JP5855577B2 - 電子増幅器用基板の製造方法、電子増幅器の製造方法及び放射線検出器の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 156
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 64
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 64
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 51
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 43
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 claims description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007876 drug discovery Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/24—Dynodes having potential gradient along their surfaces
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Description
ガス中において電子を増幅させることにより放射線の検出を行う放射線検出器に用いられる基板であって、前記基板主表面に密着する層を有する導電層及び貫通孔が基板に形成された電子増幅器用基板の製造方法において、
前記導電層が前記貫通孔内に形成されるのを防止する導電層形成防止部材を、前記貫通孔内に予め設けておく予防工程と、
前記予防工程後、前記基板主表面に前記導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層形成工程後、前記貫通孔内の導電層形成防止部材を除去する除去工程とを備
えること
を特徴とする電子増幅器用基板の製造方法である。
前記基板は感光性ガラス基板であり、前記貫通孔は紫外線を照射することで形成されること
を特徴とする前記第1の態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。
前記基板は表裏面を有し、前記導電層は前記基板の表裏面に形成されていること
を特徴とする前記第1又は第2の態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。
前記貫通孔は複数形成され、各々は平面視円形形状を有しており、互いの貫通孔が一定間隔で前記基板上に形成されていること
を特徴とする前記第1乃至第3の態様のいずれか1態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。
前記導電層形成防止部材は熱硬化性樹脂であること
を特徴とする前記第1乃至第4の態様のいずれか1態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。
前記導電層は、前記基板上に密着する密着層と、前記密着層を覆うように形成された金属層と含むこと
を特徴とする前記第1乃至第5の態様のいずれか1態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。
前記密着層はクロムからなり、前記金属層は銅からなり、前記密着層及び前記金属層は連続的に成膜されること
を特徴とする第1乃第6の態様のいずれか1態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。
前記予防工程後且つ前記導電層形成工程前に、前記導電層形成防止部材及び前記基板を揃えて平坦化する工程を更に備えること
を特徴とする第1乃至第7の態様のいずれか1態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。
感光性ガラスからなる基板に密着する層を有する導電層が形成され、且つ紫外線を照射することで貫通孔が形成された電子増幅器用基板の製造方法において、
前記導電層が前記貫通孔内に形成されるのを防止する熱硬化性樹脂を、前記貫通孔内に予め設けておく予防工程と、
前記予防工程後、前記基板主表面にクロム層を、そして前記クロム層を覆うように銅層を連続的に成膜し、導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層形成工程後、前記貫通孔内の熱硬化性樹脂を除去する除去工程とを備え、
前記貫通孔は複数形成され、各々は平面視円形形状を有しており、互いの貫通孔が一定間隔で前記基板上に形成されていること
を特徴とする電子増幅器用基板の製造方法である。
第1乃至第9の態様のいずれか1態様に記載の方法で製造された電子増幅器用基板を用いること
を特徴とする電子増幅器の製造方法である。
第1乃至第9の態様のいずれか1態様に記載の方法で製造された電子増幅器用基板を用いること
を特徴とする放射線検出器の製造方法である。
本発明は、ガス電子増幅器(以下、単に電子増幅器とも呼ぶ。)による電子雪崩効果による電子増幅を行い、荷電粒子、アルファ線、ベータ線、ガンマ線、X線、紫外光または中性子などの電離放射線、さらに近紫外線、可視光線などの非電離放射線といった放射線を検出する放射線検出器に適用される。また、上述したような問題点を解決すべく、放射線検出器の電子増幅器で用いる電子増幅器用基板の基板としてポリマーフィルムに代えて感光性ガラスを用いる。
電子増幅器用基板の基板として用いる感光性ガラスについて説明をする。感光性ガラスは、安価でありながらウェットエッチングによる加工が可能であるなど非常に優れた加工性を有している。また、ポリマーフィルムとは異なり、高真空状態にした場合であっても、歪みを生じることなく、ギャップを保つことができるため、上述した放射線を検出する放射線検出器の電子増幅器に用いる電子増幅器用基板の基板として非常に有効である。
続いて、電子増幅器において、電子雪崩効果による電子増幅を発生させる感光性ガラスを基板として用いた電子増幅器用基板について説明する。電子増幅器において電子雪崩効果による電子増幅を発生させるためには、基板となる感光性ガラスに複数の貫通孔を形成する必要がある。
{第1の実施の形態:基板の片面への樹脂塗布による製造方法}
図5を用いて、本願発明の第1の実施の形態として示す電子増幅器用基板の製造方法について説明をする。図5(a)〜(e)は、図1に示した基板100をX−X線で切断した様子を示した断面図である。なお、図1に示したように基板100には複数の貫通孔101が形成されているが、以下においては説明のため1つの貫通孔101に着目するようにした。
続いて、図6を用いて、本願発明の第2の実施の形態として示す電子増幅器用基板の製造方法について説明をする。図6(a)〜(c)は、図1に示した基板100をX−X線で切断した様子を示した断面図である。なお、図1に示したように基板100には複数の貫通孔101が形成されているが、以下においては説明のため1つの貫通孔101に着目するようにした。
続いて、図7を用いて、本願発明の第3の実施の形態として示す電子増幅器用基板の製造方法について説明をする。図7(a)〜(c)は、図1に示した基板100をX−X線で切断した様子を示した断面図である。なお、図1に示したように基板100には複数の貫通孔101が形成されているが、以下においては説明のため1つの貫通孔101に着目するようにした。
第1乃至第3の実施の形態では、密着層としてクロムをスパッタしてクロム層11を形成し、金属層として銅をスパッタして銅層12を形成することで導電層とした。この場合には、感光性ガラスと金属層との密着性を考慮してクロム層11を、銅層12を形成する前段に連続的に成膜するようにした。
12 銅層
13 電気銅メッキ層
50 樹脂
51 樹脂
52 樹脂
53 樹脂
54 樹脂
100 基板
101 貫通孔
101a 側壁
Claims (11)
- ガス中において電子を増幅させることにより放射線の検出を行う放射線検出器に用いられる基板であって、前記基板主表面に密着する層を有する導電層及び貫通孔が基板に形成された電子増幅器用基板の製造方法において、
前記導電層が前記貫通孔内に形成されるのを防止する導電層形成防止部材を、前記貫通孔内に予め設けておく予防工程と、
前記予防工程後、前記基板主表面に前記導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層形成工程後、前記貫通孔内の導電層形成防止部材を除去する除去工程とを備えること
を特徴とする電子増幅器用基板の製造方法。 - 前記基板は感光性ガラス基板であり、前記貫通孔は紫外線を照射することで形成されること
を特徴とする請求項1記載の電子増幅器用基板の製造方法。 - 前記基板は表裏面を有し、前記導電層は前記基板の表裏面に形成されていること
を特徴とする請求項1又は請求項2記載の電子増幅器用基板の製造方法。 - 前記貫通孔は複数形成され、各々は平面視円形形状を有しており、互いの貫通孔が一定間隔で前記基板上に形成されていること
を特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の電子増幅器用基板の製造方法。 - 前記導電層形成防止部材は熱硬化性樹脂であること
を特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の電子増幅器用基板の製造方法。 - 前記導電層は、前記基板上に密着する密着層と、前記密着層を覆うように形成された金属層と含むこと
を特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の電子増幅器用基板の製造方法。 - 前記密着層はクロムからなり、前記金属層は銅からなり、前記密着層及び前記金属層は連続的に成膜されること
を特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の電子増幅器用基板の製造方法。 - 前記予防工程後且つ前記導電層形成工程前に、前記導電層形成防止部材及び前記基板を揃えて平坦化する工程を更に備えること
を特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の電子増幅器用基板の製造方法。 - 放射線を検出する放射線検出器の電子増幅器で用いる電子増幅器用基板であって、感光性ガラスからなる基板に密着する層を有する導電層が形成され、且つ紫外線を照射することで貫通孔が形成された電子増幅器用基板の製造方法において、
前記導電層が前記貫通孔内に形成されるのを防止する熱硬化性樹脂を、前記貫通孔内に予め設けておく予防工程と、
前記予防工程後、前記基板主表面にクロム層を、そして前記クロム層を覆うように銅層を連続的に成膜し、導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層形成工程後、前記貫通孔内の熱硬化性樹脂を除去する除去工程とを備え、
前記貫通孔は複数形成され、各々は平面視円形形状を有しており、互いの貫通孔が一定間隔で前記基板上に形成されていること
を特徴とする電子増幅器用基板の製造方法。 - 請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の方法で製造された電子増幅用基板を用いること
を特徴とする電子増幅器の製造方法。 - 請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の方法で製造された電子増幅器用基板を用いること
を特徴とする放射線検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012546794A JP5855577B2 (ja) | 2010-12-01 | 2011-11-22 | 電子増幅器用基板の製造方法、電子増幅器の製造方法及び放射線検出器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010268853 | 2010-12-01 | ||
JP2010268853 | 2010-12-01 | ||
PCT/JP2011/076905 WO2012073759A1 (ja) | 2010-12-01 | 2011-11-22 | 電子増幅器用基板の製造方法、電子増幅器の製造方法及び放射線検出器の製造方法 |
JP2012546794A JP5855577B2 (ja) | 2010-12-01 | 2011-11-22 | 電子増幅器用基板の製造方法、電子増幅器の製造方法及び放射線検出器の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012073759A1 JPWO2012073759A1 (ja) | 2014-05-19 |
JP5855577B2 true JP5855577B2 (ja) | 2016-02-09 |
Family
ID=46171701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012546794A Expired - Fee Related JP5855577B2 (ja) | 2010-12-01 | 2011-11-22 | 電子増幅器用基板の製造方法、電子増幅器の製造方法及び放射線検出器の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5855577B2 (ja) |
TW (1) | TWI533776B (ja) |
WO (1) | WO2012073759A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014170642A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Hoya Corp | 電子増幅用基板および電子増幅用基板の製造方法 |
CN103280387B (zh) * | 2013-05-16 | 2015-07-29 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种工业化厚gem制作方法 |
CN105555045B (zh) * | 2015-12-09 | 2018-06-19 | 中国科学院大学 | 基于镀锡覆膜工艺的厚型气体电子倍增膜板的制作方法 |
JP2021120180A (ja) * | 2018-03-29 | 2021-08-19 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 積層体、導体層付き積層板、プリント配線板、及びそれらの製造方法、並びに半導体パッケージ |
US10996346B2 (en) | 2018-04-26 | 2021-05-04 | Mitsubishi Materials Corporation | α-ray measuring device |
CN110349761B (zh) * | 2019-07-05 | 2021-04-06 | 中国科学院微电子研究所 | 一种具有通孔阵列的平板电容结构制造方法及电子设备 |
CN110299252A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-10-01 | 中国科学院微电子研究所 | 一种具有通孔的平板电容结构、制造方法及电子设备 |
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JP2009301904A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 検出器及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-11-22 JP JP2012546794A patent/JP5855577B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-11-22 WO PCT/JP2011/076905 patent/WO2012073759A1/ja active Application Filing
- 2011-11-30 TW TW100143881A patent/TWI533776B/zh not_active IP Right Cessation
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JP2007234485A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Institute Of Physical & Chemical Research | ガス電子増幅器およびそれに用いるガス電子増幅フォイルの製造方法ならびにガス電子増幅器を使用した放射線検出器 |
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JP2009301904A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 検出器及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201233283A (en) | 2012-08-01 |
WO2012073759A1 (ja) | 2012-06-07 |
TWI533776B (zh) | 2016-05-11 |
WO2012073759A9 (ja) | 2012-12-27 |
JPWO2012073759A1 (ja) | 2014-05-19 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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