JP2003257359A - 炭素ナノチューブを含む電子増幅器及びその製造方法 - Google Patents
炭素ナノチューブを含む電子増幅器及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 炭素ナノチューブを含む電子増幅器及びその
製造方法を提供する。 【解決手段】 複数の貫通孔３２が形成された基板３３
と、貫通孔３２の内壁に形成される抵抗層３５と、抵抗
層３５上に形成され、炭素ナノチューブ４５を含む電子
放出層３７と、基板３３の上部及び下部に形成される電
極層３１とを備えた電子増幅器として構成する。前記電
子増幅器において、電子放出層３７は、２次電子放出係
数の大きい酸化物系材料またはフッ化物系材料のうち何
れか１種で構成されることを特徴とする。これにより、
２次電子放出特性に優れた電子増幅器を提供し、大型表
示素子が容易に製造できる電子増幅器の製造方法を提供
することができる。
製造方法を提供する。 【解決手段】 複数の貫通孔３２が形成された基板３３
と、貫通孔３２の内壁に形成される抵抗層３５と、抵抗
層３５上に形成され、炭素ナノチューブ４５を含む電子
放出層３７と、基板３３の上部及び下部に形成される電
極層３１とを備えた電子増幅器として構成する。前記電
子増幅器において、電子放出層３７は、２次電子放出係
数の大きい酸化物系材料またはフッ化物系材料のうち何
れか１種で構成されることを特徴とする。これにより、
２次電子放出特性に優れた電子増幅器を提供し、大型表
示素子が容易に製造できる電子増幅器の製造方法を提供
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子増幅器及びそ
の製造方法に係り、より詳細には、炭素ナノチューブを
含む電子増幅器及びその製造方法に関する。
の製造方法に係り、より詳細には、炭素ナノチューブを
含む電子増幅器及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子増幅器は、２次電子の放出を行わせ
るために、２次電子放出層を備えている。また、電子増
幅器の動作は、１次電子が加速されて２次電子放出層に
衝突すれば、表面に存在する束縛電子がこの１次電子の
運動エネルギーを吸収して２次電子として放出される原
理に基づいている。
るために、２次電子放出層を備えている。また、電子増
幅器の動作は、１次電子が加速されて２次電子放出層に
衝突すれば、表面に存在する束縛電子がこの１次電子の
運動エネルギーを吸収して２次電子として放出される原
理に基づいている。
【０００３】電子増幅器は、一般に、質量分析器、表面
分析器、エネルギー分析器等の計測機器に用いられ、ま
た、その他の応用として、ナイトゴーグル、ディスプレ
ー素子等にも用いられている。
分析器、エネルギー分析器等の計測機器に用いられ、ま
た、その他の応用として、ナイトゴーグル、ディスプレ
ー素子等にも用いられている。
【０００４】図１Ａは、従来の電子増幅器の構造を模式
的に示す断面図である。図１Ａに示すように、従来の電
子増幅器１０は、基板１３と、基板の上部及び下部に積
層されている電極層１４及び電極層１５と、電極層１４
及び電極層１５と垂直な方向に形成された貫通孔１１
と、貫通孔１１の内壁に沿って形成された抵抗層１６
と、抵抗層１６を被覆するように形成された電子放出層
１７とを備えて構成されている。
的に示す断面図である。図１Ａに示すように、従来の電
子増幅器１０は、基板１３と、基板の上部及び下部に積
層されている電極層１４及び電極層１５と、電極層１４
及び電極層１５と垂直な方向に形成された貫通孔１１
と、貫通孔１１の内壁に沿って形成された抵抗層１６
と、抵抗層１６を被覆するように形成された電子放出層
１７とを備えて構成されている。
【０００５】図１Ｂは、従来の電子増幅器の製造方法を
模式的に示す斜視図である。図１Ｂの（ａ）に示される
ように、まず、化学的エッチング液に溶けるコアガラス
２２と、化学的エッチング液に溶けない鉛ガラス２１と
を準備する。次に、図１Ｂの（ｂ）に示すように、コア
ガラス２２を鉛ガラス２１に嵌め込み、単一のガラス棒
２３を得る。そして、図１Ｂの（ｃ）に示すように、単
一のガラス棒２３を引張り、細いガラスファイバ２３’
を得る。さらに、図１Ｂの（ｄ）に示すように、ガラス
ファイバ２３’を束ねて、六角形の束２４を形成する。
そして、図１Ｂの（ｅ）に示すように、六角形の束２４
を引張り、細い六角形の多重のファイバ２５を得る。そ
して、多重のファイバ２５を束ね、ガラススキンに付着
させて、図１Ｂの（ｆ）に示すような束２６を形成す
る。それから、図１Ｂの（ｇ）に示すように、束２６を
薄く切断して、ウェーハ２７が形成される。
模式的に示す斜視図である。図１Ｂの（ａ）に示される
ように、まず、化学的エッチング液に溶けるコアガラス
２２と、化学的エッチング液に溶けない鉛ガラス２１と
を準備する。次に、図１Ｂの（ｂ）に示すように、コア
ガラス２２を鉛ガラス２１に嵌め込み、単一のガラス棒
２３を得る。そして、図１Ｂの（ｃ）に示すように、単
一のガラス棒２３を引張り、細いガラスファイバ２３’
を得る。さらに、図１Ｂの（ｄ）に示すように、ガラス
ファイバ２３’を束ねて、六角形の束２４を形成する。
そして、図１Ｂの（ｅ）に示すように、六角形の束２４
を引張り、細い六角形の多重のファイバ２５を得る。そ
して、多重のファイバ２５を束ね、ガラススキンに付着
させて、図１Ｂの（ｆ）に示すような束２６を形成す
る。それから、図１Ｂの（ｇ）に示すように、束２６を
薄く切断して、ウェーハ２７が形成される。
【０００６】次に、このウェーハ２７の表面を研磨し
て、適当なエッチング液を用いてガラスファイバ２３’
のコアガラス２２をエッチングする。それから、ウェー
ハ２７に対し、ガラスファイバ２３’の内壁の２次電子
放出特性を増加させる化学的処理を行った後、ウェーハ
２７を、水素雰囲気の焼成炉で還元させる（図１Ｂの
（ｈ）から（ｊ）を参照）。
て、適当なエッチング液を用いてガラスファイバ２３’
のコアガラス２２をエッチングする。それから、ウェー
ハ２７に対し、ガラスファイバ２３’の内壁の２次電子
放出特性を増加させる化学的処理を行った後、ウェーハ
２７を、水素雰囲気の焼成炉で還元させる（図１Ｂの
（ｈ）から（ｊ）を参照）。
【０００７】前記還元の過程において、ガラス表面の酸
化鉛は導電性鉛と水とに変わり、鉛粒子は塊になる。温
度が高すぎると、鉛粒子の塊化過程が新たな鉛粒子の形
成過程より優勢になる。このような状態においては、２
つの電極間の抵抗は、鉛粒子で決定されるのではなく、
焼成炉の温度で決定されるようになる。
化鉛は導電性鉛と水とに変わり、鉛粒子は塊になる。温
度が高すぎると、鉛粒子の塊化過程が新たな鉛粒子の形
成過程より優勢になる。このような状態においては、２
つの電極間の抵抗は、鉛粒子で決定されるのではなく、
焼成炉の温度で決定されるようになる。
【０００８】最後に、インコネルまたはニクロムの電極
が、ウェーハ２７上に形成されて、マイクロ・チャンネ
ル・プレート（Ｍｉｃｒｏ−Ｃｈａｎｎｅｌ Ｐｌａｔ
ｅ；ＭＣＰ）が出来上がる。
が、ウェーハ２７上に形成されて、マイクロ・チャンネ
ル・プレート（Ｍｉｃｒｏ−Ｃｈａｎｎｅｌ Ｐｌａｔ
ｅ；ＭＣＰ）が出来上がる。
【０００９】電子増幅器の電気的動作特性は、主にその
抵抗で決まるので、結局、貫通孔の長さと直径の比率で
決定されることになる。また、従来の電子増幅器では、
所望の電子放出効率、例えば、１次電子放出効率の約１
０3ないし１０5倍の電子放出効率を獲得することは難し
い。
抵抗で決まるので、結局、貫通孔の長さと直径の比率で
決定されることになる。また、従来の電子増幅器では、
所望の電子放出効率、例えば、１次電子放出効率の約１
０3ないし１０5倍の電子放出効率を獲得することは難し
い。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前記問題点を解決する
ために、本発明の目的は、２次電子放出特性に優れた電
子増幅器を提供し、大型表示素子が容易に製造できる電
子増幅器の製造方法を提供することである。
ために、本発明の目的は、２次電子放出特性に優れた電
子増幅器を提供し、大型表示素子が容易に製造できる電
子増幅器の製造方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】（１） 前記問題点を解
決するための本発明に係る電子増幅器は、複数の貫通孔
が形成された基板と、前記貫通孔の内壁に形成される抵
抗層と、前記抵抗層上に形成され、炭素ナノチューブを
含む電子放出層と、前記基板の上部及び下部に形成され
る電極層とを備えて構成される。
決するための本発明に係る電子増幅器は、複数の貫通孔
が形成された基板と、前記貫通孔の内壁に形成される抵
抗層と、前記抵抗層上に形成され、炭素ナノチューブを
含む電子放出層と、前記基板の上部及び下部に形成され
る電極層とを備えて構成される。
【００１２】（２） 本発明は、前記電子増幅器におい
て、前記電子放出層が、２次電子放出係数の大きい酸化
物系材料またはフッ化物系材料のうち何れか１種で構成
されることが望ましい。
て、前記電子放出層が、２次電子放出係数の大きい酸化
物系材料またはフッ化物系材料のうち何れか１種で構成
されることが望ましい。
【００１３】（３） 本発明は、前記電子増幅器におい
て、前記酸化物系材料が、ＭｇＯ、ＳｉＯ2及びＬａ2Ｏ
3からなる群の中から選択された１種で構成されること
が望ましい。
て、前記酸化物系材料が、ＭｇＯ、ＳｉＯ2及びＬａ2Ｏ
3からなる群の中から選択された１種で構成されること
が望ましい。
【００１４】（４） 本発明は、前記電子増幅器におい
て、前記フッ化物系材料が、ＣａＦ 2及びＭｇＦ2のうち
何れか１種で構成されることが望ましい。
て、前記フッ化物系材料が、ＣａＦ 2及びＭｇＦ2のうち
何れか１種で構成されることが望ましい。
【００１５】（５） 本発明は、前記電子増幅器におい
て、前記基板が、ガラス、Ａｌ2Ｏ3を含むセラミック
ス、Ｃｕ及びＳｉからなる群の中から選択された１種で
構成されることが望ましい。
て、前記基板が、ガラス、Ａｌ2Ｏ3を含むセラミック
ス、Ｃｕ及びＳｉからなる群の中から選択された１種で
構成されることが望ましい。
【００１６】（６） 本発明は、前記電子増幅器の製造
方法において、基板に貫通孔を形成する段階と、前記貫
通孔の内壁に抵抗層を形成する段階と、２次電子放出係
数の大きい物質のゾル・ゲル溶液に、炭素ナノチューブ
を添加する段階と、前記ゾル・ゲル溶液に、前記貫通孔
及び前記抵抗層が形成された前記基板を浸し、前記抵抗
層上に前記電子放出層を形成する段階と、前記貫通孔が
設けられ、前記抵抗層及び前記電子放出層が形成された
基板を焼成する段階と、前記貫通孔と垂直になるよう
に、前記基板の上部及び下部に電極層を形成する段階と
を備えて構成される。
方法において、基板に貫通孔を形成する段階と、前記貫
通孔の内壁に抵抗層を形成する段階と、２次電子放出係
数の大きい物質のゾル・ゲル溶液に、炭素ナノチューブ
を添加する段階と、前記ゾル・ゲル溶液に、前記貫通孔
及び前記抵抗層が形成された前記基板を浸し、前記抵抗
層上に前記電子放出層を形成する段階と、前記貫通孔が
設けられ、前記抵抗層及び前記電子放出層が形成された
基板を焼成する段階と、前記貫通孔と垂直になるよう
に、前記基板の上部及び下部に電極層を形成する段階と
を備えて構成される。
【００１７】（７） 本発明は、前記電子増幅器の製造
方法において、前記電子放出層が、２次電子放出係数の
大きい酸化物系材料またはフッ化物系材料のうち何れか
１種で構成されることが望ましい。
方法において、前記電子放出層が、２次電子放出係数の
大きい酸化物系材料またはフッ化物系材料のうち何れか
１種で構成されることが望ましい。
【００１８】（８） 本発明は、前記電子増幅器の製造
方法において、前記酸化物系材料が、ＭｇＯ、ＳｉＯ2
及びＬａ2Ｏ3からなる群の中から選択された１種で構成
されることが望ましい。
方法において、前記酸化物系材料が、ＭｇＯ、ＳｉＯ2
及びＬａ2Ｏ3からなる群の中から選択された１種で構成
されることが望ましい。
【００１９】（９） 本発明は、前記電子増幅器の製造
方法において、前記フッ化物系材料が、ＣａＦ2及びＭ
ｇＦ2のうち何れか１種で構成されることが望ましい。
方法において、前記フッ化物系材料が、ＣａＦ2及びＭ
ｇＦ2のうち何れか１種で構成されることが望ましい。
【００２０】（１０） 本発明は、前記電子増幅器の製
造方法において、前記基板が、ガラス、Ａｌ2Ｏ3を含む
セラミックス、Ｃｕ及びＳｉからなる群の中から選択さ
れた１種で構成されることが望ましい。
造方法において、前記基板が、ガラス、Ａｌ2Ｏ3を含む
セラミックス、Ｃｕ及びＳｉからなる群の中から選択さ
れた１種で構成されることが望ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき、本発明に係
る炭素ナノチューブを含む電子増幅器の好ましい実施形
態と、前記電子増幅器の製造方法について詳細に説明す
る。但し、同じ構成要素に対しては同じ参照符号を付し
ている。
る炭素ナノチューブを含む電子増幅器の好ましい実施形
態と、前記電子増幅器の製造方法について詳細に説明す
る。但し、同じ構成要素に対しては同じ参照符号を付し
ている。
【００２２】図２は、本発明に係る一実施形態の炭素ナ
ノチューブを含む電子増幅器の断面構造を模式的に示す
斜視図である。図２に示すように、本発明の実施例に係
る炭素ナノチューブを含む電子増幅器は、基板３３と、
基板３３に形成された複数の貫通孔３２と、各々の貫通
孔３２の内壁に形成された抵抗層３５と、抵抗層３５上
に積層され、炭素ナノチューブ４５を含む電子放出層３
７と、基板３３の上下部に貫通孔３２と垂直な方向に形
成された電極層３１とを備えて構成される。
ノチューブを含む電子増幅器の断面構造を模式的に示す
斜視図である。図２に示すように、本発明の実施例に係
る炭素ナノチューブを含む電子増幅器は、基板３３と、
基板３３に形成された複数の貫通孔３２と、各々の貫通
孔３２の内壁に形成された抵抗層３５と、抵抗層３５上
に積層され、炭素ナノチューブ４５を含む電子放出層３
７と、基板３３の上下部に貫通孔３２と垂直な方向に形
成された電極層３１とを備えて構成される。
【００２３】ここで、基板３３は、ガラス、Ａｌ2Ｏ3を
含むセラミックス、Ｃｕ及びＳｉからなる群の中から選
択された１種で構成されることが望ましい。
含むセラミックス、Ｃｕ及びＳｉからなる群の中から選
択された１種で構成されることが望ましい。
【００２４】抵抗層３５は、上部及び下部の電極層３１
の電気的短絡を妨げ、電源（図示せず）から印加される
電圧に対応して、電子放出層３７への適切な電子を供給
するのに充分な抵抗を有する金属酸化物で形成されるこ
とが望ましい。なお、具体的な形成方法については、後
記する。
の電気的短絡を妨げ、電源（図示せず）から印加される
電圧に対応して、電子放出層３７への適切な電子を供給
するのに充分な抵抗を有する金属酸化物で形成されるこ
とが望ましい。なお、具体的な形成方法については、後
記する。
【００２５】電子放出層３７は、２次電子放出効率の高
い酸化物系材料またはフッ化物系材料と、炭素ナノチュ
ーブ４５とを含んで構成される。２次電子放出特性係数
は、ここでは、入射される１次電子数に対する放出され
る２次電子数の比を表す。
い酸化物系材料またはフッ化物系材料と、炭素ナノチュ
ーブ４５とを含んで構成される。２次電子放出特性係数
は、ここでは、入射される１次電子数に対する放出され
る２次電子数の比を表す。
【００２６】炭素ナノチューブ４５は、ナノサイズの黒
鉛面が円筒形に巻かれた物質であり、その形状及び大き
さによって独特な物理的性質を有することが知られてい
る。１９９８年、フランク（Ｆｒａｎｋ）は、ＳＰＭ
（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｐｒｏｂｉｎｇ Ｍｉｃｒｏｓｃｏ
ｐｙ）を用いて、炭素ナノ繊維を液体に浸して導電性を
測定した結果、炭素ナノチューブ４５が量子挙動を示
し、かつ画期的な導電性を有すると報告した。フランク
等及びアボリス等は、前記炭素ナノチューブが、各々１
０7Ａ／ｃｍ2以上及び１０13Ａ／ｃｍ2以上の安定した
電流密度を持つことを観察した。
鉛面が円筒形に巻かれた物質であり、その形状及び大き
さによって独特な物理的性質を有することが知られてい
る。１９９８年、フランク（Ｆｒａｎｋ）は、ＳＰＭ
（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｐｒｏｂｉｎｇ Ｍｉｃｒｏｓｃｏ
ｐｙ）を用いて、炭素ナノ繊維を液体に浸して導電性を
測定した結果、炭素ナノチューブ４５が量子挙動を示
し、かつ画期的な導電性を有すると報告した。フランク
等及びアボリス等は、前記炭素ナノチューブが、各々１
０7Ａ／ｃｍ2以上及び１０13Ａ／ｃｍ2以上の安定した
電流密度を持つことを観察した。
【００２７】炭素ナノチューブ４５は、前記したように
優れた電気的特性を持つため、炭素ナノチューブ４５の
電子放出特性を用いて、ディスプレー素子、電子銃、リ
チウム電池、トランジスタなどを製造する研究が、最近
活発に進行しつつある。
優れた電気的特性を持つため、炭素ナノチューブ４５の
電子放出特性を用いて、ディスプレー素子、電子銃、リ
チウム電池、トランジスタなどを製造する研究が、最近
活発に進行しつつある。
【００２８】そこで、本発明の実施例に係る電子増幅器
に使われる炭素ナノチューブ４５は、アーク放電法、レ
ーザー蒸発法、プラズマ化学気相蒸着法（Ｐｌａｓｍａ
Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｔｉｏｎ；ＰＥＣＶＤ）、熱化学気相蒸着法（Ｔ
ｈｅｒｍａｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｔｉｏｎ；ＴＣＶＤ）、気相成長法などを用いて製造
されることが望ましい。
に使われる炭素ナノチューブ４５は、アーク放電法、レ
ーザー蒸発法、プラズマ化学気相蒸着法（Ｐｌａｓｍａ
Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｔｉｏｎ；ＰＥＣＶＤ）、熱化学気相蒸着法（Ｔ
ｈｅｒｍａｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｔｉｏｎ；ＴＣＶＤ）、気相成長法などを用いて製造
されることが望ましい。
【００２９】電子放出層３７を構成する２次電子放出特
性係数の高い物質のうち、酸化物系材料としては、例え
ば、ＭｇＯ、ＳｉＯ2及びＬａ2Ｏ3などがあり、フッ化
物系材料としてはＭｇＦ2及びＣａＦ2などがある。な
お、具体的な形成方法については、後記する。
性係数の高い物質のうち、酸化物系材料としては、例え
ば、ＭｇＯ、ＳｉＯ2及びＬａ2Ｏ3などがあり、フッ化
物系材料としてはＭｇＦ2及びＣａＦ2などがある。な
お、具体的な形成方法については、後記する。
【００３０】電子放出層３７の表面を構成している原子
の電子は、外部から入射される１次電子が電子放出層３
７の表面に衝突する時に、１次電子の運動エネルギーを
受けてクーロン引力を乗越えて電子放出層３７の表面か
ら放出される。この電子が１次電子の運動エネルギーを
受けて放出されるので、これを２次電子と称する。電子
放出層３７の２次電子放出特性係数が大きいほどさらに
多くの２次電子が放出される。２次電子の放出数は、２
次電子の連続的な流れに基づく電流の測定値から算出さ
れる。
の電子は、外部から入射される１次電子が電子放出層３
７の表面に衝突する時に、１次電子の運動エネルギーを
受けてクーロン引力を乗越えて電子放出層３７の表面か
ら放出される。この電子が１次電子の運動エネルギーを
受けて放出されるので、これを２次電子と称する。電子
放出層３７の２次電子放出特性係数が大きいほどさらに
多くの２次電子が放出される。２次電子の放出数は、２
次電子の連続的な流れに基づく電流の測定値から算出さ
れる。
【００３１】図３Ａから図３Ｃは、本発明に係る一実施
形態の炭素ナノチューブを含む電子増幅器を示す写真で
ある。以下において、前記電子増幅器の詳細を、図３Ａ
から図３Ｃに基づいて順次説明する。
形態の炭素ナノチューブを含む電子増幅器を示す写真で
ある。以下において、前記電子増幅器の詳細を、図３Ａ
から図３Ｃに基づいて順次説明する。
【００３２】図３Ａは、前記電子増幅器を上から見た写
真であり、前記電子増幅器の上部面を示している。ま
た、図３Ｂは、図３ＡのＡ部を拡大した写真であり、図
３Ｃは、図３ＢのＢ部を拡大した写真である。図３Ｃに
おいて、符号３３は基板であるＡｌ2Ｏ3を、符号３５は
抵抗層であるＣｕＡｌ2Ｏ4を、符号３７は電子放出層で
あるＳｉＯ2層またはＭｇＯ層を各々示す。
真であり、前記電子増幅器の上部面を示している。ま
た、図３Ｂは、図３ＡのＡ部を拡大した写真であり、図
３Ｃは、図３ＢのＢ部を拡大した写真である。図３Ｃに
おいて、符号３３は基板であるＡｌ2Ｏ3を、符号３５は
抵抗層であるＣｕＡｌ2Ｏ4を、符号３７は電子放出層で
あるＳｉＯ2層またはＭｇＯ層を各々示す。
【００３３】図４Ａから図４Ｅ、及び図５は、本発明に
係る一実施形態の炭素ナノチューブを含む電子増幅器の
製造方法を示す図面である。以下において、前記電子増
幅器の製造方法の詳細を、図４Ａから図４Ｅに基づいて
順次説明する。
係る一実施形態の炭素ナノチューブを含む電子増幅器の
製造方法を示す図面である。以下において、前記電子増
幅器の製造方法の詳細を、図４Ａから図４Ｅに基づいて
順次説明する。
【００３４】まず、Ａｌ2Ｏ3のペーストを混合して図４
Ａに示されたような基板３３を形成した後、乾燥させ
る。乾燥したＡｌ2Ｏ3の基板３３は、ある程度の柔らか
さを有するため、図４Ｂに示すように、貫通孔３２が容
易に形成される。
Ａに示されたような基板３３を形成した後、乾燥させ
る。乾燥したＡｌ2Ｏ3の基板３３は、ある程度の柔らか
さを有するため、図４Ｂに示すように、貫通孔３２が容
易に形成される。
【００３５】次に、貫通孔３２が形成された基板３３を
圧縮して薄板にした後、図４Ｃに示されるように、複数
枚の基板３３を積層する。積層された基板３３を焼成す
ることにより、図４Ｄに示すような前記電子増幅器の基
本構造部３０が形成される。
圧縮して薄板にした後、図４Ｃに示されるように、複数
枚の基板３３を積層する。積層された基板３３を焼成す
ることにより、図４Ｄに示すような前記電子増幅器の基
本構造部３０が形成される。
【００３６】電子ビーム、スパッタリング（蒸着）、ま
たはメッキなどの方法を用いて、基本構造部３０にＣｕ
またはＮｉを蒸着させた後、焼成することにより、Ｃｕ
Ａｌ 2Ｏ4、ＣｕＯまたはＮｉＡｌ2Ｏ4が貫通孔３２の内
壁に沿って生成し、図４Ｅに示される抵抗層３５が形成
される。
たはメッキなどの方法を用いて、基本構造部３０にＣｕ
またはＮｉを蒸着させた後、焼成することにより、Ｃｕ
Ａｌ 2Ｏ4、ＣｕＯまたはＮｉＡｌ2Ｏ4が貫通孔３２の内
壁に沿って生成し、図４Ｅに示される抵抗層３５が形成
される。
【００３７】図５は、本発明に係る一実施形態の炭素ナ
ノチューブを含む電子増幅器の製造方法を説明する図４
Ａから図４Ｅに示す工程を経て製造された基本構造部３
０に、前記電子放出層を形成する過程を示している。
ノチューブを含む電子増幅器の製造方法を説明する図４
Ａから図４Ｅに示す工程を経て製造された基本構造部３
０に、前記電子放出層を形成する過程を示している。
【００３８】図５に示すように、２次電子放出特性に優
れた物質のゾル・ゲル溶液として、例えば、ＳｉＯ2ま
たはＭｇＯを含有するゾル・ゲル溶液４３を容器４１内
に供給する。次に、このゾル・ゲル溶液４３に炭素ナノ
チューブ４５を分散させる。このゾル・ゲル溶液４３
に、図４Ｅで形成された基本構造部３０を浸漬し、低温
で短時間に焼成することにより、抵抗層３５の表面に沿
って炭素ナノチューブ４５を含む電子放出層３７が形成
され、図２に示す本発明に係る一実施形態の電子増幅器
３０’が製造される。
れた物質のゾル・ゲル溶液として、例えば、ＳｉＯ2ま
たはＭｇＯを含有するゾル・ゲル溶液４３を容器４１内
に供給する。次に、このゾル・ゲル溶液４３に炭素ナノ
チューブ４５を分散させる。このゾル・ゲル溶液４３
に、図４Ｅで形成された基本構造部３０を浸漬し、低温
で短時間に焼成することにより、抵抗層３５の表面に沿
って炭素ナノチューブ４５を含む電子放出層３７が形成
され、図２に示す本発明に係る一実施形態の電子増幅器
３０’が製造される。
【００３９】次に、ゾル・ゲル法による２次電子放出膜
の形成方法の一例について説明する。まず、１，３−プ
ロパンジオール（Ｃ3Ｈ8Ｏ2）、酢酸マグネシウム（Ｍ
ｇ（ＣＨ3ＣＯ2）2・４Ｈ2Ｏ）及びＭｇＯを混合させた
溶液を調合し、これに炭素ナノチューブ０．０１５ｇを
分散させて０．６５ＭのＭｇＯ溶液を作製する。このゾ
ル・ゲル溶液４３を用いて前記した製造方法により、シ
リコン基板上に２次電子放出膜が形成される。
の形成方法の一例について説明する。まず、１，３−プ
ロパンジオール（Ｃ3Ｈ8Ｏ2）、酢酸マグネシウム（Ｍ
ｇ（ＣＨ3ＣＯ2）2・４Ｈ2Ｏ）及びＭｇＯを混合させた
溶液を調合し、これに炭素ナノチューブ０．０１５ｇを
分散させて０．６５ＭのＭｇＯ溶液を作製する。このゾ
ル・ゲル溶液４３を用いて前記した製造方法により、シ
リコン基板上に２次電子放出膜が形成される。
【００４０】図６は、本発明に係る一実施形態の炭素ナ
ノチューブを含む電子増幅器において、炭素ナノチュー
ブを含む前記２次電子放出膜の特性を実験的に検証した
結果を示すグラフである。図６において、２次電子放出
効率（δ）と、１次電子の正味エネルギー、すなわち、
１次電子エネルギー（Ｅp）とバイアス電位との差の関
係が示されている。ここで、２次電子放出効率（δ）
は、前記２次電子放出膜が形成された前記シリコン基板
に、１次電子を衝突させた後、２次電子がどのくらい多
く放出されているかを表す数値である。すなわち、２次
電子放出効率（δ）は、１次電子の示す電流に対する２
次電子の示す電流の比である。
ノチューブを含む電子増幅器において、炭素ナノチュー
ブを含む前記２次電子放出膜の特性を実験的に検証した
結果を示すグラフである。図６において、２次電子放出
効率（δ）と、１次電子の正味エネルギー、すなわち、
１次電子エネルギー（Ｅp）とバイアス電位との差の関
係が示されている。ここで、２次電子放出効率（δ）
は、前記２次電子放出膜が形成された前記シリコン基板
に、１次電子を衝突させた後、２次電子がどのくらい多
く放出されているかを表す数値である。すなわち、２次
電子放出効率（δ）は、１次電子の示す電流に対する２
次電子の示す電流の比である。
【００４１】図６に示すように、前記正味エネルギーが
３００ｅＶである場合に、２次電子の放出効率が最も大
きく現れている。従って、前記した実験で示すように、
２次電子放出効率が最大となる前記正味エネルギーの領
域を、高効率の電子増幅器を提供するために用いること
が望ましい。
３００ｅＶである場合に、２次電子の放出効率が最も大
きく現れている。従って、前記した実験で示すように、
２次電子放出効率が最大となる前記正味エネルギーの領
域を、高効率の電子増幅器を提供するために用いること
が望ましい。
【００４２】
【発明の効果】以上説明した通りに構成される本発明に
よれば、以下の効果を奏する。すなわち、本発明に係る
電子増幅器は、ゾル・ゲル溶液を用いて製造されるの
で、簡単で且つ低下の製造工程を提供することができ
る。また、低温で純粋且つ均質な電子放出層を形成でき
るので、大面積のディスプレー素子に好適な電子増幅器
を提供することができる。特に、電子放出層が、２次電
子放出特性に優れた物質に炭素ナノチューブを添加して
形成されるので、既存の電子放出層よりさらに高い２次
電子放出効果を得ることができる。
よれば、以下の効果を奏する。すなわち、本発明に係る
電子増幅器は、ゾル・ゲル溶液を用いて製造されるの
で、簡単で且つ低下の製造工程を提供することができ
る。また、低温で純粋且つ均質な電子放出層を形成でき
るので、大面積のディスプレー素子に好適な電子増幅器
を提供することができる。特に、電子放出層が、２次電
子放出特性に優れた物質に炭素ナノチューブを添加して
形成されるので、既存の電子放出層よりさらに高い２次
電子放出効果を得ることができる。
【００４３】このように電子放出特性がより改良されて
いるため、１次電子電流を増加させずに、且つ貫通孔の
寸法を調節せずに、所望の２次電子放出効率を得ること
ができる。また、前記貫通孔の直径及び長さに対する制
限がなくなり、電子増幅器の製造における電気的な性能
を制御することが可能となった。
いるため、１次電子電流を増加させずに、且つ貫通孔の
寸法を調節せずに、所望の２次電子放出効率を得ること
ができる。また、前記貫通孔の直径及び長さに対する制
限がなくなり、電子増幅器の製造における電気的な性能
を制御することが可能となった。
【００４４】以上、本発明を、図面を参照しながら本発
明に係る望ましい実施形態を参考として説明したが、こ
の実施形態は例示的なものに過ぎず、当業者であればこ
の実施形態より各種の変形及びこれと均等な実施形態を
創作することが可能であるという点を容易に理解するこ
とができる。例えば、本発明で用いられる２次電子放出
材料に代えて、２次電子放出特性に優れた他の材料を用
いることで、本発明の実施形態に係る電子増幅器及びそ
の製造方法を適用して電子増幅器を製造することも可能
である。本発明の真の技術範囲は、本明細書の特許請求
範囲によって決定されるべきである。
明に係る望ましい実施形態を参考として説明したが、こ
の実施形態は例示的なものに過ぎず、当業者であればこ
の実施形態より各種の変形及びこれと均等な実施形態を
創作することが可能であるという点を容易に理解するこ
とができる。例えば、本発明で用いられる２次電子放出
材料に代えて、２次電子放出特性に優れた他の材料を用
いることで、本発明の実施形態に係る電子増幅器及びそ
の製造方法を適用して電子増幅器を製造することも可能
である。本発明の真の技術範囲は、本明細書の特許請求
範囲によって決定されるべきである。
【図１Ａ】従来の電子増幅器の構造を模式的に示す断面
図である。
図である。
【図１Ｂ】従来の電子増幅器の製造方法を模式的に示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明に係る一実施形態の炭素ナノチューブを
含む電子増幅器の断面構造を模式的に示す斜視図であ
る。
含む電子増幅器の断面構造を模式的に示す斜視図であ
る。
【図３Ａ】本発明に係る一実施形態の炭素ナノチューブ
を含む電子増幅器を上から見た写真である。
を含む電子増幅器を上から見た写真である。
【図３Ｂ】図３Ａに示す本発明に係る一実施形態の炭素
ナノチューブを含む電子増幅器のＡ部を拡大した写真で
ある。
ナノチューブを含む電子増幅器のＡ部を拡大した写真で
ある。
【図３Ｃ】図３Ｂに示す本発明に係る一実施形態の炭素
ナノチューブを含む電子増幅器のＢ部を拡大した写真で
ある。
ナノチューブを含む電子増幅器のＢ部を拡大した写真で
ある。
【図４Ａ】本発明に係る一実施形態の炭素ナノチューブ
を含む電子増幅器の製造方法のうち、電子放出膜の堆積
前段階におけるＡｌ2Ｏ3の基板の図面である。
を含む電子増幅器の製造方法のうち、電子放出膜の堆積
前段階におけるＡｌ2Ｏ3の基板の図面である。
【図４Ｂ】本発明に係る一実施形態の炭素ナノチューブ
を含む電子増幅器の製造方法のうち、電子放出膜の堆積
前段階における貫通孔の形成されたＡｌ2Ｏ3の基板の図
面である。
を含む電子増幅器の製造方法のうち、電子放出膜の堆積
前段階における貫通孔の形成されたＡｌ2Ｏ3の基板の図
面である。
【図４Ｃ】本発明に係る一実施形態の炭素ナノチューブ
を含む電子増幅器の製造方法のうち、電子放出膜の堆積
前段階における貫通孔の形成されたＡｌ2Ｏ3の基板を積
層したものの断面図である。
を含む電子増幅器の製造方法のうち、電子放出膜の堆積
前段階における貫通孔の形成されたＡｌ2Ｏ3の基板を積
層したものの断面図である。
【図４Ｄ】本発明に係る一実施形態の炭素ナノチューブ
を含む電子増幅器の製造方法のうち、電子放出膜の堆積
前段階における貫通孔の形成されたＡｌ2Ｏ3の基板を積
層して形成された基本構造部を示す斜視図である。
を含む電子増幅器の製造方法のうち、電子放出膜の堆積
前段階における貫通孔の形成されたＡｌ2Ｏ3の基板を積
層して形成された基本構造部を示す斜視図である。
【図４Ｅ】本発明に係る一実施形態の炭素ナノチューブ
を含む電子増幅器の製造方法のうち、電子放出膜の堆積
前段階における基本構造部に抵抗層を形成したことを示
す断面図である。
を含む電子増幅器の製造方法のうち、電子放出膜の堆積
前段階における基本構造部に抵抗層を形成したことを示
す断面図である。
【図５】本発明に係る一実施形態の炭素ナノチューブを
含む電子増幅器の製造方法のうち、電子放出膜の形成過
程を示す図面である。
含む電子増幅器の製造方法のうち、電子放出膜の形成過
程を示す図面である。
【図６】本発明に係る一実施形態の炭素ナノチューブを
含む電子増幅器において、炭素ナノチューブを含む２次
電子放出膜の１次電子の正味エネルギーに対する２次電
子放出効率（δ）を示すグラフである。
含む電子増幅器において、炭素ナノチューブを含む２次
電子放出膜の１次電子の正味エネルギーに対する２次電
子放出効率（δ）を示すグラフである。
３１ 電極層
３２ 貫通孔
３３ 基板
３５ 抵抗層
３７ 電子放出層
４５ 炭素ナノチューブ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 李 晶 姫
大韓民国 京畿道 城南市 盆唐区 下塔
洞 525番地 塔マウル 京南アパート
713棟 1002号
(72)発明者 兪 世 起
大韓民国 京畿道 城南市 盆唐区 書▲
見▼洞 299番地 孝子村 現代アパート
113棟 102号
(72)発明者 鄭 太 遠
大韓民国 ソウル特別市 中浪区 忘憂１
洞 92−28番地
(72)発明者 李 昌 洙
大韓民国 京畿道 烏山市 園洞 551番
地 泰栄アパート 102棟 1702号
Ｆターム(参考） 5C027 EE07 EE12
5C038 BB02 BB06
Claims (10)
- 【請求項１】 複数の貫通孔が形成された基板と、 前記貫通孔の内壁に形成される抵抗層と、 前記抵抗層上に形成され、炭素ナノチューブを含む電子
放出層と、 前記基板の上部及び下部に形成される電極層と、を備え
ることを特徴とする電子増幅器。 - 【請求項２】 前記電子放出層は、２次電子放出係数の
大きい酸化物系材料またはフッ化物系材料のうち何れか
１種で構成されることを特徴とする請求項１に記載の電
子増幅器。 - 【請求項３】 前記酸化物系材料は、ＭｇＯ、ＳｉＯ2
及びＬａ2Ｏ3からなる群の中から選択された１種で構成
されることを特徴とする請求項２に記載の電子増幅器。 - 【請求項４】 前記フッ化物系材料は、ＣａＦ2及びＭ
ｇＦ2のうち何れか１種で構成されることを特徴とする
請求項２に記載の電子増幅器。 - 【請求項５】 前記基板は、ガラス、Ａｌ2Ｏ3を含むセ
ラミックス、Ｃｕ及びＳｉからなる群の中から選択され
た１種で構成されることを特徴とする請求項１に記載の
電子増幅器。 - 【請求項６】 基板に貫通孔を形成する段階と、 前記貫通孔の内壁に抵抗層を形成する段階と、 ２次電子放出係数の大きい物質のゾル・ゲル溶液に、炭
素ナノチューブを添加する段階と、 前記ゾル・ゲル溶液に、前記貫通孔及び前記抵抗層が形
成された前記基板を浸し、前記抵抗層上に前記電子放出
層を形成する段階と、 前記貫通孔が設けられ、前記抵抗層及び前記電子放出層
が形成された基板を焼成する段階と、 前記貫通孔と垂直になるように、前記基板の上部及び下
部に電極層を形成する段階と、 を備えることを特徴とする電子増幅器の製造方法。 - 【請求項７】 前記電子放出層は、２次電子放出係数の
大きい酸化物系材料またはフッ化物系材料のうち何れか
１種で構成されることを特徴とする請求項６に記載の電
子増幅器の製造方法。 - 【請求項８】 前記酸化物系材料は、ＭｇＯ、ＳｉＯ2
及びＬａ2Ｏ3からなる群の中から選択された１種で構成
されることを特徴とする請求項７に記載の電子増幅器の
製造方法。 - 【請求項９】 前記フッ化物系材料はＣａＦ2及びＭｇ
Ｆ2のうち何れか１種で構成されることを特徴とする請
求項７に記載の電子増幅器の製造方法。 - 【請求項１０】 前記基板は、ガラス、Ａｌ2Ｏ3を含む
セラミックス、Ｃｕ及びＳｉからなる群の中から選択さ
れた１種で構成されることを特徴とする請求項６に記載
の電子増幅器の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2002-009088 | 2002-02-20 | ||
| KR1020020009088A KR100873634B1 (ko) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 탄소나노튜브를 포함하는 전자증폭기 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003257359A true JP2003257359A (ja) | 2003-09-12 |
Family
ID=27656450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003041994A Pending JP2003257359A (ja) | 2002-02-20 | 2003-02-20 | 炭素ナノチューブを含む電子増幅器及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6870308B2 (ja) |
| EP (1) | EP1339087A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003257359A (ja) |
| KR (1) | KR100873634B1 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007513485A (ja) * | 2003-12-03 | 2007-05-24 | アイティーティー マニュファクチャリング エンタープライジーズ， インコーポレイテッド | メガボウルウエハを用いたマイクロチャネルプレート製作のためのデバイスおよび方法 |
| JP2007513486A (ja) * | 2003-12-03 | 2007-05-24 | アイティーティー マニュファクチャリング エンタープライジーズ， インコーポレイテッド | マイクロチャネルプレート（ｍｃｐ）製作のための穴の開いたメガボウルウエハ |
| JP2011513921A (ja) * | 2008-02-27 | 2011-04-28 | アラディアンス インコーポレイテッド | 複数の放出層を有するマイクロチャネルプレートデバイス |
| JP2011525294A (ja) * | 2008-06-20 | 2011-09-15 | アーレディエンス， インコーポレイテッド | 調整可能な抵抗膜を有するマイクロチャネルプレートデバイス |
| JPWO2012073758A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2014-05-19 | Hoya株式会社 | 電子増幅器用基板の製造方法、電子増幅器の製造方法及び放射線検出器の製造方法 |
| JPWO2012073759A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2014-05-19 | Hoya株式会社 | 電子増幅器用基板の製造方法、電子増幅器の製造方法及び放射線検出器の製造方法 |
| KR20190005415A (ko) * | 2017-07-06 | 2019-01-16 | (주) 브이에스아이 | 전자빔 증폭형 초소형 엑스선 튜브 |
| KR20190014629A (ko) * | 2017-08-03 | 2019-02-13 | (주) 브이에스아이 | 엑스선 튜브 |
| KR20200014995A (ko) * | 2018-08-02 | 2020-02-12 | (주) 브이에스아이 | 초소형 마이크로 포커스 엑스선 튜브 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004027336A1 (en) * | 2002-09-17 | 2004-04-01 | Midwest Research Institute | Carbon nanotube heat-exchange systems |
| KR20050072987A (ko) * | 2004-01-08 | 2005-07-13 | 삼성전자주식회사 | 면광원 장치 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
| US7947371B2 (en) * | 2004-11-05 | 2011-05-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Single-walled carbon nanotube composites |
| FR2880200B1 (fr) * | 2004-12-24 | 2012-08-17 | St Microelectronics Sa | Plaquette munie de conducteurs transverses et application a une pile a combustible |
| KR101082437B1 (ko) | 2005-03-02 | 2011-11-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출원, 그 제조방법 및 이를 채용한 전자 방출 소자 |
| GB0512001D0 (en) * | 2005-06-13 | 2005-07-20 | Council Cent Lab Res Councils | Electron amplifier device |
| US7858918B2 (en) * | 2007-02-05 | 2010-12-28 | Ludwig Lester F | Molecular transistor circuits compatible with carbon nanotube sensors and transducers |
| US7838809B2 (en) * | 2007-02-17 | 2010-11-23 | Ludwig Lester F | Nanoelectronic differential amplifiers and related circuits having carbon nanotubes, graphene nanoribbons, or other related materials |
| US20090001811A1 (en) * | 2007-06-26 | 2009-01-01 | George Dewberry | Electrical line conditioner |
| US20090001820A1 (en) * | 2007-06-26 | 2009-01-01 | George Dewberry | Electrical line conditioner |
| US8052884B2 (en) * | 2008-02-27 | 2011-11-08 | Arradiance, Inc. | Method of fabricating microchannel plate devices with multiple emissive layers |
| KR100967024B1 (ko) * | 2008-04-14 | 2010-06-30 | 삼성전기주식회사 | 프로브 기판 제조 방법 |
| US8237129B2 (en) * | 2008-06-20 | 2012-08-07 | Arradiance, Inc. | Microchannel plate devices with tunable resistive films |
| US8101913B2 (en) * | 2009-09-11 | 2012-01-24 | Ut-Battelle, Llc | Method of making large area conformable shape structures for detector/sensor applications using glass drawing technique and postprocessing |
| CA2684811C (en) * | 2009-11-06 | 2017-05-23 | Bubble Technology Industries Inc. | Microstructure photomultiplier assembly |
| KR101711145B1 (ko) * | 2010-09-03 | 2017-03-13 | 삼성전자주식회사 | 휴대용 4중극자 이온트랩 질량분석기 |
| FR2964785B1 (fr) * | 2010-09-13 | 2013-08-16 | Photonis France | Dispositif multiplicateur d'électrons a couche de nanodiamant. |
| CN103413642B (zh) * | 2013-08-26 | 2015-12-09 | 四川永星电子有限公司 | 一种新型贴片电阻器及贴片电阻器安装体 |
| CN105244246B (zh) | 2014-07-10 | 2017-06-06 | 清华大学 | 场发射阴极及场发射装置 |
| CN105448624B (zh) | 2014-07-10 | 2017-09-01 | 清华大学 | 场发射阴极的制备方法 |
| JP6496217B2 (ja) * | 2015-09-04 | 2019-04-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | マイクロチャンネルプレート及び電子増倍体 |
| JP6340102B1 (ja) | 2017-03-01 | 2018-06-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | マイクロチャンネルプレート及び電子増倍体 |
| KR102389448B1 (ko) * | 2017-08-16 | 2022-04-22 | (주) 브이에스아이 | 마이크로 채널 플레이트를 구비한 엑스선 튜브 |
| RU2692094C1 (ru) * | 2018-12-26 | 2019-06-21 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Планарный двухспектральный фотоэлектронный умножитель |
| CN114646689A (zh) * | 2020-12-17 | 2022-06-21 | 清华大学 | 二次电子探头及二次电子探测器 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3911167A (en) * | 1970-05-01 | 1975-10-07 | Texas Instruments Inc | Electron multiplier and method of making same |
| IL42668A (en) * | 1973-07-05 | 1976-02-29 | Seidman A | Channel electron multipliers |
| US4825118A (en) * | 1985-09-06 | 1989-04-25 | Hamamatsu Photonics Kabushiki Kaisha | Electron multiplier device |
| DE69030145T2 (de) * | 1989-08-18 | 1997-07-10 | Galileo Electro Optics Corp | Kontinuierliche Dünnschicht-Dynoden |
| US5086248A (en) * | 1989-08-18 | 1992-02-04 | Galileo Electro-Optics Corporation | Microchannel electron multipliers |
| JPH06176734A (ja) * | 1991-07-24 | 1994-06-24 | Yukiro Takahashi | 電子増倍素子 |
| US5729244A (en) * | 1995-04-04 | 1998-03-17 | Lockwood; Harry F. | Field emission device with microchannel gain element |
| JP2001202873A (ja) * | 2000-01-17 | 2001-07-27 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子又は二次電子放射用陰極、光電子増倍管及び電子増倍管 |
| KR100496281B1 (ko) * | 2000-02-07 | 2005-06-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트및 이를 이용한 전계 방출 소자 |
| KR100490527B1 (ko) * | 2000-02-07 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 카본나노튜브를 채용한 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 표시 패널 및 백라이트 |
| KR20010090256A (ko) * | 2000-03-24 | 2001-10-18 | 김순택 | 전자증폭기 및 그 제조방법 |
| US6657385B2 (en) * | 2000-06-20 | 2003-12-02 | Burle Technologies, Inc. | Diamond transmission dynode and photomultiplier or imaging device using same |
| US6628072B2 (en) | 2001-05-14 | 2003-09-30 | Battelle Memorial Institute | Acicular photomultiplier photocathode structure |
-
2002
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-
2003
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-
2005
- 2005-02-04 US US11/049,898 patent/US7025652B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007513485A (ja) * | 2003-12-03 | 2007-05-24 | アイティーティー マニュファクチャリング エンタープライジーズ， インコーポレイテッド | メガボウルウエハを用いたマイクロチャネルプレート製作のためのデバイスおよび方法 |
| JP2007513486A (ja) * | 2003-12-03 | 2007-05-24 | アイティーティー マニュファクチャリング エンタープライジーズ， インコーポレイテッド | マイクロチャネルプレート（ｍｃｐ）製作のための穴の開いたメガボウルウエハ |
| JP4686471B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2011-05-25 | アイティーティー マニュファクチャリング エンタープライジーズ， インコーポレイテッド | マイクロチャネルプレート（ｍｃｐ）製作のための穴の開いたメガボウルウエハ |
| JP4722053B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2011-07-13 | アイティーティー マニュファクチャリング エンタープライジーズ， インコーポレイテッド | メガボウルウエハを用いたマイクロチャネルプレート製作のためのデバイスおよび方法 |
| JP2011513921A (ja) * | 2008-02-27 | 2011-04-28 | アラディアンス インコーポレイテッド | 複数の放出層を有するマイクロチャネルプレートデバイス |
| JP2011525294A (ja) * | 2008-06-20 | 2011-09-15 | アーレディエンス， インコーポレイテッド | 調整可能な抵抗膜を有するマイクロチャネルプレートデバイス |
| JP2014060178A (ja) * | 2008-06-20 | 2014-04-03 | Arradiance Inc | 調整可能な抵抗膜を有するマイクロチャネルプレートデバイス |
| JP2018133348A (ja) * | 2008-06-20 | 2018-08-23 | アーレディエンス， エルエルシー | 調整可能な抵抗膜を有するマイクロチャネルプレートデバイス |
| US9368332B2 (en) | 2008-06-20 | 2016-06-14 | Arradiance, Llc | Microchannel plate devices with tunable resistive films |
| US9064676B2 (en) | 2008-06-20 | 2015-06-23 | Arradiance, Inc. | Microchannel plate devices with tunable conductive films |
| JP5855577B2 (ja) * | 2010-12-01 | 2016-02-09 | Hoya株式会社 | 電子増幅器用基板の製造方法、電子増幅器の製造方法及び放射線検出器の製造方法 |
| JPWO2012073759A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2014-05-19 | Hoya株式会社 | 電子増幅器用基板の製造方法、電子増幅器の製造方法及び放射線検出器の製造方法 |
| JP5948249B2 (ja) * | 2010-12-01 | 2016-07-06 | Hoya株式会社 | 電子増幅器用基板の製造方法、電子増幅器の製造方法及び放射線検出器の製造方法 |
| JPWO2012073758A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2014-05-19 | Hoya株式会社 | 電子増幅器用基板の製造方法、電子増幅器の製造方法及び放射線検出器の製造方法 |
| KR20190005415A (ko) * | 2017-07-06 | 2019-01-16 | (주) 브이에스아이 | 전자빔 증폭형 초소형 엑스선 튜브 |
| KR102283035B1 (ko) * | 2017-07-06 | 2021-07-28 | (주) 브이에스아이 | 전자빔 증폭형 초소형 엑스선 튜브 |
| KR20190014629A (ko) * | 2017-08-03 | 2019-02-13 | (주) 브이에스아이 | 엑스선 튜브 |
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