JP2015067884A - マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
本発明は、転写用マスクブランクの製造方法に関し、反応性スパッタリングで薄膜を形成する工程に特徴を有している。
本製造方法は、真空チャンバーに備えられたターゲットから基板の被成膜面に向けてスパッタリング粒子を飛翔させて薄膜を形成する工程を有している。
本発明は、その薄膜を形成する工程において、スパッタリングターゲットは金属シリサイドを含む焼結体からなり、スパッタリングガスに含まれる希ガス成分がネオン、ヘリウム、または、ネオン及びヘリウムの混合ガスであることを特徴としている。
【選択図】なし
Description
しかしながら、焼結法も万能ではない。互いに複数の物質を含み、それらが互いに化学的に安定な状態にある粉末を加圧焼結しても、粉末の粒子間に界面が形成されるからである。
粉末粒子間の界面は脆点であるため、スパッタリング時に高エネルギーな荷電粒子が衝突すると、その衝撃によって比較的大きな粒子がターゲットから脱落することがある。比較的大きな粒子は、被成膜面上に付着すると異物になる。マスクブランクは、半導体等の表面に微細なパターンを形成するための基板であることから、細かな異物の付着も許容できない。このため、ターゲットに起因する異物の発生を抑制するための技術が検討されている。
特許文献1では、化学量論的に安定な金属シリサイドの粉末とシリコンの粉末を混合焼結してシリコンリッチな金属シリサイドからなるターゲットを製作する際に、金属シリサイドとシリコンの平均粒径と粒度分布及び焼結後のターゲットの表面粗さを調整することで、ターゲットを最も異物の発生しにくい状態にしている。
特許文献2に記載の技術は、ターゲット表面の硬度を高くし、ターゲットから材料そのものが脱落しないようにした技術である。
また、反応性スパッタリングで薄膜を形成する場合、ターゲットは、表面付近が反応性ガスと反応して変性することがある。希ガスのイオンである荷電粒子が変性した表面に強く衝突すれば、ターゲット表面から変性した物質は脱落する。
そこで本発明は、異物による欠陥が少なく、薄膜の品質安定性に優れたマスクブランクを製造可能なマスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法を提供することを、主たる目的とする。
(構成1)
本発明は、転写用マスクブランクの製造方法に関し、スパッタリング法で薄膜を形成する工程に特徴を有している。
薄膜を形成する工程では、真空チャンバー内に備えられたターゲットから基板の被成膜面に向けてスパッタされた粒子(スパッタリング粒子)を飛翔(飛来)させてスパッタリングによる成膜を行う。
本発明の構成は、ターゲットが金属シリサイドを含む焼結体からなり、スパッタリングガス(スパッタ雰囲気ガス)に含まれる希ガス成分が、ネオン、ヘリウム、または、ネオン及びヘリウムの混合ガス、であることを特徴とする。本発明では、アルゴン、クリプトン、キセノンなどアルゴンよりも分子量の大きい希ガス成分はスパッタリングガスに含まない。
本発明の構成では、荷電粒子の陽イオン化前の物質としてヘリウム及び/またはネオンからなる希ガスを採用している。ヘリウムやネオンは軽量な元素であるため、陽イオン化された荷電粒子が、ターゲットに衝突しても加えるエネルギーが少ない。脆性な金属シリサイド系の焼結ターゲットの場合でも、ターゲットに対して過多な衝撃を与えることがないので、スパッタリング粒子を飛翔させつつ、ターゲット材の剥離を抑制することができる。
また、本発明の構成によると、スパッタリング時に荷電粒子がターゲットに加わえる衝撃が少ないので、飛翔する粒子もクラスター状になりにくい。飛翔する粒子がクラスター状にならないので、基板上に形成する薄膜が緻密になるという効果も有している。さらに、飛翔する粒子がクラスター状にならないので、基板付近に存在する反応性ガスと飛翔粒子が容易に反応する。
本発明は、金属とシリコンの割合が化学量論的に安定な金属シリサイド粉末と、ケイ素粉末の混合粉末からなる焼結ターゲットを使用したスパッタリングを実施するマスクブランクの製造方法に、好ましく適用することができる。
つまり、本発明は、化学量論よりもケイ素リッチな金属シリサイドの層やケイ素リッチな金属シリサイドの酸化物、窒化物等の化合物層を有するマスクブランクの製造方法に適している。
化学量論的に安定な金属シリサイドとケイ素の混合物は、高温焼結によっても両者の間に明確な粒界が形成されやすい。このようなターゲットを用いると、前述の粒界が起点となってケイ素からなる異物と金属シリサイドからなる異物がターゲット由来の異物となってマスクブランクの欠陥要因になりやすい。
本発明の方法によれば、荷電粒子の衝突によるターゲット表面の破壊を抑制できるので、前述のような焼結ターゲットを用いても、ターゲットに由来する異物欠陥が極めて少ないマスクブランクを製造することができる。
本発明の製造方法は、反応性スパッタリングによって薄膜を形成するマスクブランクの製造方法にも適している。
チャンバー内に希ガスと反応性ガスを導入する反応性スパッタリングは、ターゲット材料と反応性ガスの反応生成物を基板上に堆積することができるため、酸化物や窒化物等の薄膜を形成する際に有用な手法である。その一方、反応性ガスがターゲットに接触すると、ターゲット表面が反応性ガスと反応してしまい、組成変化を生じるという問題がある。ターゲットの表面と内部(バルク)で組成が異なると、その表面部分が剥離しやすくなり、異物の要因となる。
本構成によると、ターゲット表面に組成変化が生じやすい反応性スパッタリングを実施しても、ターゲット表面に衝突する荷電粒子が軽量であるため、ターゲット表面に与える衝撃が少ない。したがって、薄膜形成の段階でターゲット表面から組成変化したターゲット材料が剥離しにくいので、異物欠陥の少ないマスクブランクを製造することができる。
本製造方法は、希ガスにネオンが含まれていると好ましい。
希ガスがヘリウムのみで構成されていると、ターゲットに荷電粒子が衝突してもターゲットに加わるプラズマの運動エネルギーが低すぎるため、ターゲットからスパッタリング粒子が飛翔する効率が悪くなる。また、ヘリウムのみで構成されている場合、ヘリウムのイオン化に高いエネルギーが必要である。
ネオンはヘリウムよりも重くイオン化エネルギーが低く、ヘリウムよりも荷電粒子化しやすい特徴を有している。また、ネオンはヘリウムのおよそ5倍の重量であるため、スパッタリング粒子の飛翔に要する運動エネルギーを確保可能である。
本製造方法は、ターゲットがモリブデンシリサイドで構成されており、ターゲットにおけるケイ素の元素比率がモリブデン1に対して2よりも大きい場合にも好ましく適用することができる。
モリブデンシリサイドは、化学量論的に安定な元素比率はモリブデン:ケイ素=1:2である。化学量論比を超えるケイ素をモリブデンシリサイドの化合物の構造に導入することは難しく、ケイ素成分が多いモリブデンシリサイドのスパッタリングターゲットは、化学量論的に安定した構造を有するMoSi2の粉末とケイ素を過剰量にするためのケイ素粉末を混合焼結したものが用いられる。MoSi2とSiは結合できないため、両者の粒子間は融合できずに粒界ができる。MoSi2粉末のほかにSi粉末を混合した粉末を加圧焼結しても完全に一体化しにくいため、スパッタリング時に強い衝撃で荷電粒子が衝突すると、前述のような粒界がきっかけとなりターゲットから材料が離脱することがある。本発明によれば、モリブデン比率が安定的なモリブデンシリサイドの構成元素比よりもケイ素成分が多いシリコンリッチなモリブデンシリサイドターゲットを用いても、荷電粒子が軽量であるためターゲットには強く衝突しないので、ターゲット材料が剥離しにくい状態が保たれる。
本製造方法は、モリブデンシリサイドからなるターゲットに含まれるケイ素の元素比率が、モリブデン1に対して6以上25未満である場合にも好ましく適用することができる。
本明細書に記載する他の構成は、転写用マスクの製造方法である。
本構成は、構成1〜構成6のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクの前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とする
(形態1)
実施例で製造するマスクブランクは、モリブデンシリサイド化合物を含む遮光膜を有するバイナリマスクブランクである。
なお、実施例では、モリブデンシリサイドからなるターゲットを使用例にする例を示すが、本発明は他の遷移金属シリサイドの焼結体からなるターゲットにも適用することができる。他の遷移金属として、たとえば、タンタル、ハフニウム、タングステン、チタン、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ルテニウム及びロジウム等が挙げられる。
また、実施例では、モリブデンシリサイド系の2層構造の遮光膜を有するバイナリーマスクを例に挙げたが、金属シリサイド化合物を含む単層構造または3層以上の構造のものにも適用することができる。
実施例で製造するマスクブランクは、モリブデンシリサイド化合物を含む光半透過膜を有するハーフ型位相シフトマスクブランクである。
なお、実施例では、モリブデンシリサイドからなるターゲットを使用例にする例を示すが、本発明は他の遷移金属シリサイドの焼結体からなるターゲットにも適用することができる。他の遷移金属として、たとえば、タンタル、ハフニウム、タングステン、チタン、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ルテニウム及びロジウム等が挙げられる。
実施例で用いるスパッタリング装置は、下方に基板ホルダーが備えられており、真空チャンバー内の圧力を調整する排気手段も、真空チャンバーの下の方に備えられている。
排気手段が下方にあることで、下方にある被成膜基板の周辺雰囲気のガスをよりクリーンな状態にすることができる。被成膜基板周辺に希ガス元素が少なければ、スパッタリング粒子がその希ガス元素に衝突して散乱したり、衝突により減速したりする頻度が低減できるので、スパッタリング粒子が基板上に緻密な状態で堆積する。つまり、排気手段を下方に配置することにより、緻密な薄膜を形成することができる。
実施例で形成する層には反応性スパッタリングで成膜する層も含まれている。実施例では、反応性ガスとして酸素と窒素を用いている。反応性ガスとして、他のガスを使用することもできる。例えば、窒素のほか、酸素、NO2、NO、O2、CO、CO2、CH4等が挙げられる。これらの反応性ガスと例えばモリブデンシリサイド系ターゲットを用いることで、MoSiO、MoSiN、MoSiON、MoSiCO、MoSiCN、MoSiCONの組成を有する薄膜を成膜することができる。
薄膜の組成に含まれる元素比を変更することで、薄膜の消衰係数や屈折率が変化する。なお、薄膜の元素比は反応性ガス導入量を調整によって変更することができる。したがって、反応性スパッタリングを行うことで、用途に応じた消衰係数と屈折率の薄膜を形成することができる。
また、反応性ガスが希ガスよりも重く、排気手段に向く流れを作りやすいことから、反応性ガスが上方にあるターゲット側に流れ込みにくい。結果、ターゲット表面の組成変化が抑制される。したがって、薄膜形成の段階でターゲット表面から組成変化したターゲット材料が剥離しにくいので、より異物欠陥の少ないマスクブランクを製造することができる。
本製造方法は、被成膜面が上になるように基板を水平に設置し、前記基板と上下方向で完全に重ならずにターゲット表面が前記基板の被成膜面に向くようにターゲットが上部に傾斜した状態で設置している。
上下方向で重なり合う位置に基板とターゲットが位置していると、ターゲット表面上から発生した異物が基板表面に落下して定着しやすくなる。本構成によれば、ターゲット表面で発生した異物が基板上に落下しにくいため、より異物欠陥の少ないマスクブランクを製造することができる。
図1は、実施例の製造方法で用いるの反応性スパッタリング装置1の概略図である。
反応性スパッタリング装置1(以下スパッタ装置1)の大まかな構成は、真空チャンバー2と、ターゲット20を保持するターゲットホルダー24と、基板30を保持する基板ホルダー32と、チャンバー内の圧力を減圧する排気手段54と、真空チャンバー2内にスパッタリングガスを導入するスパッタリングガス供給源46である。各構成要素について順次説明する。
ターゲット20を保持するターゲットホルダー24は、DC電源26に接続している。DC電源26からターゲット20に電圧が印加されると、放電が開始し、ターゲット20から叩き出された粒子が基板に向けて飛翔する。
なお、本実施例では電源としてDC電源を用いたが、RF電源を用いてもよい。
また、ターゲット20とターゲットホルダー24の間のバッキングプレート22は、金属であり、ターゲット20をターゲットホルダー24に固定する役割を果たしている。
ターゲット24は、形成する薄膜に応じて材料が選択される。なお、後述の製造例では、モリブデンとシリコンからなるターゲットを使用しているが、これに限定されるものではない。
基板ホルダー32は基板保持面に基板30を固定する部材(図示せず)が設けられており、基板30が基板ホルダー32の保持面上から動かないようにしている。
基板ホルダー32は、軸材34を介して駆動機構36に接続している。
駆動機構は、基板ホルダー32の高さ調節と基板ホルダー32の水平回転を制御している。駆動機構36が高さ調節することで、スパッタリング中の基板30とターゲット20までの間隔を調整することができる。また、駆動機構36が基板ホルダー32を適切な速さで水平回転させることで、基板30上に成膜する薄膜の膜厚を均一化することができる。
なお、本実施例では、排気口50を一つ設けたものを例示したが、これ以外に他の排気手段を設けてもよい。
配管44はスパッタリングガス供給源46に接続している。スパッタリングガス供給源46は反応性ガスと希ガスのボンベを有している。また、図示はしないが、スパッタリングガスの供給経路には、反応性ガスと希ガスのそれぞれの流量を制御するフローコントローラーや、ガスの流通を切り替えるバルブ、その他、フィルターなどが備えられている。
また、実施例では1つのスパッタリングガスの導入系を設置した装置を示しているが、反応性ガスを導入する系と希ガスを導入する系の2か所のガス導入系であってもよい。
本実施例は、スパッタリング装置1を用いてモリブデンシリサイド系の2層構造の遮光膜を有するバイナリマスクブランクを製造した。
本実施例は、透光性基板としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、透光性基板上に、遮光膜として、窒化度の異なる2層の窒化モリブデンシリサイド層を形成した。
まず、スパッタリング装置のターゲットホルダーにMoとSiとの混合ターゲット(Mo:Si=13at%:87at%)を設置した。ターゲットは粒径が0.5μm以下のMoSi2粉末とSi粉末をMoSi2:Si=15:13の質量比で混合し圧縮焼結によって製造されたものである。
次に、透光性基板を基板ホルダーに設置した。
次に、スパッタリングガス導入口から希ガスであるネオン(Ne)を導入し、真空チャンバー内を希ガス雰囲気にした。そして、真空チャンバー内を高真空状態で安定化し、ターゲットのコンディショニングを行った後、反応性ガスである窒素(N2)を導入した。スパッタリングガスの導入比は、50:50とした。
スパッタリング条件は、真空チャンバー内の圧力を0.2Pa、DC電源の電力を5kWとして、膜厚47nmの窒化モリブデンシリサイド層(Mo:10at%、Si:66at%、N:24at%)を形成した。
次いで、1層目と同じターゲットを用いて2層目の窒化モリブデンシリサイド層を形成した。まず、NeとHeとの混合ガス(ガス流量比Ne:He=40:10)を真空チャンバー内に導入し、真空チャンバー内を希ガス雰囲気にした。そして、真空チャンバー内を高真空状態で安定化し、ターゲットのコンディショニングを行った後、窒素ガスを導入した。ガス流量比は、Ne:He:N2=40:10:50である。
その後、ターゲットに電力を印加して反応性スパッタリングを行った。スパッタリング条件は、真空チャンバー内の圧力を0.2Pa、DC電源の電力を5kWである。モリブデン、シリコン、窒素からなる膜(Mo:7.5at%、Si:50at%、N:42at%)を13nmの膜厚で形成した。
以上のようにして、厚さ60nmの2層構造の遮光膜を形成した。
本実施例は、スパッタリング装置1を用いてモリブデンシリサイド系の3層構造の遮光膜を有するバイナリマスクブランクを製造した。
本実施例は、透光性基板としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、透光性基板上に、遮光膜として、MoSiON膜(裏面反射防止層)、MoSi膜(遮光層)、MoSiON膜(表面反射防止層)、をそれぞれ形成した。
まず、スパッタリング装置のターゲットホルダーにMoとSiとの混合ターゲット(Mo:Si=21at%:79at%)を設置した。ターゲットは粒径が0.5μm以下のMoSi2粉末とSi粉末をおよそMoSi2:Si=3:1の質量比で混合し圧縮焼結によって製造されたものである。透光性基板を基板ホルダーに設置した。
次にスパッタリングガス導入口からネオン(Ne)とヘリウム(He)の混合ガス(ガス流量比 Ne:He=30:20)を導入し、真空チャンバー内を希ガス雰囲気にした。真空チャンバー内の圧力を0.2Paまで減圧した。
ターゲットのコンディショニング後、スパッタリングガス導入口から反応性ガスである酸素(O2)と窒素(N2)の混合ガス(O2:N2=4:46)を導入した。
その後、反応性スパッタリングを行い、裏面反射防止層を形成した。スパッタリング条件は、真空チャンバー内の圧力を0.2Pa、DC電源の電力を5kWとし、膜厚7nmのモリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜(Mo:12.9at%、Si:36.3at%、O:3.1at%、N:47.7at%)を形成した。
次いで、1層目と同じターゲットを用いて2層目の遮光層を形成した。
まず、Neを真空チャンバー内に導入し、チャンバー内をNeガスで置換し真空チャンバー内を希ガス雰囲気にした。そして、真空チャンバー内を高真空状態で安定化し、ターゲットのコンディショニングを行った後、スパッタリングにより遮光層を形成した。スパッタリング条件は、ガス圧を0.3Pa、DC電源の電力を4.0kWとし、膜厚30nmのモリブデン及びシリコンからなる膜(Mo:21.0at%、Si:79at%)を形成した。
次いで、1層目および2層目とは異なる真空チャンバー(仕様は1層目、2層目と同じ)にて3層目の表面反射防止層を形成した。
まず、ターゲットホルダーにMoとSiとの混合ターゲット(Mo:Si=4at%:96at%)を設置した。ターゲットは、ターゲットは粒径が0.5μm以下のMoSi2粉末とSi粉末をおよそMoSi2:Si=1:4の質量比で混合し圧縮焼結によって製造されたものである。
次に、2層目まで形成した基板を基板ホルダーに設置した。
次に、スパッタリングガス導入口から希ガスであるNeとHeの混合ガス(ガス流量比 Ne:He=40:10)を導入し、真空チャンバー内を希ガス雰囲気にした。そして、真空チャンバー内を高真空状態で安定化し、ターゲットのコンディショニングを行った後、スパッタリングガス導入口から反応性ガスであるO2とN2の混合ガス(ガス流量比 O2:N2=12:25)を導入した。
その後、反応性スパッタリングを行い、表面反射防止層を形成した。スパッタリング条件は、真空チャンバー内の圧力を0.1Pa、DC電源の電力を5kWとして、膜厚15nmのモリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜(Mo:1.6at%、Si:38.8at%、O:18.8at%、N:41.1at%)を形成した。
遮光膜の合計膜厚は52nmとした。遮光膜の光学濃度(OD)はArFエキシマレーザー露光光の波長193nmにおいて3.0であった。
本実施例は、スパッタリング装置1を用いてモリブデンシリサイド系の光半透過膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造した。
本実施例は、透光性基板としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、透光性基板上に、光半透過膜として、MoSiN膜を形成した。
次に、透光性基板を基板ホルダーに設置した。
次にスパッタリングガス導入口から希ガスであるネオン(Ne)を導入し、真空チャンバー内を希ガス雰囲気にしたあと、高真空状態で安定化し、ターゲットのコンディショニングを行った。
コンディショニング後、スパッタリングガス導入口から反応性ガスである窒素(N2)ガスを導入した。
その後、反応性スパッタリングを行い、裏面反射防止層を形成した。スパッタリング条件は、スパッタリングガスの流量比をNe:N2=51:49、真空チャンバー内の圧力を0.3Pa、DC電源の電力を5kWとし、位相差の設計値が180度で波長193nmのArFエキシマレーザーに対する透過率の設計値が6.0%の窒化モリブデンシリサイド膜を形成した。なお、膜厚は69nmとした。
実施例1において、ネオンをアルゴン(Ar)に変え、スパッタリング時にターゲットに加える電力を3.0kWとしたこと以外は、実施例1と同様の方法でマスクブランクを製造した。
実施例2において、ネオンとヘリウムをアルゴン(Ar)に変え、スパッタリング時にターゲットに加えるDC電源の電力を1層目が3.0kW、2層目が2.0kW、3層目が3.0kWとしたこと以外は、実施例2と同様の方法でマスクブランクを製造した。
実施例3において、スパッタリングガスの希ガス成分のネオンに変えてアルゴンとヘリウムの混合ガス(Ar:He=5:46)を導入し、DC電源の電力を3.0kWとしたほかは、実施例3と同様の方法でマスクブランクを製造した。
実施例1〜3及び比較例1〜3の製造方法により、それぞれ100枚の基板に薄膜を形成した。それらの基板について欠陥検査を行い、SEM−EDXを用いて0.2μm以上の大きさの異物についての元素分析を行った。実施例1〜3で製造したマスクブランクからは、ターゲット材料に由来するモリブデンやケイ素の特性X線のスペクトルが検出された異物が基板1枚当たりの平均でいずれも1.0個未満であった。一方、比較例1〜3の方法で製造したマスクブランクは、ターゲット材料に由来するモリブデンやケイ素の特性X線のスペクトルが検出された異物が基板1枚当たりの平均で2個以上であった。結果を表1に示す。
次に、実施例1〜3及び比較例1〜3の製造方法により、それぞれ100枚ずつマスクブランクを製造し、その後、用いたターゲットの表面粗さの状態を測定した。結果を表2に示す。表2において、○は表面粗さRaが0.5μm未満、△は表面粗さRaが0.5μm以上1μm未満、×は表面粗さRaが1μm以上のを示している。なお、いずれのターゲットも、使用前の表面粗さRaは約0.06μmであった。
また、実施例1〜3は、希ガスの成分がHeとNeであり、いずれのガスも反応性ガスのO2やN2よりも軽量である。したがって、上方に備えられたターゲットには、反応性ガスが接触しにくい。ターゲット表面が反応性ガスと反応しにくい状態であるため、ターゲット表面の組成変化を防止することができたものと考えられる。
また、比較例は、希ガスのアルゴンが反応性ガスよりも重いため、反応性ガスがチャンバーの上方に向けて拡散しやすくなる。比較例の製造方法では、反応性ガスとターゲット表面との反応が実施例に比べて起こりやすく、その結果、ターゲット表面の粗化の進行と異物の発生が生じたものと考えられる。
次に、実施例及び比較例で製造した位相シフトマスクブランクを用いてハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。
次に、上記レジストパターンをマスクとして、ハーフトーン型位相シフト膜のエッチングを行って位相シフトパターンを形成した。ドライエッチングガスとして、SF6とHeの混合ガスを用いた。
その後にレジストを剥離し、100℃98%硫酸に15分間浸漬して硫酸洗浄した後、純水等でリンスし、位相シフトマスクを製造した。
例えば、上記実施例では、真空チャンバーを1つ備えたスパッタリング装置を例として挙げたが、複数の真空チャンバーを備えたスパッタリング装置で行ってもよい。また、組成が同一のターゲットを用いる場合には同じターゲットを使用する例を記載したが、それぞれの層を別々のターゲットで形成することもできる。
また、薄膜の具体的な用途としては、例えば、ハーフトーン型位相シフトマスクの光半透過膜、バイナリーマスクの遮光膜、反射型マスクにおける反射膜、吸収体膜及び保護膜、エッチングストッパー層、ハードマスク(エッチングマスク層)、等、種々の用途が挙げられる。
20・・ターゲット
22・・バッキングプレート
24・・ターゲットホルダー
26・・DC電源
31・・シールド
32・・基板ホルダー
34・・軸材
40・・基板
42・・スパッタリングガス導入口
44・・配管
46・・スパッタリングガス供給源
50・・排気口
Claims (7)
- マスクブランクの製造方法であり、
真空チャンバーに備えられたターゲットから基板の被成膜面に向けてスパッタリング粒子を飛翔させて薄膜を形成する工程を有しており、
前記薄膜を形成する工程において、
ターゲットは金属シリサイドを含む焼結体からなり、
スパッタリングガスに含まれる希ガス成分がネオン、ヘリウム、または、ネオン及びヘリウムの混合ガスであることを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 前記ターゲットは、金属とシリコンの割合が化学量論的に安定な金属シリサイド粉末と、ケイ素粉末の混合粉末を焼結したターゲットであること、請求項1に記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜を形成する工程において、スパッタリングガスに反応性ガスが含まれることを特徴とする、請求項1または2に記載のマスクブランクの製造方法。
- 希ガスとして少なくともネオンが含まれている、請求項1〜3のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- ターゲットがモリブデンシリサイドであり、ターゲットにおけるケイ素の元素比率がモリブデン1に対して2よりも大きいことを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- ターゲットにおけるケイ素の元素比率がモリブデン1に対して6以上25以下であることを特徴とする請求項5に記載のマスクブランクの製造方法。
- 請求項1〜6のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクの前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とする、転写用マスクの製造方法。
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