JP5987594B2 - ガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法 - Google Patents
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板状のステンレス基板を準備する工程と、
前記ステンレス基板の主面上に第1のドライフィルムレジストを形成した後に、露光現像し、前記ステンレス基板の少なくとも一辺に沿った第1の方向、及び当該第1の方向と直交する第2の方向にそれぞれ配列した複数の環状部分、並びに前記複数の環状部分のうちの、前記第1の方向に隣接する環状部分同士を等間隔で分断するように画定されたストリップ形状部分を覆い、残部を露出させた第1のマスクを形成する工程と、
前記第1のマスクを介して前記ステンレス基板の主面上に電鋳を行い、前記第1のマスクの、前記複数の環状部分の内方に複数の円形状の第1の電鋳膜を形成するとともに、前記複数の円形状の第1の電鋳膜を、前記第1のマスクの前記複数の環状部分に相当する環状の電鋳膜非形成領域を介して、前記複数の円形状の第1の電鋳膜を含むようにして複数のストリップ形状の第2の電鋳膜を形成する工程と、
前記ステンレス基板の主面上において、前記複数の円形状の第1の電鋳膜及び前記複数のストリップ形状の第2の電鋳膜を覆うように前記ステンレス基板の主面上全面に第2のドライフィルムレジストを形成した後、当該第2のドライフィルムレジストに対して露光現像処理を行い、前記複数の円形状の第1の電鋳膜が露出するような複数の円柱状の貫通孔を形成する工程と、
前記複数の円柱状の貫通孔内に、前記複数の円形状の第1の電鋳膜を介して電鋳を行い、前記複数の円柱状の貫通孔内に電鋳材を充填する工程と、
前記第2のドライフィルムレジストを剥離した後、前記ステンレス基板の主面上に、前記電鋳材の上面が露出するようにして絶縁材を形成する工程と、
前記絶縁材上に第3のドライフィルムレジストを形成した後に、露光現像し、少なくとも前記ステンレス基板の前記少なくとも一辺と直交する方向に沿って、当該方向に配列した前記複数の電鋳材を等間隔で分断するように画定されたストリップ形状部分を覆い、残部を露出させた第2のマスクを形成する工程と、
前記第2のマスクを介してめっき処理を行い、前記絶縁材上に、前記複数の電鋳材の上面と電気的に接触するように形成された複数のストリップ形状のめっき膜を形成する工程と、
前記ステンレス基板を除去する工程とを具え、
前記複数のストリップ形状の第2の電鋳膜からなる複数のストリップ陰極電極、前記複数のストリップ形状のめっき膜からなる複数のストリップ陽極電極、及び前記複数の電鋳材からなる複数のピクセル電極を含むガス増幅を利用した放射線検出器を製造することを特徴とする、ガス増幅を利用した放射線検出器の製造方法に関する。
12 保護フィルム
13 ドライフィルムレジストのマスク
14 (円形状の)第1の電鋳膜
15 (ストリップ形状の)第2の電鋳膜
16 ドライフィルムレジスト
16h 円柱状の貫通孔
17 電鋳材
18 絶縁材
19 ドライフィルムレジストのマスク
20 ガス増幅を用いた放射線検出器
21 ストリップ陽極電極
22 絶縁層
23 ストリップ陰極電極
24 ピクセル電極
Claims (2)
- 板状のステンレス基板を準備する工程と、
前記ステンレス基板の主面上に第1のドライフィルムレジストを形成した後に、露光現像し、前記ステンレス基板の少なくとも一辺に沿った第1の方向、及び当該第1の方向と直交する第2の方向にそれぞれ配列した複数の環状部分、並びに前記複数の環状部分のうちの、前記第1の方向に隣接する環状部分同士を等間隔で分断するように画定されたストリップ形状部分を覆い、残部を露出させた第1のマスクを形成する工程と、
前記第1のマスクを介して前記ステンレス基板の主面上に電鋳を行い、前記第1のマスクの、前記複数の環状部分の内方に複数の円形状の第1の電鋳膜を形成するとともに、前記複数の円形状の第1の電鋳膜を、前記第1のマスクの前記複数の環状部分に相当する環状の電鋳膜非形成領域を介して、前記複数の円形状の第1の電鋳膜を含むようにして複数のストリップ形状の第2の電鋳膜を形成する工程と、
前記ステンレス基板の主面上において、前記複数の円形状の第1の電鋳膜及び前記複数のストリップ形状の第2の電鋳膜を覆うように前記ステンレス基板の主面上全面に第2のドライフィルムレジストを形成した後、当該第2のドライフィルムレジストに対して露光現像処理を行い、前記複数の円形状の第1の電鋳膜が露出するような複数の円柱状の貫通孔を形成する工程と、
前記複数の円柱状の貫通孔内に、前記複数の円形状の第1の電鋳膜を介して電鋳を行い、前記複数の円柱状の貫通孔内に電鋳材を充填する工程と、
前記第2のドライフィルムレジストを剥離した後、前記ステンレス基板の主面上に、前記電鋳材の上面が露出するようにして絶縁材を形成する工程と、
前記絶縁材上に第3のドライフィルムレジストを形成した後に、露光現像し、少なくとも前記ステンレス基板の前記少なくとも一辺と直交する方向に沿って、当該方向に配列した前記複数の電鋳材を等間隔で分断するように画定されたストリップ形状部分を覆い、残部を露出させた第2のマスクを形成する工程と、
前記第2のマスクを介してめっき処理を行い、前記絶縁材上に、前記複数の電鋳材の上面と電気的に接触するように形成された複数のストリップ形状のめっき膜を形成する工程と、
前記ステンレス基板を除去する工程とを具え、
前記複数のストリップ形状の第2の電鋳膜からなる複数のストリップ陰極電極、前記複数のストリップ形状のめっき膜からなる複数のストリップ陽極電極、及び前記複数の電鋳材からなる複数のピクセル電極を含むガス増幅を利用した放射線検出器を製造することを特徴とする、ガス増幅を利用した放射線検出器の製造方法。 - 前記ピクセル電極を構成する前記電鋳材の直径が20μm以下であることを特徴とする、請求項1に記載のガス増幅を利用した放射線検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012209061A JP5987594B2 (ja) | 2012-09-24 | 2012-09-24 | ガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3354551B2 (ja) * | 2000-06-27 | 2002-12-09 | 科学技術振興事業団 | ピクセル型電極によるガス増幅を用いた粒子線画像検出器 |
JP2012013483A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Dainippon Printing Co Ltd | ガス増幅を用いた放射線検出器、及びその製造方法 |
JP2012168170A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-09-06 | Dainippon Printing Co Ltd | ガス増幅を用いた放射線検出器 |
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2012
- 2012-09-24 JP JP2012209061A patent/JP5987594B2/ja active Active
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JP2014062856A (ja) | 2014-04-10 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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