KR100614567B1 - 반도체 처리에 사용하기 위한 화학-기계적 연마 조성물 - Google Patents
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- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Abstract
Description
Claims (15)
- 70-99.5 중량%의 수성 매체;0.1-25 중량%의 연마제; 및0.01-2 중량% 연마 강화제를 포함하며,상기 연마 강화제는 아인산을 포함하는 것을 특징으로 하는반도체 처리에 사용하기 위한 화학-기계적 연마 슬러리.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 연마제는 SiO2, Al2O3, ZrO2, CeO2, SiC, Fe2O3, TiO2, Si3N4, 또는 이들의 혼합물로부터 선택되는화학-기계적 연마 슬러리.
- 제 1 항에 있어서,아미노산, 아미노산염, 카복실산, 카복실산염, 또는 이들 산과 염 중 어느 하나 이상의 혼합물로부터 선택된 연마 보조 강화제를 더 포함하는화학-기계적 연마 슬러리.
- 제 1 항에 있어서,상기 아미노산은 글리신, 크레아틴 또는 알라닌으로부터 선택되는화학-기계적 연마 슬러리.
- 제 4 항에 있어서,상기 카복실산은 포름산, 초산, 프로피온산, 낙산, 발레르산, 헥산산, 말론산, 글루타르산, 아디핀산, 구연산, 사과산, 주석산, 또는 수산으로부터 선택되는화학-기계적 연마 슬러리.
- 제 1 항에 있어서,트리아졸 화합물과 그 유도체 중 어느 하나 이상을 더 포함하는화학-기계적 연마 슬러리.
- 제 1 항에 있어서,산화제를 더 포함하는화학-기계적 연마 슬러리.
- 반도체 웨이퍼의 표면을 폴리싱하는 방법에 있어서,상기 방법은,상기 반도체 웨이퍼의 표면에 화학-기계적 연마 슬러리를 인가하는 단계를 포함하고,상기 슬러리는,70-99.5 중량%의 수성 매체;0.1-25 중량%의 연마제; 및아인산과 아인산염 중 어느 하나 이상을 포함하는, 0.01-2 중량%의 연마 강화제를 포함하는 반도체 웨이퍼 표면 폴리싱 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 연마제는 SiO2, Al2O3, ZrO2, CeO2, SiC, Fe 2O3, TiO2, Si3N4, 또는 이들의 혼합물로부터 선택되는반도체 웨이퍼 표면 폴리싱 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 연마 슬러리는 아미노산, 아미노산염, 카복실산, 카복실산염, 또는 이들 산과 염 중 어느 하나 이상의 혼합물로부터 선택된 연마 보조 강화제를 더 포함하는반도체 웨이퍼 표면 폴리싱 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 아미노산은 글리신, 크레아틴 또는 알라닌으로부터 선택되는반도체 웨이퍼 표면 폴리싱 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 카복실산은 포름산, 초산, 프로피온산, 낙산(butyric acid), 발레르산, 헥산산(hexanoic acid), 말론산(malonic acid), 글루타르산(glutaric acid), 아디핀산(adipic acid), 구연산(citric acid), 사과산(malic acid), 주석산(tartaric acid), 또는 수산(oxalic acid)으로부터 선택되는반도체 웨이퍼 표면 폴리싱 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 슬러리는 트리아졸 화합물과 그 유도체 중 어느 하나 이상을 더 포함하는반도체 웨이퍼 표면 폴리싱 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 슬러리는 산화제(oxidant)를 더 포함하는반도체 웨이퍼 표면 폴리싱 방법.
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