JP4742254B2

JP4742254B2 - 単結晶の育成方法

Info

Publication number: JP4742254B2
Application number: JP2000363532A
Authority: JP
Inventors: 晃男宮本; 健二北村; 保典古川; 俊二竹川
Original assignee: National Institute for Materials Science
Current assignee: National Institute for Materials Science
Priority date: 2000-11-29
Filing date: 2000-11-29
Publication date: 2011-08-10
Anticipated expiration: 2020-11-29
Also published as: JP2002167299A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬｉＮｂ_１−ｘＴａ_ｘＯ_３（０≦ｘ≦１）単結晶の育成技術に係わり、特にクラック発生確率が低く、さらに粉詰まり発生確率が小さい、ＤＣＣＺ法によるＬｉＮｂ_１−ｘＴａ_ｘＯ_３（０≦ｘ≦１）単結晶の育成技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬｉＮｂＯ_３単結晶（ＬＮ単結晶と称す）やＬｉＴａＯ_３単結晶（ＬＴ単結晶と称す）、またその中間組成の結晶はＳＡＷ素子や光素子の基板材料として優れた特性を有している。以後、ＬＮ単結晶、ＬＴ単結晶およびその中間組成の結晶を含めて、ＬｉＮｂ_１−ｘＴａ_ｘＯ_３（０≦ｘ≦１）単結晶と称す。
【０００３】
ＬＮ単結晶やＬＴ単結晶は、育成が容易という理由で、従来はバッチ法のＣＺ法でコングルエント組成の結晶が育成されてきた。一方、特開平１１−３５３９３号等で開示されている、引き上げる結晶と同じ組成の原料を連続的に供給しながら結晶を引き上げる原料連続供給型二重坩堝ＣＺ法（以下、ＤＣＣＺ法）が、育成環境の経時変化、即ち、融液組成や液量減少を伴わない育成法として注目されている。このＤＣＣＺ法は、定比組成のＬＮ単結晶やＬＴ単結晶に特に有効であるが、コングルエント組成のＬＮ単結晶やＬＴ単結晶の育成においても、長尺で均一性の高い結晶を育成できるという点で、本手段は有効な手段であると考えられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来一般的に用いている供給原料の粒径は２００〜４００μｍ程である。しかしながら、前記の粒径の供給原料を用いると結晶にクラックが発生しやすくなるということが本発明者らの実験で確認され、問題となっていた。本発明はこのような従来には検討されていない単結晶の育成中の供給原料に用いる粒径に関して不利、問題点を解決したＬｉＮｂ_１−ｘＴａ_ｘＯ_３（０≦ｘ≦１）単結晶の製造方法に関するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、供給する原料の粒径を所定の大きさにすることでクラック発生率が減少することを見出した。さらに、振動により原料を輸送する機構を備えた供給装置を使用することで、大きな粒径の顆粒の使用でも、低い粉詰まり発生頻度での供給が可能となることを示した。
【０００６】
つまり、本発明はＤＣＣＺ法によるＬｉＮｂ_１−ｘＴａ_ｘＯ_３（０≦ｘ≦１）単結晶の育成方法において、単結晶の育成中に原料溶液中に供給する供給原料のうち重量比で３０％以上の粉末が５００μｍ以上の粒径であることを特徴とする。また、供給原料のうち重量比で３０％以上の粉末が５００〜２０００μｍ、さらには５００〜１０００μｍであることが好ましい。
【０００７】
大きな粒径の供給原料を用いることで、クラック発生頻度の低いＬｉＮｂ_１−ｘＴａ_ｘＯ_３（０≦ｘ≦１）単結晶の製造を実現できる。大きな粒径の原料供給を行う場合には、粉詰まりの問題はより顕著になる。よって原料を供給する部分で供給するための部品同士が摺動するものは間に粉詰まりが発生するため好ましくない。よって例えば振動により原料を輸送する機構を備えた供給装置の使用は非常に有効である。
【０００８】
供給原料の粒径を大きくすることでクラック発生頻度が低くなる機構は定かでないが、供給した原料のうち、解け残ったものが育成融液内を舞い、これが結晶するためと考えられる。供給原料の粒径を大きくすることで、単位重量当りの粒子数が減り、発生する微小粒子数が小さくなり、結果としてクラックの発生頻度を低減できたものと考えている。
【０００９】
本発明で用いた供給原料の粒径規定の範囲限定の理由を述べる。供給原料の粒径が５００μｍ未満であると上記事項が原因と推察される要因から育成した単結晶にクラックの発生頻度が高くなる。逆に２０００μｍよりも大きくなると単位体積あたりの表面積が小さくなり、原料溶液中に供給した際溶融し難い等の問題がある。よって溶湯制御の観点から考慮すると２０００μｍよりも小さいことが好ましい。さらに好ましくは５００〜１０００μｍの範囲に粒径をそろえることである。本発明において粒径とは最長辺を示したものであり、簡便な測定法としては篩を用いて分級することが挙げられる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施例を示す。
（実施例１）
高純度Ｌｉ_２Ｏ、Ｎｂ_２Ｏ_５の原料粉末を準備し、Ｌｉモル濃度が０.５９の融液合成用原料と、Ｌｉモル濃度が０.５０の定比組成原料を各々調整した。次に、各々の原料を約１０５０℃の大気中で焼結し、各々を約９８ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、原料塊を作成した。このうち、定比組成原料塊を、供給用原料として約１１５０℃の大気中で焼結し、粉砕し、大きさが５０μｍ以上５００μｍ、および５００μｍ以上８００μｍと、２つのサイズの範囲になるよう篩を用いて分級し、それぞれの重量比が１：１となるように混合し、供給原料とした。次に、二重るつぼ法による単結晶育成を行った。作成したＬｉモル濃度が０.５９の原料からなる原料塊を内側および外側るつぼに予め充填し、次にるつぼを加熱してＬｉ成分過剰な融液を作成した。
【００１１】
ここで、ＤＣＣＺ法の原理について図１を用いて詳細に説明する。図１は本発明に用いた育成炉１を示すものである。本実施例に用いた二重るつぼの構造は、外るつぼ３５の内部に、円筒３６（内るつぼと呼ぶ）を設置した構造とした。内るつぼの底付近には、外るつぼから内るつぼに通じる孔を設けた。この孔は約２０ｍｍ×３０ｍｍの四角形状で、内るつぼに３箇所設けた。液高さは約５０ｍｍとし、この四角形状の孔が完全に液内に沈んだ状態とした。ここで、育成に用いたるつぼの材質は白金製のものを用い、かつ周囲を育成炉体４７でカバーし外部雰囲気の流入を防止した。用いた二重るつぼの形状は、外るつぼ３５が直径約１７０ｍｍで高さが約１００ｍｍ、内るつぼ３６が直径約１２０ｍｍで高さを約２５０ｍｍとした。内るつぼの高さを、外るつぼより１５０ｍｍ程高くしたのは、供給原料の一部が雰囲気中を飛散し、育成中の結晶に付着することを防ぐ為である。内るつぼ３６と外るつぼ３５の間は片側約２５ｍｍのスペース３４があり、ここに原料４５がスムーズに落下できるように原料供給管３７を安定に設置した。前記原料供給管の一端には振動を利用した原料輸送機構が備えられている。融液表面の様子をビデオカメラ（図示せず）で観察した。るつぼを回転しないと融液表面の対流はほとんど見られないが、るつぼ回転機構５０によりるつぼの回転数を徐々に上げていくと、回転方向への強制的な融液対流が強くなる様子が見られ、るつぼの回転の効果が観察された。
【００１２】
内側るつぼ内のＬｉ成分過剰の融液４１から結晶を成長させた。融液の温度を高周波発振機48への投入電力と高周波誘導コイル４３により所定の温度に安定させた後、Ｚ軸方位に切り出した５ｍｍ×５ｍｍ×長さ７０ｍｍの単一分極状態にあるＬＮ単結晶を種結晶４０として回転支持棒３８の下部に接続し、融液４１に付け、融液温度を制御しながら結晶を回転させて上方向に引き上げることでＬＮ単結晶４２を成長させた。育成雰囲気は数％の酸素を含む窒素中とした。LT単結晶４２の回転速度は５〜２０ｒｐｍの範囲内で一定とし、引き上げ速度は０．５から３.０ｍｍ/ｈの範囲で変化させた。育成した結晶から約９０ｍｍ径のウエハーが作成できるよう結晶の直胴部に対し、自動直径制御を行った。さらに、育成結晶成長重量をロードセル４４により測定し、結晶化した成長量に見合った量のＬｉモル濃度モル分率が０.５０の定比組成原料４５を外側るつぼ３５に供給した。ここではLT単結晶４２の成長量変化がコンピュータ４９により求められているので、原料４５の供給はLT種結晶４０から単結晶４２の育成が始まり直径制御が安定化した時点から開始した。原料４５の供給は、予め育成炉体４７上部に設置した重量測定センサーを兼ね備えた密封容器４６内に保管した原料４５をセラミックスあるいは貴金属からなる供給管３７を通じて行った。供給管３７及び密封容器４６に毎分５０〜５００ｃｃの範囲でガス５１を弁を具備するガス管３３を介して流入した。ガス５１の流量は供給する原料４５の単位時間当たりの量と粒径によって最適化した。これによって、飛散や供給管３７内での詰まりのない円滑な原料供給を行った。育成中、貴金属二重るつぼを回転させることで、供給した粉末原料の融液との均質化と同時に、強制的に結晶成長界面を液面に対してフラットもしくは凸になるよう融液の対流を制御した。各々の組成において約１週間の育成を実施した。育成終了時の結晶の融液からの切り離しは、１ｍｍ／秒の引上げ速度で行った。これにより育成中の結晶底部における固液界面状態の観察が可能となった。数回の育成を行ったが、全ての育成で、直径９０ｍｍ，直胴部長さ５０ｍｍ程度の無色透明のＬＮ単結晶を得た。
【００１３】
（実施例２）
Ｌｉモル濃度が０.５０の定比組成原料について、約１０５０℃の大気中で焼結し、約９８ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、さらに約１１５０℃の大気中で焼結し、粉砕したものを、粒径が５０μｍ以上５００μｍ、および５００μｍ以上８００μｍと、２つのサイズの範囲になるよう篩を用いて分級し、それぞれの重量比が１：２となるように混合し、供給原料とした。それ以外は実施例１と同様にしてＬＮ単結晶の製造を行った。
【００１４】
（実施例３）
Ｌｉモル濃度が０.５０の定比組成原料について、約１０５０℃の大気中で焼結し、約９８ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、さらに約１１５０℃の大気中で焼結し、粉砕したものを、粒径が５００μｍ以上８００μｍの範囲になるよう篩を用いて分級し、供給原料とした。それ以外は実施例１と同様にしてＬＮ単結晶の製造を行った。
【００１５】
（比較例１）
Ｌｉモル濃度が０.５０の定比組成原料について、約１０５０℃の大気中で焼結し、約９８ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、さらに約１１５０℃の大気中で焼結し、粉砕したものを、粒径が５０μｍ以上５００μｍ、および５００μｍ以上８００μｍと、２つのサイズの範囲になるよう篩を用いて分級し、それぞれの重量比が３：１となるように混合し、供給原料とした。それ以外は実施例１と同様にして、数回のＬＮ単結晶の製造を行った。
【００１６】
（比較例２）
Ｌｉモル濃度が０.５０の定比組成原料について、約１０５０℃の大気中で焼結し、約９８ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、さらに約１１５０℃の大気中で焼結し、粉砕したものを、粒径が５０μｍ以上５００μｍ、および５００μｍ以上８００μｍと、２つのサイズの範囲になるよう篩を用いて分級し、それぞれの重量比が４：１となるように混合し、供給原料とした。それ以外は実施例１と同様にして、数回のＬＮ単結晶の製造を行った。
【００１７】
（比較例３）
Ｌｉモル濃度が０.５０の定比組成原料について、約１０５０℃の大気中で焼結し、約９８ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、さらに約１１５０℃の大気中で焼結し、粉砕したものを、粒径が５０μｍ以上５００μｍの範囲になるよう篩を用いて分級し、供給原料とした。それ以外は実施例１と同様にして、数回のＬＮ単結晶の製造を行った。
【００１８】
（実施例４）
高純度Ｌｉ_２Ｏ、Ｔａ_２Ｏ_５の原料粉末を準備し、Ｌｉモル濃度が０.６０の融液合成用原料と、Ｌｉモル濃度が０.５０の定比組成原料を混合した。次に、各々の原料を約１０５０℃の大気中で焼結し、各々を約３００ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、原料塊を作成した。このうち、定比組成原料塊を、供給用原料として約１３５０℃の大気中で焼結し、粉砕し、大きさが５０μｍ以上５００μｍ、および５００μｍ以上８００μｍと、２つのサイズの範囲になるよう篩を用いて分級し、それぞれの重量比が１：１となるように混合し、供給原料として使用した。次に、二重るつぼ法による単結晶育成を行った。作成したＬｉモル濃度が０.６０の原料からなる原料塊を内側および外側るつぼに予め充填し、次にるつぼを加熱してＬｉ成分過剰な融液を作成した。
【００１９】
実施例１と同様、図１に示す装置を使用し、内側るつぼ内のＬｉ成分過剰の融液４１から結晶を成長させた。融液の温度を高周波発振機48への投入電力と高周波誘導コイル４３により所定の温度に安定させた後、Ｙ軸方位に切り出した５ｍｍ×５ｍｍ×長さ７０ｍｍの単一分極状態にあるＬＴ単結晶を種結晶４０として回転支持棒３８の下部に接続し、融液４１に付け、融液温度を制御しながら結晶を回転させて上方向に引き上げることでＬＴ単結晶４２を成長させた。育成雰囲気は数％の酸素を含む窒素中とした。ＬＴ単結晶４２の回転速度は５〜２０ｒｐｍの範囲内で一定とし、引き上げ速度は０．５から３.０ｍｍ/ｈの範囲で変化させた。育成した結晶から約９０ｍｍ径のウエハーが作成できるよう結晶の直胴部に対し、自動直径制御を行った。さらに、育成結晶成長重量をロードセル４４により測定し、結晶化した成長量に見合った量のＬｉモル濃度モル分率が０.５０の定比組成原料４５を外側るつぼ３５に供給した。ここではＬＴ単結晶４２の成長量変化がコンピュータ４９により求められているので、原料４５の供給はＬＴ種結晶４０から単結晶４２の育成が始まり直径制御が安定化した時点から開始した。原料４５の供給は、予め育成炉体４７上部に設置した重量測定センサーを兼ね備えた密封容器４６内に保管した原料４５をセラミックスあるいは貴金属からなる供給管３７を通じて行った。前記原料供給管の一端には振動を利用した原料輸送機構が備えられている。供給管３７及び密封容器４６に毎分５０〜５００ｃｃの範囲でガス５１を弁を具備するガス管３３を介して流入した。ガス５１の流量は供給する原料４５の単位時間当たりの量と粒径によって最適化した。これによって、飛散や供給管３７内での詰まりのない円滑な原料供給を行った。育成中、貴金属二重るつぼを回転させることで、供給した粉末原料の融液との均質化と同時に、強制的に結晶成長界面を液面に対してフラットもしくは凸になるよう融液の対流を制御した。各々の組成において約１週間の育成を実施した。育成終了時の結晶の融液からの切り離しは、１ｍｍ／秒の引上げ速度で行った。これにより育成中の結晶底部における固液界面状態の観察が可能となった。数回の育成を行ったが、全ての育成で、直径約９０ｍｍ，長さ５０ｍｍ程度の無色透明のＬＴ単結晶を得た。
【００２０】
（実施例５）
Ｌｉモル濃度が０.５０の定比組成原料について、約１０５０℃の大気中で焼結し、約３００ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、さらに大気中で１３５０℃前後で焼結し、粉砕したものを、大きさが５０μｍ以上５００μｍ、および５００μｍ以上８００μｍと、２つのサイズの範囲になるよう篩を用いて分級し、それぞれの重量比が１：２となるように混合し、供給原料とした。それ以外は実施例１と同様にしてＬＴ単結晶の製造を行った。
【００２１】
（実施例６）
Ｌｉモル濃度が０.５０の定比組成原料について、約１０５０℃の大気中で焼結し、約３００ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、さらに大気中で１３５０℃前後で焼結し、粉砕したものを、粒径が５００μｍ以上８００μｍの範囲になるよう篩を用いて分級し、供給原料とした。それ以外は実施例４と同様にしてＬＴ単結晶の製造を行った。
【００２２】
（比較例４）
Ｌｉモル濃度が０.５０の定比組成原料について、約１０５０℃の大気中で焼結し、約３００ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、さらに大気中で１３５０℃前後で焼結し、粉砕したものを、粒径が５０μｍ以上５００μｍ、および５００μｍ以上８００μｍと、２つのサイズの範囲になるよう篩を用いて分級し、それらを重量比３：１で混合し、供給原料とした。それ以外は実施例４と同様にして、数回のＬＴ単結晶の製造を行った。
【００２３】
（比較例５）
Ｌｉモル濃度が０.５０の定比組成原料について、約１０５０℃の大気中で焼結し、約３００ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、さらに大気中で１３５０℃前後で焼結し、粉砕したものを、粒径が５０μｍ以上５００μｍ、および５００μｍ以上８００μｍと、２つのサイズの範囲になるよう篩を用いて分級し、それらを重量比４：１で混合し、供給原料とした。それ以外は実施例４と同様にして、数回のＬＴ単結晶の製造を行った。
【００２４】
（比較例６）
Ｌｉモル濃度が０.５０の定比組成原料について、約１０５０℃の大気中で焼結し、約３００ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、さらに大気中で１３５０℃前後で焼結し、粉砕したものを、粒径が５０μｍ以上５００μｍの範囲になるよう篩を用いて分級し、供給原料とした。それ以外は実施例４と同様にして、数回のＬＴ単結晶の製造を行った。
【００２５】
（実施例７）
高純度Ｌｉ_２Ｏ、Ｔａ_２Ｏ_５の原料粉末を準備し、Ｌｉモル濃度が０.４８５となるように秤量、混合し、各々の原料を約１０５０℃の大気中で焼結し、各々を約３００ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、原料塊を作成した。このうちの一部を供給用原料として、大気中で１４００℃前後の温度で焼結し、粉砕し、大きさが５０μｍ以上５００μｍ、および５００μｍ以上８００μｍと、２つのサイズの範囲になるよう篩を用いて分級し、それぞれの重量比が１：１となるように混合し、供給原料として使用した。次に、二重るつぼ法による単結晶育成を行った。残った焼結原料を内側および外側るつぼに予め充填し、次にるつぼを加熱してコングルエント組成の融液を作成した。
【００２６】
実施例１と同様、図１に示す装置を使用し、内側るつぼ内の融液４１から結晶を成長させた。融液の温度を高周波発振機48への投入電力と高周波誘導コイル４３により所定の温度に安定させた後、Ｙ軸方位に切り出した５ｍｍ×５ｍｍ×長さ７０ｍｍの単一分極状態にあるＬＴ単結晶を種結晶４０として回転支持棒３８の下部に接続し、融液４１に付け、融液温度を制御しながら結晶を回転させて上方向に引き上げることでＬＴ単結晶４２を成長させた。育成雰囲気は数％の酸素を含む窒素中とした。ＬＴ単結晶４２の回転速度は５〜２０ｒｐｍの範囲内で一定とし、引き上げ速度は０．５から４.０ｍｍ/ｈの範囲で変化させた。育成した結晶から約９０ｍｍ径のウエハーが作成できるよう結晶の直胴部に対し、自動直径制御を行った。さらに、育成結晶成長重量をロードセル４４により測定し、結晶化した成長量に見合った量のコングルエント組成原料４５を外側るつぼ３５に供給した。ここではＬＴ単結晶４２の成長量変化がコンピュータ４９により求められているので、原料４５の供給はＬＴ種結晶４０から単結晶４２の育成が始まり直径制御が安定化した時点から開始した。原料４５の供給は、予め育成炉体４７上部に設置した重量測定センサーを兼ね備えた密封容器４６内に保管した原料４５をセラミックスあるいは貴金属からなる供給管３７を通じて行った。前記原料供給管の一端には振動を利用した原料輸送機構が備えられている。供給管３７及び密封容器４６に毎分５０〜５００ｃｃの範囲でガス５１を弁を具備するガス管３３を介して流入した。ガス５１の流量は供給する原料４５の単位時間当たりの量と粒径によって最適化した。これによって、飛散や供給管３７内での詰まりのない円滑な原料供給を行った。育成中、貴金属二重るつぼを回転させることで、供給した粉末原料の融液との均質化と同時に、強制的に結晶成長界面を液面に対してフラットもしくは凸になるよう融液の対流を制御した。各々の組成において約１週間の育成を実施した。育成終了時の結晶の融液からの切り離しは、１ｍｍ／秒の引上げ速度で行った。これにより育成中の結晶底部における固液界面状態の観察が可能となった。数回の育成を行ったが、全ての育成で、直径約９０ｍｍ，長さ５０ｍｍ程度の無色透明のＬＴ単結晶を得た。
【００２７】
（実施例８）
コングルエント組成原料を、約１０５０℃の大気中で焼結し、約３００ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、さらに大気中で１４００℃前後で焼結し、粉砕したものを、大きさが５０μｍ以上５００μｍ、および５００μｍ以上８００μｍと、２つのサイズの範囲になるよう篩を用いて分級し、それらを重量比１：２で混合し、供給原料とした。それ以外は実施例１と同様にしてＬＴ単結晶の製造を行った。
【００２８】
（実施例９）
コングルエント組成原料を、約１０５０℃の大気中で焼結し、約３００ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、さらに大気中で１４００℃前後で焼結し、粉砕したものを、粒径が５００μｍ以上８００μｍの範囲になるよう篩を用いて分級し、供給原料とした。それ以外は実施例１と同様にしてＬＴ単結晶の製造を行った。
【００２９】
（比較例７）
コングルエント組成原料を、約１０５０℃の大気中で焼結し、約３００ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、さらに大気中で１４００℃前後で焼結し、粉砕したものを、粒径が５０μｍ以上５００μｍ、および５００μｍ以上８００μｍと、２つのサイズの範囲になるよう篩を用いて分級し、それらを重量比３：１で混合し、供給原料とした。それ以外は実施例１と同様にして、数回のＬＴ単結晶の製造を行った。
【００３０】
（比較例８）
コングルエント組成原料を、約１０５０℃の大気中で焼結し、約３００ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、さらに大気中で１４００℃前後で焼結し、粉砕したものを、粒径が５０μｍ以上５００μｍ、および５００μｍ以上８００μｍと、２つのサイズの範囲になるよう篩を用いて分級し、それらを重量比４：１で混合し、供給原料とした。それ以外は実施例１と同様にして、数回のＬＴ単結晶の製造を行った。
【００３１】
（比較例９）
コングルエント組成原料を、約１０５０℃の大気中で焼結し、約３００ＭＰａの静水圧でラバープレス成形し、さらに大気中で１４００℃前後で焼結し、粉砕したものを、粒径が５０μｍ以上５００μｍの範囲になるよう篩を用いて分級し、供給原料とした。それ以外は実施例１と同様にして、数回のＬＴ単結晶の製造を行った。
【００３２】
上記実験で確認されたクラックの発生率を表１にまとめた。発生率は、クラックが存在した結晶数を全育成結晶数で割った値に１００をかけた値とする。
【００３３】
【表１】

【００３４】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明方法によれば、ＤＣＣＺ法における供給原料の粉詰まりなしに、さらに低いクラック発生頻度で、ＬＮ単結晶やＬＴ単結晶を育成することができる。また、本明細書では定比組成のＬＮ単結晶、およびＬＴ単結晶、コングルエント組成のＬＴ単結晶の育成例についてのみ示したが、本発明の内容が、原料供給に伴った問題を解決するものである為、コングルエント組成のＬＮ単結晶や、ＬＮ単結晶とＬＴ単結晶の間に位置する、ＬｉＮｂ_１−ｘＴａ_ｘＯ_３（０≦ｘ≦１）の化学式で示される単結晶の育成においても有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に用いた育成炉を示す一例である。
【符号の説明】
１育成炉、３５外るつぼ、３６内るつぼ、３７原料供給管、
４０種結晶、４１融液、４２ＬＮ単結晶、４３高周波誘導コイル、
４５原料、４７育成炉体、５１ガス、６１単結晶部、
６２セラミック層

Claims

ＤＣＣＺ法によるＬｉＮｂ_１−ｘＴａ_ｘＯ_３（０≦ｘ≦１）単結晶の育成方法において、
単結晶の育成中に原料融液中に供給する供給原料として、５００μｍ未満の粒径を有する粉末原料と、５００μｍ以上１０００μｍ以下の粒径を有する粉末原料とを用い、
前記供給原料における前記５００μｍ以上１０００μｍ以下の粒径を有する粉末原料の重量比は３０％以上であることを特徴とする単結晶の育成方法。
振動を利用した原料輸送機構を用いて原料を連続供給する請求項１に記載の単結晶の育成方法。