JP2003229313A - トランス装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 三層絶縁被覆線を用いなくても、耐絶縁性を
維持しつつ小型化を図ることができ、特性劣化を抑制し
たトランス装置を提供することを目的としている。 【解決手段】 磁芯３７は、第１トランス３４および第
２トランス３５との間で共有し、第１トランス３４およ
び第２トランス３５とを互いに磁気結合させており、第
２トランス３５の巻線３３において、二次巻線４０は金
属平板状のエッジワイズ巻線とするとともに一次巻線４
１は断面円形状の円形銅線を巻回したものとし、二次巻
線４０をボビン３２の外周に配置して一次巻線４１は二
次巻線４０と磁芯３７との間に配置した構成である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種民生機器等に
用いられるトランス装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】以下、従来のトランス装置について図面
を参照しながら説明する。

【０００３】図６は従来のトランス装置の斜視図、図７
は同断面図、図８は同要部である外装形成前の斜視図、
図９は同装置を液晶プロジェクタ等の点灯装置に用いた
場合における使用回路図である。

【０００４】図６〜図８において、従来のトランス装置
は、貫通孔１を形成したボビン２と、このボビン２の外
周に配置した巻線３と、ボビン２の貫通孔１に挿入した
磁芯７とを有する第１トランス４および第２トランス５
と、これら第１トランス４および第２トランス５に絶縁
樹脂を被覆して形成した外装部６と、その他高圧部品
と、これらを被覆するケース８とを備え、ケース８から
リード線９を突出させている。

【０００５】また、第１トランス４および第２トランス
５には磁芯７を組み込み、第１トランス４および第２ト
ランス５とを互いに磁気結合させ、第１トランス４の一
次巻線、二次巻線および第２トランス５の一次巻線、二
次巻線は、断面円形状の円形銅線を巻回して形成したも
のとし、特に、第２トランス５の二次巻線は三層絶縁被
覆線としている。

【０００６】さらに、第１トランス４のボビン２および
第２トランス５のボビン２は、両端に鍔部を設けるとと
もにこの鍔部を隣接させて連接している。

【０００７】第１トランス４のボビン２および第２トラ
ンス５のボビン２には、それぞれ、１次巻線および二次
巻線とを配置している。

【０００８】このようなトランス装置を、例えば、液晶
プロジェクタ等の点灯装置の駆動用に用いた場合、使用
回路図は図９に示す通りとなる。

【０００９】この使用回路では、一定周期の基本電圧を
出力する電源部１１と、この電源部１１の基本電圧を入
力する高電位の第１入力端子１５および低電位の第１入
力端子１６とを有するとともに、この基本電圧を電圧変
換して第１出力電圧を出力する高電位の第１出力端子１
７と低電位の第１出力端子１８とを有した第１トランス
４と、この第１出力電圧を入力する高電位の第２入力端
子１９および低電位の第２入力端子２０とを有するとと
もに、この第１出力電圧を電圧変換して第２出力電圧を
出力する高電位の第２出力端子２１と低電位の第２出力
端子２２とを有した第２トランス５と、この第２トラン
ス５の第２出力電圧を供給される液晶プロジェクタ等の
点灯装置２４とが互いに接続される。

【００１０】また、第１トランス４と第２トランス５と
の間には、点灯装置の特性に合わせ、第１出力電圧を制
御して第２トランス５に入力するための制御回路部２３
が接続される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】一般に、上記構成のト
ランスでは、第２トランス５の二次巻線として、耐絶縁
性を考慮した三層絶縁被覆線を用いており、一般的に、
三層絶縁被覆線はその線径が太くなるので、第２トラン
ス５が小型化できないという問題点を有していた。特
に、巻線３を多く巻回するためには、ボビン２に何度も
折り返しながら積層して巻回する必要があり、積層され
た上下の線輪間における耐絶縁性を考慮することが一層
必要となり、絶縁層が厚く線径の太い三層絶縁被覆線を
用いざるを得なかった。

【００１２】また、三層絶縁被覆線を用いると、絶縁層
が厚いために、端子等との半田接続において、絶縁層が
溶融せず、半田接続の信頼性が低下し、特性劣化が生じ
るという問題点をも有していた。

【００１３】本発明は上記問題点を解決し、三層絶縁被
覆線を用いなくても、耐絶縁性を維持しつつ小型化を図
ることができ、特性劣化を抑制したトランス装置を提供
することを目的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は以下の構成を有する。

【００１５】本発明の請求項１に記載の発明は、特に、
磁芯は、第１トランスおよび第２トランスとの間で共有
し、前記第１トランスおよび前記第２トランスとを互い
に磁気結合させ、前記第２トランスの巻線において、前
記第２トランスの二次巻線は、絶縁被覆層で被覆された
金属平板状の平角銅線をエッジワイズ巻きしたエッジワ
イズ巻線とするとともに前記ボビンの外周に配置し、前
記第２トランスの一次巻線は前記第２トランスの二次巻
線と前記磁芯との間に配置した構成である。

【００１６】上記構成により、第２トランスの二次巻線
を絶縁被覆層で被覆された金属平板状の平角銅線をエッ
ジワイズ巻きしたエッジワイズ巻線としているので占積
率が向上し小型化を図ることができる。

【００１７】また、平角銅線は絶縁被覆層が三層絶縁被
覆層よりも薄いので、絶縁性は小さいが占積率を向上さ
せ、積層することなく単層で二次巻線を配置することが
でき、積層時における上下の線輪間の耐絶縁性を考慮す
る必要がなく、耐絶縁性を十分維持できる。

【００１８】特に、二次巻線はボビンの外周に配置して
一次巻線は二次巻線と磁芯との間に配置しているので、
ボビンを介して二次巻線と一次巻線との絶縁が的確に図
れ耐絶縁性を向上できるとともに、二次巻線が絶縁樹脂
で被覆されるので、二次巻線と外装部との接触面積が広
げられ的確に耐絶縁性を向上できる。

【００１９】さらに、絶縁被覆層が三層絶縁被覆層より
も薄いので、半田接続時に絶縁層も容易に溶融され、半
田接続における接続信頼性を向上し、特性劣化を抑制す
ることができる。

【００２０】本発明の請求項２に記載の発明は、特に、
絶縁樹脂を第２トランスの二次巻線の隣接した線輪間に
浸透させた構成である。

【００２１】上記構成により、二次巻線の耐絶縁性をよ
り向上できる。

【００２２】本発明の請求項３に記載の発明は、特に、
第２トランスの二次巻線の隣接した線輪間には、互いに
前記線輪間を均等にして絶縁樹脂を浸透させた構成であ
る。

【００２３】上記構成により、二次巻線の耐絶縁性をよ
り向上できるとともに、線輪間のバラツキに起因した特
性バラツキを低減し信頼性を向上できる。

【００２４】本発明の請求項４に記載の発明は、特に、
磁芯は棒状とした構成である。

【００２５】上記構成により、使用時におけるヒートシ
ョック等によって、内部温度に変化が生じても、第１ト
ランスおよび第２トランスに被覆した外装部と磁芯とは
直接接触する箇所が少なく、互いの熱膨張率の差によっ
て、磁芯が割れたりすることを抑制できる。

【００２６】本発明の請求項５に記載の発明は、特に、
磁芯は棒状にするとともに、絶縁樹脂はエポキシ系絶縁
樹脂とした構成である。

【００２７】上記構成により、使用時におけるヒートシ
ョック等によって、内部温度に変化が生じても、第１ト
ランスおよび第２トランスに被覆した外装部と磁芯とは
直接接触する箇所が少なく、互いの熱膨張率の差によっ
て、磁芯が割れたりすることを抑制できる。

【００２８】特に、絶縁樹脂はエポキシ系絶縁樹脂とし
ているので、耐絶縁性と耐湿性を向上できる。一般に、
エポキシ系絶縁樹脂は耐絶縁性および耐湿性が非常に優
れているが、温度変化による膨張収縮の応力が大きいた
め、この絶縁樹脂によって被覆した内部部品は破壊され
ることがある。上記構成では、磁芯を棒状にし、ボビン
の貫通孔内に挿入しているので、応力が加わりにくく、
耐絶縁性および耐湿性を向上させつつ、磁芯の割れを的
確に抑制することができる。

【００２９】本発明の請求項６に記載の発明は、特に、
第２トランスのボビンの両端部に鍔部を設け、前記第２
トランスの二次巻線は、軸方向に弾性力を有したエッジ
ワイズ巻線にするとともに、前記二次巻線を軸方向に圧
縮して前記鍔部間に配置し、前記二次巻線が軸方向に伸
張するようにして、前記鍔部を前記二次巻線により互い
に押圧させた構成である。

【００３０】上記構成により、エッジワイズ巻線の隣接
する輪線間が均等になり易く、線輪間のバラツキに起因
した特性バラツキを低減し、信頼性を向上できる。特
に、このような線輪間には、樹脂注型時に絶縁樹脂が充
填され易く、二次巻線と外装部との接触面積が広がり、
耐絶縁性も向上できる。

【００３１】本発明の請求項７に記載の発明は、特に、
第１トランスのボビンおよび第２トランスのボビンは、
互いに連接した１つの連接ボビンとし、前記連接ボビン
の両端部に鍔部を設けるとともに前記鍔部間に中鍔部を
設け、前記第２トランスの二次巻線は、軸方向に弾性力
を有したエッジワイズ巻線にするとともに、前記二次巻
線を軸方向に圧縮して一方の前記鍔部と前記中鍔部との
間に配置し、前記二次巻線が軸方向に伸張するようにし
て、一方の前記鍔部と前記中鍔部とを前記二次巻線によ
り互いに押圧させた構成である。

【００３２】上記構成により、第１トランスのボビンお
よび第２トランスのボビンは、互いに連接した１つの連
接ボビンとしているので、小型化をより図ることができ
る。

【００３３】特に、第１トランスおよび第２トランスは
同軸上に配置され、互いの位置が固定されるので、絶縁
樹脂の注型時に互いのボビンの位置がずれ、互いに近接
等して、耐絶縁性に悪影響が生じたりすることを抑制で
きる。

【００３４】本発明の請求項８に記載の発明は、特に、
第２トランスの二次巻線は高圧側を中鍔部側に配置する
とともに、低圧側を一方の鍔部側に配置した構成であ
る。

【００３５】上記構成により、第２トランスの二次巻線
の高圧側が中鍔部側に配置されるので、最も高い電圧を
出力する部分がトランス装置の内部に配置されることに
なり、周辺部への耐絶縁性を向上できる。

【００３６】本発明の請求項９に記載の発明は、特に、
第２トランスの二次巻線の隣接した線輪間を密着させ、
絶縁樹脂を前記二次巻線の隣接した線輪間に非浸透させ
た構成である。

【００３７】上記構成により、二次巻線の隣接した線輪
間には絶縁樹脂が浸透しないので、線輪間のバラツキに
起因した特性バラツキを低減できる。

【００３８】本発明の請求項１０に記載の発明は、特
に、第２トランスの二次巻線は自己融着線とし、互いに
融着させて隣接した線輪間を密着させた構成である。

【００３９】上記構成により、二次巻線を自己融着して
隣接した線輪間を密着させるので、線輪間を容易に密着
して、絶縁樹脂の浸透を抑制でき、線輪間のバラツキに
起因した特性バラツキを低減できる。

【００４０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態にお
けるトランス装置について図面を参照しながら説明す
る。

【００４１】図１は本発明の一実施の形態におけるトラ
ンス装置の断面図、図２は同斜視図、図３は同要部であ
る外装部形成前の斜視図、図４は同要部である外装部形
成前の分解斜視図、図５は同装置を液晶プロジェクタ等
の点灯装置に用いた場合における使用回路図である。

【００４２】図１〜図４において、本実施の形態におけ
るトランス装置は、貫通孔３１を形成したボビン３２
と、このボビン３２の貫通孔３１に挿入した棒状の磁芯
３７と、この棒状の磁芯３７の外方に配置した巻線３３
とを有する第１トランス３４および第２トランス３５
と、これら第１トランス３４および第２トランス３５に
エポキシ系絶縁樹脂を被覆して形成した外装部３６と、
その他の高圧部品と、これらを覆うケース３８とを備
え、ケース３８からはリード線３９を突出させている。

【００４３】また、磁芯３７は、第１トランス３４およ
び第２トランス３５との間で共有し、第１トランス３４
および第２トランス３５とを互いに磁気結合させてお
り、第２トランス３５の巻線３３において、第２トラン
ス３５の二次巻線４０（以下、第１トランス３４の二次
巻線４０は、単に「二次巻線４０」と記す）は絶縁被覆
層で被覆された金属平板状の平角銅線をエッジワイズ巻
きしたエッジワイズ巻線とするとともに第１トランス３
４の一次巻線４１（以下第１トランス３４の一次巻線４
１は単に「一次巻線４１」と記す）は断面円形状の円形
銅線を巻回したものとし、二次巻線４０のみをボビン３
２の外周に配置して一次巻線４１は他のボビンの外周に
配置して、これらを組み合わせることにより、第２トラ
ンス３５の巻線３３を磁芯３７の外方に配置している。

【００４４】さらに、第１トランス３４のボビン３２お
よび第２トランス３５のボビン３２は、互いに連接した
１つの連接ボビンとし、この連接ボビンの両端部に鍔部
４２を設けるとともに、この鍔部４２間に中鍔部４３を
設け、第２トランス３５の二次巻線４０は、軸方向
（Ｘ）に弾性力を有したエッジワイズ巻線にするととも
に、二次巻線４０を軸方向（Ｘ）に圧縮して一方の鍔部
４２と中鍔部４３との間に配置し、二次巻線４０が軸方
向（Ｘ）に伸張するようにして、一方の鍔部４２と中鍔
部４３とを二次巻線４０により互いに押圧させている。

【００４５】特に、第２トランス３５の二次巻線４０は
高圧側を中鍔部４３側に配置するとともに、低圧側を一
方の鍔部４２側に配置し、二次巻線４０の隣接した線輪
間には、互いに線輪間を均等にして絶縁樹脂を浸透させ
ている。

【００４６】このようなトランス装置を、例えば、液晶
プロジェクタ等の点灯装置７０の駆動用に用いた場合、
使用回路図は図５に示す通りとなる。

【００４７】この使用回路では、一定周期の基本電圧を
出力する電源部６１と、この電源部６１の基本電圧を入
力する高電位の第１入力端子６２および低電位の第１入
力端子６３とを有するとともに、この基本電圧を電圧変
換して第１出力電圧を出力する高電位の第１出力端子６
４と低電位の第１出力端子６５とを有した第１トランス
３４と、この第１出力電圧を入力する高電位の第２入力
端子６６および低電位の第２入力端子６７とを有すると
ともに、この第１出力電圧を電圧変換して第２出力電圧
を出力する高電位の第２出力端子６８と低電位の第２出
力端子６９とを有した第２トランス３５と、この第２ト
ランス３５の第２出力電圧を供給される液晶プロジェク
タ等の点灯装置７０とが互いに接続される。

【００４８】また、第１トランス３４と第２トランス３
５との間には、点灯装置７０の特性に合わせ、第１出力
電圧を制御して第２トランス３５に入力するための制御
回路部７１が接続される。

【００４９】この制御回路としては、高電位の第１出力
端子６４と第１ダイオード７２のアノード側と第２ダイ
オード７３のカソード側とを電気的接続し、低電位の第
１出力端子６５と第１コンデンサ７４の一端とを電気的
接続し、第１ダイオード７２のカソード側と第２コンデ
ンサ７５の一端とスパークギャップ部７６の一端とを電
気的接続し、低電位の第２入力端子６７と第２ダイオー
ド７３のアノード側と第１コンデンサ７４の他端と第２
コンデンサ７５の他端とを電気的接続し、高電位の第２
の入力端子とスパークギャップ部７６の他端とを電気的
接続した回路等がある。

【００５０】上記構成のトランス装置について、以下そ
の動作を説明する。

【００５１】上記構成により、第２トランス３５の二次
巻線４０を金属平板状の平角銅線をエッジワイズ巻きし
たエッジワイズ巻線としているので占積率が向上し小型
化を図ることができる。

【００５２】このエッジワイズ巻線は絶縁被覆層が三層
絶縁被覆層よりも薄いので、絶縁性は小さいが占積率を
向上させ、積層することなく単層で二次巻線４０を配置
することもでき、積層時における上下の線輪間の耐絶縁
性を考慮する必要がなく、耐絶縁性を十分維持できる。

【００５３】特に、二次巻線４０はボビン３２の外周に
配置して一次巻線４１は二次巻線４０と磁芯３７との間
に配置しているので、ボビン３２を介して二次巻線４０
と一次巻線４１との絶縁が的確に図れ耐絶縁性を向上で
きるとともに、二次巻線４０と外装部３６との接触面積
を広げられ的確に耐絶縁性を向上できる。

【００５４】また、絶縁被覆層が三層絶縁被覆層よりも
薄いので、半田接続時に絶縁層も容易に溶融され、半田
接続における接続信頼性を向上し、特性劣化を抑制する
ことができる。

【００５５】さらに、第２トランス３５の二次巻線４０
の隣接した線輪間には、互いに線輪間を均等にして絶縁
樹脂を浸透させているので、エッジワイズ巻線の耐絶縁
性をより向上できるとともに、線輪間のバラツキに起因
した特性バラツキを低減し信頼性を向上できる。

【００５６】そして、磁芯３７は棒状にするとともに、
絶縁樹脂はエポキシ系絶縁樹脂としているので、使用時
におけるヒートショック等によって、内部温度に変化が
生じても、第１トランス３４および第２トランス３５に
被覆した外装部３６と磁芯３７とは直接接触する箇所が
少なく、互いの熱膨張率の差によって、磁芯３７が割れ
たりすることを抑制できる。

【００５７】特に、絶縁樹脂はエポキシ系絶縁樹脂とし
ているので、耐絶縁性と耐湿性を向上できる。一般に、
エポキシ系絶縁樹脂は耐絶縁性および耐湿性が非常に優
れているが、温度変化による膨張収縮の応力が大きいた
め、この絶縁樹脂によって被覆した内部部品は破壊され
ることがある。上記構成では、磁芯３７を棒状にし、ボ
ビン３２の貫通孔３１内に挿入しているので、応力が加
わりにくく、耐絶縁性および耐湿性を向上させつつ、磁
芯３７の割れを的確に抑制することができる。

【００５８】また、第２トランス３５の二次巻線４０
は、軸方向（Ｘ）に弾性力を有したエッジワイズ巻線に
するとともに、二次巻線４０を軸方向（Ｘ）に圧縮して
鍔部４２間に配置し、二次巻線４０が軸方向（Ｘ）に伸
張するようにして、鍔部４２を二次巻線４０により互い
に押圧させているので、エッジワイズ巻線の隣接する線
輪間が均等になり易く、線輪間のバラツキに起因した特
性バラツキを低減し、信頼性を向上できる。このような
線輪間には、樹脂注型時に絶縁樹脂が充填され易く、エ
ッジワイズ巻線と外装部３６との接触が広がり、耐絶縁
性も向上できる。

【００５９】この際、第１トランス３４のボビン３２お
よび第２トランス３５のボビン３２は、互いに連接した
１つの連接ボビンとしているので、小型化をより図るこ
とができるとともに、第１トランス３４および第２トラ
ンス３５は同軸上に配置され、互いの位置が固定される
ので、絶縁樹脂の注型時に互いのボビン３２の位置がず
れ、互いに近接等して、耐絶縁性に悪影響が生じたりす
ることを抑制できる。

【００６０】さらに、第２トランス３５の二次巻線４０
は高圧側を中鍔部４３側に配置するとともに、低圧側を
一方の鍔部４２側に配置しているので、第２トランス３
５の二次巻線４０の高圧側が中鍔部４３側に配置される
ので、最も高い電圧を出力する部分がトランス装置の内
部に配置されることになり、周辺部への耐絶縁性を向上
できる。

【００６１】このように本実施の形態は、連接ボビンや
エッジワイズ巻線を用いているので、小型化を図れると
ともに、積層することなく単層で二次巻線４０を配置す
るので、積層時における上下の線輪間の耐絶縁性を考慮
する必要がなく、耐絶縁性も十分維持できる。

【００６２】特に、二次巻線４０と一次巻線４１とをボ
ビン３２を介して配置したり、エッジワイズ巻線と外装
部３６との接触面積を広げたり、線輪間に絶縁樹脂を浸
透させたり、ボビン３２を連接ボビンとしたりしている
ので、的確に耐絶縁性を向上できる。

【００６３】また、最も高い電圧を出力する部分がトラ
ンス装置の内部に配置され、周辺部への耐絶縁性も向上
できる。

【００６４】さらに、半田接続における接続信頼性を向
上したり、線輪間のバラツキに起因した特性バラツキを
低減したり、使用時におけるヒートショック等に起因し
た磁芯３７の割れを抑制したりできる。

【００６５】なお、本実施の形態では、線輪間に絶縁樹
脂を浸透させたが、第２トランス３５の二次巻線４０を
自己融着線とし、互いに融着させて隣接した線輪間を密
着させ、絶縁樹脂を二次巻線４０の隣接した線輪間に非
浸透させてもよい。

【００６６】これによれば、線輪間にバラツキが生じ
ず、線輪間のバラツキに起因した特性バラツキを低減で
きる。特に、二次巻線４０を自己融着して隣接した線輪
間を密着させれば、線輪間を容易に密着することもでき
る。

【００６７】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、第２トラ
ンスの二次巻線は絶縁被覆層で被覆された金属平板状の
平角銅線をエッジワイズ巻きしたエッジワイズ巻線とし
ているので占積率が向上し小型化を図ることができる。

【００６８】また、エッジワイズ巻線は絶縁被覆層が三
層絶縁被覆層よりも薄いので、絶縁性は小さいが占積率
を向上させ、積層することなく単層で二次巻線を配置す
ることができ、積層時における上下の線輪間の耐絶縁性
を考慮する必要がなく、耐絶縁性を十分維持できる。

【００６９】特に、二次巻線はボビンの外周に配置して
一次巻線は二次巻線と磁芯との間に配置しているので、
ボビンを介して二次巻線と一次巻線との絶縁が的確に図
れ耐絶縁性を向上できるとともに、二次巻線と外装部と
の接触面積を広げられ的確に耐絶縁性を向上できる。

【００７０】さらに、絶縁被覆層が三層絶縁被覆層より
も薄いので、半田接続時に絶縁層も容易に溶融され、半
田接続における接続信頼性を向上し、特性劣化を抑制す
ることができる。

【００７１】この結果、三層絶縁被覆線を用いなくて
も、耐絶縁性を維持しつつ小型化を図れ、特性劣化を抑
制したトランス装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態におけるトランス装置の
断面図

【図２】同斜視図

【図３】同要部である外装部形成前の斜視図

【図４】同要部である外装部形成前の分解斜視図

【図５】同装置を液晶プロジェクタ等の点灯装置に用い
た場合における使用回路図

【図６】従来のトランス装置の斜視図

【図７】同断面図

【図８】同要部である外装部形成前の斜視図

【図９】同装置を液晶プロジェクタ等の点灯装置に用い
た場合における使用回路図

【符号の説明】

３１ 貫通孔 ３２ ボビン ３３ 巻線 ３４ 第１トランス ３５ 第２トランス ３６ 外装部 ３７ 磁芯 ３８ ケース ３９ リード線 ４０ 二次巻線 ４１ 一次巻線 ４２ 鍔部 ４３ 中鍔部 ６２ 高電位の第１入力端子 ６３ 低電位の第１入力端子 ６４ 高電位の第１出力端子 ６５ 低電位の第１出力端子 ６６ 高電位の第２入力端子 ６７ 低電位の第２入力端子 ６８ 高電位の第２出力端子 ６９ 低電位の第２出力端子 ７０ 点灯装置 ７１ 制御回路部 ７２ 第１ダイオード ７３ 第２ダイオード ７４ 第１コンデンサ ７５ 第２コンデンサ ７６ スパークギャップ部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森元 貞雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E043 AB01 AB04 BA01 5E044 AA03

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 貫通孔を有するボビンと、前記ボビンの
   貫通孔に挿入した磁芯と、前記磁芯の外方に配置した巻
   線とを有する第１トランスおよび第２トランスと、前記
   第１トランスおよび前記第２トランスに絶縁樹脂を被覆
   して設けた外装部とを備え、前記磁芯は、前記第１トラ
   ンスおよび前記第２トランスとの間で共有し、前記第１
   トランスおよび前記第２トランスとを互いに磁気結合さ
   せるもので、前記第２トランスの巻線において、前記第
   ２トランスの二次巻線は、絶縁被覆層で被覆された金属
   平板状の平角銅線をエッジワイズ巻きしたエッジワイズ
   巻線とするとともに前記ボビンの外周に配置し、前記第
   ２トランスの一次巻線は前記第２トランスの二次巻線と
   前記磁芯との間に配置したトランス装置。
2. 【請求項２】 絶縁樹脂を第２トランスの二次巻線の隣
   接した線輪間に浸透させた請求項１に記載のトランス装
   置。
3. 【請求項３】 第２トランスの二次巻線の隣接した線輪
   間には、互いに前記線輪間を均等にして絶縁樹脂を浸透
   させた請求項２に記載のトランス装置。
4. 【請求項４】 磁芯は棒状とした請求項１に記載のトラ
   ンス装置。
5. 【請求項５】 磁芯は棒状にするとともに、絶縁樹脂は
   エポキシ系絶縁樹脂とした請求項１に記載のトランス装
   置。
6. 【請求項６】 第２トランスのボビンの両端部に鍔部を
   設け、前記第２トランスの二次巻線は、軸方向に弾性力
   を有したエッジワイズ巻線にするとともに、前記二次巻
   線を軸方向に圧縮して前記鍔部間に配置し、前記二次巻
   線が軸方向に伸張するようにして、前記鍔部を前記二次
   巻線により互いに押圧させた請求項１に記載のトランス
   装置。
7. 【請求項７】 第１トランスのボビンおよび第２トラン
   スのボビンは、互いに連接した１つの連接ボビンとし、
   前記連接ボビンの両端部に鍔部を設けるとともに前記鍔
   部間に中鍔部を設け、前記第２トランスの二次巻線は、
   軸方向に弾性力を有したエッジワイズ巻線にするととも
   に、前記二次巻線を軸方向に圧縮して一方の前記鍔部と
   前記中鍔部との間に配置し、前記二次巻線が軸方向に伸
   張するようにして、一方の前記鍔部と前記中鍔部とを前
   記二次巻線により互いに押圧させた請求項１に記載のト
   ランス装置。
8. 【請求項８】 第２トランスの二次巻線は高圧側を中鍔
   部側に配置するとともに、低圧側を一方の鍔部側に配置
   した請求項７に記載のトランス装置。
9. 【請求項９】 第２トランスの二次巻線の隣接した線輪
   間を密着させ、絶縁樹脂を前記二次巻線の隣接した線輪
   間に非浸透させた請求項１に記載のトランス装置。
10. 【請求項１０】 第２トランスの二次巻線は自己融着線
    とし、互いに融着させて隣接した線輪間を密着させた請
    求項９に記載のトランス装置。