JP6783551B2 - マスクブランクスの製造方法 - Google Patents
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Description
前記遮光膜と前記反射防止膜とを、Crを含んだ同一のターゲットによってスパッタリング法により成膜する遮光膜成膜工程と反射防止膜成膜工程とを有し、
これらの成膜工程において、
前記遮光膜成膜工程と前記反射防止膜成膜工程とが同一チャンバで連続しておこなわれるとともに、
これらの成膜工程において、
スパッタ粒子が前記透明基板の法線方向に対して斜め方向から入射するように、スパッタカソードが所定角度傾斜されており、
前記スパッタカソードには、DC電力およびRF電力が印加され、
前記遮光膜成膜工程におけるDC電力が1.0kW〜1.6kWの範囲に設定され、RF電力が、50W〜150Wの範囲に設定され、
前記遮光膜成膜工程における前記RF電力と前記DC電力との比が、
RF電力/DC電力 = 0.03〜0.1
の範囲に設定され、
前記反射防止膜成膜工程におけるDC電力が1.0kW〜1.6kWの範囲に設定され、RF電力が、50W〜150Wの範囲に設定され、
前記反射防止膜成膜工程における前記RF電力と前記DC電力との比が、
RF電力/DC電力 = 0.05〜0.15
の範囲に設定されていることにより上記課題を解決した。
本発明において、記遮光膜の成膜に先立って、前記ターゲットのクリーニング工程を有することがより好ましい。
また、本発明において、前記遮光膜成膜工程における設定圧力が0.060Pa〜0.070Paの範囲に設定され、前記反射防止膜成膜工程における設定圧力が0.10Pa〜0.30Paの範囲に設定され、
前記遮光膜成膜工程における設定圧力と前記反射防止膜成膜工程における設定圧力との比が、
遮光膜成膜工程設定圧力/反射防止膜成膜工程設定圧力 = 0.178〜0.473
の範囲に設定されている手段を採用することもできる。
また、前記ターゲット表面積と、前記透明基板表面積の比が、0.87〜1.25の範囲に設定されていることができる。
また、前記透明基板の法線方向に対して斜め方向から入射するスパッタ粒子の角度が22°〜30°の範囲に設定されていることが好ましい。
本発明においては、前記遮光膜成膜工程における雰囲気ガスが、Ar,N2,NOを含むものとされ、前記反射防止膜成膜工程における雰囲気ガスが、Ar,CH4,NOを含むものとされることができる。
本発明のマスクブランクスの製造方法は、前記透明基板に、位相シフト膜が設けられてなることができる。
前記遮光膜と前記反射防止膜とを、Crを含んだ同一のターゲットによってスパッタリング法により成膜する遮光膜成膜工程と反射防止膜成膜工程とを有し、
これらの成膜工程において、
前記遮光膜成膜工程と前記反射防止膜成膜工程とが同一チャンバで連続しておこなわれるとともに、
これらの成膜工程において、
スパッタ粒子が前記透明基板の法線方向に対して斜め方向から入射するように、スパッタカソードが所定角度傾斜されており、
前記スパッタカソードには、DC電力およびRF電力が重畳して印加されることにより、ターゲットのスパッタ面に付着した絶縁物がチャージアップされ、これがイオンや電子により絶縁破壊されることで異常放電が起こりやすくなってしまい、これに起因する膜中に異物が混入すること、表面の粗い膜になること、または、遮光膜あるいは反射防止膜の表面にパーティクルが付着することといった問題の発生を防止することができる。また、連続成膜時において、付着パーティクルが所定の値内に維持する、安定した品質を維持し、優れた欠陥品質の製品を量産することができる。また異常放電の防止、放電の安定化により、面内分布の良好な均一な膜を得ることができる。またプラズマ密度の向上により、緻密な膜を成膜でき、基板との良好な密着性をえることができる。さらには結晶サイズの微細化、表面を平滑にすることができ、微細パターンを形成するマスクブランクスに好適な膜特性を得ることができる。また低欠陥マスクブランクスが製造でき、緻密な膜特性を得ることができることから、従来よりも微細化に対応した微細パターンを転写するマスクブランクスの製造方法に利用することができ、例えばArF用マスクブランクスに利用することができる。
前記反射防止膜成膜工程における前記DC電力と前記RF電力との比が、0.05〜0.15の範囲に設定されていることにより、ターゲット表面の異常放電を抑制し、さらにRF電力増加に伴うターゲット近傍の着膜量の増加を抑え、ターゲット近傍にある防着板からのパーティクル発生を防止することで、遮光膜あるいは反射防止膜の表面におけるパーティクルの付着を防止することができる。また、連続成膜時において、付着パーティクルが所定内に維持して、優れた欠陥品質の製品を量産することができる。
図1は、本実施形態におけるマスクブランクスの製造方法における製造装置を示す断面図であり、図において、符号10は、製造装置(スパッタ装置)である。
極141、RF電源と可変電源からなる電源18等を制御する。コントローラ13は、真空チャンバ11外部に設置されている。
また、具体的には、これらの流量が、
遮光膜成膜工程
Ar:11〜14sccm
N2:7〜9sccm
NO:0.2〜0.3sccm
反射防止膜成膜工程
Ar:20〜50sccm(30〜48sccmがより好ましい。)
CH4:1.5〜3sccm
NO:15〜20sccm(18〜20sccmがより好ましい。)
とされている。
マスクブランクス1は、図2に示すように、透明基板2の上に、露光光を遮光する遮光膜3と、露光光の反射を防止する反射防止膜4とを具備する。
本実施形態にかかるマスクブランクス1の製造方法は、図3に示すように、以下の工程を有する。すなわち、クリーニング工程S01、準備工程S02、ガス設定工程S03、プラズマ準備工程S04、シャッタ開工程S05、遮光膜成膜工程S06、シャッタ閉工程S07、ガス設定工程S08、プラズマ準備工程S09、シャッタ開工程S10、反射防止膜成膜工程S11、シャッタ閉工程S12、後工程S13、の各工程である。
クリーニング工程S01においては、シャッタ機構16はターゲットを覆った状態で、ガス導入配管19を介してガス供給手段からArガスを供給して処理室Cを0.07Pa程度(0.01〜0.1Pa)にするとともに、電源18から1.0kW〜2.0kWのDC電力、50W〜150WのRF電力を供給して、ターゲットTのクリーニングをおこなう。この場合、電源18では可変電源からDC電力+RF電力が印加される。
図6は、本実施形態におけるマスクブランクスの製造方法において製造されるマスクブランクス1を示す模式断面図であり、本実施形態において、上述した第1実施形態と異なるのは、位相シフト膜5に関する点であり、これ以外の上述した第1実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施形態にかかるマスクブランクス1の製造方法は、シフト膜成膜工程を有することができる。
この後、必要であれば、エッチングストッパ層を成膜する。
ここでは、152mm角の透明基板2に対して、φ160mmのターゲットを用い、スパッタ粒子の角度βを22°とした。
また、測定波長248nm/193nmにて、光学濃度2.0±0.1、表面反射率,測定波長248nmにて、13〜17%狙いで成膜を実施した。
また、クリーニング工程、遮光膜成膜工程、反射防止膜成膜工程における条件を表1に示す。
ここで、DC成膜としたものは、反射率15.56%(248nm)、光学濃度は2.00(248nm)であった。
DC+RF成膜1としたものは、反射率15.85%(248nm)、光学濃度は1.98(248nm)であった。
DC+RF成膜2としたものは、反射率15.24%(248nm)、光学濃度は2.00(193nm)であった。
また、成膜枚数ごとの膜上における欠陥個数を図7に示す。
遮光膜成膜工程における雰囲気ガスをAr:11.2sccm/N2:8.2sccm/NO:0.2sccmに設定、
反射防止膜成膜工程における雰囲気ガスをAr:43sccm/Ar+CH4(30%):5sccm/NO:20sccmに設定し、実験例1の膜を得た。このときの圧力は、遮光膜0.066Paと反射防止膜0.24Paであった。
実験例1:反射率15.62%(248nm)の膜を得た。このときの面内分布は良好であった。また光学濃度は2.01(193nm)を得た。475nmの面内レンジ0.01であった。
遮光膜成膜工程における雰囲気ガスをAr:11.2sccm/N2:8.2sccm/NO:0.2sccmに設定、
反射防止膜成膜工程における雰囲気ガスをAr:36sccm/Ar+CH4(30%):5sccm/NO:20sccmに設定し、実験例2の膜を得た。このときの圧力は、遮光膜0.066Paと反射防止膜0.21Paであった。
実験例2:反射率15.43%(248nm)の膜を得た。このときの面内分布は良好であった。面内レンジは、実験例1と比較し、0.96倍であった。また光学濃度は2.01(248nm)を得た。475nmにおける面内レンジ0.02であった。
またオージェ電子分光にて、膜中の含有量を調べた。遮光膜中のN量:20〜30atom%、O量5〜15atom%の範囲にあった。反射防止膜中のC量が5〜15atom%の範囲にあった。
遮光膜成膜工程における雰囲気ガスをAr:11.2sccm/N2:8.2sccm/NO:0.2sccmに設定、
反射防止膜成膜工程における雰囲気ガスをAr:75sccm/NO:19sccmに設定し、実験例3の膜を得た。このときの圧力は、遮光膜0.066Paと反射防止膜0.37Paであった。
実験例3:反射率16.08%(248nm)の膜を得た。このときの面内分布は、面内レンジにて、実験例1と比較し、1.22倍と大きくなった。また光学濃度は2.00(248nm)を得た。475nmにおける面内レンジ0.01であった。
またオージェ電子分光にて、膜中の含有量を調べた。遮光膜中のN量:20〜30atom%、O量5〜15atom%の範囲にあった。反射防止膜中のC量が5atom%以下であった。
遮光膜成膜工程における雰囲気ガスをAr:8.3sccm/N2:8.2sccm/Ar+CH4(30%):4.1sccm/NO:0.2sccmに設定、
反射防止膜成膜工程における雰囲気ガスをAr:32sccm/Ar+CH4(30%):10/NO:20sccmに設定し、実験例4の膜を得た。このときの圧力は、遮光膜0.07Paと反射防止膜0.2Paであった。
実験例4:反射率15.64%(248nm)の膜を得た。このときの面内分布は良好であった。面内レンジは、実験例1と比較し、0.94倍であった。また光学濃度は1.99(248nm)を得た。475nmにおける面内Range0.01であった。
またオージェ電子分光にて、膜中の含有量を調べた。遮光膜中のN量:20〜30atom%、O量5〜15atom%の範囲にあった。反射防止膜中のC量が5〜15atomic%の範囲にあった。
遮光膜成膜工程における雰囲気ガスをAr:11.2sccm/N2:8.2sccm/NO:0.2sccmに設定、
反射防止膜成膜工程における雰囲気ガスをAr:36sccm/Ar+CH4(30%):5sccm/NO:20sccmに設定し、実験例3と同様の膜を得た。このときの圧力は、遮光膜0.066Paと反射防止膜0.21Paであった。
実験例5:反射率15.42%(248nm)の膜を得た。このときの面内分布は良好であった。面内レンジは、実験例1と比較し、0.91倍であった。また光学濃度は3.00(248nm)を得た。475nmにおける面内レンジ0.02であった。
遮光膜成膜工程における雰囲気ガスをAr:11.2sccm/N2:8.2sccm/NO:0.2sccmに設定、
反射防止膜成膜工程における雰囲気ガスをAr:28sccm/Ar+CH4(30%):5sccm/NO:20sccmに設定し、実験例4と同様の膜を得た。このときの圧力は、遮光膜0.066Paと反射防止膜0.17Paであった。
実験例6:反射率19.40%(248nm)の膜を得た。このときの面内分布は良好であった。面内レンジは、実験例1と比較し、0.92倍であった。また光学濃度は3.01(248nm)を得た。475nmにおける面内レンジ0.02であった。
遮光膜成膜工程における雰囲気ガスをAr:8.3sccm/N2:8.2sccm/Ar+CH4(30%):4.1sccm/NO:0.2sccmに設定、
反射防止膜成膜工程における雰囲気ガスをAr:24sccm/Ar+CH4(30%):10/NO:20sccmに設定し、実験例7の膜を得た。このときの圧力は、遮光膜0.066Paと反射防止膜0.15Paであった。
実験例7:反射率18.84%(248nm)の膜を得た。このときの面内分布は良好であった。面内レンジは、実験例1と比較し、0.97倍であった。また光学濃度は3.01(248nm)を得た。475nmにおける面内レンジ0.02であった。
2…透明基板
3…遮光膜
4…反射防止膜
10…スパッタ装置
11…真空チャンパ
12…スパッタカソード
13…コントローラ
14…基板支持台
16…シャッタ機構
18…電源
T…ターゲット
Claims (7)
- 透明基板の上に、露光光を遮光する遮光膜と、露光光の反射を防止する反射防止膜とを具備するマスクブランクスの製造方法であって、
前記遮光膜と前記反射防止膜とを、Crを含んだ同一のターゲットによってスパッタリング法により成膜する遮光膜成膜工程と反射防止膜成膜工程とを有し、
これらの成膜工程において、
前記遮光膜成膜工程と前記反射防止膜成膜工程とが同一チャンバで連続しておこなわれるとともに、
これらの成膜工程において、
スパッタ粒子が前記透明基板の法線方向に対して斜め方向から入射するように、スパッタカソードが所定角度傾斜されており、
前記スパッタカソードには、DC電力およびRF電力が印加され、
前記遮光膜成膜工程におけるDC電力が1.0kW〜1.6kWの範囲に設定され、RF電力が、50W〜150Wの範囲に設定され、
前記遮光膜成膜工程における前記RF電力と前記DC電力との比が、
RF電力/DC電力 = 0.03〜0.1
の範囲に設定され、
前記反射防止膜成膜工程におけるDC電力が1.0kW〜1.6kWの範囲に設定され、RF電力が、50W〜150Wの範囲に設定され、
前記反射防止膜成膜工程における前記RF電力と前記DC電力との比が、
RF電力/DC電力 = 0.05〜0.15
の範囲に設定されていることを特徴とするマスクブランクスの製造方法。 - 前記遮光膜の成膜に先立って、前記ターゲットのクリーニング工程を有することを特徴とする請求項1記載のマスクブランクスの製造方法。
- 前記遮光膜成膜工程における設定圧力が0.060Pa〜0.070Paの範囲に設定され、前記反射防止膜成膜工程における設定圧力が0.10Pa〜0.30Paの範囲に設定され、
前記遮光膜成膜工程における設定圧力と前記反射防止膜成膜工程における設定圧力との比が、
遮光膜成膜工程設定圧力/反射防止膜成膜工程設定圧力 = 0.178〜0.473
の範囲に設定されていることを特徴とする請求項1または2記載のマスクブランクスの製造方法。 - 前記ターゲット表面積と、前記透明基板表面積の比が、0.87〜1.25の範囲に設定されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか記載のマスクブランクスの製造方法。
- 前記透明基板の法線方向に対して斜め方向から入射するスパッタ粒子の角度が22°〜30°の範囲に設定されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか記載のマスクブランクスの製造方法。
- 前記遮光膜成膜工程における雰囲気ガスが、Ar,N2,NOを含むものとされ、前記反射防止膜成膜工程における雰囲気ガスが、Ar,CH4,NOを含むものとされることを特徴とする請求項1から5のいずれか記載のマスクブランクスの製造方法。
- 前記透明基板には、位相シフト膜が設けられてなることを特徴とする請求項1から6のいずれか記載のマスクブランクスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016101664A JP6783551B2 (ja) | 2016-05-20 | 2016-05-20 | マスクブランクスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016101664A JP6783551B2 (ja) | 2016-05-20 | 2016-05-20 | マスクブランクスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017207713A JP2017207713A (ja) | 2017-11-24 |
JP6783551B2 true JP6783551B2 (ja) | 2020-11-11 |
Family
ID=60417072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016101664A Active JP6783551B2 (ja) | 2016-05-20 | 2016-05-20 | マスクブランクスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6783551B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7254599B2 (ja) * | 2019-04-15 | 2023-04-10 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクスの製造方法および位相シフトマスクの製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3967067B2 (ja) * | 1999-06-15 | 2007-08-29 | 東ソー株式会社 | スパッタリングターゲット |
EP1250471A1 (de) * | 2000-01-18 | 2002-10-23 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Sputterkammer sowie vakuumtransportkammer und vakuumbehandlungsanlagen mit solchen kammern |
US7247221B2 (en) * | 2002-05-17 | 2007-07-24 | Applied Films Corporation | System and apparatus for control of sputter deposition process |
KR101319659B1 (ko) * | 2005-12-26 | 2013-10-17 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 블랭크 및 포토마스크의 제조 방법과 반도체장치의 제조 방법 |
JP4551344B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2010-09-29 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスク |
JP2009084618A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 成膜装置および成膜方法 |
JP4537479B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2010-09-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
JP2012003152A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク、多階調フォトマスク用ブランク及びパターン転写方法 |
KR20120092481A (ko) * | 2011-01-12 | 2012-08-21 | 주식회사 에스앤에스텍 | 마스크 블랭크의 제조 방법과 마스크 블랭크 및 스퍼터링 장치 |
JP5914035B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2016-05-11 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 |
CN106200256B (zh) * | 2014-08-25 | 2020-07-10 | 株式会社 S&S Tech | 相位反转空白掩模及光掩模 |
-
2016
- 2016-05-20 JP JP2016101664A patent/JP6783551B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017207713A (ja) | 2017-11-24 |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200612 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
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