JPS6163599A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6163599A JPS6163599A JP18583284A JP18583284A JPS6163599A JP S6163599 A JPS6163599 A JP S6163599A JP 18583284 A JP18583284 A JP 18583284A JP 18583284 A JP18583284 A JP 18583284A JP S6163599 A JPS6163599 A JP S6163599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- crystal growth
- hydride
- pipe
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は化合物半導体等を基板上に薄膜上に結晶成長す
る場合に用いる気相結晶成長装置に関するものである。
る場合に用いる気相結晶成長装置に関するものである。
従来例の構成とその間頂点
近年、■＝■族およびｎ −ＶＩ族化合物半導体の気相
エピタキシャル成長法、特に有機金属熱分解法（ＭＯＣ
ＶＤ 、 Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｔｉＯｎ法）、ハイライド
気相エピタキシャル成長法、クロライド気相エピタキシ
ャル成長法が大面積エピタキシャル、量産性、膜厚や組
成の制御性等の点から注目を集め、各所で研究開発が活
発に行なわれている。その■−ｖ族化合物半導体の気相
結晶成長の場合にはｎ型不純物ンース材料として、■−
■族化合物半導体の気相結晶成長の場合には■族、リー
ス材料としてＶＩ族水素化物ガスが用いられている。
エピタキシャル成長法、特に有機金属熱分解法（ＭＯＣ
ＶＤ 、 Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｔｉＯｎ法）、ハイライド
気相エピタキシャル成長法、クロライド気相エピタキシ
ャル成長法が大面積エピタキシャル、量産性、膜厚や組
成の制御性等の点から注目を集め、各所で研究開発が活
発に行なわれている。その■−ｖ族化合物半導体の気相
結晶成長の場合にはｎ型不純物ンース材料として、■−
■族化合物半導体の気相結晶成長の場合には■族、リー
ス材料としてＶＩ族水素化物ガスが用いられている。
以下に従来のＶＩ族水素化物ガスを用いる気相成長装置
、特にその−例として有機金属熱分解法の場合について
説明する。
、特にその−例として有機金属熱分解法の場合について
説明する。
第１図は従来の有機金属熱分解法による気相成長装置の
ガス系統図であり、１は結晶成長室、２は■族あるいは
■族有機金属ボンベ、３は有機金属ボンベへ供給するキ
ャリアガスの流量調整用マスフローコントロニラ−，４
は■族あるいは■族水素化物ガスボンベ、５は■疾ある
いはＶＩ族水素化物ガスの流量調整用マスフローコント
ローラー、６は■族あるいはＶＩ族水素化物ガスをボン
ベから結晶成長室内へ導くステンレス製パイプ、７はカ
ーボン製サセプター、８は高周波コイル、９は熱電対、
１０は基板、１１は圧力計、１２はロータリーポンプ、
１３は排ガス処理装置でちる。第１図に示すように、従
来のＶＩ族水素化物ガスを用いる気相成長装置では、Ｖ
Ｉ族水素化物ガスをそのボンベから結晶成長室へ導くス
テンレス製パイプは、そのボンベ４と結晶成長室１０間
で他の水素化物ガスを結晶成長室へ導くステンレス製パ
イプと共に１本に統合され、最終的にはすべての水素化
物ガスを導くパイプとして１本のステンレス製パイプが
結晶成長室に接続されていた。
ガス系統図であり、１は結晶成長室、２は■族あるいは
■族有機金属ボンベ、３は有機金属ボンベへ供給するキ
ャリアガスの流量調整用マスフローコントロニラ−，４
は■族あるいは■族水素化物ガスボンベ、５は■疾ある
いはＶＩ族水素化物ガスの流量調整用マスフローコント
ローラー、６は■族あるいはＶＩ族水素化物ガスをボン
ベから結晶成長室内へ導くステンレス製パイプ、７はカ
ーボン製サセプター、８は高周波コイル、９は熱電対、
１０は基板、１１は圧力計、１２はロータリーポンプ、
１３は排ガス処理装置でちる。第１図に示すように、従
来のＶＩ族水素化物ガスを用いる気相成長装置では、Ｖ
Ｉ族水素化物ガスをそのボンベから結晶成長室へ導くス
テンレス製パイプは、そのボンベ４と結晶成長室１０間
で他の水素化物ガスを結晶成長室へ導くステンレス製パ
イプと共に１本に統合され、最終的にはすべての水素化
物ガスを導くパイプとして１本のステンレス製パイプが
結晶成長室に接続されていた。
しかしながら上記のような構造では、種々の水素化物ボ
ンベ４から供給される種々の水素化物ガスが同一のステ
ンレス製バイブロ内を通過することになり、ステンレス
製パイプ中を通過する際、その内壁にその一部が吸着さ
れるという性質があるＶＩ族水素化物ガスは、ステンレ
ス製パイプ内に吸着してしまう。そして例えばＶＩ族水
素化物ガスの供給を必要としない場合においてもステン
レス製パイプ内壁に付着していた■原水素化物がパイプ
内壁から蒸発して、他の水素化物ガスと共に結晶成長室
内へ導かれ、所望の成長結晶が得られないという問題点
を有していた。この問題点は特に混晶成長の場合の組成
制御、不純物ドーピングの場合の不純物濃度制御、多層
薄膜構造作成の場合の界面急峻性の制御等を非常に困難
なものにしていた。
ンベ４から供給される種々の水素化物ガスが同一のステ
ンレス製バイブロ内を通過することになり、ステンレス
製パイプ中を通過する際、その内壁にその一部が吸着さ
れるという性質があるＶＩ族水素化物ガスは、ステンレ
ス製パイプ内に吸着してしまう。そして例えばＶＩ族水
素化物ガスの供給を必要としない場合においてもステン
レス製パイプ内壁に付着していた■原水素化物がパイプ
内壁から蒸発して、他の水素化物ガスと共に結晶成長室
内へ導かれ、所望の成長結晶が得られないという問題点
を有していた。この問題点は特に混晶成長の場合の組成
制御、不純物ドーピングの場合の不純物濃度制御、多層
薄膜構造作成の場合の界面急峻性の制御等を非常に困難
なものにしていた。
なお、以上述べた従来例としては、有機金属熱分解法に
ついて説明したが、ハイドライド気相エヒタキンヤル成
長法やクロライド気相エピタキシャル成長法についても
、上記した構造と問題点を有している。
ついて説明したが、ハイドライド気相エヒタキンヤル成
長法やクロライド気相エピタキシャル成長法についても
、上記した構造と問題点を有している。
発明の目的
本発明は、上記従来の問題点を解消するもので結晶成長
時の必要な時に必要とする■原水素化物だけが結晶成長
室内に供給され、不必要な■原水素化物は結晶成長室内
に一切混入することがなく所望の結晶を再現性よく成長
できる■原水素化物を用いる気相成長装置を提供するこ
と全目的とする。
時の必要な時に必要とする■原水素化物だけが結晶成長
室内に供給され、不必要な■原水素化物は結晶成長室内
に一切混入することがなく所望の結晶を再現性よく成長
できる■原水素化物を用いる気相成長装置を提供するこ
と全目的とする。
発明の構成
本発明にがかるＶＩ族水素化物ガスを原料材料として用
いる化合物半導体の気相成長装置は、ＶＩ族水素化物ガ
ス全そのボンベから結晶成長室内まで導く管が、ＶＩ族
水素化物ガスボンベごとにそれぞれ）出立て備えられ、
かつその管と結晶成長室との接げ部：でそれぞれ開閉弁
が備えらｎたものである。
いる化合物半導体の気相成長装置は、ＶＩ族水素化物ガ
ス全そのボンベから結晶成長室内まで導く管が、ＶＩ族
水素化物ガスボンベごとにそれぞれ）出立て備えられ、
かつその管と結晶成長室との接げ部：でそれぞれ開閉弁
が備えらｎたものである。
従って、結晶成長時には、その原料材料となるＶＩ族水
素化物ガスが必要とされる時のみ、結晶成長室内に供給
され、その他不必要な時は一切結晶成長室内に混入する
ことがないため、混晶成長の場合の組成、不純物ドーピ
ングの場合の不純物濃度、多層薄膜構造作成の場合の界
面急峻性等を再現性よく容易に制御することのできるも
のである。
素化物ガスが必要とされる時のみ、結晶成長室内に供給
され、その他不必要な時は一切結晶成長室内に混入する
ことがないため、混晶成長の場合の組成、不純物ドーピ
ングの場合の不純物濃度、多層薄膜構造作成の場合の界
面急峻性等を再現性よく容易に制御することのできるも
のである。
実施例の説明
本発明（でよるＶＩ族水素化物ガスを用いる化合物半導
体の気相成長装置の具体的なガス系統図を第２図に示す
。第２図において、第１図と同一部分には同一番号を付
す。図に示すように、この場合は水素化物ガスボンベは
全部で３個設置することができそのうち１個が■原水素
化物ガスボンベ１４である。そしてそのボンベ１４から
結晶成長室１までＶＩ族水素化物ガスを導くステンレス
製パイプ１５は他の水素化物ガスをそれらのボンベから
結晶成長室１まで導くステンレス製バイブロと独立に備
えられている。そのステンレス製パイプ１５と結晶成長
室１との接続部に空気作動式開閉弁１６を備えた。また
そのステンレス製パイプ１６の途中にキャリアガスを流
入させるためのステンレス製パイプ１７が接続され、か
つそのキャリアガスの流量を調節するためのマスフロー
コントｏ−ラー１８を備えた。他の部分は従来のＶＩ族
水素化物ガスを用いる気相成長装置と同じ構造である。
体の気相成長装置の具体的なガス系統図を第２図に示す
。第２図において、第１図と同一部分には同一番号を付
す。図に示すように、この場合は水素化物ガスボンベは
全部で３個設置することができそのうち１個が■原水素
化物ガスボンベ１４である。そしてそのボンベ１４から
結晶成長室１までＶＩ族水素化物ガスを導くステンレス
製パイプ１５は他の水素化物ガスをそれらのボンベから
結晶成長室１まで導くステンレス製バイブロと独立に備
えられている。そのステンレス製パイプ１５と結晶成長
室１との接続部に空気作動式開閉弁１６を備えた。また
そのステンレス製パイプ１６の途中にキャリアガスを流
入させるためのステンレス製パイプ１７が接続され、か
つそのキャリアガスの流量を調節するためのマスフロー
コントｏ−ラー１８を備えた。他の部分は従来のＶＩ族
水素化物ガスを用いる気相成長装置と同じ構造である。
この本発明による気相成長装置を用いて、１．３μｍ帯
半専体レーザーの一構造であるＺｎ ドープＩｎＰ／
ＴｎＧａＡｓＰ／ＳｓドープＩｎＰ／ｎ型１ｎＰ基板と
いうダブルへテロ構造作成の場合について以下に述べる
。
半専体レーザーの一構造であるＺｎ ドープＩｎＰ／
ＴｎＧａＡｓＰ／ＳｓドープＩｎＰ／ｎ型１ｎＰ基板と
いうダブルへテロ構造作成の場合について以下に述べる
。
この場合、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎのソース材料としてそれぞ
れ、Ｉｎ（０２Ｈ５）３．Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３゜Ｚｎ（
Ｃ２Ｈ５）２を、また人ｓ、Ｄ、Ｓｅ のリース材料
としてそれぞれＡｓＨ３，ＰＨ３，Ｈ２Ｓ５ を、また
キャリアガスとしてＨ２を用いた、最初、結晶成長室１
内のカーボン製サセプター７上に設置されたｎ型ＩｎＰ
基板１０の温度を成長温度６００’Ｃまで上昇させる。
れ、Ｉｎ（０２Ｈ５）３．Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３゜Ｚｎ（
Ｃ２Ｈ５）２を、また人ｓ、Ｄ、Ｓｅ のリース材料
としてそれぞれＡｓＨ３，ＰＨ３，Ｈ２Ｓ５ を、また
キャリアガスとしてＨ２を用いた、最初、結晶成長室１
内のカーボン製サセプター７上に設置されたｎ型ＩｎＰ
基板１０の温度を成長温度６００’Ｃまで上昇させる。
なおこの際、ＩｎＰ基板表面のサーマルＸダメージを防
ぐためにＰＩ（３を４ＣＣ／ｍ１ｎ供給した。そしてそ
の抜工の表に示す成長条件により順次成長を行なった。
ぐためにＰＩ（３を４ＣＣ／ｍ１ｎ供給した。そしてそ
の抜工の表に示す成長条件により順次成長を行なった。
（以 下金 白）
なお上記の表の中でＩｎ（Ｃ２Ｈ５）５．Ｇ＆（Ｃ２Ｈ
５）３゜Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）３ノ供給量ニツイテハ、それ
’Ｐれ４５°Ｃに保温したＩｎ（Ｃ２Ｈ５）３ボンベ２
に供給するＨ２の流量、０°Ｃに保温したＧａ（Ｃ，、
Ｈ５）３ボンベ２に供給スルＨ２（７） 流ｔ、０″Ｃ
に保温したＺｎ（Ｃ２Ｈ５）２ボンベ２に供給するＨ２
の流量を表わしている。また全流量としては５ｅ／ｗｉ
ｎ、成長時の結晶成長室内圧としては７６０〜１０ｍｍ
Ｈｇである。またステンレス製パイプ１５へは６００
ｃｃ、ｉｉｎ のキヤＩＪ ７ｊｊスｉ Ｈ２をステン
レス製パイプ１７を通して供給した。
５）３゜Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）３ノ供給量ニツイテハ、それ
’Ｐれ４５°Ｃに保温したＩｎ（Ｃ２Ｈ５）３ボンベ２
に供給するＨ２の流量、０°Ｃに保温したＧａ（Ｃ，、
Ｈ５）３ボンベ２に供給スルＨ２（７） 流ｔ、０″Ｃ
に保温したＺｎ（Ｃ２Ｈ５）２ボンベ２に供給するＨ２
の流量を表わしている。また全流量としては５ｅ／ｗｉ
ｎ、成長時の結晶成長室内圧としては７６０〜１０ｍｍ
Ｈｇである。またステンレス製パイプ１５へは６００
ｃｃ、ｉｉｎ のキヤＩＪ ７ｊｊスｉ Ｈ２をステン
レス製パイプ１７を通して供給した。
以上のような本実施例によれば、Ｈ２Ｓ８ の結晶成
長室１への供給は、空気作動式開閉弁１６の開閉によっ
て瞬時に行なうことができて、またそれを結晶成長室ま
で導くステンレス製ノくイブ１５が他の水素化物ガス（
ＡｓＨ３，ＰＨ３） の導入ステンレス製バイブロと
別になっているため、必要でない時はＨ２Ｓｅが結晶成
長室１内へ他の水素化物ガス（人ｓＨ６，ＰＨ３）
と共に混入することはなく、またそのステンレス製パイ
プ１５へは、キャリアガスが供給されるので、Ｈ２Ｓｅ
がステンレス製パイプ中を通過する速度が増加して、ス
テンレス製パイプ１６の内壁に吸着するＨ２Ｓｅ （７
）量が減少する。この結果、工ｎＧａＡｓＰ成長、およ
びＩｎＰ；Ｚｎ 成長の場合に、その前のＩｎＰ ；８
１５ 成長時に供給されていたＨ ２ Ｓ ａ の混入
は一切なく、３ｅ 不純物濃度制御も再現性よく行なえ
た。
長室１への供給は、空気作動式開閉弁１６の開閉によっ
て瞬時に行なうことができて、またそれを結晶成長室ま
で導くステンレス製ノくイブ１５が他の水素化物ガス（
ＡｓＨ３，ＰＨ３） の導入ステンレス製バイブロと
別になっているため、必要でない時はＨ２Ｓｅが結晶成
長室１内へ他の水素化物ガス（人ｓＨ６，ＰＨ３）
と共に混入することはなく、またそのステンレス製パイ
プ１５へは、キャリアガスが供給されるので、Ｈ２Ｓｅ
がステンレス製パイプ中を通過する速度が増加して、ス
テンレス製パイプ１６の内壁に吸着するＨ２Ｓｅ （７
）量が減少する。この結果、工ｎＧａＡｓＰ成長、およ
びＩｎＰ；Ｚｎ 成長の場合に、その前のＩｎＰ ；８
１５ 成長時に供給されていたＨ ２ Ｓ ａ の混入
は一切なく、３ｅ 不純物濃度制御も再現性よく行なえ
た。
以上述べた実施例においてはＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ
系の結晶成長について説明したが、本発明による気相成
長装置は、ＧａＡｓ−ＧａＡｓＡｓ系１人１ＧａＩｎＰ
−ＧａＡｓ 系の他の■−■族半導体結晶の成長に用い
ることができるばかりでなく、更にＺｎ５ｅ やＺｎ５
ｅＳ等の■−■族化合物半導体結晶や混晶、■−■族と
ｍ−■族の混晶等の成長に用いることが可能である。
系の結晶成長について説明したが、本発明による気相成
長装置は、ＧａＡｓ−ＧａＡｓＡｓ系１人１ＧａＩｎＰ
−ＧａＡｓ 系の他の■−■族半導体結晶の成長に用い
ることができるばかりでなく、更にＺｎ５ｅ やＺｎ５
ｅＳ等の■−■族化合物半導体結晶や混晶、■−■族と
ｍ−■族の混晶等の成長に用いることが可能である。
また以上述べた実施例は、■族水素化物ガスがＨ２Ｓｅ
１種類の場合であったが、■族水素化物ガスの数や種類
に制限はない、さらに、以上述べた実施例は有機金属熱
分解法の場合であったが・ハイドライド気相エピタキシ
ャル成長法やクロライド気相エピタキシャル成長法等の
他の化合物半導体ノ気相エピタキシャル成長法の場合に
も用イルことが可能である。
１種類の場合であったが、■族水素化物ガスの数や種類
に制限はない、さらに、以上述べた実施例は有機金属熱
分解法の場合であったが・ハイドライド気相エピタキシ
ャル成長法やクロライド気相エピタキシャル成長法等の
他の化合物半導体ノ気相エピタキシャル成長法の場合に
も用イルことが可能である。
発明の効果
本発明にがかるＶＩ族水素化物ガスを用いる化合物半導
体の気相成長装置は、ＶＩ族水素化物ガスをそのボンベ
から結晶成長室内まで導く管を、ＶＩ族水素化物ガスボ
ンベごとにそれぞれ独立に設け、かつその管と結晶成長
室との接続部に開閉弁を設けることにより、混晶成長の
場合の組成制御、不純物ドーピングの場合の不純物濃度
制御、多層薄膜構造作成の場合の界面急峻性の制御等を
精密に再現性よく行なうことが可能になり、この結果、
例えば超格子構造等の作成やモジュレー／ヨンドーピン
グ成長が容易となって、非常にその実用的効果は大きい
。
体の気相成長装置は、ＶＩ族水素化物ガスをそのボンベ
から結晶成長室内まで導く管を、ＶＩ族水素化物ガスボ
ンベごとにそれぞれ独立に設け、かつその管と結晶成長
室との接続部に開閉弁を設けることにより、混晶成長の
場合の組成制御、不純物ドーピングの場合の不純物濃度
制御、多層薄膜構造作成の場合の界面急峻性の制御等を
精密に再現性よく行なうことが可能になり、この結果、
例えば超格子構造等の作成やモジュレー／ヨンドーピン
グ成長が容易となって、非常にその実用的効果は大きい
。
第１図は従来のＶＩ族水素化物ガスを用いる気相成長装
置のガス系統図、第２図は本発明の実施例におけるＶＩ
族水素化物ガスを用いる気相成長装置のガス系統図であ
る。 １・・・・・・結晶成長室、２・・・・・・Ｊ族あるい
は■族有機金属ボンベ、４・・・・・・■族あるいはＶ
Ｉ族水素化物ガスボンベ、６・・・・・■族あるいはＶ
Ｉ族水素化物ガスをそのボンベから結晶成長室まで導く
管、７・・・・・・カーボン製サセプター、１０・・・
・・・基板、１４・・・・・・ＶＩ族水素化物ガスボン
ベ、１５・・・・・ＶＩ族水素化物ガスをそのボンベか
ら結晶成長室まで導く管、１６・・・パ°開閉弁、１７
・・・・・・キャリアガスをステンレス製パイプ中へ導
く管。
置のガス系統図、第２図は本発明の実施例におけるＶＩ
族水素化物ガスを用いる気相成長装置のガス系統図であ
る。 １・・・・・・結晶成長室、２・・・・・・Ｊ族あるい
は■族有機金属ボンベ、４・・・・・・■族あるいはＶ
Ｉ族水素化物ガスボンベ、６・・・・・■族あるいはＶ
Ｉ族水素化物ガスをそのボンベから結晶成長室まで導く
管、７・・・・・・カーボン製サセプター、１０・・・
・・・基板、１４・・・・・・ＶＩ族水素化物ガスボン
ベ、１５・・・・・ＶＩ族水素化物ガスをそのボンベか
ら結晶成長室まで導く管、１６・・・パ°開閉弁、１７
・・・・・・キャリアガスをステンレス製パイプ中へ導
く管。
Claims (2)
- （１）VI族水素化物ガスを原料材料として用い、前記V
I族水素化物ガスをそのボンベから結晶成長室まで導く
管が、VI族水素化物ガスボンベごとにそれぞれ独立に備
えられ、かつ前記管と結晶成長室との接続部に開閉弁を
備えたことを特徴とする気相成長装置。 - （２）VI族水素化物ガスを、そのボンベから結晶成長室
まで導く管の途中にキャリアガスを流入させるための管
が接続されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18583284A JPS6163599A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18583284A JPS6163599A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163599A true JPS6163599A (ja) | 1986-04-01 |
| JPH0536397B2 JPH0536397B2 (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=16177656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18583284A Granted JPS6163599A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163599A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011088791A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給装置及び供給方法 |
| JP5548208B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2014-07-16 | 大陽日酸株式会社 | 太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法及び供給装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5988395A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 化合物半導体結晶気相成長装置 |
-
1984
- 1984-09-05 JP JP18583284A patent/JPS6163599A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5988395A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 化合物半導体結晶気相成長装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5548208B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2014-07-16 | 大陽日酸株式会社 | 太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法及び供給装置 |
| JP2011088791A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給装置及び供給方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0536397B2 (ja) | 1993-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3526889A1 (de) | Einrichtung zum bilden eines halbleiterkristalls | |
| EP0196170B1 (en) | Organic metallic compound pyrolysis vapor growth apparatus | |
| JPS6163599A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0321516B2 (ja) | ||
| JPH03203228A (ja) | 半絶縁性ガリウムヒ素形成方法 | |
| JPS6016898A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6060714A (ja) | Ｉ−ｖ族化合物半導体の気相エピタキシャル成長方法 | |
| JPS61187226A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2611008B2 (ja) | 有機金属化合物の気化供給装置 | |
| JPS61242011A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2743970B2 (ja) | 化合物半導体の分子線エピタキシャル成長法 | |
| JPS63227007A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH02273917A (ja) | 炭素ドープ３―ｖ族化合物半導体の結晶成長方法 | |
| JPH03297129A (ja) | 有機金属分子線エピタキシャル成長装置 | |
| JPS60176991A (ja) | 有機金属熱分解結晶成長装置 | |
| JP2753832B2 (ja) | 第▲ｉｉｉ▼・ｖ族化合物半導体の気相成長法 | |
| JPS63271918A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2700210B2 (ja) | 化合物半導体の気相エピタキシャル成長法 | |
| JPH01239086A (ja) | 有機金属化学気相反応装置 | |
| JPH0665209B2 (ja) | 気相成長による半導体製造装置 | |
| JPS625634A (ja) | 化合物半導体気相成長方法 | |
| JPS61205696A (ja) | ３−５族化合物半導体の気相成長装置 | |
| JPS60262418A (ja) | 半導体製造方法及び装置 | |
| JPH01262618A (ja) | ３‐５族化合物半導体の気相成長方法および気相成長装置 | |
| JPH0228314A (ja) | 高抵抗ＡｌＧａＡｓ混晶の気相成長方法 |