JPS62275100A - 気相成長方法及び装置 - Google Patents
気相成長方法及び装置Info
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- JPS62275100A JPS62275100A JP11640686A JP11640686A JPS62275100A JP S62275100 A JPS62275100 A JP S62275100A JP 11640686 A JP11640686 A JP 11640686A JP 11640686 A JP11640686 A JP 11640686A JP S62275100 A JPS62275100 A JP S62275100A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔概要〕
水銀カドミウムテルル等水銀を構成元素の一つとする化
合物の気相成長方法とこの方法の実施に直接使用する気
相成長装置とである。
合物の気相成長方法とこの方法の実施に直接使用する気
相成長装置とである。
構成元素の一つである水銀の蒸気を、バブラを使用して
供給し、さらに、バブラから反応領域までの温度を、バ
ブラ温度より高い温度（随伴する他の物質の分解温度よ
りは低い温度）に制御し、途中で水銀滴に滴化すること
を防止しながら、反応領域における水銀蒸気圧を正確に
制御し、所望の混晶比となしうるようにしたものである
。
供給し、さらに、バブラから反応領域までの温度を、バ
ブラ温度より高い温度（随伴する他の物質の分解温度よ
りは低い温度）に制御し、途中で水銀滴に滴化すること
を防止しながら、反応領域における水銀蒸気圧を正確に
制御し、所望の混晶比となしうるようにしたものである
。
本発明は、水銀カドミウムテルル等水銀を構成元素の一
つとする化合物の気相成長方法とこの方法の実施に直接
使用する気相成長装置とに間する。特に、反応領域にお
ける水銀蒸気圧を正確に制御し、水銀の混晶比を正確に
制御しうるようになす改良に関する。
つとする化合物の気相成長方法とこの方法の実施に直接
使用する気相成長装置とに間する。特に、反応領域にお
ける水銀蒸気圧を正確に制御し、水銀の混晶比を正確に
制御しうるようになす改良に関する。
水銀カドミウムテルル等水銀を構成元素の一つとする化
合物の気相成長方法の実施に使用する気相成長装置とし
て従来広く使用されている気相成長装置を第２図に示す
、ｌは石英ガラス製の反応管であり、２はグラファイト
製の基板支持装置であり基板３を支持し、４は反応領域
温度制御用ＲＦコイルである。５は水銀溜であり、６は
水銀蒸発用ヒータである。７は材料供給装置であり、水
銀カドミウムテルル暦を成長する場合は、例えばジメチ
ルカドミウムとジエチルテルルとの混合ガスを供給する
。
合物の気相成長方法の実施に使用する気相成長装置とし
て従来広く使用されている気相成長装置を第２図に示す
、ｌは石英ガラス製の反応管であり、２はグラファイト
製の基板支持装置であり基板３を支持し、４は反応領域
温度制御用ＲＦコイルである。５は水銀溜であり、６は
水銀蒸発用ヒータである。７は材料供給装置であり、水
銀カドミウムテルル暦を成長する場合は、例えばジメチ
ルカドミウムとジエチルテルルとの混合ガスを供給する
。
上記せる従来技術に係る気相成長装置を使用してなす従
来技術に係る気相成長法にあっては、水銀溜の温度制御
が正確にできず、そのため、反応領域における水銀の蒸
気圧を正確に制御できず、したがって、Ｉ＃Ｊ長される
水銀カドミウムテルル層中の水銀混晶比を正−に制御で
きないという欠点があった。
来技術に係る気相成長法にあっては、水銀溜の温度制御
が正確にできず、そのため、反応領域における水銀の蒸
気圧を正確に制御できず、したがって、Ｉ＃Ｊ長される
水銀カドミウムテルル層中の水銀混晶比を正−に制御で
きないという欠点があった。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、反応
領域における水銀の蒸気圧を正確に制御し、反応領域に
おける材料ガスの組成比を正確に所望の値に制御し、正
確に所望の混晶比を有する物質を成長しうる気相成長方
法とその方法の実施に直接使用する気相成長装置とを提
供することにある。
領域における水銀の蒸気圧を正確に制御し、反応領域に
おける材料ガスの組成比を正確に所望の値に制御し、正
確に所望の混晶比を有する物質を成長しうる気相成長方
法とその方法の実施に直接使用する気相成長装置とを提
供することにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った第１の手段
は、水銀を構成元素の一つとする化合物の気相成長をな
すにあたり、構成元素のうち、少なくとも水銀の蒸気は
、水銀の飽和蒸気圧に対応する温度より高い温度をもっ
て（バブラの温度より高い温度をもって）、また、構成
元素のうち、少なくとも他の物質は、この他の物質の分
解温度より低い温度をもって、反応領域に供給すること
にある。
は、水銀を構成元素の一つとする化合物の気相成長をな
すにあたり、構成元素のうち、少なくとも水銀の蒸気は
、水銀の飽和蒸気圧に対応する温度より高い温度をもっ
て（バブラの温度より高い温度をもって）、また、構成
元素のうち、少なくとも他の物質は、この他の物質の分
解温度より低い温度をもって、反応領域に供給すること
にある。
上記の目的を達成するために本発明が採った第２の手段
は、水銀を蒸気化するバブラ８と。
は、水銀を蒸気化するバブラ８と。
バブラ８から反応領域に水銀蒸気を供給する水銀蒸気供
給管９と、水銀蒸気供給管９の温度を制御する温度制御
手段！０とをもって気相成長！ｌｔｌを構成したことに
ある。
給管９と、水銀蒸気供給管９の温度を制御する温度制御
手段！０とをもって気相成長！ｌｔｌを構成したことに
ある。
本発明にあっては、水銀蒸気を供給するためにバブラが
使用されているため、水銀蒸気をその飽和基気圧におい
て供給することが容易であり、バブラから反応領域まで
の温度が制御されているので、途中で滴化することがな
く、水銀の飽和蒸気圧に対応する温度より高い温度をも
って、十分な量の水銀蒸気が反応領域に供給され、一方
、上記の温度制御は随伴する他の物質が分解しないよう
にされているので、混晶比を所望の値に制御することが
できる。
使用されているため、水銀蒸気をその飽和基気圧におい
て供給することが容易であり、バブラから反応領域まで
の温度が制御されているので、途中で滴化することがな
く、水銀の飽和蒸気圧に対応する温度より高い温度をも
って、十分な量の水銀蒸気が反応領域に供給され、一方
、上記の温度制御は随伴する他の物質が分解しないよう
にされているので、混晶比を所望の値に制御することが
できる。
以下、図面を参照しつ一１本発明の一実施例に係る気相
成長方法及び装置についてさらに説明する。
成長方法及び装置についてさらに説明する。
第１図参照
図は本発明の一実施例に係る気相成長装置の構造図であ
る０図において、ｌは石英ガラス製の反応管であり、２
はグラファイト製の基板支持装置であり基板３を支持し
、４は反応領域温度制御用ＲＦコイルである。
る０図において、ｌは石英ガラス製の反応管であり、２
はグラファイト製の基板支持装置であり基板３を支持し
、４は反応領域温度制御用ＲＦコイルである。
８は本発明の要旨に係る水銀蒸気化用バブラであり、容
器８１には水銀が入れられ、ヒータ８２により所望の温
度に制御されている。８３は水素ガス供給装置であり、
水素ガスを泡状にして、水銀中に供給して水銀を蒸気化
する。９は本発明の要旨に係る水銀蒸気供給管であり、
温度制御手段１０によって温度制御されている。７は材
料供給装置であり、水銀カドミウムテルル層を成長する
場合は、例えばジメチルカドミウムとジエチルテルルと
の混合ガスを供給する。
器８１には水銀が入れられ、ヒータ８２により所望の温
度に制御されている。８３は水素ガス供給装置であり、
水素ガスを泡状にして、水銀中に供給して水銀を蒸気化
する。９は本発明の要旨に係る水銀蒸気供給管であり、
温度制御手段１０によって温度制御されている。７は材
料供給装置であり、水銀カドミウムテルル層を成長する
場合は、例えばジメチルカドミウムとジエチルテルルと
の混合ガスを供給する。
温度制御手段１０による温度制御は、水銀の飽和蒸気圧
に対応する温度より高く、換言すれば、バブラ８の温度
より高く保持するようにされる。
に対応する温度より高く、換言すれば、バブラ８の温度
より高く保持するようにされる。
また、温度制御の上限は随伴する物質（本例においては
ジメチルカドミウムとジエチルテルル）の分解温度とさ
れている。そのため、水銀蒸気は途中で滴化することな
く、バブラ８で制御された所望の量だけ反応領域に供給
される。一方、随伴する物質（本例においてはジメチル
カドミウムとジエチルテルル）も分解することなく所望
の量が、反応領域に供給されるので、所望の混晶比を正
確に有する物質例えば水銀カドミウムテルル層を成長す
ることができる。
ジメチルカドミウムとジエチルテルル）の分解温度とさ
れている。そのため、水銀蒸気は途中で滴化することな
く、バブラ８で制御された所望の量だけ反応領域に供給
される。一方、随伴する物質（本例においてはジメチル
カドミウムとジエチルテルル）も分解することなく所望
の量が、反応領域に供給されるので、所望の混晶比を正
確に有する物質例えば水銀カドミウムテルル層を成長す
ることができる。
以上説明せるとおり、本発明においては、水銀を革気化
するバブラと、バブラから反応領域に水銀蒸気を供給す
る水銀蒸気供給管と、水銀蒸気供給管の温度を制御する
温度制御手段とが設けられた気相成長装置を使用して、
水銀を構成元素の一つとする化合物の気相成長をなすに
あたり、構成元素のうち、水銀の蒸気は、水銀の飽和蒸
気圧に対応する温度より高い温度をもって（バブラの温
度より高い温度をもって）、また、構成元素のうち、他
の物質は、この他の物質の分解温度より低い温度をもっ
て、反応領域に供給することとされているので、バブラ
で扉気化された水銀蒸気は途中で滴化することなく、バ
ブラで制御された所望の量だけ反応領域に供給され、一
方、随伴する物質も、所望の量が、反応領域に供給され
るので、所望の混晶比を正確に有する物質の暦を成長す
ることができる。
するバブラと、バブラから反応領域に水銀蒸気を供給す
る水銀蒸気供給管と、水銀蒸気供給管の温度を制御する
温度制御手段とが設けられた気相成長装置を使用して、
水銀を構成元素の一つとする化合物の気相成長をなすに
あたり、構成元素のうち、水銀の蒸気は、水銀の飽和蒸
気圧に対応する温度より高い温度をもって（バブラの温
度より高い温度をもって）、また、構成元素のうち、他
の物質は、この他の物質の分解温度より低い温度をもっ
て、反応領域に供給することとされているので、バブラ
で扉気化された水銀蒸気は途中で滴化することなく、バ
ブラで制御された所望の量だけ反応領域に供給され、一
方、随伴する物質も、所望の量が、反応領域に供給され
るので、所望の混晶比を正確に有する物質の暦を成長す
ることができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る気相成長装置の構造
図である。 第２図は、従来技術に係る気相成長装置の構造図である
。 １・・・反応管、 ２・・・基板支持装置、 ３・拳―基板、 ４−・・ＲＦコイル、 ５・・・水銀溜、 ６・ｌヒータ、 ７・・・材料供給装置、 ８・・・バブラ、 ８１φ・会合器、 ８２１・ヒータ、 ８３・・・水素ガス供給装置、 ９・・・水銀蒸気供給管、 １０−Φ・温度制御手段。 第 ２ 口 第 １ 図
図である。 第２図は、従来技術に係る気相成長装置の構造図である
。 １・・・反応管、 ２・・・基板支持装置、 ３・拳―基板、 ４−・・ＲＦコイル、 ５・・・水銀溜、 ６・ｌヒータ、 ７・・・材料供給装置、 ８・・・バブラ、 ８１φ・会合器、 ８２１・ヒータ、 ８３・・・水素ガス供給装置、 ９・・・水銀蒸気供給管、 １０−Φ・温度制御手段。 第 ２ 口 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］水銀を構成元素の一つとする化合物の気相成長方
法において、 前記構成元素のうち、少なくとも水銀の蒸気は、水銀の
飽和蒸気圧に対応する温度より高い温度をもって、また
、前記構成元素のうち、少なくとも他の物質は、該他の
物質の分解温度より低い温度をもって、反応領域に供給
することを特徴とする気相成長方法。 ［２］水銀を構成元素の一つとする化合物の層を成長す
る気相成長装置において、 該気相成長装置には、 水銀を蒸気化するバブラ（８）と、 該バブラ（８）から反応領域に水銀蒸気を供給する水銀
蒸気供給管（９）と、 該水銀蒸気供給管（９）の温度を制御する温度制御手段
（１０）と が設けられてなることを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61116406A JPH0796477B2 (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 気相成長方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61116406A JPH0796477B2 (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 気相成長方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62275100A true JPS62275100A (ja) | 1987-11-30 |
| JPH0796477B2 JPH0796477B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=14686265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61116406A Expired - Lifetime JPH0796477B2 (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 気相成長方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0796477B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01313941A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPH04287312A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-12 | Fujitsu Ltd | 気相エピタキシャル成長装置および気相エピタキシャル成長方法 |
| US20140246598A1 (en) * | 2011-04-06 | 2014-09-04 | Robert D. Herpst | Radiation detector |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59156996A (ja) * | 1983-02-23 | 1984-09-06 | Koito Mfg Co Ltd | 化合物結晶膜の製造方法とその装置 |
-
1986
- 1986-05-20 JP JP61116406A patent/JPH0796477B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59156996A (ja) * | 1983-02-23 | 1984-09-06 | Koito Mfg Co Ltd | 化合物結晶膜の製造方法とその装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01313941A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPH04287312A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-12 | Fujitsu Ltd | 気相エピタキシャル成長装置および気相エピタキシャル成長方法 |
| US20140246598A1 (en) * | 2011-04-06 | 2014-09-04 | Robert D. Herpst | Radiation detector |
| US9329282B2 (en) * | 2011-04-06 | 2016-05-03 | International Crystal Laboratories | Radiation detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0796477B2 (ja) | 1995-10-18 |
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