JP2003258264A - 電界効果トランジスター、その製造方法及び該電界効果トランジスターを製造するための積層体 - Google Patents
電界効果トランジスター、その製造方法及び該電界効果トランジスターを製造するための積層体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトリソグラフィ技術が適用可能な固体基
板上に作製した回路配線をプラスチック等の有機材料基
板上へ配線構造を損なうことなく移し取ることができ、
絶縁層を含む多層構造の構築が可能で、しかも基板から
の回路配線の脱落を抑制する接着層を設けた構造の素子
作製にも対応できる電界効果トランジスターの製造方
法、及び生産のエネルギーコストが低く、フレキシブル
な素子構造を実現可能な電界効果トランジスターを製造
するための積層体、並びに電界効果トランジスターを提
供する。 【解決手段】 基板２の一方の面に第一の電極５を形成
する工程と、基板２の第一の電極５が形成された側の面
に、少なくとも第一の電極５を含む領域を覆うよう有機
薄膜６を形成する工程と、有機薄膜６の表面に第二の電
極７を形成する工程と、基板２を第一の電極５及び第二
の電極７を有する有機薄膜６から脱離する工程と、基板
２を脱離した有機薄膜６の第一の電極５側の面に有機半
導体９を積層する工程と、を有する電界効果トランジス
ターの製造方法。
板上に作製した回路配線をプラスチック等の有機材料基
板上へ配線構造を損なうことなく移し取ることができ、
絶縁層を含む多層構造の構築が可能で、しかも基板から
の回路配線の脱落を抑制する接着層を設けた構造の素子
作製にも対応できる電界効果トランジスターの製造方
法、及び生産のエネルギーコストが低く、フレキシブル
な素子構造を実現可能な電界効果トランジスターを製造
するための積層体、並びに電界効果トランジスターを提
供する。 【解決手段】 基板２の一方の面に第一の電極５を形成
する工程と、基板２の第一の電極５が形成された側の面
に、少なくとも第一の電極５を含む領域を覆うよう有機
薄膜６を形成する工程と、有機薄膜６の表面に第二の電
極７を形成する工程と、基板２を第一の電極５及び第二
の電極７を有する有機薄膜６から脱離する工程と、基板
２を脱離した有機薄膜６の第一の電極５側の面に有機半
導体９を積層する工程と、を有する電界効果トランジス
ターの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細加工された電
極回路をフレキシブルな基板上に形成することにより、
柔軟な有機半導体材料の特性を活かした集積回路を作製
することができる電界効果トランジスターの製造方法及
び電界効果トランジスター並びに該電界効果トランジス
ターを製造するための積層体に関する。
極回路をフレキシブルな基板上に形成することにより、
柔軟な有機半導体材料の特性を活かした集積回路を作製
することができる電界効果トランジスターの製造方法及
び電界効果トランジスター並びに該電界効果トランジス
ターを製造するための積層体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電界効果トランジスター（ＦＥ
Ｔ）は低消費電力、高速なスイッチング素子として、薄
膜トランジスター（ＴＦＴ）への応用により、ＣＲＴと
同等の高画質性能、低消費電力、省スペース等の利点を
有するアクティブマトリクス駆動の液晶ディスプレイ等
として、パソコンやワークステーション等のモニタに広
く利用されている。電界効果トランジスターは、ソース
電極及びドレイン電極を配線した半導体層／絶縁層／ゲ
ート電極層のように多層構造から形成される。無機半導
体を用いる場合には、フォトリソグラフィ、表面酸化及
び真空蒸着を組み合わせた製造工程において作製され、
この絶縁層にはシリコン酸化膜や絶縁性有機薄膜等が利
用される。
Ｔ）は低消費電力、高速なスイッチング素子として、薄
膜トランジスター（ＴＦＴ）への応用により、ＣＲＴと
同等の高画質性能、低消費電力、省スペース等の利点を
有するアクティブマトリクス駆動の液晶ディスプレイ等
として、パソコンやワークステーション等のモニタに広
く利用されている。電界効果トランジスターは、ソース
電極及びドレイン電極を配線した半導体層／絶縁層／ゲ
ート電極層のように多層構造から形成される。無機半導
体を用いる場合には、フォトリソグラフィ、表面酸化及
び真空蒸着を組み合わせた製造工程において作製され、
この絶縁層にはシリコン酸化膜や絶縁性有機薄膜等が利
用される。
【０００３】しかしながら、無機半導体を用いた場合に
は、シリコン等の材料を用いるため、生産のエネルギー
コストが高いだけでなく、光の透過率が低く、フレキシ
ブルな基板を用いることが難しいという問題点がある。
一方、有機半導体を用いた場合においても、上記の無機
半導体製造工程と同様の加工技術を利用して作製した電
極回路上へ有機材料を蒸着又は塗布することにより製造
されるが、有機半導体では作製する基板にフレキシブル
なプラスチック等を用いることができる。ところが、フ
ォトリソグラフィを使用した配線技術は、フォトレジス
トの溶解等、プラスチック性基板へのダメージが大きな
操作を含むため適用が困難である。従って、マスク蒸着
やスパッタリング等の直接付着法で有機材料基板上へ配
線を施すことが行われている。この直接付着法では、フ
ォトリソグラフィに比べ微細加工が難しく、特に高性能
の集積回路を作製することは困難である。また、プラス
チック等の有機材料基板を用いた場合、配線に用いられ
る金属細線と基板との接着性が低いため、電極の剥離が
起こりやすいが、直接付着法においては、接着性を高め
る接着層を設けることが難しいという問題点がある。
は、シリコン等の材料を用いるため、生産のエネルギー
コストが高いだけでなく、光の透過率が低く、フレキシ
ブルな基板を用いることが難しいという問題点がある。
一方、有機半導体を用いた場合においても、上記の無機
半導体製造工程と同様の加工技術を利用して作製した電
極回路上へ有機材料を蒸着又は塗布することにより製造
されるが、有機半導体では作製する基板にフレキシブル
なプラスチック等を用いることができる。ところが、フ
ォトリソグラフィを使用した配線技術は、フォトレジス
トの溶解等、プラスチック性基板へのダメージが大きな
操作を含むため適用が困難である。従って、マスク蒸着
やスパッタリング等の直接付着法で有機材料基板上へ配
線を施すことが行われている。この直接付着法では、フ
ォトリソグラフィに比べ微細加工が難しく、特に高性能
の集積回路を作製することは困難である。また、プラス
チック等の有機材料基板を用いた場合、配線に用いられ
る金属細線と基板との接着性が低いため、電極の剥離が
起こりやすいが、直接付着法においては、接着性を高め
る接着層を設けることが難しいという問題点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、フォ
トリソグラフィ技術が適用可能な固体基板上に作製した
回路配線をプラスチック等の有機材料基板上へ配線構造
を損なうことなく移し取ることができ、絶縁層を含む多
層構造の構築が可能で、しかも基板からの回路配線の脱
落を抑制する接着層を設けた構造の素子作製にも対応で
きる電界効果トランジスターの製造方法、及び生産のエ
ネルギーコストが低く、フレキシブルな素子構造を実現
可能な電界効果トランジスターを製造するための積層
体、並びに電界効果トランジスターを提供することにあ
る。
トリソグラフィ技術が適用可能な固体基板上に作製した
回路配線をプラスチック等の有機材料基板上へ配線構造
を損なうことなく移し取ることができ、絶縁層を含む多
層構造の構築が可能で、しかも基板からの回路配線の脱
落を抑制する接着層を設けた構造の素子作製にも対応で
きる電界効果トランジスターの製造方法、及び生産のエ
ネルギーコストが低く、フレキシブルな素子構造を実現
可能な電界効果トランジスターを製造するための積層
体、並びに電界効果トランジスターを提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため鋭意検討した結果、フォトリソグラフィ
の適用可能な基板上に微細加工された電極を作製し、こ
れに有機薄膜を形成し、有機薄膜を基板から剥離する
と、微小電極が有機薄膜へ移し取られることを見出し、
本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下
の［１］〜［１０］に記載した事項により特定される。
を解決するため鋭意検討した結果、フォトリソグラフィ
の適用可能な基板上に微細加工された電極を作製し、こ
れに有機薄膜を形成し、有機薄膜を基板から剥離する
と、微小電極が有機薄膜へ移し取られることを見出し、
本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下
の［１］〜［１０］に記載した事項により特定される。
【０００６】［１］基板の一方の面に第一の電極を形成
する工程と、基板の第一の電極が形成された側の面に、
少なくとも第一の電極を含む領域を覆うよう有機薄膜を
形成する工程と、有機薄膜の表面に第二の電極を形成す
る工程と、基板を第一の電極及び第二の電極を有する有
機薄膜から脱離する工程と、基板を脱離した有機薄膜の
第一の電極側の面に有機半導体を積層する工程と、を有
する電界効果トランジスターの製造方法。
する工程と、基板の第一の電極が形成された側の面に、
少なくとも第一の電極を含む領域を覆うよう有機薄膜を
形成する工程と、有機薄膜の表面に第二の電極を形成す
る工程と、基板を第一の電極及び第二の電極を有する有
機薄膜から脱離する工程と、基板を脱離した有機薄膜の
第一の電極側の面に有機半導体を積層する工程と、を有
する電界効果トランジスターの製造方法。
【０００７】［２］基板の一方の面に第一の電極を形成
する工程につづいて、基板の第一の電極が形成された側
の面に、少なくとも第一の電極を含む領域を覆うよう接
着性を有する層を形成する工程を有する［１］に記載の
電界効果トランジスターの製造方法。
する工程につづいて、基板の第一の電極が形成された側
の面に、少なくとも第一の電極を含む領域を覆うよう接
着性を有する層を形成する工程を有する［１］に記載の
電界効果トランジスターの製造方法。
【０００８】［３］基板を第一の電極及び第二の電極を
有する有機薄膜から脱離する工程が、有機薄膜の第二の
電極を有する面に粘着性フィルムを貼着し、基板を剥離
することからなる［１］又は［２］に記載の電界効果ト
ランジスターの製造方法。
有する有機薄膜から脱離する工程が、有機薄膜の第二の
電極を有する面に粘着性フィルムを貼着し、基板を剥離
することからなる［１］又は［２］に記載の電界効果ト
ランジスターの製造方法。
【０００９】［４］基板を第一の電極及び第二の電極を
有する有機薄膜から脱離する工程が、基板を溶解するこ
とからなる［１］乃至［３］の内いずれか１項に記載の
電界効果トランジスターの製造方法。
有する有機薄膜から脱離する工程が、基板を溶解するこ
とからなる［１］乃至［３］の内いずれか１項に記載の
電界効果トランジスターの製造方法。
【００１０】［５］有機薄膜を形成する工程が、真空蒸
着法又はＣＶＤ法によりキシリレンダイマー及び／又は
その誘導体でポリパラキシリレン及び／又はその誘導体
の有機薄膜を形成することからなる［１］乃至［４］の
内いずれか１項記載の電界効果トランジスターの製造方
法。
着法又はＣＶＤ法によりキシリレンダイマー及び／又は
その誘導体でポリパラキシリレン及び／又はその誘導体
の有機薄膜を形成することからなる［１］乃至［４］の
内いずれか１項記載の電界効果トランジスターの製造方
法。
【００１１】［６］基板と、基板の一方の面に設けられ
た第一の電極と、基板の第一の電極が形成された側の面
に、少なくとも第一の電極を含む領域を覆うよう設けら
れた有機薄膜と、有機薄膜の表面に形成された第二の電
極とを具備する電界効果トランジスター用積層体。
た第一の電極と、基板の第一の電極が形成された側の面
に、少なくとも第一の電極を含む領域を覆うよう設けら
れた有機薄膜と、有機薄膜の表面に形成された第二の電
極とを具備する電界効果トランジスター用積層体。
【００１２】［７］第二の電極が形成された有機薄膜の
面に、さらに粘着性フィルムを積層した、［６］記載の
積層体。
面に、さらに粘着性フィルムを積層した、［６］記載の
積層体。
【００１３】［８］第一の電極と有機薄膜の間に接着性
を有する層を備える［６］又は［７］記載の積層体。
を有する層を備える［６］又は［７］記載の積層体。
【００１４】［９］有機薄膜がポリパラキシリレン及び
／又はその誘導体で形成されたものである［６］乃至
［８］の内いずれか１項記載の積層体。
／又はその誘導体で形成されたものである［６］乃至
［８］の内いずれか１項記載の積層体。
【００１５】［１０］［６］乃至［９］の内いずれか１
に記載の積層体を形成する基板を第一の電極及び第二の
電極を有する有機薄膜から脱離し、基板が脱離された有
機薄膜の第一の電極側の面に、有機半導体を積層してな
る電界効果トランジスター。
に記載の積層体を形成する基板を第一の電極及び第二の
電極を有する有機薄膜から脱離し、基板が脱離された有
機薄膜の第一の電極側の面に、有機半導体を積層してな
る電界効果トランジスター。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明における電界効果トランジスター２０ｃ又は２０
ｄは、一例として、図１に模式的に示されるような製造
工程により作製される。すなわち、基板２上にレジスト
３を塗布し、レジストパターン４を作製する。このレジ
ストパターン４上に第一の電極５を作製し、その後レジ
スト３を除去する。この第一の電極５上に、絶縁層とし
て働く有機薄膜６を作製し、その有機薄膜６上に第二の
電極７を作製する。次に、この第二の電極７上に粘着性
フィルムであるフレキシブル基板８を貼付け積層体を作
製する。その後、電極５、７と有機薄膜６とフレキシブ
ル基板８からなる多層構造体である積層体を基板２から
脱離させ、その脱離面に有機半導体９を積層する。
本発明における電界効果トランジスター２０ｃ又は２０
ｄは、一例として、図１に模式的に示されるような製造
工程により作製される。すなわち、基板２上にレジスト
３を塗布し、レジストパターン４を作製する。このレジ
ストパターン４上に第一の電極５を作製し、その後レジ
スト３を除去する。この第一の電極５上に、絶縁層とし
て働く有機薄膜６を作製し、その有機薄膜６上に第二の
電極７を作製する。次に、この第二の電極７上に粘着性
フィルムであるフレキシブル基板８を貼付け積層体を作
製する。その後、電極５、７と有機薄膜６とフレキシブ
ル基板８からなる多層構造体である積層体を基板２から
脱離させ、その脱離面に有機半導体９を積層する。
【００１７】本発明に係る基板の材質は、シリコンウェ
ハ、ガラス、錫インジウム酸化物、雲母、グラファイ
ト、硫化モリブデンの他、銅、亜鉛、アルミニウム、ス
テンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀等の金
属等が挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。また、フォトリソグラフィ等で電極を作製する基板
としては、特にシリコンウェハやガラスが好適に用いら
れる。本発明において基板の一方の面に第一の電極を形
成する方法は、特に限定されるものではない。例えば、
レジスト材料を基板表面に塗布し、電極パターンを施し
たフォトマスクを通して露光し、次いで現像操作を施し
レジストパターンを作製する。その後、電極材料を真空
蒸着又はスパッタリング等を施すことにより第一の電極
を形成する。レジストを剥離又は溶解することで基板上
にソース電極及びドレイン電極となる電極パターンを作
製する。
ハ、ガラス、錫インジウム酸化物、雲母、グラファイ
ト、硫化モリブデンの他、銅、亜鉛、アルミニウム、ス
テンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀等の金
属等が挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。また、フォトリソグラフィ等で電極を作製する基板
としては、特にシリコンウェハやガラスが好適に用いら
れる。本発明において基板の一方の面に第一の電極を形
成する方法は、特に限定されるものではない。例えば、
レジスト材料を基板表面に塗布し、電極パターンを施し
たフォトマスクを通して露光し、次いで現像操作を施し
レジストパターンを作製する。その後、電極材料を真空
蒸着又はスパッタリング等を施すことにより第一の電極
を形成する。レジストを剥離又は溶解することで基板上
にソース電極及びドレイン電極となる電極パターンを作
製する。
【００１８】本発明におけるレジスト材料としては、ポ
リイソプレンとビスアジドからなる環化ゴム、ポリけい
皮酸、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、ポリメチルメ
タクリレート、ポリメチルイソプロペニルケトン等が挙
げられるが、環化ゴムが特に好適に用いられる。本発明
において電極材料としては、金、銅、アルミニウム、白
金、クロム、パラジウム、インジウム、モリブテン、ニ
ッケル、マグネシウム、銀、鉄、ガリウム等の金属やこ
れらの合金、スズ・インジウム酸化物、ポリシリコン、
アモルファスシリコン、スズ酸化物、酸化インジウム、
酸化チタン等の酸化物半導体、ガリウム砒素、窒化ガリ
ウム等の化合物半導体等の１種又は２種以上が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。
リイソプレンとビスアジドからなる環化ゴム、ポリけい
皮酸、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、ポリメチルメ
タクリレート、ポリメチルイソプロペニルケトン等が挙
げられるが、環化ゴムが特に好適に用いられる。本発明
において電極材料としては、金、銅、アルミニウム、白
金、クロム、パラジウム、インジウム、モリブテン、ニ
ッケル、マグネシウム、銀、鉄、ガリウム等の金属やこ
れらの合金、スズ・インジウム酸化物、ポリシリコン、
アモルファスシリコン、スズ酸化物、酸化インジウム、
酸化チタン等の酸化物半導体、ガリウム砒素、窒化ガリ
ウム等の化合物半導体等の１種又は２種以上が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。
【００１９】本発明に係る第一の電極は、ソース電極及
びドレイン電極として作用し、電極材料が用いられる。
第一の電極の電極回路の線幅は、好ましくは０．１〜１
０００μｍ、より好ましくは１〜５０μｍである。ここ
で、線幅が１μｍより小さくなるにつれ、電気抵抗が大
きくなり、また断線が起こりやすくなるという傾向が見
られ、５０μｍより大きくなるにつれ、回路の集積率が
低くなるという傾向が見られる。
びドレイン電極として作用し、電極材料が用いられる。
第一の電極の電極回路の線幅は、好ましくは０．１〜１
０００μｍ、より好ましくは１〜５０μｍである。ここ
で、線幅が１μｍより小さくなるにつれ、電気抵抗が大
きくなり、また断線が起こりやすくなるという傾向が見
られ、５０μｍより大きくなるにつれ、回路の集積率が
低くなるという傾向が見られる。
【００２０】本発明における有機薄膜は、少なくとも第
一の電極を含む領域を覆うように形成されていれば足
り、基板の全面を覆うように形成される必要はない。本
発明において有機薄膜を作製する方法としては、真空蒸
着法、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、スピンコ
ート法、ディップコート法、シルクスクリーン法、スプ
レイ法等が挙げられるが、なかでも真空蒸着法のうち化
学反応蒸着法やＣＶＤ法が好適に用いられる。ここで、
化学反応蒸着法とは、減圧下、加熱や放電によってラジ
カル等の化学活性種とした物質を基板表面に堆積すると
同時に、化学反応を起こさせることにより強固な薄膜を
作製する方法である。具体的には、化学反応蒸着装置内
において、電極パターンが形成された基板上に有機薄膜
が形成される。この時、疎水相互作用、界面での混合効
果により接着性が向上する効果が得られる。第一の電極
表面上に接着層がない場合においても、表面に付着した
有機物や過酸化物に由来する疎水相互作用、界面での混
合効果は存在するが、接着層がある場合に比べその作用
・効果は弱い。このように、化学反応蒸着法又はＣＶＤ
法により、キシリレンダイマー等の単量体及び／又はそ
の誘導体を用いて有機薄膜が形成される。本発明に係る
有機薄膜は絶縁層であり、具体的には、ポリパラキシリ
レンやその誘導体、ポリイミドやその誘導体、ポリアク
リロニトリル、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレ
ン、ポリフェノール誘導体、ポリ尿素、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン
等のポリマー薄膜等が用いられるが、特に膜の均一性と
電気絶縁性の点から、ポリキシリレンやその誘導体、あ
るいはポリイミドやその誘導体が好適に用いられる。本
発明の有機薄膜に使用されるポリマーに、本発明の目的
を損なわない範囲において、安定剤、紫外線吸収剤、滑
剤、ブルーイング剤、顔料、着色剤、酸化防止剤、帯電
防止剤等の添加剤等をブレンドしてもよい。
一の電極を含む領域を覆うように形成されていれば足
り、基板の全面を覆うように形成される必要はない。本
発明において有機薄膜を作製する方法としては、真空蒸
着法、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、スピンコ
ート法、ディップコート法、シルクスクリーン法、スプ
レイ法等が挙げられるが、なかでも真空蒸着法のうち化
学反応蒸着法やＣＶＤ法が好適に用いられる。ここで、
化学反応蒸着法とは、減圧下、加熱や放電によってラジ
カル等の化学活性種とした物質を基板表面に堆積すると
同時に、化学反応を起こさせることにより強固な薄膜を
作製する方法である。具体的には、化学反応蒸着装置内
において、電極パターンが形成された基板上に有機薄膜
が形成される。この時、疎水相互作用、界面での混合効
果により接着性が向上する効果が得られる。第一の電極
表面上に接着層がない場合においても、表面に付着した
有機物や過酸化物に由来する疎水相互作用、界面での混
合効果は存在するが、接着層がある場合に比べその作用
・効果は弱い。このように、化学反応蒸着法又はＣＶＤ
法により、キシリレンダイマー等の単量体及び／又はそ
の誘導体を用いて有機薄膜が形成される。本発明に係る
有機薄膜は絶縁層であり、具体的には、ポリパラキシリ
レンやその誘導体、ポリイミドやその誘導体、ポリアク
リロニトリル、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレ
ン、ポリフェノール誘導体、ポリ尿素、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン
等のポリマー薄膜等が用いられるが、特に膜の均一性と
電気絶縁性の点から、ポリキシリレンやその誘導体、あ
るいはポリイミドやその誘導体が好適に用いられる。本
発明の有機薄膜に使用されるポリマーに、本発明の目的
を損なわない範囲において、安定剤、紫外線吸収剤、滑
剤、ブルーイング剤、顔料、着色剤、酸化防止剤、帯電
防止剤等の添加剤等をブレンドしてもよい。
【００２１】本発明において有機薄膜の表面に第二の電
極を作製する方法としては、特に限定されるものではな
いが、具体的には、第二の電極となる金属あるいは無機
半導体層を有機薄膜上に真空蒸着法、プラズマＣＶＤ
法、スパッタリング法、スプレイ法等により作製され
る。本発明に係る第二の電極は、ゲート電極として作用
し、第一の電極と同様に、金、銅、アルミニウム、白
金、クロム、パラジウム、インジウム、モリブテン、ニ
ッケル、マグネシウム、銀、鉄、ガリウム等の金属やこ
れらの合金、スズ・インジウム酸化物、ポリシリコン、
アモルファスシリコン、スズ酸化物、酸化インジウム、
酸化チタン等の酸化物半導体、ガリウム砒素、窒化ガリ
ウム等の化合物半導体等の１種又は２種以上の材料が用
いられる。本発明における積層体は、電解効果トランジ
スターを製造するためのものであり、第一の電極／有機
薄膜／第二の電極からなる多層構造体、第一の電極／有
機薄膜／第二の電極／粘着性フィルムからなる多層構造
体がある。
極を作製する方法としては、特に限定されるものではな
いが、具体的には、第二の電極となる金属あるいは無機
半導体層を有機薄膜上に真空蒸着法、プラズマＣＶＤ
法、スパッタリング法、スプレイ法等により作製され
る。本発明に係る第二の電極は、ゲート電極として作用
し、第一の電極と同様に、金、銅、アルミニウム、白
金、クロム、パラジウム、インジウム、モリブテン、ニ
ッケル、マグネシウム、銀、鉄、ガリウム等の金属やこ
れらの合金、スズ・インジウム酸化物、ポリシリコン、
アモルファスシリコン、スズ酸化物、酸化インジウム、
酸化チタン等の酸化物半導体、ガリウム砒素、窒化ガリ
ウム等の化合物半導体等の１種又は２種以上の材料が用
いられる。本発明における積層体は、電解効果トランジ
スターを製造するためのものであり、第一の電極／有機
薄膜／第二の電極からなる多層構造体、第一の電極／有
機薄膜／第二の電極／粘着性フィルムからなる多層構造
体がある。
【００２２】本発明において基板を第一の電極及び第二
の電極を有する有機薄膜から脱離する方法は、第一の電
極／有機薄膜／第二の電極からなる積層体の第二の電極
が形成された有機薄膜の面に粘着性フィルムを貼着する
ことにより、第一の電極及び第二の電極を有する有機薄
膜から基板を剥離する方法、あるいは基板を溶解させる
方法、またはその両方があるが、いずれであっても構わ
ない。基板を脱離することにより本発明における電界効
果トランジスターが得られる。本発明に係る粘着性フィ
ルムとしては、フレキシブル基板が好適に用いられ、例
えば、アセテート、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリイ
ミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフル
オロエチレン等が挙げられる。
の電極を有する有機薄膜から脱離する方法は、第一の電
極／有機薄膜／第二の電極からなる積層体の第二の電極
が形成された有機薄膜の面に粘着性フィルムを貼着する
ことにより、第一の電極及び第二の電極を有する有機薄
膜から基板を剥離する方法、あるいは基板を溶解させる
方法、またはその両方があるが、いずれであっても構わ
ない。基板を脱離することにより本発明における電界効
果トランジスターが得られる。本発明に係る粘着性フィ
ルムとしては、フレキシブル基板が好適に用いられ、例
えば、アセテート、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリイ
ミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフル
オロエチレン等が挙げられる。
【００２３】本発明において基板を溶解する方法として
は、直接溶解液に浸漬する他、溶解液を塗布したり、吹
き付ける方法、溶解性気体や溶解液の蒸気にさらす方法
等が用いられるが、これらに限定されるものではない。
光分解性の基板の場合、紫外線やＸ線、電子線に晒すこ
とで分解する事もできる。本発明において基板を溶解す
る溶液としては、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸、塩素酸、
過塩素酸等の酸水溶液やその混合物、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニア水
等のアルカリ性水溶液やその混合物、過マンガン酸カリ
ウム、重クロム酸カリウム等の酸化剤の水溶液、トルエ
ン、クロロホルム、塩化メチレン、酢酸エチル、ベンゼ
ン、エーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド等の有機溶剤やその混合物等が用いられる。
は、直接溶解液に浸漬する他、溶解液を塗布したり、吹
き付ける方法、溶解性気体や溶解液の蒸気にさらす方法
等が用いられるが、これらに限定されるものではない。
光分解性の基板の場合、紫外線やＸ線、電子線に晒すこ
とで分解する事もできる。本発明において基板を溶解す
る溶液としては、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸、塩素酸、
過塩素酸等の酸水溶液やその混合物、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニア水
等のアルカリ性水溶液やその混合物、過マンガン酸カリ
ウム、重クロム酸カリウム等の酸化剤の水溶液、トルエ
ン、クロロホルム、塩化メチレン、酢酸エチル、ベンゼ
ン、エーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド等の有機溶剤やその混合物等が用いられる。
【００２４】基板を第一の電極及び第二の電極を有する
有機薄膜から脱離した後、第一の電極が露出した脱離面
に有機半導体を作製し半導体層を形成する。その後、各
電極を結線しトランジスターとする。ここで、脱離面に
有機半導体を積層する方法としては、真空蒸着法、スピ
ンコート法、キャスト法、引き上げ法、ラングミュアブ
ロジェット法、スプレイ法、インクジェット法、シルク
スクリーン法等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。本発明に係る有機半導体としては、ペンタ
セン、アントラセン、ピレン等のアレーン類及びそれら
の複数個つながった構造のオリゴマー、ポリマー、チオ
フェン、ピロール、フラン等のヘテロ環化合物及びそれ
らの複数個つながった構造のオリゴマー、ポリマー、ト
リフェニルアミン誘導体やフタロシアニン誘導体とその
銅、金、白金、バナジウム、ルテニウム等の金属錯体、
キノリノールやビピリジンオキサゾール等の各誘導体と
アルミニウム、亜鉛、硼素、イリジウム、白金、ルテニ
ウム等の金属元素が作る錯体及びそれらを分子内に有す
るポリマー、ポリアセチレン、ポリフェニレンビニレ
ン、ポリフルオレン等のπ共役ポリマー等が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。特に、安定性や
キャリア移動度の点から、ペンタセンやフタロシアニン
銅錯体、ポリチオフェンが好適に用いられる。
有機薄膜から脱離した後、第一の電極が露出した脱離面
に有機半導体を作製し半導体層を形成する。その後、各
電極を結線しトランジスターとする。ここで、脱離面に
有機半導体を積層する方法としては、真空蒸着法、スピ
ンコート法、キャスト法、引き上げ法、ラングミュアブ
ロジェット法、スプレイ法、インクジェット法、シルク
スクリーン法等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。本発明に係る有機半導体としては、ペンタ
セン、アントラセン、ピレン等のアレーン類及びそれら
の複数個つながった構造のオリゴマー、ポリマー、チオ
フェン、ピロール、フラン等のヘテロ環化合物及びそれ
らの複数個つながった構造のオリゴマー、ポリマー、ト
リフェニルアミン誘導体やフタロシアニン誘導体とその
銅、金、白金、バナジウム、ルテニウム等の金属錯体、
キノリノールやビピリジンオキサゾール等の各誘導体と
アルミニウム、亜鉛、硼素、イリジウム、白金、ルテニ
ウム等の金属元素が作る錯体及びそれらを分子内に有す
るポリマー、ポリアセチレン、ポリフェニレンビニレ
ン、ポリフルオレン等のπ共役ポリマー等が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。特に、安定性や
キャリア移動度の点から、ペンタセンやフタロシアニン
銅錯体、ポリチオフェンが好適に用いられる。
【００２５】本発明における電界効果トランジスター
は、レジストパターン上に第一の電極を作製し、その後
レジストを除去し、つづいて、この第一の電極上に接着
性を有する層を作製し、その上に絶縁層として働く有機
薄膜を作製することによっても製造することができる。
このように作製された電界効果トランジスターの断面図
を図２に示す。
は、レジストパターン上に第一の電極を作製し、その後
レジストを除去し、つづいて、この第一の電極上に接着
性を有する層を作製し、その上に絶縁層として働く有機
薄膜を作製することによっても製造することができる。
このように作製された電界効果トランジスターの断面図
を図２に示す。
【００２６】電極表面上に接着層が形成されると、接着
層中の二重結合や三重結合が化学反応蒸着で形成される
ポリマー層（有機薄膜）と強固な共有結合を形成しやす
いので好ましい。二重結合や三重結合がなくてもポリマ
ー層とラジカル反応等で共有結合を形成する場合があ
る。また、共有結合が形成されなくても、疎水相互作
用、界面での混合効果により、接着性が向上する。本発
明において第一の電極と有機薄膜の間に形成される接着
性を有する層を作製する接着材料としては、有機材料に
親和性を有する飽和炭化水素、二重結合、三重結合を有
する不飽和炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水
素、金属材料に親和性を有するチオール、スルフィド、
ジスルフィド、ポリスルフィド、チオアルデヒド、チオ
ケトン、チオアセタール等のイオウ性官能基を有する化
合物、酸化物半導体に親和性を有するトリクロロシラ
ン、メトキシシラン等の含ケイ素官能基を有する化合物
やリン酸、カルボン酸およびその誘導体もしくはそれら
の金属塩等の1種又は２種以上が用いられるが、使用さ
れる電極材料の種類により適宜選択される。
層中の二重結合や三重結合が化学反応蒸着で形成される
ポリマー層（有機薄膜）と強固な共有結合を形成しやす
いので好ましい。二重結合や三重結合がなくてもポリマ
ー層とラジカル反応等で共有結合を形成する場合があ
る。また、共有結合が形成されなくても、疎水相互作
用、界面での混合効果により、接着性が向上する。本発
明において第一の電極と有機薄膜の間に形成される接着
性を有する層を作製する接着材料としては、有機材料に
親和性を有する飽和炭化水素、二重結合、三重結合を有
する不飽和炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水
素、金属材料に親和性を有するチオール、スルフィド、
ジスルフィド、ポリスルフィド、チオアルデヒド、チオ
ケトン、チオアセタール等のイオウ性官能基を有する化
合物、酸化物半導体に親和性を有するトリクロロシラ
ン、メトキシシラン等の含ケイ素官能基を有する化合物
やリン酸、カルボン酸およびその誘導体もしくはそれら
の金属塩等の1種又は２種以上が用いられるが、使用さ
れる電極材料の種類により適宜選択される。
【００２７】本発明において接着性を有する層を形成す
る方法としては、電極材料と有機薄膜の両方に親和性を
有する接着物質を溶解した液に、作製した電極パターン
付基板を浸漬する方法、接着物質溶液を塗布または吹き
付ける方法、接着物質の蒸気に電極パターン付基板を曝
す方法等により電極表面に接着層を形成するが、これら
の方法に限定されるものではない。本発明に係る電界効
果トランジスターは、フレキシブルなディスプレイを駆
動するＴＦＴ回路や、シール状のＩＣチップ等として広
く利用される。
る方法としては、電極材料と有機薄膜の両方に親和性を
有する接着物質を溶解した液に、作製した電極パターン
付基板を浸漬する方法、接着物質溶液を塗布または吹き
付ける方法、接着物質の蒸気に電極パターン付基板を曝
す方法等により電極表面に接着層を形成するが、これら
の方法に限定されるものではない。本発明に係る電界効
果トランジスターは、フレキシブルなディスプレイを駆
動するＴＦＴ回路や、シール状のＩＣチップ等として広
く利用される。
【００２８】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ シリコンウェハ上にリフトオフ用レジストをスピンコー
ト法により塗布し、チャンネル長２５μｍの櫛形電極の
パターンのフォトマスクを介して露光、現像操作により
櫛形電極のレジストパターンを作製した。基板を真空蒸
着機に移し、金を真空蒸着法により厚さ５０ｎｍ製膜し
た。レジストを剥離することでチャンネル長２５μｍの
金櫛形電極を作製した。このシリコン基板を化学蒸着装
置へ移した。減圧下でキシリレンダイマー（商品名：パ
リレン、日本パリレン（株）製）を加熱蒸発させ、６５
０℃に加熱した加熱管を通して熱分解して、ジラジカル
モノマーを発生させた。室温に保持した基板上へ、発生
させたジラジカルモノマーを導入し、厚さ５００ｎｍの
ポリパラキシリレン薄膜を作製した。基板を真空蒸着機
に移し、２ｍｍのスリットマスクを通して金を蒸着し
た。この基板上に幅１ｃｍの粘着性フィルム（商標名；
Scotchメンディングテープ、住友スリーエム社製）を貼
付し、ゆっくり引き剥がすことにより、作製した櫛形電
極／ポリパラキシリレン薄膜／金電極の多層構造を該テ
ープ上に移し取った。剥離面には金櫛形電極がほぼ完全
に移し取られていたが、一部欠落部が存在した。このテ
ープを真空蒸着機に入れ、剥離面にペンタセンを５０ｎ
ｍの厚さで蒸着した。蒸着機から取り出し、櫛形電極を
ソース・ドレイン電極として、金電極をゲート電極とす
るように結線し、その動作を確認した。その結果を図３
に示す。図３より、電極―電圧応答にゲート電位依存性
がみられ、有機トランジスターとして動作することが確
認された。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ シリコンウェハ上にリフトオフ用レジストをスピンコー
ト法により塗布し、チャンネル長２５μｍの櫛形電極の
パターンのフォトマスクを介して露光、現像操作により
櫛形電極のレジストパターンを作製した。基板を真空蒸
着機に移し、金を真空蒸着法により厚さ５０ｎｍ製膜し
た。レジストを剥離することでチャンネル長２５μｍの
金櫛形電極を作製した。このシリコン基板を化学蒸着装
置へ移した。減圧下でキシリレンダイマー（商品名：パ
リレン、日本パリレン（株）製）を加熱蒸発させ、６５
０℃に加熱した加熱管を通して熱分解して、ジラジカル
モノマーを発生させた。室温に保持した基板上へ、発生
させたジラジカルモノマーを導入し、厚さ５００ｎｍの
ポリパラキシリレン薄膜を作製した。基板を真空蒸着機
に移し、２ｍｍのスリットマスクを通して金を蒸着し
た。この基板上に幅１ｃｍの粘着性フィルム（商標名；
Scotchメンディングテープ、住友スリーエム社製）を貼
付し、ゆっくり引き剥がすことにより、作製した櫛形電
極／ポリパラキシリレン薄膜／金電極の多層構造を該テ
ープ上に移し取った。剥離面には金櫛形電極がほぼ完全
に移し取られていたが、一部欠落部が存在した。このテ
ープを真空蒸着機に入れ、剥離面にペンタセンを５０ｎ
ｍの厚さで蒸着した。蒸着機から取り出し、櫛形電極を
ソース・ドレイン電極として、金電極をゲート電極とす
るように結線し、その動作を確認した。その結果を図３
に示す。図３より、電極―電圧応答にゲート電位依存性
がみられ、有機トランジスターとして動作することが確
認された。
【００２９】実施例２
シリコンウェハ上にリフトオフ用レジストをスピンコー
ト法により塗布し、チャンネル長２５μｍの櫛形電極の
パターンのフォトマスクを介して露光、現像操作により
櫛形電極のレジストパターンを作製した。基板を真空蒸
着機に移し、金を真空蒸着法により厚さ５０ｎｍ製膜し
た。レジストを剥離することでチャンネル長２５μｍの
金櫛形電極を作製した。このシリコン基板を１１−メル
カプト−１−ウンデセンの１ｍＭエタノール溶液に３０
分間浸漬し、エタノールで洗浄した。その後、化学蒸着
装置へ移し、減圧下でキシリレンダイマー（商品名：パ
リレン、日本パリレン（株）製）を加熱蒸発させ、６５
０℃に加熱した加熱管を通して熱分解して、ジラジカル
モノマーを発生させた。室温に保持した基板上へ、発生
させたジラジカルモノマーを導入し、厚さ５００ｎｍの
ポリパラキシリレン薄膜を作製した。基板を真空蒸着機
に移し、２ｍｍのスリットマスクを通して金を蒸着し
た。この基板上に幅１ｃｍの粘着性フィルム（商標名；
Scotchメンディングテープ、住友スリーエム社製）を貼
付し、ゆっくり引き剥がすことにより、作製した櫛形電
極／ポリパラキシリレン薄膜／金電極の多層構造を該テ
ープ上に移し取った。剥離面には完全な形で金櫛形電極
が転写されていた。このテープを真空蒸着機に入れ、剥
離面にペンタセンを２００ｎｍの厚さで蒸着した。蒸着
機から取り出し、櫛形電極をソース・ドレイン電極とし
て、金電極をゲート電極とするように結線し、その動作
を確認した。その結果を図４に示す。図４より、電極―
電圧応答にゲート電位依存性がみられ、有機トランジス
ターとして動作することが確認された。
ト法により塗布し、チャンネル長２５μｍの櫛形電極の
パターンのフォトマスクを介して露光、現像操作により
櫛形電極のレジストパターンを作製した。基板を真空蒸
着機に移し、金を真空蒸着法により厚さ５０ｎｍ製膜し
た。レジストを剥離することでチャンネル長２５μｍの
金櫛形電極を作製した。このシリコン基板を１１−メル
カプト−１−ウンデセンの１ｍＭエタノール溶液に３０
分間浸漬し、エタノールで洗浄した。その後、化学蒸着
装置へ移し、減圧下でキシリレンダイマー（商品名：パ
リレン、日本パリレン（株）製）を加熱蒸発させ、６５
０℃に加熱した加熱管を通して熱分解して、ジラジカル
モノマーを発生させた。室温に保持した基板上へ、発生
させたジラジカルモノマーを導入し、厚さ５００ｎｍの
ポリパラキシリレン薄膜を作製した。基板を真空蒸着機
に移し、２ｍｍのスリットマスクを通して金を蒸着し
た。この基板上に幅１ｃｍの粘着性フィルム（商標名；
Scotchメンディングテープ、住友スリーエム社製）を貼
付し、ゆっくり引き剥がすことにより、作製した櫛形電
極／ポリパラキシリレン薄膜／金電極の多層構造を該テ
ープ上に移し取った。剥離面には完全な形で金櫛形電極
が転写されていた。このテープを真空蒸着機に入れ、剥
離面にペンタセンを２００ｎｍの厚さで蒸着した。蒸着
機から取り出し、櫛形電極をソース・ドレイン電極とし
て、金電極をゲート電極とするように結線し、その動作
を確認した。その結果を図４に示す。図４より、電極―
電圧応答にゲート電位依存性がみられ、有機トランジス
ターとして動作することが確認された。
【００３０】実施例３
塩化ナトリウム板上にリフトオフ用レジストをスピンコ
ート法により塗布し、チャンネル長２５μｍの櫛形電極
のパターンのフォトマスクを介して露光、現像操作によ
り櫛形電極のレジストパターンを作製した。基板を真空
蒸着機に移し、金を真空蒸着法により厚さ５０ｎｍ製膜
した。レジストを剥離することでチャンネル長２５μｍ
の金櫛形電極を作製した。このシリコン基板を１１−メ
ルカプト−１−ウンデセンの１ｍＭジエチルエーテル溶
液に１０分間浸漬し、エタノールで洗浄した。その後、
化学蒸着装置へ移し、減圧下でキシリレンダイマー（商
品名：パリレン、日本パリレン（株）製）を加熱蒸発さ
せ、６５０℃に加熱した加熱管を通して熱分解して、ジ
ラジカルモノマーを発生させた。室温に保持した基板上
へ、発生させたジラジカルモノマーを導入し、厚さ５０
０ｎｍのポリパラキシリレン薄膜を作製した。基板を真
空蒸着機に移し、２ｍｍのスリットマスクを通して金を
蒸着した。この基板上に幅１ｃｍのセロハンテープ（商
標名；Scotchメンディングテープ 住友スリーエム社
製）を貼付したのち、純水の入ったビーカに浸けた。塩
化ナトリウムを完全に溶解させ、作製した櫛形電極／ポ
リパラキシリレン薄膜／金電極の多層構造を該テープ上
に移し取った。剥離面には完全な形で金櫛形電極が転写
されていた。このテープを真空蒸着機に入れ、剥離面に
ペンタセンを２００ｎｍの厚さで蒸着した。蒸着機から
取り出し、櫛形電極をソース・ドレイン電極として、金
電極をゲート電極とするように結線し、その動作を確認
した。その結果を図５に示す。図５より、電極―電圧応
答にゲート電位依存性がみられ、有機トランジスターと
して動作することが確認された。
ート法により塗布し、チャンネル長２５μｍの櫛形電極
のパターンのフォトマスクを介して露光、現像操作によ
り櫛形電極のレジストパターンを作製した。基板を真空
蒸着機に移し、金を真空蒸着法により厚さ５０ｎｍ製膜
した。レジストを剥離することでチャンネル長２５μｍ
の金櫛形電極を作製した。このシリコン基板を１１−メ
ルカプト−１−ウンデセンの１ｍＭジエチルエーテル溶
液に１０分間浸漬し、エタノールで洗浄した。その後、
化学蒸着装置へ移し、減圧下でキシリレンダイマー（商
品名：パリレン、日本パリレン（株）製）を加熱蒸発さ
せ、６５０℃に加熱した加熱管を通して熱分解して、ジ
ラジカルモノマーを発生させた。室温に保持した基板上
へ、発生させたジラジカルモノマーを導入し、厚さ５０
０ｎｍのポリパラキシリレン薄膜を作製した。基板を真
空蒸着機に移し、２ｍｍのスリットマスクを通して金を
蒸着した。この基板上に幅１ｃｍのセロハンテープ（商
標名；Scotchメンディングテープ 住友スリーエム社
製）を貼付したのち、純水の入ったビーカに浸けた。塩
化ナトリウムを完全に溶解させ、作製した櫛形電極／ポ
リパラキシリレン薄膜／金電極の多層構造を該テープ上
に移し取った。剥離面には完全な形で金櫛形電極が転写
されていた。このテープを真空蒸着機に入れ、剥離面に
ペンタセンを２００ｎｍの厚さで蒸着した。蒸着機から
取り出し、櫛形電極をソース・ドレイン電極として、金
電極をゲート電極とするように結線し、その動作を確認
した。その結果を図５に示す。図５より、電極―電圧応
答にゲート電位依存性がみられ、有機トランジスターと
して動作することが確認された。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、フォトリソグラフィ技
術が適用可能な固体基板上に作製した回路配線をプラス
チック等の有機材料基板上へ配線構造を損なうことなく
移し取ることができるとともに、絶縁層を含む多層構造
の構築が可能である。また、基板からの回路配線の脱落
を抑制する接着層を設けた構造の素子作製にも対応でき
る。また、接着性を有する層中の二重結合や三重結合が
ポリマー層と強固な共有結合を形成することができる。
また、第一の電極を基板から有機材料基板へ移し取る操
作を容易にすることができ、均一で欠陥の少ない絶縁層
を得ることができる。また、有機薄膜表面を疎水性にす
ることができ、疎水性有機半導体を積層しやすくするこ
とができるとともに、フォトリソグラフィ使用によって
直接付着法で作成する配線構造より微細で、集積率の高
い回路が可能である。また、該第二の電極の保護膜とす
る事ができ、基板との接着力が強い電極にも製造方法を
適用する事ができるだけでなく、脱離工程での電極の損
壊を防ぐことができる。更に、生産のエネルギーコスト
が低く、フレキシブルな素子構造を実現することが可能
である。
術が適用可能な固体基板上に作製した回路配線をプラス
チック等の有機材料基板上へ配線構造を損なうことなく
移し取ることができるとともに、絶縁層を含む多層構造
の構築が可能である。また、基板からの回路配線の脱落
を抑制する接着層を設けた構造の素子作製にも対応でき
る。また、接着性を有する層中の二重結合や三重結合が
ポリマー層と強固な共有結合を形成することができる。
また、第一の電極を基板から有機材料基板へ移し取る操
作を容易にすることができ、均一で欠陥の少ない絶縁層
を得ることができる。また、有機薄膜表面を疎水性にす
ることができ、疎水性有機半導体を積層しやすくするこ
とができるとともに、フォトリソグラフィ使用によって
直接付着法で作成する配線構造より微細で、集積率の高
い回路が可能である。また、該第二の電極の保護膜とす
る事ができ、基板との接着力が強い電極にも製造方法を
適用する事ができるだけでなく、脱離工程での電極の損
壊を防ぐことができる。更に、生産のエネルギーコスト
が低く、フレキシブルな素子構造を実現することが可能
である。
【００３２】本発明により製造された電界効果トランジ
スターは、低消費電力、高速なスイッチング素子とし
て、薄膜トランジスターへの応用により、ＣＲＴと同等
の高画質性能、低消費電力、省スペース等の利点を有す
るアクティブマトリクス駆動の液晶ディスプレイ、有機
ELディスプレイ等として、パソコンやワークステーショ
ン等のモニタに広く利用され汎用性に優れる。
スターは、低消費電力、高速なスイッチング素子とし
て、薄膜トランジスターへの応用により、ＣＲＴと同等
の高画質性能、低消費電力、省スペース等の利点を有す
るアクティブマトリクス駆動の液晶ディスプレイ、有機
ELディスプレイ等として、パソコンやワークステーショ
ン等のモニタに広く利用され汎用性に優れる。
【図１】本発明における電界効果トランジスターの製造
工程の一例を表す図
工程の一例を表す図
【図２】本発明の一実施の形態における電界効果トラン
ジスターの断面図
ジスターの断面図
【図３】本発明の実施例１における電気特性を示すグラ
フ
フ
【図４】本発明の実施例２における電気特性を示すグラ
フ
フ
【図５】本発明の実施例３における電気特性を示すグラ
フ
フ
２ 基板
３ レジスト
４ レジストパターン
５ 第一の電極
６ 有機絶縁層
７ 第二の電極
８ フレキシブル基板
９ 有機半導体
１０ 接着層
２０ａ、２０ｂ 積層体
２０ｃ、２０ｄ、３０ｃ 電界効果トランジスター
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ｄ
(72)発明者 筒井 哲夫
福岡県春日市紅葉ヶ丘東８−66
Ｆターム(参考） 4M104 AA09 BB02 BB04 BB05 BB06
BB07 BB08 BB09 BB13 BB16
BB36 CC01 CC05 DD34 DD37
DD68 EE18 GG09
5F110 AA04 BB01 CC05 DD01 EE01
EE02 EE03 EE04 EE06 EE07
EE08 EE09 EE42 EE43 EE44
EE45 FF01 FF27 FF28 FF30
GG05 GG42 HK01 HK02 HK03
HK04 HK06 HK07 HK09 HK11
HK14 HK16 HK32 HK33 QQ14
QQ16
Claims (10)
- 【請求項１】 基板の一方の面に第一の電極を形成する
工程と、基板の第一の電極が形成された側の面に、少な
くとも第一の電極を含む領域を覆うよう有機薄膜を形成
する工程と、有機薄膜の表面に第二の電極を形成する工
程と、基板を第一の電極及び第二の電極を有する有機薄
膜から脱離する工程と、基板を脱離した有機薄膜の第一
の電極側の面に有機半導体を積層する工程と、を有する
電界効果トランジスターの製造方法。 - 【請求項２】 基板の一方の面に第一の電極を形成する
工程につづいて、基板の第一の電極が形成された側の面
に、少なくとも第一の電極を含む領域を覆うよう接着性
を有する層を形成する工程を有する請求項１に記載の電
界効果トランジスターの製造方法。 - 【請求項３】 基板を第一の電極及び第二の電極を有す
る有機薄膜から脱離する工程が、有機薄膜の第二の電極
を有する面に粘着性フィルムを貼着し、基板を剥離する
ことからなる請求項１又は２に記載の電界効果トランジ
スターの製造方法。 - 【請求項４】 基板を第一の電極及び第二の電極を有す
る有機薄膜から脱離する工程が、基板を溶解することか
らなる請求項１乃至３の内いずれか１項に記載の電界効
果トランジスターの製造方法。 - 【請求項５】 有機薄膜を形成する工程が、真空蒸着法
又はＣＶＤ法によりキシリレンダイマー及び／又はその
誘導体でポリパラキシリレン及び／又はその誘導体の有
機薄膜を形成することからなる請求項１乃至４の内いず
れか１項記載の電界効果トランジスターの製造方法。 - 【請求項６】 基板と、基板の一方の面に設けられた第
一の電極と、基板の第一の電極が形成された側の面に、
少なくとも第一の電極を含む領域を覆うよう設けられた
有機薄膜と、有機薄膜の表面に形成された第二の電極と
を具備する、電界効果トランジスター用積層体。 - 【請求項７】 第二の電極が形成された有機薄膜の面
に、さらに粘着性フィルムを積層した、請求項６記載の
積層体。 - 【請求項８】 第一の電極と有機薄膜の間に接着性を有
する層を備える請求項６又は７記載の積層体。 - 【請求項９】 有機薄膜がポリパラキシリレン及び／又
はその誘導体で形成されたものである請求項６乃至８の
内いずれか１項記載の積層体。 - 【請求項１０】 請求項６乃至９の内いずれか１に記載
の積層体を形成する基板を第一の電極及び第二の電極を
有する有機薄膜から脱離し、基板が脱離された有機薄膜
の第一の電極側の面に、有機半導体を積層してなる電界
効果トランジスター。
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