JP2003315980A - フォトマスクブランクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクブランクの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 効率的に膜応力の低減が可能であるフォトマ
スクブランクの製造方法等を提供する。 【解決手段】 透明基板上にマスクパターンを形成する
ための膜を少なくとも有するフォトマスクブランクの製
造方法において、前記マスクパターンを形成するための
膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガ
スを含有させてスパッタ成膜を行う成膜工程と、前記成
膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱する工程をと有
することを特徴とする。
スクブランクの製造方法等を提供する。 【解決手段】 透明基板上にマスクパターンを形成する
ための膜を少なくとも有するフォトマスクブランクの製
造方法において、前記マスクパターンを形成するための
膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガ
スを含有させてスパッタ成膜を行う成膜工程と、前記成
膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱する工程をと有
することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等の製
造におけるリソグラフィー工程で用いられるフォトマス
ク等のリソグラフィーマスクを製造するためのフォトマ
スクブランク等に関し、特にＫｒＦエキシマレーザ、Ａ
ｒＦエキシマレーザ、及びＦ2エキシマレーザに特に適
したハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びその
製造方法等に関する。
造におけるリソグラフィー工程で用いられるフォトマス
ク等のリソグラフィーマスクを製造するためのフォトマ
スクブランク等に関し、特にＫｒＦエキシマレーザ、Ａ
ｒＦエキシマレーザ、及びＦ2エキシマレーザに特に適
したハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びその
製造方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、フォトリソグラフイーに要求され
る二つの重要な特性である高解像度化と焦点深度の確保
は相反する関係にあり、露光装置のレンズの高ＮＡ化、
短波長化だけでは実用解像度を向上できないことが明ら
かにされた（月刊Semiconductor World 1990.12、応用
物理第６０巻第１１月号（１９９１）等）。
る二つの重要な特性である高解像度化と焦点深度の確保
は相反する関係にあり、露光装置のレンズの高ＮＡ化、
短波長化だけでは実用解像度を向上できないことが明ら
かにされた（月刊Semiconductor World 1990.12、応用
物理第６０巻第１１月号（１９９１）等）。
【０００３】このような状況下、次世代のフォトリソグ
ラフィー技術として位相シフトリソグラフィーが注目を
集めており、一部実用化されている。位相シフトリソグ
ラフィーは、光学系には変更を加えず、マスクだけの変
更で光リソグラフィーの解像度を向上させる方法であ
り、フォトマスクを透過する露光光間に位相差を与える
ことにより透過光相互の干渉を利用して解像度を飛躍的
に向上できるようにしたものである。位相シフトマスク
は、光強度情報と位相情報とを併有するマスクであり、
レベンソン（Levenson）型、補助パターン型、自己整合
型（エッジ強調型）などの各種タイプが知られている。
これらの位相シフトマスクは、光強度情報しか有しない
従来のフォトマスクに比べ、構成が複雑で製造にも高度
の技術を要する。
ラフィー技術として位相シフトリソグラフィーが注目を
集めており、一部実用化されている。位相シフトリソグ
ラフィーは、光学系には変更を加えず、マスクだけの変
更で光リソグラフィーの解像度を向上させる方法であ
り、フォトマスクを透過する露光光間に位相差を与える
ことにより透過光相互の干渉を利用して解像度を飛躍的
に向上できるようにしたものである。位相シフトマスク
は、光強度情報と位相情報とを併有するマスクであり、
レベンソン（Levenson）型、補助パターン型、自己整合
型（エッジ強調型）などの各種タイプが知られている。
これらの位相シフトマスクは、光強度情報しか有しない
従来のフォトマスクに比べ、構成が複雑で製造にも高度
の技術を要する。
【０００４】この位相シフトマスクの一つとして、いわ
ゆるハーフトーン型位相シフトマスクと称される位相シ
フトマスクが近年実用化されている。このハーフトーン
型の位相シフトマスクは、光半透過部が、露光光を実質
的に遮断する遮光機能と、光の位相をシフト（通常は反
転）させる位相シフト機能との二つの機能を兼ね備える
ことになるので、遮光膜パターンと位相シフト膜パター
ンを別々に形成する必要がなく、構成が単純で製造も容
易であるという特徴を有している。ハーフトーン位相シ
フトマスクにおいてはマスクパターンの加工をドライエ
ッチング工程により行っているが、遮光機能と位相シフ
ト機能を別々の層で実現する方法では、遮光機能を有す
る層と位相シフト機能を持つ層の両方について、良好な
パターン形状を得るための高度な制御が必要である。そ
れに対し、遮光機能と位相シフト機能を兼ね備えた単層
の光半透過部を構成することにより、単一のエッチング
工程を用いることができるので、マスクの製造工程を単
純化でき、容易に良好なパターン形状を得ることが可能
である。
ゆるハーフトーン型位相シフトマスクと称される位相シ
フトマスクが近年実用化されている。このハーフトーン
型の位相シフトマスクは、光半透過部が、露光光を実質
的に遮断する遮光機能と、光の位相をシフト（通常は反
転）させる位相シフト機能との二つの機能を兼ね備える
ことになるので、遮光膜パターンと位相シフト膜パター
ンを別々に形成する必要がなく、構成が単純で製造も容
易であるという特徴を有している。ハーフトーン位相シ
フトマスクにおいてはマスクパターンの加工をドライエ
ッチング工程により行っているが、遮光機能と位相シフ
ト機能を別々の層で実現する方法では、遮光機能を有す
る層と位相シフト機能を持つ層の両方について、良好な
パターン形状を得るための高度な制御が必要である。そ
れに対し、遮光機能と位相シフト機能を兼ね備えた単層
の光半透過部を構成することにより、単一のエッチング
工程を用いることができるので、マスクの製造工程を単
純化でき、容易に良好なパターン形状を得ることが可能
である。
【０００５】ハーフトーン型の位相シフトマスクは、図
１に示すように、透明基板１００上に形成するマスクパ
ターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させ
る光透過部（透明基板露出部）２００と、実質的に露光
に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部（遮光部
兼位相シフタ部）３００とで構成し（同図（ａ））、か
つ、この光半透過部を透過する光の位相をシフトさせ
て、光半透過部を透過した光の位相が光透過部を透過し
た光の位相に対して実質的に反転した関係になるように
することによって（同図（ｂ））、光半透過部と光透過
部との境界部近傍を通過し回折現象によって互いに相手
の領域に回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにし、
境界部における光強度をほぼゼロとし境界部のコントラ
ストすなわち解像度を向上させるものである（同図
（ｃ））。また、上述したハーフトーン型の位相シフト
マスクやブランクにおける光半透過部や光半透過膜（位
相シフト層）は、マスク製造工程における洗浄及びマス
ク使用時の洗浄等の前処理又は洗浄液として使用される
硫酸等の酸溶液に対する十分な耐久性、及びアンモニア
等のアルカリ溶液に対する十分な耐久性を有している必
要がある。そして、これらの要求される最適な特性を単
層の光半透過部で実現しうる位相シフトマスクに関し、
モリブデンシリサイド酸化窒化膜（特開平６−２１４７
９２号、特許第２８７８１４３号、特許第２９８９１５
６号）に関する提案が行われている。
１に示すように、透明基板１００上に形成するマスクパ
ターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させ
る光透過部（透明基板露出部）２００と、実質的に露光
に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部（遮光部
兼位相シフタ部）３００とで構成し（同図（ａ））、か
つ、この光半透過部を透過する光の位相をシフトさせ
て、光半透過部を透過した光の位相が光透過部を透過し
た光の位相に対して実質的に反転した関係になるように
することによって（同図（ｂ））、光半透過部と光透過
部との境界部近傍を通過し回折現象によって互いに相手
の領域に回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにし、
境界部における光強度をほぼゼロとし境界部のコントラ
ストすなわち解像度を向上させるものである（同図
（ｃ））。また、上述したハーフトーン型の位相シフト
マスクやブランクにおける光半透過部や光半透過膜（位
相シフト層）は、マスク製造工程における洗浄及びマス
ク使用時の洗浄等の前処理又は洗浄液として使用される
硫酸等の酸溶液に対する十分な耐久性、及びアンモニア
等のアルカリ溶液に対する十分な耐久性を有している必
要がある。そして、これらの要求される最適な特性を単
層の光半透過部で実現しうる位相シフトマスクに関し、
モリブデンシリサイド酸化窒化膜（特開平６−２１４７
９２号、特許第２８７８１４３号、特許第２９８９１５
６号）に関する提案が行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、露光に用い
るレーザの波長がｉ線（３６５ｎｍ）やＫｒＦエキシマ
レーザー（２４８ｎｍ）から、ＡｒＦエキシマレーザー
（１９３ｎｍ）へと短波長化するにつれて、同じ膜厚変
化量に対する位相角のずれが大きくなるため、露光の短
波長化に従って位相シフトマスクの酸溶液及びアルカリ
溶液に対する耐久性を向上させることが必要となる。ま
た、露光に用いるレーザーの波長が短波長化することに
より、レーザー光のエネルギーが大きくなるため、露光
による光半透過部のダメージが大きくなり、位相シフト
マスクに要求される使用寿命期間内に、設定した透過率
及び位相差にずれが生じてしまうという問題がある。一
方で、半導体回路等の微細化にともない、リソグラフィ
ーに用いる露光光源の短波長化、露光装置のレンズの高
ＮＡ化が進んでいるが、露光装置のレンズの高ＮＡ化と
焦点深度の確保は相反する関係にあり、焦点深度を確保
するため、フォトマスクに要求される平坦度はますます
厳しくなっており、近年においては０．３から０．５μ
ｍ以下が要求されている。フォトマスクの平坦度は透明
基板の曲げ強度や成膜前の基板の平坦度と回路パターン
等を形成する膜の内部応力に依存しており、これらのう
ちで特に回路パターンを形成する膜の内部応力が大きな
問題となってきている。このような状況のもと、位相シ
フトマスクの耐酸性、耐アルカリ性、及び耐エキシマレ
ーザー照射耐性を向上させるために、光半透過部の密度
を向上させたものについて、本願出願人による出願（特
願２００１−２４６０８０）がある。この出願には、光
半透過部の密度を向上させるために、光半透過部を構成
する膜をスパッタリングにより形成する際に用いるアル
ゴン及び反応性ガスを含む雰囲気の圧力を低くする方法
が開示されている。さらに、上記出願においては、スパ
ッタリングを行う雰囲気の圧力を小さくした場合、膜の
内部応力が増加するという事実に基づき、光半透過膜を
成膜後、熱処理を行うことにより光半透過膜の圧縮応力
を緩和する方法が開示されている。一方、上記出願で
は、所定の応力を得るために非常に高温の熱処理（例え
ば６００℃）が必要となる場合があり、さらに熱処理に
よって効率的に圧縮応力を緩和できる方法が要求されて
いた。
るレーザの波長がｉ線（３６５ｎｍ）やＫｒＦエキシマ
レーザー（２４８ｎｍ）から、ＡｒＦエキシマレーザー
（１９３ｎｍ）へと短波長化するにつれて、同じ膜厚変
化量に対する位相角のずれが大きくなるため、露光の短
波長化に従って位相シフトマスクの酸溶液及びアルカリ
溶液に対する耐久性を向上させることが必要となる。ま
た、露光に用いるレーザーの波長が短波長化することに
より、レーザー光のエネルギーが大きくなるため、露光
による光半透過部のダメージが大きくなり、位相シフト
マスクに要求される使用寿命期間内に、設定した透過率
及び位相差にずれが生じてしまうという問題がある。一
方で、半導体回路等の微細化にともない、リソグラフィ
ーに用いる露光光源の短波長化、露光装置のレンズの高
ＮＡ化が進んでいるが、露光装置のレンズの高ＮＡ化と
焦点深度の確保は相反する関係にあり、焦点深度を確保
するため、フォトマスクに要求される平坦度はますます
厳しくなっており、近年においては０．３から０．５μ
ｍ以下が要求されている。フォトマスクの平坦度は透明
基板の曲げ強度や成膜前の基板の平坦度と回路パターン
等を形成する膜の内部応力に依存しており、これらのう
ちで特に回路パターンを形成する膜の内部応力が大きな
問題となってきている。このような状況のもと、位相シ
フトマスクの耐酸性、耐アルカリ性、及び耐エキシマレ
ーザー照射耐性を向上させるために、光半透過部の密度
を向上させたものについて、本願出願人による出願（特
願２００１−２４６０８０）がある。この出願には、光
半透過部の密度を向上させるために、光半透過部を構成
する膜をスパッタリングにより形成する際に用いるアル
ゴン及び反応性ガスを含む雰囲気の圧力を低くする方法
が開示されている。さらに、上記出願においては、スパ
ッタリングを行う雰囲気の圧力を小さくした場合、膜の
内部応力が増加するという事実に基づき、光半透過膜を
成膜後、熱処理を行うことにより光半透過膜の圧縮応力
を緩和する方法が開示されている。一方、上記出願で
は、所定の応力を得るために非常に高温の熱処理（例え
ば６００℃）が必要となる場合があり、さらに熱処理に
よって効率的に圧縮応力を緩和できる方法が要求されて
いた。
【０００７】本発明は上述した問題点にかんがみてなさ
れたものであり、パターンを形成する薄膜の応力を効果
的に低減することができる方法を提供することを目的と
する。
れたものであり、パターンを形成する薄膜の応力を効果
的に低減することができる方法を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は以下の構成を有
する。 （構成１） 透明基板上にマスクパターンを形成するた
めの膜を少なくとも有するフォトマスクブランクの製造
方法において、前記方法は、前記マスクパターンを形成
するための膜の少なくとも一層を、スパッタリング雰囲
気中に少なくともヘリウムガスを含有させてスパッタ成
膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透
明基板を加熱する工程とを有することを特徴とするフォ
トマスクブランクの製造方法。 （構成２） 前記成膜工程において、前記マスクパター
ンを形成するための膜を、スパッタリングガスとしてア
ルゴンとヘリウムとの混合ガスを用いてスパッタ成膜を
行うことを特徴とする構成１に記載のフォトマスクブラ
ンクの製造方法。 （構成３） 前記フォトマスクブランクがハーフトーン
型位相シフトマスクブランクであり、前記マスクパター
ンを形成するための膜が、露光光に対して所定の透過率
を有しかつ透明基板に対し露光光の位相を所定量シフト
させる一層又は二層以上から構成される光半透過膜であ
ることを特徴とする構成１又は２に記載のフォトマスク
ブランクの製造方法。 （構成４） 前記光半透過膜が、シリコン及び窒素及び
／又は酸素、又は金属、シリコン、及び窒素及び／又は
酸素を含む材料からなる膜を含むことを特徴とする構成
１〜３から選ばれる一に記載のフォトマスクブランクの
製造方法。 （構成５） 前記透明基板を加熱する工程における加熱
処理温度が、１８０℃以上であることを特徴とする構成
１〜４から選ばれる一に記載のフォトマスクブランクの
製造方法。 （構成６） 構成１〜５に記載のフォトマスクブランク
を用いて製造したことを特徴とするフォトマスク。
する。 （構成１） 透明基板上にマスクパターンを形成するた
めの膜を少なくとも有するフォトマスクブランクの製造
方法において、前記方法は、前記マスクパターンを形成
するための膜の少なくとも一層を、スパッタリング雰囲
気中に少なくともヘリウムガスを含有させてスパッタ成
膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透
明基板を加熱する工程とを有することを特徴とするフォ
トマスクブランクの製造方法。 （構成２） 前記成膜工程において、前記マスクパター
ンを形成するための膜を、スパッタリングガスとしてア
ルゴンとヘリウムとの混合ガスを用いてスパッタ成膜を
行うことを特徴とする構成１に記載のフォトマスクブラ
ンクの製造方法。 （構成３） 前記フォトマスクブランクがハーフトーン
型位相シフトマスクブランクであり、前記マスクパター
ンを形成するための膜が、露光光に対して所定の透過率
を有しかつ透明基板に対し露光光の位相を所定量シフト
させる一層又は二層以上から構成される光半透過膜であ
ることを特徴とする構成１又は２に記載のフォトマスク
ブランクの製造方法。 （構成４） 前記光半透過膜が、シリコン及び窒素及び
／又は酸素、又は金属、シリコン、及び窒素及び／又は
酸素を含む材料からなる膜を含むことを特徴とする構成
１〜３から選ばれる一に記載のフォトマスクブランクの
製造方法。 （構成５） 前記透明基板を加熱する工程における加熱
処理温度が、１８０℃以上であることを特徴とする構成
１〜４から選ばれる一に記載のフォトマスクブランクの
製造方法。 （構成６） 構成１〜５に記載のフォトマスクブランク
を用いて製造したことを特徴とするフォトマスク。
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。本発明
は、透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を
少なくとも有するフォトマスクブランクの製造方法にお
いて、前記方法は、前記マスクパターンを形成するため
の膜の少なくとも一層を、スパッタリング雰囲気中に少
なくともヘリウムガスを含有させてスパッタ成膜を行う
成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を
加熱する工程とを有することを特徴とするものである
（構成１）。本発明は、本発明者らの実験により、従来
スパッタリングガスとして、アルゴンを用いていたのに
対し、アルゴンの一部または全部をヘリウムで置き換え
ることによって、従来のアルゴンを用いた場合に比べて
圧縮応力が低減されたことにより達成されたものであ
る。また、成膜の間又は後に熱処理を行うことによっ
て、さらに効果的に圧縮応力が低減されることがわかっ
た。これは、あらかじめ、揮発し易いヘリウムを膜中に
存在させ、熱処理によりヘリウムが揮発することによっ
て膜中の圧縮応力が緩和する方向へ働くためと推測され
る。
は、透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を
少なくとも有するフォトマスクブランクの製造方法にお
いて、前記方法は、前記マスクパターンを形成するため
の膜の少なくとも一層を、スパッタリング雰囲気中に少
なくともヘリウムガスを含有させてスパッタ成膜を行う
成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を
加熱する工程とを有することを特徴とするものである
（構成１）。本発明は、本発明者らの実験により、従来
スパッタリングガスとして、アルゴンを用いていたのに
対し、アルゴンの一部または全部をヘリウムで置き換え
ることによって、従来のアルゴンを用いた場合に比べて
圧縮応力が低減されたことにより達成されたものであ
る。また、成膜の間又は後に熱処理を行うことによっ
て、さらに効果的に圧縮応力が低減されることがわかっ
た。これは、あらかじめ、揮発し易いヘリウムを膜中に
存在させ、熱処理によりヘリウムが揮発することによっ
て膜中の圧縮応力が緩和する方向へ働くためと推測され
る。
【００１０】本発明において、好ましいスパッタリング
圧力は、０．２０〜０．４０パスカルが好ましく、さら
に好ましくは０．２３〜０．３５パスカル、最も好まし
くは０．２５〜０．３１パスカルである。スパッタリン
グ雰囲気の圧力が上記範囲のような低圧であると、光半
透過膜の密度を向上させ膜を緻密化できる。薄膜の緻密
化は、酸やアルカリに対する耐薬性や耐光性・耐エキシ
マレーザー照射耐性を向上させる効果があり、さらに微
細パターンにおけるパターン精度も向上する。なお、上
記範囲を下回ると、膜の内部応力が熱処理によって改善
することができない程大きくなってしまう恐れがあると
ともに、成膜の安定性に影響を与える恐れがある。本発
明においては、マスクパターンを形成するための膜に少
なくとも一層の圧縮応力的性質を有する膜を含む場合、
該圧縮応力的性質を有する膜の圧縮応力を低減すること
ができる。なお、圧縮応力的性質とは、スパッタガスと
してＡｒのみを用いた場合に示す応力が圧縮応力である
こととする。なお、後述するように透明基板上にマスク
パターンを形成するための圧縮応力的性質を示す膜が多
層構造である場合は、少なくとも一層を上記スパッタリ
ング圧力範囲でスパッタリングすることが好ましく、全
ての膜について上記スパッタリング圧力範囲でスパッタ
リングすることがより好ましい。
圧力は、０．２０〜０．４０パスカルが好ましく、さら
に好ましくは０．２３〜０．３５パスカル、最も好まし
くは０．２５〜０．３１パスカルである。スパッタリン
グ雰囲気の圧力が上記範囲のような低圧であると、光半
透過膜の密度を向上させ膜を緻密化できる。薄膜の緻密
化は、酸やアルカリに対する耐薬性や耐光性・耐エキシ
マレーザー照射耐性を向上させる効果があり、さらに微
細パターンにおけるパターン精度も向上する。なお、上
記範囲を下回ると、膜の内部応力が熱処理によって改善
することができない程大きくなってしまう恐れがあると
ともに、成膜の安定性に影響を与える恐れがある。本発
明においては、マスクパターンを形成するための膜に少
なくとも一層の圧縮応力的性質を有する膜を含む場合、
該圧縮応力的性質を有する膜の圧縮応力を低減すること
ができる。なお、圧縮応力的性質とは、スパッタガスと
してＡｒのみを用いた場合に示す応力が圧縮応力である
こととする。なお、後述するように透明基板上にマスク
パターンを形成するための圧縮応力的性質を示す膜が多
層構造である場合は、少なくとも一層を上記スパッタリ
ング圧力範囲でスパッタリングすることが好ましく、全
ての膜について上記スパッタリング圧力範囲でスパッタ
リングすることがより好ましい。
【００１１】本発明において、スパッタリング雰囲気中
の好ましいスパッタリングガスは、アルゴン等の不活性
ガスとヘリウムとの混合ガスである。なお、アルゴンに
替えて他の不活性ガスを用いることが可能であり、アル
ゴンとヘリウムとの混合ガスに他の不活性ガスを添加す
ることが可能である。スパッタリング雰囲気中に窒素や
酸素などの反応性ガスを添加して反応性スパッタリング
を行う際の好ましいスパッタリングガス含有量は、Ｈｅ
については、２５〜３４％である。下限を外れると応力
低減効果が小さくなり、上限を超えるとスパッタレート
が低下して生産性が低下する。Ａｒについては、５〜１
５％である。下限を外れると光学特性が極端に不安定と
なり、上限を超えるとスパッタレートが低下して生産性
が低下する。
の好ましいスパッタリングガスは、アルゴン等の不活性
ガスとヘリウムとの混合ガスである。なお、アルゴンに
替えて他の不活性ガスを用いることが可能であり、アル
ゴンとヘリウムとの混合ガスに他の不活性ガスを添加す
ることが可能である。スパッタリング雰囲気中に窒素や
酸素などの反応性ガスを添加して反応性スパッタリング
を行う際の好ましいスパッタリングガス含有量は、Ｈｅ
については、２５〜３４％である。下限を外れると応力
低減効果が小さくなり、上限を超えるとスパッタレート
が低下して生産性が低下する。Ａｒについては、５〜１
５％である。下限を外れると光学特性が極端に不安定と
なり、上限を超えるとスパッタレートが低下して生産性
が低下する。
【００１２】本発明において、透明基板上にマスクパタ
ーンを形成するための膜としては、例えば、ハーフトー
ン型位相シフトマスクにおける光半透過膜や、フォトマ
スクにおける遮光膜等が挙げられる。ここで、ハーフト
ーン型位相シフトマスクにおける光半透過膜としては、
単層構造の光半透過膜や、例えば低透過率層と高透過率
層とを２層又はそれ以上積層し位相角及び透過率が所望
の値となるように設計された多層構造の光半透過膜が含
まれる。単層構造の光半透過膜としては、金属とシリコ
ン（ケイ素）に酸素及び／又は窒素を含む材料、又はこ
れらに炭素及び／又はフッ素及び／又は水素を含む材
料、酸化クロム、フッ化クロム等が挙げられるが、金
属、シリコン、及び、窒素及び／又は酸素から実質的に
なるものが好ましい。ここでいう金属としては、チタ
ン、バナジウム、ニオブ、モリブデン、タンタル、タン
グステンのうちから選ばれる一以上の金属等が挙げられ
る。通常よく用いられる金属はモリブデンであるが、モ
リブデンは上記金属の中で特に、透過率の制御性とター
ゲット密度において優れている。チタン、バナジウム、
ニオブはアルカリ溶液に対する耐久性に優れているが、
ターゲット密度においてモリブデンに若干劣っている。
タンタルはアルカリ溶液に対する耐久性及びターゲット
密度において優れているが、透過率の制御性においてモ
リブデンに若干劣っている。タングステンはモリブデン
とよく似た性質を持っているが、スパッタリング時の放
電特性においてモリブデンより若干劣っている。多層構
造の光半透過膜としては、高透過率層として、シリコ
ン、及び、窒素及び／又は酸素から実質的になる高透過
率層、又は、金属（上記単層構造の光半透過膜における
金属と同様）、シリコン、及び、窒素及び／又は酸素か
ら実質的になる高透過率層等を用い、低透過率層とし
て、クロム、モリブデン、タンタル、チタン、タングス
テン、ハフニウム、ジルコニウム等の一種又は二種以上
の合金からなる金属膜、又はこれらの金属又は合金の酸
化物、窒化物、酸窒化物、シリサイド等を用いたものが
好ましい。フォトマスクにおける遮光膜としては、クロ
ム又はクロムに酸素、窒素、炭素等を含むクロム化合
物、その他のクロム化合物等からなる単層又は多層構造
の遮光膜が挙げられる。本発明において、透明基板上に
マスクパターンを形成するための膜が多層構造である場
合は、少なくとも圧縮応力的性質を示す膜について、ス
パッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有
させてスパッタ成膜を行うことが好ましい。なお、シリ
コン及び窒素及び／又は酸素、あるいは金属、シリコン
及び／又は窒素又は酸素を含む材料からなる膜は、通常
圧縮応力的性質を有する。
ーンを形成するための膜としては、例えば、ハーフトー
ン型位相シフトマスクにおける光半透過膜や、フォトマ
スクにおける遮光膜等が挙げられる。ここで、ハーフト
ーン型位相シフトマスクにおける光半透過膜としては、
単層構造の光半透過膜や、例えば低透過率層と高透過率
層とを２層又はそれ以上積層し位相角及び透過率が所望
の値となるように設計された多層構造の光半透過膜が含
まれる。単層構造の光半透過膜としては、金属とシリコ
ン（ケイ素）に酸素及び／又は窒素を含む材料、又はこ
れらに炭素及び／又はフッ素及び／又は水素を含む材
料、酸化クロム、フッ化クロム等が挙げられるが、金
属、シリコン、及び、窒素及び／又は酸素から実質的に
なるものが好ましい。ここでいう金属としては、チタ
ン、バナジウム、ニオブ、モリブデン、タンタル、タン
グステンのうちから選ばれる一以上の金属等が挙げられ
る。通常よく用いられる金属はモリブデンであるが、モ
リブデンは上記金属の中で特に、透過率の制御性とター
ゲット密度において優れている。チタン、バナジウム、
ニオブはアルカリ溶液に対する耐久性に優れているが、
ターゲット密度においてモリブデンに若干劣っている。
タンタルはアルカリ溶液に対する耐久性及びターゲット
密度において優れているが、透過率の制御性においてモ
リブデンに若干劣っている。タングステンはモリブデン
とよく似た性質を持っているが、スパッタリング時の放
電特性においてモリブデンより若干劣っている。多層構
造の光半透過膜としては、高透過率層として、シリコ
ン、及び、窒素及び／又は酸素から実質的になる高透過
率層、又は、金属（上記単層構造の光半透過膜における
金属と同様）、シリコン、及び、窒素及び／又は酸素か
ら実質的になる高透過率層等を用い、低透過率層とし
て、クロム、モリブデン、タンタル、チタン、タングス
テン、ハフニウム、ジルコニウム等の一種又は二種以上
の合金からなる金属膜、又はこれらの金属又は合金の酸
化物、窒化物、酸窒化物、シリサイド等を用いたものが
好ましい。フォトマスクにおける遮光膜としては、クロ
ム又はクロムに酸素、窒素、炭素等を含むクロム化合
物、その他のクロム化合物等からなる単層又は多層構造
の遮光膜が挙げられる。本発明において、透明基板上に
マスクパターンを形成するための膜が多層構造である場
合は、少なくとも圧縮応力的性質を示す膜について、ス
パッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有
させてスパッタ成膜を行うことが好ましい。なお、シリ
コン及び窒素及び／又は酸素、あるいは金属、シリコン
及び／又は窒素又は酸素を含む材料からなる膜は、通常
圧縮応力的性質を有する。
【００１３】本発明において、成膜工程の間又は後に透
明基板を加熱する工程における熱処理温度は、膜中のヘ
リウムを効果的に揮発させ膜中の圧縮応力を効果的に緩
和させる観点から、１８０℃以上が好ましく、２００℃
以上、３００℃以上、４００℃以上がより好ましい。但
し、高温になると、熱処理装置内における熱の到達時間
がかかることや、装置の管理がより難しくなることか
ら、実用的には５００℃以下が好ましい。なお、熱処理
する雰囲気は、大気、あるいは窒素、アルゴン等の不活
性ガスを用いることができる。なお、大気のような酸素
を含むガスの場合は、熱処理によって光半透過膜の特性
が若干変化してしまう場合があるので、光半透過膜の成
膜時にその変化分を考慮して成膜することが好ましい。
熱処理による膜特性の変化を避けたい場合には、不活性
ガス雰囲気で熱処理を行うことが好ましく、特に高温
（例えば３８０℃以上）の熱処理の場合は、膜特性の変
化量も大きいため、不活性ガス雰囲気中で熱処理を行う
ことが望ましい。
明基板を加熱する工程における熱処理温度は、膜中のヘ
リウムを効果的に揮発させ膜中の圧縮応力を効果的に緩
和させる観点から、１８０℃以上が好ましく、２００℃
以上、３００℃以上、４００℃以上がより好ましい。但
し、高温になると、熱処理装置内における熱の到達時間
がかかることや、装置の管理がより難しくなることか
ら、実用的には５００℃以下が好ましい。なお、熱処理
する雰囲気は、大気、あるいは窒素、アルゴン等の不活
性ガスを用いることができる。なお、大気のような酸素
を含むガスの場合は、熱処理によって光半透過膜の特性
が若干変化してしまう場合があるので、光半透過膜の成
膜時にその変化分を考慮して成膜することが好ましい。
熱処理による膜特性の変化を避けたい場合には、不活性
ガス雰囲気で熱処理を行うことが好ましく、特に高温
（例えば３８０℃以上）の熱処理の場合は、膜特性の変
化量も大きいため、不活性ガス雰囲気中で熱処理を行う
ことが望ましい。
【００１４】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明す
る。 （実施例１）本実施例では、スパッタリングガスとし
て、ヘリウムを用いたときの効果及び成膜後の熱処理の
効果について説明する。図２に示すようなＤＣマグネト
ロンスパッタリング装置を用いて、透明基板上に、モリ
ブデンとシリコンと窒素から実質的になる単層の光半透
過膜を成膜し、ハーフトーン型位相シフトマスクブラン
クスを作製した。このＤＣマグネトロンスパッタ装置は
真空槽１を有しており、この真空槽１の内部にマグネト
ロンカソード２及び基板ホルダ３が配置されている。マ
グネトロンカソード２にはバッキングプレート４に接着
されたスパッタリングターゲット５が装着されている。
バッキングプレート４は水冷機構により直接または間接
的に冷却されている。マグネトロンカソード２とバッキ
ングプレート４及びスバッタリングターゲット５は電気
的に結合されている。基板ホルダ３には透明基板６が装
着されている。真空槽１は排気口７を介して真空ポンプ
により排気されている。真空槽内の雰囲気が形成する膜
の特性に影響しない真空度まで達した後、ガス導入口８
から窒素を含む混合ガスを導入し、ＤＣ電源９を用いて
マグネトロンカソード２に負電圧を加え、スパッタリン
グを行う。真空槽１内部の圧力は圧力計１０によって測
定されている。モリブデンシリサイドターゲット（Ｍ
ｏ：Ｓｉ＝２０：８０）を用いて、スパッタリングガス
としてＡｒ、Ｎ2及びＨｅの混合ガスを流量が、Ａｒ：
１０ｓｃｃｍ、Ｎ2：８０ｓｃｃｍとし、Ｈｅ：０、
９、１８、３６、５４、６９ｓｃｃｍの６条件とした光
半透過膜（位相角：１８２〜１８４°、透過率５〜６
％）を形成した位相シフトマスクブランクに対し、成膜
後熱処理無し、２００℃熱処理後、及び４００℃熱処理
を行い、光半透過膜の内部応力を評価した。光半透過膜
の内部応力の評価は、光半透過膜形成前後における透明
基板の平坦度変化量を測定することで行った。平坦度
は、合成石英基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５
ｍｍ）の基板の端３ｍｍを除外した１４６ｍｍ角の範囲
について測定し、基板の平均面から最高低と最低点にお
ける高さの差で定義した。透明基板の平坦度は、干渉計
（ＴＲＯＰＥＬ社製：ＦｌａｔＭａｓｔｅｒ２００）を
用いて測定した。成膜後熱処理無し、２００℃熱処理
後、及び４００℃熱処理を行った各ブランクに対し、ス
パッタリングガスのＨｅ導入量と平坦度変化量の関係を
図３に示す。なお、図３における平坦度変化量はプラス
の変化量、即ち圧縮応力を示すものである。図３から明
らかなように、スパッタリングガスにＨｅを導入するこ
とによって平坦度変化量が低減される傾向があることが
判り、さらに熱処理を行うことによって、さらに平坦度
変化量を低減することができることから、光半透過膜の
圧縮応力が低減できたことが示されている。
る。 （実施例１）本実施例では、スパッタリングガスとし
て、ヘリウムを用いたときの効果及び成膜後の熱処理の
効果について説明する。図２に示すようなＤＣマグネト
ロンスパッタリング装置を用いて、透明基板上に、モリ
ブデンとシリコンと窒素から実質的になる単層の光半透
過膜を成膜し、ハーフトーン型位相シフトマスクブラン
クスを作製した。このＤＣマグネトロンスパッタ装置は
真空槽１を有しており、この真空槽１の内部にマグネト
ロンカソード２及び基板ホルダ３が配置されている。マ
グネトロンカソード２にはバッキングプレート４に接着
されたスパッタリングターゲット５が装着されている。
バッキングプレート４は水冷機構により直接または間接
的に冷却されている。マグネトロンカソード２とバッキ
ングプレート４及びスバッタリングターゲット５は電気
的に結合されている。基板ホルダ３には透明基板６が装
着されている。真空槽１は排気口７を介して真空ポンプ
により排気されている。真空槽内の雰囲気が形成する膜
の特性に影響しない真空度まで達した後、ガス導入口８
から窒素を含む混合ガスを導入し、ＤＣ電源９を用いて
マグネトロンカソード２に負電圧を加え、スパッタリン
グを行う。真空槽１内部の圧力は圧力計１０によって測
定されている。モリブデンシリサイドターゲット（Ｍ
ｏ：Ｓｉ＝２０：８０）を用いて、スパッタリングガス
としてＡｒ、Ｎ2及びＨｅの混合ガスを流量が、Ａｒ：
１０ｓｃｃｍ、Ｎ2：８０ｓｃｃｍとし、Ｈｅ：０、
９、１８、３６、５４、６９ｓｃｃｍの６条件とした光
半透過膜（位相角：１８２〜１８４°、透過率５〜６
％）を形成した位相シフトマスクブランクに対し、成膜
後熱処理無し、２００℃熱処理後、及び４００℃熱処理
を行い、光半透過膜の内部応力を評価した。光半透過膜
の内部応力の評価は、光半透過膜形成前後における透明
基板の平坦度変化量を測定することで行った。平坦度
は、合成石英基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５
ｍｍ）の基板の端３ｍｍを除外した１４６ｍｍ角の範囲
について測定し、基板の平均面から最高低と最低点にお
ける高さの差で定義した。透明基板の平坦度は、干渉計
（ＴＲＯＰＥＬ社製：ＦｌａｔＭａｓｔｅｒ２００）を
用いて測定した。成膜後熱処理無し、２００℃熱処理
後、及び４００℃熱処理を行った各ブランクに対し、ス
パッタリングガスのＨｅ導入量と平坦度変化量の関係を
図３に示す。なお、図３における平坦度変化量はプラス
の変化量、即ち圧縮応力を示すものである。図３から明
らかなように、スパッタリングガスにＨｅを導入するこ
とによって平坦度変化量が低減される傾向があることが
判り、さらに熱処理を行うことによって、さらに平坦度
変化量を低減することができることから、光半透過膜の
圧縮応力が低減できたことが示されている。
【００１５】（実施例２）本実施例では、モリブデンと
シリコンと窒素から実質的になる単層の光半透過膜を有
するＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）用ハーフトー
ン型位相シフトマスクブランクを製造した例について説
明する。実施例１の同様のスパッタリング装置を用い
て、スパッタリングターゲットとしてＭｏ：Ｓｉ＝２
０：８０、スパッタリングガスにアルゴンと窒素とヘリ
ウム（ガス流量：Ａｒ＝１０ｓｃｃｍ、Ｎ2＝８０ｓｃ
ｃｍ、Ｈｅ＝４０ｓｃｃｍ）を用い、成膜圧力０．２８
Ｐａ、として光半透過膜の位相角がほぼ１８０°となる
ように調整して光半透過膜の成膜を行った。その際の平
坦度は１．３μｍであった。その後、熱処理装置を用い
て２５０℃にて３０分間熱処理を行った。得られたハー
フトーン型位相シフトマスクブランクは、露光光に対す
る透過率が６％、位相角はほぼ１８０°であり、平坦度
は、０．６μｍであり、要求値を満足するものであっ
た。また、耐薬性（耐酸性、耐アルカリ性、耐機能水
性）、耐光性（耐ＫｒＦエキシマレーザ）ともに要求値
をほぼ満足した。
シリコンと窒素から実質的になる単層の光半透過膜を有
するＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）用ハーフトー
ン型位相シフトマスクブランクを製造した例について説
明する。実施例１の同様のスパッタリング装置を用い
て、スパッタリングターゲットとしてＭｏ：Ｓｉ＝２
０：８０、スパッタリングガスにアルゴンと窒素とヘリ
ウム（ガス流量：Ａｒ＝１０ｓｃｃｍ、Ｎ2＝８０ｓｃ
ｃｍ、Ｈｅ＝４０ｓｃｃｍ）を用い、成膜圧力０．２８
Ｐａ、として光半透過膜の位相角がほぼ１８０°となる
ように調整して光半透過膜の成膜を行った。その際の平
坦度は１．３μｍであった。その後、熱処理装置を用い
て２５０℃にて３０分間熱処理を行った。得られたハー
フトーン型位相シフトマスクブランクは、露光光に対す
る透過率が６％、位相角はほぼ１８０°であり、平坦度
は、０．６μｍであり、要求値を満足するものであっ
た。また、耐薬性（耐酸性、耐アルカリ性、耐機能水
性）、耐光性（耐ＫｒＦエキシマレーザ）ともに要求値
をほぼ満足した。
【００１６】（実施例３）本実施例では、モリブデンと
シリコンと窒素から実質的になる単層の光半透過膜を有
するＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）用ハーフトー
ン型位相シフトマスクブランクを製造した例について説
明する。実施例１の同様のスパッタリング装置を用い
て、スパッタリングターゲットとしてＭｏ：Ｓｉ＝１
０：９０、スパッタリングガスにアルゴンと窒素とヘリ
ウム（ガス流量：Ａｒ＝１０ｓｃｃｍ、Ｎ2＝８０ｓｃ
ｃｍ、Ｈｅ＝４０ｓｃｃｍ）を用い、成膜圧力０．２５
Ｐａ、として光半透過膜の位相角がほぼ１８０°となる
ように調整して光半透過膜の成膜を行った。その際の平
坦度は１．３μｍであった。その後、熱処理装置を用い
て２５０℃にて３０分間熱処理を行った。得られたハー
フトーン型位相シフトマスクブランクは、露光光に対す
る透過率が６％、位相角はほぼ１８０°であり、平坦度
は、０．６μｍであり、要求値を満足するものであっ
た。また、耐薬性（耐酸性、耐アルカリ性、耐機能水
性）、耐光性（耐ＡｒＦエキシマレーザ）ともに要求値
をほぼ満足した。
シリコンと窒素から実質的になる単層の光半透過膜を有
するＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）用ハーフトー
ン型位相シフトマスクブランクを製造した例について説
明する。実施例１の同様のスパッタリング装置を用い
て、スパッタリングターゲットとしてＭｏ：Ｓｉ＝１
０：９０、スパッタリングガスにアルゴンと窒素とヘリ
ウム（ガス流量：Ａｒ＝１０ｓｃｃｍ、Ｎ2＝８０ｓｃ
ｃｍ、Ｈｅ＝４０ｓｃｃｍ）を用い、成膜圧力０．２５
Ｐａ、として光半透過膜の位相角がほぼ１８０°となる
ように調整して光半透過膜の成膜を行った。その際の平
坦度は１．３μｍであった。その後、熱処理装置を用い
て２５０℃にて３０分間熱処理を行った。得られたハー
フトーン型位相シフトマスクブランクは、露光光に対す
る透過率が６％、位相角はほぼ１８０°であり、平坦度
は、０．６μｍであり、要求値を満足するものであっ
た。また、耐薬性（耐酸性、耐アルカリ性、耐機能水
性）、耐光性（耐ＡｒＦエキシマレーザ）ともに要求値
をほぼ満足した。
【００１７】（実施例４）実施例２及び３の位相シフト
マスクブランクの光半透過膜上に、レジスト膜（ベーク
温度：ＡｒＦ用１９０℃、ＫｒＦ用１８０℃）を形成
し、パターン露光、現像によりレジストパターンを形成
した。次いで、エッチング（ＣＦ4＋Ｏ2ガスによるドラ
イエッチング）により、露出部分を除去し、光半透過膜
のパターン（ホール、ドット等）即ち光半透過部を得
た。レジスト剥離後、１００℃の９８％硫酸（Ｈ2Ｓ
Ｏ4）に１５分間浸漬して硫酸洗浄し、純水等でリンス
して、ＡｒＦエキシマレーザ−用の位相シフトマスク、
及び、ＫｒＦエキシマレーザー用の位相シフトマスクを
得た。
マスクブランクの光半透過膜上に、レジスト膜（ベーク
温度：ＡｒＦ用１９０℃、ＫｒＦ用１８０℃）を形成
し、パターン露光、現像によりレジストパターンを形成
した。次いで、エッチング（ＣＦ4＋Ｏ2ガスによるドラ
イエッチング）により、露出部分を除去し、光半透過膜
のパターン（ホール、ドット等）即ち光半透過部を得
た。レジスト剥離後、１００℃の９８％硫酸（Ｈ2Ｓ
Ｏ4）に１５分間浸漬して硫酸洗浄し、純水等でリンス
して、ＡｒＦエキシマレーザ−用の位相シフトマスク、
及び、ＫｒＦエキシマレーザー用の位相シフトマスクを
得た。
【００１８】以上好ましい実施例をあげて本発明を説明
したが、本発明は上記実施例に限定されるものではな
い。
したが、本発明は上記実施例に限定されるものではな
い。
【００１９】例えば、単層の光半透過膜を有するハーフ
トーン型位相シフトマスクやブランクに限らず、多層構
造の光半透過膜を有するハーフトーン型位相シフトマス
クやブランク、あるいは、単層又は多層の遮光膜を有す
るフォトマスクやフォトマスクブランクについても、本
発明を適用できる。なお、単層の光半透過部又は光半透
過膜からなるＦ2エキシマレーザー（１５７ｎｍ）用の
ハーフトーン型位相シフトマスクやブランクにおいても
本発明を適用することができ、さらにスパッタリングの
際の反応性ガスとして酸素ガスを用い、例えば、ＭｏＳ
ｉＯ、ＭｏＳｉＯＮ、ＮｉＳｉＯＮ、ＰｄＳｉＯＮ、Ｓ
ｉＯＮ、ＳｉＯなどのシリコンと酸素を含む膜を含む単
層又は多層構造の光半透過部や光半透過膜等を形成する
際にも本発明を適用することができる。
トーン型位相シフトマスクやブランクに限らず、多層構
造の光半透過膜を有するハーフトーン型位相シフトマス
クやブランク、あるいは、単層又は多層の遮光膜を有す
るフォトマスクやフォトマスクブランクについても、本
発明を適用できる。なお、単層の光半透過部又は光半透
過膜からなるＦ2エキシマレーザー（１５７ｎｍ）用の
ハーフトーン型位相シフトマスクやブランクにおいても
本発明を適用することができ、さらにスパッタリングの
際の反応性ガスとして酸素ガスを用い、例えば、ＭｏＳ
ｉＯ、ＭｏＳｉＯＮ、ＮｉＳｉＯＮ、ＰｄＳｉＯＮ、Ｓ
ｉＯＮ、ＳｉＯなどのシリコンと酸素を含む膜を含む単
層又は多層構造の光半透過部や光半透過膜等を形成する
際にも本発明を適用することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
パッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有
させてスパッタ成膜を行い、かつ、前記成膜の間又は後
に透明基板（スパッタ成膜された薄膜）を加熱すること
によって、効率的に膜応力の低減が可能である。
パッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有
させてスパッタ成膜を行い、かつ、前記成膜の間又は後
に透明基板（スパッタ成膜された薄膜）を加熱すること
によって、効率的に膜応力の低減が可能である。
【図１】ハーフトーン型位相シフトマスクの転写原理を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図２】実施例で使用したＤＣマグネトロンスパッタリ
ング装置の模式図である。
ング装置の模式図である。
【図３】Ｈｅ導入量と平坦度変化量の関係を示す図であ
る。
る。
１００ 透明基板
２００ 光透過部
３００ 光半透過部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 石原 重徳
東京都新宿区中落合２丁目７番５号 ホー
ヤ株式会社内
Ｆターム(参考） 2H095 BA01 BB03 BB25 BB38
4K029 AA09 AA24 BA58 BB02 BC07
BD00 CA06 DA08 EA08
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基板上にマスクパターンを形成する
ための膜を少なくとも有するフォトマスクブランクの製
造方法において、 前記方法は、前記マスクパターンを形成するための膜の
少なくとも一層を、スパッタリング雰囲気中に少なくと
もヘリウムガスを含有させてスパッタ成膜を行う成膜工
程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱す
る工程とを有することを特徴とするフォトマスクブラン
クの製造方法。 - 【請求項２】 前記成膜工程において、前記マスクパタ
ーンを形成するための膜を、スパッタリングガスとして
アルゴンとヘリウムとの混合ガスを用いてスパッタ成膜
を行うことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク
ブランクの製造方法。 - 【請求項３】 前記フォトマスクブランクがハーフトー
ン型位相シフトマスクブランクであり、前記マスクパタ
ーンを形成するための膜が、露光光に対して所定の透過
率を有しかつ透明基板に対し露光光の位相を所定量シフ
トさせる一層又は二層以上から構成される光半透過膜で
あることを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマ
スクブランクの製造方法。 - 【請求項４】 前記光半透過膜が、シリコン及び窒素及
び／又は酸素、又は金属、シリコン、及び窒素及び／又
は酸素を含む材料からなる膜を含むことを特徴とする請
求項１〜３から選ばれる一項に記載のフォトマスクブラ
ンクの製造方法。 - 【請求項５】 前記透明基板を加熱する工程における加
熱処理温度が、１８０℃以上であることを特徴とする請
求項１〜４から選ばれる一項に記載のフォトマスクブラ
ンクの製造方法。 - 【請求項６】 請求項１〜５に記載のフォトマスクブラ
ンクを用いて製造したことを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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