JP2005045229A - 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 化学機械研磨用水系分散体は、砥粒である成分(A)と、キノリンカルボン酸およびピリジンカルボン酸の少なくともいずれか一方よりなる成分(B)と、キノリンカルボン酸およびピリジンカルボン酸以外の有機酸よりなる成分(C)と、酸化剤よりなる成分(D)とを含有し、成分(B)の含有量(WB)と成分(C)の含有量(WC)との質量比(WB/WC)が0.01以上かつ2未満であり、アンモニアおよびアンモニウムイオンよりなるアンモニア成分の濃度が0.005モル/リットル以下である。
【選択図】 図1
Description
更に、絶縁層を構成する絶縁膜として誘電率の小さい多孔質体を用いた場合には、化学機械研磨において、加工液としてpHの低い化学機械研磨用水系分散体を用いると十分な研磨速度が得られず、一方、pHの高い化学機械研磨用水系分散体を用いると絶縁層が過度に研磨されてしまうことがある。また、いずれの化学機械研磨用水系分散体を用いた場合においても、スクラッチの発生を抑制することが容易ではない。
に除去する手法(以下、「第2の手法」ともいう。)が提案されている。
具体的に、上記の第2の手法の第2研磨処理工程に用いる化学機械研磨用水系分散体には、化学機械研磨によって配線材料である銅とバリアメタルとを同時に除去する機能を有すると共に、絶縁層の表面を磨く機能を有することが必要とされることから、銅膜、バリアメタル膜および絶縁膜の各々を同一の条件によって化学機械研磨した場合において、バリアメタル膜の研磨速度(RBM)と銅膜の研磨速度(RCu)との研磨速度比(RBM/RCu)および絶縁膜の研磨速度(RIn)と銅膜の研磨速度(RCu)の研磨速度比(RIn/RCu)がともに1に近似する研磨特性を有する化学機械研磨用水系分散体が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
また、近年、上記の第1の手法においても、第1研磨処理工程に使用される化学機械研磨用水系分散体の研磨性能が向上し、ディッシングの発生等を抑制することができるようになってきており、ダマシン配線を形成するための手法として、第1の手法が見直されてきている。この第1の手法の第2研磨処理工程に用いる化学機械研磨用水系分散体としても、上記のような相対的にバリアメタル層に研磨速度が大きい研磨特性を有する水系分散体が求められている。
併用した化学機械研磨用水系分散体が開示されており、実施例において、その他の有機酸として、シュウ酸またはマロン酸を用い、キノリンカルボン酸の含有量(WB)とその他の有機酸の含有量(WC)との質量比(WB/WC)が1.25〜5である化学機械研磨用水系分散体が具体的に開示されている。しかしながら、特許文献3の発明は、配線材料、特に銅膜の研磨速度を向上させることを目的としており、該公報には、研磨速度比(RBM/RCu)および研磨速度比(RIn/RCu)については何ら記載されておらず、2段階研磨についても示唆されていない。
成分(B)の含有量(WB)と成分(C)の含有量(WC)との質量比(WB/WC)が0.01以上かつ2未満であり、
アンモニアおよびアンモニウムイオンよりなるアンモニア成分の濃度が0.005モル/リットル以下であることを特徴としている。
銅膜およびバリアメタル膜の各々を同一条件において化学機械研磨した場合に、銅膜の研磨速度(RCu)とバリアメタル膜の研磨速度(RBM)との研磨速度比(RCu/RBM)が5
0以上である化学機械研磨用水系分散体を用いて、前記研磨対象体の銅膜の除去すべき部分をバリアメタル膜が露出するまで化学機械研磨して除去する第1研磨処理工程と、
この第1研磨処理工程において化学機械研磨が施された被研磨面に対して、
銅膜、バリアメタル膜および絶縁膜の各々を同一条件において化学機械研磨した場合に、バリアメタル膜の研磨速度(RBM)と銅膜の研磨速度(RCu)との研磨速度比(RBM/RCu)が1.2以上であり、かつ、絶縁膜の研磨速度(RIn)と銅膜の研磨速度(RCu)との研磨速度比(RIn/RCu)が0.5〜2である化学機械研磨用水系分散体を用いて、前記研磨対象体のバリアメタル膜の除去すべき部分を化学機械研磨により除去する第2研磨処理工程とを有し、
第2研磨処理工程に用いられる前記化学機械研磨用水系分散体が、砥粒である成分(A)と、キノリンカルボン酸およびピリジンカルボン酸の少なくともいずれか一方よりなる成分(B)と、キノリンカルボン酸およびピリジンカルボン酸以外の有機酸よりなる成分(C)と、酸化剤よりなる成分(D)とを含有し、
成分(B)の含有量(WB)と成分(C)の含有量(WC)との質量比(WB/WC)が0.01以上で2未満であることを特徴としている。
第2研磨処理工程に用いられる前記化学機械研磨用水系分散体に含まれる成分(D)を構成する酸化剤(D)の濃度は0.001〜2質量%であることが好ましく、成分(D)を構成する酸化剤は過酸化水素からなることが好ましい。
2種類の化学機械研磨用水系分散体(I)と(II)との組み合わせからなる化学機械研磨用キットであって、
化学機械研磨用水系分散体(I)と化学機械研磨用水系分散体(II)とは混合状態になく、
前記化学機械研磨用水系分散体(I)は、砥粒と有機酸と酸化剤とを含有する水系分散体であり、かつ該水系分散体にはアンモニアおよびアンモニウムイオンからなる群から選択される少なくとも1種のアンモニア成分が含まれ、銅膜およびバリアメタル膜の各々を同一条件において化学機械研磨した場合に、銅膜の研磨速度(RCu)とバリアメタル膜の研磨速度(RBM)との研磨速度比(RCu/RBM)が50以上であり、
前記化学機械研磨用水系分散体(II)は、砥粒である成分(A)と、キノリンカルボン酸およびピリジンカルボン酸の少なくともいずれか一方よりなる成分(B)と、キノリンカルボン酸およびピリジンカルボン酸以外の有機酸よりなる成分(C)と、酸化剤よりなる成分(D)とを含有し、成分(B)の含有量(WB)と成分(C)の含有量(WC)との質量比(WB/WC)が0.01以上で2未満であって、
銅膜、バリアメタル膜および絶縁膜の各々を同一条件において化学機械研磨した場合に、バリアメタル膜の研磨速度(RBM)と銅膜の研磨速度(RCu)との研磨速度比(RBM/RCu)が1.2以上であり、かつ、絶縁膜の研磨速度(RIn)と銅膜の研磨速度(RCu)との研磨速度比(RIn/RCu)が0.5〜2であることを特徴としている。
また、成分(C)を構成する有機酸は炭素数4以上の有機酸であることが好ましい。
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体(以下、「研磨用水系分散体」ともいう。)は、化学機械研磨処理に用いられる加工液であって、砥粒である成分(A)と、キノリンカルボン酸およびピリジンカルボン酸の少なくともいずれか一方よりなる成分(B)と、キノリンカルボン酸およびピリジンカルボン酸以外の有機酸よりなる成分(C)と、酸化剤よりなる成分(D)とを含有する。
「バリアメタル膜」は、タンタル、チタンなどの金属よりなる膜、およびこれらの金属の窒化物や酸化物よりなる膜を含む。バリアメタル膜を構成する金属は、純タンタル、純チタンなどの純金属に限定されず、例えば、タンタル−ニオブなどの合金も含む。バリア
メタル膜を構成する金属窒化物としては、例えば、窒化タンタル、窒化チタンが挙げられるが、これらは純金属窒化物に限定されない。
「絶縁膜」としては、酸化シリコン(SiO2)膜、酸化シリコン膜中に少量のホウ素
およびリンを添加したホウ素リンシリケート膜(BPSG膜)、酸化シリコン膜中にフッ素をドープしたFSG(Fluorine doped silicate glass)と称される膜(以下、「FS
G膜」ともいう。)、低誘電率膜などが挙げられる。
膜)、HDP膜(High Density Plasma Enhanced-TEOS膜)、熱CVD法により得られる膜(以下、「熱CVD法膜」ともいう。)などが挙げられる。
PETEOS膜は、原料としてテトラエチルオルトシリケート(TEOS)を使用し、促進条件としてプラズマを利用した化学気相成長によって成膜することができる。
熱CVD法膜は、常圧CVD法(AP−CVD法)または減圧CVD法(LP−CVD法)により形成することができる。
FSG膜は、促進条件として高密度プラズマを利用した化学気相成長によって成膜することができる。
チルトリメトキシシランを原料とするMSQ膜(Methyl Silsesquioxane膜)が挙げられ
る。このような酸化シリコン系の低誘電率膜は、原料を、例えば、回転塗布法によって基体上に塗布することによって得られた塗膜を酸化性雰囲気下で加熱することによって形成することができる。
転数は、通常30〜120rpm、好ましくは40〜100rpmの範囲内にある一定値とする。ヘッド回転数は、通常30〜120rpm、好ましくは40〜100rpmの範囲内にある一定値とする。定盤回転数/ヘッド回転数は、通常0.5〜2、好ましくは0.7〜1.5の範囲内にある一定値とする。研磨圧力は、通常100〜500g/cm2
、好ましくは200〜350g/cm2の範囲内にある一定値とする。研磨用水系分散体
の供給速度は、通常50〜300ml/分、好ましくは100〜200ml/分の範囲内にある一定値とする。
本発明に係る研磨用水系分散体は、水系媒体中に、砥粒である成分(A)と、キノリンカルボン酸およびピリジンカルボン酸の少なくともいずれか一方よりなる成分(B)と、キノリンカルボン酸およびピリジンカルボン酸以外の有機酸よりなる成分(C)と、酸化剤よりなる成分(D)とを含有し、成分(B)の含有量(WB)と、成分(C)の含有量(WC)との質量比(WB/WC)が0.01以上かつ2未満であり、アンモニアおよびアンモニウムイオンよりなるアンモニア成分の濃度が0.005モル/リットル以下である水系分散体(以下、「特定水系分散体」ともいう。)が挙げられる。
砥粒として用いられる無機粒子、有機粒子および複合粒子は、その形状が球状であることが好ましい。砥粒として球状の粒子を用いることにより、十分な研磨速度が得られると
共に、スクラッチなどの発生を抑制することができる。ここで、「球状」とは、必ずしも真球に近い形状である必要はなく、鋭角部分を有さない略球形も含む。
ルベンゼン、エチレングリコールジメタクリレートなどの2個以上の重合性不飽和基を有する単量体とを共重合させて得られる、架橋構造を有する樹脂よりなる粒子を用いることもできる。
特定水系分散体中において、有機粒子は、そのほとんどが単独の粒子として存在していると信じられている。有機粒子の平均粒子径は、10〜5,000nmであることが好ましく、更に15〜3,000nmであることが好ましく、特に20〜1,000nmであることが好ましい。有機粒子の平均粒子径が上記範囲内にあると、大きな研磨速度が得られ、ディッシング、エロージョンなどの発生が十分に抑制され、かつ高い安定性を有する特定水系分散体を得ることができる。
無機有機複合粒子からなる複合粒子は、上記例示したような有機粒子と無機粒子とが化学機械研磨処理中に容易に分離しない程度に一体的に結合された粒子である。ここで用いられる有機粒子および無機粒子の種類は特に限定されるものではなく、また、複合粒子の具体的な構成も特に限定されるものではない。
物質を重合体粒子の表面上に生成させることにより得ることができる。
以上の状態(1)〜(3)の各々において、無機粒子は、一次粒子および二次粒子のいずれの状態であってもよく、両者が混在していてもよい。
キノリンカルボン酸としては、無置換のキノリンカルボン酸;キノリンカルボン酸のカルボキシル基以外の部位において、一個または複数個の水素原子を、水酸基、ハロゲン原子等で置換した置換キノリンカルボン酸が挙げられる。
上記その他の有機酸としては、モノカルボン酸などの一塩基酸、ジカルボン酸などの二塩基酸、ヒドロキシル酸およびカルボキシレート酸のように広範な種類の有機酸を用いることができ、例えば、飽和酸、不飽和酸、芳香族酸などを挙げることができる。
芳香族酸としては、安息香酸、フタル酸などが挙げられる。
これらのうち、高精度に平坦な研磨面が得られるという点で、炭素数4以上の有機酸が好ましく、炭素数4以上のカルボン酸がより好ましく、炭素数4以上の脂肪族カルボン酸がさらに好ましく、分子量105以上かつ炭素数4以上の脂肪族カルボン酸が特に好ましい。さらに、分子量105以上かつ炭素数4以上の脂肪族カルボン酸のうち、1分子中にカルボキシル基を2個以上有するカルボン酸がより好ましく、ジカルボン酸が特に好ましく、不飽和ジカルボン酸が最も好ましい。
成分(C)の含有量は、特定水系分散体全体に対して、好ましくは0.01〜10質量%であり、さらに好ましくは0.05〜5質量%であり、特に好ましくは0.1〜3質量%である。成分(C)の含有量が上記下限未満であると、十分なバリアメタル膜の研磨速度が得られないおそれがある。一方、成分(C)の含有量が上記上限を超えると、被研磨面を腐食するおそれがある。
ましく、0.05〜0.75であることが特に好ましく、0.10を超えて0.75以下であることが特に好ましい。
無機酸としては、硝酸、硫酸などが挙げられる。
有機過酸化物としては、過酢酸、過安息香酸、tert−ブチルハイドロパーオキサイドなどが挙げられる。
成分(D)の含有量は、特定水系分散体全体に対して、好ましくは0.001〜2質量%であり、さらに好ましくは0.01〜0.75質量%であり、特に好ましくは0.05〜0.5質量%である。成分(D)の含有量が上記下限未満であると、十分な研磨速度が得られないおそれがある。一方、成分(D)の含有量が上記上限を超えると、被研磨面を腐食するおそれがある。
多価金属イオンの含有量は、特定水系分散体に対して、3,000ppm以下であることが好ましく、特に10〜2,000ppmであることが好ましい。
本発明に係る化学機械研磨方法は、銅膜およびバリアメタル膜の各々を同一条件において化学機械研磨した場合に、銅膜の研磨速度(RCu)とバリアメタル膜の研磨速度(RBM)との研磨速度比(RCu/RBM)が50以上の研磨特性を有する化学機械研磨用水系分散体(以下、「第1研磨用水系分散体」ともいう。)を用いて被研磨面に対して化学機械研磨を行う第1研磨処理工程と、この第1研磨処理工程において化学機械研磨が施された被研磨面に対して、本発明に係る化学機械研磨用水系分散体(特定水系分散体)を用いて化学機械研磨を行う第2研磨処理工程とを有する。
更に、複数の研磨パッドを備える研磨装置を使用する場合には、第1研磨処理と第2研磨処理とを、異なる研磨パッドを用いて、連続的に実施してもよい。
本発明に係る化学機械研磨方法に供される研磨対象体としては、例えば、図1(a)に示すような構造を有する複合基板素材1を挙げることができる。この複合基板素材1は、例えば、シリコン等よりなる基板11と、この基板11の表面に積層され、溝等の配線用凹部が形成された、PETEOS膜(テトラエトキシシランを用いてCVD法により形成された膜)等よりなる絶縁膜12と、絶縁膜12の表面ならびに配線用凹部の底部および内壁面を覆うよう設けられたタンタルや窒化タンタル等よりなるバリアメタル膜13と、上記配線用凹部を充填し、かつバリアメタル膜13上に形成された銅等の金属配線材料よりなる金属膜14とを有する。
酸化剤の含有量は、第1研磨用水系分散体全体に対して、通常0.01〜10質量%であり、好ましくは0.02〜5質量%である。
界面活性剤としては、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、両性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、水溶性ポリマー等が挙げられ、特にアニオン性界面活性剤、非
イオン性界面活性剤または水溶性ポリマーが好ましく用いられる。
ッド回転数は、通常0.5〜2、好ましくは0.7〜1.5を適用し、研磨圧力は、通常100〜500g/cm2、好ましくは200〜350g/cm2を適用し、研磨用水系分散体供給速度は、通常50〜300ml/分、好ましくは100〜200ml/分を適用することができる。
本発明に係る化学機械研磨用キットは、上述の第1研磨用水系分散体である化学機械研磨用水系分散体(I)と、本発明に係る特定水系分散体である化学機械研磨用水系分散体(II)との組み合わせからなり、化学機械研磨用水系分散体(I)と(II)は混合状態にない。このような化学機械研磨用キットは、本発明に係る化学機械研磨方法に好適に使用できる。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、この実施例により何ら限定されるものではない。
(1)ヒュームドシリカ粒子を含む水系分散体の調製
〔無機粒子分散体の調製例1〕
超音波分散機を用い、ヒュームドシリカ粒子(日本アエロジル(株)製、商品名「アエロジル#90」、平均一次粒子径20nm)2kgを、イオン交換水6.7kg中に分散させることによって分散体を得た。これを孔径5μmのフィルターによって濾過することにより、ヒュームドシリカ粒子を無機粒子として含有する無機粒子分散体(1)を調製した。
〔無機粒子分散体の調製例2〕
ヒュームドシリカ粒子(日本アエロジル(株)製、商品名「アエロジル#90」)の代わりに、ヒュームドシリカ粒子(日本アエロジル(株)製、商品名「アエロジル#200」、平均一次粒子径7nm)2kgを用いた以外は、無機粒子分散体の調製例1と同様にして、ヒュームド法シリカ粒子を無機粒子として含有する無機粒子分散体(2)を調製した。
(2)コロイダルシリカ粒子を含む水系分散体の調製
〔無機粒子分散体の調製例3〕
濃度25質量%のアンモニア水70質量部と、イオン交換水40質量部と、エタノール170質量部と、テトラエトキシシラン20質量部とを、フラスコに仕込み、これを回転速度180rpmで攪拌しながら60℃に昇温した。温度を60℃に維持しながら攪拌を2時間継続した後、冷却することにより、コロイダルシリカ粒子を含むアルコール分散体を得た。
〔無機粒子分散体の調製例4〕
無機粒子分散体の調製例3において、エタノールの使用量を170質量部から175質量部に変更し、テトラエトキシシランの使用量を20質量部から25質量部に変更した以外は、無機粒子分散体の調製例3と同様にして、固形分濃度が20質量%であって水系分散体中にコロイダルシリカ粒子が無機粒子として分散した無機粒子分散体(4)を調製した。
〔無機粒子分散体の調製例5〕
無機粒子分散体の調製例3において、エタノールの使用量を170質量部から190質量部に変更し、テトラエトキシシランの使用量を20質量部から35質量部に変更した以外は、無機粒子分散体の調製例3と同様にして、固形分濃度が20質量%であって水系分散体中にコロイダルシリカ粒子が無機粒子として分散した無機粒子分散体(5)を調製した。
<複合粒子を含む水系分散体の調製>
(1)無機有機複合粒子分散体を含む水系分散体の調製
〔無機有機複合粒子分散体の調製例1〕
(有機粒子分散体の調製)
メチルメタクリレ−ト90質量部と、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート(新中村化学工業(株)製、商品名「NKエステルM−90G」、#400)5質量部と
、4−ビニルピリジン5質量部と、アゾ系重合開始剤(和光純薬工業(株)製、商品名「V50」)2質量部と、イオン交換水400質量部とを、フラスコに仕込み、これを窒素ガス雰囲気下で攪拌しながら70℃に昇温した。この温度で6時間かけて重合し、アミノ基の陽イオンおよびポリエチレングリコール鎖を有する官能基を備え、平均粒子径150nmのポリメチルメタクリレート系粒子を含む水系分散体を得た。重合収率は95%であった。
(無機粒子分散体の調製)
コロイダルシリカ粒子(日産化学(株)製、商品名「スノーテックスO」、平均一次粒子径12nm)を水中に分散させ、これに水酸化カリウム水溶液を添加してpHを調整することにより、無機粒子としてコロイダルシリカ粒子を10質量%含むpHが8の無機粒子分散体(6)を得た。
(無機有機複合粒子分散体の調製)
上記有機粒子分散体(1)100質量部に、攪拌しながら上記無機粒子分散体(6)50質量部を2時間かけて徐々に添加し、更に2時間攪拌することにより、ポリメチルメタクリレート系粒子にシリカ粒子が付着した粒子を含む水系分散体を得た。
<第1研磨処理工程に用いる研磨用水系分散体の調製>
〔第1研磨用水系分散体の調製例1〕
超音波分散機を用い、ヒュームドシリカ粒子(日本アエロジル(株)製、商品名「アエロジル#90」、一次粒子径20nm、二次粒子径220nm)2kgを、イオン交換水6.7kg中に分散させることによって分散液を得た。これを孔径5μmのフィルターによって濾過することにより、ヒュームドシリカ粒子を含有する水系分散体を調製した。
化学機械研磨装置((株)荏原製作所製、型式「EPO112」)に、下記の研磨速度測定用加工膜が設けられた研磨性能テスト用基板の各々を装着し、多孔質ポリウレタン製研磨パッド(ロデール・ニッタ社製、品番「IC1000」)を用いて、上記第1研磨用水系分散体を供給しながら、下記研磨条件にて1分間研磨処理を行い、下記の手法によって研磨速度を算出した。
・8インチ熱酸化膜付きシリコン基板上に膜厚15,000Åの銅膜が設けられたもの。・8インチ熱酸化膜付きシリコン基板上に膜厚2,000Åのタンタル膜が設けられたもの。
・8インチ熱酸化膜付きシリコン基板上に膜厚2,000Åの窒化タンタル膜が設けられたもの。
・ヘッド回転数:70rpm
・ヘッド荷重:250g/cm2
・テーブル回転数:70rpm
・化学機械研磨用水系分散体の供給量:200ml/min
(研磨速度の算出)
電気伝導式膜厚測定器(ケーエルエー・テンコール(株)製、形式「オムニマップRS75」)を用いて、研磨処理後の膜厚を測定し、研磨されて減少した膜厚と研磨時間とから研磨速度を算出した。
・銅膜の研磨速度(RCu):5200Å/min
・タンタル膜の研磨速度(RBM):30Å/min
・窒化タンタル膜の研磨速度(RBM):40Å/min
・銅膜の研磨速度/タンタル膜の研磨速度(RCu/RBM):173
・銅膜の研磨速度/窒化タンタル膜の研磨速度(RCu/RBM):130
<2段階研磨処理に供する研磨対象体の作製>
〔研磨対象基板の作製例1〕
シリコンからなる基板表面に、PETEOS膜(絶縁膜)を積層し、その表面にフォトリソグラフィーにより深さ1μm、幅100μmの溝部を有するパターンを形成した。次いで、絶縁膜の表面に、厚さ300Åのタンタル膜よりなるバリアメタル膜をスパッタリングにより形成した。その後、底部および内壁面をタンタル膜で覆われた溝内に銅を充填するために、厚さ1.3μm(13000Å)の銅膜をスパッタリングおよびめっきにより堆積し、基板表面に、PETEOS膜とタンタル膜と銅膜がこの順に積層され、かつ溝部に銅が充填された研磨対象基板(1)を作製した。
研磨対象基板の作製例1において、タンタル膜に代わりに窒化タンタル膜を形成した以外は、研磨対象基板の作製例1と同様にして、基板表面にPETEOS膜と窒化タンタル膜と銅膜とがこの順に積層され、かつ溝部に銅が充填された研磨対象基板(2)を作製した。
<第2研磨処理工程に用いる特定水系分散体の調製>
〔特定水系分散体の調製例1〕
ポリエチレン製の瓶に、固形分換算で5質量部相当量の無機粒子分散体(3)を仕込むし、これに、マレイン酸0.3質量部と、キナルジン酸0.5質量部と、過酸化水素0.
3質量部とを順次配合し、15分間攪拌した。次いで、水酸化カリウムによりpHを10.5に調整し、全構成成分の合計量が100質量部となるようにイオン交換水を加えた後、孔径5μmのフィルターで濾過することにより、pHが10.5の特定水系分散体(1)を得た。
化学機械研磨装置((株)荏原製作所製、型式「EPO112」)に、下記の研磨速度測定用加工膜が設けられた研磨性能テスト用基板の各々を装着し、多孔質ポリウレタン製研磨パッド(ロデール・ニッタ社製、品番「IC1000」)を用いて、上記特定水系分散体(1)を供給しながら、下記研磨条件にて1分間研磨処理を行い、下記の手法によって研磨速度を算出した。結果を表1に示す。
・8インチ熱酸化膜付きシリコン基板上に膜厚15,000Åの銅膜が設けられたもの。・8インチ熱酸化膜付きシリコン基板上に膜厚2,000Åのタンタル膜が設けられたもの。
・8インチ熱酸化膜付きシリコン基板上に膜厚2,000Åの窒化タンタル膜が設けられたもの。
・8インチPETEOS膜(膜厚10,000Å)付きシリコン基板。
(研磨条件)
・ヘッド回転数:70rpm
・ヘッド荷重:250g/cm2
・テーブル回転数:70rpm
・化学機械研磨用水系分散体の供給量:200ml/min
(研磨速度の算出)
銅膜、タンタル膜および窒化タンタル膜については、電気伝導式膜厚測定器(ケーエルエー・テンコール(株)製、形式「オムニマップRS75」)を用いて、研磨処理後の膜厚を測定し、研磨されて減少した膜厚と研磨時間とから研磨速度を算出した。
(1)第1研磨処理工程
化学機械研磨装置((株)荏原製作所製、型式「EPO112」)に、研磨対象基板(1)および研磨対象基板(2)の各々を装着し、多孔質ポリウレタン製研磨パッド(ロデール・ニッタ社製、品番「IC1000」)を用いて、上記第1研磨用水系分散体を供給しながら、被研磨面に対して、下記研磨条件にて3.25分間研磨処理を行った。
(研磨条件)
・ヘッド回転数:70rpm
・ヘッド荷重:250g/cm2
・テーブル回転数:70rpm
・化学機械研磨用水系分散体の供給量:200ml/min
なお、第1研磨処理工程における研磨時間は、下記の式により算出した。
ここで、T1は銅層の厚さを示し、RCuは銅膜の研磨速度を示す。本実施例では、T1=13000Å、RCu=5200Å/minである。
上記第1研磨処理工程終了後、供給する加工液を、第1研磨用水系分散体から特定水系分散体(1)に切り替えて、第1研磨処理工程に引き続き、下記式により算出される研磨時間で研磨処理を行った。
ここで、T2はバリアメタル層の厚さを示し、RBMはバリアメタル膜の研磨速度を示し
、Dは第1研磨処理工程において被研磨面における幅100μmの銅配線部分に生じたディッシングの大きさを示し、RInは絶縁膜の研磨速度を示す。本実施例では、T2=30
0Å、D=500Åである。
[実施例2〜8および比較例1]
成分(A)〜(D)を表1および表2に示した成分に変更した以外は、実施例1の特定水系分散体の調製例1と同様にして、各々、特定水系分散体(2)〜(8)および(c1)を調製した。得た特定水系分散体(2)〜(8)および(c1)の各々のpHを表1および表2に示す。
11 基板(例えば、シリコン製)
12 絶縁膜(例えば、PETEOS製)
13 バリアメタル膜
14 金属膜
21 絶縁膜(例えば、シリコン酸化物製)
22 絶縁膜(例えば、シリコン窒化物製)
Claims (20)
- 砥粒である成分(A)と、キノリンカルボン酸およびピリジンカルボン酸の少なくともいずれか一方よりなる成分(B)と、キノリンカルボン酸およびピリジンカルボン酸以外の有機酸よりなる成分(C)と、酸化剤よりなる成分(D)とを含有し、
成分(B)の含有量(WB)と成分(C)の含有量(WC)との質量比(WB/WC)が0.01以上かつ2未満であり、
アンモニアおよびアンモニウムイオンよりなるアンモニア成分の濃度が0.005モル/リットル以下であることを特徴とする化学機械研磨用水系分散体。 - 銅膜、バリアメタル膜および絶縁膜の各々を同一条件において化学機械研磨した場合に、バリアメタル膜の研磨速度(RBM)と銅膜の研磨速度(RCu)との研磨速度比(RBM/RCu)が1.2以上であり、かつ、絶縁膜の研磨速度(RIn)と銅膜の研磨速度(RCu)との研磨速度比(RIn/RCu)が0.5〜2であることを特徴とする請求項1に記載の化学機械研磨用水系分散体。
- 成分(C)を構成する有機酸が炭素数4以上の有機酸であることを特徴とする請求項1に記載の化学機械研磨用水系分散体。
- 成分(D)を構成する酸化剤が過酸化水素からなることを特徴とする請求項1に記載の化学機械研磨用水系分散体。
- pHが8〜13であることを特徴とする請求項1に記載の化学機械研磨用水系分散体。
- 基板表面上に、少なくとも、溝部を有する絶縁膜とバリアメタル膜と銅膜がこの順で積層された研磨対象体を、2段階研磨処理により化学機械研磨する方法であって、
銅膜およびバリアメタル膜の各々を同一条件において化学機械研磨した場合に、銅膜の研磨速度(RCu)とバリアメタル膜の研磨速度(RBM)との研磨速度比(RCu/RBM)が50以上である化学機械研磨用水系分散体を用いて、前記研磨対象体の銅膜の除去すべき部分をバリアメタル膜が露出するまで化学機械研磨して除去する第1研磨処理工程と、
この第1研磨処理工程において化学機械研磨が施された被研磨面に対して、
銅膜、バリアメタル膜および絶縁膜の各々を同一条件において化学機械研磨した場合に、バリアメタル膜の研磨速度(RBM)と銅膜の研磨速度(RCu)との研磨速度比(RBM/RCu)が1.2以上であり、かつ、絶縁膜の研磨速度(RIn)と銅膜の研磨速度(RCu)との研磨速度比(RIn/RCu)が0.5〜2である化学機械研磨用水系分散体を用いて、前記研磨対象体のバリアメタル膜の除去すべき部分を化学機械研磨により除去する第2研磨処理工程とを有し、
第2研磨処理工程に用いられる前記化学機械研磨用水系分散体が、砥粒である成分(A)と、キノリンカルボン酸およびピリジンカルボン酸の少なくともいずれか一方よりなる成分(B)と、キノリンカルボン酸およびピリジンカルボン酸以外の有機酸よりなる成分(C)と、酸化剤よりなる成分(D)とを含有し、
成分(B)の含有量(WB)と成分(C)の含有量(WC)との質量比(WB/WC)が0.01以上で2未満であることを特徴とする化学機械研磨方法。 - 第2研磨処理工程に用いられる前記化学機械研磨用水系分散体中のアンモニアおよびアンモニウムイオンよりなるアンモニア成分の濃度が0.005モル/リットル以下であることを特徴とする請求項6に記載の化学機械研磨方法。
- 成分(C)を構成する有機酸が炭素数4以上の有機酸であることを特徴とする請求項6に記載の化学機械研磨方法。
- 第2研磨処理工程に用いられる前記化学機械研磨用水系分散体に含まれる成分(D)を構成する酸化剤(D)の濃度が0.001〜2質量%であることを特徴とする請求項6に記載の化学機械研磨方法。
- 成分(D)を構成する酸化剤が過酸化水素からなることを特徴とする請求項6に記載の化学機械研磨方法。
- 第2研磨処理工程に用いられる前記化学機械研磨用水系分散体には、該水系分散体100質量部に対して、成分(A)を構成する砥粒が1質量部を超えて10質量部以下の量で含まれることを特徴とする請求項6に記載の化学機械研磨方法。
- 第1研磨処理工程に用いられる前記化学機械研磨用水系分散体が砥粒と有機酸と酸化剤とを含有する水系分散体であり、かつ該水系分散体にはアンモニアおよびアンモニウムイオンからなる群から選択される少なくとも1種のアンモニア成分が含まれることを特徴とする請求項6に記載の化学機械研磨方法。
- 第1研磨処理工程に用いられる前記化学機械研磨用水系分散体に含まれる酸化剤が過硫酸アンモニウムからなることを特徴とする請求項12に記載の化学機械研磨方法。
- 2種類の化学機械研磨用水系分散体(I)と(II)との組み合わせからなる化学機械研磨用キットであって、
化学機械研磨用水系分散体(I)と化学機械研磨用水系分散体(II)とは混合状態になく、
前記化学機械研磨用水系分散体(I)は、砥粒と有機酸と酸化剤とを含有する水系分散体であり、かつ該水系分散体にはアンモニアおよびアンモニウムイオンからなる群から選択される少なくとも1種のアンモニア成分が含まれ、銅膜およびバリアメタル膜の各々を同一条件において化学機械研磨した場合に、銅膜の研磨速度(RCu)とバリアメタル膜の研磨速度(RBM)との研磨速度比(RCu/RBM)が50以上であり、
前記化学機械研磨用水系分散体(II)は、砥粒である成分(A)と、キノリンカルボン酸およびピリジンカルボン酸の少なくともいずれか一方よりなる成分(B)と、キノリンカルボン酸およびピリジンカルボン酸以外の有機酸よりなる成分(C)と、酸化剤よりなる成分(D)とを含有し、成分(B)の含有量(WB)と成分(C)の含有量(WC)との質量比(WB/WC)が0.01以上で2未満であって、
銅膜、バリアメタル膜および絶縁膜の各々を同一条件において化学機械研磨した場合に、バリアメタル膜の研磨速度(RBM)と銅膜の研磨速度(RCu)との研磨速度比(RBM/RCu)が1.2以上であり、かつ、絶縁膜の研磨速度(RIn)と銅膜の研磨速度(RCu)との研磨速度比(RIn/RCu)が0.5〜2であることを特徴とする化学機械研磨用キット。 - 前記化学機械研磨用水系分散体(II)中のアンモニアおよびアンモニウムイオンよりなるアンモニア成分の濃度が0.005モル/リットル以下であることを特徴とする請求項14に記載の化学機械研磨用キット。
- 成分(C)を構成する有機酸が炭素数4以上の有機酸であることを特徴とする請求項14に記載の化学機械研磨用キット。
- 前記化学機械研磨用水系分散体(II)に含まれる成分(D)を構成する酸化剤(D)の濃度が0.001〜2質量%であることを特徴とする請求項14に記載の化学機械研磨用キット。
- 成分(D)を構成する酸化剤が過酸化水素からなることを特徴とする請求項14に記載の化学機械研磨用キット。
- 前記化学機械研磨用水系分散体(II)には、該水系分散体(II)100質量部に対して、成分(A)を構成する砥粒が1質量部を超えて10質量部以下の量で含まれることを特徴とする請求項14に記載の化学機械研磨用キット。
- 前記化学機械研磨用水系分散体(I)に含まれる酸化剤が過硫酸アンモニウムからなることを特徴とする請求項14に記載の化学機械研磨用キット。
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