JP2003313098A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項1】
反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法であって、アルカリ金属を反応容器の外部から導入することを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
【請求項2】
請求項1記載のIII族窒化物結晶成長方法において、結晶成長進行中にアルカリ金属を外部から導入するようにしており、この際に、アルカリ金属の導入量を一定に保つようにアルカリ金属の導入速度をアルカリ金属の蒸発速度に合わせて制御することを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
【請求項3】
反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長装置であって、アルカリ金属を反応容器の外部から導入する機構を有していることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
【請求項4】
反応容器と、
前記反応容器内に配置され、III族原料とアルカリ金属とを含む混合融液を保持する保持容器と、
前記アルカリ金属を前記保持溶器に補給する補給手段とを備える結晶製造装置。
【請求項5】
前記補給手段は、液体からなる前記アルカリ金属を前記保持溶器に補給する、請求項4に記載の結晶製造装置。
【請求項6】
前記補給手段は、導入速度を制御して前記アルカリ金属を前記保持容器に補給する、請求項5に記載の結晶製造装置。
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JP4562398B2 (ja) * 2004-01-26 2010-10-13 株式会社リコー Iii族窒化物の結晶製造方法
JP4722471B2 (ja) * 2004-12-15 2011-07-13 株式会社リコー Iii族窒化物結晶製造方法およびiii族窒化物結晶成長装置
JP4615327B2 (ja) * 2005-02-03 2011-01-19 株式会社リコー Iii族窒化物の結晶製造方法
JP4603498B2 (ja) 2005-03-14 2010-12-22 株式会社リコー Iii族窒化物結晶の製造方法及び製造装置
CN101175875B (zh) * 2005-05-12 2010-12-15 株式会社理光 Ⅲ族氮化物结晶的制造方法及ⅲ族氮化物结晶的制造装置
JP4878794B2 (ja) * 2005-08-10 2012-02-15 株式会社リコー 結晶成長装置および製造方法
JP5516635B2 (ja) * 2005-05-12 2014-06-11 株式会社リコー Iii族窒化物結晶の製造装置
JP4878793B2 (ja) * 2005-08-10 2012-02-15 株式会社リコー 結晶成長装置および製造方法
JP4192220B2 (ja) 2005-08-10 2008-12-10 株式会社リコー 結晶成長装置および製造方法
JP4732146B2 (ja) * 2005-11-21 2011-07-27 株式会社リコー 結晶成長装置および製造方法
EP1775356A3 (en) 2005-10-14 2009-12-16 Ricoh Company, Ltd. Crystal growth apparatus and manufacturing method of group III nitride crystal
JP4856934B2 (ja) 2005-11-21 2012-01-18 株式会社リコー GaN結晶
JP5053555B2 (ja) * 2006-03-22 2012-10-17 株式会社リコー 結晶製造装置および製造方法
US20070215034A1 (en) 2006-03-14 2007-09-20 Hirokazu Iwata Crystal preparing device, crystal preparing method, and crystal
JP4921855B2 (ja) * 2006-06-02 2012-04-25 株式会社リコー 製造方法
JP5129527B2 (ja) 2006-10-02 2013-01-30 株式会社リコー 結晶製造方法及び基板製造方法
JP4932545B2 (ja) 2007-03-06 2012-05-16 株式会社リコー 電子写真感光体およびそれを用いた画像形成方法、画像形成装置並びに画像形成用プロセスカートリッジ
US7718002B2 (en) 2007-03-07 2010-05-18 Ricoh Company, Ltd. Crystal manufacturing apparatus
JP4926996B2 (ja) * 2007-03-13 2012-05-09 豊田合成株式会社 結晶成長装置
JP4702324B2 (ja) * 2007-05-30 2011-06-15 豊田合成株式会社 Iii族窒化物半導体製造装置、およびiii族窒化物半導体の製造方法
JP5113097B2 (ja) * 2009-01-23 2013-01-09 株式会社リコー Iii族窒化物の結晶製造方法
JP5644637B2 (ja) * 2011-03-31 2014-12-24 豊田合成株式会社 Iii族窒化物半導体結晶の製造方法
JP5589997B2 (ja) * 2011-09-12 2014-09-17 株式会社リコー 結晶製造装置

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