JP2012203201A - 薄膜の成膜方法、マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 - Google Patents
薄膜の成膜方法、マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012203201A JP2012203201A JP2011067772A JP2011067772A JP2012203201A JP 2012203201 A JP2012203201 A JP 2012203201A JP 2011067772 A JP2011067772 A JP 2011067772A JP 2011067772 A JP2011067772 A JP 2011067772A JP 2012203201 A JP2012203201 A JP 2012203201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- sputtering
- thin film
- rotation axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 53
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 41
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 420
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 221
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 118
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 102
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims abstract description 90
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims abstract description 56
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 57
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 27
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 17
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 16
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 15
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 13
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- -1 osnium Chemical compound 0.000 claims description 13
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 30
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 17
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/225—Oblique incidence of vaporised material on substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/52—Reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【解決手段】基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法であって、スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを1軸の圧延方向に圧延したものであり、前記薄膜が、前記基板を被成膜面の中心を通る回転軸で回転させながら成膜され、前記スパッタリングターゲットのスパッタ面が、前記基板の被成膜面と対向し、かつ前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、前記基板の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、前記スパッタリングターゲットが、前記基板の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置される、成膜方法である。
【選択図】図1
Description
スパッタリングターゲットを用い、基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法であって、前記スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを1軸の圧延方向に圧延したものであり、前記薄膜が、前記基板を被成膜面の中心を通る回転軸で回転させながら成膜され、前記スパッタリングターゲットのスパッタ面が、前記基板の被成膜面と対向し、かつ前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、前記基板の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、前記スパッタリングターゲットが、前記基板の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置されることを特徴とする成膜方法である。
前記スパッタリングターゲットが、圧延可能な材料からなることを特徴とする構成1記載の成膜方法である。
前記金属が、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金及び金からなる群から選択される単体の元素又は前記群から選ばれる2以上の元素からなる合金であることを特徴とする、構成1又は2に記載の成膜方法である。
前記薄膜が、クリプトン、キセノン及びラドンから選ばれるいずれかの希ガスを含有するスパッタガス中で成膜されることを特徴とする構成1から3のいずれかに記載の成膜方法である。
前記薄膜が、前記スパッタリングターゲットに含有されている金属のほかに、酸素、窒素及び炭素から選ばれる少なくともいずれかを含有することを特徴とする、構成1から4のいずれかに記載の成膜方法である。
前記基板の回転軸と、前記ターゲットの中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とのオフセット距離が30〜40cmであり、前記所定の角度が、0°〜45°であることを特徴とする、構成1から5のいずれかに記載の成膜方法である。
前記基板が透光性材料からなり、前記基板の被成膜面である主表面上に、構成1から6のいずれかに記載の成膜方法を用いて転写パターンを形成するための薄膜を成膜することを特徴とする、マスクブランクの製造方法である。
前記薄膜が、露光光を遮光する遮光膜であり、前記基板が、合成石英ガラスからなることを特徴とする、構成7記載のマスクブランクの製造方法である。
前記基板が、主表面上に露光光を反射する多層反射膜を備え、前記基板の被成膜面である前記多層反射膜上に、構成1から6のいずれかに記載の成膜方法によって、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜を成膜することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法である。
前記基板が、低熱膨張ガラスからなることを特徴とする、構成9記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
本発明は、構成7又は8に記載のマスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクの前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とする、転写用マスクの製造方法である。
本発明は、構成9又は10に記載の反射型マスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクの前記吸収体膜をパターニングして吸収体パターンを形成することを特徴とする、反射型マスクの製造方法である。
本発明は、成膜室と前記成膜室内に設けられたスパッタリングターゲットとを少なくとも備え、基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成するための成膜装置であって、前記スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを1軸の圧延方向に圧延したものであり、前記成膜室内に、前記基板を載置し、前記被成膜面の中心を通る回転軸で回転させる回転台を備え、前記スパッタリングターゲットが、そのスパッタ面が、前記回転台と対向し、かつ前記基板が回転台に載置されたときに前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、前記回転台の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記回転台の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、前記スパッタリングターゲットが、前記回転台の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置されることを特徴とする成膜装置である。
本発明は、前記スパッタリングターゲットが、圧延可能な材料からなることを特徴とする構成13記載の成膜装置である。
前記金属が、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金及び金からなる群から選択される単体の元素又は前記群から選ばれる2以上の元素からなる合金であることを特徴とする、構成13又は14に記載の成膜装置である。
前記薄膜の成膜時、前記成膜室に、クリプトン、キセノン及びラドンから選ばれるいずれかの希ガスを含有するスパッタガスが供給されていることを特徴とする構成13から5のいずれかに記載の成膜装置である。
前記薄膜が、前記スパッタリングターゲットに含有されている金属のほかに、酸素、窒素及び炭素から選ばれる少なくともいずれかを含有することを特徴とする、構成13から16のいずれかに記載の成膜装置である。
前記基板の回転軸と、前記ターゲットの中心を通り前記基板の回転軸平行な直線とのオフセット距離が30〜40cmであり、前記ターゲット傾斜角が0°〜45°であることを特徴とする、構成13から17のいずれかに記載の成膜装置である。
(1)前記薄膜が遷移金属を含む材料からなる遮光膜であるバイナリマスクブランク
かかるバイナリマスクブランクは、透光性基板上に遮光膜を有する形態のものであり、この遮光膜は、クロム、タンタル、ルテニウム、タングステン、チタン、ハフニウム、モリブデン、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金、金等の金属単体あるいはその金属の化合物を含む材料からなる。特に、遮光膜をタンタル、タングステン、ハフニウム、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金若しくは金等の金属単体又はそれらの金属の化合物を含む材料で形成することが好ましい。例えば、タンタルに、酸素、窒素、ホウ素などの元素から選ばれる1種以上の元素を添加したタンタル化合物で構成した遮光膜が挙げられる。
かかるバイナリマスクブランクは、遮光膜を、遮光層と表面反射防止層の2層構造や、さらに遮光層と基板との間に裏面反射防止層を加えた3層構造としたものなどがある。
また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
かかる位相シフトマスクブランクとしては、透光性基板(ガラス基板)上に光半透過膜を有する形態のものであって、該光半透過膜をパターニングしてシフタ部を設けるタイプであるハーフトーン型位相シフトマスクが作製される。かかる位相シフトマスクにおいては、光半透過膜を透過した光に基づき転写領域に形成される光半透過膜パターンによる被転写基板のパターン不良を防止するために、透光性基板上に光半透過膜とその上の遮光膜(遮光帯)とを有する形態とするものが挙げられる。また、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクのほかに、透光性基板をエッチング等により掘り込んでシフタ部を設ける基板掘り込みタイプであるレベンソン型位相シフトマスク用やエンハンサー型位相シフトマスク用のマスクブランクが挙げられる。
また、光半透過膜上に遮光膜を有する形態の場合、上記光半透過膜の材料が遷移金属及びケイ素を含むので、遮光膜の材料としては、光半透過膜に対してエッチング選択性を有する(エッチング耐性を有する)特にクロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素を添加したクロム化合物で構成することが好ましい。
半透過膜の材料については、前記のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜と同様の材料が適用可能である。各元素の組成比や膜厚は、露光光に対して所定の透過率となるように調整される。遮光膜の材料についても、前記のバイナリマスクブランクの遮光膜が適用可能であるが、半透過膜との積層構造で、所定の遮光性能(光学濃度)となるように、遮光膜材料の組成や膜厚は調整される。
反射型マスクは、EUVリソグラフィに用いられるマスクである。反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成された構造を有する。露光機(パターン転写装置)に搭載された反射型マスクに入射した光(EUV光)は、吸収体膜のある部分では吸収され、吸収体膜のない部分では多層反射膜により反射された光像が反射光学系を通して半導体基板上に転写される。
実施例1−1並びに比較例1−1及び1−2として、上述のように、合成石英からなる基板31上にTa窒化層32及びTa酸化層33を形成した(実施例1−1の場合において、Ta窒化層32とTa酸化層33の各膜厚が前記の膜厚にほぼ等しくなる成膜時間を適用し、比較例1−1及び1−2も成膜した。)。その後、それぞれの基板6上のTa窒化層32及びTa酸化層33の膜厚及び光学濃度(OD)を測定した。具体的には、実施例1−1及び比較例1−1〜2では、所定の成膜後、それぞれの薄膜付基板6に対し、図5に示す黒点の基板6上の位置、すなわち位置(0,0)、(−33,33)及び(−66,66)の膜厚及び光学濃度を測定した。実施例1−1並びに比較例1−1及び1−2の実験条件及び測定結果のまとめを表1に示す。また、表2には各測定位置でのTa窒化層(TaN)及びTa酸化層(TaO)の膜厚及び光学濃度の測定値を示す。表中、「範囲」とは、最大値から最小値を差し引いた値であり、範囲の値が小さくなるほど膜厚の平面均一性が良好であることを示す。
実施例2−1及び比較例2−1〜3では、成膜中に基板6の回転を行わずに、上述のように合成石英からなる基板31上にTa窒化層32及びTa酸化層33の組み合わせを2回積層させて形成した。所定の成膜後、それぞれの薄膜付基板に対し、図5に示す基板6上の破線の円の位置、すなわち位置(−66,−66)、(0,−66)、(66,−66)、(−66,0)、(0,0)、(66,0)、(−66,66)、(0,66)及び(66,66)の9点の膜厚を測定した。表3に、実施例2−1及び比較例2−1〜3の実験条件を示す。さらに表3には、膜厚測定結果である基板周辺平均膜厚及び規格化基板周辺平均膜厚を示す。基板周辺平均膜厚とは、上記9点の膜厚測定点のうち、基板周辺部の測定点のみの平均、すなわち位置(0,0)を除く8点の測定点の平均である。規格化基板周辺平均膜厚とは、基板6の中心位置(0,0)の膜厚を1とした場合の各膜厚測定点での膜厚の割合(規格化膜厚という)についての、基板周辺部の8点の測定点の平均である。表4に、各膜厚測定点の測定値及び基板周辺平均膜厚を示す。また、表5に、各膜厚測定点の規格化膜厚及び規格化基板周辺平均膜厚を示す。
2 マグネトロンカソード
3 基板ホルダ(回転台)
4 バッキングプレート
5 スパッタリングターゲット
6 基板
7 排気口
8 ガス導入口
9 DC電源
10 圧力計
11 ロードロック室
12 バルブ
13 スパッタ室
14、17、18 バルブ
15 搬送室
16 アンロードロック室
19 ロボットアーム
30、30a 遮光膜
30b 遮光膜を除去した部分
31 ガラス基板
32 下層(Ta窒化層)
33 上層(Ta酸化層)
34 電子線レジスト
51 被成膜面
52 スパッタ面
53 スパッタリングターゲットの中心
54 スパッタリングターゲット中心軸
55 圧延方向
56 基板回転軸
57 スパッタ面の中心を通り基板の回転軸に対して平行な直線
58 基板の中心と、スパッタ面の中心とを通る直線
60 被成膜面に外接する最小の円
62 スパッタ面に外接する最小の円
θ ターゲット傾斜角
Claims (18)
- スパッタリングターゲットを用い、基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法であって、
前記スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを1軸の圧延方向に圧延したものであり、
前記薄膜が、前記基板を被成膜面の中心を通る回転軸で回転させながら成膜され、
前記スパッタリングターゲットのスパッタ面が、前記基板の被成膜面と対向し、かつ前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、
前記基板の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、
前記スパッタリングターゲットが、前記基板の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置されることを特徴とする成膜方法。 - 前記スパッタリングターゲットが、圧延可能な材料からなることを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
- 前記金属が、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金及び金からなる群から選択される単体の元素又は前記群から選ばれる2以上の元素からなる合金であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の成膜方法。
- 前記薄膜が、クリプトン、キセノン及びラドンから選ばれるいずれかの希ガスを含有するスパッタガス中で成膜されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記薄膜が、前記スパッタリングターゲットに含有されている金属のほかに、酸素、窒素及び炭素から選ばれる少なくともいずれかを含有することを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記基板の回転軸と、前記ターゲットの中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とのオフセット距離が30〜40cmであり、前記所定の角度が、0°〜45°であることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記基板が透光性材料からなり、前記基板の被成膜面である主表面上に、請求項1から6のいずれかに記載の成膜方法を用いて転写パターンを形成するための薄膜を成膜することを特徴とする、マスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜が、露光光を遮光する遮光膜であり、前記基板が、合成石英ガラスからなることを特徴とする、請求項7記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記基板が、主表面上に露光光を反射する多層反射膜を備え、前記基板の被成膜面である前記多層反射膜上に、請求項1から6のいずれかに記載の成膜方法によって、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜を成膜することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記基板が、低熱膨張ガラスからなることを特徴とする、請求項9記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 請求項7又は8に記載のマスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクの前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とする、転写用マスクの製造方法。
- 請求項9又は10に記載の反射型マスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクの前記吸収体膜をパターニングして吸収体パターンを形成することを特徴とする、反射型マスクの製造方法。
- 成膜室と前記成膜室内に設けられたスパッタリングターゲットとを少なくとも備え、基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成するための成膜装置であって、
前記スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを1軸の圧延方向に圧延したものであり、
前記成膜室内に、前記基板を載置し、前記被成膜面の中心を通る回転軸で回転させる回転台を備え、
前記スパッタリングターゲットが、そのスパッタ面が、前記回転台と対向し、かつ前記基板が回転台に載置されたときに前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、
前記回転台の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記回転台の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、
前記スパッタリングターゲットが、前記回転台の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置されることを特徴とする成膜装置。 - 前記スパッタリングターゲットが、圧延可能な材料からなることを特徴とする請求項13記載の成膜装置。
- 前記金属が、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金及び金からなる群から選択される単体の元素又は前記群から選ばれる2以上の元素からなる合金であることを特徴とする、請求項13又は14に記載の成膜装置。
- 前記薄膜の成膜時、前記成膜室に、クリプトン、キセノン及びラドンから選ばれるいずれかの希ガスを含有するスパッタガスが供給されていることを特徴とする請求項13から5のいずれかに記載の成膜装置。
- 前記薄膜が、前記スパッタリングターゲットに含有されている金属のほかに、酸素、窒素及び炭素から選ばれる少なくともいずれかを含有することを特徴とする、請求項13から16のいずれかに記載の成膜装置。
- 前記基板の回転軸と、前記ターゲットの中心を通り前記基板の回転軸平行な直線とのオフセット距離が30〜40cmであり、前記ターゲット傾斜角が0°〜45°であることを特徴とする、請求項13から17のいずれかに記載の成膜装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011067772A JP5616265B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 薄膜の成膜方法、マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 |
KR1020120029804A KR101826998B1 (ko) | 2011-03-25 | 2012-03-23 | 성막 방법, 마스크 블랭크의 제조 방법, 전사용 마스크의 제조 방법 및 성막 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011067772A JP5616265B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 薄膜の成膜方法、マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012203201A true JP2012203201A (ja) | 2012-10-22 |
JP5616265B2 JP5616265B2 (ja) | 2014-10-29 |
Family
ID=47184280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011067772A Active JP5616265B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 薄膜の成膜方法、マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5616265B2 (ja) |
KR (1) | KR101826998B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018235721A1 (ja) * | 2017-06-21 | 2018-12-27 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
JP7479884B2 (ja) | 2020-03-18 | 2024-05-09 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106637110B (zh) * | 2016-10-19 | 2018-11-13 | 中南大学 | 锇膜电阻型原子氧密度传感器芯片的制备方法 |
CN113789500B (zh) * | 2021-08-04 | 2023-07-25 | 湖北三峡职业技术学院 | 自动调整离子束溅射角和入射角的离子镀装置及方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0215167A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | マグネトロンスパッタリング用ターゲット |
JPH05214521A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-24 | Tosoh Corp | チタンスパッタリングターゲット |
JPH0925565A (ja) * | 1995-07-06 | 1997-01-28 | Japan Energy Corp | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JPH09272970A (ja) * | 1996-04-05 | 1997-10-21 | Japan Energy Corp | 高純度コバルトスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JPH10330923A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-15 | Japan Energy Corp | 高純度銅スパッタリングタ−ゲットおよび薄膜 |
JPH1180942A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-26 | Japan Energy Corp | Taスパッタターゲットとその製造方法及び組立体 |
JP2002090978A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-27 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置 |
JP2003013210A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲット及びその配置方法 |
JP2007113032A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Hitachi Metals Ltd | Ruスパッタリング用ターゲット材 |
JP2007113117A (ja) * | 2006-10-30 | 2007-05-10 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2007321238A (ja) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ装置およびスパッタ方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3979745B2 (ja) | 1999-04-09 | 2007-09-19 | 株式会社アルバック | 成膜装置、薄膜形成方法 |
SE529426C2 (sv) | 2006-03-21 | 2007-08-07 | Sandvik Intellectual Property | Apparat och metod för eggbeläggning i kontinuerlig deponeringslinje |
-
2011
- 2011-03-25 JP JP2011067772A patent/JP5616265B2/ja active Active
-
2012
- 2012-03-23 KR KR1020120029804A patent/KR101826998B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0215167A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | マグネトロンスパッタリング用ターゲット |
JPH05214521A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-24 | Tosoh Corp | チタンスパッタリングターゲット |
JPH0925565A (ja) * | 1995-07-06 | 1997-01-28 | Japan Energy Corp | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JPH09272970A (ja) * | 1996-04-05 | 1997-10-21 | Japan Energy Corp | 高純度コバルトスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JPH10330923A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-15 | Japan Energy Corp | 高純度銅スパッタリングタ−ゲットおよび薄膜 |
JPH1180942A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-26 | Japan Energy Corp | Taスパッタターゲットとその製造方法及び組立体 |
JP2002090978A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-27 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置 |
JP2003013210A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲット及びその配置方法 |
JP2007113032A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Hitachi Metals Ltd | Ruスパッタリング用ターゲット材 |
JP2007321238A (ja) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ装置およびスパッタ方法 |
JP2007113117A (ja) * | 2006-10-30 | 2007-05-10 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018235721A1 (ja) * | 2017-06-21 | 2018-12-27 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
KR20200018428A (ko) * | 2017-06-21 | 2020-02-19 | 호야 가부시키가이샤 | 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 그리고 반도체 장치의 제조 방법 |
JPWO2018235721A1 (ja) * | 2017-06-21 | 2020-04-23 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
JP7118962B2 (ja) | 2017-06-21 | 2022-08-16 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
US11454878B2 (en) | 2017-06-21 | 2022-09-27 | Hoya Corporation | Substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device |
KR102653352B1 (ko) | 2017-06-21 | 2024-04-02 | 호야 가부시키가이샤 | 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 그리고 반도체 장치의 제조 방법 |
JP7479884B2 (ja) | 2020-03-18 | 2024-05-09 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5616265B2 (ja) | 2014-10-29 |
KR20120109386A (ko) | 2012-10-08 |
KR101826998B1 (ko) | 2018-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI690769B (zh) | 光罩基底、相移光罩及半導體元件之製造方法 | |
JP6397068B2 (ja) | 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスクの製造方法、透過型マスクブランクの製造方法、透過型マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP5914035B2 (ja) | マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 | |
TWI530754B (zh) | 附導電膜之基板、附多層反射膜之基板、反射型光罩基底及反射型光罩、與半導體裝置之製造方法 | |
JP6470176B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、euvリソグラフィー用反射型マスクブランク、euvリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
JP5760990B2 (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクスの製造方法、および該マスクブランクス用の機能膜付基板の製造方法 | |
TWI526774B (zh) | Reflective mask substrate and manufacturing method thereof, manufacturing method of reflection type mask and semiconductor device | |
JP6100096B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク、これらの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 | |
TW200829710A (en) | Sputtering target used for production of reflective mask blank for EUV lithography | |
TW201514614A (zh) | 反射型光罩基底、反射型光罩基底之製造方法、反射型光罩及半導體裝置之製造方法 | |
JP5616265B2 (ja) | 薄膜の成膜方法、マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 | |
TW202121502A (zh) | 附多層反射膜之基板、反射型光罩基底及反射型光罩、以及半導體裝置之製造方法 | |
JP5916447B2 (ja) | マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 | |
TW201905580A (zh) | 附有多層反射膜之基板、反射型光罩基底及反射型光罩、及半導體裝置之製造方法 | |
EP3893052A1 (en) | Reflective mask blank, method of manufacturing thereof, and reflective mask | |
JP6173733B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスク及びこれらの製造方法 | |
TW202242535A (zh) | 反射型遮罩基底及反射型遮罩 | |
KR102688865B1 (ko) | 반사형 마스크 블랭크용 막 부가 기판, 반사형 마스크 블랭크, 및 반사형 마스크의 제조 방법 | |
JP2022135927A (ja) | 反射型マスクブランク及び反射型マスク | |
TW202240279A (zh) | 光罩基底、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法 | |
TW202115483A (zh) | 附薄膜之基板、附多層反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩及半導體裝置之製造方法 | |
KR20120092481A (ko) | 마스크 블랭크의 제조 방법과 마스크 블랭크 및 스퍼터링 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140701 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140723 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140902 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140911 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5616265 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |