JP2006287207A - 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット - Google Patents
化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006287207A JP2006287207A JP2006048946A JP2006048946A JP2006287207A JP 2006287207 A JP2006287207 A JP 2006287207A JP 2006048946 A JP2006048946 A JP 2006048946A JP 2006048946 A JP2006048946 A JP 2006048946A JP 2006287207 A JP2006287207 A JP 2006287207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aqueous dispersion
- mechanical polishing
- chemical mechanical
- polishing
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 434
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 188
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 39
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 273
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 126
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 79
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 53
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 41
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 39
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical group OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 28
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 claims description 23
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 claims description 17
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 claims description 17
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 17
- LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N quinaldic acid Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C(=O)O)=CC=C21 LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- GJAWHXHKYYXBSV-UHFFFAOYSA-N quinolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1C(O)=O GJAWHXHKYYXBSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims description 13
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 9
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 6
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 6
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 6
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 5
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 5
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 abstract description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 122
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 43
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 42
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 29
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 22
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 16
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 16
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 15
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 8
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 8
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 7
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 6
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 6
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 5
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 5
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 4
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 4
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000012789 electroconductive film Substances 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 1-Hydroxybenzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N(O)N=NC2=C1 ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 2
- MXJIHEXYGRXHGP-UHFFFAOYSA-N benzotriazol-1-ylmethanol Chemical compound C1=CC=C2N(CO)N=NC2=C1 MXJIHEXYGRXHGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 2
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 2
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert‐butyl hydroperoxide Chemical compound CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920002818 (Hydroxyethyl)methacrylate Polymers 0.000 description 1
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHEODZYQZLRPTF-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-1-yl)ethanol Chemical compound C1=CC=C2N(CCO)N=NC2=C1 VHEODZYQZLRPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 3-(5-amino-1h-indol-3-yl)-2-azaniumylpropanoate Chemical compound C1=C(N)C=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIXTJQLKOLKTQ-UHFFFAOYSA-N 3-(benzotriazol-1-yl)propane-1,2-diol Chemical compound C1=CC=C2N(CC(O)CO)N=NC2=C1 WVIXTJQLKOLKTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFDVPJUYSDEJTH-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=NC=C1 KFDVPJUYSDEJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007869 azo polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000366 colloid method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- LVPMIMZXDYBCDF-UHFFFAOYSA-N isocinchomeronic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)N=C1 LVPMIMZXDYBCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- QGLKNQRTHJUNFJ-UHFFFAOYSA-N n-(benzotriazol-1-ylmethyl)-2-ethylhexan-1-amine Chemical compound C1=CC=C2N(CNCC(CC)CCCC)N=NC2=C1 QGLKNQRTHJUNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011242 organic-inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920005614 potassium polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- HSJXWMZKBLUOLQ-UHFFFAOYSA-M potassium;2-dodecylbenzenesulfonate Chemical compound [K+].CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S([O-])(=O)=O HSJXWMZKBLUOLQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- NIPZZXUFJPQHNH-UHFFFAOYSA-N pyrazine-2-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CN=CC=N1 NIPZZXUFJPQHNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】化学機械研磨用水系分散体は、(A)砥粒、(B)有機酸、(C)ベンゾトリアゾールまたはその誘導体、(D)ポリ(メタ)アクリル酸塩、(E)酸化剤、および(F)水を含み、前記(A)砥粒の配合量が2〜10質量%である。
【選択図】なし
Description
(A)砥粒、(B)有機酸、(C)ベンゾトリアゾールまたはその誘導体、(D)ポリ(メタ)アクリル酸塩、(E)酸化剤、および(F)水を含み、前記(A)砥粒の配合量が2〜10質量%である。
上記化学機械研磨用水系分散体において、前記無機粒子がシリカであることができる。
液(I)および液(II)を混合して、上記化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットであって、
前記液(I)は、(A)砥粒、(B)有機酸、(C)ベンゾトリアゾールまたはその誘導体、(D)ポリ(メタ)アクリル酸塩、および(F)水を含み、該(A)砥粒の配合量が2〜10質量%である水系分散体であり、
前記液(II)は、(E)酸化剤および(F)水を含む。
液(I)および液(II)を混合して、上記化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットであって、
前記液(I)は、(A)砥粒および(F)水を含む水系分散体であり、
前記液(II)は、(B)有機酸および(F)水を含む。
液(I)、液(II)、および液(III)を混合して、上記化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットであって、
前記液(I)は、(A)砥粒および(F)水を含む水系分散体であり、
前記液(II)は、(B)有機酸および(F)水を含み、
前記液(III)は、(E)酸化剤および(F)水を含む。
銅膜、バリアメタル膜および絶縁膜を、同一の条件においてそれぞれ化学機械研磨した場合に、銅膜の研磨速度RCuとバリアメタル膜の研磨速度RBMの比RCu/RBMが50以上であり、かつ、銅膜の研磨速度RCuと絶縁膜の研磨速度RInの比RCu/RInが50以上である化学機械研磨用水系分散体を使用して被研磨体を化学機械研磨した後、上記化学機械研磨用水系分散体を使用して該被研磨体を化学機械研磨することを含む。
本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体は、(A)砥粒、(B)有機酸、(C)ベンゾトリアゾールまたはその誘導体、(D)ポリ(メタ)アクリル酸塩、(E)酸化剤、および(F)水を含み、(A)砥粒の配合量が2〜10質量%である。
(A)砥粒は、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子からなる群から選ばれる少なくとも1種であることができる。
本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体が含有する(B)有機酸としては、炭素数4以上の有機酸が好ましい。炭素数4以上の有機酸のうち、炭素数4以上の脂肪族有機酸および複素環を有する有機酸がより好ましい。
本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体は、更に(C)ベンゾトリアゾールまたはその誘導体を含有する。
本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体は、更に(D)ポリ(メタ)アクリル酸塩を含有する。ポリ(メタ)アクリル酸塩に含有される対陽イオンとしては、例えばアンモニウムイオン、アルキルアンモニウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができる。
本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体に含有される(E)酸化剤としては、例えば過硫酸塩、過酸化水素、無機酸、有機過酸化物、多価金属塩等を挙げることができる。過硫酸塩としては、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウムなどが挙げられる。無機酸としては、硝酸、硫酸などが挙げられる。有機過酸化物としては、過酢酸、過安息香酸、tert−ブチルハイドロパーオキサイドなどが挙げられる。
本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体は、水系媒体として(F)水を用いることが好ましい。なお、水系媒体として、(F)水と水に混和する有機溶剤(例えば、アルコール類、アルキレングリコール誘導体等)との混合媒体を用いてもよく、水とメタノールとの混合媒体等を用いるのがより好ましい。
本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体は、上記した以外に、必要に応じて界面活性剤、pH調整剤等を含有することができる。
本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体は、調製後にそのまま研磨用組成物として使用できる状態で供給することができる。あるいは、上述の本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体の各成分を高濃度で含有する研磨用組成物(すなわち濃縮された研磨用組成物)を準備しておき、使用時にこの濃縮された研磨用組成物を希釈して、所望の化学機械研磨用水系分散体を得てもよい。
第1のキットは、液(I)および液(II)を混合して、本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットである。第1のキットにおいて、液(I)は、(A)砥粒、(B)有機酸、(C)ベンゾトリアゾールまたはその誘導体、(D)ポリ(メタ)アクリル酸塩、および(F)水を含み、該(A)砥粒の配合量が2〜10質量%である水系分散体であり、液(II)は、(E)酸化剤および(F)水を含む。
第2のキットは、液(I)および液(II)を混合して、本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットである。第2のキットにおいて、液(I)は、(A)砥粒および(F)水を含む水系分散体であり、液(II)は、(B)有機酸および(F)水を含む。
第3のキットは、液(I)、液(II)、および液(III)を混合して、本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットである。第3のキットにおいて、液(I)は、(A)砥粒および(F)水を含む水系分散体であり、液(II)は、(B)有機酸および(F)水を含み、液(III)は、(E)酸化剤および(F)水を含む。
本発明の第2の実施形態の化学機械研磨方法は、上述の本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体を用いて被研磨体を化学機械研磨することを含む。より具体的には、本発明の第2の実施形態の化学機械研磨方法は、銅膜、バリアメタル膜および絶縁膜を、同一の条件においてそれぞれ化学機械研磨した場合に、銅膜の研磨速度RCuとバリアメタル膜の研磨速度RBMの比RCu/RBMが50以上であり、かつ、銅膜の研磨速度RCuと絶縁膜の研磨速度RInの比RCu/RInが50以上である化学機械研磨用水系分散体(以下、「第一研磨用水系分散体」ともいう。)を使用して被研磨体を化学機械研磨する工程(以下、「第一研磨処理工程」ともいう。)と、その後、上述の本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体体を使用して該被研磨体を化学機械研磨する第二研磨処理工程とを含む。
ヘッド回転数:好ましくは30〜120rpm、より好ましくは40〜100rpm
定盤回転数/ヘッド回転数比:好ましくは0.5〜2、より好ましくは0.7〜1.5
研磨圧力:好ましくは100〜500g/cm2、より好ましくは200〜350g/cm2
化学機械研磨用水系分散体供給速度:好ましくは50〜300ml/分、より好ましくは100〜200ml/分
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、この実施例により何ら限定されるものではない。
3.1.1.ヒュームドシリカ粒子を含む水分散体の調製
ヒュームドシリカ粒子(日本アエロジル(株)製、商品名「アエロジル#90」、平均一次粒子径20nm)2kgを、イオン交換水6.7kg中に、超音波分散機を用いて分散させた。これを孔径5μmのフィルターで濾過することにより、ヒュームドシリカ粒子を含有する水分散体を得た。この水分散体中に含まれるヒュームドシリカの平均二次粒子径は、220nmであった。
3.2.1.コロイダルシリカ粒子C1を含む水分散体の調製
濃度25質量%のアンモニア水70質量部、イオン交換水40質量部、エタノール170質量部およびテトラエトキシシラン20質量部を、フラスコに仕込み、回転速度180rpmで攪拌しながら60℃に昇温した。温度を60℃に維持しながら攪拌を2時間継続した後、室温まで冷却した。これにより、コロイダルシリカ粒子のアルコール分散体を得た。
上記「3.2.1.コロイダルシリカ粒子C1を含む水分散体の調製」において、濃度25質量%のアンモニア水70質量部、エタノール170質量部およびテトラエトキシシランの使用量を表1に記載の通りとした他は上記と同様に実施し、コロイダルシリカ粒子C2乃至C5を含む水分散体をそれぞれ調製した。
3.3.1.表面処理した有機粒子を含む水分散体の調製
メチルメタクリレ−ト90質量部、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート(新中村化学工業(株)製、商品名「NKエステルM−90G」、#400)5質量部、4−ビニルピリジン5質量部、アゾ系重合開始剤(和光純薬工業(株)製、商品名「V50」)2質量部およびイオン交換水400質量部を、フラスコに仕込み、窒素ガス雰囲気下で攪拌しながら70℃に昇温した。この温度で攪拌しつつ6時間保持した。この反応混合物をイオン交換水で希釈することにより、アミノ基の陽イオンおよびポリエチレングリコール鎖を有する官能基を備え、平均粒子径150nmのポリメチルメタクリレート系粒子を10質量%含む水分散体を得た。重合収率は95%であった。
コロイダルシリカ粒子(日産化学(株)製、商品名「スノーテックスO」、平均一次粒子径12nm)を水中に分散させ、これに1規定水酸化カリウム水溶液を添加してpHを調整することにより、コロイダルシリカ粒子を10質量%含有するpHが8.0の水分散体を得た。
上記「3.3.1.表面処理した有機粒子を含む水分散体の調製」で調製した水分散体100質量部に、上記「3.3.2.無機粒子(コロイダルシリカ粒子)を含む水分散体の調製」で調製した水分散体50質量部を、攪拌しながら2時間かけて徐々に添加し、更にその後2時間攪拌することにより、ポリメチルメタクリレート系粒子にシリカ粒子が付着した粒子を含む水分散体を得た。
3.4.1.ポリアクリル酸塩P1を含有する水溶液の調製
イオン交換水1,000gおよび5質量%過硫酸アンモニウム水溶液10gを仕込んだ内容積2リットルの容器中に、20質量%のアクリル酸水溶液500gを、還流下で撹拌しながら10時間かけて均等に滴下した。滴下終了後、更に2時間還流下で保持することにより、重量平均分子量(Mw)12,000のポリアクリル酸を含む水溶液を得た。
上記「3.4.1.ポリアクリル酸塩P1を含有する水溶液の調製」において、使用する過硫酸アンモニウムの使用量および使用する中和剤の種類を表2に記載の通りとした他は、上記と同様に実施し、12質量%のポリアクリル酸塩P2乃至P4(ポリアクリル酸アンモニウムまたはポリアクリル酸カリウム)をそれぞれ含むpH7.5の水溶液を調製した。
3.5.1.第一研磨用水系分散体の調製
ヒュームドシリカ粒子(日本アエロジル(株)製、商品名「アエロジル#90」、一次粒子径20nm、二次粒子径220nm)2kgをイオン交換水6.7kg中に、超音波分散機を用いて分散させた後、孔径5μmのフィルターによって濾過し、ヒュームドシリカ粒子を23.0質量%含有する水分散体を得た。
3.5.2−1.パターンなしウェハの化学機械研磨実験
化学機械研磨装置((株)荏原製作所製、型式「EPO112」)に、多孔質ポリウレタン製研磨パッド(ニッタ・ハース(株)製、品番「IC1000」)を装着し、上記第一研磨用水系分散体を供給しながら、下記の各種研磨速度測定用基板につき、下記研磨条件にて1分間化学機械研磨処理を行い、下記の手法によって研磨速度を算出した。
・8インチ熱酸化膜付きシリコン基板上に膜厚15,000Åの銅膜が設けられたもの。
・8インチ熱酸化膜付きシリコン基板上に膜厚2,000Åのタンタル膜が設けられたもの。
・8インチ熱酸化膜付きシリコン基板上に膜厚2,000Åの窒化タンタル膜が設けられたもの。
・8インチシリコン基板上に膜厚10,000ÅのPETEOS膜が設けられたもの。
・ヘッド回転数:70rpm
・ヘッド荷重:250g/cm2
・テーブル回転数:70rpm
・第一研磨用水系分散体の供給速度:200ml/min
電気伝導式膜厚測定器(ケーエルエー・テンコール(株)製、形式「オムニマップRS75」)を用いて、研磨処理後の膜厚を測定し、化学機械研磨により減少した膜厚と研磨時間とから研磨速度を算出した。
・銅膜の研磨速度(RCu):5200Å/min
・タンタル膜の研磨速度(RBM):30Å/min
・窒化タンタル膜の研磨速度(RBM):40Å/min
・PETEOS膜の研磨速度(RIn):20Å/min
・銅膜の研磨速度/タンタル膜の研磨速度(RCu/RBM):173
・銅膜の研磨速度/窒化タンタル膜の研磨速度(RCu/RBM):130
・銅膜の研磨速度/PETEOS膜の研磨速度(RCu/RIn):260
化学機械研磨装置((株)荏原製作所製、型式「EPO112」)に、多孔質ポリウレタン製研磨パッド(ニッタ・ハース(株)製、品番「IC1000」)を装着し、上記第一研磨用水系分散体を供給しながら、下記の2種のパターン付き基板につき、下記研磨条件にてそれぞれ化学機械研磨処理を行った。
・SEMATECH社製、品番「854CMP100」、シリコン基板上に各種のパターンからなる凹部を形成し、その上にタンタル膜(厚さ250Å)、銅シード膜(厚さ1,000Å)および銅メッキ膜(厚さ10,000Å)を順次積層したもの。
・SEMATECH社製、品番「854CMP101」、シリコン基板上に各種のパターンからなる凹部を形成し、その上に窒化タンタル膜(厚さ250Å)、銅シード膜(厚さ1,000Å)および銅メッキ膜(厚さ10,000Å)を順次積層したもの。
・ヘッド回転数:70rpm
・ヘッド荷重:250g/cm2
・テーブル回転数:70rpm
・第一研磨用水系分散体の供給速度:200ml/min
・研磨時間:2.75分
第一研磨処理終了後には、バリアメタルより上にある余剰の銅膜がすべて除去され、バリアメタルの上面が露出した状態にあるものと推定される。
3.6.1.第二研磨用水系分散体(本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体)の調製
上記「3.2.1.コロイダルシリカ粒子C1を含む水分散体の調製」で調製したコロイダルシリカ粒子C1を含む水分散体のシリカに換算して2質量%に相当する量および上記「3.1.1.ヒュームドシリカ粒子を含む水分散体の調製」で調製したヒュームドシリカを含む水分散体のシリカに換算して2質量%に相当する量をポリエチレン製の瓶に入れ、これにベンゾトリアゾール0.1質量%、キナルジン酸0.2質量%、上記「ポリアクリル酸塩を含む水溶液の調製」で調製したポリアクリル酸アンモニウムP2を含む水溶液をポリマー量に換算して0.1質量%に相当する量および35質量%過酸化水素水の過酸化水素に換算して0.6質量%に相当する量を順次に入れ、15分間攪拌した。次いで、全構成成分の合計量が100質量%となるようにイオン交換水を加えた後、孔径5μmのフィルターで濾過することにより、pHが4.0の第二研磨用水系分散体S1を得た。
3.6.2−1.パターンなし基板の研磨試験
化学機械研磨装置((株)荏原製作所製、型式「EPO112」)に、多孔質ポリウレタン製研磨パッド(ニッタ・ハース(株)製、品番「IC1000」)を装着し、上記第二研磨用水系分散体を供給しながら、下記の各種研磨速度測定用基板につき、下記研磨条件にて1分間化学機械研磨処理を行い、下記の手法によって研磨速度を算出した。
・8インチ熱酸化膜付きシリコン基板上に膜厚15,000Åの銅膜が設けられたもの。
・8インチ熱酸化膜付きシリコン基板上に膜厚2,000Åのタンタル膜が設けられたもの。
・8インチ熱酸化膜付きシリコン基板上に膜厚2,000Åの窒化タンタル膜が設けられたもの。
・8インチシリコン基板上に膜厚10,000ÅのPETEOS膜が設けられたもの。
・ヘッド回転数:70rpm
・ヘッド荷重:250g/cm2
・テーブル回転数:70rpm
・第二研磨用水系分散体の供給速度:200ml/min
銅膜、タンタル膜および窒化タンタル膜については、電気伝導式膜厚測定器(ケーエルエー・テンコール(株)製、形式「オムニマップRS75」)を用いて、研磨処理後の膜厚を測定し、化学機械研磨により減少した膜厚と研磨時間とから研磨速度を算出した。
・銅膜の研磨速度(RCu):580Å/min
・タンタル膜の研磨速度(RBM):490Å/min
・窒化タンタル膜の研磨速度(RBM):630Å/min
・PETEOS膜の研磨速度(RIn):530Å/min
・タンタル膜の研磨速度/銅膜の研磨速度(RBM(Ta)/RCu):0.84
・窒化タンタル膜の研磨速度/銅膜の研磨速度(RBM(TaN)/RCu):1.09
・PETEOS膜の研磨速度/銅膜の研磨速度(RIn/RCu):0.91
3.6.3−1.第二研磨工程の研磨時間が短い場合の研磨試験
化学機械研磨装置((株)荏原製作所製、型式「EPO112」)に、多孔質ポリウレタン製研磨パッド(ニッタ・ハース(株)製、品番「IC1000」)を装着し、下記の2種のパターン付き基板につき、下記研磨条件にてそれぞれ2段階の化学機械研磨処理を行った。
・SEMATECH社製、品番「854CMP100」、シリコン基板上に各種のパターンからなる凹部を形成し、その上にタンタル膜(厚さ250Å)、銅シード膜(厚さ1,000Å)および銅メッキ膜(厚さ10,000Å)を順次積層したもの。
・SEMATECH社製、品番「854CMP101」、シリコン基板上に各種のパターンからなる凹部を形成し、その上に窒化タンタル膜(厚さ250Å)、銅シード膜(厚さ1,000Å)および銅メッキ膜(厚さ10,000Å)を順次積層したもの。
・化学機械研磨用水系分散体種類:上記「3.5.1.第一研磨用水系分散体の調製」で調製した第一研磨用水系分散体
・第一研磨用水系分散体の供給速度:200ml/min
・ヘッド回転数:70rpm
・ヘッド荷重:250g/cm2
・テーブル回転数:70rpm
・研磨時間:2.75分
・化学機械研磨用水系分散体種類:上記「3.6.1.第二研磨用水系分散体(本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体)の調製」で調製した第二研磨用水系分散体
・第二研磨用水系分散体の供給速度:200ml/min
・ヘッド回転数:70rpm
・ヘッド荷重:250g/cm2
・テーブル回転数:70rpm
・研磨時間:854CMP100につき、1.51分、854CMP101につき1.40分
なお、研磨時間は、下記式により算出した時間である。
第二研磨処理終了後には、PETEOS膜の最上面より上にある余剰のバリアメタル膜がすべて除去され、PETEOS膜の上面が露出した状態にあるものと推定される。
上記「3.6.3−1.第二研磨工程の研磨時間が短い場合の研磨試験」において、第二研磨処理工程の研磨時間を、下記式で計算した時間とした他は同様に実施し、2種のパターン付き基板につき、それぞれ2段階の化学機械研磨処理を行った。
二段階研磨後の被研磨面につき、上記「3.6.3−1.第二研磨工程の研磨時間が短い場合の研磨試験」と同様にしてディッシングおよびスクラッチを評価したところ、854CMP100につきディッシング310Å、スクラッチ数1個であり、854CMP101につきディッシング270Å、スクラッチ数0個であった。
実施例1において、第二研磨用水系分散体の各成分の種類および添加量並びに水系分散体のpHを、表3の通りとした他は、実施例1と同様にして、第二研磨用水系分散体S2乃至S8並びにR1を調製した。なお、表3中、「−」は、対応する欄に相当する成分を添加しなかったことを示し、「(C)成分」は(C)ベンゾトリアゾール又はその誘導体を示し、「(D)成分」は(D)ポリ(メタ)アクリル酸塩を示す。また、実施例4および5は、(A)砥粒として2種類の粒子を使用した。
3.8.1.第二研磨用水系分散体(本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット)の調製
3.8.1−1.液(I)の調製
上記「3.2.1.コロイダルシリカ粒子C1を含む水分散体の調製」で調製したコロイダルシリカ粒子C1を含む水分散体のシリカに換算して2.27質量%に相当する量および上記「3.1.1.ヒュームドシリカ粒子を含む水分散体の調製」で調製したヒュームドシリカを含む水分散体のシリカに換算して2.27質量%に相当する量をポリエチレン製の瓶に入れ、これにベンゾトリアゾール0.11質量%、キナルジン酸0.23質量%、上記「ポリアクリル酸塩を含む水溶液の調製」で調製したポリアクリル酸アンモニウムP2を含む水溶液をポリマー量に換算して0.11質量%に相当する量を順次に入れ、15分間攪拌した。次いで、全構成成分の合計量が100質量%となるようにイオン交換水を加えた後、孔径5μmのフィルターで濾過することにより、水系分散体である液(I)A1を得た。
過酸化水素濃度が5質量%となるようにイオン交換水で濃度調節を行い、液(II)B1を得た。
上記で調製した液(I)A1の100質量部と、液(II)B1の13.64質量部とを混合し、化学機械研磨用水系分散体S9を調製した。この化学機械研磨用水系分散体S9のpHは4.0であった。この化学機械研磨用水系分散体S9は、上記実施例1で調製した化学機械研磨用水系分散体S1と同一の組成およびpHを有することから、化学機械研磨用水系分散体S9は、上記実施例1で調製した化学機械研磨用水系分散体S1と同一の化学機械研磨用水系分散体であると見なすことが出来る。
3.9.1.第二研磨用水系分散体(本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット)の調製
3.9.1−1.液(I)の調製
上記「3.2.1.コロイダルシリカ粒子C1を含む水分散体の調製」で調製したコロイダルシリカ粒子C1を含む水分散体のシリカに換算して4質量%に相当する量および上記「3.1.1.ヒュームドシリカ粒子を含む水分散体の調製」で調製したヒュームドシリカを含む水分散体のシリカに換算して4質量%に相当する量をポリエチレン製の瓶に入れ、これに、上記「ポリアクリル酸塩を含む水溶液の調製」で調製したポリアクリル酸アンモニウムP2を含む水溶液をポリマー量に換算して0.2質量%に相当する量および35質量%過酸化水素水の過酸化水素に換算して1.2質量%に相当する量を順次に入れ、15分間攪拌した。次いで、全構成成分の合計量が100質量%となるようにイオン交換水を加えた後、孔径5μmのフィルターで濾過することにより、水系分散体である液(I)A2を得た。
ポリエチレン製の瓶に、ベンゾトリアゾール0.2質量%、キナルジン酸0.4質量%に相当する量を順次に入れ、15分間攪拌した。次いで、全構成成分の合計量が100質量%となるようにイオン交換水を加えた後、孔径5μmのフィルターで濾過することにより、水系分散体である液(II)A3を得た。
上記で調製した液(I)A2の50質量部と、液(II)A3の50質量部とを混合し、化学機械研磨用水系分散体S10を調製した。この化学機械研磨用水系分散体S10のpHは4.0であった。この化学機械研磨用水系分散体S10は、上記実施例1で調製した化学機械研磨用水系分散体S1と同一の組成およびpHを有することから、化学機械研磨用水系分散体S10は、上記実施例1で調製した化学機械研磨用水系分散体S1と同一の化学機械研磨用水系分散体であると見なすことが出来る。
3.10.1.第二研磨用水系分散体(本発明の第1の実施形態の化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット)の調製
3.10.1−1.液(I)の調製
上記「3.2.1.コロイダルシリカ粒子C1を含む水分散体の調製」で調製したコロイダルシリカ粒子C1を含む水分散体のシリカに換算して4.55質量%に相当する量および上記「3.1.1.ヒュームドシリカ粒子を含む水分散体の調製」で調製したヒュームドシリカを含む水分散体のシリカに換算して4.55質量%に相当する量をポリエチレン製の瓶に入れ、これに、上記「ポリアクリル酸塩を含む水溶液の調製」で調製したポリアクリル酸アンモニウムP2を含む水溶液をポリマー量に換算して0.23質量%に相当する量を順次に入れ、15分間攪拌した。次いで、全構成成分の合計量が100質量%となるようにイオン交換水を加えた後、孔径5μmのフィルターで濾過することにより、水系分散体である液(I)A4を得た。
ポリエチレン製の瓶に、ベンゾトリアゾール0.23質量%、キナルジン酸0.45質量%に相当する量を順次に入れ、15分間攪拌した。次いで、全構成成分の合計量が100質量%となるようにイオン交換水を加えた後、孔径5μmのフィルターで濾過することにより、水系分散体である液(II)A5を得た。
上記で調製した液(I)A4の50質量部と、液(II)A5の50質量部と、液(III)B1の13.64質量部とを混合し、化学機械研磨用水系分散体S11を調製した。この化学機械研磨用水系分散体S11のpHは4.0であった。この化学機械研磨用水系分散体S11は、上記実施例1で調製した化学機械研磨用水系分散体S1と同一の組成およびpHを有することから、化学機械研磨用水系分散体S11は、上記実施例1で調製した化学機械研磨用水系分散体S1と同一の化学機械研磨用水系分散体であると見なすことが出来る。
11 基板(例えば、シリコン基板)
12 絶縁膜(例えば、PETEOS膜)
13 バリアメタル膜
14 金属膜
21 絶縁膜(例えば、シリコン酸化物膜)
22 絶縁膜(例えば、シリコン窒化物膜)
Claims (17)
- (A)砥粒、(B)有機酸、(C)ベンゾトリアゾールまたはその誘導体、(D)ポリ(メタ)アクリル酸塩、(E)酸化剤、および(F)水を含み、
前記(A)砥粒の配合量が2〜10質量%である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1において、
前記(A)砥粒が、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子からなる群から選ばれる少なくとも1種である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項2において、
前記(A)砥粒の平均粒径が5〜1000nmである、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項2において、
前記無機粒子がシリカである、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記(B)有機酸が、キノリンカルボン酸、キノリン酸、2価の有機酸(ただしキノリン酸を除く)、およびヒドロキシル酸からなる群から選択される少なくとも1種であり、その配合量が0.01〜5質量%である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項5において、
前記(B)有機酸が、キノリンカルボン酸、キノリン酸、マレイン酸、マロン酸、クエン酸、およびリンゴ酸からなる群から選択される少なくとも1種であり、その配合量が0.05〜2質量%である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1ないし6のいずれかにおいて、
前記(C)ベンゾトリアゾールまたはその誘導体が、ベンゾトリアゾールであり、その配合量が0.01〜5質量%である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1ないし7のいずれかにおいて、
前記(D)ポリ(メタ)アクリル酸塩の平均分子量が1,000〜100,000であり、その配合量が0.001〜5質量%である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項8において、
前記(D)ポリ(メタ)アクリル酸塩が、ポリアクリル酸のアンモニウム塩であり、その配合量が0.01〜2質量%である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1ないし9のいずれかにおいて、
前記(E)酸化剤が過酸化水素であり、その配合量が0.01〜5質量%である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1ないし10のいずれかにおいて、
pHが1〜5である、化学機械研磨用水系分散体。 - 液(I)および液(II)を混合して、請求項1ないし11のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットであって、
前記液(I)は、(A)砥粒、(B)有機酸、(C)ベンゾトリアゾールまたはその誘導体、(D)ポリ(メタ)アクリル酸塩、および(F)水を含み、該(A)砥粒の配合量が2〜10質量%である水系分散体であり、
前記液(II)は、(E)酸化剤および(F)水を含む、化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット。 - 液(I)および液(iI)を混合して、請求項1ないし11のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットであって、
前記液(I)は、(A)砥粒および(F)水を含む水系分散体であり、
前記液(II)は、(B)有機酸および(F)水を含む、化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット。 - 液(I)、液(II)、および液(III)を混合して、請求項1ないし11のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットであって、
前記液(I)は、(A)砥粒および(F)水を含む水系分散体であり、
前記液(II)は、(B)有機酸および(F)水を含み、
前記液(III)は、(E)酸化剤および(F)水を含む、化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット。 - 請求項13または14において、
前記液(I)は、(B)有機酸、(C)ベンゾトリアゾールまたはその誘導体、(D)ポリ(メタ)アクリル酸塩、および(E)酸化剤から選ばれる1種類以上の成分をさらに含む、化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット。 - 請求項13ないし15のいずれかにおいて、
前記液(II)は、(A)砥粒、(C)ベンゾトリアゾールまたはその誘導体、(D)ポリ(メタ)アクリル酸塩、および(E)酸化剤から選ばれる1種類以上の成分をさらに含む、化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット。 - 銅膜、バリアメタル膜および絶縁膜を、同一の条件においてそれぞれ化学機械研磨した場合に、銅膜の研磨速度RCuとバリアメタル膜の研磨速度RBMの比RCu/RBMが50以上であり、かつ、銅膜の研磨速度RCuと絶縁膜の研磨速度RInの比RCu/RInが50以上である化学機械研磨用水系分散体を使用して被研磨体を化学機械研磨した後、請求項1ないし11のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体を使用して該被研磨体を化学機械研磨することを含む、化学機械研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006048946A JP5110244B2 (ja) | 2005-03-09 | 2006-02-24 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005064754 | 2005-03-09 | ||
JP2005064754 | 2005-03-09 | ||
JP2006048946A JP5110244B2 (ja) | 2005-03-09 | 2006-02-24 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006287207A true JP2006287207A (ja) | 2006-10-19 |
JP2006287207A5 JP2006287207A5 (ja) | 2006-12-14 |
JP5110244B2 JP5110244B2 (ja) | 2012-12-26 |
Family
ID=37408713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006048946A Expired - Fee Related JP5110244B2 (ja) | 2005-03-09 | 2006-02-24 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5110244B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007077886A1 (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 金属用研磨液及び被研磨膜の研磨方法 |
JP2008205433A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-09-04 | Jsr Corp | 電気光学表示装置用基板に設けられたバリアメタル層を研磨するための化学機械研磨用水系分散体および該化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2009027142A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-02-05 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体調製用セット、化学機械研磨用水系分散体の調製方法、化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
WO2009028256A1 (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Jsr Corporation | 化学機械研磨用水系分散体調製用セットおよび化学機械研磨用水系分散体の調製方法 |
JP2009065001A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体、該分散体を調製するためのキット、および化学機械研磨用水系分散体の調製方法 |
JP2010161201A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法、化学機械研磨用水系分散体の製造方法 |
JP2015502993A (ja) * | 2011-11-09 | 2015-01-29 | ローディア オペレーションズ | ガラス基板を研磨するための添加剤混合物および組成物ならびに方法 |
JP2017085124A (ja) * | 2012-02-01 | 2017-05-18 | 日立化成株式会社 | 金属用研磨液及び研磨方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000202774A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-07-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | スラリ―の供給装置 |
JP2003133266A (ja) * | 2001-10-22 | 2003-05-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用組成物 |
JP2003151927A (ja) * | 2001-11-12 | 2003-05-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用組成物 |
WO2003094216A1 (fr) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Fluide de polissage et procede de polissage |
WO2003103033A1 (fr) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Fluide de polissage et procede de polissage |
JP2004235317A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属用研磨液及び研磨方法 |
JP2004363574A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-12-24 | Jsr Corp | 化学機械研磨剤キットおよびこれを用いた化学機械研磨方法 |
JP2005045229A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-02-17 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
-
2006
- 2006-02-24 JP JP2006048946A patent/JP5110244B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000202774A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-07-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | スラリ―の供給装置 |
JP2003133266A (ja) * | 2001-10-22 | 2003-05-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用組成物 |
JP2003151927A (ja) * | 2001-11-12 | 2003-05-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用組成物 |
WO2003094216A1 (fr) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Fluide de polissage et procede de polissage |
WO2003103033A1 (fr) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Fluide de polissage et procede de polissage |
JP2004235317A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属用研磨液及び研磨方法 |
JP2004363574A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-12-24 | Jsr Corp | 化学機械研磨剤キットおよびこれを用いた化学機械研磨方法 |
JP2005045229A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-02-17 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007077886A1 (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 金属用研磨液及び被研磨膜の研磨方法 |
US8791019B2 (en) | 2005-12-27 | 2014-07-29 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Metal polishing slurry and method of polishing a film to be polished |
JP2008205433A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-09-04 | Jsr Corp | 電気光学表示装置用基板に設けられたバリアメタル層を研磨するための化学機械研磨用水系分散体および該化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2009027142A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-02-05 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体調製用セット、化学機械研磨用水系分散体の調製方法、化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
US8470195B2 (en) | 2007-06-19 | 2013-06-25 | Jsr Corporation | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion preparation set, method of preparing chemical mechanical polishing aqueous dispersion, chemical mechanical polishing aqueous dispersion, and chemical mechanical polishing method |
WO2009028256A1 (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Jsr Corporation | 化学機械研磨用水系分散体調製用セットおよび化学機械研磨用水系分散体の調製方法 |
JPWO2009028256A1 (ja) * | 2007-08-31 | 2010-11-25 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体調製用セットおよび化学機械研磨用水系分散体の調製方法 |
JP2009065001A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体、該分散体を調製するためのキット、および化学機械研磨用水系分散体の調製方法 |
JP2010161201A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法、化学機械研磨用水系分散体の製造方法 |
JP2015502993A (ja) * | 2011-11-09 | 2015-01-29 | ローディア オペレーションズ | ガラス基板を研磨するための添加剤混合物および組成物ならびに方法 |
JP2017085124A (ja) * | 2012-02-01 | 2017-05-18 | 日立化成株式会社 | 金属用研磨液及び研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5110244B2 (ja) | 2012-12-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI387642B (zh) | 化學機械研磨用水系分散體及化學機械研磨方法,暨用以調製化學機械研磨用水系分散體之套組 | |
KR101469994B1 (ko) | 화학 기계 연마용 수계 분산체 제조용 세트, 화학 기계연마용 수계 분산체의 제조 방법, 화학 기계 연마용 수계분산체 및 화학 기계 연마 방법 | |
KR101406642B1 (ko) | 화학 기계 연마용 수계 분산체 및 화학 기계 연마 방법, 및화학 기계 연마용 수계 분산체를 제조하기 위한 키트 | |
JP5013732B2 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体、化学機械研磨方法、化学機械研磨用キット、および化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット | |
US7153335B2 (en) | Tunable composition and method for chemical-mechanical planarization with aspartic acid/tolyltriazole | |
EP1724317B1 (en) | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, chemical mechanical polishing method, and kit for preparing chemical mechanical polishing aqueous dispersion | |
US8262435B2 (en) | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, chemical mechanical polishing method, and chemical mechanical polishing aqueous dispersion preparation kit | |
JP5110244B2 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 | |
US20050215183A1 (en) | Chemical-mechanical planarization composition having PVNO and associated method for use | |
JPWO2007060869A1 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 | |
JP2005045229A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 | |
JP2005158867A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体を調製するためのセット | |
JP2006352096A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット | |
JP2010161201A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法、化学機械研磨用水系分散体の製造方法 | |
JP2021082645A (ja) | 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法 | |
JP4984032B2 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 | |
JP2006287002A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 | |
JPWO2009028256A1 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体調製用セットおよび化学機械研磨用水系分散体の調製方法 | |
JP2009302551A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体を調製するためのセット | |
JP2009012159A (ja) | 多層回路基板の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、基板の研磨方法および多層回路基板 | |
JP2006316116A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 | |
JP2009065001A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体、該分散体を調製するためのキット、および化学機械研磨用水系分散体の調製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061031 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081024 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081024 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120330 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120912 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120925 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151019 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5110244 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151019 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |