との組み合わせが重要であることを示している。
って示される除去速度は、Ｆｅ（ＮＯ３）３を伴わない組成物によって示される
除去速度よりもかなり大きい。特に、Ｆｅ（ＮＯ３）３と、約２５〜７５ｗｔ％
のフュームドシリカと２５〜７５ｗｔ％の縮重合シリカからなる固体を伴う組成
物（組成物３Ｂ、３Ｃ及び３Ｄ）での除去速度は、Ｆｅ（ＮＯ３）３と、１００
ｗｔ％のフュームドシリカ又は１００ｗｔ％の縮重合シリカからなる固体を伴う
組成物（組成物３Ａ及び３Ｅ）での除去速度よりも大きかった。これらの結果は
、本発明の組成物によって達成可能な除去速度に関して、ここで示される粒度特
性及び砥粒に対するフュームド金属酸化物の割合を有する砥粒及びフュームド金
属酸化物の混合と、化学促進剤との組み合わせが重要であることを示している。
【００４８】
例４
この例は、表面の平坦化又は研磨の間の表面の除去速度を最大化する場合に、
本発明の組成物中の砥粒粒度の分布が重要であることを説明している。
本発明の組成物中の砥粒粒度の分布が重要であることを説明している。
【００４９】
１９種類の異なる組成物で、それぞれニッケル−リンウェハーを研磨した。こ
れらの組成物は全て、硝酸ヒドロキシルアミン（ＨＡＮ）含有率が０．２５ｗｔ
％であり、全固体含有率が４ｗｔ％であった。この固体は様々な濃度のフューム
ドシリカ（組成物の１．６ｗｔ％、２．４ｗｔ％及び３．２ｗｔ％、すなわちそ
れぞれ全固体の４０ｗｔ％、６０ｗｔ％及び８０ｗｔ％）、及び様々な濃度の縮
重合シリカ（組成物の２．４ｗｔ％、１．６ｗｔ％及び０．８ｗｔ％、すなわち
それぞれ全固体の６０ｗｔ％、４０ｗｔ％及び２０ｗｔ％）からなっている。こ
こでこの縮重合シリカは、公称２０ｎｍ、４０ｎｍ及び８０ｎｍの縮重合シリカ
粒子は様々な相対濃度（すなわち組成物の０ｗｔ％、０．４ｗｔ％、０．８ｗｔ
％、１．２ｗｔ％、１．６ｗｔ％及び２．４ｗｔ％）を有する。全ての組成物は
ｐＨが約３．５であった。フュームドシリカは、Ｃａｂ−Ｏ−Ｓｐｅｒｓｅ（商
標）ＳＣ−Ｅフュームドシリカ水性分散体（キャボット社）の形で組成物に加え
た。２０ｎｍ、４０ｎｍ及び８０ｎｍの縮重合シリカは、それぞれ１０５０、Ｐ
Ｒ−４２９１及び２３２９製品（Ｎａｌｃｏ）であった。公称２０ｎｍの縮重合
シリカ粒子はメジアン粒度が約２５ｎｍ、σｇ値が１．２０であった。公称４０
ｎｍの縮重合シリカ粒子はメジアン粒度が約４６ｎｍ、σｇ値が１．２２であっ
た。公称８０ｎｍの縮重合シリカ粒子はメジアン粒度が約７８ｎｍ、σｇ値が１
．１６であった。縮重合シリカは商業的に入手可能であり、ここでは粒子の約９
０ｗｔ％又はそれよりも多く（数に関して）の粒度が１００ｎｍ以下であり、粒
子の約９０ｗｔ％又はそれよりも多く（数に関して）の粒度が５ｎｍ以上であっ
た。研磨組成物の使用の後で、それぞれの組成物の除去速度を決定した。結果は
表４に示している。
れらの組成物は全て、硝酸ヒドロキシルアミン（ＨＡＮ）含有率が０．２５ｗｔ
％であり、全固体含有率が４ｗｔ％であった。この固体は様々な濃度のフューム
ドシリカ（組成物の１．６ｗｔ％、２．４ｗｔ％及び３．２ｗｔ％、すなわちそ
れぞれ全固体の４０ｗｔ％、６０ｗｔ％及び８０ｗｔ％）、及び様々な濃度の縮
重合シリカ（組成物の２．４ｗｔ％、１．６ｗｔ％及び０．８ｗｔ％、すなわち
それぞれ全固体の６０ｗｔ％、４０ｗｔ％及び２０ｗｔ％）からなっている。こ
こでこの縮重合シリカは、公称２０ｎｍ、４０ｎｍ及び８０ｎｍの縮重合シリカ
粒子は様々な相対濃度（すなわち組成物の０ｗｔ％、０．４ｗｔ％、０．８ｗｔ
％、１．２ｗｔ％、１．６ｗｔ％及び２．４ｗｔ％）を有する。全ての組成物は
ｐＨが約３．５であった。フュームドシリカは、Ｃａｂ−Ｏ−Ｓｐｅｒｓｅ（商
標）ＳＣ−Ｅフュームドシリカ水性分散体（キャボット社）の形で組成物に加え
た。２０ｎｍ、４０ｎｍ及び８０ｎｍの縮重合シリカは、それぞれ１０５０、Ｐ
Ｒ−４２９１及び２３２９製品（Ｎａｌｃｏ）であった。公称２０ｎｍの縮重合
シリカ粒子はメジアン粒度が約２５ｎｍ、σｇ値が１．２０であった。公称４０
ｎｍの縮重合シリカ粒子はメジアン粒度が約４６ｎｍ、σｇ値が１．２２であっ
た。公称８０ｎｍの縮重合シリカ粒子はメジアン粒度が約７８ｎｍ、σｇ値が１
．１６であった。縮重合シリカは商業的に入手可能であり、ここでは粒子の約９
０ｗｔ％又はそれよりも多く（数に関して）の粒度が１００ｎｍ以下であり、粒
子の約９０ｗｔ％又はそれよりも多く（数に関して）の粒度が５ｎｍ以上であっ
た。研磨組成物の使用の後で、それぞれの組成物の除去速度を決定した。結果は
表４に示している。
【００５０】
【表４】
【００５１】
表４に示したデータから明らかなように、硝酸ヒドロキシルアミンと、フュー
ムドシリカ及び縮重合シリカの混合物からなる固体を伴う組成物によって示され
る除去速度は、縮重合シリカの粒度によって有意に変化する。これらの結果は、
本発明の組成物によって達成可能な除去速度に、本発明の組成物中の砥粒の粒度
分布が影響を与えることを示している。
ムドシリカ及び縮重合シリカの混合物からなる固体を伴う組成物によって示され
る除去速度は、縮重合シリカの粒度によって有意に変化する。これらの結果は、
本発明の組成物によって達成可能な除去速度に、本発明の組成物中の砥粒の粒度
分布が影響を与えることを示している。
【００５２】
例５
この例は、表面の平坦化又は研磨の間の表面の除去速度を最大化する場合に、
本発明の組成物の砥粒に対するフュームド金属酸化物の比率及びこれらの組み合
わせ、並びに化学促進剤の存在が重要であることを説明している。
本発明の組成物の砥粒に対するフュームド金属酸化物の比率及びこれらの組み合
わせ、並びに化学促進剤の存在が重要であることを説明している。
【００５３】
以下の異なる組成物でタングステン層をそれぞれ研磨した。これらの組成物は
全て、４ｗｔ％の過酸化水素、０．００５ｗｔ％のＦｅ（硝酸鉄（ＩＩＩ）に起
因）、０．０５ｗｔ％のグリシン、０．０３ｗｔ％のマロン酸を含有しており、
全固体濃度が２ｗｔ％であった。この固体は様々な濃度のフュームドシリカ（す
なわち０ｗｔ％、６０ｗｔ％、７５ｗｔ％、９０ｗｔ％及び１００ｗｔ％）及び
様々な相対濃度の縮重合シリカ（すなわち１００ｗｔ％、４０ｗｔ％、２５ｗｔ
％、１０ｗｔ％及び０ｗｔ％）（測定メジアン粒度約４０ｎｍ、σｇ＝１．２２
）からなっている。全ての組成物のｐＨが約２．３であった。フュームドシリカ
は、Ｃａｂ−Ｏ−Ｓｉｌ（商標）ＬＭ−１５０フュームドシリカ（キャボット社
）の水性分散体の形で組成物に加えた。縮重合シリカはＰＲ−４２９１（Ｎａｌ
ｃｏ）であった。ここで公称４０ｎｍの縮重合シリカ粒子はメジアン粒度が約４
６ｎｍ、σｇ値が１．２２であった。研磨組成物の使用の後で、それぞれの組成
物の除去速度を決定した。この結果は表５に示している。
全て、４ｗｔ％の過酸化水素、０．００５ｗｔ％のＦｅ（硝酸鉄（ＩＩＩ）に起
因）、０．０５ｗｔ％のグリシン、０．０３ｗｔ％のマロン酸を含有しており、
全固体濃度が２ｗｔ％であった。この固体は様々な濃度のフュームドシリカ（す
なわち０ｗｔ％、６０ｗｔ％、７５ｗｔ％、９０ｗｔ％及び１００ｗｔ％）及び
様々な相対濃度の縮重合シリカ（すなわち１００ｗｔ％、４０ｗｔ％、２５ｗｔ
％、１０ｗｔ％及び０ｗｔ％）（測定メジアン粒度約４０ｎｍ、σｇ＝１．２２
）からなっている。全ての組成物のｐＨが約２．３であった。フュームドシリカ
は、Ｃａｂ−Ｏ−Ｓｉｌ（商標）ＬＭ−１５０フュームドシリカ（キャボット社
）の水性分散体の形で組成物に加えた。縮重合シリカはＰＲ−４２９１（Ｎａｌ
ｃｏ）であった。ここで公称４０ｎｍの縮重合シリカ粒子はメジアン粒度が約４
６ｎｍ、σｇ値が１．２２であった。研磨組成物の使用の後で、それぞれの組成
物の除去速度を決定した。この結果は表５に示している。
【００５４】
【表５】
【００５５】
表５に示したデータから明らかなように、約９０ｗｔ％のフュームドシリカ及
び１０ｗｔ％の縮重合シリカの混合物からなる固体を伴う組成物（組成物５Ｄ）
によって示される除去速度は、１００ｗｔ％のフュームドシリカ又は１００ｗｔ
％の縮重合シリカからなる固体を伴う組成物（組成物５Ａ及び５Ｅ）によって示
される除去速度よりも大きい。これらの結果は、本発明の組成物によって達成可
能な除去速度に関して、ここで示される粒度特性及び砥粒に対するフュームド金
属酸化物の割合本発明の組成物における砥粒粒度の分布を有するフュームド金属
酸化物及び砥粒の組み合わせが重要であることを示している。
び１０ｗｔ％の縮重合シリカの混合物からなる固体を伴う組成物（組成物５Ｄ）
によって示される除去速度は、１００ｗｔ％のフュームドシリカ又は１００ｗｔ
％の縮重合シリカからなる固体を伴う組成物（組成物５Ａ及び５Ｅ）によって示
される除去速度よりも大きい。これらの結果は、本発明の組成物によって達成可
能な除去速度に関して、ここで示される粒度特性及び砥粒に対するフュームド金
属酸化物の割合本発明の組成物における砥粒粒度の分布を有するフュームド金属
酸化物及び砥粒の組み合わせが重要であることを示している。
【００５６】
例６
この例は、表面の平坦化又は研磨の間の表面の除去速度を最大化する場合に、
本発明の組成物の砥粒に対するフュームド金属酸化物の割合及び組み合わせ、並
びに化学促進剤の存在が重要であることを説明している。
本発明の組成物の砥粒に対するフュームド金属酸化物の割合及び組み合わせ、並
びに化学促進剤の存在が重要であることを説明している。
【００５７】
ニッケル−リンメッキメモリ又は硬質ディスクは、以下の５種類の異なる組成
物でそれぞれ研磨した。これらの組成物は、全固体含有率が４ｗｔ％で、様々な
濃度のフュームドシリカ（すなわち０ｗｔ％、１ｗｔ％、２ｗｔ％、３ｗｔ％及
び４ｗｔ％）、及び縮重合シリカ（すなわち４ｗｔ％、３ｗｔ％、２ｗｔ％、１
ｗｔ％及び０ｗｔ％）（測定メジアン粒度約２０ｎｍ、σｇ＝２．２６）、１．
５ｗｔ％の第１の化学促進剤（すなわちＨ２Ｏ２）、並びに１ｗｔ％の第２の化
学促進剤（すなわちグリシン）を含有していた。全ての組成物のｐＨが約２．５
であった。フュームドシリカは、Ｃａｂ−Ｏ−Ｓｐｅｒｓｅ（商標）ＳＣ−１フ
ュームドシリカ水性分散体（キャボット社）の形で組成物に加えた。縮重合シリ
カは、Ｂｉｎｄｚｉｌ（商標）５０／８０（Ａｋｚｏ−Ｎｏｂｅｌ）であり、こ
こでは約９０％又はそれよりも多くの粒子（数に関して）の粒度が１００ｎｍ以
下であり、約９０％又はそれよりも多くの粒子（数に関して）の粒度が５ｎｍ以
上であった。研磨組成物の使用の後で、それぞれの組成物の除去速度、及びぞれ
ぞれの組成物の相対的除去量を決定した。結果は表６に示している。
物でそれぞれ研磨した。これらの組成物は、全固体含有率が４ｗｔ％で、様々な
濃度のフュームドシリカ（すなわち０ｗｔ％、１ｗｔ％、２ｗｔ％、３ｗｔ％及
び４ｗｔ％）、及び縮重合シリカ（すなわち４ｗｔ％、３ｗｔ％、２ｗｔ％、１
ｗｔ％及び０ｗｔ％）（測定メジアン粒度約２０ｎｍ、σｇ＝２．２６）、１．
５ｗｔ％の第１の化学促進剤（すなわちＨ２Ｏ２）、並びに１ｗｔ％の第２の化
学促進剤（すなわちグリシン）を含有していた。全ての組成物のｐＨが約２．５
であった。フュームドシリカは、Ｃａｂ−Ｏ−Ｓｐｅｒｓｅ（商標）ＳＣ−１フ
ュームドシリカ水性分散体（キャボット社）の形で組成物に加えた。縮重合シリ
カは、Ｂｉｎｄｚｉｌ（商標）５０／８０（Ａｋｚｏ−Ｎｏｂｅｌ）であり、こ
こでは約９０％又はそれよりも多くの粒子（数に関して）の粒度が１００ｎｍ以
下であり、約９０％又はそれよりも多くの粒子（数に関して）の粒度が５ｎｍ以
上であった。研磨組成物の使用の後で、それぞれの組成物の除去速度、及びぞれ
ぞれの組成物の相対的除去量を決定した。結果は表６に示している。
【００５８】
【表６】
【００５９】
表６に示したデータから明らかなように、Ｈ２Ｏ２、グリシン、並びにフュー
ムドシリカ及び縮重合シリカの混合物を含む固体を伴う組成物（組成物６Ｂ、６
Ｃ及び６Ｄ）によって示される除去速度は、Ｈ２Ｏ２、グリシン、並びに４ｗｔ
％のフュームドシリカ又は４ｗｔ％の縮重合シリカからなる固体を伴う組成物（
組成物６Ａ及び６Ｅ）によって示される除去速度よりも大きい。これらの結果は
、本発明の組成物によって達成可能な除去速度に関して、砥粒及びフュームド金
属酸化物の特定の割合及び組み合わせ、並びに２又はそれよりも多くの化学促進
剤の存在が重要であることを示している。
ムドシリカ及び縮重合シリカの混合物を含む固体を伴う組成物（組成物６Ｂ、６
Ｃ及び６Ｄ）によって示される除去速度は、Ｈ２Ｏ２、グリシン、並びに４ｗｔ
％のフュームドシリカ又は４ｗｔ％の縮重合シリカからなる固体を伴う組成物（
組成物６Ａ及び６Ｅ）によって示される除去速度よりも大きい。これらの結果は
、本発明の組成物によって達成可能な除去速度に関して、砥粒及びフュームド金
属酸化物の特定の割合及び組み合わせ、並びに２又はそれよりも多くの化学促進
剤の存在が重要であることを示している。
【００６０】
例７
この例は、表面の平坦化又は研磨の間の表面の除去速度を最大化する場合に、
本発明の組成物の砥粒に対するフュームド金属酸化物の割合及び組み合わせ、並
びに化学促進剤の組み合わせの存在が重要であることを説明している。
本発明の組成物の砥粒に対するフュームド金属酸化物の割合及び組み合わせ、並
びに化学促進剤の組み合わせの存在が重要であることを説明している。
【００６１】
ニッケル−リンメッキメモリ又は硬質ディスクは、以下の５種類の異なる組成
物でそれぞれ研磨した。これらの組成物は、全固体含有率が４ｗｔ％で、様々な
濃度のフュームドシリカ（すなわち０ｗｔ％、１ｗｔ％、２ｗｔ％、３ｗｔ％及
び４ｗｔ％）、及び縮重合シリカ（すなわち４ｗｔ％、３ｗｔ％、２ｗｔ％、１
ｗｔ％及び０ｗｔ％）（測定メジアン粒度約２０ｎｍ、σｇ＝２．２６）、１．
５ｗｔ％の第１の化学促進剤（すなわちＨ２Ｏ２）、並びに１ｗｔ％の第２の化
学促進剤（すなわちトリポリリン酸ナトリウム（ＳＴＰ））を含有していた。全
ての組成物のｐＨが約２．５であった。フュームドシリカは、Ｃａｂ−Ｏ−Ｓｐ
ｅｒｓｅ（商標）ＳＣ−１フュームドシリカ水性分散体（キャボット社）の形で
組成物に加えた。縮重合シリカは、Ｂｉｎｄｚｉｌ（商標）５０／８０（Ａｋｚ
ｏ−Ｎｏｂｅｌ）であり、ここでは約９０％又はそれよりも多くの粒子（数に関
して）の粒度が１００ｎｍ以下であり、約９０％又はそれよりも多くの粒子（数
に関して）の粒度が５ｎｍ以上であった。研磨組成物の使用の後で、それぞれの
組成物の除去速度、及びぞれぞれの組成物の相対的除去量を決定した。結果は表
７に示している。
物でそれぞれ研磨した。これらの組成物は、全固体含有率が４ｗｔ％で、様々な
濃度のフュームドシリカ（すなわち０ｗｔ％、１ｗｔ％、２ｗｔ％、３ｗｔ％及
び４ｗｔ％）、及び縮重合シリカ（すなわち４ｗｔ％、３ｗｔ％、２ｗｔ％、１
ｗｔ％及び０ｗｔ％）（測定メジアン粒度約２０ｎｍ、σｇ＝２．２６）、１．
５ｗｔ％の第１の化学促進剤（すなわちＨ２Ｏ２）、並びに１ｗｔ％の第２の化
学促進剤（すなわちトリポリリン酸ナトリウム（ＳＴＰ））を含有していた。全
ての組成物のｐＨが約２．５であった。フュームドシリカは、Ｃａｂ−Ｏ−Ｓｐ
ｅｒｓｅ（商標）ＳＣ−１フュームドシリカ水性分散体（キャボット社）の形で
組成物に加えた。縮重合シリカは、Ｂｉｎｄｚｉｌ（商標）５０／８０（Ａｋｚ
ｏ−Ｎｏｂｅｌ）であり、ここでは約９０％又はそれよりも多くの粒子（数に関
して）の粒度が１００ｎｍ以下であり、約９０％又はそれよりも多くの粒子（数
に関して）の粒度が５ｎｍ以上であった。研磨組成物の使用の後で、それぞれの
組成物の除去速度、及びぞれぞれの組成物の相対的除去量を決定した。結果は表
７に示している。
【００６２】
【表７】
【００６３】
表７に示したデータから明らかなように、Ｈ２Ｏ２、ＳＴＰ、並びにフューム
ドシリカ及び縮重合シリカの混合物を含む固体を伴う組成物（組成物７Ｂ、７Ｃ
及び７Ｄ）によって示される除去速度は、Ｈ２Ｏ２、グリシン、並びに４ｗｔ％
のフュームドシリカ又は４ｗｔ％の縮重合シリカからなる固体を伴う組成物（組
成物７Ａ及び７Ｅ）によって示される除去速度よりも大きい。これらの結果は、
本発明の組成物によって達成可能な除去速度に関して、砥粒及びフュームド金属
酸化物の特定の割合及び組み合わせ、並びに２又はそれよりも多くの化学促進剤
の存在が重要であることを示している。
ドシリカ及び縮重合シリカの混合物を含む固体を伴う組成物（組成物７Ｂ、７Ｃ
及び７Ｄ）によって示される除去速度は、Ｈ２Ｏ２、グリシン、並びに４ｗｔ％
のフュームドシリカ又は４ｗｔ％の縮重合シリカからなる固体を伴う組成物（組
成物７Ａ及び７Ｅ）によって示される除去速度よりも大きい。これらの結果は、
本発明の組成物によって達成可能な除去速度に関して、砥粒及びフュームド金属
酸化物の特定の割合及び組み合わせ、並びに２又はそれよりも多くの化学促進剤
の存在が重要であることを示している。
【００６４】
特許明細書、特許出願明細書及び出版物を含む本明細書の記載において挙げら
れている全ての文献は、参照して本明細書の記載に含める。
れている全ての文献は、参照して本明細書の記載に含める。
【００６５】
好ましい態様を強調して本発明を説明してきたが、この好ましい態様の様々な
変形を使用できることが当業者に明らかであり、特に本明細書において示された
以外にも本発明を実施可能であることが意図している。従って、本発明は特許請
求の範囲で示される本発明の範囲及び本質の全ての変形を包含する。
変形を使用できることが当業者に明らかであり、特に本明細書において示された
以外にも本発明を実施可能であることが意図している。従って、本発明は特許請
求の範囲で示される本発明の範囲及び本質の全ての変形を包含する。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，
ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ
Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ
，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，
ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ
Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ
，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，
ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，
ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ
Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ
，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，
ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，Ｊ
Ｐ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ
，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，
ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，Ｒ
Ｏ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ
，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，
ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ
(72)発明者 ダークセン，ジェイムズ エー．
アメリカ合衆国，イリノイ 60543，オズ
ウェゴー，アシュレー コート 225
Ｆターム(参考） 3C047 FF08 GG15
3C058 AA07 AC04 CB01 CB03 DA17
Claims (27)
- 【請求項１】 （ａ）液体キャリア、（ｂ）化学促進剤、並びに（ｃ）約５
〜９０ｗｔ％のフュームド金属酸化物及び約１０〜９５ｗｔ％の砥粒を含む固体
を含有し、前記砥粒の約９０％又はそれよりも多く（数に関して）の粒度が１０
０ｎｍ以下である、表面を平坦化又は研磨する組成物。 - 【請求項２】 前記固体のパッキング密度が少なくとも約０．１である、請
求項１に記載の組成物。 - 【請求項３】 前記固体のパッキング密度が少なくとも約０．３である、請
求項２に記載の組成物。 - 【請求項４】 前記固体が約１０〜８５ｗｔ％のフュームド金属酸化物及び
約１５〜９０ｗｔ％の砥粒を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。 - 【請求項５】 前記固体が約１５〜７５ｗｔ％のフュームド金属酸化物及び
約２５〜８５ｗｔ％の砥粒を含む、請求項４に記載の組成物。 - 【請求項６】 前記フュームド金属酸化物がフュームドシリカである、請求
項１〜５のいずれかに記載の組成物。 - 【請求項７】 前記砥粒が縮重合金属酸化物粒子である、請求項１〜６のい
ずれかに記載の組成物。 - 【請求項８】 前記砥粒の約９５ｗｔ％又はそれよりも多く（数に関して）
の粒度が１００ｎｍ以下である、請求項１〜７のいずれかに記載の組成物。 - 【請求項９】 前記砥粒の約９８ｗｔ％又はそれよりも多く（数に関して）
の粒度が１００ｎｍ以下である、請求項８に記載の組成物。 - 【請求項１０】 前記砥粒の実質的に全て（数に関して）の粒度が１００ｎ
ｍ以下である、請求項９に記載の組成物。 - 【請求項１１】 前記砥粒の約９０ｗｔ％又はそれよりも多く（数に関して
）の粒度が５ｎｍ以上である、請求項１〜１０のいずれかに記載の組成物。 - 【請求項１２】 前記砥粒の約９５ｗｔ％又はそれよりも多く（数に関して
）の粒度が５ｎｍ以上である、請求項１１に記載の組成物。 - 【請求項１３】 前記砥粒の約９８ｗｔ％又はそれよりも多く（数に関して
）の粒度が５ｎｍ以上である、請求項１２に記載の組成物。 - 【請求項１４】 前記砥粒の実質的に全て（数に関して）の粒度が５ｎｍ以
上である、請求項１３に記載の組成物。 - 【請求項１５】 前記砥粒の粒度分布が、少なくとも約１．３の幾何標準偏
差（σｇ）の値で特徴付けられる、請求項１〜１４のいずれかに記載の組成物。 - 【請求項１６】 前記固体が、組成物の約０．１〜４０ｗｔ％の濃度で存在
している、請求項１〜１５のいずれかに記載の組成物。 - 【請求項１７】 前記キャリアが水である、請求項１〜１６のいずれかに記
載の組成物。 - 【請求項１８】 前記化学促進剤が、硫酸塩、過硫酸塩又は硝酸である、請
求項１〜１７のいずれかに記載の組成物。 - 【請求項１９】 前記化学促進剤が、過硫酸アンモニウム、硝酸鉄（ＩＩＩ
）、及び硝酸ヒドロキシルアミンからなる群より選択される、請求項１８に記載
の組成物。 - 【請求項２０】 ２種類又はそれよりも多くの化学促進剤を含有する、請求
項１〜１９のいずれかに記載の組成物。 - 【請求項２１】 酸化剤及び錯化剤を含有する、請求項２０に記載の組成物
。 - 【請求項２２】 前記錯化剤が、アミン含有化合物、リン酸イオン源、ホス
ホン酸イオン源、カルボン酸塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択さ
れる、請求項２１に記載の組成物。 - 【請求項２３】 過酸化水素及びグリシンを含有する、請求項２２に記載の
組成物。 - 【請求項２４】 請求項１〜１９のいずれかに記載の組成物を表面に接触さ
せることを含む、表面の平坦化又は研磨方法。 - 【請求項２５】 前記表面がメモリ又は硬質ディスクの表面である、請求項
２４に記載の方法。 - 【請求項２６】 前記メモリ又は硬質ディスクの表面がニッケル−リン表面
である、請求項２５に記載の方法。 - 【請求項２７】 請求項２０〜２３のいずれかに記載の組成物を表面に接触
させることを含む、表面の平坦化又は研磨方法。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005244123A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| JP2010042509A (ja) * | 2000-05-12 | 2010-02-25 | Nissan Chem Ind Ltd | 研磨用組成物 |
| JP2013157581A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-15 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| US9631121B2 (en) | 2012-05-29 | 2017-04-25 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6468137B1 (en) * | 2000-09-07 | 2002-10-22 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for polishing a memory or rigid disk with an oxidized halide-containing polishing system |
| US6953389B2 (en) * | 2001-08-09 | 2005-10-11 | Cheil Industries, Inc. | Metal CMP slurry compositions that favor mechanical removal of oxides with reduced susceptibility to micro-scratching |
| TW591089B (en) * | 2001-08-09 | 2004-06-11 | Cheil Ind Inc | Slurry composition for use in chemical mechanical polishing of metal wiring |
| WO2003020839A1 (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-13 | Showa Denko K.K. | Polishing composition |
| US6755721B2 (en) * | 2002-02-22 | 2004-06-29 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Chemical mechanical polishing of nickel phosphorous alloys |
| US20040144038A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-07-29 | Junaid Ahmed Siddiqui | Composition and associated method for oxide chemical mechanical planarization |
| US7422730B2 (en) * | 2003-04-02 | 2008-09-09 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Nanoporous ultrafine α-alumina powders and sol-gel process of preparing same |
| US7306748B2 (en) | 2003-04-25 | 2007-12-11 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Methods for machining ceramics |
| US8025808B2 (en) | 2003-04-25 | 2011-09-27 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Methods for machine ceramics |
| DK1660606T3 (da) * | 2003-07-11 | 2013-12-02 | Grace W R & Co | Slibepartikler til kemisk-mekanisk polering |
| JP4974447B2 (ja) * | 2003-11-26 | 2012-07-11 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
| JP4249008B2 (ja) * | 2003-12-25 | 2009-04-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| JP4267546B2 (ja) | 2004-04-06 | 2009-05-27 | 花王株式会社 | 基板の製造方法 |
| JP4027929B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2007-12-26 | 花王株式会社 | 半導体基板用研磨液組成物 |
| US7708904B2 (en) | 2005-09-09 | 2010-05-04 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Conductive hydrocarbon fluid |
| US8353740B2 (en) | 2005-09-09 | 2013-01-15 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Conductive hydrocarbon fluid |
| KR20070041330A (ko) * | 2005-10-14 | 2007-04-18 | 가오가부시끼가이샤 | 반도체 기판용 연마액 조성물 |
| JP5336387B2 (ja) | 2006-12-20 | 2013-11-06 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | 無機、非金属ワークピースを機械加工するための方法 |
| JP5381701B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2014-01-08 | 日立化成株式会社 | 金属用研磨液及び研磨方法 |
| WO2009046296A1 (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Polishing of sapphire with composite slurries |
| KR20100068432A (ko) * | 2007-10-05 | 2010-06-23 | 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 | 개선된 탄화규소 입자, 그 제조방법 및 그의 이용 방법 |
| US8523968B2 (en) * | 2008-12-23 | 2013-09-03 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Abrasive article with improved packing density and mechanical properties and method of making |
| US20120264303A1 (en) * | 2011-04-15 | 2012-10-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing slurry, system and method |
| MA35300B1 (fr) * | 2013-01-18 | 2014-08-01 | Univ Hassan 1Er Settat | Optimisation des phosphates pour les traitements de surface et les opérations de polissage |
| SG11201510744VA (en) * | 2013-07-05 | 2016-01-28 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Etching agent, etching method and etching agent preparation liquid |
| US20150114928A1 (en) * | 2013-10-30 | 2015-04-30 | Jia-Ni Chu | Abrasive Particles for Chemical Mechanical Polishing |
| US9551075B2 (en) * | 2014-08-04 | 2017-01-24 | Sinmat, Inc. | Chemical mechanical polishing of alumina |
| JP6723995B2 (ja) * | 2014-10-21 | 2020-07-15 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | コバルトディッシング制御剤 |
| US10253216B2 (en) | 2016-07-01 | 2019-04-09 | Versum Materials Us, Llc | Additives for barrier chemical mechanical planarization |
| WO2020017894A1 (ko) | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 주식회사 동진쎄미켐 | 화학적 기계적 연마 조성물, 화학적 기계적 연마 슬러리 및 기판의 연마 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03197575A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-08-28 | Nalco Chem Co | コロイド状シリカ研磨性スラリー |
| JPH11302633A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-02 | Toshiba Corp | 研磨剤及び半導体基板のポリッシング方法 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4057939A (en) | 1975-12-05 | 1977-11-15 | International Business Machines Corporation | Silicon wafer polishing |
| US4169337A (en) | 1978-03-30 | 1979-10-02 | Nalco Chemical Company | Process for polishing semi-conductor materials |
| US4304575A (en) | 1980-03-20 | 1981-12-08 | Nalco Chemical Company | Preparation of large particle silica sols |
| US4462188A (en) | 1982-06-21 | 1984-07-31 | Nalco Chemical Company | Silica sol compositions for polishing silicon wafers |
| US4954142A (en) | 1989-03-07 | 1990-09-04 | International Business Machines Corporation | Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor |
| US4959113C1 (en) | 1989-07-31 | 2001-03-13 | Rodel Inc | Method and composition for polishing metal surfaces |
| US5137544A (en) | 1990-04-10 | 1992-08-11 | Rockwell International Corporation | Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing |
| US5228886A (en) | 1990-10-09 | 1993-07-20 | Buehler, Ltd. | Mechanochemical polishing abrasive |
| US5264010A (en) | 1992-04-27 | 1993-11-23 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces |
| US5575837A (en) * | 1993-04-28 | 1996-11-19 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| BE1007281A3 (nl) | 1993-07-12 | 1995-05-09 | Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het polijsten van een oppervlak van koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering, magneetkop vervaardigbaar met gebruikmaking van de werkwijze, röntgenstralingcollimerend element en röntgenstralingreflecterend element, beide voorzien van een volgens de werkwijze gepolijst oppervlak en polijstmiddel geschikt voor toepassing in de werkwijze. |
| US5340370A (en) | 1993-11-03 | 1994-08-23 | Intel Corporation | Slurries for chemical mechanical polishing |
| US5605490A (en) | 1994-09-26 | 1997-02-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of polishing langasite |
| US5693239A (en) | 1995-10-10 | 1997-12-02 | Rodel, Inc. | Polishing slurries comprising two abrasive components and methods for their use |
| JP3359479B2 (ja) | 1995-11-07 | 2002-12-24 | 三井金属鉱業株式会社 | 研磨材、その製造方法及び研磨方法 |
| DE69611653T2 (de) | 1995-11-10 | 2001-05-03 | Tokuyama Corp., Tokuya | Poliersuspensionen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| JPH09190626A (ja) | 1995-11-10 | 1997-07-22 | Kao Corp | 研磨材組成物、磁気記録媒体用基板及びその製造方法並びに磁気記録媒体 |
| JP3514908B2 (ja) | 1995-11-13 | 2004-04-05 | 株式会社東芝 | 研磨剤 |
| US5958288A (en) * | 1996-11-26 | 1999-09-28 | Cabot Corporation | Composition and slurry useful for metal CMP |
| US6083419A (en) * | 1997-07-28 | 2000-07-04 | Cabot Corporation | Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching |
| US6159076A (en) * | 1998-05-28 | 2000-12-12 | Komag, Inc. | Slurry comprising a ligand or chelating agent for polishing a surface |
| US6132298A (en) | 1998-11-25 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with edge control for chemical mechanical polishing |
| JP2000160139A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-13 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| US6293848B1 (en) * | 1999-11-15 | 2001-09-25 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for planarizing surfaces |
-
2000
- 2000-07-25 US US09/625,142 patent/US6527817B1/en not_active Expired - Lifetime
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- 2000-12-01 TW TW089124166A patent/TW524836B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-01-10 US US10/340,561 patent/US6716755B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-09 HK HK03102537A patent/HK1050377A1/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03197575A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-08-28 | Nalco Chem Co | コロイド状シリカ研磨性スラリー |
| JPH11302633A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-02 | Toshiba Corp | 研磨剤及び半導体基板のポリッシング方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010042509A (ja) * | 2000-05-12 | 2010-02-25 | Nissan Chem Ind Ltd | 研磨用組成物 |
| JP2005244123A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| JP2013157581A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-15 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| US9631121B2 (en) | 2012-05-29 | 2017-04-25 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60008025D1 (de) | 2004-03-04 |
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| EP1250390A1 (en) | 2002-10-23 |
| US20030124852A1 (en) | 2003-07-03 |
| WO2001036554A1 (en) | 2001-05-25 |
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