JP4686471B2 - マイクロチャネルプレート(mcp)製作のための穴の開いたメガボウルウエハ - Google Patents

マイクロチャネルプレート(mcp)製作のための穴の開いたメガボウルウエハ Download PDF

Info

Publication number
JP4686471B2
JP4686471B2 JP2006542758A JP2006542758A JP4686471B2 JP 4686471 B2 JP4686471 B2 JP 4686471B2 JP 2006542758 A JP2006542758 A JP 2006542758A JP 2006542758 A JP2006542758 A JP 2006542758A JP 4686471 B2 JP4686471 B2 JP 4686471B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
section
sections
bowl
mega
mcp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006542758A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007513486A (ja
Inventor
トーマス エヌ. ペック,
Original Assignee
アイティーティー マニュファクチャリング エンタープライジーズ, インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アイティーティー マニュファクチャリング エンタープライジーズ, インコーポレイテッド filed Critical アイティーティー マニュファクチャリング エンタープライジーズ, インコーポレイテッド
Publication of JP2007513486A publication Critical patent/JP2007513486A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4686471B2 publication Critical patent/JP4686471B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
    • H01J43/06Electrode arrangements
    • H01J43/18Electrode arrangements using essentially more than one dynode
    • H01J43/24Dynodes having potential gradient along their surfaces
    • H01J43/246Microchannel plates [MCP]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/12Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes
    • H01J9/125Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes of secondary emission electrodes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24744Longitudinal or transverse tubular cavity or cell

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Description

本発明は、イメージ増倍管において用いられるマイクロチャネルプレート(MCP)に関し、より特定には、穴の開いたメガボウル(mega−boule)ウエハを用いる複数のMCP製作の装置および方法に関する。
マイクロチャネルプレートは、イメージ増倍管における電子増倍管として使用される。マイクロチャネルプレートは、それを貫いて延びるアレイ状のチャネルを有する薄いガラスプレートであり、フォトカソードと蛍光面との間に位置する。フォトカソードから向かって来る電子は、マイクロチャネルプレートの入力側に入り、チャネルの壁に突き当たる。電圧がマイクロチャネルに印加される場合、これらの向かって来る電子または一次電子は増倍され、二次電子が生成される。二次電子は、マイクロチャネルプレートのバックエンドからチャネルを脱出し、蛍光面上にイメージを生成するために用いられる。
一般的に、マイクロチャネルプレートの製作は、本明細書中において援用される1990年3月27日に発行されたRonald Sinkによる特許文献1に開示されるように、ファイバ延伸処理を以って開始する。便宜上のため、特許文献1に開示される図1〜4が、本明細書中に含まれ、以下、議論される。
図1において、マイクロチャネルプレートのスターティングファイバ10が示される。ファイバ10は、ガラスコア12、およびそのコアを囲むガラスクラディング14を含む。コア12は、適切なエッチング溶液においてエッチング可能なガラス材料製である。ガラスクラディング14は、ガラスのコアと実質的に同等の軟化温度を有するガラス材料製である。しかし、クラディング14のガラス材料は、コア12の材料よりも多くの鉛の容量を含むという点においてコア12のガラス材料と異なり、それによって、コア材料をエッチングするために用いられる同様の状況の下においてクラディングはエッチング不可能になる。従って、クラディング14は、ガラスコアのエッチングの後もそのままである。適切なクラディングガラスは、Corning Glass 8161のような鉛タイプガラスである。
光ファイバは、以下のような手順において形成される。エッチング可能なガラスロッド、およびそのロッドを同軸上に囲むクラディングチューブは、ゾーン炉に組み入れられる延伸マシーンに垂直に吊り下げられる。炉の温度は、ガラスの軟化温度にまで上昇される。ロッドとチューブは融合し、単一のファイバ10に延伸される。ファイバ10は、所望のファイバ直径を達成するまでスピードが調節される牽引機構に入れられる。ファイバ10は、さらに短い長さの約18インチに切断される。
数千のその切断された単一のファイバ10をモールドに積み重ね、図2に示されるように、六角形アレイ16を形成するために、ガラスの軟化温度まで加熱される。示されるように、切断された長さのファイバ10の各々は、六角形の形状を有する。六角形の形状は、優れた積み重ね配置を提供する。
マルチアセンブリまたはバンドルとしても知られる六角形アレイは、数千の単一のファイバ10を含み、それら数千の単一のファイバ10の各々は、コア12およびクラディング14を有する。バンドル16は、延伸マシーンにおいて垂直に吊り下げられ、再び、ファイバ直径を小さくするために延伸される一方、各々のファイバの六角形の形状は現状のまま保たれる。次に、バンドル16は、さらに短い長さである約6インチに切断される。
数百の切断されたバンドル16は、図3に示されるように、精密な内径のボアガラスチューブ22に積み重ねられる。ガラスチューブは鉛の容量を多く有し、ガラスクラディング14に類似したガラス材料製である。従って、ガラスチューブは、ガラスコア12をエッチングするために用いられるエッチング処理によってエッチング可能ではない。鉛ガラスチューブ22は、最終的に、マイクロチャネルプレートとの硬質縁境界になる。
各バンドル16のファイバ10を保護するために、マイクロチャネルプレートを形成する処理の間、複数のサポート構造が、アセンブリの外層を形成するバンドル16と置き換えにガラスチューブ22内に配置される。サポート構造は、ガラスファイバを融合するために必要な強度および性能を有する任意の材料製の六角形ロッドの形を取り得る。各サポート構造は、断面積がバンドル16の1つの断面積とほとんど同じであり、六角形の形を有する単一の光ガラスファイバ24であり得る。しかしながら、その単一の光ガラスファイバは、エッチング不可能なコアおよびクラディングの両方を有する。光ファイバ24またはサポートロッド24は図3に示され、複数のバンドル16を囲み、アセンブリ30の周囲に位置する。
サポートロッドは、1本の光ファイバから数百までの任意の本数のファイバによって形成され得る。1つのサポートロッド24の最終的な幾何学的な形状および外径は、1つのバンドル16と実質的に同等である。複数のファイバサポートロッドは、バンドル16を形成した手順に類似する手順において形成され得る。
チューブ22内のファイバから成る最外層を形成する各バンドル16は、サポートロッド24によって置き換えられる。これは、好適には、サポートロッド24の一端をバンドル16の一端に対して置き、バンドル16がチューブ22の外に出るまで、サポートロッド24をバンドル16に対して押すことによって為される。全ての外周のバンドル16がサポートロッド24によって置き換えられるときにおいて、形成されるアセンブリは、ボウルと呼ばれ、全体が図3の30として示される。
ボウル30は、縁ガラスおよびファイバオプティックスから成る硬質ボウルを生成するために加熱処理において融合される。融合されたボウルは、薄い断面プレートにスライス、またはさいの目に切断される。スライスされた融合ボウルの平らの端面は、研がかれ、磨かれる。
マイクロチャネルを形成するために、光ファイバ10のコア12は、希釈された塩酸を用いてのエッチングによって取り除かれる。ボウルのエッチング後、多くの鉛の容量を含むガラスクラディング14は、図4において示されるように、マイクロチャネル32を形成するためにそのままである。また、サポートロッド24は硬質を維持し、チューブ22の硬質縁からマイクロチャネル32への望ましい移り変わりを提供する。
さらなる処理ステップは、ガラスボウルを斜めに切断すること、およびガラスボウルを磨くことを含む。プレートがコアロッドを取り除くためにエッチングされた後、ボウルのチャネルは金属化され、アクティベートされる。
記載されるように、MCP製作の現在における方法は、複数のバンドルを積み重ねること、そして、縁ガラスのシース内にその積み重ねられたバンドルを置くことを含む。エッチング不可能なファイバのサポーティングロッドは、ボウルを形成するために、エッチング可能ファイバのバンドルと縁ガラス(チューブ22)との間にある隙間にある空間を埋めるために用いられる。ボウルは、バイアス角をつけるために、薄いウエハへと角度をつけてスライスされる。そのウエハは、エッチングされ、伝導層を形成するために水素燃焼(hydrogen fire)され、電気接触を提供するために金属化される。
ボウルがウエハへスライスされた後、各ウエハは個別に取り扱われる。ウエハの典型的なサイズは、直径約1インチである。これは、現在の半導体処理ツールのウエハサイズよりも圧倒的に小さく、カスタム製作処理ツールの使用を必要とする。各ボウルウエハを個別に扱うことは、粒子混合に非常に敏感な接触労働(touch labor)が多くなることを導いてしまう。従って、これらウエハの歩留りは低減する。
本発明は、より効率的な製作方法を用いてのMCP製作の必要性、および、混合物および低減した歩留りになりにくい方法の必要性を扱う。
米国特許第4,912,314号明細書
この必要性および他の必要性を達成するために、また、必要性の目的の観点から、本発明は、マイクロチャネルプレート(MCP)の製作における使用のためのメガボウルを提供する。メガボウルは、島状地帯セクション、内境界セクション、および外境界セクションを含む断面を備え、各セクションが断面の別個の部分を占める。島状地帯セクションは、第1の複数の光ファイバから形成され、断面の横断方向に方向付けられる(orient)。各光ファイバは、エッチング不可能な材料から形成されるクラディング、およびエッチング可能な材料から形成されるコアを含む。内境界セクションは、エッチング不可能な材料から形成され、島状地帯セクションを取り囲むために配置される。外境界セクションは、第2の複数の光ファイバから形成され、断面の横断方向に方向付けられる。各光ファイバは、エッチング不可能な材料から形成されるクラディング、およびエッチング可能な材料から形成されるコアを含む。境界セクションは、島状地帯セクションおよび内境界セクションを取り囲むために配置される。メガボウルセクションはまた、断面の別個の部分を占める少なくとも他のセクションを備える。他のセクションがエッチング不可能な材料から形成され、外境界セクションによって内境界セクションから分離される。島状地帯セクションがエッチングされるときにおいて、島状地帯セクションの第1の複数の光ファイバが、MCPのためのトランバースマイクロチャネルを形成し、外境界セクションがエッチングされるときにおいて、外境界セクションの第2の複数の光ファイバは、穴の開いた劈開面を形成する。外境界セクションおよび島状地帯セクションはMCPを形成し、外境界セクションは、メガボウルからMCPを剥がすために穴の開いた劈開面を形成するための、および、MCPの製作時における偶発的な剥がれをMCPダイから防ぐための、十分な断面幅を含む。
他の実施形態において、本発明は、マイクロチャネルプレート(MCP)を製作するための方法を含み、その方法は、(a)光ファイバのバンドルを提供するステップであって、各光ファイバが、エッチング不可能な材料から形成されるクラディング、およびエッチング可能な材料から形成されるコアを含む、ステップと、(b)少なくとも1つの島状地帯セクションを形成するために複数のバンドルを積み重ねるステップであって、ミニボウルを規定する、ステップと、(c)ミニボウルを取り囲むために、および、ミニボウルを取り囲む内セクションを形成するために、エッチング不可能な材料を積み上げるステップと、(d)内セクションを取り囲むために、および、内セクションを取り囲む外セクションを形成するために、エッチング可能な材料を積み上げるステップと、(e)外セクションを取り囲むために、および、外側セクションを形成するために、さらなるエッチング不可能な材料を積み上げるステップと、(f)MCPを製作するにおいて使用するためのメガボウルを形成するために、ミニボウル、内セクション、および外側セクションを融合するステップとを包含する。方法は、(g)複数のメガボウルウエハを形成するためにメガボウルをさいの目に切断するステップであって、各メガボウルウエハがバッチダイを規定する、ステップと、(h)MCPを形成するために、メガボウルウエハをアクティベートし、金属化するステップとをさらに包含し得る。ステップ(h)は、穴の開いた劈開面を形成するために、メガボウルウエハの外セクションをエッチングし、メガボウルウエハからMCPを取り出すために、穴の開いた劈開面を剥がすステップを包含し得る。
さらに、他の実施形態において、本発明は、マイクロチャネルプレート(MCP)を製作するための方法を含み、その方法は、(a)複数のミニボウルを生成するために、エッチング可能な光学材料、およびエッチング不可能な光学材料を積み重ねるステップであって、ミニボウルがお互いから分離され、断面に沿って個別の島状地帯を形成する、ステップと、(b)複数のミニボウルを取り囲むために、および、断面に沿って複数の内境界セクションを形成するために、エッチング不可能な光学材料を積み重ねるステップであって、内境界セクションの各々が対応するミニボウルを取り囲む、ステップと、(c)複数の内境界セクションを取り囲むために、および、断面に沿って複数の外境界セクションを形成するために、エッチング可能な光学材料およびエッチング不可能な光学材料を積み重ねるステップであって、外境界セクションの各々が対応する内境界セクションを取り囲む、ステップと、(d)MCPの製作における使用のためのメガボウルを形成するために、ステップ(a)〜(c)の積み重ねられたエッチング可能な光学材料、およびエッチング不可能な光学材料を融合するステップとを包含する。ステップ(c)は、複数の外境界セクションを取り囲むために、および、断面に沿って外側セクションを形成するために、さらなるエッチング不可能な材料を積み重ねるステップを包含し得る。ステップ(a)は光ファイバを積み重ねることを包含し得、各光ファイバは、エッチング不可能な材料から形成されるクラディング、およびエッチング可能な材料から形成されるコアを有する。ステップ(c)は、光ファイバを積み重ねることを包含し得、各光ファイバは、エッチング不可能な材料から形成されるクラディング、およびエッチング可能な材料から形成されるコアを有する。方法は、(e)1つの外境界セクションの中にある島状地帯および内境界セクションを剥がすために、1つの外境界セクションにおいて穴の開いた劈開面を形成するために、複数の外境界セクションの内の少なくとも1つの外境界セクションをエッチングするステップを包含し得る。
前述の一般的な記載および後述の詳細の記載が、限定的なものではなく、本発明の例示的なものであることは、理解される。
本発明は、添付の図面との関係を以って読まれる際、後述の詳細な説明により最も理解される。
本発明は、従来のウエハ製作ツールに従う方法を用いることによって複数のMCPを形成することに関する。より特定的に、本発明の方法の実施形態は、図5において示され、全体が参照番号50によって示される。説明するように、この方法は、単一の大ウエハから複数のMCPを製作するためにバッチダイを形成する。メガボウルウエハとして参照される単一の大ウエハは、従来のウエハ製作ツールに順応するようにサイズ合わせされる。
図5を参照し、ステップ51を始めとし、ガラスコアのファイバおよびガラスクラディングは方法50によって形成される。スターティングファイバ10は図1において示され、ガラスコア12およびガラスクラディング14を含む。本発明に従い、コア12はエッチング可能な材料から作られ、それによって、その後、コアは、メガボウルウエハをエッチングすることによって除去され得る。ガラスクラディング14は、コア12をエッチングすることが可能である同様の状況下においてエッチング不可能なガラスから作られる。従って、各クラディングは、エッチング処理の後もそのままであり、対応するコアの除去のときにおいて形成されるマイクロチャネルとの境界になる。
前述したように、適切なクラディングガラスは、Corning Glass 8161のような鉛タイプガラスである。発明的な処理の次なるステージにおいて、メガボウルウエハに対して従来の製作ツールを用い、酸化鉛が、ガラスクラディングの内面をアクティベートするために還元され、それによってガラスクラディングが、二次電子を放出可能になる。
その全体が本明細書中において援用される米国特許第4,912,314号に記載されるように、光ファイバ10は、以下のような手順において形成される。エッチング可能なガラスロッド、およびそのロッドを同軸上に囲むクラディングチューブは、ゾーン炉に組み入れられる延伸マシーンに垂直に吊り下げられる。炉の温度は、ガラスの軟化温度にまで上昇される。ロッドとチューブは融合し、単一のファイバ10に延伸される。ファイバは、所望のファイバ直径を達成するまでスピードが調節される牽引機構に入れられる。ファイバ10は、さらに短い長さの約18インチに切断される。
この方法は次に、ステップ52に入り、図2に示されるように、複数のバンドル16を規定するために、複数の六角形アレイ状のファイバ10を形成する。数千のその切断された単一のファイバ10をモールドに積み重ね、六角形アレイ16の各々を形成するために、ガラスの軟化温度まで加熱される。ここにおいて、切断された長さのファイバ10の各々は、六角形の形状を有する。六角形の形状が、優れた積み重ね配置を提供することは、理解される。六角形の形状に加え、三角形状および斜方六面体状のような他の形状をも用いられ得る。
マルチアセンブリまたはバンドルとしても参照される六角形アレイ16は、数千の単一のファイバ10を含み、それら数千の単一のファイバ10の各々は、コア12およびクラディング14を有する。バンドル16は、延伸マシーンにおいて垂直に吊り下げられ、再び、ファイバ直径を小さくするために延伸される一方、各々のファイバの六角形の形状は現状のまま保たれる。次に、バンドル16は、さらに短い長さである約6インチに切断される。
次に、数百の切断されたバンドル16は、個々の大スタックを形成するために発明的な方法のステップ53において積み重ねられる。ここにおいて、個々の大スタックの各々は、所定の断面積を有する。バンドルを含む所定の断面積を有する大スタックの各々は、本明細書中においてミニボウルとして参照される。積み重ねは、(本明細書中においてサポートロッドとして参照もされる)エッチング不可能ガラスを積み重ねることによってステップ54にて継続され、それによって、エッチング不可能ガラスが各ミニボウルを取り囲む。複数のミニボウルは共に積み重ねられ得、複数のサポートロッドは、ミニボウルの間に積み重ねられ得、各ミニボウルの外周を取り囲むために積み重ねられ得る。この手順において、各ミニボウルは、サポートロッドによって、またはエッチング不可能ガラスによってそれぞれのミニボウルから分離される。
図6に示されるように、ミニボウル66は、(例えば)円形の断面を有するように積み重ねられる。他の実施例として(図9)、各ミニボウルは長方形の断面に積み重ねられ得る。
方法50は、サポートロッドのような、各ミニボウルを取り囲むエッチング不可能ガラスを積み重ねるステップ54へと続く。この手順において、エッチング不可能ガラスは、各ミニボウルの周辺に境界セクションを形成する。図6において示されるように、ミニボウル66は島状地帯(island)であり、それぞれの島状地帯は、エッチング不可能サポートロッド24を備える内境界セクション67によって囲まれる。
図5を再び参照し、ステップ55Aは、各ミニボウル周辺に他の境界セクションを形成するために、積み重ねられたエッチング不可能ガラスを取り囲んでいるエッチング可能ガラスを積み重ねる。ステップ55Bは、ステップ55Aにおいて積み重ねられたエッチング可能ガラスを取り囲んでいるエッチング不可能ガラスを積み重ねる。図6に示されるように、積み重ねは、ミニボウル66、エッチング不可能サポートロッド24の内境界セクション67、そしてエッチング可能ガラスの外境界セクション69と、順番に形成する。
この方法は、メガボウル62を形成するために、セクション64において外境界セクション69を取り囲んでいるエッチング不可能サポートロッド24を積み重ねることへと続く。積み重ねは、断面積が所定サイズに達するまで継続し得る。所定の断面サイズは、従来のウエハ製作ツールに順応し得るサイズの関数である。
メガボウル62は、複数のエッチング不可能なサポートロッドを含む隙間領域64および内境界セクション67を含む。エッチング不可能な各サポートロッド24は、鉛容量を多く有し、ガラスクラディング14に類似するガラス材料製である。従って、エッチング不可能な各サポートロッド24は、ガラスコア12をエッチングによって取り除くときにおいて用いられる処理によってはエッチング不可能である。エッチング不可能ガラスは、ファイバ10の膨張率とほぼ同等の膨張率を有する。本発明の方法が終了した後、エッチング不可能なガラスのサポートロッド24は、最終的に、製作された各マイクロチャネルプレートの硬質の縁境界になる(図6において、内境界セクション67として示される)。
エッチング不可能なサポートロッドが、各ミニボウル66を保護するためのサポート構造を提供することは理解される。各サポートロッドは、エッチング可能なガラスファイバを融合するために必要な強度および性能を有する任意の材料製の(例えば)六角形ロッドの形を取り得る。サポートロッドの材料は、温度変化時において、エッチング可能ファイバの歪みを防ぐために、エッチング可能ファイバの温度係数に十分に近似した温度係数を有する。
一実施形態において、各サポートロッドは、断面積がバンドル16の1つの断面積とほとんど同じであり、(例えば)六角形の形を有する単一の光ガラスファイバ24であり得る(図3および6)。もちろん、その単一の光ファイバは、前述の状況下においてエッチング不可能なコアおよびクラディングの両方を有し得る。光サポートファイバ24は、図6において概略的に示される。サポートロッド24のコアおよびクラディングの両方が、ファイバ10のガラスクラディングの材料と同様の鉛容量を多く有したガラス材料製である。これらのサポートロッド24は、メガボウル62に形成される各ミニボウル66の間にクッション層および分離空間を形成する。
本発明の他の実施形態において、サポートロッドは、サポートロッドの最終的な形が隙間のあいた空所を生まない限り、六角形以外の断面の形を有し得る。例えば、三角形、または斜方六面体を有するサポートロッドは、隙間のあいた空所を結果的に生みにくい。従って、これらの形もまた、用いられ得る。
サポートロッド24のコアおよびクラディングを形成するガラスロッドとチューブは、延伸炉に吊り下げられ、ロッドおよびチューブが融合し、融合したロッドとチューブを軟化し、各サポートロッド24を形成するのに十分なように加熱する。その形成されたサポートロッド24は、約18インチの長さに切断され、所望の幾何学的形状、およびバンドル16の断面外径と実質的に同様な小さな断面外径を達成するために、第2の延伸を受ける。サポートロッドは、1本の光ファイバから数百までの任意の本数のファイバによって形成され得る。1つのサポートロッドの最終的な幾何学的な形状、および外径は、実質的に、1つのバンドル16と同等である。サポートロッドは、サポートロッドがエッチング不可能な材料製である限り、およびサポートロッドがエッチング可能なバンドルと加熱のときにおいて融合可能な限り、任意のサイズおよび形を備える任意の他のガラスロッドと置き換えられ得ることは、理解される。
ミニボウル66の断面積が、ユーザによって所望されるそれぞれのMCPの所定のアクティブ断面積を提供するために、それに対応する大きさに積み重ねられ得ることは、理解される。ミニボウル66の断面領域が、図6に示されるように円形面を規定し得ること、または、図9に示されるように長方形面のような異なった形を規定する断面領域を有し得ることは、理解される。
メガボウル62は複数の外境界セクション69を含み、図6に示されるように、各ミニボウル66に対して1つの外境界セクション69である。各外境界セクション69は、バンドル16のスタックから構成され得る。各バンドル16は多数のファイバ10を含み、各ファイバ10はコア12およびクラディング14を有する。バンドルは、約6インチの長さに切断され、内境界セクション67を取り囲んでいる外境界セクション69を形成するために、ステップ55Aにおいて積み重ねられる。
外境界セクションが、六角形の形およびバンドル16の1つの断面積とほぼ同等またはそれよりも大きな断面積を有する多数の単一の光ガラスファイバから構成され得ることは、理解される。単一の光ガラスファイバは、エッチング可能ガラスコアおよびエッチング不可能ガラスクラディングを有し得る。
説明するように、各外境界セクション69は、エッチング処理の下に置かれたときにおいて、穴の開いたウエハ劈開面を提供する。ミニボウル66のそれぞれ、およびそれらを取り囲む内境界セクション67(最終的にはMCPを形成する)は、メガボウル62から取り出され得る。この取り出しは、穴に沿って圧力差を与えることによって為され得、それによってMCPのダイのそれぞれが、メガボウル62から剥がれる(broken away)。
本発明が、外境界セクション69を形成し、所定の厚さを有する、光ガラスファイバが積み重ねられた単一の列をも可能性に入れることは、理解される。各光ガラスファイバは、エッチング可能ガラスコアおよびエッチング不可能ガラスクラディングを有し得る。ガラスコアのエッチングの後、エッチング不可能ガラスクラディングは、メガボウル62からそれぞれのMCPが剥がれることを可能にするために、1つの(または複数の)穴の開いたウエハ劈開面を提供する。
本発明は、外境界セクション69を形成し、所定の厚さを有する、エッチング可能なガラスロッドが積み重ねられた列をも可能性に入れる。この実施形態において、ガラスロッドはエッチング可能ガラスコアを有し、エッチング不可能ガラスクラディングを備えない。ガラスロッドのエッチングの後、それぞれのMCPは、加圧せずに、メガボウル62から分離され得る。
本出願と同時に出願された、タイトルが「Device and Method for Fabrication of MCPs Using a Mega−Boule Wafer」(出願番号 )の他のアプリケーションにおいて、大メガボウルからそれぞれのMCPをはずすためのスクライビング処理が記載される。この他のアプリケーションの全体は、本明細書において援用される。本出願において、スクライビング処理または取り出し処理は、例えば、レーザスクライビングを用いず、劈開面を剥がすことによって有利に為される。
半導体ウエハ処理において、単一のクリスタルウエハが結晶構造を特徴とする劈開面を有することは、理解される。これらの劈開面に沿い、単結晶は、ひびの伝播によって容易に破壊され得る。メガボウルウエハにおいて、これらの特徴のある劈開面は、人工構造の性質に起因して存在しない。従って、MCPのそれぞれは、大メガボウルから切り取られなければならない。本発明は、その構造に劈開面を有利に導入する。メガボウルの積み重ねのときにおいて、適切には小さいサイズのさらなるエッチング可能ファイバが、各MCPを取り囲む領域に導入され得る。エッチング処理のときにおいて、これらのファイバは、エッチングにより取り除かれ、各MCP周辺に独特なパターンにおいてクラドガラスのみを残す。全処理が完了した後、大メガボウルは、劈開面上に位置し得、それぞれの平面は、大メガボウルから剥がされ得る。
図5に戻り、所定サイズの断面積を有すようにメガボウルを積み重ねた後、メガボウルは、ステップ56においてモノリシックスタックにプレスされる。プレスステップは、メガボウル62が炉に吊り下げられる間に行われ得る。炉は、上昇した温度に加熱され得、それによって、ミニボウル66のバンドル16、外境界セクション69のバンドル16(例えば)、ならびに、内境界セクション67のサポートロッド24および隙間領域64のサポートロッド24が、軟化する。メガボウル62が軟化温度点にある間、バンドル16およびエッチング不可能ロッド24を融合させ、モノリシックスタックを形成するプレスステップが効果的である。
モノリシックスタックの断面領域が、円形、長方形、または、半導体ウエハ製作ツールに順応する任意の他の形であり得るということも、理解される。例えば、メガボウル62は、実質的に、円形の断面形を形成するように積み重ねられ得、続いて、図10Aにおいて例示されるように、アーチ型プレス101a〜101dを向かい合わせることによって、円形のモノリシックスタック100にプレスされ得る。他の実施例として、メガボウル62は、実質的に、長方形の断面形を形成するように積み重ねられ得、続いて、図10Bにおいて例示されるように、線型プレス106a〜106dを向かい合わせることによって、長方形のモノリシックスタック105にプレスされ得る。
メガボウルがモノリシックスタックにプレスされた後、そのプレスされたモノリシックスタック(100または105)は、ステップ57において、半導体ウエハ製作ツールに順応する断面サイズを形成するために、切断される。例えば、モノリシックスタックは、図6に示されるように、円形メガボウルの周囲68を生成するために、旋盤または他のマシーンにかけて作られ得る。
切断されたモノリシックスタックは、ステップ58において、図11に概略的に示されるように、複数のメガボウルウエハへスライスされ、または、さいの目に切断される。示されるように、モノリシックスタック110は、複数のメガボウル112を生成するために断面的にさいの目に切断される。この時点で、各メガボウルウエハ112が、複数のMCPを含む大バッチダイとして処理される準備が整う。大バッチダイ(メガボウルウエハ112)が、MCPウエハのそれぞれが処理されるのと同様の手順において処理されることは、理解される。しかし、有利なことに、大バッチダイは、最低限の人間の手による作業および混合物を以って、同時に複数のMCPを生成することを可能にする。
本発明の方法は、ステップ59において更なる処理のために、ステップ58のさいの目の切断によって形成された各メガボウルウエハを扱う。メガボウルウエハは、加熱され、ミニボウル66のガラスコア(図1のコア12)および外境界セクション69のガラスコアを取り除くためにエッチングされる。ミニボウル66のガラスクラディング(図1のクラディング14)、外境界セクション69のガラスクラディングおよびサポートロッドは、ガラスコアよりも鉛容量を多く含む故、それらは、ガラスコアをエッチングするときにおいて用いられる状況と同様の状況下においてエッチング不可能である。従って、ガラスクラディングおよびサポートロッドはそのまま残り、メガボウルウエハに形成されるマイクロチャネル(図4のマイクロチャネル32)の境界になり、それぞれのMCPの取り出しのための劈開面になる。エッチング処理は、希釈された塩酸の使用によって行われ得る。
次に、メガボウルウエハは、水素ガス環境の中に置かれ、それによって、エッチング不可能鉛ガラスの酸化鉛は還元され、クラディング14が電子放出性にする。この様式において、半導体層は各ガラスクラディングにおいて形成され、この層は、各マイクロチャネル32に向かう表面から内側に延びる(図4)。
サポートロッド24は、各ミニボウル66の境界になる故、各マイクロチャネルプレートのアクティブ領域は減少する。この様式において、気体が抜けるチャネルが少なくなる。さらに、イメージ増倍管内に順応され得るように、各MCPが所定の外径に作られなければならない故、各MCPの縁に沿った領域は用いられない。縁に沿った領域は、イメージ増倍管における内部構造によってブロックされる。従って、サポートロッド24は、各ミニボウル66を取り囲む所定の領域の境界を形成し得る。この境界は、イメージ増倍管の内部構造によってブロックされた、各MCPの縁に沿った領域であり得る。
薄い金属層がメガボウルウエハの平らな端面のそれぞれに、電気接触として施される。これは、各MCPに渡って電界の確立を可能にし、その電界によって励起された電子のためのエントランスパスおよびイクジットパスを提供する。
アクティベーションおよび金属化の後、各メガボウルウエハはテスト設備に接続され得、それによって、メガボウルウエハの各MCPは適切なオペレーションのために同時に検査(test)され得る。
それぞれのダイが、各MCPを生成するために必要とされる場合、メガボウルは、ステップ60において、メガボウルウエハからそれぞれのMCPを取り出すように処理され得る。取り出しは、各MCPがメガボウルウエハから分離されるように、外境界セクションの劈開面に沿って剥がすことによって行われ得る。取り出しは、複数のMCPの混合物を最低限にするために、好ましくは、粒子生成とは関係なくあるべきである。
本発明の利点は多数ある。モノリシックスタックの形およびサイズは、利用可能な半導体ウエハ製作ツールのタイプに依存し得る。モノリシックスタックからさいの目に切断されるメガボウルウエハの形およびサイズもまた、利用可能な半導体ウエハ製作ツールのタイプに依存し得る。従って、特別なツールは避けられ得る。
さらに、処理ツールは、自動化され、MCPダイと人間とのインターラクションの量が制限される故、取り扱いおよび粒子の欠陥は軽減される。MCPダイのより高いパッキング密度がメガボウルウエハ上において可能な故、スループットが増加され得る。これは、バッチサイズを増加する。
さらに、メガボウルウエハがMCPダイのそれぞれを保持する設備であるため、MCPの異なったサイズのためのツール設備問題は、容易に解決され得る。メガボウルウエハが設備である故、異なったMCPフォーマットは容易に生産ラインに組み込まれ得、また、異なったMCPサイズは単一のメガボウルウエハに順応し得る。各MCPサイズのための特別なツールは、従って、避けられ得る。積み重ねステップおよびさいの目に切断するステップは、MCPの必要な異なったサイズによって異なり得るが、所定の断面領域のバッチダイの機械設備は、メガボウルウエハの処理の機械設備と同様である。これは、設備コストを削減する。
付け加えて、全処理が終了した後、大メガボウルは劈開面上に置かれ得、MCPのそれぞれは、レーザスクライビングを用いずに大メガボウルから取り出され得る。
図7〜9は、4インチの半導体メガボウルウエハの異なったバッチサイズを示す。図7は、72として全体が示される10個の標準18mmMCPがメガボウルウエハ70内に納まり得ることを示す。74と示される隙間領域は、所望の10個のMCPが4インチのメガボウルウエハ70から取り除かれた後に残ったエッチング不可能ガラスである。
図8は、82として全体が示される14個の標準16mmMCPが4インチのメガボウルウエハ80内に納まり得ることを示す。84と示される隙間領域は、所望の14個のMCPが4インチのメガボウルウエハ80から取り除かれた後に残ったエッチング不可能ガラスである。
図9は、4インチのメガボウルウエハ90内の密にパックされた長方形のMCPの順応性を示す。示されるように、92として全体が示される、バッチサイズの28個のMCPが、4インチのメガボウルウエハ内に納まり得る。長方形のMCPが取り除かれた後に残ったエッチング不可能ガラスは、94として示される。しかし、本発明が4インチのメガボウルウエハに限定されないことは、理解される。他のサイズが、半導体製作ツールに一致して用いられ得る。
特定された実施形態との参照を用いて、本明細書中において図示され、記載されたが、本発明は、記載された詳細事項に限定される意図はない。むしろ、多様な修正が、本発明の精神から逸脱することなく、特許請求の範囲の均等物の範囲内において為され得る。
本発明に従うマイクロチャネルプレートの製作において使用されるファイバの部分図である。 本発明に従うマイクロチャネルプレートの製作において使用される、図1に記載のファイバのバンドルの部分図である。 従来技術に従いパックされたボウルの断面図である。 マイクロチャネルプレートの部分断面図である。 本発明に従い、メガボウルウエハを用いてのマイクロチャネルプレートの製作の方法を示すフロー図である。 本発明に従い、モノリシックスタックから切断されたメガボウルの断面図を含む、モノリシックスタックの断面図である。 本発明に従い、10個の標準18mmMCPがバッチダイから取り出され得ることを示す、4インチの半導体メガボウルウエハの断面図である。 本発明に従い、14個の標準16mmMCPがバッチダイから取り出され得ることを示す、4インチの半導体メガボウルウエハの断面図である。 本発明に従い、28個の長方形MCPがバッチダイから取り出され得ることを示す、4インチの半導体メガボウルの断面図である。 図10Aは、本発明に従い、円形に図6のモノリシックスタックをプレスするように構成された向かい合ったアーチ型プレスの概略的な断面図であり、図10Bは、本発明に従い、長方形に図6のモノリシックスタックをプレスするように構成された向かい合った線型プレスの概略的な断面図である。 本発明に従い、複数のメガボウルウエハにさいの目切断された図6のモノリシックスタックの側面図である。

Claims (15)

  1. マイクロチャネルプレート(MCP)の製作に用いられるメガボウルであって、
    該メガボウルは、複数の島状地帯セクション、複数の内境界セクション、および複数の外境界セクションを含む断面を備え、
    該複数のセクションの各々が該断面の別個の部分を占め、
    1つの島状地帯セクションが第1の複数の光ファイバから形成され、該断面の横断方向に方向付けられ、各光ファイバが、エッチング不可能な材料から形成されるクラディング、およびエッチング可能な材料から形成されるコアを含み、
    1つの内境界セクションがエッチング不可能な材料から形成され、対応する島状地帯セクションを取り囲むように配置され、
    1つの外境界セクションが第2の複数の光ファイバから形成され、該断面の横断方向に方向付けられ、各光ファイバが、エッチング不可能な材料から形成されるクラディング、およびエッチング可能な材料から形成されるコアを含み、該外境界セクションが、対応する島状地帯セクションおよび対応する内境界セクションを取り囲むように配置される、
    メガボウル。
  2. 前記断面の別個の部分を占める少なくとも他のセクションをさらに備え、
    該他のセクションは、エッチング不可能な材料から形成され、対応する複数の外境界セクションによって前記複数の内境界セクションから分離される、
    請求項1に記載のメガボウル。
  3. 前記第1および第2の複数の光ファイバ、ならびに、前記複数の内境界セクションおよび前記他のセクションの前記エッチング不可能な材料が、加熱およびプレスされるときにおいて、融合されたモノリシックスタックを形成する、請求項2に記載のメガボウル。
  4. 前記エッチング可能な材料、および前記エッチング不可能な材料がガラスであり、該エッチング不可能な材料が、該エッチング可能な材料よりも多くの鉛容量を含む、請求項1に記載のメガボウル。
  5. 前記複数の内境界セクションの前記エッチング不可能な材料が、前記断面の横断方向に方向付けられた複数のサポートロッドを含む、請求項1に記載のメガボウル。
  6. 前記複数の内境界セクションの前記エッチング不可能な材料が、前記断面の横断方向に方向付けられた複数のサポートロッドを含み、
    前記島状地帯セクションの前記第1の複数の光ファイバ、および該複数の内境界セクションの該複数のサポートロッドが、MCPとして用いられるように構成される、
    請求項1に記載のメガボウル。
  7. 前記複数の島状地帯セクションの前記第1の複数の光ファイバのうちの一光ファイバ、および前記複数の外境界セクションの前記第2の複数の光ファイバのうちの一光ファイバが、実質的に、断面において類似する、請求項1に記載のメガボウル。
  8. 前記島状地帯セクションがエッチングされるときにおいて、1つの島状地帯セクションの前記第1の複数の光ファイバが、MCPのためのトランバースマイクロチャネルを形成し、
    前記外境界セクションがエッチングされるときにおいて、対応する外境界セクションの前記第2の複数の光ファイバが、穴の開いた劈開面を形成する、
    請求項1に記載のメガボウル。
  9. 1つの島状地帯セクション、対応する内境界セクション、および対応する外境界セクションが、長方形の形状または円形の形状を有する、請求項1に記載のメガボウル。
  10. 1つの外境界セクションおよび対応する島状地帯セクションがMCPを形成し、
    該外境界セクションが、前記メガボウルから該MCPを剥がすために穴の開いた劈開面を形成するための、および、該MCPの製作時においてMCPダイが偶発的剥がれることを防ぐための、十分な断面幅を含む、
    請求項1に記載のメガボウル。
  11. マイクロチャネルプレート(MCP)を製作する方法であって、該方法は、
    (a)光ファイバのバンドルを提供するステップであって、各光ファイバが、エッチング不可能な材料から形成されるクラディング、およびエッチング可能な材料から形成されるコアを含む、ステップと、
    (b)複数の島状地帯セクションを形成するように複数の該バンドルを積み重ねるステップであって、各セクションはミニボウルを規定する、ステップと、
    (c)複数のミニボウルを取り囲むように、および、該複数のミニボウルをそれぞれ取り囲む複数の内セクションを形成するように、エッチング不可能な材料を積み上げるステップと、
    (d)該複数の内セクションを取り囲むように、および、該複数の内セクションを取り囲む複数の外セクションをそれぞれ形成するように、エッチング可能な材料を積み上げるステップと、
    (e)該複数の外セクションを取り囲むように、および、外側セクションを形成するように、さらなるエッチング不可能な材料を積み上げるステップと、
    (f)メガボウルを形成するように、該複数のミニボウル、該複数の内セクション、該複数の外セクション、および外側セクションを融合するステップと
    穴の開いた劈開面を形成するように、メガボウルウエハの外セクションをエッチングし、該穴の開いた劈開面を剥がすことにより、該メガボウルウエハからMCPを取り出すステップと
    を包含する、方法。
  12. 記光ファイバの前記コアにおいてマイクロチャネルを形成するように、前記メガボウルウエハをエッチングすることと、
    穴の開いた劈開面を形成するように、該メガボウルウエハの前記複数の外セクションをエッチングすることと、
    穴の開いた劈開面を剥がすことにより、該メガボウルウエハから前記MCPを取り出すこと
    を包含する、請求項1に記載の方法。
  13. 前記マイクロチャネルを形成するように前記メガボウルウエハをエッチングすることが、前記穴の開いた劈開面を形成するように、該メガボウルウエハの前記外セクションをエッチングする前に、行われる、請求項1に記載の方法。
  14. マイクロチャネルプレート(MCP)を製作する方法であって、該方法は、
    (a)複数のミニボウルを成するように、複数の光ファイバを積み重ねるステップであって、該ミニボウルがお互いから分離され、断面に沿って個別の島状地帯を形成し、各光ファイバが、エッチング不可能な材料から形成されるクラディング、およびエッチング可能な材料から形成されるコアを有する、ステップと、
    (b)該複数のミニボウルを取り囲むように、および、該断面に沿って複数の内境界セクションを形成するように、複数のエッチング不可能な光ファイバを積み重ねるステップであって、該内境界セクションの各々が対応するミニボウルを取り囲む、ステップと、
    (c)該複数の内境界セクションを取り囲むように、および、該断面に沿って複数の外境界セクションを形成するように、複数の光ファイバを積み重ねるステップであって、該外境界セクションの各々が対応する内境界セクションを取り囲む、ステップと、
    (d)該複数の外境界セクションを取り囲むように、および、該断面に沿って外側セクションを形成するように、複数のさらなるエッチング不可能なファイバを積み重ねるステップと、
    )該MCPの製作に用いられるメガボウルを形成するように、該ステップ(a)〜()の該積み重ねられた複数の光ファイバを融合するステップと
    (f)穴の開いた劈開面を形成するように、メガボウルウエハの外セクションをエッチングし、該穴の開いた劈開面を剥がすことにより、該メガボウルウエハからMCPを取り出すステップと
    を包含する方法。
  15. (e)1つの外境界セクションの中にある島状地帯セクションおよび内境界セクションを剥がすために、該1つの外境界セクションにおいて穴の開いた劈開面を形成するように、前記複数の外境界セクションのうちの少なくとも1つの外境界セクションをエッチングするステップを包含する、請求項1に記載の方法。
JP2006542758A 2003-12-03 2004-12-02 マイクロチャネルプレート(mcp)製作のための穴の開いたメガボウルウエハ Expired - Fee Related JP4686471B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/727,704 2003-12-03
US10/727,704 US7126263B2 (en) 2003-12-03 2003-12-03 Perforated mega-boule wafer for fabrication of microchannel plates (MCPs)
PCT/US2004/040421 WO2005057609A2 (en) 2003-12-03 2004-12-02 PERFORATED MEGA-BOULE WAFER FOR FABRICATION OF MICROCHANNEL PLATES (MCPs)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007513486A JP2007513486A (ja) 2007-05-24
JP4686471B2 true JP4686471B2 (ja) 2011-05-25

Family

ID=34633533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006542758A Expired - Fee Related JP4686471B2 (ja) 2003-12-03 2004-12-02 マイクロチャネルプレート(mcp)製作のための穴の開いたメガボウルウエハ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7126263B2 (ja)
EP (1) EP1695372A2 (ja)
JP (1) JP4686471B2 (ja)
CN (1) CN100545993C (ja)
WO (1) WO2005057609A2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7387948B2 (en) * 2005-08-04 2008-06-17 Grace Semiconductor Manufacturing Corporation Structure and method of forming a semiconductor material wafer
US7687759B2 (en) 2007-11-27 2010-03-30 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Slotted microchannel plate (MCP)
US8135253B2 (en) * 2009-01-22 2012-03-13 Exelis, Inc. Microchannel plate (MCP) having an asymmetric packing pattern for higher open area ratio (OAR)
US8101913B2 (en) * 2009-09-11 2012-01-24 Ut-Battelle, Llc Method of making large area conformable shape structures for detector/sensor applications using glass drawing technique and postprocessing
CA2684811C (en) * 2009-11-06 2017-05-23 Bubble Technology Industries Inc. Microstructure photomultiplier assembly
US8324543B2 (en) 2009-12-02 2012-12-04 Raytheon Company Lightpipe for semi-active laser target designation
US10734184B1 (en) 2019-06-21 2020-08-04 Elbit Systems Of America, Llc Wafer scale image intensifier
LU101723B1 (en) * 2020-03-31 2021-09-30 Univ Hamburg Microchannel sensor and method of manufacturing the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51139765A (en) * 1975-05-29 1976-12-02 Hamamatsu Tv Kk Method of manufacturing secondary electron multiplication channel plate
US4912314A (en) * 1985-09-30 1990-03-27 Itt Corporation Channel type electron multiplier with support rod structure
JP2001351509A (ja) * 2000-06-08 2001-12-21 Hamamatsu Photonics Kk マイクロチャネルプレート
JP2003257359A (ja) * 2002-02-20 2003-09-12 Samsung Electronics Co Ltd 炭素ナノチューブを含む電子増幅器及びその製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6064055A (en) * 1998-06-11 2000-05-16 Litton Systems, Inc. Night vision device having fine-resolution image intensifier tube, microchannel plate for such an image intensifier tube, and method of making

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51139765A (en) * 1975-05-29 1976-12-02 Hamamatsu Tv Kk Method of manufacturing secondary electron multiplication channel plate
US4912314A (en) * 1985-09-30 1990-03-27 Itt Corporation Channel type electron multiplier with support rod structure
JP2001351509A (ja) * 2000-06-08 2001-12-21 Hamamatsu Photonics Kk マイクロチャネルプレート
JP2003257359A (ja) * 2002-02-20 2003-09-12 Samsung Electronics Co Ltd 炭素ナノチューブを含む電子増幅器及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1695372A2 (en) 2006-08-30
WO2005057609A3 (en) 2006-04-06
WO2005057609A2 (en) 2005-06-23
US7126263B2 (en) 2006-10-24
JP2007513486A (ja) 2007-05-24
CN100545993C (zh) 2009-09-30
CN1938815A (zh) 2007-03-28
US20050122020A1 (en) 2005-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4853020A (en) Method of making a channel type electron multiplier
US4912314A (en) Channel type electron multiplier with support rod structure
JP5536478B2 (ja) 高開口比化用非対称実装パターンを有するマイクロチャンネルプレート
JP4686471B2 (ja) マイクロチャネルプレート(mcp)製作のための穴の開いたメガボウルウエハ
US3979621A (en) Microchannel plates
JP4480728B2 (ja) Memsマイクの製造方法
JP4721828B2 (ja) サポートプレートの剥離方法
US6713409B2 (en) Semiconductor manufacturing using modular substrates
US5568013A (en) Micro-fabricated electron multipliers
JPH0782811B2 (ja) フィールドエミッタ構造および製造方法
JPH08146886A (ja) スペーサの製造方法および支持構造体の製造方法
JP4722053B2 (ja) メガボウルウエハを用いたマイクロチャネルプレート製作のためのデバイスおよび方法
US8402791B2 (en) Microchannel plate and process for producing the same
JP2009226582A (ja) 半導体装置の製造方法
TW201527061A (zh) 將一個固態物分離成多個固態層之組合製造方法
US4126804A (en) Strip microchannel electron multiplier array support structure
US20050000249A1 (en) Device and method for reducing glass flow during the manufacture of microchannel plates
JP6792826B2 (ja) ガラス板の製造方法、波長変換部材の製造方法およびガラスアセンブリ
JP2009156678A (ja) 微小試料台集合体の製造方法、微小試料台の製造方法および試料ホルダの製造方法
JP4801886B2 (ja) 微小チャネルプレートの製造の間にガラスフローを低減するためのデバイスおよび方法
EP1615254B1 (en) Device and method for reducing glass flow during the manufacture of microchannel plates
GB2181296A (en) Electron multipliers
US20230098233A1 (en) Wafer chuck for a laser beam wafer dicing equipment
KR100854657B1 (ko) 멀티-레벨 매트릭스 구조 및 평판 디스플레이 장치 내에 지지체를 보지하는 방법
WO2005062005A9 (en) Planar ultra violet light detector

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071121

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100518

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100521

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100803

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110127

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110214

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees