JP4850994B2 - 研磨組成物 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 111
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 58
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 52
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 15
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 claims description 12
- -1 triazole compound Chemical class 0.000 claims description 11
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 claims description 9
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 8
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 7
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 claims description 7
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 claims description 7
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 6
- CVSVTCORWBXHQV-UHFFFAOYSA-N creatine Chemical compound NC(=[NH2+])N(C)CC([O-])=O CVSVTCORWBXHQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 claims description 4
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 3
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N Caprylic acid Natural products CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 3
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 claims description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N benzyl(trichloro)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC1=CC=CC=C1 GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 229960003624 creatine Drugs 0.000 claims description 3
- 239000006046 creatine Substances 0.000 claims description 3
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N n-hexanoic acid Natural products CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 claims description 3
- 150000001734 carboxylic acid salts Chemical class 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 13
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 13
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 10
- 229910021487 silica fume Inorganic materials 0.000 description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- PHFQLYPOURZARY-UHFFFAOYSA-N chromium trinitrate Chemical compound [Cr+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O PHFQLYPOURZARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- LXCFILQKKLGQFO-UHFFFAOYSA-N methylparaben Chemical compound COC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 LXCFILQKKLGQFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 1-Hydroxybenzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N(O)N=NC2=C1 ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUOVBFFLXKJFEE-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-5-carboxylic acid Chemical compound C1=C(C(=O)O)C=CC2=NNN=C21 GUOVBFFLXKJFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVRGLMCHDCMPKD-UHFFFAOYSA-N 3-amino-1h-1,2,4-triazole-5-carboxylic acid Chemical compound NC1=NNC(C(O)=O)=N1 MVRGLMCHDCMPKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDIMQHBOTMWMJA-UHFFFAOYSA-N 4-amino-3-hydrazinyl-1h-1,2,4-triazole-5-thione Chemical compound NNC1=NNC(=S)N1N RDIMQHBOTMWMJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTMDJGPRCLQPBT-UHFFFAOYSA-N 4-nitro-1h-1,2,3-benzotriazole Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 UTMDJGPRCLQPBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUEFXPHXHHANKS-UHFFFAOYSA-N 5-nitro-1h-1,2,4-triazole Chemical compound [O-][N+](=O)C1=NC=NN1 KUEFXPHXHHANKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical compound NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical class [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical class [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- ATTKPRZCLWIANP-UHFFFAOYSA-N N1N=NC=C1.N1=C(N=C(N=C1O)O)O Chemical compound N1N=NC=C1.N1=C(N=C(N=C1O)O)O ATTKPRZCLWIANP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical class [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical class [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910034327 TiC Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMEAURNTRYCPNR-UHFFFAOYSA-N azane;iron(2+) Chemical compound N.[Fe+2] UMEAURNTRYCPNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDDVVGWTUJSOIV-UHFFFAOYSA-O azanium cerium(3+) tetranitrate tetrahydrate Chemical compound [NH4+].O.O.O.O.[Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O IDDVVGWTUJSOIV-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);trinitrate Chemical compound [La+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000007521 mechanical polishing technique Methods 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 239000004292 methyl p-hydroxybenzoate Substances 0.000 description 1
- 235000010270 methyl p-hydroxybenzoate Nutrition 0.000 description 1
- 229960002216 methylparaben Drugs 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- CFYGEIAZMVFFDE-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);trinitrate Chemical compound [Nd+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O CFYGEIAZMVFFDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical class [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Chemical class 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- IWZKICVEHNUQTL-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogen phthalate Chemical compound [K+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O IWZKICVEHNUQTL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical group 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Description
【発明の属する技術分野】
本願発明は、半導体ウエハの表面を研磨するのに有用な化学機械的研磨組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
化学機械的研磨(CMP)は、集積回路を製造するフォトリソグラフィープロセスにおいて、蒸着膜の高低差のために焦点合わせが困難になる問題に対処するために開発された平坦化技術である。化学機械的研磨技術は当初、大きさが0.5ミクロンオーダーの部品の製造に適用された。部品の小型化に伴い、化学機械的研磨技術は、より多くの層に対して適用されるようになった。大きさが0.25ミクロンオーダーの部品が開発されるまでに、化学機械的研磨は主要で且つ不可欠な平坦化技術となった。配線回路を形成するための研磨方法では、一般に、研磨ヘッドを備えた回転プラテン(spinning platen )上に半導体ウエハを取付け、研磨効率を向上させるために、研磨粒子及びオキシダントを含有する研磨スラリーをウエハ表面に適用する。
【0003】
米国特許第5225034号には、AgNO3、固体研磨粒子、並びにH2O2、HOCl、KOCl、KMgO4、及びCH3COOOHから選択されるオキシダントを含有する化学機械的研磨スラリーが記載されている。このスラリーは、ウエハ上に銅配線を形成するように、半導体ウエハ上の銅層を研磨するのに使用される。
米国特許第5209816号には、化学機械的研磨スラリーを使用してAl又はTi含有金属層を研磨する方法が記載されている。この研磨スラリーは、固体研磨剤に加えて、約0.1〜20容量%のH3PO4及び約1〜30容量%のH2O2を含有する。
【0004】
米国特許第4959113号は、水性研磨組成物を使用して金属表面を研磨する方法が記載されている。この水性研磨組成物は、水と、CeO2、Al2O3、ZrO2、TiO2、SiO2、SiC、SnO2、又はTiC等の研磨剤と、第IIA族、第IIIA族、第IVA族、又はIVB族の金属カチオンとクロライド、ブロマイド、イオダイド、ナイトレート、スルフェート、ホスフェート、又はパークロレートの各アニオンとの塩とを含有する。また、この米国特許には、塩酸、硝酸、リン酸、又は硫酸を使用して研磨組成物のpH値を1〜6の範囲に調整することも開示されている。
米国特許第5391258号には、シリコン、シリカ、又はシリケート複合体を研磨するための研磨組成物が記載されている。この研磨組成物は、研磨粒子に加えて、過酸化水素及びフタル酸水素カリウムを含有する。
【0005】
米国特許第5114437号には、平均粒子径0.2〜5μmのアルミナ研磨剤と、硝酸クロム(III)、硝酸ランタン、硝酸セリウム(III)アンモニウム、及び硝酸ネオジムから選択される研磨促進剤(abrasion enhancer)とを含有するアルミニウム基板を研磨するための研磨組成物が記載されている。
米国特許第5084071号には、電子部品基板を研磨するための化学機械的研磨スラリーが記載されている。この研磨スラリーは、1重量%以下のアルミナ、研磨粒子(SiO2、CeO2、SiC、Si3N4、Fe2O3粒子等)、研磨促進剤として使用されるアンモニウム鉄EDTA等の遷移金属キレート塩、及び該塩の溶剤を含有する。
【0006】
米国特許第5336542号には、アルミナ研磨粒子と、EDTA等のポリアミノカルボン酸ならびにそのナトリウム塩及びカリウム塩から選択されるキレート剤とを含有する研磨組成物が記載されている。この組成物は、更に、ベーマイト又はアルミニウム塩を含有しても良い。
米国特許第5340370号には、タングステン又は窒化タングステンのフィルムを研磨するための化学機械的研磨スラリーが記載され、この研磨スラリーは、フェリシアン化カリウム等の酸化剤、研磨剤、及び水を含有し、pHは2〜4のものである。
【0007】
米国特許第5516346号には、チタンフィルムを化学機械的に研磨するためのスラリーについて記載され、このスラリーはpHが8未満であり、チタンフィルムを複合体化するのに充分な濃度のフッ化カリウムと、シリカ等の研磨剤とを含有する。
WO96/16436には、平均粒径が0.400ミクロン未満の研磨粒子と、オキシダントの第二鉄塩と、プロピレングリコール及びメチルパラベンを混合した水性界面活性剤懸濁液とを含有する化学機械的研磨スラリーが記載されている。
しかしながら、半導体プロセシングにおいては、より安価でより高い研磨力を有する研磨組成物が求められている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、半導体プロセシングにおいて用いられ、より高い研磨性能を有する研磨組成物を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、研磨促進剤として亜リン酸又はその塩を用いれば、より高い研磨性能の研磨組成物が得られ、半導体プロセシングにおける半導体ウエハ表面の研磨に有用であることを見出し、本発明を完成した。
【0010】
すなわち、本発明は、半導体プロセシングに使用する化学機械的研磨組成物であって、研磨促進剤として亜リン酸及び/又はその塩を含有することを特徴とする研磨組成物を提供するものである。
また、本発明は、半導体ウエハの表面に化学機械的研磨スラリーを適用して半導体ウエハの表面を研磨する方法において、スラリーが水性媒体を70〜99.5重量%、研磨剤を0.1〜25重量%、並びに亜リン酸及び/又はその塩を含む研磨促進剤を0.01〜2重量%含有することを特徴とする方法を提供するものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の研磨組成物は、半導体プロセシングのための化学機械的研磨組成物であり、研磨促進剤として亜リン酸及び/又はその塩を含有する。本発明の化学機械的研磨組成物はスラリーであってもよく、該スラリーは、70〜99.5重量%の水性媒体、0.1〜25重量%、好ましくは0.5〜15重量%、より好ましくは0.5〜8重量%の研磨剤、及び0.01〜2重量%、好ましくは0.03〜1重量%、より好ましくは0.03〜0.5重量%の研磨促進剤を含有する。
【0012】
本発明の化学機械的研磨組成物は、更に、アミノ酸、アミノ酸塩、カルボン酸、カルボン酸塩、並びにこれら酸及び/又は塩の混合物から選択される研磨共促進剤を含有していてもよい。
亜リン酸を研磨スラリーに加えることにより、研磨スラリーの研磨速度を向上させることができる。また、該研磨スラリーに更にアミノ酸またはカルボン酸を配合すると、研磨スラリーの研磨速度は更に向上する。しかし、アミノ酸またはカルボン酸のみを研磨スラリーに加えても、研磨スラリーの研磨速度を向上させることはできない。更には、後述する例からも明らかなように、亜リン酸の方がリン酸と比べて、より高い研磨能力を有することが分かった。
【0013】
本発明の研磨組成物に用いられる研磨剤は、市販されている粒子状の研磨剤であればいずれでもよく、例えばSiO2、Al2O3、ZrO2、CeO2、SiC、Fe2O3、TiO2、Si3N4、又はこれらの混合物等が挙げられる。これらの研磨剤粒子は、通常、高純度で表面積が大きく、また、粒度分布の範囲が狭いため、研磨剤として研磨組成物において使用するのに適している。
【0014】
本発明で研磨共促進剤として用いられるアミノ酸またはカルボン酸としては、市販されているアミノ酸またはカルボン酸であればいずれでもよく、例えばグリシン、クレアチン、アラニン、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ヘキサン酸、マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、シュウ酸等が挙げられる。これらの研磨共促進剤は、組成物中に0.01〜2重量%、特に0.03〜0.1重量%配合するのが好ましい。
【0015】
本発明の化学機械的研磨組成物は、媒体として水を使用することができる。研磨組成物は、水、好ましくは通常の脱イオン水を用いて、研磨組成物のスラリーを製造できる。
【0016】
本発明の化学機械的研磨組成物には、更に、化学機械的研磨組成物に通常用いられる他の成分を、本発明の効果を損なわない範囲で適宜配合してもよい。従って、本発明の化学機械的研磨組成物は、本技術分野において使用されるオキシダント、例えばH2O2、Fe(NO3)3、KIO3、CH3COOOH、KMnO4等を含有していてもよい。これらのオキシダントは、組成物中に0.1〜5重量%、特に1〜3重量%配合するのが好ましい。
また、例えば銅生成プロセスにおいて、銅が急激に腐食してしまうのを防ぐのに用いられるベンゾトリアゾール及び/又はその誘導体、例えばベンゾトリアゾール、1,3,5−トリアジン−2,4,6−トリオール、1,2,3−トリアゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、3−ニトロ−1,2,4−トリアゾール、Purpald、ベンゾトリアゾール−5−カルボン酸、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール−5−カルボン酸、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニトロベンゾトリアゾール等を含有していてもよい。これらのベンゾトリアゾール及び/又はその誘導体は、組成物中に0.01〜0.5重量%、特に0.03〜0.2重量%配合するのが好ましい。
【0017】
本発明の化学機械的研磨組成物は、従来使用されてきた任意の方法によって調製できる。例えば、研磨スラリーは以下のように製造される。すなわち、先ず研磨粒子を水に加える。得られた混合液を、該研磨粒子が完全に水に懸濁するまで高せん断力を加え連続的に撹拌する。続いて、スラリー内の研磨粒子が所望の固形分含有率になるよう、スラリー中に更に水を加える。例えば、研磨スラリーが70〜99.5重量%の脱イオン水を含有する場合、スラリーの固形分含有率は0.5〜25重量%、特に0.5〜15重量%、更に0.5〜8重量%であるのが好ましい。次いで、必要に応じて得られたスラリーに上述の添加剤を加え、塩基を用いてスラリーのpH値を所望の範囲内に調整する。例えば、研磨する金属フィルムがCuまたはTaNフィルムの場合、スラリーのpH値は、2.5〜7の範囲に調整するのが好ましい。
【0018】
【発明の効果】
本発明の研磨組成物は、研磨性能に優れ、半導体プロセシングにおける半導体ウエハ表面の研磨に有用である。
【0019】
【実施例】
次に実施例を挙げて本発明を更に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【0020】
例1
研磨剤としてシリカヒュームを用いて研磨スラリーを製造した。得られた研磨スラリーの組成は下記の通りである。
シリカヒューム:8.0重量%
亜リン酸:0.2重量%
ベンゾトリアゾール:0.1重量%
pH調整用の塩基及び脱イオン水:残部
【0021】
例2
例1と同様にして、下記組成の研磨スラリーを製造した。
シリカヒューム:8.0重量%
グリシン:0.2重量%
ベンゾトリアゾール:0.1重量%
pH調整用の塩基及び脱イオン水:残部
【0022】
例3
例1と同様にして、下記組成の研磨スラリーを製造した。
シリカヒューム:8.0重量%
アジピン酸:0.2重量%
ベンゾトリアゾール:0.1重量%
pH調整用の塩基及び脱イオン水:残部
【0023】
例4
例1と同様にして、下記組成の研磨スラリーを製造した。
シリカヒューム:8.0重量%
亜リン酸:0.2重量%
グリシン:0.2重量%
ベンゾトリアゾール:0.1重量%
pH調整用の塩基及び脱イオン水:残部
【0024】
例5
例1と同様にして、下記組成の研磨スラリーを製造した。
シリカヒューム:8.0重量%
亜リン酸:0.2重量%
アジピン酸:0.2重量%
ベンゾトリアゾール:0.1重量%
pH調整用の塩基及び脱イオン水:残部
【0025】
例6
例1と同様にして、下記組成の研磨スラリーを製造した。
シリカヒューム:8.0重量%
亜リン酸:0.2重量%
ギ酸:0.2重量%
ベンゾトリアゾール:0.1重量%
pH調整用の塩基及び脱イオン水:残部
【0026】
例7
研磨剤としてコロイダルシリカを用いて研磨スラリーを製造した。得られた研磨スラリーの組成は下記の通りである。
コロイダルシリカ:12.0重量%
亜リン酸:0.2重量%
アジピン酸:0.2重量%
ベンゾトリアゾール:0.1重量%
pH調整用の塩基及び脱イオン水:残部
【0027】
例8
研磨剤としてアルミナヒュームを用いて研磨スラリーを製造した。得られた研磨スラリーの組成は下記の通りである。
アルミナヒューム:8.0重量%
亜リン酸:0.2重量%
ベンゾトリアゾール:0.1重量%
pH調整用の塩基及び脱イオン水:残部
【0028】
例9
例8と同様にして、下記組成の研磨スラリーを製造した。
アルミナヒューム:8.0重量%
グリシン:0.2重量%
ベンゾトリアゾール:0.1重量%
pH調整用の塩基及び脱イオン水:残部
【0029】
例10
例1と同様にして、下記組成の研磨スラリーを製造した。
シリカヒューム:8.0重量%
リン酸:0.2重量%
グリシン:0.2重量%
ベンゾトリアゾール:0.1重量%
pH調整用の塩基及び脱イオン水:残部
【0030】
例11
例1と同様にして下記組成の研磨スラリーを製造した。
シリカヒューム:8.0重量%
リン酸:0.2重量%
アジピン酸:0.2重量%
ベンゾトリアゾール:0.1重量%
pH調整用の塩基及び脱イオン水:残部
【0031】
試験例
例1〜11で得られた研磨スラリーについて、以下の方法により研磨性能を評価した。結果を表1に示す。
【0032】
C.ウエハ: CuフィルムおよびTaNフィルム:シリコンバレーのマイクロエレクトロニクス社から入手可能な市販品。厚さ0.85±5%マイクロメーターのCuフィルムおよびTaNフィルムをPVD法により6インチのシリコンウエハ上に蒸着させることにより得られる。
D.スラリー:各実施例で得られたスラリーを30%H2O2と容積比9:1で混合し、均一に撹拌して調製した。
【0033】
(研磨試験の手順)
研磨対象ウエハの厚さを、研磨試験の前後に厚さ測定手段により測定する。金属フィルムの面積抵抗率は4点プローブにより測定する。膜厚は下記の式により求められる。
【0034】
(数1)
T×R=抵抗係数
【0035】
ここで、Tはフィルム厚(Å)、Rは面積抵抗率(Ω/cm2)を示す。抵抗係数は各種金属フィルムによって一定となる。
本発明ではKLAテンコール(KLA−Tencor)社のモデルRS75を用いて金属フィルムの厚さを測定した。研磨速度は以下のようにして測定される。
まずモデルRS75を用いて金属フィルムの厚さT1を測定する。実施例で得られたスラリーを用い、金属フィルムを上記の条件で1分間研磨する。研磨後、ソリッドステート・イクイップメント社のエバーグリーンモデル10Xを用いてウエハを洗浄する。ウエハをスプレー乾燥した後、モデルRS75を用いて金属フィルムの厚さT2を測定する。各例のスラリーによる金属フィルムの研磨速度はT1−T2で表される。
【0036】
【表1】
Claims (10)
- 半導体プロセシングに使用する化学機械的研磨組成物であって、
スラリー形態であり、
水性媒体; 研磨剤; 亜リン酸、その塩、または亜リン酸とその塩との混合物を含む研磨促進剤; 1種類のオキシダント; 及びトリアゾール化合物、その誘導体、またはトリアゾール化合物とその誘導体との混合物を含有し、並びに
2.5〜7のpHを有することを特徴とする研磨組成物。 - 研磨剤が、SiO2、Al2O3、ZrO2、CeO2、SiC、Fe2O3、TiO2、Si3N4、又はこれらの混合物である請求項1記載の研磨組成物。
- 更に、アミノ酸、アミノ酸塩、カルボン酸、カルボン酸塩、並びにこれらの酸及びこれらの塩のうちの少なくとも一つを含む混合物から選択される研磨共促進剤を含有する請求項1又は2に記載の研磨組成物。
- アミノ酸が、グリシン、クレアチン、又はアラニンである請求項3記載の研磨組成物。
- カルボン酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ヘキサン酸、マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、又はシュウ酸である請求項3記載の研磨組成物。
- 半導体ウエハの表面に化学機械的研磨剤スラリーを適用して半導体ウエハの表面を研磨する方法において、スラリーが水性媒体; 研磨剤; 亜リン酸、その塩、または亜リン酸とその塩との混合物を含む研磨促進剤; 1種類のオキシダント; 及びトリアゾール化合物、その誘導体、またはトリアゾール化合物とその誘導体との混合物を含有し、且つ2.5〜7のpHを有することを特徴とする方法。
- 研磨剤が、SiO2、Al2O3、ZrO2、CeO2、SiC、Fe2O3、TiO2、Si3N4、又はこれらの混合物である請求項6記載の方法。
- 研磨剤スラリーが、更にアミノ酸、アミノ酸塩、カルボン酸、カルボン酸塩、並びにこれらの酸及びこれらの塩のうちの少なくとも一つを含む混合物から選択される研磨共促進剤を含有する請求項6又は7記載の方法。
- アミノ酸が、グリシン、クレアチン、又はアラニンである請求項8記載の方法。
- カルボン酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ヘキサン酸、マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、又はシュウ酸である請求項8記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW088110096A TW486514B (en) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing |
TW88110096 | 1999-06-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001015463A JP2001015463A (ja) | 2001-01-19 |
JP4850994B2 true JP4850994B2 (ja) | 2012-01-11 |
Family
ID=21641145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000110937A Expired - Lifetime JP4850994B2 (ja) | 1999-06-16 | 2000-04-12 | 研磨組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6508952B1 (ja) |
JP (1) | JP4850994B2 (ja) |
TW (1) | TW486514B (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW486514B (en) * | 1999-06-16 | 2002-05-11 | Eternal Chemical Co Ltd | Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing |
TW501197B (en) | 1999-08-17 | 2002-09-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Polishing compound for chemical mechanical polishing and method for polishing substrate |
US6313038B1 (en) * | 2000-04-26 | 2001-11-06 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling chemical interactions during planarization of microelectronic substrates |
JP4009986B2 (ja) * | 2000-11-29 | 2007-11-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、およびそれを用いてメモリーハードディスクを研磨する研磨方法 |
US6896776B2 (en) * | 2000-12-18 | 2005-05-24 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for electro-chemical processing |
US20060169597A1 (en) * | 2001-03-14 | 2006-08-03 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US7232514B2 (en) | 2001-03-14 | 2007-06-19 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US6899804B2 (en) * | 2001-12-21 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing |
US7323416B2 (en) * | 2001-03-14 | 2008-01-29 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US6811680B2 (en) * | 2001-03-14 | 2004-11-02 | Applied Materials Inc. | Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing |
US7582564B2 (en) * | 2001-03-14 | 2009-09-01 | Applied Materials, Inc. | Process and composition for conductive material removal by electrochemical mechanical polishing |
US7160432B2 (en) | 2001-03-14 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US20070295611A1 (en) * | 2001-12-21 | 2007-12-27 | Liu Feng Q | Method and composition for polishing a substrate |
GB2393186B (en) * | 2002-07-31 | 2006-02-22 | Kao Corp | Polishing composition |
US20040216388A1 (en) * | 2003-03-17 | 2004-11-04 | Sharad Mathur | Slurry compositions for use in a chemical-mechanical planarization process |
US7390429B2 (en) * | 2003-06-06 | 2008-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for electrochemical mechanical polishing processing |
JP4202201B2 (ja) * | 2003-07-03 | 2008-12-24 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
US20050092620A1 (en) * | 2003-10-01 | 2005-05-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for polishing a substrate |
US20060021974A1 (en) * | 2004-01-29 | 2006-02-02 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US7390744B2 (en) * | 2004-01-29 | 2008-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US7087564B2 (en) * | 2004-03-05 | 2006-08-08 | Air Liquide America, L.P. | Acidic chemistry for post-CMP cleaning |
JP2006100799A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-04-13 | Sumco Corp | シリコンウェーハの製造方法 |
JP2006080388A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Nitta Haas Inc | 金属研磨用組成物 |
US7084064B2 (en) * | 2004-09-14 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Full sequence metal and barrier layer electrochemical mechanical processing |
US6997785B1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-02-14 | 3M Innovative Properties Company | Wafer planarization composition and method of use |
TW200727356A (en) * | 2005-01-28 | 2007-07-16 | Applied Materials Inc | Tungsten electroprocessing |
US20060169674A1 (en) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Daxin Mao | Method and composition for polishing a substrate |
US20060219663A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Applied Materials, Inc. | Metal CMP process on one or more polishing stations using slurries with oxidizers |
US20060249395A1 (en) * | 2005-05-05 | 2006-11-09 | Applied Material, Inc. | Process and composition for electrochemical mechanical polishing |
US20060249394A1 (en) * | 2005-05-05 | 2006-11-09 | Applied Materials, Inc. | Process and composition for electrochemical mechanical polishing |
WO2006133249A2 (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Advanced Technology Materials, Inc. | Integrated chemical mechanical polishing composition and process for single platen processing |
US20060283093A1 (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Ivan Petrovic | Planarization composition |
WO2007047454A2 (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Applied Materials, Inc. | Process and composition for electrochemical mechanical polishing |
US20070254485A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Daxin Mao | Abrasive composition for electrochemical mechanical polishing |
WO2009046311A2 (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Composite slurries of nano silicon carbide and alumina |
US8916061B2 (en) * | 2012-03-14 | 2014-12-23 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP compositions selective for oxide and nitride with high removal rate and low defectivity |
CN110047976B (zh) * | 2019-04-30 | 2020-11-06 | 吉林建筑大学 | 一种日盲紫外光敏晶体管的制备方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB844290A (en) * | 1957-03-11 | 1960-08-10 | Felix Brannock Power | Improvements in and relating to hinges |
US5084071A (en) | 1989-03-07 | 1992-01-28 | International Business Machines Corporation | Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor |
US4959113C1 (en) | 1989-07-31 | 2001-03-13 | Rodel Inc | Method and composition for polishing metal surfaces |
US5114437A (en) | 1990-08-28 | 1992-05-19 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Polishing composition for metallic material |
JPH0781132B2 (ja) | 1990-08-29 | 1995-08-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨剤組成物 |
US5225034A (en) | 1992-06-04 | 1993-07-06 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing |
US5209816A (en) | 1992-06-04 | 1993-05-11 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing aluminum containing metal layers and slurry for chemical mechanical polishing |
US5391258A (en) | 1993-05-26 | 1995-02-21 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing |
US5340370A (en) | 1993-11-03 | 1994-08-23 | Intel Corporation | Slurries for chemical mechanical polishing |
JP3397501B2 (ja) * | 1994-07-12 | 2003-04-14 | 株式会社東芝 | 研磨剤および研磨方法 |
EP0792515A1 (en) | 1994-11-18 | 1997-09-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making a chemical-mechanical polishing slurry and the polishing slurry |
JPH09137155A (ja) * | 1995-11-16 | 1997-05-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 研磨用組成物および研磨方法 |
US5783489A (en) * | 1996-09-24 | 1998-07-21 | Cabot Corporation | Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing |
US6039891A (en) * | 1996-09-24 | 2000-03-21 | Cabot Corporation | Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing |
WO1998021289A1 (fr) * | 1996-11-14 | 1998-05-22 | Kao Corporation | Composition abrasive utilisee dans la fabrication de la base d'un support d'enregistrement magnetique, et procede de fabrication de cette base a l'aide de cette composition |
US5958288A (en) | 1996-11-26 | 1999-09-28 | Cabot Corporation | Composition and slurry useful for metal CMP |
US6068787A (en) | 1996-11-26 | 2000-05-30 | Cabot Corporation | Composition and slurry useful for metal CMP |
SG54606A1 (en) | 1996-12-05 | 1998-11-16 | Fujimi Inc | Polishing composition |
US6309560B1 (en) * | 1996-12-09 | 2001-10-30 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
US5759917A (en) * | 1996-12-30 | 1998-06-02 | Cabot Corporation | Composition for oxide CMP |
US6083419A (en) | 1997-07-28 | 2000-07-04 | Cabot Corporation | Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching |
JPH1180708A (ja) | 1997-09-09 | 1999-03-26 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
US5897375A (en) * | 1997-10-20 | 1999-04-27 | Motorola, Inc. | Chemical mechanical polishing (CMP) slurry for copper and method of use in integrated circuit manufacture |
US6063306A (en) * | 1998-06-26 | 2000-05-16 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate |
US6217416B1 (en) * | 1998-06-26 | 2001-04-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates |
TW486514B (en) * | 1999-06-16 | 2002-05-11 | Eternal Chemical Co Ltd | Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing |
TW499471B (en) * | 1999-09-01 | 2002-08-21 | Eternal Chemical Co Ltd | Chemical mechanical/abrasive composition for semiconductor processing |
-
1999
- 1999-06-16 TW TW088110096A patent/TW486514B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-12-08 US US09/457,243 patent/US6508952B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-04-12 JP JP2000110937A patent/JP4850994B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-10-28 US US10/281,502 patent/US20030064596A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6508952B1 (en) | 2003-01-21 |
TW486514B (en) | 2002-05-11 |
JP2001015463A (ja) | 2001-01-19 |
US20030064596A1 (en) | 2003-04-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060123 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060123 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060123 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070314 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100218 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100218 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100317 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100409 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100420 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100720 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100723 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110308 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110607 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110610 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110829 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111004 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111020 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141028 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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