JPS6114196A - 有機金属熱分解気相成長装置用原料容器 - Google Patents

有機金属熱分解気相成長装置用原料容器

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Publication number
JPS6114196A
JPS6114196A JP13333684A JP13333684A JPS6114196A JP S6114196 A JPS6114196 A JP S6114196A JP 13333684 A JP13333684 A JP 13333684A JP 13333684 A JP13333684 A JP 13333684A JP S6114196 A JPS6114196 A JP S6114196A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
raw material
vessel
phase growth
organometal
container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13333684A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuo Oba
康夫 大場
Motoyuki Yamamoto
山本 基幸
Yuhei Muto
武藤 雄平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP13333684A priority Critical patent/JPS6114196A/ja
Publication of JPS6114196A publication Critical patent/JPS6114196A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は有機金属熱分解気相成長装置に使用される原料
容器即ち有機金属用容器に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
有機金属熱分解気相成長法は原理的に優れた組成比と膜
厚の制御性を有し、今後、重要性が増大すると思われる
超高速素子、不視半導レーザー用化合物半導体の成長技
術として注目されている。
従来、上記目的の化合物半導体用原料として線取シ扱偽
の容易式の点から室温にて液体の有機4iを使用するの
が一般的であった。しかし、室温にて液体、の有機金属
の種類は限定されており、有機金属熱分解法の特長であ
る非常に多種の元素を含む化合物半導体混晶を制御性よ
く作製可能といった特質が十分実現されているとれ言い
難い。特に、近年、光電子素子用として有望視されてい
るイソジウムを含む混晶系及びマグネシウム等の添加用
不純物では原料として適当な液体有機金属の組合せが現
状では見い出されておらず、今後の発展には室温にて固
体の有機金属に関する応用技術の開発が不可欠である。
以下に、従来、液体原料用として使用されてきた容器と
、この容器を固体原料に応用した場合の問題点について
説明する。第2図は、一般的な液体有機金属用容器の概
略図であシ、液体有機金属QJ)を収納した金属製容器
αaと、原料中に先端が挿入された管Q3.キャリア気
体導入用パルプa◆、及び原料混合気体供給用バルブ(
lから構成される。
この容器を原料供給装置の一部として使用する場合には
、容器全体を恒温槽にて一定温度に維持した上でパルプ
α◆を通して水素等のキャリア気体を液体金属原料(6
)中に吹き込み、パルプ(ト)を通して制御された飽和
蒸気圧を有する有機金属蒸気をキャリア気体との混合気
体として被供給系に供給するのが一般的である。ここで
重要な点線、原料供給量をキャリア気体流量にて精密に
制御するには次の2項目の要請、すなわち原料温度の制
御と容器内原料蒸気圧の飽和が要求されることがある。
この2項目の要請は、液体有機金属原料の場合には、原
料中に吹き込まれるキャリア気体による原料の攪拌及び
大面積の気相液相界面にょシ容易に満足される。一方、
固体有機金属原料の場合には、従来、第3図に示すごと
き容器にて表面にキャリア気体を直接吹きつけ、昇華に
よシ原料蒸気を外部に供給するのが普通であった。しか
し、この場合には原料気化の生じる場所が小面積に限定
されている上に、蒸気圧を決定する固体表面温度がキャ
リア気体及び気化熱によシ容易に変動す石ことによシ、
原料供給量の精密制御に必要な前記2項目の要請を達成
するのは、もはや困難である。
以上の様に、今後、益々要望が増大すると思われる固体
有機金属原料を使用しての有機金属気相成長法において
優れた制御性を実現するに杜液体金属用容器を変型した
従来の手法ではもはや困難であシ何らかの根本的な改善
が切韻されていた。
〔発明の目的〕
本発明は、以上の様な従来装置の欠点を除き、比較的簡
単な構造で、かつ制御性よく被供給系へ必要な原料蒸気
を供給できる有機金属用容器を提供するものでりる。
〔発明の概要〕
本発明は上記目的を達成すべく、容器内壁面の大面積化
すなわち、固体原料表面積の拡大によシ原料蒸気圧の安
定確保を実現したものである。
〔発明の実施例〕
以下に本発明の実施例の一つを図面参照の上説明する。
一般に半導体原料用容器では壁面の影響を最少限にする
ため内面は可能な限シ平滑化するのが普通であるが本発
明による容器は壁面に多数の凹凸を有することを特徴と
する、例えば第1図に示すごとき形状のものである。本
容器によれば固体有機金属原料を使用する場合の問題点
が以下の様に解決される。固体原料を容器に充填する場
合、原料を蒸気として容器に導入し壁面にて昇華させる
手法を採用するのが普通であるが、特に本発明による大
面積の内面を有する容器では有効かつ急速に内面に付着
させることができる。このようにして充填された固体有
機金属は第1因に示すように大きな表面積を有する容器
内面に均一かつ緻密な比較的薄い層を減成する。
したがって、容器を一定温度に保つことにより原料蒸気
圧を決定する固体原料の表面温度は一定値に制御され、
しかも内面の凹凸はキャリア気体に適度な乱流を生じさ
せ、固体原料の太き′&表面積とあいまって容器内原料
蒸気圧を常に容器壁面温度のみによって決定される飽和
蒸気圧妬保つことができる。すなわち、被供給系へ供給
される混合気体中の原料蒸気圧は容器温度における飽和
蒸気圧に常に保持され、原料気体供給量の精密制御が可
能となる。
〔発明の効果〕
以上を要約するに、本発明によれば室温にて固体の有機
金属を有機金属熱分解気相成長法において原料として、
使用する際の問題点であった制御性の悪化が容易に解決
可能であシ、本発明は今後の新化合物半導体材料の開発
にとシ極めて重量なものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係を容器の実施例を示す断面図、第2
図は一般的な液体有機金属用容器の断面図、第3図は従
来使用されてきた固体有機金属用容器の断面図でるる。 − ap・・・液体有機金属、Q3・・・金属製容器。 崗・・・管、 αΦ@(至)・・・気体導入用パルプ。 0*G1lCl!e・・・原料混合気体供給用パルプ。 ul・・固体有機金属。 代理人 弁理士 則 近 惹 佑 −(疎か1名) 第1図 第2図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少くとも壁面の一部が複数の凹凸を有することを
    特徴とする有機金属熱分解気相成長装置用原料容器。
  2. (2)凹凸が波状に加工された板によって構成されるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の有機金属
    熱分解気相成長装置用原料容器。
JP13333684A 1984-06-29 1984-06-29 有機金属熱分解気相成長装置用原料容器 Pending JPS6114196A (ja)

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JP13333684A JPS6114196A (ja) 1984-06-29 1984-06-29 有機金属熱分解気相成長装置用原料容器

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JP13333684A JPS6114196A (ja) 1984-06-29 1984-06-29 有機金属熱分解気相成長装置用原料容器

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JPS6114196A true JPS6114196A (ja) 1986-01-22

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JP13333684A Pending JPS6114196A (ja) 1984-06-29 1984-06-29 有機金属熱分解気相成長装置用原料容器

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