JP2003257724A - Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト - Google Patents
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトInfo
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- JP2003257724A JP2003257724A JP2002057365A JP2002057365A JP2003257724A JP 2003257724 A JP2003257724 A JP 2003257724A JP 2002057365 A JP2002057365 A JP 2002057365A JP 2002057365 A JP2002057365 A JP 2002057365A JP 2003257724 A JP2003257724 A JP 2003257724A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気抵抗が高く高磁束密度を有し、かつ磁芯
損失が低いＭｎ−Ｚｎ系フェライトを提供することを目
的とする。 【解決手段】 Ｆｅ２Ｏ３ ４２．０ｍｏｌ％以上５
０．０ｍｏｌ％未満、ＺｎＯ ４．０ｍｏｌ％以上１
９．０ｍｏｌ％以下、残部ＭｎＯを主成分とし、ＣａＯ
５０ｐｐｍ以上３０００ｐｐｍ以下、ＳｉＯ２ ５０
ｐｐｍ以上３００ｐｐｍ以下、ＣｏＯ １０００ｐｐｍ
以上１５０００ｐｐｍ以下を副成分として含有し、か
つ、２００Ωｍ以上の電気抵抗を有することを特徴とし
た。
損失が低いＭｎ−Ｚｎ系フェライトを提供することを目
的とする。 【解決手段】 Ｆｅ２Ｏ３ ４２．０ｍｏｌ％以上５
０．０ｍｏｌ％未満、ＺｎＯ ４．０ｍｏｌ％以上１
９．０ｍｏｌ％以下、残部ＭｎＯを主成分とし、ＣａＯ
５０ｐｐｍ以上３０００ｐｐｍ以下、ＳｉＯ２ ５０
ｐｐｍ以上３００ｐｐｍ以下、ＣｏＯ １０００ｐｐｍ
以上１５０００ｐｐｍ以下を副成分として含有し、か
つ、２００Ωｍ以上の電気抵抗を有することを特徴とし
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スイッチング電源用ト
ランス、各種チョ−クコイルの磁芯等に用いるのに適し
たＭｎ−Ｚｎ系フェライトに関する。
ランス、各種チョ−クコイルの磁芯等に用いるのに適し
たＭｎ−Ｚｎ系フェライトに関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトは、各種通信機
器、民生機器、産業機器などのコイル用軟磁性材料に用
いられているが、一般的に、５０ｍｏｌ％よりも多い５
２〜５５ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３と、５〜２５ｍｏｌ％の
ＺｎＯと、残部ＭｎＯの主成分組成となっている。しか
しながら、この組成系においてはＦｅ２＋とＦｅ３＋間
の電子移動により電気抵抗が低く、電気抵抗を高くする
為には、Ｔｉ、Ｓｎなどの４価イオンで置換する方法や
粒界層へＣａやＳｉを偏析させる方法がある。しかしな
がら、この方法では１０Ωｍを超える電気抵抗を得る事
は実際困難であった。
器、民生機器、産業機器などのコイル用軟磁性材料に用
いられているが、一般的に、５０ｍｏｌ％よりも多い５
２〜５５ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３と、５〜２５ｍｏｌ％の
ＺｎＯと、残部ＭｎＯの主成分組成となっている。しか
しながら、この組成系においてはＦｅ２＋とＦｅ３＋間
の電子移動により電気抵抗が低く、電気抵抗を高くする
為には、Ｔｉ、Ｓｎなどの４価イオンで置換する方法や
粒界層へＣａやＳｉを偏析させる方法がある。しかしな
がら、この方法では１０Ωｍを超える電気抵抗を得る事
は実際困難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記した電子移動によ
る電気抵抗を大幅に高くするにはＦｅ２Ｏ３の組成比率
を５０ｍｏｌ％よりも少なくする方法がある。しかし、
その方法のみでは、高い飽和磁束密度を有し、かつ、磁
芯損失の最小となる温度が通常使用される６０〜１２０
℃の温度領域にある材料を得ることは困難であった。
る電気抵抗を大幅に高くするにはＦｅ２Ｏ３の組成比率
を５０ｍｏｌ％よりも少なくする方法がある。しかし、
その方法のみでは、高い飽和磁束密度を有し、かつ、磁
芯損失の最小となる温度が通常使用される６０〜１２０
℃の温度領域にある材料を得ることは困難であった。
【０００４】
【問題を解決する為の手段】本発明は、上記課題を解決
する為になされたもので、Ｆｅ２Ｏ３ ４２．０ｍｏｌ
％以上５０．０ｍｏｌ％未満、ＺｎＯ ４．０ｍｏｌ％
以上１９．０ｍｏｌ％以下、残部ＭｎＯを主成分とし、
ＣａＯ ５０ｐｐｍ以上３０００ｐｐｍ以下、ＳｉＯ２
５０ｐｐｍ以上３００ｐｐｍ以下、ＣｏＯ １０００
ｐｐｍ以上１５０００ｐｐｍ以下を副成分として複合添
加、含有し、２００Ωｍ以上の高い電気抵抗を有するＭ
ｎ−Ｚｎ系フェライトである。本発明において前記主成
分組成の内、ＺｎＯが４．０ｍｏｌ％以上１７．０ｍｏ
ｌ％未満であれば、温度１００℃、印加磁界１０００Ａ
／ｍにおける磁束密度を２００ｍＴ以上とすることが出
来好ましい。また、ＺｎＯが４．０ｍｏｌ％超え１７．
０ｍｏｌ％未満であれば、６０〜１２０℃の間で、周波
数５０ｋＨｚ、磁束密度１５０ｍＴにおける磁芯損失が
６００ｋＷ／m3以下とすることが出来好ましい。
する為になされたもので、Ｆｅ２Ｏ３ ４２．０ｍｏｌ
％以上５０．０ｍｏｌ％未満、ＺｎＯ ４．０ｍｏｌ％
以上１９．０ｍｏｌ％以下、残部ＭｎＯを主成分とし、
ＣａＯ ５０ｐｐｍ以上３０００ｐｐｍ以下、ＳｉＯ２
５０ｐｐｍ以上３００ｐｐｍ以下、ＣｏＯ １０００
ｐｐｍ以上１５０００ｐｐｍ以下を副成分として複合添
加、含有し、２００Ωｍ以上の高い電気抵抗を有するＭ
ｎ−Ｚｎ系フェライトである。本発明において前記主成
分組成の内、ＺｎＯが４．０ｍｏｌ％以上１７．０ｍｏ
ｌ％未満であれば、温度１００℃、印加磁界１０００Ａ
／ｍにおける磁束密度を２００ｍＴ以上とすることが出
来好ましい。また、ＺｎＯが４．０ｍｏｌ％超え１７．
０ｍｏｌ％未満であれば、６０〜１２０℃の間で、周波
数５０ｋＨｚ、磁束密度１５０ｍＴにおける磁芯損失が
６００ｋＷ／m3以下とすることが出来好ましい。
【０００５】
【作用】本発明において副成分を複合添加した理由は下
記のとおりである。副成分としてＣａＯ、ＳｉＯ２のみ
を添加した場合は、磁芯損失が小さくなる温度が高いと
いう欠点があった。しかし、本発明のごとく、Ｆｅ２Ｏ
３、ＭｎＯ、ＺｎＯを主成分とし、副成分として、Ｃａ
Ｏ、ＳｉＯ２、ＣｏＯを複合添加、含有することによ
り、周波数５０ｋＨｚ、磁束密度１５０ｍＴにおける磁
芯損失が６０〜１２０℃の温度領域で６００ｋＷ／m3以
下である低損失フェライトを得ることができる。
記のとおりである。副成分としてＣａＯ、ＳｉＯ２のみ
を添加した場合は、磁芯損失が小さくなる温度が高いと
いう欠点があった。しかし、本発明のごとく、Ｆｅ２Ｏ
３、ＭｎＯ、ＺｎＯを主成分とし、副成分として、Ｃａ
Ｏ、ＳｉＯ２、ＣｏＯを複合添加、含有することによ
り、周波数５０ｋＨｚ、磁束密度１５０ｍＴにおける磁
芯損失が６０〜１２０℃の温度領域で６００ｋＷ／m3以
下である低損失フェライトを得ることができる。
【０００６】
【実施例】以下に本発明に関する高電気抵抗、高飽和磁
束密度、かつ、低磁芯損失フェライトの実施例を説明す
る。Ｆｅ２Ｏ３（４９．０ｍｏｌ％）、ＭｎＯ（４２．
０ｍｏｌ％）、ＺｎＯ（９．０ｍｏｌ％）を主成分とす
る混合原料を空気中にて９００℃で２時間仮焼成した
後、副成分として、ＣａＯを１０００ｐｐｍ、ＳｉＯ２
を１００ｐｐｍ、ＣｏＯを５０００ｐｐｍ複合添加し、
ボ−ルミルにて１２時間粉砕した。但し、ＣａＯ、Ｓｉ
Ｏ２のように、あらかじめ、原料に含有されている成分
については、仮焼成後に添加する量をその分だけ減じ、
全体として上記成分の割合に一致するようにした。この
粉砕原料に、ポリビニールアルコールを１ｗｔ％添加
し、造粒、成形した。この成形体を空気中にて保持温度
１２５０℃で５時間焼成した。尚、焼成体の形状は、外
形２５ｍｍ、内径１５ｍｍ、高さ５ｍｍのリング状とし
た。この実施例と同様の試料作製工程において、副成分
添加量を変えて各試料を作製した。この結果を表１に示
す。また、ＣｏＯ添加量を変えた場合の磁芯損失の温度
特性を図１に示す。
束密度、かつ、低磁芯損失フェライトの実施例を説明す
る。Ｆｅ２Ｏ３（４９．０ｍｏｌ％）、ＭｎＯ（４２．
０ｍｏｌ％）、ＺｎＯ（９．０ｍｏｌ％）を主成分とす
る混合原料を空気中にて９００℃で２時間仮焼成した
後、副成分として、ＣａＯを１０００ｐｐｍ、ＳｉＯ２
を１００ｐｐｍ、ＣｏＯを５０００ｐｐｍ複合添加し、
ボ−ルミルにて１２時間粉砕した。但し、ＣａＯ、Ｓｉ
Ｏ２のように、あらかじめ、原料に含有されている成分
については、仮焼成後に添加する量をその分だけ減じ、
全体として上記成分の割合に一致するようにした。この
粉砕原料に、ポリビニールアルコールを１ｗｔ％添加
し、造粒、成形した。この成形体を空気中にて保持温度
１２５０℃で５時間焼成した。尚、焼成体の形状は、外
形２５ｍｍ、内径１５ｍｍ、高さ５ｍｍのリング状とし
た。この実施例と同様の試料作製工程において、副成分
添加量を変えて各試料を作製した。この結果を表１に示
す。また、ＣｏＯ添加量を変えた場合の磁芯損失の温度
特性を図１に示す。
【０００７】
【表１】
【０００８】試料４、５、６、７、１０、１１、１２、
１５、１６、１７は、本発明の実施例であり、試料１、
２、３、８はＣｏＯが特許請求範囲外の比較例であり、
試料９、１３はＣａＯが特許請求範囲外の比較例であ
り、試料１４、１８は、ＳｉＯ ２が特許請求範囲外の比
較例である。
１５、１６、１７は、本発明の実施例であり、試料１、
２、３、８はＣｏＯが特許請求範囲外の比較例であり、
試料９、１３はＣａＯが特許請求範囲外の比較例であ
り、試料１４、１８は、ＳｉＯ ２が特許請求範囲外の比
較例である。
【０００９】試料１〜１８は、いずれも、1×104Ωｍ以
上の高い電気抵抗と200mT以上の高い磁束密度の特性を
有する。しかし、試料１、２、３、８、９、１３、１
４、１８の比較例の物は、６０℃付近の温度における磁
芯損失が大きくなる。ＣａＯが３０００ｐｐｍよりも多
いと、磁芯損失が大きくなり、透磁率が低下する。Ｃａ
Ｏが５０ｐｐｍよりも少ないと、正常な結晶成長が促進
されず、磁芯損失は大きくなる。ＳｉＯ２が範囲以上に
なると、異常焼結し、磁芯損失が大きくなると共に、透
磁率、および、Ｑも低下する。また、ＳｉＯ２が範囲未
満になると、正常な結晶成長が促進されず磁芯損失は増
大する。ＣｏＯが範囲以上になると、磁芯損失の最小と
なる温度が低温側にシフトし過ぎ、実用温度範囲での磁
芯損失が大きくなると共に、透磁率、および、Ｑも低下
する。また、ＣｏＯが範囲未満になると、６０℃付近の
温度における磁芯損失低減化に効果がなく、安定な透磁
率が得られない。したがって、高い電気抵抗と高い磁束
密度を得ながら６０〜１２０℃の温度領域における磁芯
損失の少ないフェライトとするには、副成分をＣａＯ
５０〜３０００ｐｐｍ、ＳｉＯ２ ５０〜３００ｐｐ
ｍ、ＣｏＯ １０００〜１５０００ｐｐｍとしなければ
ならない。
上の高い電気抵抗と200mT以上の高い磁束密度の特性を
有する。しかし、試料１、２、３、８、９、１３、１
４、１８の比較例の物は、６０℃付近の温度における磁
芯損失が大きくなる。ＣａＯが３０００ｐｐｍよりも多
いと、磁芯損失が大きくなり、透磁率が低下する。Ｃａ
Ｏが５０ｐｐｍよりも少ないと、正常な結晶成長が促進
されず、磁芯損失は大きくなる。ＳｉＯ２が範囲以上に
なると、異常焼結し、磁芯損失が大きくなると共に、透
磁率、および、Ｑも低下する。また、ＳｉＯ２が範囲未
満になると、正常な結晶成長が促進されず磁芯損失は増
大する。ＣｏＯが範囲以上になると、磁芯損失の最小と
なる温度が低温側にシフトし過ぎ、実用温度範囲での磁
芯損失が大きくなると共に、透磁率、および、Ｑも低下
する。また、ＣｏＯが範囲未満になると、６０℃付近の
温度における磁芯損失低減化に効果がなく、安定な透磁
率が得られない。したがって、高い電気抵抗と高い磁束
密度を得ながら６０〜１２０℃の温度領域における磁芯
損失の少ないフェライトとするには、副成分をＣａＯ
５０〜３０００ｐｐｍ、ＳｉＯ２ ５０〜３００ｐｐ
ｍ、ＣｏＯ １０００〜１５０００ｐｐｍとしなければ
ならない。
【００１０】尚、２００Ωm以上の電気抵抗、かつ、１
００℃、１０００Ａ／ｍにおける磁束密度を２００ｍＴ
以上に制御する為には、主成分であるＦｅ２Ｏ３、Ｚｎ
Ｏ、ＭｎＯの割合は、Ｆｅ２Ｏ３ ４２．０ｍｏｌ％以
上５０．０ｍｏｌ％未満、ＺｎＯ ４．０ｍｏｌ％以上
１９．０ｍｏｌ％以下、残部ＭｎＯの範囲であることが
必要である。副成分をＣａＯ １０００ｐｐｍ，ＳｉＯ
２ １００ｐｐｍ，ＣｏＯ ５０００ｐｐｍとし、Ｆｅ
２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｎＯの割合の結果を検討した結果を
表２に示す。また、Ｆｅ２Ｏ３組成比と電気抵抗の関係
を図２に、Ｆｅ ２Ｏ３組成比と磁束密度の関係を図３に
示す。
００℃、１０００Ａ／ｍにおける磁束密度を２００ｍＴ
以上に制御する為には、主成分であるＦｅ２Ｏ３、Ｚｎ
Ｏ、ＭｎＯの割合は、Ｆｅ２Ｏ３ ４２．０ｍｏｌ％以
上５０．０ｍｏｌ％未満、ＺｎＯ ４．０ｍｏｌ％以上
１９．０ｍｏｌ％以下、残部ＭｎＯの範囲であることが
必要である。副成分をＣａＯ １０００ｐｐｍ，ＳｉＯ
２ １００ｐｐｍ，ＣｏＯ ５０００ｐｐｍとし、Ｆｅ
２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｎＯの割合の結果を検討した結果を
表２に示す。また、Ｆｅ２Ｏ３組成比と電気抵抗の関係
を図２に、Ｆｅ ２Ｏ３組成比と磁束密度の関係を図３に
示す。
【００１１】
【表２】
【００１２】表２に示した試料は、表１に示した実施例
と同様の試料作成工程において、主成分組成を変えて作
製したものであり、主成分を仮焼成後添加する副成分Ｃ
ａＯ、ＳｉＯ２、ＣｏＯは、ＣａＯ ５０〜３０００ｐ
ｐｍ、ＳｉＯ２ ５０〜３００ｐｐｍ、ＣｏＯ １００
０〜１５０００ｐｐｍの範囲内であれば表１に示した実
施例とほぼ類似の特性が得られる事がわかった。また、
Ｆｅ２Ｏ３の組成量が減少するに従い、得られる磁束密
度も低下する。従って、Ｆｅ２Ｏ３の組成量を少なく構
成する場合には、ＺｎＯの組成量を減少させ、ＭｎＯを
相対的に増加させるのが好ましい。表２に示した実施例
３４〜３９の如くＦｅ２Ｏ３の組成量を４２．０ｍｏｌ
％と少なくする場合に、１００℃、１０００Ａ／ｍにお
ける磁束密度を２００ｍＴ以上に制御するには、ＺｎＯ
の組成量をＺｎＯ ４．０ｍｏｌ％以上１７．０ｍｏｌ
％未満とするのが好ましいことが分かる。また、磁芯損
失もＦｅ２Ｏ３の組成量が減少するに従い増加する。表
２に示した実施例３４〜３９の如くＦｅ２Ｏ３の組成量
を４２．０ｍｏｌ％と少なくする場合に、６０〜１００
℃の温度領域で磁芯損失を６００ｋＷ／ｍ３以下とする
には、ＺｎＯの組成量をＺｎＯ ４．０ｍｏｌ％超え１
７．０ｍｏｌ％未満とするのが好ましいことが分かる。
と同様の試料作成工程において、主成分組成を変えて作
製したものであり、主成分を仮焼成後添加する副成分Ｃ
ａＯ、ＳｉＯ２、ＣｏＯは、ＣａＯ ５０〜３０００ｐ
ｐｍ、ＳｉＯ２ ５０〜３００ｐｐｍ、ＣｏＯ １００
０〜１５０００ｐｐｍの範囲内であれば表１に示した実
施例とほぼ類似の特性が得られる事がわかった。また、
Ｆｅ２Ｏ３の組成量が減少するに従い、得られる磁束密
度も低下する。従って、Ｆｅ２Ｏ３の組成量を少なく構
成する場合には、ＺｎＯの組成量を減少させ、ＭｎＯを
相対的に増加させるのが好ましい。表２に示した実施例
３４〜３９の如くＦｅ２Ｏ３の組成量を４２．０ｍｏｌ
％と少なくする場合に、１００℃、１０００Ａ／ｍにお
ける磁束密度を２００ｍＴ以上に制御するには、ＺｎＯ
の組成量をＺｎＯ ４．０ｍｏｌ％以上１７．０ｍｏｌ
％未満とするのが好ましいことが分かる。また、磁芯損
失もＦｅ２Ｏ３の組成量が減少するに従い増加する。表
２に示した実施例３４〜３９の如くＦｅ２Ｏ３の組成量
を４２．０ｍｏｌ％と少なくする場合に、６０〜１００
℃の温度領域で磁芯損失を６００ｋＷ／ｍ３以下とする
には、ＺｎＯの組成量をＺｎＯ ４．０ｍｏｌ％超え１
７．０ｍｏｌ％未満とするのが好ましいことが分かる。
【００１３】また、ＺｎＯの組成比が範囲未満の場合、
６０〜１００℃の温度領域で磁芯損失を低くする事が困
難である。この結果を示すデ−タを表３に示す。表３に
示した試料は、表１に示した実施例と同様の試料作成工
程において、主成分組成を変えるとともに、副成分は、
ＣａＯ １０００ｐｐｍ、ＳｉＯ２ １００ｐｐｍと
し、ＣｏＯを１５０００ｐｐｍと２００００ｐｐｍとし
ている。
６０〜１００℃の温度領域で磁芯損失を低くする事が困
難である。この結果を示すデ−タを表３に示す。表３に
示した試料は、表１に示した実施例と同様の試料作成工
程において、主成分組成を変えるとともに、副成分は、
ＣａＯ １０００ｐｐｍ、ＳｉＯ２ １００ｐｐｍと
し、ＣｏＯを１５０００ｐｐｍと２００００ｐｐｍとし
ている。
【００１４】
【表３】
【００１５】
【発明の効果】前述のごとく、本発明によれば２００Ω
m以上の高い電気抵抗と、１００℃、１０００Ａ／ｍに
おける磁束密度が２００ｍＴ以上の高い磁束密度を有
し、６０〜１２０℃の温度領域で５０ＫＨｚ−１５０ｍ
Ｔにおける磁芯損失が従来よりも低いＭｎ−Ｚｎ系フェ
ライトを得ることができる。
m以上の高い電気抵抗と、１００℃、１０００Ａ／ｍに
おける磁束密度が２００ｍＴ以上の高い磁束密度を有
し、６０〜１２０℃の温度領域で５０ＫＨｚ−１５０ｍ
Ｔにおける磁芯損失が従来よりも低いＭｎ−Ｚｎ系フェ
ライトを得ることができる。
【図１】 本発明に係る実施例及び比較例の磁芯損失の
温度特性図である。
温度特性図である。
【図２】 本発明に係る実施例及び比較例のＦｅ２Ｏ３
組成比と電気抵抗の関係図である。
組成比と電気抵抗の関係図である。
【図３】 本発明に係る実施例及び比較例のＦｅ２Ｏ３
組成比と磁束密度の関係図である。
組成比と磁束密度の関係図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｆｅ２Ｏ３ ４２．０ｍｏｌ％以上５
０．０ｍｏｌ％未満、ＺｎＯ ４．０ｍｏｌ％以上１
９．０ｍｏｌ％以下、残部ＭｎＯを主成分とし、ＣａＯ
５０ｐｐｍ以上３０００ｐｐｍ以下、ＳｉＯ２ ５０
ｐｐｍ以上３００ｐｐｍ以下、ＣｏＯ １０００ｐｐｍ
以上１５０００ｐｐｍ以下を副成分として含有し、か
つ、２００Ωｍ以上の電気抵抗を有することを特徴とす
るＭｎ−Ｚｎ系フェライト。 - 【請求項２】 ＺｎＯが４．０ｍｏｌ％以上１７．０ｍ
ｏｌ％未満で、１００℃、印加磁界１０００Ａ／ｍにお
ける磁束密度が２００ｍＴ以上であることを特徴とする
請求項１に記載のＭｎ−Ｚｎ系フェライト。 - 【請求項３】 ＺｎＯが４．０ｍｏｌ％超え１７．０ｍ
ｏｌ％未満で、６０〜１２０℃、周波数５０ＫＨｚ、磁
束密度１５０ｍＴにおける磁芯損失が６００ＫＷ／ｍ3
以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のＭ
ｎ−Ｚｎ系フェライト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002057365A JP2003257724A (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002057365A JP2003257724A (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003257724A true JP2003257724A (ja) | 2003-09-12 |
Family
ID=28667645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002057365A Pending JP2003257724A (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003257724A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2434901A (en) * | 2004-09-30 | 2007-08-08 | Spansion Llc | Semiconductor device and data writing method |
| JP2010180101A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Jfe Chemical Corp | 高抵抗高飽和磁束密度ＭｎＺｎＣｏフェライトおよびその製造方法 |
| JP2011088774A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Jfe Chemical Corp | 高抵抗高飽和磁束密度ＭｎＺｎＣｒＣｏフェライト |
| JP2012017251A (ja) * | 2010-06-11 | 2012-01-26 | Jfe Chemical Corp | ＭｎＺｎＡｌＣｏ系フェライト |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH097813A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-10 | Tdk Corp | Ｍｎ−Ｚｎ系酸化物磁性材料の製造方法 |
| JP2001261344A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-09-26 | Minebea Co Ltd | Ｍｎ−Ｚｎフェライトおよびその製造方法 |
-
2002
- 2002-03-04 JP JP2002057365A patent/JP2003257724A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH097813A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-10 | Tdk Corp | Ｍｎ−Ｚｎ系酸化物磁性材料の製造方法 |
| JP2001261344A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-09-26 | Minebea Co Ltd | Ｍｎ−Ｚｎフェライトおよびその製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2434901A (en) * | 2004-09-30 | 2007-08-08 | Spansion Llc | Semiconductor device and data writing method |
| GB2434901B (en) * | 2004-09-30 | 2008-05-07 | Spansion Llc | Semiconductor device and data writing method |
| JP2010180101A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Jfe Chemical Corp | 高抵抗高飽和磁束密度ＭｎＺｎＣｏフェライトおよびその製造方法 |
| JP2011088774A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Jfe Chemical Corp | 高抵抗高飽和磁束密度ＭｎＺｎＣｒＣｏフェライト |
| JP2012017251A (ja) * | 2010-06-11 | 2012-01-26 | Jfe Chemical Corp | ＭｎＺｎＡｌＣｏ系フェライト |
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